03/08/2011

DIODO SEMICONDUTOR

Prof. Marcelo Wendling Ago/2011

Conceitos Bsicos
O diodo semicondutor um componente que pode comportar-se como condutor ou isolante eltrico, dependendo da forma como a tenso aplicada aos seus terminais. Essa caracterstica permite que o diodo semicondutor possa ser utilizado em diversas aplicaes, como, por exemplo, na transformao de corrente alternada em corrente contnua.

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Formao do Diodo: Juno PN

Um diodo semicondutor formado a partir da juno entre um semicondutor tipo p e um semicondutor tipo n:

Formao do Diodo: Juno PN

Logo aps a formao da juno pn, alguns eltrons livres se difundem do semicondutor tipo n para o semicondutor tipo p. O mesmo processo ocorre com algumas lacunas existentes no semicondutor tipo p que difundem para o semicondutor tipo n.

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Formao do Diodo: Juno PN

Conforme ilustrado abaixo, as cargas produzidas nas proximidades da juno so cargas fixas rede cristalina. Essa regio de cargas prxima juno denominada regio de cargas descobertas ou regio de depleo.

Formao do Diodo: Juno PN

Com o aparecimento da regio de depleo, o transporte de eltrons para o lado p bloqueado, pois estes so repelidos da regio negativamente carregada do lado p. O mesmo efeito se aplica para lacunas cujo transporte para o lado n repelido pelas cargas positivas existentes no lado n da juno. Portanto, imediatamente aps a formao da juno, uma diferena de potencial positiva gerada entre os lados n e p. Essa barreira de potencial previne a continuao do transporte de portadores atravs da juno pn no polarizada.

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Formao do Diodo: Juno PN

A tenso V proporcionada pela barreira de potencial no interior do diodo, depende do material utilizado na sua fabricao. Valores aproximados para os diodos de germnio e silcio so V = 0,3 [V] e V = 0,7 [V], respectivamente. No possvel medir diretamente o valor de V aplicando um voltmetro conectado aos terminais do diodo, porque essa tenso existe apenas em uma pequena regio prxima juno. No todo, o componente eletricamente neutro, uma vez que no foram acrescentados nem retirados portadores do cristal.

Aspecto e Representao do Diodo

O diodo semicondutor representado em diagramas de circuitos eletrnicos pelo smbolo ilustrado abaixo. O terminal da seta representa o material p, denominado de anodo do diodo, enquanto o terminal da barra representa o material n, denominado de catodo do diodo.

p n

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Aspecto e Representao do Diodo

A identificao dos terminais do componente real pode aparecer na forma de um smbolo impresso sobre o corpo do componente ou ainda o catodo do diodo pode ser identificado atravs de um anel impresso na superfcie do componente:

Aplicao de tenso sobre o Diodo

A aplicao de tenso sobre o diodo estabelece a forma como o componente se comporta eletricamente. A tenso pode ser aplicada ao diodo pela polarizao direta ou pela polarizao inversa do componente

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Polarizao Direta
Polarizao direta uma condio que ocorre quando o lado p submetido a um potencial positivo relativo ao lado n do diodo. Nessa situao, o polo positivo da fonte repele as lacunas do material p em direo ao polo negativo, enquanto os eltrons livres do lado n so repelidos do polo negativo em direo ao polo positivo.

Polarizao Direta
Na situao ilustrada ao lado, o valor da tenso aplicada ao diodo inferior ao valor V da barreira de potencial. Nessa condio, a maior parte dos eltrons e lacunas no tm energia suficiente para atravessar a juno. Como resultado, apenas alguns eltrons e lacunas tm energia suficiente para penetrar a barreira de potencial, produzindo uma pequena corrente eltrica atravs do diodo.

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Polarizao Direta
Se a tenso aplicada aos terminais do diodo excede o valor da barreira de potencial, lacunas do lado p e eltrons do lado n adquirem energia superior quela necessria para superar a barreira de potencial, produzindo como resultado um grande aumento da corrente eltrica atravs do diodo. Quando o diodo est polarizado diretamente, conduzindo corrente eltrica sob a condio V > V, diz-se que o diodo est em conduo.

Polarizao Inversa
A polarizao inversa de um diodo ocorre quando o lado n fica submetido a um potencial positivo relativo ao lado p do componente. Nessa situao, os polos da fonte externa atraem os portadores livres majoritrios em cada lado da juno; ou seja, eltrons do lado n e lacunas do lado p so afastados das proximidades da juno.

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Polarizao Reversa
Com o afastamento dos portadores majoritrios, aumenta no s a extenso da regio de cargas descobertas, como tambm o valor da barreira de potencial atravs da juno. Com o aumento da barreira de potencial, tornase mais difcil o fluxo, atravs da juno, de eltrons injetados pela fonte no lado p e de lacunas no lado n. Como resultado, a corrente atravs do diodo tende praticamente a um valor nulo.

Quando o diodo est sob polarizao inversa, impedindo o fluxo de corrente atravs de seus terminais, diz-se que o diodo est em bloqueio ou na condio de corte.

Caractersticas Eltricas
sempre conveniente modelar um determinado componente eletrnico atravs de seu circuito equivalente. O circuito equivalente uma ferramenta largamente utilizada em eletrnica para representar um componente com caractersticas no comuns, por um circuito consistindo de componentes mais simples, tais como interruptores, resistores, capacitores etc. No caso do diodo semicondutor, em nvel tcnico, utilizam-se duas modelagens: o diodo ideal e o diodo semi-ideal.

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Modelo I: Diodo Ideal

Por diodo ideal entende-se um dispositivo que apresenta caractersticas ideais de conduo e bloqueio. Um diodo ideal, polarizado diretamente, deve conduzir corrente eltrica sem apresentar resistncia, comportando-se como um interruptor fechado. O interruptor fechado , portanto, o circuito equivalente para o diodo ideal em conduo. Polarizado inversamente, o diodo semicondutor ideal deve comportar-se como um isolante perfeito, impedindo completamente o fluxo de corrente. O interruptor aberto , portanto, o circuito equivalente para o diodo ideal na condio de corte.

Modelo I: Diodo Ideal

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Modelo II: Diodo Semi-Ideal

Polarizao Direta Com respeito s caractersticas de conduo do diodo semicondutor, deve-se levar em conta que o diodo entra em conduo efetiva apenas a partir do momento em que a tenso da fonte externa atinge um valor ligeiramente superior ao valor V da barreira de potencial. Deve-se tambm considerar a existncia de uma resistncia eltrica atravs da juno quando o diodo est sob polarizao direta. Essa resistncia existe em qualquer semicondutor, devido a colises dos portadores com a rede cristalina do material. O valor da resistncia interna dos diodos em estado de conduo normalmente inferior a 1 [].

Modelo II: Diodo Semi-Ideal

Polarizao Direta Assim, um modelo mais aprimorado para o circuito equivalente do diodo em conduo pode ser obtido pela associao srie de um resistor RD, representativo da resistncia direta de conduo, com uma fonte de tenso V correspondente ao valor da barreira de potencial na juno:

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Modelo II: Diodo Semi-Ideal

Em situaes em que o diodo utilizado em srie com componentes que exibem resistncias muito superiores sua resistncia de conduo, esta pode ser desprezada e o diodo pode ser considerado como ideal, sem que se incorra em um erro significativo:

Modelo II: Diodo Semi-Ideal

Polarizao Reversa Sempre existe uma corrente de fuga, quando o diodo inversamente polarizado, correspondendo passagem de portadores minoritrios atravs da juno. Essa corrente de fuga geralmente da ordem de alguns [A], o que indica que a resistncia da juno inversamente polarizada pode chegar a vrios [M], podendo ser modelado como apresentado abaixo:

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Modelo II: Diodo Semi-Ideal

Resumindo:

Questionrio
O que a dopagem de um semicondutor? O que so um semicondutores tipo n e tipo p? De que forma a temperatura altera a condutividade eltrica de um semicondutor? O que ocorre imediatamente aps a formao de uma juno pn? Sob que condies um diodo entra em conduo ou em bloqueio? Qual o valor tpico de tenso que deve ser aplicada a um diodo de germnio para que ele conduza? E para o diodo de silcio?

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Curva Caracterstica
O comportamento de qualquer componente eletrnico pode ser expresso atravs de uma curva caracterstica ou curva VI que representa a relao entre tenso e corrente atravs dos terminais do componente. Dessa forma, para cada valor da tenso aplicada, pode-se, a partir dos dados da curva caracterstica, obter o valor da corrente que flui no dispositivo e vice-versa. A curva caracterstica do diodo serve para determinar seu comportamento real qualquer que seja o seu estado de polarizao, conforme examinado a seguir.

Curva Caracterstica
Regio de Conduo Durante a conduo, uma corrente Id flui atravs do diodo, conforme ilustrado abaixo. A medida que aumenta a corrente injetada Id, a queda de tenso Vd , observada atravs dos terminais do diodo, aumenta muito pouco em relao ao valor V, como conseqncia do baixssimo valor da resistncia de conduo do diodo.

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Curva Caracterstica - Conduo

Uma representao grfica dessa relao tensocorrente para o caso do diodo de silcio mostrada ao lado. Nessa representao, a curva caracterstica do diodo obtida simplesmente pela unio de todos os pontos representativos dos pares de valores possveis de corrente Id e tenso Vd, atravs do diodo no regime de conduo.
200 180 160 140 120 100 80 60 40 20 0

Id (mA)

0,2

0,4

0,6

0,8

V d (V)

Curva Caracterstica - Conduo

A obteno do valor de I d tenso V0 que corresponde 200 a um dado valor de corrente I0, 180 feita traando-se inicialmente 160 uma linha horizontal a partir 140 do ponto sobre o eixo vertical 120 correspondente ao valor I100 0. Essa linha intercepta a curva80 I0 no ponto P. Traando-se a60 partir de P uma linha vertical,40 obtm-se a interseo com o20 eixo horizontal no ponto V0 0 que o valor desejado da 0 queda de tenso nos terminais do diodo.

