INTRODUO AO ESTUDO DOS TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNO

Professor: Leandro Sousa Vilefort

O homem no nada alm daquilo que a educao faz dele Immanuel Kant

Julho de 2013

SUMRIO

SUMRIO............................................................................................................................ II NDICE DE FIGURAS ......................................................................................................III CAPTULO 1 INTRODUO AO ESTUDO DOS TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNO ............................................................................................................................... 4
1.1 - O TRANSISTOR DE JUNO BIPOLAR ................................................................................4 1.2 - FUNES, CARACTERSTICAS FSICAS E DE DOPAGEM DAS REGIES DO TJB ..4 1.3 - POLARIZAO DO TRANSISTOR E SEU FUNCIONAMENTO ........................................5 1.4 - PRINCIPAIS EQUAES ...........................................................................................................7 1.5 - ANLISE QUALITATIVA DO FUNCIONAMENTO DO TJB ..............................................9 1.6 - MODELO EBERS-MOLL ..........................................................................................................12
1.6.1 - POLARIZAO NO MODO ATIVO DIRETO ................................................................................. 12 1.6.2 - POLARIZAO NO MODO ATIVO REVERSO .............................................................................. 13 1.6.3 - MODELO EBERS-MOLL SIMPLIFICADO ...................................................................................... 13 1.6.4 - EFEITOS DINMICOS: CAPACITNCIAS E RESISTNCIAS DE CONTATO .......................... 15

1.7 - CONCLUSES ............................................................................................................................17

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NDICE DE FIGURAS Figura 1.1 (a) Transistor NPN; (b) Transistor PNP. ............................................................. 4 Figura 1.2 Seco transversal de um TJB NPN.................................................................... 5 Figura 1.3 Polarizao do TJB NPN: (a) Primeiro momento; (b) Segundo momento. .......... 6 Figura 1.4 Variao do ganho de corrente com IC e T. ....................................................... 10 Figura 1.5 Curvas iC x vCB. ................................................................................................ 10 Figura 1.6 Curvas iC x vCE, regies de operao e a tenso de Early. .................................. 12 Figura 1.7 Modo de Polarizao Ativo Direto: (a) Circuito; (b) Modelo T. ........................ 12 Figura 1.8 Modo de Polarizao Ativo Reverso: (a) Circuito; (b) Modelo T. ..................... 13 Figura 1.9 Modelo Ebers-Moll Simplificado ..................................................................... 14 Figura 1.10 Modelo de Transporte Ebers-Moll. ................................................................. 16 Figura 1.11 Comparao das curvas I-V do Modelo de Transporte (pontilhadas) com as curvas reais do transistor 2N4124. ................................................................................ 17

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CAPTULO 1 INTRODUO AO ESTUDO DOS TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNO

1.1 - O TRANSISTOR DE JUNO BIPOLAR O transistor de juno bipolar (TJB) formado por trs cristais semicondutores extrnsecos (com impurezas) com tamanhos e nveis de dopagem diferentes. Os TJBs podem ser operados para atuar como chave esttica (interruptor) ou como uma fonte de corrente controlada por tenso (vBE) ou por corrente (iB). Existem dois tipos bsicos de TJBs: o tipo NPN e o tipo PNP. A cada juno PN forma-se um diodo, por isso, pode-se dizer que o transistor formado por dois diodos: o diodo coletor (regio base-coletor) e o diodo emissor (regio base-emissor). A Figura 1.1(a) ilustra o transistor NPN e seu smbolo. A Figura 1.1(b) ilustra o transistor PNP e seu smbolo.

Figura 1.1 (a) Transistor NPN; (b) Transistor PNP. Cada pastilha semicondutora forma uma regio do TJB que possui caractersticas fsicas distintas quanto ao tamanho e a dopagem. So elas: Coletor, Base e Emissor.

1.2 - FUNES, CARACTERSTICAS FSICAS E DE DOPAGEM DAS REGIES DO TJB A Figura 1.2 ilustra a seco transversal de um TJB NPN.

