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ETEC LAURO GOMES

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CENTRO ESTADUAL DE EDUCAO TECNOLGICA PAULA SOUZA
ESCOLA TCNICA ESTADUAL LAURO GOMES









APOSTILA DE ELETRNICA ANALGICA
AN1 1 SRIE DE ELETRNICA PERODO NOTURNO







PROF GIUSEPPE GIOVANNI MASSIMO GOZZI
















SO BERNARDO DO CAMPO
2013


ETEC LAURO GOMES
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SUMRIO
TEORIA DOS SEMICONDUTORES ......................................................................................................... 02
Semicondutor puro ..................................................................................................................................... 02
Dopagem ........................................................................................................................................ ........... 03
Semicondutor tipo P ...................................................................................................................... 04
Semicondutor tipo N ...................................................................................................................... 05
EXPERINCIA N 01 ................................................................................................................................. 06

DIODO RETIFICADOR DE SILCIO .......................................................................................................... 09
Circuitos de polarizao do diodo .............................................................................................................. 10
Polarizao direta .......................................................................................................................... 10
Polarizao reversa ....................................................................................................................... 12
Curva caracterstica ................................................................................................................................... 14
Modelos de trabalho .................................................................................................................................. 14
Especificaes do diodo semicondutor ...................................................................................................... 15
EXPERINCIA N 02 ................................................................................................................................. 16
EXERCCIOS ............................................................................................................................................. 18

CIRCUITOS COM DIODOS ....................................................................................................................... 27
Sinais eltricos alternados ......................................................................................................................... 27
EXPERINCIA N 03 ................................................................................................................................. 29
Circuitos ceifadores .................................................................................................................................... 31
Circuitos retificadores ................................................................................................................................. 32
Circuito retificador de meia onda ................................................................................................... 32
Circuito retificador de onda completa com center tap ................................................................... 34
Circuito retificador de onda completa tipo ponte ........................................................................... 37
EXPERINCIA N 04................................................................................................................................... 39
EXERCCIOS ............................................................................................................................................. 43

EXPERINCIA N05: EB 111............................................................................................................57

LED ............................................................................................................................................................ 70
EXPERINCIA N 06 ................................................................................................................................. 73


REFERNCIA BIBLIOGRFICA .............................................................................................................. 75


















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TEORIA DOS SEMICONDUTORES

SEMICONDUTOR PURO (INTRNSECO)

O diodo um dispositivo bastante utilizado na Eletrnica, com diversas aplicaes. Ele
constitudo de um elemento chamado semicondutor.
Um elemento semicondutor puro aquele que, temperatura ambiente, possui um
comportamento eltrico classificado entre o condutor e o isolante.
Dentre os materiais semicondutores, os mais comuns so o Silcio e o Germnio, sendo que
vamos destacar o primeiro.
O Silcio um elemento cujo tomo possui quatro eltrons em sua ltima rbita, a camada de
valncia.












FIGURA 01: TOMO TETRAVALENTE


Os tomos de Silcio podem se combinar de maneira a formar uma estrutura cristalina. Desta
forma, os tomos tero oito eltrons na ltima camada, graas s ligaes covalentes:










FIGURA 02: LIGAO COVALENTE















FIGURA 03: GERAO DE UMA LACUNA



DEVEMOS NOS LEMBRAR DE QUE NUM
TOMO, A QUANTIDADE DE CARGAS
POSITIVAS (PRTONS) IGUAL
QUANTIDADE DE CARGAS NEGATIVAS
(ELTRONS): SENDO ASSIM, TODO TOMO
ELETRICAMENTE NEUTRO!


SEM A PRESENA DO ELTRON, TEMOS UM
PRTON CUJA CARGA NO FICA ANULADA,
COMO ACONTECE COM OS OUTROS TRS.
DEVIDO A ESTE FATO, PRTICA COMUM
ASSOCIAR LACUNA A CARGA POSITIVA DO
PRTON EXCEDENTE; PORTANTO, VAMOS
CONSIDERAR QUE A LACUNA POSSUI CARGA
POSITIVA.


Como pode se notar, os eltrons na estrutura cristalina esto
fortemente combinados; ento, torna-se difcil a conduo da
eletricidade. Porm, com uma energia adicional externa, alguns
eltrons podem se desprender das ligaes qumicas; quando isto
acontece, temos um par de portadores de cargas eltricas, o par
eltron-lacuna.


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Mas, devido a pouca quantidade de portadores de cargas, o material no um bom
elemento condutor de eletricidade:

Ocasionalmente, um eltron pode preencher uma lacuna; a isto chamamos
de recombinao. Apesar desta estar constantemente acontecendo, os
pares de portadores de carga no deixam de existir, pois a temperatura
ambiente suficiente para produzir novas lacunas.

FIGURA 04: CRISTAL PURO

Porm, ao se adicionar energia (na forma de calor, por exemplo) as molculas do cristal iro
vibrar. Esta vibrao quebra algumas ligaes covalentes, formando mais portadores de carga eltrica.










FIGURA 05: CONDUO ATRAVS DA TEMPERATURA
DOPAGEM (SEMICONDUTORES EXTRNSECOS)

Quando se confecciona um diodo, a primeira coisa a ser feita submeter o cristal de Silcio a
um aquecimento bem elevado, de forma a obter um cristal completamente puro. Depois, os cristais so
cortados em tiras em forma de disco:

Na figura ao lado podemos observar, no interior de um tubo
de quartzo, discos de Silcio completamente puros. Porm,o cristal
puro no possui boa condutividade, pois a quantidade de cargas
eltricas livres, na temperatura ambiente, pequena.
Para aumentarmos a quantidade de cargas eltricas livres,
necessrio adicionar ao cristal puro elementos que causem o
desequilbrio entre cargas eltricas (ou o cristal possui um excesso
de cargas Positivas ou um excesso de cargas Negativas). Estes
elementos so chamados de impurezas, e elas podem ser
trivalentes (trs eltrons na ltima camada), como por exemplo o
Alumnio, o Boro, o Glio ou o ndio, ou pentavalentes (cinco
eltrons na ltima camada), como por exemplo, o Antimnio, o
Arsnio ou o Fsforo. O processo de adio de impurezas
chamado de dopagem. Dopando-se o cristal semicondutor puro
FIGURA 06: DISCOS DE SILCIO
FIGURA 06: PROCESSO DE DOPAGEM chamado de dopagem. Dopando-se o cristal semicondutor puro
com impurezas trivalentes, obtm-se o semicondutor tipo P; com
impurezas pentavalentes, teremos o semicondutor tipo N.

Num cristal dopado, as cargas eltricas em maior nmero so chamadas de majoritrias; as
que esto em menor nmero so as minoritrias.







A CONDUO ELTRICA DE UM
CRISTAL SEMICONDUTOR PURO
DEPENDE DA TEMPERATURA!
Fonte: Enciclopdia de Cincia e Tcnica COMO
FUNCIONA So Paulo, Abril, 1976. V.6 pg. 1365


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Semicondutor Tipo P

Como exemplo, vamos utilizar o Alumnio:









FIGURA 07: TOMO DE ALUMNIO

Se substituirmos um dos tomos de Silcio por um de Alumnio, os seus trs eltrons faro
parte da ligao covalente. Mas, como se pode notar na figura, estar sobrando uma lacuna. Esta lacuna
poder ser preenchida por um eltron de um tomo vizinho, como mostrado abaixo:














FIGURA 08: LIGAO COVALENTE EM UM TOMO TRIVALENTE

Ento, teremos o semicondutor tipo P, onde os portadores de carga que determinam a
conduo eltrica (os majoritrios) so as lacunas.














FIGURA 09: SEMICONDUTOR TIPO P

Apesar de no estar representado na figura acima, no semicondutor tipo P temos tambm
eltrons livres, porm estes esto em menor nmero (minoritrias).




DESTA FORMA, O TOMO DE ALUMNIO FICAR
ELETRICAMENTE NEGATIVO, J QUE POSSUIR UM
ELTRON A MAIS. PORM, ESTA CARGA NEGATIVA
EST COMBINADA COM O NCLEO, NO SENDO
ADEQUADA PARA A CONDUO. POR OUTRO LADO,
SEMPRE EXISTIR UMA LACUNA A MAIS, QUE SER A
NOSSA CARGA ELTRICA LIVRE (ADEQUADA PARA
CONDUO)!