V0 0,2 0,4 0,6 0,8

V d

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Curva Caracterstica - Conduo

Atravs da curva verifica-se tambm I (mA) que, enquanto a tenso sobre o 200 d diodo no ultrapassa um valor limite, que corresponde ao potencial da 180 barreira VB, a corrente atravs do 160 diodo permanece muito pequena. 140 Essa condio indicada para um tipo de diodo de silcio, onde Id < 6 120 [mA] para Vd < 0,7 [V]. A partir do 100 valor limite V = 0,7 [V], a corrente atravs do diodo pode aumentar 80 substancialmente sem que isso cause 60 um aumento significativo na queda 40 de tenso atravs do diodo. Verificase, portanto, que na faixa de valores 20 Vd > 0,7 [V], o diodo comporta-se 6 0 praticamente como um resistor de 0 0,2 baixssima resistncia.

0,4

0,6 0,7

0,8

Vd(V)

Curva Caracterstica
Regio de Bloqueio
Existe uma corrente de fuga quando o diodo inversamente polarizado, que aumenta gradativamente com o aumento da tenso inversa nos terminais do diodo. Esse comportamento pode ser observado na regio de tenses e correntes negativas do grfico, notando que, para este tipo de diodo de silcio, a corrente de fuga satura no valor de 1 [A] negativo.
0,002 I d (mA)

0,001

-0,001

-0,002 -1 -0,8 -0,6 -0,4 Vd (V) -0,2 0 0,2

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Curva Caracterstica - Bloqueio

I d(mA)

Como em polarizao direta a corrente tipicamente mais de 1.000 vezes superior ao valor da corrente de polarizao inversa, a representao das duas regies de operao em um mesmo grfico geralmente feita utilizando-se a escala de [mA] na regio de tenses positivas, e a escala de [A] na regio de tenses negativas.

150

100

50

V d(V)
0

-1

-0,8 -0,6 -0,4 -0,2

0,2

0,4

0,6

0,8

-50

Id(A)
-100

Limites de Operao
Os limites de operao do diodo em cc estabelecem os valores mximos de tenso e corrente que podem ser aplicados ao componente em circuitos de corrente contnua, sem provocar danos a sua estrutura. Analisando o comportamento do diodo no regime de conduo, verifica-se que a corrente de conduo o fator diretamente influenciado pelo circuito de alimentao do diodo. A queda de tenso nos terminais do diodo no regime de conduo praticamente independente do circuito, mantendo-se em um valor prximo ao valor do potencial da barreira do dispositivo, ou seja, 0,7 [V] para o silcio e 0,3 [V] para o germnio.

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Limites de Operao
No regime de polarizao inversa, a tenso atravs do diodo o parmetro diretamente influenciado pelo circuito de alimentao. A corrente de fuga no muito influenciada pelo circuito externo pois depende apenas das propriedades materiais do diodo. Dessa forma, os limites de operao do diodo so definidos pela corrente de conduo mxima e tenso inversa, ou reversa, mxima descritas a seguir.

Corrente Direta Mxima - I DM

A corrente mxima de conduo de um diodo fornecida pelo fabricante em um folheto de especificaes tcnicas. Nesses folhetos, a corrente mxima de conduo aparece designada pela sigla IF, com a abreviao F simbolizando a palavra inglesa forward que significa para a frente, direto(a) etc. Na tabela abaixo so especificados valores de IF para dois tipos comerciais de diodos.
TIPO SKE 1/12 1n4004 IF 1,0 A 1,0 A

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Tenso Reversa Mxima - V BR

Sob polarizao inversa, o diodo opera no regime de bloqueio. Nessa condio, praticamente toda tenso externamente aplicada atua diretamente entre os terminais do diodo:

Tenso Reversa Mxima - V BR

Cada diodo tem a estrutura preparada para suportar um determinado valor mximo da tenso inversa. A aplicao de um valor de tenso inversa superior quele especificado pelo fabricante, provoca um aumento significativo da corrente de fuga suficiente para danificar o componente. Os fabricantes de diodos fornecem nos folhetos de especificao o valor da tenso inversa mxima que o diodo suporta sem sofrer ruptura. Esse valor designado por VR. Na tabela a seguir esto listadas as especificaes de alguns diodos comerciais com os respectivos valores do parmetro VR.

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Tenso Reversa Mxima - V BR

TIPO 1N4001 BY127 BYX13 SKE1/12

VR 50 V 800 V 50 V 1.200 V

Bibliografia
Retirado da apostila Srie desenvolvido pelo Sistema SENAI. Eletrnica,

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