Electrnica Orgnica

Ph.D. Alex Cartagena Gordillo

alexus@ieee.org http://alexcartagenagordillowebsite.googlesites.com

Universidad Catlica de Santa Mara

Introduccin
La electrnica orgnica es importante principalmente

por su uso en displays en base a LED orgnicos (OLED) Los displays flexibles aparecieron en blanco y negro y ms tarde a color

Figura 1. (a) Prototipo de E-reader. (b) Prototipo de display flexible de Samsung

Introduccin

Figura 2. Telfonos mviles flexibles

Ventajas
La tecnologa de electrnica orgnica esta basada en

transistores de pelcula delgada basada en el comportamiento de semiconductor de molculas orgnicas, por ejemplo el pentacene Todos los beneficios claves de esta tecnologa se origina de las bajas temperaturas de procesamiento que llegan a 150C Las temperaturas necesarias en los procesos de Si CMOS estndar es de 1000C Como resultado se consigue una hoja de plstico irrompible de bajo costo por rea Investigacin ha demostrado que la tecnologa orgnica puede hacerse imprimible en el futuro

Ventajas
Bajo costo Flexible Imprimible

Transistor de Pelcula Delgada Orgnica

El primer transistor de pelcula delgada con

semiconductores orgnicos se realiz en 1989 Es una industria con inversin de $2.2 billones en el 2011 y se proyecta $ 44 billones para el 2021 Esta tecnologa est an en su infancia y sufre an de problemas como la variacin de parmetros causados por el proceso de produccin y el ambiente A nivel de transistor, algunas caractersticas fsicas permiten tcnicas de circuito que no son adecuadas en silicio CMOS estndar, tal como el llamado backgate

Transistor de Pelcula Delgada Orgnica

Los transistores de silicio MOSFET y los TFT (thin film

transistors) difieren en aspectos fsicos y comportamiento Los TFT son tan delgados que pueden reducirse al tamao de la compuerta (Gate)

Si Figura 3. (a) Seccin transversal de un NMOSFET (Si) (b) Seccin transversal de un TFT depositado sobre un sustrato inerte

Transistor de Pelcula Delgada Orgnica

La corriente en un TFT de tipo p est dada por
(1)

donde es la movilidad de los portadores, COX la capacitancia del aislante fsico, VT el voltaje umbral, y VE el voltaje inicial del transistor La corriente sub-umbral puede ser descrita mediante
(2)

donde Id,0 es la corriente del transistor cuando VSG=VT y n es un parmetro dependiente del voltaje de polarizacin

Transistor de Pelcula Delgada Orgnica

Los TFTs tiene la ventaja de no estar embebidos en el

mismo sustrato, por lo que no hay caminos de escape en es sustrato aislante que propague el ruido La arquitectura fsica de un TFT requiere por lo menos 4 capas: una para el semiconductor, una capa metlica para el surtidos y drenador, una para el aislador, y una capa metlica para la compuerta Entonces, existen 4 maneras diferentes de construir un TFT Depende del proceso de produccin decidir cual de estas arquitecturas es usada

Transistor de Pelcula Delgada Orgnica

Figura 4. (a) Arquitectura compuerta superior con surtidor y drenador sobre el semiconductor. (b) Arquitectura compuerta superior con surtidor y drenador debajo del semiconductor. (c) Arquitectura compuerta inferior con surtidor y drenador sobre el semiconductor. (d) Comp. inf. con surt. y dren. debajo.

Semiconductores Orgnicos

Pentacene
Pentacene (C22H14) es una pequea molcula orgnica Especficamente, es un hidrocarbono aromtico

policclico que consiste de cinco anillos de benceno fusionados Los anillos de benceno estn fusionados en una cadena lineal y forma una estructura molecular plana en la cual lo electrones delocalizados pueden moverse libremente Una estructura no complicada de la molcula permite un apilamiento denso de molculas en una estructura de cristal uniforme

Pentacene

Figura 5. (a) La estructura qumica del pentacene consiste en 5 anillos de benceno fusionados. (b) Vista microscpica de la fuerza atmica de una molcula simple de pentacene. (c) Molculas de pentacene apilados en una estructura de cristal de dos dimensiones.