PARA DIFERENCIARMOS MELHOR OS TIPOS DE
SEMICONDUTORES, O TIPO P SER
REPRESENTADO POR UM MATERIAL AZUL (QUE
REPRESENTA OS TOMOS DE ALUMNIO
NEGATIVOS) COM ESFERAS VERMELHAS
(LACUNAS, QUE ASSOCIADAS AOS PRTONS SO
POSITIVAS)!

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Semicondutor Tipo N

Como exemplo, vamos utilizar o Antimnio:











FIGURA 10: TOMO DE ANTIMNIO

Se substituirmos um dos tomos de Silcio por um de Antimnio, quatro de seus eltrons faro
parte da ligao covalente. Mas, como se pode notar na figura, fica sobrando um eltron, que no se
combina com nenhum outro. Sendo assim, fica fcil para este escapar de sua rbita, tornando-se um eltron
livre.















FIGURA 11: LIGAO COVALENTE COM UM TOMO PENTAVALENTE

Ento, teremos o semicondutor tipo N, onde os portadores de carga que determinam a
conduo eltrica (os majoritrios) so os eltrons.














FIGURA 12: SEMICONDUTOR TIPO N

Apesar de no estar representado na figura acima, no semicondutor tipo N temos tambm
lacunas, porm estas esto em menor nmero (minoritrias).

DESTA FORMA, O TOMO DE ANTIMNIO FICA
ELETRICAMENTE POSITIVO, J QUE POSSUI UM
ELTRON A MENOS. PORM, ESTA CARGA
POSITIVA EST COMBINADA COM O NCLEO, NO
SENDO ADEQUADA PARA A CONDUO. POR
OUTRO LADO, SEMPRE TEREMOS UM ELTRON A
MAIS, QUE SER A NOSSA CARGA ELTRICA
LIVRE (ADEQUADA PARA CONDUO)!


PARA DIFERENCIARMOS MELHOR OS TIPOS DE
SEMICONDUTORES, O TIPO N SER
REPRESENTADO POR UM MATERIAL CUJA
SUPERFCIE VERMELHA (QUE REPRESENTA
OS TOMOS DE ANTIMNIO POSITIVOS) COM
ESFERAS AZUIS (ELTRONS LIVRES, QUE SO
CARGAS NEGATIVAS)!

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EXPERINCIA N 1: UTILIZAO DO OSCILOSCPIO

OBJETIVO:
Identificar e praticar com o osciloscpio, conhecendo seus controles e compreendendo suas funes.

MATERIAL A SER UTILIZADO:
01 Osciloscpio com duas pontas de prova

PROCEDIMENTO EXPERIMENTAL:

1 PARTE: Conhecendo o osciloscpio

1. Localize a parte frontal do osciloscpio;
2. Antes de ligar o instrumento, certifique-se que os controles e chaves abaixo relacionados estejam
conforme tabela a seguir:

TABELA 01: POSICIONAMENTO DE CHAVES E CONTROLES
ITEM AJUSTE
POWER POSIO OFF
INTEN GIRAR NO SENTIDO HORRIO (POSIO 3 hs)
FOCUS METADE DO CURSO
VERT MODE CH1
POSITION POSIO CENTRAL
VOLTS/DIV 0.5 V / DIV
VARIABLE CAL (GIRANDO NO SENTIDO HORRIO)
AC-DC-GND GND
SOURCE SELECIONADO PARA CH1
COUPLING AC
SLOPE +
TRIG ALT LIBERADO
LEVEL LOCK PRESSIONADO
HOLDOFF MIN (GIRANDO NO SENTIDO ANTI-HORRIO)
TRIGGER MODE AUTO
TIME/DIV 0,5 ms / DIV
POSITION METADE DO CURSO
SWP.UNCAL LIBERADO
CHOP LIBERADO
CH2 INV LIBERADO
X-Y LIBERADO
X10 MAG LIBERADO

3. Atravs do boto de fora principal do instrumento (POWER), ligue o osciloscpio. Descreva o que
acontece.

4. Verifique e anote o que acontece ao acionarmos os seguintes controles do osciloscpio:

4.1. INTEN; 4.2. FOCUS;
4.3. TRACE ROTATION; 4.4. AC-DC-GND;
4.5. VERT MODE; 4.6. POSITION
4.5.a. CH1; 4.7. TIME/DIV
4.5.b. CH2;
4.5.c.DUAL



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2 PARTE: Calibrando o osciloscpio

1. Depois de posicionar os controles e chaves de acordo com a tabela 01, dever aparecer
um trao na tela reticulada cerca de 20 segundos depois de pressionado o boto POWER;
se nenhum trao aparecer, mesmo aps cerca de 1 minuto, repita todo o procedimento de
ajustes da tabela 01;

2. Regula o trao para um brilho apropriado e para uma imagem bem ntida.
Que controles devem ser utilizados para esse fim?

3. Verifique se o trao esteja alinhado com a linha horizontal central do reticulado
Que controles devem ser utilizados para esse fim?

4. Conecte o terminal BNC da ponta de prova ao terminal de entrada INPUT de CH1 e
aplique na outra extremidade (a ponta de prova propriamente dita, visvel ao se retrair a
capa protetora, conhecida como chapu de bruxa ) da ponta, ajustada em 1:1, o sinal de
2,0 Vpp proveniente do CALIBRATOR.
RESPONDA: O que um sinal Vpp?

5. Coloque o boto AC - GND DC na posio AC (Responda o porqu disso). Anote a
forma de onda na figura abaixo:



















6. Ajuste o controle FOCUS at obter um trao bem ntido.

7. Ajuste os controles POSITION e POSITION em posies adequadas, tais que, a
forma de onda mostrada na tela fique alinhada com o reticulado, para que a tenso e o
perodo possam ser lidos como desejado.
(RESPONDA: O que perodo? E freqncia?)

_______________________________________________________________________________
_______________________________________________________________________________
_______________________________________________________________________________
_______________________________________________________________________________
_______________________________________________________________________________
_______________________________________________________________________________


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8. Para visualizao de sinais, ajuste os controles VOLTS/DIV e TIME/DIV nas posies
conforme tabela a seguir, tais que, a forma de onda do sinal seja apresentada na tela com
uma amplitude apropriada e um nmero conveniente de picos:

VOLTS/DIV
N DE
DIVISES
VERTICAIS
AMPLITUDE
TENSO
Vpp
TIME/DIV
N DE
DIVISES
HORIZONTAIS
VALOR
DO
PERODO
VALOR DA
FREQNCIA
1 0,5V/DIV 0,2ms/DIV
2 1V/DIV 0,5ms/DIV
3 2V/DIV 1ms/DIV
4 5V/DIV 2ms/DIV

RESPONDA: Como se calculam a AMPLITUDE, a tenso VPP, o PERODO e a FREQNCIA?
Qual ou quais so as melhores escalas para a medida a ser efetuada?

_______________________________________________________________________________
_______________________________________________________________________________
_______________________________________________________________________________
_______________________________________________________________________________
_______________________________________________________________________________
_______________________________________________________________________________

9. Para cada uma das medidas efetuadas, desenhe a forma de onda:

1 2














3 4














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DIODO RETIFICADOR DE SILCIO

O diodo retificador de Silcio um dispositivo formado pela unio fsica dos
semicondutores tipo P e N. Esta unio mais conhecida como Juno PN.












FIGURA 13 : JUNO PN REAL

Basicamente temos ento um disco de Silcio puro, onde de um lado ele est
dopado com impurezas trivalentes, e do outro, com impurezas pentavalentes :










FIGURA 14: REPRESENTAO ILUSTRATIVA DA JUNO PN

As cargas eltricas, tanto no lado P como no N, esto em movimento, fora o fato
da repulso existente entre cargas eltricas de mesmo sinal. Sendo assim, algumas cargas do lado
P migram para o meio, acontecendo a mesma coisa para as cargas do lado N.

Os eltrons que migraram para o meio deixaram no lado N ons positivos, assim
como as lacunas que migraram tambm para o meio deixaram ons negativos no lado P. Forma-
se ento uma regio ionizada, que impede outras cargas de migrarem. Esta regio ionizada
chamada de barreira de potencial, possuindo um valor que, no Silcio, de aproximadamente 0,7
V. Esta regio ionizada tambm conhecida como camada de depleo.








FIGURA 15: DIODO SEMICONDUTOR CAMADA DE DEPLEO

No lado P, coloca-se um terminal denominado ANODO (A) e no lado N, coloca-se
um terminal denominado CATODO (K).
A seguir, pode-se observar o desenho esquemtico de um diodo:
TIPO P TIPO N


NA FIGURA AO LADO, TEMOS UMA VISTA
EM CORTE DE UMA JUNAO PN FORMADA
POR UM FIO DE OURO DOPADO COM GLIO
(ELEMENTO TRIVALENTE) E A SUPERFCIE
DE UMA PASTILHA SEMICONDUTORA.

