I.

PRIMERA PARTE 1) DETERMINAR LAS CURVAS DEL FET Y EL PUNTO DE TRABAJO.Los datos a obtener de las curvas son: VGSQ, IDSQ y gm.

Montamos el circuito como se muestra en la figura, luego hacemos variar la fuente (VDC), desde cero hasta un valor de voltaje que haga que la corriente de drenaje disminuya a cero. Mientras se realiza esta operacin se van tabulando los datos mostrados por el ampermetro y el voltmetro de compuerta a fuente.

VGS [V] 0 -0,1 -0,12 -0,17 -0,5 -2 -2,3 -2,6 -4 -5 -6

IDS [mA] 2,5 2 1,8 1,19 0,44 0,25 0,23 0,2 0,1 0,05 0,005

IDS vs VGS

2.5

1.5 Corriente 1

0.5

-6.1

-4.1

Tensin

-2.1

0 -0.1

De la curva podemos obtener: gm = (1.8-1.19)/(0.12-0.17)= 12.2 mS 2) POLARIZACION DEL FET En el punto 1 se obtuvo: VGSQ, IDSQ y gm, a partir de estos datos se tiene que polarizar el FET. En esta etapa se debe obtener la mxima ganancia de tensin posible. La ganancia de tensin que se pretende es de 120. La seal de entrada tiene 10 mV de pico, entonces la seal de salida tendr 1.2 V de pico; la tensin de drenaje a fuente tiene que estar por encima de la tensin pico de salida. Datos: VGSQ = 0.17 V IDSQ = 1.19 mA IDSS = 2.5 mA gm = 12.2 mS VDSQ = 10 V VDD = 35 V Primero tratamos de colocar el punto de trabajo en el lugar que queremos mediante la auto polarizacin. Si no se obtiene lo deseado, entonces se escoge otro punto de trabajo. 2.1) AUTO POLARIZACION VGS = RScd*IDQ RScd = VGS / IDQ RScd = 142.86 Escrbase la ecuacin en cd de la ecuacin de LTK alrededor del lazo drenaje-fuente. VDD = VDSQ + (RScd + RD)* IDQ 35 V = 10 V + (RScd + RD) *1.19 mA RScd + RD = 21008 RD = 20865.5 De la ecuacin de ganancia de tensin, obtenemos RSca.

AV = RD /( RSca + (1/gm)) ............... (2) RSca = (RD / AV ) - (1/gm) RSca = 90.5 RScd = RSca + RS2 RS2 = RScd -RSca RS2 =52.36 3) PARAMETROS DE LA 1 ETAPA (FET).

Zi: Debido a la condicin de circuito abierto entre la compuerta y la red de salida, la entrada permanece de la siguiente manera: Zi = RG Zi = 1M

ZO: La impedancia de salida est definida mediante: ZO = vO / iO; cuando vi = 0 El voltaje vO est definido mediante: vO = -iD *RD ...................................... (1), vgs = -iD*RS ....................................... (2) Al aplicar la LCK en el nodo a, tenemos: iO + iD = gm*vgs (3) Reemplazando (2) en (3) y despejando iO; iO = - iD(gm*RS + 1) (4) Con (1) y (4) obtenemos la impedancia de salida: ZO = vO / iO= RD/(gm*RS + 1) ZO =13K Av: Escribiendo la LTK alrededor del circuito compuerta-fuente, se encuentra: vgs = vi RS*iD = vi RS*gm*vgs, despejando vgs, se obtiene, vgs = vi/(1+ RS*gm). La tensin de salida vO, esta dada por: vO = - id RD = -( RD*gm*vi)/(1+ RS*gm). La ganancia de tensin es; Av= -(gm*RD)/(1+RS*gm). Av= 130 II. SEGUNDA PARTE En esta etapa se pretende una ganancia de tensin de 12. La tensin a la salida de la primera etapa es de 1.2 V de pico, entonces la tensin a la salida de esta etapa tendr que ser de 14.4 V de pico. Datos: Av = 16.5

