Ejercicios resueltos de tecnolog a electr onica.

Bolet n 1. Diodo de uni on. 7 de agosto de 2008

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((Estas son las expresiones que vamos a manejar para resolver problemas.)) I = I0 (e VT 1) VT = T kT = q 11600 =2
V

VT |300o K = 26mV Io (T ) = Io1 2 Rest. = Rdin. 1.

T T1 10

V I dV VT = = dI I + Io

a) A qu e tensi on la corriente inversa de un diodo p-n de silicio alcanza el 95 % de su valor de saturaci on a temperatura ambiente? b) Cu al es la relaci on entre la corriente con polarizaci on directa de 0,1 V y la corriente con polarizaci on inversa del mismo valor? c) Si la corriente inversa de saturaci on es de 10 nA, calcular la corriente directa para las tensiones de 0,5 V, 0,6 V y 0,7 V, respectivamente. Soluci on: a) 0,95I0 = I0 (e VT 1) V = ln 0,05 = 3 VT V = 3 2 0,026 = 0,156V
V

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I0 (e 226 1) ID |0,1V 6,84 1 = = 6,84 b) = 100 II |0,1V 0,146 1 I0 (e 226 1) c) I0 = 10nA I = 10 109(e 226 1) = 0,15mA I = 10 109(e 226 1) = 1,026mA I = 10 109(e 226 1) = 7,02mA 6. Un diodo de silicio tiene una corriente inversa de saturaci on de 0,1A a 1250 C . Hallar, a 1050C , la resistencia din amica para una polarizaci on de 0,8V : a) en sentido directo b) en sentido inverso. Soluci on: I0 |1050 C = 0,1A 2 VT |1050 C =
105125 10 700 600 500

100

= 25nA

T 273 + 105 = = 32,59mV 11600 11600 VT I + I0

800

a) Rf =

I = 25 109(e 232,59 1) = 5,35mA Rf = 232,59 = 12,18 5,35 + I0

b) V = 800mV 2 32,99 103 V VT VT VT = = = = 558 109 = 800 V V 9 I + I0 2 32 , 54 VT VT 25 10 e 1) + I0 I0 (e I0 e 558G Rr = 8. Un diodo de silicio est a en serie con una resistencia de 2k y con una fuente de tensi on de 10 V. Cu al ser a, aproximadamente, la intensidad en el circuito si el diodo tiene polarizaci on directa? b) Si la ca da medida en el diodo es de 0,6 V con 1 mA, hallar con m as exactitud el valor de la corriente en el circuito. c) Si se invierte la bater a y la tensi on de ruptura del diodo es de 7 V, h allese la corriente en el circuito. d) Si se a nade en serie y oposici on (los dos anodos unidos) un segundo diodo id entico al anterior, cu a ser a aproximadamente la corriente en el circuito? e) Si se reduce a 4V la tensi on de alimentaci on del apartado d), cu al ser a la corriente?
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Soluci on:
2K

10V

a) I? Diodo silicio I=

V = 0,6V VD = 0,7V

10 0,7 V VR = = 4,65mA R 2 K
V

b) I = I0 (e VT 1) I0 = 103 e 226 1
600

= 0,75

Para I = 4,65mA VD ? 4,65 103 = 9,75 109 (e 226 1) VD = 679,9mV I = 10 0,6799 = 4,66mA 2
V

c) Se invierte VBAT y VZ = 7V
2K

10V I

7V = VZ

I=

10 7 = 1,5mA 2
2K 7V I 0,7V

d) Se a nade otro diodo en serie y oposici on

10V

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I=

VR 10 0,7 7 = = 1,15mA R 2

e) Se reduce VBAT a 4V.