TEMOS ENTO UM CRISTAL DE SILCIO PURO
(AMARELO) DOPADO COM IMPUREZAS
TRIVALENTES (LADO ESQUERDO) E COM
IMPUREZAS PENTAVALENTES (LADO DIREITO),
FORMANDO O DIODO.


A FIGURA AO LADO REPRESENTA COMO
INTERNAMENTE UM DIODO DE SILCIO.

F
o
n
t
e
:

E
n
c
i
c
l
o
p

d
i
a

d
e

C
i

n
c
i
a

e

T

c
n
i
c
a

C
O
M
O

F
U
N
C
I
O
N
A

o

P
a
u
l
o
,

A
b
r
i
l
,

1
9
7
6
.

V
.
6

p

g
.

1
3
6
5

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FIGURA 16: DIODO SEMICONDUTOR
CIRCUITOS DE POLARIZAO DO DIODO
Polarizao direta:

Para que o diodo possa conduzir, necessrio polariz-lo diretamente, ou seja,
conect-lo a um circuito da seguinte maneira:













FIGURA 17: CIRCUITO DE POLARIZAO DIRETA DE UM DIODO

Como o potencial maior (+) estar no lado P, as cargas positivas sero repelidas,
tendendo a migrar para o outro lado; da mesma maneira, as cargas negativas do lado N sero
repelidas pelo potencial menor (-), tambm tendendo a migrar para o outro lado. O que acaba
acontecendo que todo o dispositivo ficar com excesso de cargas livres (que a caracterstica
eltrica de um condutor). Ento, o diodo torna-se um elemento condutor de eletricidade.
Se cessarmos o fornecimento de energia eltrica para o diodo, ele voltar ao seu
normal:









FIGURA 18: COMPORTAMENTO DO DIODO NA POLARIZAO DIRETA
41

Fonte: Enciclopdia de Cincia e
Tcnica COMO FUNCIONA So
Paulo, Abril, 1976. V.2 pg. 436


NA FIGURA AO LADO, TEMOS VRIOS
TIPOS DE DIODOS SEMICONDUTORES.


OBSERVE QUE O POTENCIAL MAIOR DA
TENSO ELTRICA SOBRE O DIODO
EST NO ANODO (A), ENQUANTO QUE O
POTENCIAL MENOR DA MESMA EST DO
CATODO (K); NESTAS CONDIES, O
DIODO CONDUZ!

Ve > 0,7 V

NA FIGURA ACIMA, TEMOS O DESENHO
ESQUEMTICO DO DIODO.

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O valor da corrente que atravessa o diodo calculado da seguinte maneira:

Rs
VD Ve
Rs
VRs
ID

= = , sendo V VD 7 , 0 ~

Podemos representar o diodo polarizado de forma direta graficamente:













FIGURA 19: REPRESENTAO GRFICA DA CONDUO DE UM DIODO

Existe a possibilidade de determinar os valores de VD e ID, em um circuito de
polarizao direta, atravs do grfico. Este mtodo consiste em encontrar o ponto de trabalho do
diodo no circuito em questo:

(1o) PASSO: Analisar o circuito sem o diodo em dois casos extremos circuito aberto e curto
circuito, para obtermos a reta de carga:











FIGURA 20 : CIRCUITO ABERTO : 1 PONTO DO GRFICO - TENSO DA FONTE














FIGURA 21: CIRCUITO FECHADO: 2 PONTO DO GRFICO - CORRENTE MXIMA

O DIODO NO UM
COMPONENETE LINEAR; SUA
RESISTNCIA POSSUI VALORES
DIFERENTES EM CADA PONTO DO
GRFICO. ISTO ACONTECE
DEVIDO SUA PRPRIA
CONSTITUIO.


Primeiro ponto da reta de carga:

Tenso mxima = Tenso da fonte

Ve


Segundo ponto da reta de carga:

Corrente mxima (corrente de
curto circuito)

Rs
Ve
x = Im


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(2o) PASSO: Com os dois pontos principais j encontrados, traa-se a reta de carga no grfico da
curva caracterstica do diodo; onde a reta de carga encontrar a curva caracterstica (ponto de
interseo) temos o ponto de trabalho do diodo no circuito:













FIGURA 22: PONTO QUIESCENTE

(3o) PASSO: Atravs do ponto Q, traam-se retas paralelas aos eixos x e y, obtendo-se os valores
de tenso (VD) e corrente (ID) do diodo no circuito:







FIGURA 23: VALORES QUIESCENTES DE TENSO E CORRENTE
Polarizao reversa:

Se ligarmos o diodo a um circuito da maneira mostrada abaixo, o diodo passar a
ter um comportamento eltrico semelhante a um isolante:














FIGURA 24: CIRCUITO DE POLARIZAO REVERSA DE UM DIODO



O PONTO DE TRABALHO TAMBM
CONHECIDO POR PONTO
QUIESCENTE (PONTO Q).


OBSERVE QUE O POTENCIAL MAIOR
DA TENSO ELTRICA SOBRE O
DIODO EST NO CATODO (K),
ENQUANTO QUE O POTENCIAL MENOR
DA MESMA EST DO ANODO (A);
NESTAS CONDIES, O DIODO NO
CONDUZ!

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Internamente no diodo, ocorre o seguinte:

Como o potencial maior (+) estar no lado N, as cargas
negativas sero atradas, tendendo a migrar para a
extremidade; da mesma maneira, as cargas positivas do lado P
sero atradas pelo potencial menor (-), tambm tendendo a
migrar para a outra extremidade. O que acontece que a
barreira de potencial acaba aumentando, dificultando a
passagem da corrente eltrica (que a caracterstica eltrica de
um isolante). Ento, o diodo torna-se um elemento isolante.

FIGURA 25: DIODO POLARIZADO REVERSAMENTE

Podemos representar o diodo polarizado de forma reversa graficamente:















FIGURA 26: REPRESENTAO GRFICA DA POLARIZAO REVERSA

Uma parcela desta corrente chamada de corrente de saturao (IS), que existe
por causa dos portadores minoritrios existentes no dois lados da juno (produzidos
continuamente devido energia trmica aplicada ao diodo). Esta parcela depende nica e
exclusivamente da temperatura, ou seja, mesmo se aumentarmos a tenso aplicada reversamente
ao diodo, no haver aumento de corrente de fuga. regra comum adotarmos que a corrente de
fuga de um diodo de Silcio dobra de valor a cada aumento de temperatura correspondente a
10
o
C.
Outra parcela da corrente reversa a corrente de fuga superficial (IFS), uma
corrente formada por impurezas da superfcie do diodo, que criam caminhos para a corrente
percorrer. Esta parcela depende da tenso aplicada ao diodo.


Algo a ser notado no grfico um ponto mximo de tenso.
Este ponto chamado de tenso de ruptura (VR), e como o
prprio nome diz, se a tenso aplicada ao diodo ultrapassar
este valor, ele se danificar. Isto acontece porque se
aplicando a polarizao reversa ao diodo, eltrons livres so
deslocados a ponto de se chocarem com outros eltrons,
tornando-os livres tambm; estes, agora livres, podem se
chocar com outros e assim sucessivamente, criando um efeito
cascata chamado de efeito avalanche. Por causa da grande
quantidade de eltrons livres, o diodo se rompe devido
potncia dissipada, muito maior do que ele pode suportar.
FIGURA 27: TENSO DE RUPTURA

COMO PODEMOS NOTAR, A
CORRENTE NA REGIO
REVERSA, EMBORA MUITO
PEQUENA, NA REALIDADE
EXISTE. ESTA CORRENTE
CHAMADA DE CORRENTE
REVERSA (IR).

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CURVA CARACTERSTICA
Com os grficos da polarizao direta e da reversa, temos a curva caracterstica
do diodo:

















FIGURA 28: CURVA CARACTERSTICA DE UM DIODO SEMICONDUTOR

Como neste caso estamos utilizando diodos retificadores, s nos interessa a parte
da regio direta.
Como se pode notar pela curva caracterstica, os valores de VD e IR so muito
pequenos, porm, h casos em que estes valores no podem ser desprezados. Surge ento a
necessidade de utilizar circuitos equivalentes ao diodo.

So trs os circuitos mais utilizados:

MODELOS DE TRABALHO:

1
o
MODELO: O DIODO COMO CHAVE

Neste caso, o diodo se comporta como uma chave que abre na polarizao
reversa e fecha na direta:














FIGURA 29: 1 MODELO DE TRABALHO DO DIODO






ESTE MODELO
CONHECIDO
COMO DIODO
IDEAL.
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2
o
MODELO: O DIODO COM TENSO VD

Neste caso, temos o diodo sendo representado com uma chave que liga e desliga,
de acordo com a polarizao, em srie com uma fonte de tenso que representa a barreira de
potencial:














FIGURA 30: 2 MODELO DE TRABALHO DO DIODO

3
o
MODELO: O DIODO COM TENSO VD E RESISTNCIA RD

Neste caso, o diodo representado com uma chave liga e desliga em srie com a
fonte VD e em srie com uma resistncia RD, que representa sua resistncia na polarizao
direta:













FIGURA 31: 3 MODELO DE TRABALHO DO DIODO

ESPECIFICAES DO DIODO SEMICONDUTOR:

1. O DIODO S CONDUZ NUMA POLARIZAO DIRETA SE A TENSO
APLICADA SOBRE O MESMO NO FOR INFERIOR TENSO DE BARREIRA;

2. NUMA POLARIZAO DIRETA, O DIODO SUPORTA UMA CORRENTE MXIMA
DIRETA (Idmx); POR CONSEGUINTE, SUPORTA UMA POTNCIA MXIMA
(Pdmx).


3. NA POLARIZAO REVERSA, A TENSO APLICADA AO DIODO NO PODE
SER SUPERIOR TENSO REVERSA MXIMA (VRmx OU VBr).

4. NA POLARIZAO REVERSA, EMBORA MUITO PEQUENA, H A CORRENTE
REVERSA (IR).

ESTE O MODELO
MAIS UTILIZADO NA
RESOLUO DE
PROBLEMAS.

ESTE O MODELO
MAIS PRXIMO DO
DIODO REAL.
CONHECIDO COMO
MODELO LINEAR.

Pdmx = VD x IDmx
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EXPERINCIA N 02 : A CURVA DO DIODO
OBJETIVO:
Medir as tenses e correntes num diodo polarizado direta e reversamente, dando condies de
se desenhar a curva caracterstica.

MATERIAL A SER UTILIZADO:
01 Protoboard com fonte de tenso; 01 Resistor de 390 O W
02 Multmetros; 01 Resistor de 2k2 O W
01 Diodo retificador 1N4001; 01 Resistor de 27 kO W

PROCEDIMENTO EXPERIMENTAL:
1. Monte o circuito abaixo :

2. Para cada valor de tenso da fonte listado na tabela abaixo, mea e anote a tenso e a
corrente no diodo, para cada resistor:

































3. Responda: A resistncia direta do diodo possui uma resposta linear ? Por qu ?
____________________________________________________________________________
____________________________________________________________________________
390 O 2k2 O 27 kO 390 O 2k2 O 27 kO
Ve
(V)
Vd
(V)
Id
(mA)
Vd
(V)
Id
(mA)
Vd
(V)
Id
(mA)
Ve
(V)
Vd
(V)
Id
(mA)
Vd
(V)
Id
(mA)
Vd
(V)
Id
(mA)
0 2,5
0,2 3
0,4 3,5
0,6 4
0,8 5
1 6
1,2 7
1,4 9
1,6 10
1,8 12
2 15
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4. Inverta a polaridade da fonte de tenso, montando o circuito abaixo e para cada valor de
tenso da fonte listado na tabela a seguir, mea e anote a tenso e a corrente no diodo :
OBS . : NESTE CASO, DEVE-SE MEDIR A TENSO SEPARADAMENTE DA CORRENTE,
COMO MOSTRA A FIGURA :


5. Plote os valores obtidos nas tabelas, desenhando o grfico da curva caracterstica do diodo.
6. Responda:
6.1. Quando um diodo age como uma resistncia alta ?
_______________________________________________________________________________
_______________________________________________________________________________
_______________________________________________________________________________

6.2. Como um diodo difere de um resistor comum ?
_______________________________________________________________________________
_______________________________________________________________________________
_______________________________________________________________________________
390 O 2k2 O 27 kO
Ve (V) VR (V) IR (A) VR (V) IR (A) VR (V) IR (A)
0
-0,5
-1
-1,5
-2
-3
-4
-5
-7

-10
-12
-15
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EXERCCIOS

1) Um material semicondutor aquele que:

a) Somente se comporta como condutor;
b) Possui oito eltrons na ltima camada;
c) S se comporta como isolante;
d) Possui caractersticas eltricas ora condutoras, ora isolantes.

2) O que a camada de valncia?
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________________________________________________________
________________________________________________________
________________________________________________________
________________________________________________________

3) As lacunas:

a) So buracos sem carga eltrica;
b) No se movem;
c) Elas se movem e possuem carga negativa;
d) Elas se movem e possuem carga positiva.

4) Em um cristal de semicondutor puro:

a) No h maneira de haver uma boa conduo de eletricidade;
b) Sempre se comportar como condutor;
c) A conduo eltrica depende da temperatura;
d) Pode existir boa condutibilidade sem necessariamente aquec-lo.

5) Explique o que so tomos trivalentes, tetravalentes e pentavalentes.
________________________________________________________
________________________________________________________
________________________________________________________
________________________________________________________
________________________________________________________
________________________________________________________

6) Por que a adio de impurezas num cristal semicondutor necessria?
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______________________________________________________
______________________________________________________
______________________________________________________
______________________________________________________
______________________________________________________
______________________________________________________
______________________________________________________

ETEC LAURO GOMES
19

7) O semicondutor tipo P chama-se assim por que:

a) As impurezas adicionadas possuem carga positiva;
b) Possui um excesso de lacunas;
c) As impurezas adicionadas possuem carga negativa;
d) Possui um excesso de eltrons.

8) O semicondutor tipo N chama-se assim por que:

a) As impurezas adicionadas possuem carga positiva;
b) Possui um excesso de lacunas;
c) As impurezas adicionadas possuem carga negativa;
d) Possui um excesso de eltrons.

9) O que um diodo?
________________________________________________________
________________________________________________________
________________________________________________________
________________________________________________________
________________________________________________________
________________________________________________________
________________________________________________________
________________________________________________________

10) Ao se unir os cristais P e N, as cargas livres prximas juno tendem a migrar para o
outro lado. Por que o restante das cargas no faz o mesmo?
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________________________________________________________
________________________________________________________
________________________________________________________
________________________________________________________
________________________________________________________
________________________________________________________
________________________________________________________
________________________________________________________
________________________________________________________

11) O terminal no lado P chamado de ANODO, assim como o terminal no lado N
chamado de CATODO. Por que esses terminais possuem esses nomes?
________________________________________________________
________________________________________________________
________________________________________________________
________________________________________________________
________________________________________________________
________________________________________________________
________________________________________________________
ETEC LAURO GOMES
20










12) Sabendo-se que Ve = 10 V, VD = 0,7 V e RS = 1 kO,
determine o valor da corrente do diodo (ID).


DADOS: FRMULAS: CALCULAR :
Ve = 10 V Ve > 0,7 V
Rs
VD Ve
Rs
VRs
ID

= =
ID = ????
VD = 0,7 V Pdmx = VD x IDmx

RS = 1 kO, V VD 7 , 0 ~
Rs
Ve
x = Im

RESOLUO:










13) Sabendo-se que Ve = 8 V, VD = 0,7 V e RS = 15 kO, determine o valor da corrente do
diodo (ID).

DADOS : FRMULAS : CALCULAR :
Ve = 8 V Ve > 0,7 V
Rs
VD Ve
Rs
VRs
ID

= =
ID = ????
VD = 0,7 V Pdmx = VD x IDmx

RS = 15 kO, V VD 7 , 0 ~
Rs
Ve
x = Im
RESOLUO:










PARA OS EXERCCIOS 12 A 19,
CONSIDERE O CIRCUITO AO LADO:

ETEC LAURO GOMES
21

14) Sabendo-se que Ve = 20 V, VD = 0,7 V e RS = 470 O, determine o valor da corrente do
diodo (ID).

DADOS : FRMULAS : CALCULAR :
Ve = Ve > 0,7 V
Rs
VD Ve
Rs
VRs
ID

= =
ID = ????
VD = Pdmx = VD x IDmx

RS = V VD 7 , 0 ~
Rs
Ve
x = Im

RESOLUO:


















15) Sabendo-se que Ve = 15 V, VD = 0,7 V e RS = 100 O, determine o valor da corrente do
diodo (ID).

DADOS : FRMULAS : CALCULAR :
Ve = ID = ????