Pentacene
Su estructura no complicada permite una integracin

muy alta en una estructura cristalina Es el semiconductor orgnico ms conocido Es til para slo un tipo de transistor (tipo p) Slo pocos semiconductores orgnicos son adecuados para transistores tipo n. Para formar tecnologa complementaria, se combinan con transistores de xido inorgnicos tipo n como el xido indio-galio-zinc

Estructura de un Transistor
El sustrato es un lmina fija a un wafer de silicio. La

compuerta est en la parte inferior y las otras lminas se ubican sobre ella Existe una compuerta trasera (BG) cuya funcin es linearizar el voltaje umbral del transistor sobre un rango

Figura 5. Seccin cruzada de un transistor de pelcula pentacene con compuerta inferior. G, S y D son la compuerta, surtidor y drenador

Propiedades Toxicolgicas del Pentacene

Documentacin acerca de las propiedades txicas del

pentacene no son fciles de encontrar La informacin ms precisa del pentacene est dado en las hojas de datos del pentacene comercialmente disponible De acuerdo al Globally Harmonised System of Clasification and Labeling of Chemicals (GHS) el producto no es una sustancia peligrosa De acuerdo al International Agency for Research on Cancer (IARC) ningn componente de este producto presente en niveles mayores o iguales a 0.1% se identifica como probable, posible, o confirmado carcingeno humano

Principio de Funcionamiento
La lmina delgada de pentacene en un transistor de

lmina delgada orgnico (OTFT) es construido con un nmero discreto de monocapas Debido a que la conductividad del pentacene en el plano X-Y es mayor que en la direccin Z, las corrientes se asumen que fluyen en forma laminar La mayor parte de las corrientes fluye en la capa ms cercana al aislador
Figura 6. Representacin ideal

Principio de Funcionamiento
El pentacene es un semiconductor ambipolar debido a

que el rgimen de acumulacin de ambos tipos de portadores es posible, dependiendo del signo del voltaje de compuerta Debido a la estructura cristalina de la molculas apiladas, los electrones/huecos pueden saltar fcilmente de una molcula a otra Los lmites del grano de pentacene son los ms difciles de saltar para los portadores y esto limita su movilidad La movilidad de huecos en un transistor de pentacene es alrededor de 0.1-1cm2/Vs, 3 dcadas debajo de la movilidad en Si monocristalino

Principio de Funcionamiento
La movilidad de electrones es mucho menor y hasta

negable en aire por 2 razones 1. Una molcula de pentacene que posee un electrn en su menor rbita molecular desocupada (LUMO) es reactiva a molculas H2O presentes en el aire 2. Los grupo hidroxyl (R-OH) en la interface semiconductor-aislador se creen que actan como trampas e- lo cual inmoviliza los portadores de carga negativos Se considera al pentacene, como casi todos los semiconductores orgnicos, como tipo p solamente

Semiconductores Orgnicos Alternativos

Buckminsterfullerene, mejor conocidos como bolas

Bucky o C60, es una molcula esfrica construida con slo tomos de carbn.

Figura 7. Representacin grfica de la estructura del Buckminsterfullerene

Semiconductores Orgnicos Alternativos

Graphene, es un material fascinante que consiste de

tomos de carbn alineados en hexgonos en un plano 2D Se puede alcanzar movilidad de carga mayores y fabricar transistores ambipolares, pero no se pueden polarizar en el estado OFF como todos los transistores

Figura 8. Representacin grfica de la estructura del graphene

Semiconductores Orgnicos Alternativos

Nanotubos, como C60 son parte de la familia fullerenes Los nanotubos don molculas cilndricas que consisten

slo de tomos de carbn, los cuales estn ordenados en hexgonos

Figura 9. Representacin grfica de la estructura de nanotubos de carbn

Tcnicas de Produccin

Tcnicas de Produccin
El proceso de produccin de las tecnologa pentacene

(3 capas metlicas) tiene baja complejidad comparada con el proceso de produccin del CMOS estndar de Si (5-10 capas metlicas) La capa crtica es la capa de pentacene El nivel de orden en los cristales, el tamao del grano y la presencia de defectos tipo lattice tienen influencia en los parmetros del transistor, tales como la movilidad () y el voltaje umbral (VT)

Tcnicas de Produccin Evaporacin Termal al Vaco

En esta tcnica, el sustrato es colocado en una

cmara al vaco Una clula fuente con pentacene en polvo es calentada de manera que haya evaporacin termal Debido al vaco en la cmara la molculas de pentacene sublimadas tiene que viajar una gran distancia Algunas molculas van directo al sustrato Otras colisionan y se adhieren a las paredes de la cmara Una vlvula controla el inicio y fin del proceso de crecimiento del pentacene en una lmina delgada

Tcnicas de Produccin Evaporacin Termal al Vaco

La morfologa de la lmina delgada est determinada

por la presin del vaco, la temperatura de calentado de la fuente de pentacene y la temperatura del sustrato

Figura 9. Vista esquemtica de la tcnica de deposicin VTE

Tcnicas de Produccin Deposicin de Vapor -Fase

Esta tcnica es adecuada para produccin de alto

volumen El polvo de pentacene se almacena en una fuente Un flujo de gas inerte N2 es generado y calentado a 270 C y se dirige sobre el pentacene Las molculas de pentacene van al N2 a travs de sublimacin y el gas pasa por una regadera que es optimizada para un flujo uniforme de pentacene en la cmara de deposicin En la cmara de deposicin espera un receptor con el sustrato en su parte superior El receptor se enfra a 20-50C y las molculas de pentacene en el gas se adhieren al sustrato por dondensacin

Tcnicas de Produccin Deposicin de Vapor -Fase

La estructura y la morfologa de la capa de pentacene

estn altamente influenciados por los parmetros del proceso, tales como la temperatura y el flujo de gas

Figura 10. Principio de funcionamiento de la tcnica de deposicin vapor-fase

Tcnicas de Produccin Deposicin de una Solucin

Esta tcnica es ventajosa comparada con las tcnicas

de vaco por que no requiere de una cmara Permite la impresin de circuitos Un precursor del pentacene se disuelve en una solucin La deposicin se lleva a cabo cubriendo el sustrato con la molcula Luego la reaccin qumica que convierte el precurso de pentacene en pentacene se lleva a cabo Se acciona por un parmetro externo que es normalmente la temperatura

Tcnicas de Produccin Deposicin de una Solucin

Figura 11. Principio de funcionamiento de la tcnica por deposicin de solucin

Tcnicas de Produccin Impresin por Tinta

Esta tcnica permite aplicaciones de gran escala y

gran rea Existen muchas tcnicas de impresin, impresin inkjet se considera la mejor para circuitos orgnicos Primero el electrodo de compuerta es depositado de tinta Au basado en nanopartculas o un precursor Au Un proceso de annealing convierte esta capa a una lmina continua Au Un aislador, poly-4-vinyl phenol (PVP), cubre la compuerta El surtido y drenador se procesan igual que la compuerta Finalmente se imprime el precursor del pentacene y se convierte a pentacene

Figura 12. Deposicin de pentacene en lminas delgadas por impresin inkjet

Aplicaciones
Entonces pueden existir aplicaciones flexibles,

inclusive enrrollables en grandes reas y escalas Su principal aplicacin son los displays Otras aplicaciones pueden ser RFID tags flexibles Iluminacin OLED flexible puede producirse en largas hojas y usarse cortando y pegando del tamao necesario

Figura 2. Etiqueta RFID flexible creado por PolyIC

Aplicaciones
Sistemas de sensores o incluso sistemas de sensores

inteligentes debido a su flexibilidad y gran rea Vendas inteligentes tambin pueden fabricarse de manera que midan la presin sangunea y el cicatrizado de la herida

Figura 3. Un arreglo de sensores de presin distribuido y envuelto alrededor de una mano robtica