Captulo 1

Figura 1.2 Seco transversal de um TJB NPN. As caractersticas fsicas comuns entre os transistores NPN e PNP: O coletor fisicamente muito maior que o emissor e a base; A base fisicamente muito menor que o emissor e o coletor; O emissor muito mais dopado que o coletor e a base; A base possui dopagem muito menor que a do coletor e do emissor.

Funes do Emissor, da Base e do Coletor (anlise para o TJB NPN): Emissor: fortemente dopado. Tem a funo de emitir ou injetar eltrons livres (portadores majoritrios na regio N) na base; Base: fracamente dopada. Tem a funo de receber os eltrons livres do emissor e garantir um tempo de vida () maior desses eltrons (portadores minoritrios na regio P) nessa regio, controlando a passagem desses eltrons provenientes do emissor para o coletor, devido a um campo eltrico externo; Coletor: com dopagem intermediria, tem a funo de coletar os eltrons livres vindos do emissor para a base.

1.3 - POLARIZAO DO TRANSISTOR E SEU FUNCIONAMENTO O modo mais usual de se polarizar um transistor polarizar diretamente o diodo emissor e polarizar reversamente o diodo coletor. Para facilitar o entendimento do processo de polarizao, o separamos em dois momentos distintos: Prof. Leandro Sousa Vilefort - 2013

Captulo 1

1. Ao aplicar uma polarizao direta no diodo emissor, tal que VBB > V BE (> 0,7V), os eltrons do emissor entraro na regio da base, onde se tornam portadores minoritrios, conforme Figura 1.3 (a); 2. Uma vez que os eltrons livres vindos do emissor atravessaram para a base, eles podem tomar o caminho em direo ao terminal positivo de VBB e, tambm, rumo ao terminal positivo de VCC, conforme Figura 1.3 (b). Esse fenmeno ocorre devido regio da base, por ser muito estreita, permitir que os eltrons livres tenham uma distncia curta para chegar ao coletor. Alm disso, por ser fracamente dopada, os eltrons livres na regio da base apresentam tempo de vida () maior, pois se tornam portadores minoritrios. Por essas razes, quase todos os eltrons injetados pelo emissor passam da base para o coletor.

Figura 1.3 Polarizao do TJB NPN: (a) Primeiro momento; (b) Segundo momento.

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7 1.4 - PRINCIPAIS EQUAES

Captulo 1

As expresses (1.1) a (1.12) so as principais equaes que regem o funcionamento dos TJBs.

iE = iB + iC
iC = .iE

(1.1) (1.2) (1.3)

iC = .iB

+1
1

(1.4)

(1.5)

vBE iC = I S . e VT 1 iE = I S vBE VT . e 1 I S vBE VT . e 1

(1.6)

(1.7)

iB =

(1.8)

VT =

k .T q

(1.9)

i vBE = 2,3.VT .log E IS

(1.10) (1.11)
(1.12)

vCE = vBE + vCB

1 D p .N A .W W2 + Dn .N D .Lp 2.Dn .

Onde: IE corrente do emissor;

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Captulo 1

IB corrente da base; IC corrente de coletor;

- ganho de corrente de base comum; ganho de corrente de emissor comum;

IS corrente de saturao ou corrente de escala; VBE tenso entre os terminais da base e emissor; VT tenso trmica (~25mV @ 25C); K constante de Boltzmann = 1,38.10-23 J/K; T temperatura em K = 273 + T(C). Temperatura ambiente = 20C; Q carga de um eltron = 1,6.10-19C; VCE tenso entre os terminais do coletor e emissor; VCB tenso entre os terminais do coletor e base; Dp constante de difuso dos eltrons no emissor; Dn constante de difuso dos eltrons na base; NA concentrao de dopantes na base; ND concentrao de dopantes no emissor; W largura efetiva da base; Lp comprimento de difuso de lacunas no emissor (largura da barreira de depleo do diodo emissor);

tempo de vida dos portadores minoritrios na regio da base.