VD =

RS =

RESOLUO:













ETEC LAURO GOMES
22

16) Sabendo-se que Ve = 5 V, VD = 0,7 V e PD = 7 mW, determine o valor do resistor RS.

DADOS : FRMULAS : CALCULAR :
RS = ????


RESOLUO:




















17) Sabendo-se que Ve = 7 V, VD = 0,7 V e PD = 10 mW, determine o valor do resistor RS.

DADOS: FRMULAS : CALCULAR :




RESOLUO:


















ETEC LAURO GOMES
23

18) Sabendo-se que Ve = 3 V, VD = 0,7 V e PD = 3 mW, determine o valor do resistor RS.

DADOS : FRMULAS : CALCULAR :



RESOLUO:


















19) Sabendo-se que Ve = 12 V, VD = 0,7 V e PD = 14 mW, determine o valor do resistor
RS.

DADOS : FRMULAS : CALCULAR :




RESOLUO:



















ETEC LAURO GOMES
24

DADO O CIRCUITO E GRFICO ABAIXO, RESOLVA OS EXERCCIOS 20 E 21:














20) Sabendo-se que Ve = 2 V e RS = 400 O, os valores de VD e ID, so, respectivamente:

a) VD = 0,9 V e ID = 0,75 mA ;
b) VD = 1,0 V e ID = 2,50 mA ;
c) VD = 0,7 V e ID = 3,25 mA ;
d) VD = 1,0 V e ID = 1,50 mA .

DADOS : FRMULAS : CALCULAR :




RESOLUO:






























ETEC LAURO GOMES
25

21) Sabendo-se que Ve = 2 V e RS = 200 O, os valores de VD e ID, so, respectivamente:

a) VD = 0,7 V e ID = 6,50 mA;
b) VD = 1,0 V e ID = 2,25 mA;
c) VD = 1,2 V e ID = 4,50 mA;
d) VD = 1,0 V e ID = 2,50 mA.

DADOS : FRMULAS : CALCULAR :




RESOLUO:






















22) O diodo no conduz na polarizao reversa por que:

a) Os portadores minoritrios no permitem;
b) A camada de depleo aumenta;
c) A barreira de potencial diminui;
d) O aumento de energia trmica conseqente no permite.

23) A corrente de saturao:

a) Depende da tenso;
b) Depende da temperatura;
c) Depende do tipo de impureza;
d) Depende da resistncia.

24) A corrente de fuga superficial:

a) Depende da tenso;
b) Depende da temperatura;
c) Depende do tipo de impureza;
d) Depende da resistncia.
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26

25) Considerando o circuito abaixo:












DADOS : FRMULAS : CALCULAR :







RESOLUO:

































e sabendo-se que RS = 1k5 O, RD = 15 O e
Ve = 30 V, determine o valor da corrente ID,
utilizando o 3
o
modelo de diodo.

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27

CIRCUITOS COM DIODOS
SINAIS ELTRICOS ALTERNADOS
Tanto a tenso como a corrente eltrica pode ser de dois tipos: CONTNUA ou
ALTERNADA.
Uma fonte de tenso contnua aquela cuja tenso NO MUDA DE SENTIDO
conforme o tempo. Abaixo, na figura 32, temos um exemplo de fonte de tenso contnua e
constante:









FIGURA 32: FONTE DE TENSO CC

Exemplos de fontes de tenso contnua so as pilhas e as baterias, pois mantm
sempre a mesma polaridade da tenso.
As fontes de tenso ALTERNADA so chamadas assim porque a tenso alternada
MUDA DE SENTIDO conforme o tempo:













FIGURA 33: FONTE DE TENSO CA
Neste caso, a tenso eltrica gerada por um fenmeno eletromagntico chamado
induo eletromagntica.

No exemplo acima, temos uma tenso alternada correspondente a uma funo seno. No
que todas as tenses alternadas sejam assim, porm desse tipo que vamos utilizar em nossos
circuitos eletrnicos com diodos.








PODEMOS NOTAR PELO
GRFICO Vxt QUE A TENSO
ELTRICA U NO VARIA
CONFORME O TEMPO t.


PODEMOS NOTAR PELO
GRFICO Vxt QUE A TENSO
ELTRICA U VARIA
CONFORME O TEMPO t.
TEMOS ENTO U(t), UMA
TENSO EM FUNO DO
TEMPO.

ETEC LAURO GOMES
28

Sendo assim, vamos definir alguns valores importantes para esta funo peridica:














FIGURA 34: VALORES CARACTERSTICOS DE UM SINAL ELTRICO

- PERODO : o intervalo de tempo, em segundos, que o sinal eltrico
peridico necessita para completar o seu ciclo. No nosso caso, o
perodo (T) vai, por exemplo, do comeo do semiciclo positivo (t1) at o
final do semiciclo negativo (t2) :

1 2
t t T =
- FREQNCIA: o nmero de ciclos que o sinal eltrico possui em um
intervalo de tempo de um segundo. A unidade desta grandeza (f) o
hertz (Hz).
T
f
1
=
- VALOR MXIMO : o mximo valor absoluto que o sinal eltrico pode
atingir. Tambm chamado de VALOR DE PICO. No nosso caso, o valor de
pico da tenso Up.

- VALOR MNIMO : o mnimo valor absoluto que o sinal eltrico pode
atingir. No nosso caso, o valor mnimo da tenso o valor de pico
negativo (-Up), uma vez que o sinal eltrico simtrico.

- VALOR DE PICO-A-PICO : a diferena entre o valor mximo e o valor
mnimo. No nosso caso, esta diferena resultar no dobro do valor de
pico (Vpp = 2Up).

- VALOR MDIO : a mdia aritmtica de todos os valores do sinal
eltrico envolvidos em um ciclo completo. No nosso caso, como o sinal
simtrico e peridico, o valor mdio (Vm) da tenso vale zero.

- VALOR EFICAZ : Corresponde a um valor de tenso ou corrente (abaixo
do valor mximo) alternada capaz de fornecer a mesma energia (ou
dissipar a mesma potncia) equivalente a um valor de tenso ou
corrente contnua. No nosso caso, o valor eficaz da tenso vale :
2
Up
Uef =


EM TENSO ALTERNADA,
COMUM NOS REFERIRMOS A
VALOR EFICAZ, POIS BASTANTE
UTILIZADO NA PRTICA,
ABRANGENDO NO S CIRCUITOS
ELETRNICOS COMO OS
ELTRICOS E TAMBM AS
ESPECIFICAES DE MQUINAS
ELTRICAS E DE APARELHOS
ELETRODOMSTICOS.

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29

EXPERINCIA N 03 : UTILIZAO DO GERADOR DE UDIO

OBJETIVO:
Identificar e praticar com o gerador de udio, conhecendo seus controles e compreendendo suas
funes.

MATERIAL A SER UTILIZADO :
01 Osciloscpio com duas pontas de prova;
01 Gerador de udio.

PROCEDIMENTO EXPERIMENTAL:

1. Localize o gerador de udio. Descreva seus principais botes e controles:

2. Ligue o gerador de udio e verifique com o professor a melhor posio das chaves e
botes do mesmo.

3. Conecte o terminal BNC da outra ponta de prova na sada de udio do osciloscpio.

4. Interligue os dois cabos de osciloscpio (ponta de prova com ponta de prova; garra jacar
com garra jacar).

5. Selecione o sinal do tipo ~ do gerador de udio. RESPONDA: Que tipo de sinal este?

6. Coloque o boto AC GND DC do osciloscpio na posio AC.

7. Coloque os controles do osciloscpio VOLTS/DIV em 2V/DIV e TIME/DIV em 0,5 ms/DIV.

8. Com o ajuste de AMPLITUDE do gerador de udio, injete no CH1 um sinal de 4V de pico
a pico. Aps isso, ajuste a freqncia do sinal do gerador de udio para obter 1 kHz.
Ajuste os controles POSITION e POSITION do osciloscpio em posies adequadas
para que a forma de onda mostrada na tela fique alinhada com o reticulado. Desenhe a
forma de onda:
























ETEC LAURO GOMES
30

9. Mude o tipo de sinal para: a) triangular e b) quadrada. Desenhe as formas de onda:

a) b)

















10. Agora, para a tabela a seguir, voc deve ajustar a melhor escala no osciloscpio para que
a forma de onda do sinal seja apresentada na tela com uma amplitude apropriada e um
nmero conveniente de picos:


TIPO DE
ONDA
PERODO
TERICO
FREQUNCIA
(GERADOR DE
UDIO)
N DIVI
HORIZ
TIME/
DIV
PERODO
MEDIDO
AMPLITUDE
(GERADOR DE
UDIO)
N DE
DIVISES
VERTICAIS
VOLTS/DIV
S
E
N
O
I
D
A
L

16,67 ms 60 Hz 2 V
10 ms 100 Hz 4 V
2 ms 500 Hz 3 V
0,5 ms 2 kHz 5 V
50 s 20 kHz 6 V
T
R
I
A
N
G
U
L
A
R

100 ms 10 Hz 10 V
20 ms 50 Hz 8 V
5 ms 200 Hz 7 V
0,2 ms 5 kHz 4,6 V
5 s 200 kHz 5,5 V
Q
U
A
D
R
A
D
A

0,5 ms 2 kHz 5,2 V
0,1 ms 10 kHz 3,4 V
20 s 50 kHz 6,6 V
10 s 100 kHz 4 V
2 s 500 kHz 6 V



ETEC LAURO GOMES
31

CIRCUITOS CEIFADORES

Observe o circuito abaixo:











FIGURA 35: CEIFADOR SRIE NEGATIVO

Como V
2
uma tenso alternada, ora o diodo vai conduzir (quando polarizado
diretamente, no semiciclo positivo da tenso), e ora o diodo no vai conduzir (quando polari zado
reversamente, no semiciclo negativo da tenso).Isto far com que, quando o diodo conduzir,
haver tenso na sada; quando ele no conduzir, no haver tenso na sada.:













FIGURA 36: SEMICICLO POSITIVO DA TENSO ALTERNADA V
2


















FIGURA 37: SEMICICLO NEGATIVO DA TENSO ALTERNADA V
2


NOTE QUE A TENSO
APLICADA AO CIRCUITO
CEIFADOR V
2,
UMA TENSO
MENOR DO QUE A TENSO
DE ALIMENTAO V
1
. ISTO
FOI CONSEGUIDO GRAAS
AO TRANSFORMADOR (TR)

ETEC LAURO GOMES
32

Vale lembrar que quando o diodo est conduzido, h uma tenso em seus
terminais de 0,7 V; portanto, a tenso de pico da sada V
s
vale:
7 , 0
2
= p U p U
S


Porm utilizaremos o 1 modelo de trabalho do diodo (diodo ideal) para analisar o
funcionamento desses circuitos. Sendo assim, a tenso de sada V
S
acaba possuindo o mesmo
valor de V
2.

Voltando ao grfico, podemos notar que uma parte da tenso no chegou sada
do circuito; diz-se ento que esta parte foi retirada, ceifada. Da o nome de circuito ceifador. Como
a parte negativa da tenso de entrada (V
2
) foi tirada da sada, dizemos que este circuito um
ceifador negativo.
Para obtermos um ceifador positivo, basta inverter o diodo:

FIGURA 38: CEIFADOR SRIE POSITIVO

CIRCUITOS RETIFICADORES

Circuito retificador de meia onda:

A configurao mais simples de um retificador permite a passagem de apenas um
dos semiciclos da tenso de entrada para a sada. semelhante ao ceifador srie.

Na figura 39, temos um exemplo de circuito retificador meia onda:









FIGURA 39: RETIFICADOR DE MEIA ONDA CEIFADOR SRIE NEGATIVO
ETEC LAURO GOMES
33

Pode-se observar que, na sada V
S
, temos apenas a parte positiva da tenso.
Apesar de esta ir de zero a um valor mximo e novamente a zero (sinal pulsante), ela contnua,
pois no inverte de sentido.

Para o sinal de tenso de sada V
S
, os valores caractersticos so:














FIGURA 40: VALORES CARACTERSTICOS DE MEIA ONDA

- Valor eficaz:
2
p U
efic U
s
S
=
- Valor mdio:
t
p U
m U
S
S
=

As especificaes dos diodos devem obedecer aos limites impostos pelo circuito:

- Corrente direta mxima:
RL
p U
IDmx
S
>

- Potncia direta mxima:

IDmx VD PDmx >


- Tenso reversa mxima:
p U VRmx
2
>

Como se pode notar, a sada um sinal pulsante. As aplicaes para este tipo de
sinal no so muito abrangentes e para o tipo de circuito abordado aqui, este tipo de sinal pode
danificar componentes eletrnicos. Sendo assim, necessrio tentar tornar o sinal o mais
constante possvel.

Isto pode ser conseguido com a utilizao de um filtro capacitivo:
ETEC LAURO GOMES
34















FIGURA 41: FILTRAGEM DE MEIA ONDA

Como no semiciclo positivo o diodo est conduzindo, o capacitor ir se carregar,
at atingir o valor mximo. Para ficar mais fcil o entendimento, vamos considerar o circuito ideal,
onde o capacitor ficar carregado com U
2
p.

Ento, no pico positivo, a tenso em C U
2
p. Logo aps o pico positivo, a tenso
em V
2
ligeiramente menor que a tenso em C. Sendo assim, a tenso no capacitor polarizar
reversamente o diodo, abrindo-o. O capacitor se descarrega atravs da resistncia RL. A
tendncia o capacitor perder toda a sua carga, o que no acontece porque a constante de
tempo de descarga tal que a sua durao bem maior do que o perodo T do sinal alternado.
Sendo assim, ele perde uma pequena parte de sua carga, at o ponto onde a tenso em V
2
seja
maior do que a tenso em C, repetindo o processo acima descrito.
A tenso U
S
quase uma tenso constante. S no o por causa das constantes
cargas e descargas do capacitor, chamadas de ondulao. Esta tenso ONDULAO OU
RIPPLE vale:
C f RL
Usp
VOND

=
onde f a freqncia de entrada (da rede; 60 Hz). A ondulao no deve ultrapassar 10% de U
s
p.

Circuito retificador onda completa com transformador de derivao central (center-tap):

Neste tipo de circuito, onde o transformador possui uma derivao no meio do
secundrio, dois diodos so colocados de maneira que, tanto no semiciclo positivo como no
negativo, a tenso na sada sempre estar no mesmo sentido:







FIGURA 42: CIRCUITO RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA COM CENTER TAP
ETEC LAURO GOMES
35

No semiciclo positivo, o diodo D1 conduz, enquanto que D2 no. Assim, temos
2
2
1
V
na sada. No semiciclo negativo, a vez de D2 conduzir e D1 no; temos
2
2
2
V
na sada,
porm, graas forma de como esto dispostos os diodos em relao ao transformador, a tenso
na sada possui o mesmo sentido que antes, como podemos observar nas figuras 43 e 44:






















FIGURA 43: SEMICICLO POSITIVO NO CIRCUITO DE ONDA COMPLETA




















FIGURA 44: SEMICICLO NEGATIVO NO CIRCUITO DE ONDA COMPLETA

Deve-se notar que nunca os diodos funcionam ao mesmo tempo. Se isto ocorrer, o
transformador estar em curto-circuito. Para o sinal de tenso de sada V
S
, os valores
caractersticos so:




ETEC LAURO GOMES
36













FIGURA 45: VALORES CARACTERSTICOS DA RETIFICAO ONDA COMPLETA

- Valor eficaz:
2
p U
efic U
S
S
=
- Valor mdio:
t
p U
mx U
S
S
2
=
As especificaes dos diodos so:

- Corrente direta mxima:
RL
p U
IDmx
S
>
- Potncia direta mxima:

IDmx VD PDmx >
- Tenso reversa mxima:

p U VRmx
2
2 >
Para que a tenso de sada seja apenas negativa, necessrio inverter os dois diodos. Na
filtragem, a tenso na sada tem o seguinte aspecto:



















FIGURA 46: FILTRAGEM NA RETIFICAO ONDA COMPLETA COM CENTER TAP


ETEC LAURO GOMES
37

Circuito retificador onda completa tipo ponte:
Este tipo de circuito utiliza quatro diodos montados numa configurao chamado ponte:















FIGURA 47: CIRCUITO RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA TIPO PONTE

No semiciclo positivo, os diodos D4 e D2 estaro polarizados diretamente,
enquanto que os diodos D1 e D3 estaro polarizados reversamente. No semiciclo negativo
acontece o contrrio.





