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UNIVERSIDADE PAULISTA - UNIP ENGENHARIA ELTRICA (ELETRNICA)

SEMICONDUTORES Materiais Eltricos

(NP2)

Leandro Luiz Ginatto B18113-3 Prof. Castilho

Ribeiro Preto 2013

Materiais Eltricos

SEMICONDUTORES

Leandro Luiz Ginatto B18113-3

1. INTRODUO
O efeito semicondutor foi descoberto por Braun (1874) em alguns sulfetos metlicos. O sulfeto de chumbo e o sulfeto de ferro foram os primeiros elementos estudados. David E. Hughes iniciou em 1878 e 1879 pesquisas no efeito semicondutor, a princpio como curiosidade, pois foi percebido ao acaso pelo cientista. Materiais Semicondutores so slidos cristalinos com condutividade entre isolantes e condutores. So isolantes a temperaturas baixas e sua condutividade aumenta com a temperatura. Usualmente, temperatura ambiente, exibem ainda baixa condutividade, sendo por tal bons isolantes quando em condies de manuseio. Tornam-se condutores se consideravelmente aquecidos. A condutividade dos semicondutores no mais alta daquela dos condutores, (metais), entretanto, eles tm algumas caractersticas eltricas que os tornam especiais. As propriedades eltricas desses materiais so extremamente sensveis presena de impurezas, mesmo em muito pequenas concentraes. O trabalho de James Clerk Maxwell descobriu uma maneira de emitir ondas eletromagnticas a partir de semicondutores. Por consequncia de suas experincias acabou por inventar o detector eletromagntico por efeito semicondutivo, o diodo. Pesquisa essa no conhecida por Hughes. Os principais materiais semicondutores utilizados na eletrnica so o Germnio (Ge) e o Silcio (Si), sendo o Silcio mais utilizado. Recentemente est sendo investindo em pesquisas com materiais semicondutores para aplicao na eletrnica fabricado a partir do carbono, pesquisas estas que j obtiveram sucesso.

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2. SILCIO (Si)
No Silcio, cada tomo (com 4 eltrons de valncia) cercado por outros 4 tomos de Si. Cada tomo compartilha seus eltrons de valncia com 4 tomos vizinhos de forma que a ltima camada, ou camada de valncia, est completa com 8 eltrons. Nenhum eltron livre est disponvel para conduo em condies normais. Todavia os eltrons no pertencem a nenhum tomo particular e esto fracamente conectados. Quando excitados (por exemplo, excitao trmica) alguns eltrons podem quebrar as ligaes, ficando livres para conduzir.

3. GERMNIO (Ge)
O germnio um metal slido, duro, cristalino, de colorao branco acinzentada, lustroso, quebradio, que conserva o brilho em temperaturas ordinrias. Apresenta a mesma estrutura cristalina do diamante e resiste ao dos cidos e lcalis. Forma grande nmero de compostos organolpticos e um importante material semicondutor utilizado em transstores e fotodetectores. Diferentemente da maioria dos semicondutores, o germnio tem uma pequena banda proibida (band gap) respondendo de forma eficaz a radiao infravermelha e pode ser usado em amplificadores de baixa intensidade.

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4. SEMICONDUTOR INTRNSECO e EXTRNSECO


Os semicondutores intrnsecos so aqueles nos quais o comportamento eltrico est baseado na estrutura eletrnica inerente do material puro, um semicondutor no estado puro. temperatura de zero absoluto (-273C) comporta-se como um isolante, mas temperatura ambiente (20C) j se torna um condutor porque o calor fornece a energia trmica necessria para que alguns dos eltrons de valncia deixem a ligao covalente (deixando no seu lugar uma lacuna) passando a existir alguns eltrons livres no semicondutor. H diversas formas de se provocar o aparecimento de pares eltrons-lacuna livres no interior de um cristal semicondutor. Um deles atravs da energia trmica (ou calor). Outra maneira consiste em fazer com que um feixe de luz incida sobre o material semicondutor. Na prtica, contudo, necessitamos de um cristal semicondutor em que o nmero de eltrons livres seja bem superior ao nmero de lacunas, ou de um cristal onde o nmero de lacunas seja bem superior ao nmero de eltrons livres. Isto conseguido tomando-se um cristal semicondutor puro (intrnseco) e adicionandose a ele (dopagem), por meio de tcnicas especiais, uma determinada quantidade de outros tipos de tomos, aos quais chamamos de impurezas, este passa a denominar-se por semicondutor extrnseco, dessa forma as caractersticas eltricas do semicondutor alterada pelas impurezas.