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1.5 - ANLISE QUALITATIVA DO FUNCIONAMENTO DO TJB

Captulo 1

A partir das expresses (1.1) a (1.12) possvel obter informaes qualitativas importantes para o bom entendimento do funcionamento dos TJBs: a) O ganho de corrente () influenciado significativamente pela largura da regio da base (W) e pela razo de dopagem das regies da base e do emissor (NA/ND), portanto, para que seja elevado (o que altamente desejvel em amplificadores), a base deve ser estreita (W) e levemente dopada (), enquanto que o emissor deve ser altamente dopado (NA/ND); b) A corrente de escala (IS) muito dependente da temperatura. Na prtica, IS dobra de valor para cada acrscimo de 5C. Os valores tpicos de IS se encontram na faixa: 10-15 < IS < 10-8; c) A tenso trmica (VT) diretamente proporcional temperatura; d) Somando os efeitos da variao de IS e VT com a variao da temperatura, resulta em aproximadamente numa reduo de 2mV/C em vBE. Essa linearidade permite que sejam feitos termmetros com TJBs; e) O valor de depende do nvel de corrente de operao (iC) e da temperatura, conforme Figura 1.4. A variao de iC e da temperatura faz com que varie alguns parmetros da eq. (1.12), principalmente W, e Lp;

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Captulo 1

Figura 1.4 Variao do ganho de corrente com IC e T.

f) Curvas iC x vCB (Figura 1.5). Quando vCB>-0,4V, o transistor opera no modo ativo e iC aproximadamente igual a iE. Quando vCB < -0,4V, a corrente iC deixa de ser aproximadamente o valor de iE, ou seja, sat < e, conseqentemente, sat < . Nessa regio, o transistor opera no modo de saturao. Quando iB 0, o transistor estar operando na regio de corte.

Figura 1.5 Curvas iC x vCB.

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Captulo 1

g) Curvas iC x vCE (Figura 1.6). Nesse grfico podemos visualizar as regies de operao do transistor: corte, saturao, ativa e de ruptura. Permite identificar a tenso de saturao (vCEsat) e o clculo de e sat para diferentes pontos quiescentes de operao (Q). Note que a tenso vCEsat dependente da corrente iC, ou seja, quanto maior iC, maior ser vCEsat. A regio de corte quando a corrente de base aproximadamente zero. Quando o TJB est operando como amplificador, seus pontos de operao estaro excursionando na regio ativa. Quando o transistor estiver operando como chave esttica, os pontos de operao estaro ou na regio de corte ou na regio de saturao. Nota-se que as inclinaes das curvas na regio ativa mostram uma certa dependncia de iC com a tenso de coletor (VC). Se prolongarmos as curvas at tocarem o eixo horizontal, encontraremos a tenso de Early (-VA). Podemos, com isso, encontrar a resistncia de sada do transistor para um determinado ponto de operao:
r0 = VA IC

(1.13)

Onde: IC o ponto que corta o eixo iC ao prolongar a reta para um dado iB de polarizao.

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Captulo 1

Figura 1.6 Curvas iC x vCE, regies de operao e a tenso de Early.

1.6 - MODELO EBERS-MOLL

1.6.1 - POLARIZAO NO MODO ATIVO DIRETO Essa a polarizao mais usual de um transistor. A Figura 1.7 (a) ilustra a configurao de polarizao no modo ativo direto e a Figura 1.7 (b) ilustra o seu modelo T equivalente para grandes sinais.

Figura 1.7 Modo de Polarizao Ativo Direto: (a) Circuito; (b) Modelo T.

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Captulo 1

iDE =

I S vBE VT . e 1 F

(1.14)

1.6.2 - POLARIZAO NO MODO ATIVO REVERSO Esse modo no usual, mas bastante til para representar as correntes que circulam pelo transistor devido aos portadores minoritrios. A Figura 1.8 (a) ilustra o circuito de polarizao no modo ativo reverso e a Figura 1.8 (b) ilustra seu modelo T equivalente para grandes sinais.

