Universidad Politcnica Salesiana

PRB(T$(0 %C
*ar!allo E,ra4n e,ra u@oDEotmail#com Universidad Politcnica Salesiana

Resumen Podemos Resaltar en esta prctica, que en los

transistores bipolares, una pequea corriente de entrada controla la corriente de salida, en este caso los FET logramos entender visuali!ar en laboratorio que podremos controlar la corriente de salida con un pequeo volta"e#

=a ganancia en el volta"e es# 0v ? 2 o 2i ? gm9rd @ R'; Amplificador Gate Comn. Esta ser una aplicaci.n ms del FET es la de compuerta com-n# (omo se mostrar, este circuito posee una ba"a impedancia de entrada, impedancia de salida similar a la de ,uente com-n una ganancia no invertida con la misma magnitud que la de ,uente com-n# =a Seal de entrada llega al Source la seal de salida est acoplada del 'rain la resistencia de carga# Para el clculo de las impedancias de ingreso salida se utili!a# >i ? RS @ 3?gm >o ? rd @ R' Para obtener la ganancia es1 0v ? 2o 2i ? gm9R'; Amplificador Drain Comn. Una segunda con,iguraci.n del FET es el circuito de 'rena"e com-n llamado tambin Fuente seguidor este circuito proporciona una ganancia de volta"e menor que 3 sin inversi.n de polaridad# 0dems el circuito proporciona una impedancia mu alta una ba"a impedancia de salida# Caractersticas. =a seal de entrada llega al :ate la seal de salida est acoplada del Source a la resistencia de carga# (omo el seguidor de emisor, el seguidor emisor de ,uente tiene una ganancia en tesi.n menor que 3# =a principal venta"a del seguidor de ,uente es su alta resistencia de entrada#

$#$%TR&'U(($)%
Tomando mu en cuenta que los transistores *+T con los FET son mu di,erentes entre ellos, la gran divergencia prcticamente lo que los di,erencia entre si, es que los *+T son controlados -nicamente por corriente, en su lugar los FET son controlados por tensi.n#

$$#
0mpli,icadores con FET

TE/01 &*+ET$2&S

$$$#
3# 5#

Reali!ar un cuadro comparativo de las caracter4sticas de los ampli,icadores con FET# 'isear (alcular (omprobar el ,uncionamiento de los siguientes ampli,icadores con los transistores FET a una ,c de 678!# a# 0mpli,icador a Sourse (om-n 9:anancia de 6;# b# 0mpli,icador de 'raing (om-n# c# 0mpli,icador de :ate (om-n 9:anancia de <;#

$2# A.

/0R(& TE)R$(&

Comparacin de los FET.

Amplificador Source Comn. =a seal de entrada llega al :ate la seal de salida est acoplada del 'rain a la resistencia de carga3# Por inspecci.n determinamos la impedancia de entrada la impedancia de salida3# >i ? R3 @ R5 >o ? rd @ R'
A

Electr.nica 0nal.gica $$

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0 menudo, se ver usar el seguidor de ,uente como etapa ,inal de un sistema, seguido de etapas bipolares de ganancia en tensi.n#

Unidades1 mEos C. Transistor FET. El +FET es un dispositivo unipolar, a que en su ,uncionamiento s.lo intervienen los portadores ma oritarios# EJisten dos tipos de +FET1 los de canal N los de canal P# En ambos tipos de +FET, la corriente $d de la salida se controla por medio de un volta"e entre la compuerta el surtidor Un transistor de e,ecto campo 9FET; t4pico est ,ormado por una barrita de material p . n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que ,orma con el canal una uni.n pLn#