Aplicaciones
Una variacin de la tecnologa puede integrarse en la

superficie de lentes de contacto para medidas de sensores en el ojo, por ejemplo presin en el ojo

Figura 4. Lentes de contacto binicos con circuitos electrnicos integrados colocados en el ojo de un conejo

Estado del Arte de Circuitos Orgnicos

Estado del Arte Circuitos Digitales

El cirtuito orgnico digital ms complejo reportado

hasta hoy es el primer microprocesador orgnico en una lmina Es un procesador de 8 bits y 40 instrucciones por segundo fabricado en tecnologa unipolar basado en pentacene El microprocesador es asistido por una lmina de instrucciones separada y dedicada

Estado del Arte Circuitos Digitales

Figura 6. Arquitectura, lista de instrucciones y smbolo de un ALU orgnico de 8 bits en lmina

Sensores
Debido a que los semiconductores orgnicos son

sensibles a muchos parmetros ambientales tienen una plataforma potencial para aplicaciones sensoriales Existen sensores de presin, temperatura y qumicos como sensores de amoniaco, alcohol, etc Un sensor de presin distribuido basado en una medicin resistiva de un material elstico piezoresistivo en una matriz activa se present en la figura 3.

Sensores

Figura 7. Esquema de una base tctil flexible en una lmina. Un selector activa cada pixel de manera cclica para un sensor de lectura serial

Circuitos Analgicos
En el 2010 aparecieron el primer convertidor digital a

analgico y analgico a digital Un ADC fue una ADC con una precisin de 26.5dB hecho con un integrador, comparador y desplazador de nivel

Figura 8. Diagrama de bloques de un ADC de primer orden en lmina hecho con un filtro anlogo de primer orden, comparador y desplazador de nivel

Circuitos Analgicos
El amplificador es un bloque bsico pero con

tecnologa unipolar su implementacin no es simple El Op Amp de tres estados usado en el ADC se construy con filtros pasa-alto. Sin embargo, el gran nmero de estos filtros incrementa el riesgo de inestabilidad a bajas frecuencias del Op Amp Mltiples tcnicas analgicas son aplicados para optimizar la robustez y ganancia del amplificador Los back gates de los transistores de entrada necesita 35 V, el cual es generado por un convertidos DC-DC en lmina

Circuitos Analgicos

Figura 9. (a) Esquema de un amplificador diferencial orgnico de un sola etapa (b) Dos amplificadores de etapa simple acoplados en DC

Sistema de Sensores Inteligentes

Hasta ahora se demostr la viabilidad de todos los

bloques para la construccin de un sistema de sensores inteligentes orgnicos Un sistema est compuesto por un sensor, un amplificador, un ADC, un procesador y un convertidos dc-dc.

Figura 10. Diagrama de bloques propuesto de un sistema de sensores inteligentes orgnico

Dificultades
Intrnsicamente hay baja movilidad de portadores, en la

prctica, la velocidad mxima del circuito es de slo 110kHz. Los semiconductores orgnicos, como el pentacene tienden a ser tiles slo para un tipo de transistores (tipo p en el caso del pentacene) Los transistores sufren variaciones al tiempo de proceso y efectos de degradacin. El parmetro ms sensitivo del transistor es el voltaje umbral La ganancia de los transistores orgnicos es baja (tpicamente ~5) De los dispositivos pasivos, solo los condensadores estn disponibles El comportamiento resistivo puede obtenerse polarizando el transistor adecuadamente

Conclusiones
Los displays flexibles son definitivamente la razn de

existencia para la electrnica orgnica. Sus propiedades de flexibilidad y gran rea se adecan perfectamente para ello Otras aplicaciones son RFID, sistemas de sensores y tambin la lmina tctil presentada Hay muchos problemas son los transistores orgnicos an sin resolver No necesitamos ser dogmticos, se pueden usar circuitos orgnicos complementariamente a los circuitos de silicio La impresin de circuitos es una gran oportunidad para paises en vias de desarrollo

GRACIAS POR SU ATENCIN