ICQ = 5 mA = 309 VCC = 35 V 1) POLARIZACION DEL BJT La polarizacin ser realizara por divisor de tensin. En esta etapa la excursin de salida tiene que ser mxima. Para proporcionar estabilidad en la polarizacin la corriente en RB debe ser aproximadamente 10 veces mayor que la corriente de base. Para lograr esto se hace RB 0.1**RE. Para reducir los efectos en ICEQ por cambios en la temperatura, una tcnica til es la compensacin por diodo (s) o tambin se puede usar un transistor con base y colector en cortocircuito. Cuando las caractersticas del diodo y de la unin baseemisor son iguales, entonces, si la temperatura cambia, tanto V como VBE cambian al mismo ritmo. ICQ = VCC/(Rca + Rcd) 5 mA = 35/(Rca + Rcd) 7 k = Rca + Rcd. (1) Rca = RE + RC... (2) Rcd = RE + RC.. (3) Reemplazando (2) y (3) en (1), tenemos: 3.5 k = RE + RC (4) Av = RC/RE RC = 16.5 * RE.. (5) Reemplazando (5) en (4), tenemos: RE = 200 Reemplazando en (5): RC = 3300 .

Ahora analizaremos el equivalente de Thvenin del circuito anterior. La tensin de Thvenin est dada por: VTH = ((VCC-V)*R1/ (R1+R2))+V (6) RTH = RB = R1R2. (7) RTH = 0.1**RE RTH = 0.1*300*200 RTH = 6000 Escribiendo la LTK alrededor del circuito: VTH = ((RTH/)+RE)*ICQ+VBE VTH = ((6000/300)+200)*0.005+0.7 VTH = 1.8 V Resolviendo (6) y (7) para determinar R1 Y R2, tenemos: R1 = (VCC-V)*RTH/(VCC-VTH) R1 = (35-0.7)*6000/(35-1.8) R1 = 6199 R2 = (VCC-V)*RTH/(VTH-V) R2 = (35-0.7)*6000/(1.8-0.7) R2 = 187091

2) PARAMETROS DE LA SEGUNDA ETAPA (BJT) Para determinar los parmetros de esta etapa, consideramos despreciable la resistencia del transistor de compensacin.

IMPEDANCIA DE ENTRADA: hie es despreciable frente a *RE Zi = RB *RE Zi = 5454.5 GANANCIA DE TENSION: Av = RC/RE Av = 3300/200 Av = 16.5 IMPEDANCIA DE SALIDA: ZO= RC ZO= 3.3K

III.

3 PARTE ACOPLE DE IMPEDANCIAS Para acoplar la impedancia de salida de la 1 etapa, con la impedancia de entrada de la segunda, usamos la configuracin de seguidor de emisor, porque tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida y la ganancia de tensin es uno. POLARIZACIN Se hace caer 5 V en la resistencia de emisor, para estar por encima de la tensin pico de salida. Polarizamos el transistor con una corriente de colector de 3.3 mA, esto nos da una resistencia de: RE= 5/0.0033= 1515.15 Este valor de resistencia no es estndar, el valor de resistencia hallado es de: RE= 1.48 K; con este nuevo valor de resistencia determinamos el nuevo valor de la corriente colector: ICQ=5/1480=3.4 mA Escribimos la ecuacin de la LTK, alrededor del lazo base-emisor. 35= (ICQ/)*RB+VBE+5 Despejando RB: RB= 2.6 M PARAMETROS DEL ADAPTADOR DE IMPEDANCIA

Impedancia de entrada:

IB= (VCC-VBE)/[RB+(1+)*RE] IB= 11.3 A IE= (1+)*IB IE= 3.4 mA re= 0.026/IE re= 7.66 Zb= *re+(1+)*RE Zb= 447774.1 Zi= ZbRB Zi= 382 K

Impedancia de salida:

Zo= reRE Zo= 7.62

Ganancia de tensin:

Av= RE/ (RE+re) Av= 0.995

Ganancia de corriente:

Ai= Av*(Zi/RE) Ai= 258

Simbologa: Vi: Seal de entrada Vo: Seal de salida Zi: Impedancia de entrada Zo: Impedancia de salida Av: Ganancia de tensin Ai: Ganancia de corriente RG: Resistencia de compuerta RD: Resistencia de drenaje RS1: Resistencia de fuente uno RS2: Resistencia de fuente dos Ci: Capacitancia RB: Resistencia de base RB1: Resistencia de base uno RB2: Resistencia de base dos RE: Resistencia de emisor Especificaciones: Seal de entrada= 20mVPP Seal de salida= 20 VPP Impedancia de entrada= 1 M Impedancia de salida= 3.3 K Frecuencia de corte inferior= 8 KHz Frecuencia de corte superior= 20 KHz

Retroalimentacin: Para la retroalimentacin usamos un divisor de tensin puramente resistivo. Retroalimentamos desde la salida antes del capacitor hasta la fuente del FET.