Para el clculo de las impedancias de ingreso salida se utili!a <# >i ? R: >o ? rd @ RS @ 3?gm Para obtener la ganancia es1 0v ? 2 o 2i ? gm9rd @ Rs;F gm9rd @ Rs; B. Amplificadores con FET Caractersticas: G =a seal de entrada llega al :ate la seal de salida est acoplada del Source a la resistencia de carga# G (omo el seguidor de emisor, el seguidor de ,uente tiene una ganancia en tensi.n menor que 3# G =a principal venta"a del seguidor de ,uente es su alta resistencia de entrada# G 0 menudo, ver usar el seguidor de ,uente como etapa ,inal de un sistema, seguido de etapas bipolares de ganancia en tensi.n# En este tipo de ampli,icadores se debe operar al FET en una polari!aci.n inversa con el ,in de tener un valor alto de impedancia de entrada R:, los valores de las resistencias estn calculadas de tal ,orma que Eagan que se produ!ca una corriente de drain que permita que la mitad del volta"e de 2'' caiga en R< de ,orma de tener una condici.n simtrica en lo que respecta a la recta de ,uncionamiento del FET contar con una ampli,icaci.n ms cercana a las condiciones ideales de traba"o# =a seal alterna ampli,icada aparece en la salida del drena"e la ,uente des,asada 36HI con respecto a la seal de entrada# (olocando un condensador en paralelo a R< se disminu e la retroalimentaci.n degenerativa de cd# =a ganancia de volta"e sin retroalimentaci.n est en ,unci.n de R= gm 9transconductancia; 0v ? gm J R= 'onde1 :m ? $' K 2: 92:S cte;
Electr.nica 0nal.gica $$

Fig 31 Fet en sus canales

Ecuaci.n de entrada#M mediante la gr,ica de entrada del transistor, se pueden deducir las eJpresiones anal4ticas que permiten anali!ar matemticamente el ,uncionamiento de este# 0s4, eJisten di,erentes eJpresiones para las distintas !onas de ,uncionamiento# Para 2:S N 2P 9>ona 0ctiva;, la curva en el FET la relaci.n $' 2:S est dada por la ecuaci.n de ScEot@le 1
"D = "DSS 3

GS 5 !

Para 2:S O 2P 9>ona de corte;1 $' ? H 2# =$ST0'& 'E /0TER$0=ES Precio 5#5P H#CP

(antidad 'escripci.n < /PF 3HC 3P R varios valores

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<

Q 3 3 3 3 3 3 2$#

N varios valores Fuente de alimentaci.n Protoboard :enerador de Funciones &sciloscopio /ult4metro 'igital Un de Par de bananas Total

H#QH LLLLLLL LLLLLLL LLLLLL LLLLLL LLLLLLL LLLLLLL R3#SP

*o = RD = R# =3H) 6 = $m U P) $m =3#Sm GS $m = $mo 3 p 5 ( T #P m ) GS 3 #S m = U 3 + 5 #Q 5 #Q GS H#<3 =3 + 5 #Q GS = 5 5 "D = T#PmA3 5 #Q "D = T3TuA s = GS = 5 Rs = 5 = 5T6 5#T & T3TuA
5

'ES0RR&==& 'E =0 PRB(T$(0

Disear, calcular y comprobar el funcionamiento de los siguientes circuitos:

Amplificador a Source Comn con C (G = 8

Fig# Source comun con ( Clculos:

DD =3P "DSS = SmA p = < fc =6 &'( R# =PSH & A% =6 A% = $m9 R# RD;

DD = T#P 5 "D RD = =S Rs RD + RS + DS = 3P DS =3P 5#S T#P DS = C#Q 3P T#P 9PCH U CmA; RD = CmA RD =3#<& RS =

Circuito E+ui%alente ,En Din-mica.

C-lculos en Din-mica

Electr.nica 0nal.gica $$

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GS 3 p 5 U SmA H#HTP $m = 3 C C $m = 5#C<ms $m = 5 "DSS p A tot = 6 = $m U R!D 6 = 5#<Cms U R!D R!D = TQS R# = <#Q & *i =3/ RD U rd 3#<& U 5H & = RD + rd 3#<& + 5H & *o =3#55 & *o =

Dia$ramas de Bode

/-0ima Din-mica
cep = "D U R!DV cep = T3TuA U TQS cep = 6 CEm0 = cep + CE V CE maJ = 6 CE maJ =3S cepp =3S CE min = H +6

