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Tipos de Transistores:

Transistores

TUJ/UJT/Transistor Unijunção - Basicamente o transistor de unijunção é feito por um material semicondutor do tipo N (de alta resistividade) com terminais nos extremos. Esses terminais não constituem junções semicondutoras, e assim, entre B2 (base 2) e B1 (base 1) temos, na prática uma resistência, formada pelo material semicondutor N. O material do tipo P como material do tipo N formam a única junção PN semicondutora interna.

Tudo se isso acontece como se a parte do tipo N fosse formado por duas simples resistências (R b2 e R b1 ), em série, sendo ligado no seu ponto central um diodo (terminal E ou Emissor).

O terminal do emissor (E) está mais próximo da base 2 (B2)

Tipos de Transistores: Transistores TUJ/UJT/Transistor Unijunção - Basicamente o transistor de unijunção é feito por um
B2 E B1
B2
E
B1

Obs.:

Tensão entre bases (Vbb) é a máxima tensão que pode ser aplicada entre as bases. Tensão entre emissor e base 1 (Vb1e) é a máxima tensão que pode ser aplicada entre esses dois terminais. Resistência entre bases (Rbb) é a resistência existente entre os dois terminais de base. Rbb = Rb1 + Rb2 Corrente de pico de emissor (Ie) é a corrente máxima que pode circular entre o emissor e a base 1 quando o transistor é disparado. Razão intrínseca de afastamento ()

  Rbb Rb1
 
Rbb Rb1

é o fator do divisor de tensão.

V 1
V
1

Aplicação:

Utilizados em osciladores de baixa freqüência, disparadores, estabilizadores, geradores de sinais dente de serra e em sistemas temporizados.

FET (Transistor de Efeito de Campo) - é um dispositivo semicondutor que controla o fluxo de portadores em seu interior utilizando um canal. O seu controle é feito por diferença de potencial, por campo elétrico, como não existe a injeção de portadores, aumenta a impedância de entrada do dispositivo.

Possui três conexões, o dreno (drain, D), a fonte (source, S) e o "controle do portão" (gate, G). A corrente de elétrons flui da fonte para o dreno através de um canal, sendo que a espessura deste canal, e a sua resistência, depende da região de depleção formada entre o gate e a source. Esta região de depleção depende do campo elétrico formado, e consequentemente da tensão aplicada V GS .

A curva característica de um FET é a medida da corrente no dreno (I D ) em função da tensão aplicada sobre o FET, V DS , quando V GS =0. De forma similar ao transistor de junção, o FET apresenta uma região inicial de polarização das junções, seguida de um patamar estável,ou de saturação e a região de ruptura. A corrente de saturação observada nestas condições é chamada I DSS , sendo um dos parâmetros importantes no modelamento do comportamento de um FET. Outros parâmetros importantes são a V GS e a tensão de constrição ou de pinch off ( V P ) que é a tensão associada ao "estreitamento" do canal de condução, localizada no "joelho" anterior ao plato de corrente de saturação.

FET (Transistor de Efeito de Campo) - é um dispositivo semicondutor que controla o fluxo de

A corrente I DS pode ser estimada, na região ativa do FET, no plato de saturação, pela relação:

FET (Transistor de Efeito de Campo) - é um dispositivo semicondutor que controla o fluxo de

Aplicações:

Na área de amplificadores (operando na área linear), em chaves (operando fora da área linear) ou em controle de corrente sobre uma carga

MOSFET (TECI) é uma subdivisão dos FET, mas devido a sua grande utilização é

estudado separadamente. É composto de um canal de material semicondutor de tipo N ou de tipo P sendo chamado respectivamente de NMOSFET ou PMOSFET, sendo a corrente produzida somente por um tipo de portador de carga (Elétrons ou Lacunas).

O TECI (MOSFET) pode operar em três modos diferentes:

Região de Corte: O transistor permanece desligado, e não há condução entre o dreno e a fonte. Enquanto a corrente entre o dreno e fonte deve idealmente ser zero devido à chave estar desligada, há uma fraca corrente invertida.

Região de Triodo (ou região linear): O transistor é ligado, e o canal que é criado permite o fluxo de corrente entre o dreno e fonte. O MOSFET opera como um resistor, controlado pela tensão na comporta.

Região de Saturação: O transistor fica ligado, e um canal que é criado permite o fluxo de corrente entre o dreno e a fonte. Como a tensão de dreno é maior do que a tensão na comporta, uma parte do canal é desligado. A criação dessa região é chamada de pinçamento (pinch-off). A corrente de dreno é agora relativamente independente da tensão de dreno (numa primeira aproximação) e é controlada somente pela tensão da comporta

Aplicação: Interruptores eletrônicos, amplificadores, circuitos analógicos, em circuitos digitais de baixa potência e alta velocidade, tais como microprocessadores e amplificadores operacionais

MOSFET (TECI) – é uma subdivisão dos FET, mas devido a sua grande utilização é estudado

O IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) - são interruptores eletrônicos resistentes, eficientes e relativamente rápidos. O IGBT reune a facilidade de acionamento dos

MOSFET’s, onde sua velocidade de chaveamento é determinada pelas características

mais lentas. A velocidade dos IGBT’s é semelhante à dos TBP (Transistores Bipolares de Potência), no entanto, nos últimos anos tem crescido gradativamente, permitindo a sua operação em freqüências de dezenas de kHz, nos componentes para correntes na faixa de dezenas e até centenas de Ampères.

O IGBT é um componente que se torna cada vez mais recomendado para comutação de carga de alta corrente em regime de alta velocidade, pois não tem nenhum diodo reverso internamente, sendo assim, este fator torna sua capacidade de bloqueio para tensões inversas muito baixas, podendo suportar uma tensão inversa máxima em menos de 10 volts.

Na estrutura do IGBT, é importante lembrar que o terminal de porta está conectado à

duas regiões isoladas do material semicondutor através de uma camada isolante de óxido de silício (SiO 2 ) ao invés de ser apenas uma região como costumamos ver em MOSFET’s. Assim, o IGBT apresenta formação de dois canais ao invés de apenas um.

O IGBT é freqüentemente utilizado como uma chave, alternando os estados de condução (On-state) e corte (Off-state) os quais são controlados pela tensão de porta, assim como em um MOSFET.

O IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) - são interruptores eletrônicos resistentes, eficientes e relativamente rápidos. O

Aplicação:

Usados principalmente como comutadores em conversores de freqüência, inversores etc.

Disciplina: Eletrônica Analógica Assunto: Tipos de transistores e aplicação Aluno: Leonardo Sales da Silva Fortaleza, 25

Disciplina: Eletrônica Analógica

Assunto: Tipos de transistores e aplicação

Aluno: Leonardo Sales da Silva

Fortaleza, 25 de junho de 2009.