Figura 1.8 Modo de Polarizao Ativo Reverso: (a) Circuito; (b) Modelo T.

Onde: iDC = I S vBC VT . e 1 R (1.15)

1.6.3 - MODELO EBERS-MOLL SIMPLIFICADO O modelo Ebers-Moll simplificado a unio dos modelos T das polarizaes no modo ativo direto e reverso. A Figura 1.9 ilustra esse modelo.

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Captulo 1

Figura 1.9 Modelo Ebers-Moll Simplificado

Por anlise nodal, tem-se: N 1: N 2: N 3:

iC = F .iDE iDC iE = iDE R .iDC

iB = (1 F ) .iDE + (1 R ) .iDC

(1.16) (1.17) (1.18)

Substituindo (1.14) e (1.15) em (1.16), (1.17) e (1.18), resulta em: vBE I vBC iC = I S . e VT 1 S . e VT 1 R iE = I S vBE VT vBC . e 1 I S . e VT 1 F (1.19)

(1.20)

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Captulo 1

iB =

(1 F ) I
F

vBE VT (1 R ) vBC VT . e 1 . I . 1 S S e R

(1.21)

Substituindo (1.5) em (1.21), tem-se: iB = Onde:

F o ganho de corrente de emissor comum para polarizao direta.

I S vBE VT I vBC . e 1 . S . e VT 1 F R

(1.22)

(Tipicamente: 50 < F < 450 e F 1);

R o ganho de corrente de emissor comum para polarizao reversa.

(Tipicamente R 0,1 e R 0,1).

1.6.4 - EFEITOS DINMICOS: CAPACITNCIAS E RESISTNCIAS DE CONTATO Os efeitos dinmicos so devido ao armazenamento de cargas no transistor. Dois efeitos devem ser considerados: (Fonte: http://www.atp.ruhr-uni-bochum.de/rt1/semicond/node42.html) 1. Capacitncias entre camadas:
CTe = C Je

(1 VBE (1 VBC

VJe )

mje

(1.23)

CTc =

C Jc VJc )
mjc

(1.24)

2. Capacitncias de difuso: que podem ser estimadas a partir da carga de portadores minoritrios armazenados na regio da base nos modos ativo direto e reverso:

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Captulo 1

CBe = F .

dI BE dVBE dI BC dVBC

(1.25)

CBc = R .

(1.26)

Onde: F e R so os tempos de trnsito dos eltrons e lacunas atravs da base. O Modelo Ebers-Moll de Transporte ilustrado na Figura 1.10.

Figura 1.10 Modelo de Transporte Ebers-Moll.

A Figura 1.11 ilustra as curvas I-V geradas pelo Modelo de Transporte (pontilhadas) comparadas s curvas I-V reais do transistor 2N4124.

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Captulo 1

Figura 1.11 Comparao das curvas I-V do Modelo de Transporte (pontilhadas) com as curvas reais do transistor 2N4124.

Note que as curvas do modelo de transporte so prximas s curvas ideais do transistor, porm, ele no considera as variaes de F e R com a corrente iC e com a temperatura, o efeito Early e outros efeitos de segunda ordem.

1.7 - CONCLUSES

A utilizao de um sistema computacional para anlise de circuitos representa notveis vantagens sob o ponto de vista de facilidade de projeto e avaliao de desempenho dos circuitos eletrnicos. No caso especfico do projeto de circuitos integrados, a simulao uma das mais importantes ferramentas de que dispe os projetistas. Esta ferramenta pode ser utilizada, no entanto, para a simulao de qualquer circuito eletrnico.

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Captulo 1

O programa SPICE, devido qualidade dos modelos empregados e contnuos aperfeioamentos ocorridos desde sua apresentao, vem se firmando como um padro para a simulao de circuitos, sendo largamente utilizado tanto pelos estudantes que esto iniciando a atividade de projeto de circuitos eletrnicos como pelos projetistas de circuitos avanados.

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