FIGURA 48: SEMICICLO POSITIVO NO RETIFICADOR TIPO PONTE












FIGURA 49 : SEMICICLO NEGATIVO NO RETIFICADOR TIPO PONTE

ETE LAURO GOMES

Pgina 38 de 76
Para o sinal de tenso de sada V
S
, os valores caractersticos so:














FIGURA 50: VALORES CARACTERSTICOS NA RETIFICAO TIPO PONTE

- Valor eficaz:
2
p U
efic U
S
S
=
- Valor mdio:
t
p U
mx U
S
S
2
=
- Corrente direta mxima:
RL
p U
IDmx
S
>
- Potncia direta mxima:

IDmx VD PDmx >

- Tenso reversa mxima:
p U VRmx
2
>

O aspecto da tenso de sada com o filtro fica:








FIGURA 51: CIRCUITO RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA TIPO PONTE COM FILTRO

A ondulao vale (f = 120 Hz, se a freqncia da rede for 60 Hz), no devendo ser acima de
10 % de U
s
p.
C f RL
Usp
VOND

=

ETE LAURO GOMES

Pgina 39 de 76
EXPERINCIA N 04 : CONSTRUO DE RETIFICADORES DE TENSO

OBJETIVO : Construir um retificador de tenso de meia onda e de onda completa, verificando as formas de
onda da sada.

MATERIAL A SER UTILIZADO :
01 Osciloscpio com 2 pontas de prova;
01 Multmetro com 2 cabos banana;
01 Protoboard;
01 Transformador 110 V / +6 V +6 V;
01 Resistor de 390O, 2k2O, 27kO ;
01 Capacitor de 47 F, 470 F e 2200 F
04 Diodos retificadores;
Fios para protoboard.

PROCEDIMENTO EXPERIMENTAL :

1 PARTE : Retificador de meia onda

1. Monte o circuito ao lado :




VERIFIQUE O VALOR DA
TENSO DE ENTRADA !!!





2. Com o canal CH2 em DC conectado ao resistor, mea e anote o valor e a forma de onda de tenso
na sada do circuito ao ligar o capacitor :




3. Colocando o CH2 em AC, mea a ONDULAO :




V
ond
= (V)

ETEC LAURO GOMES

40

4. Trocando os resistores e capacitores conforme tabela a seguir, mea a ondulao. Compare com o
valor terico:
C (F) R (kO) Ondulao medida Ondulao calculada
47
0,39
2,2
27
470
0,39
2,2
27
2200
0,39
2,2
27

5. O que acontece com a ondulao ao aumentarmos a resistncia ? E a capacitncia ?

2 PARTE : Retificador de onda completa tipo ponte

6. Monte o circuito abaixo:


7. Com o canal CH2 conectado ao resistor, mea e anote o valor e a forma de onda de tenso na
sada do circuito :

SEMPRE VERIFIQUE O
VALOR DA TENSO
DE ENTRADA !!!

ETEC LAURO GOMES

41

8. Com o multmetro na escala VDC, mea a tenso no resistor





9. Responda : Que tenso essa ?

10. Inclua no circuito o capacitor de 220 F, colocando-o em paralelo com o resistor. No deixe de
colocar um fio como chave liga-desliga para o capacitor :

11. Com o canal CH2 em DC conectado ao resistor, mea e anote o valor e a forma de onda de tenso
na sada do circuito ao ligar o capacitor :



12. Colocando o CH2 em AC, mea a ONDULAO :









VR
DC
= (V)
V
ond
= (V)
SEMPRE VERIFIQUE O
VALOR DA TENSO
DE ENTRADA !!!

ETEC LAURO GOMES

42

13. Trocando os resistores e capacitores conforme tabela a seguir, mea a ondulao. Compare com o
valor terico.

C (F) R (kO) Ondulao medida Ondulao calculada
47
0,39
2,2
27
470
0,39
2,2
27
2200
0,39
2,2
27

14. O que acontece com a ondulao ao aumentarmos a resistncia ?
E o que acontece se aumentarmos a capacitncia ?

___________________________________________________________________________________
___________________________________________________________________________________
___________________________________________________________________________________
___________________________________________________________________________________
___________________________________________________________________________________
___________________________________________________________________________________
___________________________________________________________________________________
___________________________________________________________________________________
___________________________________________________________________________________
___________________________________________________________________________________
___________________________________________________________________________________
___________________________________________________________________________________


15. Comparando esta tabela com a anterior (meia-onda), que concluso podemos tirar a respeito da
ondulao ?

___________________________________________________________________________________
___________________________________________________________________________________
___________________________________________________________________________________
___________________________________________________________________________________
___________________________________________________________________________________
___________________________________________________________________________________
___________________________________________________________________________________
___________________________________________________________________________________
___________________________________________________________________________________
___________________________________________________________________________________
___________________________________________________________________________________
___________________________________________________________________________________
___________________________________________________________________________________
___________________________________________________________________________________
___________________________________________________________________________________
___________________________________________________________________________________
___________________________________________________________________________________
___________________________________________________________________________________
___________________________________________________________________________________
___________________________________________________________________________________
___________________________________________________________________________________
ETEC LAURO GOMES

43

EXERCCIOS

26) Para a forma de onda abaixo, calcule os valores do perodo (T), da freqncia (f), dos valores mdio
(Um) e eficaz (Uefic) ::




DADOS: FRMULAS: CALCULAR:
Up = 4 V
1 2
t t T = T = ?????
Upp = 8 V
T
f
1
= f = ?????
Um = ?????

2
Up
Uef = Uef = ?????
RESOLUO:


























ETEC LAURO GOMES

44

27) Para a forma de onda abaixo, determine os valores do perodo (T), da freqncia (f), dos valores
mdio (Um) e eficaz (Uefic).

DADOS : FRMULAS : CALCULAR :
Up = 10 V T = ?????
Upp = 20 V f = ?????
Um = ?????
Uef = ?????

RESOLUO:







































ETEC LAURO GOMES

45


28) Para a forma de onda abaixo, calcule os valores do perodo (T), da freqncia (f), dos valores mdio
(Um) e eficaz (Uefic) so, respectivamente :


DADOS : FRMULAS : CALCULAR :
T = ?????
f = ?????
Um = ?????
Uef = ?????
RESOLUO:






































ETEC LAURO GOMES

46

29) Para a forma de onda abaixo, calcule os valores do perodo (T), da freqncia (f), dos valores mdio
(Um) e eficaz (Uefic):



DADOS : FRMULAS : CALCULAR :






RESOLUO






































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30) Desenhe a forma de onda de tenso de sada de um ceifador positivo:














31) Desenhe a forma de onda de tenso de sada do circuito abaixo:


















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32) Para um retificador de meia onda, considere a tenso U
2 EFIC
~ 8,485 V e a freqncia
da rede igual a 60 Hz. Calcule os valores mdio e eficaz da tenso de sada U
S


DADOS: FRMULAS: CALCULAR:
Retificador meia onda
2
p U
efic U
s
S
= Usefic = ?????
U
2EFIC
~ 8,485V
t
p U
m U
S
S
= Usm = ?????

2
2
2
p U
efic U =
RESOLUO:
ETEC LAURO GOMES

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33) Quais so as especificaes do diodo do exerccio 32 ?

DADOS: FRMULAS: CALCULAR:
Retificador meia onda
RL
p U
IDmx
S
> IDmx=???
U
2EFIC
~ 8,485 V IDmx VD PDmx > PDmx=???
f = 60 Hz
RL = 150 O p U VRmx
2
> VRmx=???



RESOLUO:









34) Para um retificador de meia onda, considere a tenso U
2 EFIC
~ 10,6066 V e a freqncia
da rede igual a 60 Hz. Calcule os valores mdio e eficaz da tenso de sada U
S
.

DADOS: FRMULAS: CALCULAR:






RESOLUO:













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35) Para o circuito do exerccio 34, se considerarmos RL = 330 O , qual o valor mais prximo do
capacitor para que a ondulao na filtragem no ultrapasse 10 % de U
s
p?

DADOS: FRMULAS: CALCULAR:






RESOLUO:












36) Quais as especificaes para o diodo do exerccio 36?

DADOS: FRMULAS: CALCULAR:






RESOLUO:












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37) Para um retificador de onda completa com center tap, considere a tenso U
2 EFIC
~ 14,1421
V e a freqncia da rede igual a 60 Hz. Determine os valores mdio e eficaz da tenso
de sada U
S
.

DADOS: FRMULAS: CALCULAR:
Onda completa center tap
2
p U
efic U
s
S
= U
M
=?????
U
2EFIC
~ 14,1421 V
f = 60 Hz
t
p U
m U
S
S
2
= U
EFIC
=?????

2
2
2
p U
efic U =

RESOLUO:
















38) Para o circuito do exerccio 37, se considerarmos RL = 220 O , qual o valor mais prximo do
capacitor para que a ondulao na filtragem no ultrapasse 10 % de U
s
p?

DADOS: FRMULAS: CALCULAR:





RESOLUO:










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39) Quais as especificaes para o diodo do exerccio 38 ?

DADOS: FRMULAS: CALCULAR:






RESOLUO:










40) Para um retificador de onda completa com center tap, considere a tenso U
2 EFIC
~ 21,2132
V e a freqncia da rede igual a 60 Hz. Quais os valores mdio e eficaz da tenso de
sada U
S
?

DADOS: FRMULAS: CALCULAR:






RESOLUO:













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41) Para o circuito do exerccio 40, se considerarmos RL = 150 O , qual o valor mais prximo do
capacitor para que a ondulao na filtragem no ultrapasse 10 % de U
s
p?

DADOS: FRMULAS: CALCULAR:






RESOLUO:










42) Quais as especificaes para o diodo do exerccio 41?

DADOS: FRMULAS: CALCULAR:






RESOLUO:














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54

43) Para um retificador tipo ponte, considere a tenso U
2 EFIC
~ 21,2132 V e a freqncia da
rede igual a 60 Hz. Quais so os valores mdio e eficaz da tenso de sada U
S
?

DADOS: FRMULAS: CALCULAR:







RESOLUO:











44) Para o circuito do exerccio 43, se considerarmos RL = 150 O , qual o valor mais prximo do
capacitor para que a ondulao na filtragem no ultrapasse 10 % de U
s
p?

DADOS: FRMULAS: CALCULAR:






RESOLUO:












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45) Quais as especificaes para o diodo do exerccio 44?

DADOS: FRMULAS: CALCULAR:







RESOLUO:












46) Para um retificador do tipo ponte, considere a tenso U
2 EFIC
~ 14,1421 V e a freqncia da
rede igual a 60 Hz. Os valores mdio e eficaz da tenso de sada U
S
so :

DADOS: FRMULAS: CALCULAR:






RESOLUO:












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47) Para o circuito do exerccio 46, se considerarmos RL = 470 O , qual o valor mais prximo do
capacitor para que a ondulao na filtragem no ultrapasse 10 % de U
s
p?

DADOS: FRMULAS: CALCULAR:








RESOLUO:








48) As especificaes para o diodo do exerccio 47 so :

DADOS: FRMULAS: CALCULAR:










RESOLUO:














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57


EXPERINCIA N 05: EB-2000 EB 111 SEMICONDUTORES FUNDAMENTAIS I




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__________________________________________________________________________________________
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69















































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70

LED (Light Emitting Diode) DIODO EMISSOR DE LUZ

Geralmente, devido baixa potncia dissipada, esquece-se que um diodo de silcio libera
calor ao conduzir.

Os LEDs so diodos compostos de arseneto de glio, fazendo que a energia descrita no
pargrafo anterior seja liberada na forma de luz, visvel ou no.




FIGURA 52: DIODO EMISSOR DE LUZ LED

Na figura 52, pode-se observar como o LED fisicamente; percebe-se que internamente (1) o
catodo K, maior que o anodo A, e que o lado do catodo reto (2), alm de como o diodo representado
simbolicamente (3).

Sendo utilizados como sinalizadores em aparelhos e instrumentos eletrnicos, o LED funciona
como se fosse um diodo comum: s funcionam se polarizados diretamente. A diferena que eles
conduzem com uma tenso maior, geralmente entre 1,5 e 2,5 V, alm da corrente eltrica ser de intensidade
menor (geralmente at 50 mA). Por causa disso, ao se utilizar um LED, necessrio associar um resistor em
srie na polarizao direta:


FIGURA 53: CIRCUITO DE POLARIZAO DIRETA DE UM LED

Geralmente neste tipo de circuito, deseja-se calcular o valor do resistor Rs; para que isto seja
possvel, necessrio :


- CONHECER O VALOR DA TENSO DE ENTRADA Ue;

- CONHECER OS DADOS QUIESCENTES DO LED (VD E ID).

Na figura 53, se aplicarmos a lei de Kirchhoff das malhas (tenses), teremos:
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Ue = VRs + VD VRs = Ue VD

A tenso no resistor Rs, pela 1 Lei de Ohm, vale

VRs = Rs x ID

Sendo assim, a corrente no LED vale :

Rs
VRs
ID =
Rs
VD Ue
ID

=

Portanto, o resistor Rs vale :






Os LEDs tambm podem ser utilizados na confeco de um indicador chamado DISPLAY:



FIGURA 54: DISPLAY DE 7 SEGMENTOS
No caso, o LED corresponde ao que se chama de segmento:
ID
VD Ue
Rs

=

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72



FIGURA 55: SEGMENTOS DE UM DISPLAY

Existem dois tipos de display de sete segmentos :








FIGURA 56: PRINCPIO DO DISPLAY TIPO CATODO COMUM


Na figura 56, todos os CATODOS dos segmentos esto interligados no terra (GND) ; por isso
ele denominado catodo comum. Sendo assim, para lig-los, necessrio enviar um nvel de tenso eltrica
nas entradas dos segmentos (a, b, c, d, e, f, g), para que os mesmos fiquem polarizados diretamente e
acendam.








FIGURA 57: PRINCPIO DO DISPLAY TIPO ANODO COMUM


Na figura 57, todos os ANODOS dos segmentos esto interligados em uma tenso eltrica (+
Vcc) ; por isso ele denominado anodo comum. Sendo assim, para lig-los, necessrio enviar o terra
(GND) nas entradas dos segmentos (a, b, c, d, e, f, g), para que os mesmos fiquem polarizados diretamente e
acendam.













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EXPERINCIA N 06: POLARIZAO DE UM LED
OBJETIVO:

Medir as tenses e correntes num led (diodo emissor de luz)

MATERIAL A SER UTILIZADO:

01 Protoboard com fonte de tenso; 01 Resistor de 390 O W
02 Multmetros; 01 Resistor de 2k2 O W
01 Diodo retificador 1N4001; 01 Resistor de 27 kO W
01 LED

PROCEDIMENTO EXPERIMENTAL:

1. Monte o circuito abaixo:

2. Para cada valor de tenso da fonte listado na tabela abaixo, mea e anote a tenso e a
corrente no LED, para cada resistor:

390 O 2k2 O 27 kO 390 O 2k2 O 27 kO
Ve
(V)
VL
(V)
IL
(mA)
VL
(V)
IL
(mA)
VL
(V)
IL
(mA)
Ve
(V)
VL
(V)
IL
(mA)
VL
(V)
IL
(mA)
VL
(V)
IL
(mA)
0 2,5
0,2 3
0,4 3,5
0,6 4
0,8 5
1 6
1,2 7
1,4 9
1,6 10
1,8 12
2 15
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3. Responda: Em que caso o led brilha mais ? Por qu ?
____________________________________________________________________________
____________________________________________________________________________


4. Inverta a polaridade da fonte de tenso, montando o circuito abaixo e para cada valor de tenso da
fonte listado na tabela a seguir, mea e anote a tenso e a corrente no LED :

OBS . : NESTE CASO, DEVE-SE MEDIR A TENSO SEPARADAMENTE DA CORRENTE, COMO
MOSTRA A FIGURA :














BIBLIOGRAFIA






390 O 2k2 O 27 kO
Ve (V) VR (V) IR (A) VR (V) IR (A) VR (V) IR (A)
0
-0,5
-1
-1,5
-2
-3
-4
-5
-7

-10
-12
-15
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75

BIBLIOGRAFIA

ANZENHOFER, Karl ... et al. Eletrotcnica para escolas profissionais. 3 Edio So Paulo,
Mestre Jou, 1980.

CASSIGNOL, Etienne. Semicondutores : fsica e eletrnica. Rio de Janeiro, Edgar Blucher,1980

-----------------------------. Semicondutores : circuitos. Rio de Janeiro, Edgar Blucher,1980

CAPUANO, Francisco G. & MARINO, Maria A. M. Laboratrio de eletricidade e eletrnica. So
Paulo, rica, 1989.

CAPUANO, Francisco Gabriel. Elementos da eletrnica digital. So Paulo. rica, 1996.

COMO funciona. Enciclopdia de cincia e tcnica. So Paulo, Abril Cultural, c. 1974 6V.

MALVINO, Albert Paul. Eletrnica. So Paulo, McGraw-Hill, 1987. Vol. 1

MARQUES, Angelo... et al. Dispositivos semicondutores: diodos e transistores. So Paulo, rica,
1997. Coleo Estude e Use

MILLMAN, Jacob. Microeletrnica. Lisboa, McGraw-Hill, 1986. Vol. 1