5. DOPAGEM
Devido a tendncia de transformar-se em uma estrutura simtrica, um material semicondutor quase no possui eltrons livres. Para se utilizar efetivamente os materiais semicondutores, so introduzidos elementos adicionais, nas estruturas cristalinas denominadas impurezas, atravs de processos de injeo ou difuso. Estas impurezas so elementos cujos tomos possuem trs ou cinco eltrons na camada de valncia. Estas impurezas so introduzidas dentro do material semicondutor em pequenas quantidades. A tendncia de formar uma estrutura simtrica faz com que os tomos de impurezas se acomodem de tal maneira que produzam eltrons livres, portanto que podem ser deslocados com facilidade (o quinto eltron de cada tomo da

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impureza). Ou a falta de eltrons no caso da adio de elementos com trs eltrons na ltima camada. As impurezas usadas na dopagem de um semicondutor intrnseco podem ser de dois tipos: impurezas ou tomos dadores e impurezas ou tomos receptores. a. tomos doadores

tomos dadores tm cinco eltrons de valncia (so penta valentes): Arsnio (AS), Fsforo (P) ou Antimnio (Sb).

Os mesmos iro formar ligaes covalentes, porm haver um eltron, que poder mover-se pela estrutura com maior facilidade, est formado o material com carga negativa, designado por semicondutor do tipo N (N de negativo, referindo-se carga do eltron).
b. tomos receptores

tomos receptores tm trs eltrons de valncia (so trivalentes): ndio (In), Glio (Ga), Boro (B) ou Alumnio (Al).

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Esta falta de eltrons comporta-se como um material apto a receber eltrons (material com carga positiva), sendo assim este pode receber um eltron de outra unio, designado por semicondutor do tipo P (P de positivo, referindo-se falta da carga negativa do eltron). 6. JUNO PN BARREIRA DE POTENCIAL obtida conectando, de forma adequada, material P ao material N. Como existe uma diferena de concentrao de portadores de ambos os lados da juno, inicialmente haver uma difuso de eltrons livres do lado N indo para o lado P e ao mesmo tempo lacunas se difundiro do lado P para o lado N. A consequncia disso que do lado N aparecero ons positivos no neutralizados e do lado P ons negativos no neutralizados fazendo aparecer uma regio que no tem cargas livres, por isso chamada de regio de depleo. Essa distribuio de cargas cria uma barreira a qual se opor difuso de mais portadores majoritrios lacunas no lado P e eltrons livres no lado N.

Essa barreira entre a juno pn denominada Barreira de Potencial.

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7. APLICAES
O semicondutor de grande importncia na indstria eletrnica. Os dispositivos que utilizam o semicondutor so hoje utilizados nos mais variveis tipos de circuitos. Alguns componentes formados por semicondutores:

a. Diodo semicondutor
Formado pela juno p e n e tem como utilidade bsica permitir o fluxo de corrente eltrica apenas em um sentido (o sentido de polarizao direta)

b. Transistor
Formado pela insero de um semicondutor tipo p entre dois semicondutores tipo n ou vice-versa. O material do meio chamado base e os outros, emissor e coletor. O transistor funciona basicamente como um amplificador de corrente se esta for alta (ligeiramente alta) ou como um interruptor de corrente se esta for prxima de zero.

c. Dispositivos fotossensveis
Dividem-se em Clulas fotocondutivas: fotoresistores, fotodiodos e fototransistores; e Clulas fotovoltaicas. As Clulas fotocondutivas funcionam da seguinte forma: Quando um fluxo luminoso incide sobre o material semicondutor, os ftons podem fornecer aos eltrons energia suficiente para produzir a ruptura de ligaes covalentes. A ao dos ftons ocasiona a produo de par eltron-lacuna, o que provoca um aumento da condutividade do semicondutor. Esse fenmeno conhecido como fotocondutividade.

8. CONCLUSO
Os semicondutores so de grande importncia para o desenvolvimento de tecnologia, so relativamente de baixo custo e abundante e claro eles podem ser adaptados a necessidade atravs da dopagem. H uma clara relao entre a descoberta dos semicondutores e o avano da eletrnica, pode ser afirmado que os semicondutores o grande responsvel por o que hoje conhecemos de eletrnica e seu futuro potencial.

9. BIBLIOGRAFIA
a. Malvino, P. Eletrnica, volume 1, McGraw-Hill, So Paulo, 1986. b. Hilton Andrade de Mello e Ronaldo Srgio de Biasi, Introduo Fsica dos Semicondutores c. Disponvel:http://www.foz.unioeste.br/~lamat/downmateriais/materiais cap15.pdf Acesso em: 20 de novembro de 2013