2K D1 I D1

4V

D1 OFF I = I0 I = I0 = 9,75nA

10. Las corrientes de saturaci on de los dos diodos de la gura son de 1 y 2A, respectivamente. La tensi on de ruptura es la misma en ambos diodos y vale 100 V. a) Calcular la corriente y la tensi on en cada diodo si V=80 y V=120 V. b) Repetir el apartado a) si se coloca en paralelo con cada diodo una resistencia de 81V.
V

Soluci on:
I V I0 = 1A VZ = 100V I0 = 2A VZ = 100V

VZ
0,6

a)

I) V = 80, hallar I , VD1 , VDZ Ambos diodos en OFF. I = I01 = 1A I = I0 (e VT 1)

V

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1 106 = 2 106 (e 226 1) e 52 = 0,5 VD2 = 36mV VD1 = 80 VD2 = 80 0,036 = 79,96V II) V = 120V V > VZ D1 Z ener D2 OFF
V

VD1 = VZ = 100V 120V I VD2 = 120 100 = 20V

I = I02 = 2A b) I) V = 80V
I1 1A 80V 2A 8M 8M

I2

D1 = D2 = OFF
80V = I1 8 + I2 8 I1 + I2 = 10

ID1 = I01 ID2 = I02

I1 + 1 = I2 + 2 I1 = I2 + 1 2I2 + 1 = 10 VR1 = VD1 = I1 R1 = 5,5A 8M = 44V VR2 = VD2 = I2 R2 = 4,5A 8M = 36V

I2 = 4,5A I1 = 5,5A

II) V = 120V

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1A 120V 2A

8M

8M

D1 = D2 = OFF

ID1 = I01 ID2 = I02

120 = 8I1 + 8I2 I1 + I2 = 15 I2 = 7A I1 = 8A

I1 + 1 = I2 + 2 I1 = I2 + 1 2I2 + 1 = 15 VR1 = VD1 = I1 R1 = 8A 8M = 64V VR2 = VD2 = I2 R2 = 7A 8M = 56V

15. Sup ongase que los diodos del circuito de la gura tienen Rf = 0, Vv = 0,6V y Rr = , con una ca da del diodo en conducci on de 0,7V . Hallar I1 , I2 , I3 y Vo en las siguientes condiciones:
I4 I1 V1 V2 I2 1K D3 D2 V0 I3 +5V +40V 20K 1K D1

Soluci on: a) V1 = 0v ; V2 = 25V

I4 I1 +40V 20K 1K D1 D2 1K D3

I2 25V

V0 I3 +5V

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 D 1ON D 2OF F Suponemos D 3ON

40 = I4 20 + 0,7 + I1 1 I4 =

40 0,7 I1 20

5 = 0,7 + 0,7 + I1 1 I1 = 3,6mA I4 = 1,785mA Vo = 5 0,7 = 4,3V La suposici on es correcta. b) V1 = V2 = 25V

I4 I1 25V I2 25V 1K D3 D2 V0 I3 +5V +40V 20K 1K D1

Suponemos I3 = 0 I1 = I2

D 1 = D 2 = ON D 3 = OF F

I4 = I1 + I2 = 2I1 = 2I2 40 = 20I4 + 0,7 + 1I1 + 25 I1 = I2 = 0,3488mA I4 = 2I1 = 0,6976mA Vo = 40 I4 20 = 26,05V Sep-91. En el circuito de la gura, la tensi on de ruptura inversa de los diodos es VZ 1 = 10V y VZ 2 = 8V . Hallar las intensidades I1 , I2 e I3 , indicando el estado de los dos diodos.

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I1 600 20V

I2 400

I3

300

Soluci on: I) Suponemos D1 = D2 = Z ener.

I1 600 20V 10V I2 400 8V 300 I3

8V = 26,66mA I3 = 300 I2 = 10 8 = 5mA 400

II) Suponemos D1 Z ener, D2 OFF.

I1 600 20V 10V I2 400 300 I3

20 10 I1 = = 16,66mA 600

Suposici on incorrecta.

I2 = I3 =

10 = 14,285mA 400 + 300 20 10 I1 = = 16,66mA 600

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