,98!; 2i92; 2s92; 02 02d*

3HH H#HC C H#<5 H T#5T 3T#5 <

LQQ#C

PHH H#3T S 3#<S T#T5 3T#T S

LQC#H

37 H#<H C 5#P3 6#5P 36#< <

L333#S

P7 H#C< 5 <#P3 6#HP 36#3 3

L336#5

67 H#C< S <#P3 6#3C 36#5 3

L3<5#C

3P7 H#C5 6 <#PP 6#5H 36#5 T

L3P5#S

5H7 H#C< 5 <#P3 6#3< 36#3 Q

L3S3L5

3HH7 H#C56 <#P3 6#5H 36#5T

3ST#S

Condensadores
fc = 6 &'( 3 3 Ci = V Ci = 5 U fc U *i 5 U 6HHH U3/ Ci =3Q#6 pF 36 pF 3 3 Cs = V Cs = 5 U fc U RD 5 U 6HHH U PCH Cs = <S#6nF <QnF

8,4 8,2 8 7,8 7,6 7,4 7,2 7

10 0 50 0 10 00 50 00 80 00 15 00 0 20 00 0 10 00 00

AV

3 3 18,4 Co = V Ce = 5 U fc U 9 *o + R#; 5 U 6HHH U 93#5 & +<#Q & ; 18,2 18 17,8 Co = <Q F << F
17,6 17,4 17,2 17 16,8 16,6
10 00 80 00 10 0 20 00 0

18,6

AV(d B)

!erificaci"n del funcionamiento en #aboratorio$

Formas de 1nda en la2oratorio

Electr.nica 0nal.gica $$

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50 0 10 00 50 00 80 00 15 00 0 20 00 0 10 00 0

P Amplificador a Drain comn (G = %

0 -5
10 0

-10 -15 -20

Simulaci"n Source Comn

Fig# 6 'rain (om-n Clculos: DD = 3P RS = T#P p = C "D = <#3<mA rD = CH & "DSS = 6mA A% = 3 5 "DSS ! GS $m = $mo3 = 5#Pms ! GS 9 3#P; Rs = = "D < #< Rs = CTH DD DS RD = RS "D RD = 3#6) = R# RG = 3/ $mo =

Fig# S Simulaci.n Source (om-n Formas de 1nda

Dia$rama de Bode

Circuito &'ui(alente (&n Din)mica

C-lculos en Din-mica

Electr.nica 0nal.gica $$

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A tot =3 *i = RG =3/ *oX = rd *o = rd WW Rs = CSC#PC R!S = CTH = 5<P 5 $m U R!S 5#P U 5<P A% = = 3 + $m U R!S 3 + 5#P U 5<P A% = H#66 3 A tot = A% =3

/-0ima Din-mica
Dia$ramas de Bode
DD 3P "D maJ = = = S#SmA RD + Rs 3#Q) + CQH cep = "C U RcpV cep = 5PmA U H#HC cep =3 CEpm0 = cep + CE CEp maJ = Q cepp =36
,98!; 2i92; 2s92; 02 02d*

3HH H#H3 S H#H5 C 3#P <#P5

3CP#P6

PHH H#H5 H#H< 5 3#S C#H6

3C5#HQ

37 H#H< C H#H< 6 3#3< 3#HS

353#C5

P7 H#HP H#HP 5 3#H< H#5S P

33#C

67 H#HP 3 H#PS 3#HQ H#TT 5

3HH#<C

3P7 H#HP C H#HP S 3#HC H#<Q

66#<5

5H7 H#HP 3 H#HP 6 3#3< 3#HS 3

TS#3<

3HH7 H#HP5 H#HPS 3#H6 H#S<

TC#5<

Condensadores:

fc = 6 &'( Ci = 3 3 V Ci = 5 U fc U 9 RG + rD ; 5 U 6HHH U 9CH + 3/;

Ci = 3#QP 03H 33 F 3 V Cd = 3H#CTnF 3HnF 5 U 6HHH U 3#Q) 3 Co = V Cc = 6#P 03H 6 F 5 U 6HHH U 9CSC#SC + CTH; Cd =

1,2 1 0,8 0,6 0,4 0,2 0

50 0 10 00 50 00 10 0 80 00 15 00 0 20 00 0 10 00 00

AV

1,2 1 0,8 0,6 0,4 0,2 0

10 0 50 0 10 00 50 00 80 0 15 0 00 20 0 00 0 10 00 0

AV(d B)

!erificaci"n del funcionamiento en #aboratorio$

Formas de onda en la2oratorio

Electr.nica 0nal.gica $$

Universidad Politcnica Salesiana

0 -2 -4 -6 -8 -10 -12 -14 -16 -18

10 0

50 0 10 00 50 00 80 00 15 00 0 20 00 0 10 00 0

Simulaci"n Drain Comn

Amplificador a Gate comn (G *

Fig# Simulaci.n 'rain (om-n Formas de 1nda

Fig# :ate (omun Clculos:

DD =3P p = C GS = 3#P DS =T#P "DSS =6mA A% =<

Dia$ramas de Bode Simulados

3os =5Pu

Electr.nica 0nal.gica $$

Universidad Politcnica Salesiana

5

6 fc = 6 &'( 3 3 V Ci = 5 U fc U 9 Rs + rs ; 5 U 6HHH U 9QHH + CHHH; Ci = <<#<F 3 3 Cs = V Cs = 5 U fc U 9 RG ; 5 U 6HHH U3/ Cs = 5#5uF 3 3 Co = V Co = 5 U fc U 9 Ro + *o ; 5 U 5n4( U3#6) +3T5) Co = S#<F S,6F Ci =

GS "D = "DSS 3 p V "D = <#3<mA 5 "DSS GS $m = U 3 p p $m = 5#Pms GS = CTH "D DD DS RD = RS "D 3P T#P RD = C#T =3#6 & = R# <#3< Rs =

!erificaci"n del funcionamiento en #aboratorio$ Formas de 1nda 12tenidas en #a2oratorio

Circuito E+ui%alente ,En Din-mica.

C-lculos en Din-mica
A% = $m( RD WW R# ) A% = 5#Pms (3#6 WW 3#6) = < rD + RD *i = 3 + $m U RD *o = ( ( rs WW RD ) + rd ) RD *o =3#T5) R!D = H#Q)
Dia$ramas de Bode
,98!; 2i92; 2s92; 02 02d* 3HH H#HC C H#<5 H 5#5T 3T#5 <
LQQ#C

PHH H#3T S 3#<S 5#T5 3T#T S

LQC#H

37 H#<H C 5#P3 <#5P 36#< <

L333#S

P7 H#C< 5 <#P3 <#HP 36#3 3

L336#5

67 H#C< S <#P3 <#3C 36#5 3

L3<5#C

3P7 H#C5 6 <#PP <#5H 36#5 T

L3P5#S

5H7 H#C< 5 <#P3 <#3< 36#3 Q

L3S3L5

3HH7 H#C56 <#P3 <#5H 36#5T

L3ST#S

/-0ima Din-mica
cep = "C U RcpV cep = 5PmA U H#3QP cep = C#6T CEpm0 = cep + CE CEp maJ =35#6T cepp = 5P#T

3,5 3 2,5 2 1,5 1 0,5 0

50 0 10 00 50 00 10 0 80 00 15 00 0 20 00 0 10 00 00

AV

Condensadores

Electr.nica 0nal.gica $$

Universidad Politcnica Salesiana Formas de 1nda

19,5 19 18,5 18 17,5 17 16,5 16 15,5 15

AV(d B)

100

500

1000

5000

8000

15000

10000

200 00

0
10 0

Dia$ramas de Bode Simulados

50 0 10 00 50 00 80 00 15 00 0 20 00 0 10 00 0

-5

-10 -15 -20 -25

Simulaci"n Gate Comn

2$$# (&%(=US$&%ES En el ampli,icador :ate (om-n eJiste un pequeo des,asamiento entre la seal de ingreso con respecto a la seal de salida debido a que los condensadores calculados no son eJactamente los mismos que los condensadores utili!ados en la prctica# 2$$$# (&%(=US$&%S $n tEe common gate ampli,ier tEere is a small pEase sEi,t betYeen tEe input signal YitE respect to tEe output signal because tEe capacitors are calculated eJactl tEe same as tEe capacitors used in practice#
REFERE%($0S

[1] *o lestad, %asEels@ 1 ZElectr.nica1 Teor4a de circuitos 'ispositivos Electr.nicos[ 'cima Edici.n [2] Ettp1KKYYY#ieec#uned#esKieecKdocumentosK,,iL ieecKaplMEtmlKcapitM33Kc3#Etm

Electr.nica 0nal.gica $$

Universidad Politcnica Salesiana Autor Estudiante de la Universidad Politcnica Salesiana en la (arrera de $ngenier4a Electr.nica cursando el \uinto nivel#

3H

Electr.nica 0nal.gica $$