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Dep R.

F y Micro Ondas























OSCI LADOR U.H.F CON TRANSI STOR MOSFET

















Javier Arribas Lzaro
st06596@salleurl.edu
1.Objetivos

El objetivo del trabajo es el desarrollo y el montaje de un oscilador
basado en un nico transistor capaz de desarrollar una frecuencia de
oscilacin dentro de la gama de U.H.F, en este caso , fijada a 900 Mhz.

Debido a la frecuencia tan elevada de oscilacin, es necesario un estudio
previo del tipo de oscilador, comparando los modelos tericos existentes,
con objetivo de buscar un diseo que sea estable en frecuencia y capaz de
cancelar los efectos parsitos de las uniones del transistor.

Otra decisin importante en el montaje, es la eleccin adecuada de los
componentes, siendo el transistor el elemento principal, pero sin olvidar la
etapa de sintona, la cual debe ser totalmente SMD y minimizando las
inductancias y capacidades de las pistas.




























2. Eleccin y caractersticas del modelo terico del oscilador

Todo oscilador convencional consta de una red de realimentacin
POSITIVA, en la que parte de la salida se realimenta hacia la entrada,
consiguiendo un aumento de la seal en cada ciclo, partiendo que la
nica seal presente en el inicio es el ruido trmico de los componentes,
este va amplificndose, y se va definiendo hasta llegar a una frecuencia
marcada por el circuito, la llamada frecuencia de resonancia; frecuencia a
la que la seal sufre una menor atenuacin en la red de realimentacin.

Bsicamente, para el margen de frecuencias de radio, se utilizan los
siguientes tipos, todos basados en un elemento amplificador inversor:

- Colpitts: La red de realimentacin esta formada por un divisor
capacitivo, que junto con una bobina obtiene el circuito resonante, la
f viene dada por el conjunto serie de bobina y el paralelo de los
condensadores.

- Clapp: Es una modificacin del colpitts; se aade un condensador en
serie con la bobina, de un valor menor que los que forman el divisor
capacitivo, obteniendo as una independencia de la f de resonancia
con respecto del valor del divisor. La freq viene dada por el conjunto
serie de bobina condensador.


- Pierce: Es bsicamente un Colpitts en el que se ha substituido la
bobina por un cristal de cuarzo. Gran estabilidad y selectividad en
frecuencia.

Nota: existen otros tipos de oscilador pero no son usados para alta freq.













3. Diseo

El tipo de oscilador seleccionado es el Clapp, debido a la
independencia de la frecuencia de oscilacin con los valores del divisor
capacitivo, de este modo, simplemente queda un LC.


L?
L
C?
C
CS
LS
1
=

f
LC
W
LC
=
=
2
1
1

La frecuencia de oscilacin debe ser de 900 Mhz:

Fijando C a 15 pF, obtenemos 2nH de bobina, muy poca
inductancia, por lo que las pistas influyen significativamente, obligando
a usar SMD.

Para 400Mhz, C=15pF B=10nH
Para 400Mhz, C=2pF B=79nH

Transistor: Se usar un transistor MOSFET de canal N de doble
puerta, para poder aislar la polarizacion de la realimentacin, facilitando
el diseo.
Tipo BF966; Vmax(GS)= 25 V, Fmax=2.4Ghz, Beta= Aceptable

Polarizacin:

12v
Puerta 1
C?
1nF
R?
100K
R?
220K

Se trata de un divisor de tensin, que deja 3.75 v en la Puerta, lo cual
pone al FET en activa. El condensador a masa desacopla la seal de R.F
Alimentacin:

Debido a la alta frecuencia de oscilacin, es necesario estabilizar la
tensin de alimentacin, evitando as dos cosas, la primera es que se
inmuniza al circuito de interferencias externas procedentes de la fuente
de continua, y la segunda es que la seal de U.H.F no pasa a la red de
VCC , evitando que el oscilador provoque interferencias sobre otros
circuitos.
Para ello, se ha montado condensadores de 1nF y buena respuesta en
frecuencia derivando a masa la RF, y un choque inductivo en serie.

12 VCC
RF CHOKE
10mH
C5
1nF
C6
1nF
+ C7
100uF


Circuito de realimentacin:

Parte de la seal de salida se realimenta a la entrada por medio de un
divisor capacitivo asimtrico, que tiene dos funciones;

1 - Desfasa la seal de salida 180, para que al ser inyectada en la
puerta, y ser invertida por el FET, se obtenga una realimentacin
POSITIVA.

2 - Divide la seal para que solo una parte sea realimentada,
proporcionando un sistema limitador.

Esta seal se obtiene del surtidor del FET, concretamente de una
inductancia serie sobre la que cae una tensin de RF proporcional a su
valor, por lo tanto , dependiendo de la frecuencia de oscilacin, la
realimentacin ser mayor o menor, dato a tener en cuenta para
posteriores modificaciones.
MOSFET
BF966
R Surtidor
100
choke
10uH
B Sintonia
2nH
C2
1nF
C DIV 1
15pF
C DIV 2
30pF
C sintonia
15pF

Conclusiones y medidas reales:

Debido a la dificultad de eliminar los efectos parasitos de las pistas,
la frecuencia de oscilacin en el prototipo queda limitada a 400 Mhz.

Una opcin valida para obtener 900 Mhz seria hacer oscilar el circuito a
300 Mhz y obtener el 3 harmnico mediante un filtro de salida, que cae
exactamente a 900 Mhz.

La placa usa componentes SMD en su totalidad, exceptuando las
inductancias, que debido a la dificultad de conseguirlas, estn hechas
con componentes convencionales.































Esquema completo:


12 VCC
MOSFET
BF966
R Drenador
150
R1
220K
R2
100K
R Surtidor
100
RLOAD
10k
choke
10uH
B Sintonia
2nH
RF CHOKE
10mH
C5
1nF
C6
1nF
C2
1nF
C3
1nF
C DIV 1
15pF
C DIV 2
30pF
C sintonia
15pF
+ C7
100uF
C1
1nF
Salida UHF



Placa con el montaje: