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Eletrnica

Rodrigo Cardozo Fuentes

Santa Maria - RS 2011

Presidncia da Repblica Federativa do Brasil Ministrio da Educao Secretaria de Educao a Distncia Colgio Tcnico Industrial de Santa Maria Este Caderno foi elaborado em parceria entre o Colgio Tcnico Industrial de Santa Maria e a Universidade Federal de Santa Catarina para o Sistema Escola Tcnica Aberta do Brasil e-Tec Brasil.
Comisso de Acompanhamento e Validao Universidade Federal de Santa Catarina/UFSC Coordenao Institucional Araci Hack Catapan/UFSC Coordenao do Projeto Silvia Modesto Nassar/UFSC Cordenao de Design Instrucional Beatriz Helena Dal Molin/UNIOESTE Designers Intrucionais Helena Maria Maullmann/UFSC Jorge Luiz Silva Hermenegildo/CEFET-SC WEB Designers Beatriz Helena Dal Molin/UNIOESTE Mrcia Freire Rocha Cordeiro Machado/ETUFPR Superviso de Projeto Grco Ana Carine Garca Montero/UFSC Diagramao Joo Ricardo Zattar/UFSC Lus Henrique Lindler/UFSC Reviso Lcia Locatelli Flres/UFSC Equipe de Elaborao Colgio Tcnico Industrial de Santa Maria/CTISM Coordenador Institucional Paulo Roberto Colusso/CTISM Professor-autor Rodrigo Cardozo Fuentes/CTISM Coordenao Tcnica Iza Neuza Teixeira Bohrer/CTISM Coordenao de Design Erika Goellner/CTISM Reviso Pedaggica Andressa Rosemrie de Menezes Costa/CTISM Francine Netto Martins Tadielo/CTISM Marcia Migliore Freo/CTISM Reviso Textual Lourdes Maria Grotto de Moura/CTISM Vera da Silva Oliveira/CTISM Reviso Tcnica Eduardo Lehnhart Vargas/CTISM Ilustrao e Diagramao Gustavo Schwendler/CTISM Leandro Felipe Aguilar Freitas/CTISM Marcel Santos Jacques/CTISM Muren Fernandes Massia/CTISM Rafael Cavalli Viapiana/CTISM Ricardo Antunes Machado/CTISM

Ficha catalogrca elaborada por Maristela Eckhardt CRB 10/737 Biblioteca Central UFSM
F954e Fuentes, Rodrigo Cardozo Eletrnica / Rodrigo Cardozo Fuentes. 3. ed. Santa Maria : Universidade Federal de Santa Maria, Colgio Tcnico Industrial de Santa Maria, Curso Tcnico em Automao Industrial, 2009. 83 p. : il. ; 21 cm. 1. Eletrnica 2. Fsica dos materiais 3. Circuitos eletrnicos 4. Programa Escola Aberta do Brasil I. Universidade Federal de Santa Maria. Curso Tcnico em Automao Industrial. CDU 621.38

INSTITUTO FEDERAL
RIO GRANDE DO SUL

Apresentao e-Tec Brasil


Prezado estudante, Bem-vindo ao e-Tec Brasil! Voc faz parte de uma rede nacional pblica de ensino, a Escola Tcnica Aberta do Brasil, instituda pelo Decreto n 6.301, de 12 de dezembro 2007, com o objetivo de democratizar o acesso ao ensino tcnico pblico, na modalidade a distncia. O programa resultado de uma parceria entre o Ministrio da Educao, por meio das Secretarias de Educao a Distncia (SEED) e de Educao Prossional e Tecnolgica (SETEC), as universidades e escolas tcnicas estaduais e federais. A educao a distncia no nosso pas, de dimenses continentais e grande diversidade regional e cultural, longe de distanciar, aproxima as pessoas ao garantir acesso educao de qualidade, e promover o fortalecimento da formao de jovens moradores de regies distantes dos grandes centros geogracamente ou economicamente. O e-Tec Brasil leva os cursos tcnicos a locais distantes das instituies de ensino e para a periferia das grandes cidades, incentivando os jovens a concluir o ensino mdio. Os cursos so ofertados pelas instituies pblicas de ensino e o atendimento ao estudante realizado em escolas-polo integrantes das redes pblicas municipais e estaduais. O Ministrio da Educao, as instituies pblicas de ensino tcnico, seus servidores tcnicos e professores acreditam que uma educao prossional qualicada integradora do ensino mdio e educao tcnica, capaz de promover o cidado com capacidades para produzir, mas tambm com autonomia diante das diferentes dimenses da realidade: cultural, social, familiar, esportiva, poltica e tica. Ns acreditamos em voc! Desejamos sucesso na sua formao prossional! Ministrio da Educao Janeiro de 2010
Nosso contato etecbrasil@mec.gov.br

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Indicao de cones
Os cones so elementos grcos utilizados para ampliar as formas de linguagem e facilitar a organizao e a leitura hipertextual. Ateno: indica pontos de maior relevncia no texto.

Saiba mais: oferece novas informaes que enriquecem o assunto ou curiosidades e notcias recentes relacionadas ao tema estudado. Glossrio: indica a denio de um termo, palavra ou expresso utilizada no texto. Mdias integradas: sempre que se desejar que os estudantes desenvolvam atividades empregando diferentes mdias: vdeos, lmes, jornais, ambiente AVEA e outras. Atividades de aprendizagem: apresenta atividades em diferentes nveis de aprendizagem para que o estudante possa realiz-las e conferir o seu domnio do tema estudado.

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Sumrio
Palavra do professor-autor Apresentao da disciplina Projeto institucional Aula 1 Introduo eletrnica Aula 2 Fsica dos materiais 2.1 A estrutura do tomo 2.2 Materiais condutores 2.3 Materiais isolantes 2.4 Material semicondutor 2.5 Estudo dos semicondutores 2.6 Impurezas Aula 3 O diodo semicondutor 3.1 O diodo semicondutor de juno 3.2 Polarizao do diodo 3.3 Curva caracterstica de um diodo 3.4 Especicaes de um diodo Aula 4 Circuitos reticadores 4.1 Onda senoidal 4.2 Circuito reticador de meia onda 4.3 Circuito reticador de onda completa 4.4 Circuito reticador de onda completa em ponte Aula 5 Tipos especiais de diodos 5.1 Diodo emissor de luz 5.2 Fotodiodo 5.3 Diodo zener Aula 6 Fontes de alimentao 6.1 O transformador 6.2 Circuitos reticadores 9 11 13 15 19 19 20 20 20 21 22 27 27 29 30 31 33 33 35 36 38 41 41 42 43 47 47 49

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6.3 O capacitor de ltragem 6.4 Regulador de tenso com diodo zener Aula 7 O transistor bipolar 7.1 Funcionamento do transistor bipolar 7.2 Transistor no polarizado 7.3 Polarizao do transistor NPN 7.4 Polarizao do transistor PNP 7.5 Montagem bsica com transistor 7.6 O modelo de Ebers-Moll 7.7 Polarizao em corrente contnua de transistores 7.8 O transistor operando como chave 7.9 O transistor operando como fonte de corrente 7.10 O transistor operando como amplicador Aula 8 Tiristores 8.1 A estrutura PNPN 8.2 SCR 8.3 TRIAC 8.4 Acionando o gatilho dos tiristores Aula 9 Introduo aos circuitos integrados 9.1 Classicao dos circuitos integrados 9.2 Tipos de encapsulamento dos CIs Referncias Currculo do professor-autor

50 55 57 58 59 59 61 62 64 65 68 69 69 75 75 76 78 79 81 82 84 90 91

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Eletrnica

Palavra do professor-autor
So evidentes a evoluo e a melhoria na qualidade de vida das sociedades nestes ltimos cinquenta anos. Dentre as razes dessa evoluo destacamse as reas relacionadas tecnologia como telecomunicaes, informtica, diagnsticos atravs de imagens na medicina e a automao industrial como grande alavanca dos sistemas produtivos e da qualidade. Essa evoluo tem como base a eletrnica, que proporcionou as condies necessrias para a atual revoluo tecnolgica. Destaca-se a inveno do transistor semicondutor em 1947, considerada uma das maiores do sculo XX, que possibilitou a produo de equipamentos portteis alimentados por pilhas e baterias. Podemos citar como exemplo o velho radinho transistorizado. Destaca-se ainda a inveno do circuito integrado, que proporcionou grandes avanos na miniaturizao e na conabilidade dos equipamentos eletrnicos, de fundamental importncia na rea da microeletrnica. Neste curso de eletrnica bsica vamos apresentar os fundamentos bsicos da eletrnica, para possibilitar ao educando o ingresso no mundo fascinante dos materiais semicondutores. Nosso estudo inicia-se na fsica dos semicondutores, evoluindo para os primeiros dispositivos como os diodos, transistores, tiristores e circuitos integrados. Em cada unidade so desenvolvidas as teorias dos circuitos eletrnicos pertinentes e necessrias a cada assunto e, para tanto, fundamental a compreenso dos princpios da eletricidade e de suas leis. Caro estudante, nosso objetivo proporcionar a voc uma nova viso sobre a eletrnica, possibilitando-lhe percorrer um caminho cheio de novidades, desaos, desenvolvendo as suas habilidades neste campo da tecnologia. Rodrigo Cardozo Fuentes

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Apresentao da disciplina
Este material didtico constitui a base terica do estudo da disciplina de Eletrnica. Na aula 1, vamos estudar o que a Eletrnica e alguns dos principais fatos histricos que marcaram a evoluo da Eletrnica at a atualidade. Na aula 2, estudaremos a estrutura atmica, as partculas eltricas bsicas e as caractersticas dos materiais condutores, isolantes e semicondutores. Na aula 3, estudaremos o diodo de juno semicondutor que o componente mais simples da Eletrnica, mas de grande importncia para a compreenso dos dispositivos mais complexos. Na aula 4, ser estudada uma das principais aplicaes dos diodos semicondutores, trata do processo de reticao da energia eltrica. Na aula 5, sero estudados trs tipos especiais de diodos com ampla aplicao prtica nos equipamentos eletrnicos. Na aula 6, vamos estudar a forma adequada de suprir os circuitos eletrnicos com energia eltrica, garantindo o seu correto funcionamento. Na aula 7, estudaremos uma das maiores invenes do sculo XX, que impulsionou toda a evoluo da Eletrnica: o transistor semicondutor. Na aula 8, vamos estudar uma famlia de componentes semicondutores de estrutura um pouco mais complexa, apresentando at quatro camadas semicondutoras que so os chamados tiristores. Por m, na aula 9, estudaremos as principais caractersticas dos circuitos integrados, tambm chamados de microchips, componentes que esto presentes em inmeros equipamentos de nosso dia a dia. O tema Eletrnica no se esgota nas unidades abordadas neste caderno. Portanto, fundamental a consulta bibliograa especca para um maior aprofundamento do assunto.

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Projeto instrucional
Disciplina: Eletrnica (carga horria: 60h). Ementa: Introduo eletrnica, fsica dos materiais, diodo semicondutor, circuitos reticadores, tipos especiais de diodos, fontes de alimentao, transistor bipolar, tiristores e introduo aos circuitos integrados.
OBJETIVOS DE APRENDIZAGEM
Compreender o conceito de eletrnica. Conhecer as principais descobertas que contriburam para a evoluo da eletrnica. Conhecer algumas aplicaes prticas da eletrnica. Compreender a estrutura do tomo e suas partculas elementares. Reconhecer as caractersticas dos materiais condutores, isolantes e semicondutores de eletricidade. Compreender os processos de dopagem de semicondutores com a inteno de produzir cristais eletricamente polarizados. Compreender a estrutura bsica do diodo semicondutor de juno. Reconhecer as curvas caractersticas de operao do diodo semicondutor de juno. Empregar os termos tcnicos adequados e os dados necessrios a especicao do diodo semicondutor. Compreender o processo de transformao da corrente alternada em corrente contnua pela aplicao dos diodos semicondutores. Reconhecer os tipos de processos de reticao e suas respectivas caractersticas. Empregar corretamente as equaes matemticas que descrevem os processos de reticao.

AULA

MATERIAIS
Ambiente virtual: plataforma moodle. Apostila didtica. Recursos de apoio: links de leitura complementar indicados na apostila.

CARGA HORRIA (horas)

1. Introduo eletrnica

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2. Fsica dos materiais

Ambiente virtual: plataforma moodle. Apostila didtica. Recursos de apoio: links de leitura complementar indicados na apostila.

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3. O diodo semicondutor

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4. Circuitos reticadores

Ambiente virtual: plataforma moodle. Apostila didtica. Recursos de apoio: links de leitura complementar indicados na apostila.

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AULA

OBJETIVOS DE APRENDIZAGEM
Conhecer novos componentes eletrnicos baseados no diodo semicondutor de juno. Compreender as suas aplicaes prticas. Aplicar corretamente as equaes matemticas pertinentes ao dimensionamento e operao destes componentes. Compreender a operao e os principais componentes das fontes de alimentao. Aplicar corretamente as equaes matemticas que descrevem a operao dos circuitos eletrnicos. Compreender e aplicar corretamente as leis fundamentais da eletricidade, do magnetismo e do eletromagnetismo. Conhecer o transistor de juno bipolar, componente que revolucionou a tecnologia. Compreender o funcionamento e a operao do transistor em diversas aplicaes prticas. Aplicar corretamente as leis e as equaes que descrevem a operao do transistor nos circuitos eletrnicos. Conhecer os tiristores, que so dispositivos eletrnicos formados por quatro camadas semicondutoras. Compreender o processo de conduo e disparo dos tiristores. Conhecer as principais aplicaes desses componentes, relacionadas automao industrial. Conhecer os circuitos integrados ou microchips e as suas vantagens quando utilizados em equipamentos mais complexos. Conhecer a classicao dos microchips quanto aplicao, grau de integrao e forma de encapsulamento.

MATERIAIS

CARGA HORRIA (horas)

5. Tipos especiais de diodos

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6. Fontes de alimentao

Ambiente virtual: plataforma moodle. Apostila didtica. Recursos de apoio: links de leitura complementar indicados na apostila.

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7. O Transistor bipolar

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8. Tiristores

Ambiente virtual: plataforma moodle. Apostila didtica. Recursos de apoio: links de leitura complementar indicados na apostila.

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9. Introduo aos circuitos integrados

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Aula 1 Introduo eletrnica

Objetivos da aula
Compreender o conceito de eletrnica. Conhecer as principais descobertas que contriburam para a evoluo da eletrnica. Conhecer algumas aplicaes prticas da eletrnica.

Nesta aula vamos estudar o que a eletrnica e alguns dos principais fatos histricos que marcaram a evoluo da eletrnica at a atualidade. Eletrnica o campo da cincia e da engenharia que estuda a forma de controlar a energia eltrica atravs de dispositivos e meios condutores ou semicondutores. A compreenso dos conceitos fundamentais da eletrnica, dos principais dispositivos e circuitos edica a base tcnica necessria formao do tcnico industrial. A seguir elencaremos uma srie de fatos que contriburam para o atual estgio da eletrnica. A eletrnica tem como um dos marcos iniciais a descoberta dos raios catdicos por Hittorf em 1869 e, com a vericao, em 1886, da existncia dos raios positivos cujo estudo logo revelou a sua natureza corpuscular. A teoria eletromagntica de Maxwell previa, por meio de clculos, a existncia de ondas eletromagnticas. Hertz as detectou e estudou em 1888. A deteco dessas ondas tornou-se fcil graas ao chamado coerenciador de Branly. Em 1895, Popov inventou a antena, o que permitiu a Marconi a realizao, no mesmo ano, de uma transmisso de sinais de telegraa sem o (TSF) atravs de uma distncia de vrias dezenas de quilmetros. Pode-se dizer que essa foi a primeira aplicao prtica da eletrnica. A inveno das vlvulas eletrnicas, o diodo (Fleming, 1904) e o triodo (Lee De Forest, 1906) permitiram a produo permanente de ondas, sua amplicao, sua modulao e sua recepo, tornando possvel a radiodifuso. O emprego de clulas fotoel-

http://pt.wikipedia.org/wiki/ Eletr%C3%B4nica#Hist. C3.B3rico

Aula 1 - Introduo eletrnica

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tricas e o oscilgrafo de raios catdicos, inventado em 1897 por Braun, permitiram a criao do cinema falado, da televiso, do microscpio eletrnico, do radar e de outros. Atualmente, so as novas invenes da tecnologia as condicionantes do desenvolvimento da eletrnica. A fase da miniaturizao dos equipamentos comearam aps a descoberta do transistor por Bardeen, Brattain e Shockley em 1947 e a utilizao dos semicondutores (Figura 1.1). Nos anos 60, desenvolveu-se a fabricao de vrios transistores em um mesmo substrato de silcio, os chamados wafers (Figura 1.1). Surge, ento, a integrao de componentes eletrnicos em larga escala, diminuindo o tamanho e o custo dos equipamentos, e aumentando consideravelmente a sua conabilidade. O desenvolvimento da integrao permitiu a implantao, sobre uma s pea de silcio, de sistemas mais complexos, assim como a diminuio dos custos. Isso explica a revoluo tecnolgica iniciada ao longo dos anos 70, com o aparecimento dos microprocessadores. No incio dos anos 80, desenvolvese uma nova fase com o tratamento automtico da palavra, que confere s mquinas voz (sntese automtica) e audio (reconhecimento automtico), ao passo que os avanos realizados nos reconhecimentos de formas levam feitura de mquinas de capacidade anloga do olho humano. A aplicao da eletrnica estende-se a numerosas tcnicas e campos: udio, vdeo, informtica, telecomunicaes, tratamento de sinais, eletrnica mdica, automao, eletrodomsticos, entretenimento, etc.

Figura 1.1: Wafer e cilindro de silcio puro


Fonte: http://www.fxconsult.com.br

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Resumo
Nessa aula estudamos o conceito de eletrnica, os principais fatos histricos que contriburam para a sua evoluo da eletrnica e alguns exemplos de aplicao prtica.

Atividades de aprendizagem
1. O que eletrnica? 2. Qual a importncia da eletrnica na sua vida cotidiana? 3. Qual o principal elemento qumico utilizado atualmente na eletrnica? 4. Qual a descoberta que possibilitou a miniaturizao e o desenvolvimento de equipamentos eletrnicos portteis?

Aula 1 - Introduo eletrnica

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Aula 2 Fsica dos materiais

Objetivos
Compreender a estrutura do tomo e suas partculas elementares. Reconhecer as caractersticas dos materiais condutores, isolantes e semicondutores de eletricidade. Compreender os processos de dopagem de semicondutores com a inteno de produzir cristais eletricamente polarizados.

A estrutura atmica e a compreenso das partculas eltricas bsicas so fundamentais para o entendimento da Eletrnica. Nesta aula vamos conhecer essas partculas e as caractersticas dos materiais condutores, isolantes e semicondutores. Vamos compreender o processo que transforma um cristal semicondutor puro em um cristal com cargas eltricas positivas ou negativas, constituindo assim, a base para o desenvolvimento de toda a Eletrnica.

2.1 A estrutura do tomo


O tomo formado basicamente por trs tipos de partculas elementares: eltrons, prtons e nutrons (Figura 2.1). A carga do eltron de polaridade negativa, enquanto a do prton positiva. Os eltrons giram em torno do ncleo distribuindo-se em diversas camadas, num mximo de sete. Em cada tomo, a camada mais externa chamada de valncia, e geralmente ela que participa das reaes qumicas. Todos os materiais encontrados na natureza so formados por diferentes tipos de tomos, diferenciados entre si pelos seus nmeros de prtons, eltrons e nutrons. Cada material tem uma innidade de caractersticas, mas em Eletrnica uma especial: o comportamento quanto passagem de corrente eltrica. Em relao a esta caracterstica pode-se dividir os materiais em trs tipos: os condutores, os isolantes e os semicondutores.

Aula 2 - Fsica dos materiais

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Figura 2.1: tomo


Fonte: CTISM

2.2 Materiais condutores


So materiais que permitem com facilidade a passagem de corrente eltrica. Quanto mais fcil for a passagem de corrente eltrica, melhor condutor o material. O que caracteriza o material como um bom condutor o fato de os eltrons de valncia estarem fracamente ligados ao tomo, encontrando grande facilidade para abandonar seus tomos e se movimentarem livremente no interior dos materiais. O cobre, por exemplo, com somente um eltron na camada de valncia tem facilidade de ced-lo para ganhar estabilidade. O eltron cedido torna-se um eltron livre.

2.3 Materiais isolantes


So materiais que possuem uma resistividade eltrica muito alta, bloqueando a passagem da corrente eltrica. Os eltrons de valncia esto rigidamente ligados aos seus tomos, sendo que poucos eltrons conseguem desprender-se de seus tomos para se transformarem em eltrons livres. Consegue-se um maior efeito isolante nas substncias compostas como a borracha, a mica , a baquelite, os termoplsticos, etc.

2.4 Material semicondutor


Materiais isolantes podem conduzir eletricidade? Os semicondutores so materiais que apresentam uma resistividade eltri-

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ca intermediria podendo apresentar caractersticas de isolante e condutor. Como exemplos tm-se o germnio e o silcio. So estes os materiais de maior importncia na Eletrnica atual, pois a partir deles so obtidos diversos dispositivos que sero estudados neste curso.

2.5 Estudo dos semicondutores


Os tomos de germnio e silcio tm uma camada de valncia com quatro eltrons. Quando os tomos de germnio (ou silcio) agrupam-se entre si, formam uma estrutura cristalina (Figura 2.2), ou seja, so substncias cujos tomos se posicionam no espao, formando uma estrutura ordenada. Nessa estrutura, cada tomo busca a sua estabilidade, unindo-se a quatro outros tomos vizinhos. Atravs de ligaes covalentes, cada um dos quatro eltrons de valncia de um tomo compartilhado com um tomo vizinho, de modo que dois tomos adjacentes compartilham os dois eltrons.

Figura 2.2: Estrutura cristalina


Fonte: CTISM

Aula 2 - Fsica dos materiais

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Figura 2.3: Formao de um eltron livre e de uma lacuna


Fonte: CTISM

Com a quebra das ligaes covalentes, no local onde havia um eltron de valncia, passa a existir uma regio com carga positiva, uma vez que o tomo era neutro e um eltron o abandonou. Essa regio positiva recebe o nome de lacuna, sendo tambm conhecida como buraco (Figura 2.3). As lacunas no tm existncia real, pois so apenas espaos vazios provocados por eltrons que abandonam as ligaes covalentes rompidas. Sempre que uma ligao covalente rompida, surge simultaneamente um eltron livre e uma lacuna. Entretanto, pode ocorrer o inverso, um eltron preencher o lugar de uma lacuna, completando a ligao covalente (processo de recombinao). Tanto os eltrons como as lacunas sempre surgem e desaparecem aos pares. Pode-se armar que o nmero de lacunas sempre igual ao de eltrons livres. Quando o cristal de silcio ou germnio submetido a uma diferena de potencial, os eltrons livres se movem em direo ao polo positivo e as lacunas por consequncia se movem em direo ao polo negativo.

2.6 Impurezas
Os cristais de silcio ou germnio so encontrados na natureza misturados com outros elementos. Por causa da diculdade de se controlarem as caractersticas desses cristais realiza-se um processo de puricao do cristal. Em seguida, so injetadas impurezas na ordem de uma para cada milho de

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tomos do cristal, com a inteno de alterar a produo de eltrons livres e lacunas. A este processo de insero d-se o nome de dopagem. As impurezas utilizadas na dopagem de um cristal semicondutor podem ser de dois tipos: impurezas doadoras e impurezas aceitadoras.

2.6.1 Impureza doadora


So adicionados tomos pentavalentes (com cinco eltrons na camada de valncia. Ex.: Fsforo e antimnio). O tomo pentavalente entra no lugar de um tomo de silcio dentro do cristal, absorvendo as suas quatro ligaes covalentes; ca um eltron fracamente ligado ao ncleo do pentavalente (uma pequena energia suciente para torn-lo livre).
http://pt.wikipedia.org/wiki/ Dopagem_eletr%C3%B4nica

2.6.2 Impureza aceitadora


So adicionados tomos trivalentes (tem trs eltrons na camada de valncia. Ex.: Boro, alumnio e glio) ao cristal semicondutor. O tomo trivalente entra no lugar de um tomo de silcio dentro do cristal, absorvendo trs das suas quatro ligaes covalentes. Isso signica que existe uma lacuna na rbita de valncia de cada tomo trivalente. Um semicondutor pode ser dopado para ter um excesso de eltrons livres ou excesso de lacunas. Por isso existem dois tipos de semicondutores: a) Semicondutor tipo N o cristal que foi dopado com impureza doadora chamado semicondutor tipo N, onde N est relacionado com negativo. Como os eltrons livres excedem em nmero s lacunas num semicondutor tipo N, os eltrons so chamados portadores majoritrios e as lacunas, portadores minoritrios (Figura2.4).

Aula 2 - Fsica dos materiais

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Figura 2.4: Cristal tipo N


Fonte: CTISM

b) Semicondutor tipo P o cristal que foi dopado com impureza aceitadora chamado semicondutor tipo P, onde P est relacionado com positivo. Como as lacunas excedem em nmero os eltrons livres num semicondutor tipo P, as lacunas so chamadas portadores majoritrios e os eltrons livres, portadores minoritrios (Figura2.5).

Figura 2.5: Cristal tipo P


Fonte: CTISM

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Resumo
Nessa aula estudamos a fsica dos materiais, identicando as principais partculas que compem o tomo e suas respectivas caractersticas eltricas. Identicamos as caractersticas dos materiais isolantes, condutores e semicondutores. No estudo dos materiais semicondutores, compreendemos o processo de dopagem que confere ao cristal uma polaridade positiva ou negativa. Estes cristais polarizados tm relevante interesse para a eletrnica, pois formam a base de todos os dispositivos eletrnicos. Nas prximas aulas estudaremos diversos dispositivos eletrnicos e alguns de seus circuitos de aplicao.

Atividades de aprendizagem
1. Quais so as partculas eletricamente carregadas de um tomo? 2. O que caracteriza um material condutor? 3. O que caracteriza um material no condutor? 4. O que caracteriza um material semicondutor? 5. O que uma estrutura cristalina? 6. O que o processo de dopagem de semicondutores? 7. Como se obtm um cristal semicondutor tipo N? 8. Como se obtm um cristal semicondutor tipo P?

Aula 2 - Fsica dos materiais

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Aula 3 O diodo semicondutor

Objetivos
Compreender a estrutura bsica do diodo semicondutor de juno. Reconhecer as curvas caractersticas de operao do diodo semicondutor de juno. Empregar os termos tcnicos adequados e os dados necessrios a especicao do diodo semicondutor.

O diodo de juno semicondutor o componente mais simples da eletrnica. formado pela unio de dois cristais eletricamente polarizados. Nesta aula vamos estudar este importante componente. Vamos compreender tambm a sua operao em um circuito eltrico, em que capaz de controlar de forma direcional o uxo de corrente eltrica.

3.1 O diodo semicondutor de juno


Com a unio de um cristal tipo P e um cristal tipo N, obtm-se uma juno PN, que um dispositivo de estado slido simples: o diodo semicondutor de juno (Figura 3.1).

Figura 3.1: Estrutura bsica de um diodo semicondutor de juno


Fonte: CTISM

Aula 3 - O diodo semicondutor

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Devido repulso mtua entre os eltrons livres do lado N, os eltrons espalham-se em todas as direes. Alguns atravessam a juno e se combinam com as lacunas (Figura 3.2). Cada vez que um eltron atravessa a juno, cria um par de ons, a lacuna desaparece, e o tomo associado torna-se carregado negativamente (um on negativo), enquanto o tomo do cristal N que perdeu o eltron, torna-se um on positivo.

Figura 3.2: Combinaes de eltrons livres e lacunas


Fonte: CTISM

Os ons esto xos na estrutura do cristal por causa da ligao covalente. medida que o nmero de ons aumenta, a regio prxima juno ca sem eltrons livres e sem lacunas. Chamamos essa regio de zona de depleo (Figura 3.3).

Figura 3.3: Zona de depleo


Fonte: CTISM

Materiais isolantes podem conduzir eletricidade? Alm de certo ponto, a zona de depleo age como uma barreira, impedindo a continuao da difuso dos eltrons livres. A intensidade da zona

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de depleo aumenta com cada eltron que atravessa a juno, at que se atinja um equilbrio. A diferena de potencial atravs da zona de depleo chamada de barreira de potencial. Na temperatura de 25C, esta barreira de 0,7V para o silcio e 0,3V para o germnio. O smbolo mais usual para o diodo mostrado na Figura 3.4.

Figura 3.4: Smbolo do diodo


Fonte: CTISM

3.2 Polarizao do diodo


Polarizar um diodo signica aplicar uma diferena de potencial s suas extremidades. Se conectarmos uma bateria aos terminais do diodo, haver uma polarizao direta, caso o polo positivo da bateria for colocado em contato com o material tipo P, e o polo negativo em contato com o material tipo N.

3.2.1 Polarizao direta


No material tipo N os eltrons so repelidos pelo polo negativo da bateria e empurrados para a juno. No material tipo P, as lacunas tambm so repelidas pelo terminal positivo e tendem a penetrar na juno. Isso diminui a zona de depleo. Para haver uxo livre de eltrons, a tenso da bateria tem de sobrepujar o efeito da zona de depleo. ento estabelecido um uxo de corrente eltrica atravs do dispositivo.

3.2.2 Polarizao reversa


Invertendo-se as conexes entre a bateria e a juno PN, isto , ligando o polo positivo da bateria no material tipo N e o polo negativo no material tipo P, a juno ca polarizada inversamente. No material tipo N os eltrons so atrados para o terminal positivo, afastando-se da juno. Fato anlogo ocorre com as lacunas do material do tipo P. Podemos dizer que, nesta condio, o potencial eltrico da bateria aumenta a zona de depleo, tornando praticamente impossvel o deslocamento de eltrons de um cristal para o outro.

Aula 3 - O diodo semicondutor

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3.3 Curva caracterstica de um diodo


A curva caracterstica de um diodo um grco que relaciona cada valor da tenso aplicada com a respectiva corrente eltrica que atravessa o diodo (Figura 3.5).

http://pt.wikipedia.org/wiki/ Dopagem_eletr%C3%B4nica

Figura 3.5: Curva caracterstica do diodo semicondutor


Fonte: CTISM

3.3.1 Curva na polarizao direta


A curva de operao do diodo no uma reta como no caso de um resistor, portanto o diodo um componente no linear (Figura 3.6).

Figura 3.6: Polarizao direta do diodo


Fonte: CTISM

a) Tenso de joelho aplicando-se a polarizao direta, o diodo no conduz intensamente at que se ultrapasse a barreira de potencial. medida que a tenso aplicada no diodo aproxima-se do potencial da barreira, os eltrons livres e as lacunas comeam a atravessar a juno em grandes quantidades. A tenso para a qual a corrente comea a aumentar rapidamente chamada de tenso joelho (no silcio aproximadamente 0,7 V).

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Eletrnica

3.3.2 Curva na polarizao reversa do diodo


O diodo polarizado reversamente conduz uma corrente eltrica extremamente pequena (corrente de fuga). Aumentando-se a tenso reversa aplicada sobre o diodo, em um determinado momento, atinge-se a tenso de ruptura a partir da qual a corrente aumenta sensivelmente, causando a destruio do diodo semicondutor (Figura 3.7).

Figura 3.7: Polarizao reversa do diodo


Fonte: CTISM

3.4 Especicaes de um diodo


Para a correta especicao de um diodo so fundamentais dois parmetros: IFAV Corrente mdia mxima em conduo direta (A). URRM Mxima tenso reversa repetitiva de pico (V). A no observncia destes parmetros nos circuitos eletrnicos causa a destruio do componente. Veja na Figura 3.8 um exemplo de especicao de um diodo.

Aula 3 - O diodo semicondutor

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Figura 3.8: Diodo de baixa potncia


Fonte: commons.wikimedia.org

Resumo
Nessa aula estudamos o diodo semicondutor de juno. Foi possvel observar que se trata do dispositivo mais simples da Eletrnica, pois formado pela juno de apenas dois cristais com polaridades opostas. Apesar de sua simplicidade, amplamente utilizado, j que tem como caracterstica controlar o uxo de corrente eltrica atravs de sua juno, permitindo assim a circulao de corrente eltrica apenas no sentido de nodo para ctodo. Na aula seguinte estudaremos os circuitos reticadores que so as principais aplicaes dos diodos semicondutores de juno.

Atividades de aprendizagem
1. O que um diodo semicondutor de juno? 2. Como chamado o terminal positivo do diodo? 3. Como chamado o terminal negativo do diodo? 4. O que zona de depleo? 5. O que a polarizao de um diodo? 6. Qual o comportamento do diodo quando diretamente polarizado? 7. Qual o comportamento do diodo quando reversamente polarizado? 8. Quais os principais parmetros na especicao de um diodo?

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Eletrnica

Aula 4 Circuitos reticadores

Objetivos
Compreender o processo de transformao da corrente alternada em corrente contnua pela aplicao dos diodos semicondutores. Reconhecer os tipos de processos de reticao e suas respectivas caractersticas. Empregar corretamente as equaes matemticas que descrevem os processos de reticao.

comum em circuitos eletrnicos o uso de baterias como forma de prover energia eltrica. Entretanto, a utilizao da energia eltrica em corrente alternada nas residncias e indstrias uma alternativa econmica mais vivel. Para a utilizao dessa forma de energia, torna-se necessrio um circuito que converta a tenso alternada em tenso contnua, de forma compatvel com os circuitos eletrnicos. O diodo um componente fundamental nessa transformao.

4.1 Onda senoidal


A onda senoidal um sinal eltrico produzido em todos os geradores de energia eltrica em corrente alternada. a mesma tenso disponvel em qualquer tomada de energia residencial ou industrial (Figura 4.1).

Aula 4 - Circuitos reticadores

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Figura 4.1: Onda senoidal


Fonte: CTISM

Frequncia angular a taxa de variao temporal de algum ngulo = 2..f A equao 4.1 representa a onda senoidal.

Onde: u(t) = tenso instantnea (V) UP = tenso de pico (V) = velocidade angular (rad/s) = ngulo de defasagem (rad) f = frequncia (Hz) Algumas maneiras de se referir aos valores da onda: Valor de pico UP Valor mximo que a onda atinge em um perodo;

Valor de pico a pico (UPP) Diferena entre o mximo e mnimo que a onda atinge UPP = UP - (- UP) = 2 UP

Valor ecaz (Urms) (Root Mean Square) Valor indicado pelo voltmetro quando na escala de corrente alternada (CA).

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Eletrnica

A relao entre tenso de pico e tenso ecaz representada pela equao 4.2.

Valor mdio a quantidade indicada em um voltmetro quando na escala de corrente contnua (CC). O valor mdio utilizado para grandezas expressas em CC.

4.2 Circuito reticador de meia onda


O circuito reticador de meia onda converte a tenso de entrada CA numa tenso contnua pulsante. Esse processo de converso de CA para CC conhecido como reticao (Figura 4.2).

Figura 4.2: Circuito reticador de meia onda


Fonte: CTISM

Durante o semiciclo positivo, o diodo est ligado no sentido direto e age como uma chave fechada. Pela lei das malhas, toda a tenso da fonte incide sobre a carga. Durante o semiciclo negativo, o diodo est polarizado reversamente e no h corrente circulando no circuito. Sem corrente eltrica circulando, no h tenso sobre o resistor, e toda a tenso da fonte aplicada sobre o diodo. Este circuito conhecido como reticador de meio ciclo porque somente o semiciclo positivo estar presente na carga (Figura 4.3).

Aula 4 - Circuitos reticadores

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Figura 4.3: Tenso reticada na carga


Fonte: CTISM

O resistor R indicado no circuito representa a carga hmica acoplada ao reticador, podendo ser tanto um simples resistor como um circuito complexo e, normalmente chamado de resistor de carga, ou simplesmente de carga. a) Valor CC ou valor mdio a tenso mdia de um reticador de meia onda medida por um voltmetro, calculada pela equao 4.3:

4.3 Circuito reticador de onda completa


A Figura 4.4 mostra um circuito reticador de onda completa com duas fontes CA. Observe a tomada central entre as duas fontes. Por causa dessa tomada, o circuito equivalente a dois reticadores de meia onda. O reticador superior retica o semiciclo positivo da tenso da fonte superior, enquanto o reticador inferior retica o semiciclo positivo da fonte inferior.

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Eletrnica

Figura 4.4: Circuito reticador de onda completa


Fonte: CTISM

As duas tenses denominadas de U1 e U2 na Figura 4.4 so idnticas em amplitude e fase. Quando a fonte superior positiva, D1 est diretamente polarizado e conduz, mas D2 est reversamente polarizado. Analogamente, quando a fonte inferior positiva, D2 conduz e D1 est reversamente polarizado. Considerando os dois diodos ideais, temos a curva de tenso sobre o resistor de carga (Figura 4.5).

Figura 4.5: Tenso reticada na carga


Fonte: CTISM

a) CC ou valor mdio a tenso mdia de um reticador de onda completa equivale ao dobro da tenso de sada de um reticador de meia onda, pois agora o circuito opera com um ciclo completo da tenso alternada.

Aula 4 - Circuitos reticadores

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b) Frequncia de sada a frequncia de sada no circuito de onda completa o dobro da frequncia de entrada. Supondo que a tenso de entrada tenha uma frequncia de 60Hz, a onda reticada ter uma frequncia de 120Hz o que corresponde a um perodo de 8,33ms.

4.4 Circuito reticador de onda completa em ponte


Na Figura 4.6 mostra-se um reticador de onda completa em ponte. Utilizando-se quatro diodos no lugar de dois, elimina-se o uso de duas fontes. Durante o semiciclo positivo da tenso U, o diodo D3 recebe um potencial positivo em seu nodo, e o D2 um potencial negativo no ctodo. Dessa forma, D2 e D3 conduzem enquanto os diodos D1 e D4 cam reversamente polarizados. O resistor de carga R recebe todo o semiciclo positivo da tenso U. Durante o semiciclo negativo da tenso U, o diodo D4 recebe um potencial positivo em seu nodo, e o diodo D1 um potencial negativo no terminal ctodo, devido inverso da polaridade de U. Os diodos D1 e D4 conduzem, e os diodos D2 e D3 cam reversamente polarizados. A corrente I percorre o resistor de carga sempre num mesmo sentido, caracterizando, portanto, uma tenso Ucc contnua.

Figura 4.6: Circuito reticador em ponte


Fonte: CTISM

O valor de Ucc obtido conforme equao 4.4.

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Eletrnica

Resumo
Nessa aula, estudamos os circuitos reticadores, os quais so as principais aplicaes dos diodos semicondutores de juno. Os circuitos reticadores realizam a converso da energia eltrica de forma alternada, produzida pelas mquinas das usinas geradoras, para a forma contnua, utilizada nos circuitos eletrnicos em geral. Na aula seguinte, conheceremos outros tipos de diodos com suas respectivas aplicaes.

Atividades de aprendizagem
1. Qual a principal aplicao do diodo semicondutor? 2. O que signica valor de pico de uma onda senoidal? 3. Explique o comportamento do diodo em um circuito reticador de meia onda. 4. Explique o funcionamento do circuito reticador de onda completa com duas fontes senoidais de energia. 5. Explique o funcionamento do circuito reticador de onda completa em ponte.

Aula 4 - Circuitos reticadores

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Aula 5 Tipos especiais de diodos

Objetivos
Conhecer novos componentes eletrnicos baseados no diodo semicondutor de juno. Compreender as suas aplicaes prticas. Aplicar corretamente as equaes matemticas pertinentes ao dimensionamento e operao destes componentes.

Nesta aula sero estudados trs tipos especiais de diodos com ampla aplicao prtica nos equipamentos eletrnicos. O primeiro componente a ser estudado o LED, utilizado para sinalizar ou converter eletricidade em luz. Posteriormente ser estudado o FOTODIODO, que realiza a operao inversa do LED, ou seja, transforma sinais luminosos em eletricidade. Por ltimo, o DIODO ZENER com ampla aplicao em circuitos estabilizadores de tenso.

5.1 Diodo emissor de luz


O diodo emissor de luz (LED) o que polarizado diretamente emite luz visvel (amarela, verde, vermelha, laranja ou azul) ou luz infravermelha (invisvel). Ao contrrio dos diodos comuns no feito de silcio, que um material opaco, e sim, de elementos como glio, arsnico e fsforo, veja a Figura 5.2. amplamente utilizado como elemento sinalizador em equipamentos devido a sua longa vida til, baixa tenso de acionamento e alta ecincia. A polarizao do LED similar ao diodo comum, porm sempre em srie com um resistor limitador de corrente, conforme a Figura 5.1. O LED simbolizado com setas apontando para fora como smbolo de luz irradiada. Para a maioria dos LEDs disponveis no mercado, a queda de tenso tpica (ULED) de 1,5 a 2,5V para correntes entre 10 e 50mA (IL).

http://saber.sapo.cv/wiki/ Diodo#Tipos_de_diodos_ semicondutores

Aula 5 - Tipos especiais de diodos

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Figura 5.1: Circuito de polarizao do LED


Fonte: CTISM

Figura 5.2: Vista interna do LED


Fonte: CTISM

5.2 Fotodiodo
um diodo com uma janela transparente que torna sua pastilha semicondutora sensvel luz (Figura 5.3). O fotodiodo opera reversamente polarizado. Quando uma energia luminosa incide numa juno PN, injeta mais energia

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Eletrnica

nos eltrons de valncia e, com isso, gera mais eltrons livres. Quanto mais intensa for a luz na juno, maior ser a corrente reversa no fotodiodo. O fotodiodo tem grande aplicao nos sistemas de comunicao de dados por meio luminoso, por se tratar de um excelente conversor de luz em sinal eltrico.

Figura 5.3: Fotodiodo


Fonte: CTISM

5.3 Diodo zener


O diodo zener construdo especialmente para trabalhar na regio da tenso de ruptura. A Figura 5.4 mostra a curva caracterstica do diodo zener. A sua representao grca est indicada na Figura 5.5.
Tabela do diodo zener: http://www.esquemas.org/ Zeners.htm

Figura 5.4: Curva caracterstica do diodo zener


Fonte: CTISM

Aula 5 - Tipos especiais de diodos

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Figura 5.5: Smbolo do diodo zener


Fonte: CTISM

O diodo zener comporta-se como um diodo comum quando polarizado diretamente. Nas suas aplicaes prticas o zener deve ser polarizado reversamente e conectado em srie com um resistor limitador de corrente, veja a Figura 5.6.

Figura 5.6: Circuito de operao do diodo zener


Fonte: CTISM

Figura 5.7: Reta de carga do diodo zener


Fonte: CTISM

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a) Diodo zener ideal o diodo zener ideal comporta-se como uma chave fechada para tenses positivas ou tenses negativas menores que UZ. Ele se comportar como uma chave aberta para tenses negativas entre zero e UZ, conforme representado na sua curva caracterstica da Figura 5.7. b) Corrente mxima no zener a corrente mxima que o diodo zener suporta depende da potncia e da tenso do diodo.

Resumo
Nessa aula, estudamos o diodo LED que tem como nalidade emitir luz onde for necessrio sinalizar ou produzir um sinal luminoso, o FOTODIODO, dispositivo capaz de converter informaes luminosas em sinais eltricos e, por ltimo, estudamos as caractersticas do DIODO ZENER, dispositivo que se aplica aos diversos sistemas de regulao de tenso e, em especial, s fontes de alimentao que sero estudadas na aula a seguir.

Atividades de aprendizagem
1. O que um LED? 2. Quais as principais aplicaes do LED? 3. O que um fotodiodo? 4. Quais as principais aplicaes do fotodiodo? 5. O que um diodo zener? 6. Quais as aplicaes do diodo zener?

Aula 5 - Tipos especiais de diodos

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Aula 6 Fontes de alimentao

Objetivos
Compreender a operao e os principais componentes das fontes de alimentao. Aplicar corretamente as equaes matemticas que descrevem a operao dos circuitos eletrnicos. Compreender e aplicar corretamente as leis fundamentais da eletricidade, do magnetismo e do eletromagnetismo.

Conforme estudado at este momento, os componentes eletrnicos necessitam de um suprimento de energia eltrica para o seu correto funcionamento. Esse suprimento de energia pode ser proveniente de baterias ou pilhas. Entretanto, muitos equipamentos destinam-se a aplicaes residenciais ou industriais cuja principal fonte de energia a rede eltrica de corrente alternada. Nesta aula estudaremos a forma de converter a energia das redes eltricas em energia adequada operao de um circuito eletrnico. Essa fonte de energia composta por diversos componentes: transformador, circuito reticador, capacitor de ltragem e circuito regulador de tenso. Cada componente ser estudado separadamente a seguir e, ao nal da aula, teremos a integrao de todas as partes.

6.1 O transformador
As fontes de tenses utilizadas em sistemas eletrnicos em geral so menores que 50 UCC, enquanto a tenso de entrada de energia eltrica costuma ser de 127 Urms ou 220 Urms. Logo, a primeira etapa de processamento da energia o rebaixamento do nvel de tenso. O componente utilizado para essa tarefa o transformador que opera segundo os princpios do eletromagnetismo. O transformador constitudo por duas bobinas (chamadas de enrolamentos) unidas magneticamente por um ncleo. A energia ui de uma bobina para outra pelo uxo magntico.

Aula 6 - Fontes de alimentao

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Na Figura 6.1 observa-se um exemplo de transformador utilizado em fontes de energia de baixa potncia.

Figura 6.1: Transformador monofsico de baixa potncia


Fonte: CTISM

Na Figura 6.2 a tenso de entrada U1 est conectada ao que se chama de enrolamento primrio e a tenso de sada, ao enrolamento secundrio.

Figura 6.2: Representao grca de um transformador e transformador com vrias tenses


Fonte: CTISM

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Eletrnica

No transformador ideal:

onde: U1 tenso no primrio; U2 tenso no secundrio; N1 nmero de espiras no enrolamento primrio; N2 nmero de espiras no enrolamento secundrio. A corrente eltrica no transformador ideal :

6.2 Circuitos reticadores


So circuitos que utilizam diodos semicondutores os quais convertem a energia eltrica alternada em corrente contnua. Observe na Figura 6.3, o circuito reticador meia onda, na Figura 6.4, o circuito reticador onda completa e, na Figura 6.5, o circuito reticador onda completa em ponte.

Figura 6.3: Transformador e circuito reticador meia onda


Fonte: CTISM

Aula 6 - Fontes de alimentao

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Figura 6.4: Transformador de tap central e circuito reticador onda completa


Fonte: CTISM

Figura 6.5: Transformador e circuito reticador onda completa em ponte


Fonte: CTISM

6.3 O capacitor de ltragem


Componente eletrnico, constitudo por duas placas condutoras, separadas por um material isolante, chamado dieltrico (ver Figura 6.6).

Figura 6.6: Capacitor eletroltico


Fonte: CTISM

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Eletrnica

Ao ligar uma bateria com um capacitor descarregado, haver uma distribuio de cargas e, aps certo tempo, as tenses na bateria e no capacitor sero as mesmas, deixando de circular corrente eltrica em direo ao capacitor (ver Figura 6.7). Se o capacitor for desconectado da bateria, as cargas eltricas acumuladas permanecem no capacitor, sendo, portanto, mantida a diferena de potencial no capacitor. Os capacitores apresentam as seguintes caractersticas: Armazena grandes cargas eltricas em suas placas; Ope-se a variaes de tenso eltrica; A capacidade de armazenar cargas depende da sua capacitncia; Capacitncia medida em Farads (F) e seus submltiplos, F, nF, pF. a) Carga e descarga do capacitor Suponha que o capacitor esteja descarregado e, em t = 0s, a chave do circuito da Figura 6.7 fechada. Inicia-se o processo de carga, e a tenso nos terminais do capacitor cresce at atingir a tenso da fonte de energia.

Figura 6.7: Processo de carga do capacitor


Fonte: CTISM

Na descarga do capacitor, ele est carregado e a chave fechada. A corrente atravs do resistor decrescer conforme a Figura 6.8.

Aula 6 - Fontes de alimentao

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Figura 6.8: Processo de descarga do capacitor


Fonte: CTISM

6.3.1 A operao do capacitor de ltragem


A tenso de sada de um reticador sobre um resistor de carga pulsante. Durante um ciclo completo na sada, a tenso no resistor aumenta a partir de zero at o valor de pico e, depois, diminui retornando a zero. No entanto, a tenso de uma fonte de alimentao deve ser estvel. Para obter esse tipo de tenso reticada na carga, torna-se necessrio o uso de ltro. O tipo mais comum de ltro para circuitos reticadores o ltro com capacitor. O capacitor colocado em paralelo ao resistor de carga. Para entendermos o funcionamento do ltro, supe-se o diodo como ideal e que, antes de ligar o circuito, o capacitor esteja descarregado. Ao ligar, durante o primeiro quarto de ciclo da tenso no secundrio, o diodo est diretamente polarizado. Idealmente, ele funciona como uma chave fechada. Como o diodo conecta o enrolamento secundrio ao capacitor, ele carrega at o valor da tenso de pico UP. Veja as Figuras 6.9, 6.10a e 6.10b.

Figura 6.9: Circuito reticador de meia onda com ltro capacitivo


Fonte: CTISM

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Eletrnica

Figura 6.10a: Circuito reticador de onda completa com ltro capacitivo


Fonte: CTISM

Figura 6.10b: Circuito reticador de onda completa com ltro capacitivo


Fonte: CTISM

Logo aps o pico positivo o diodo para de conduzir, o que signica uma chave aberta. Isso devido ao fato de o capacitor ter uma tenso de pico UP. Como a tenso no secundrio ligeiramente menor que UP, o diodo ca reversamente polarizado e no conduz. Com o diodo aberto, o capacitor se descarrega por meio do resistor de carga. A idia do ltro a de que o tempo de descarga do capacitor seja muito maior que o perodo da tenso de entrada. Com isso, o capacitor perder somente uma pequena parte de sua carga durante o tempo que o diodo estiver em aberto. O diodo s voltar a conduzir no momento em que a tenso no secundrio for maior que a tenso no capacitor. Ele conduzir desse ponto at a tenso no secundrio atingir o valor de pico UP. A Figura 6.11 mostra a tenso reticada e ltrada sobre a carga. A tenso na carga uma tenso contnua mais estvel. A diferena para uma tenso contnua pura uma pequena ondulao (Ripple), causada pela carga e des-

Aula 6 - Fontes de alimentao

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carga do capacitor. Quanto menor a ondulao, maior ser o valor mdio da tenso na carga. Uma forma de reduzir a ondulao optar pelo uso de um reticador de onda completa, no qual a frequncia de ondulao o dobro.

Figura 6.11: Tenso reticada e ltrada


Fonte: CTISM

Pode-se relacionar a tenso de ondulao nas equaes 6.3 e 6.4, onde: URipple = tenso de ondulao pico a pico (V); ICC = corrente CC mdia na carga (A); UCC = tenso CC mdia na carga (V); UP = tenso de pico (V); f = frequncia de ondulao (Hz); C = capacitncia (F). A escolha de um capacitor de ltro depende, ento, do valor da tenso de ondulao. Como regra prtica, estipula-se a tenso de ondulao em 10% da tenso de pico da onda senoidal.

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6.4 Regulador de tenso com diodo zener


O circuito regulador de tenso com o diodo zener proporciona para carga uma tenso constante mesmo com variaes de tenso na entrada (Us). Esse um requisito essencial para as cargas Eletrnicas que no suportam grandes variaes de tenso para o seu correto funcionamento. O circuito regulador de tenso deve ser projetado para a condio mais severa de operao, tendo como principal componente a ser projetado o resistor srie (RS). Veja a Figura 6.12.

Figura 6.12: Regulador de tenso zener


Fonte: CTISM

US Tenso de entrada; IZ Corrente no zener; RS Resistncia srie; UZ Tenso zener e tenso na carga. a) Clculo do resistor RS para o correto projeto do resistor srie (RS), devem-se observar duas condies extremas de operao: 1. Condio em que a fonte US est em seu valor mximo e a carga com uma corrente mnima. Nessa condio a corrente sobre o zener ser limitada a um mximo de 90%, e ser denido o valor mnimo de RS.

2. Condio em que a fonte US est em seu valor mnimo e a carga com uma corrente mxima. Nessa condio a corrente sobre o zener ser limitada a um mnimo de 10%, e ser denido o valor mximo de RS.

Aula 6 - Fontes de alimentao

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O valor de resistor srie a ser selecionado deve estar compreendido entre o valor mnimo e o mximo. Se, por ventura, o valor mnimo for maior que o mximo, deve-se adotar um diodo zener de maior potncia, recalculando o resistor srie RS. Veja a Figura 6.13.

Figura 6.13: Fonte de alimentao com circuito estabilizador de tenso


Fonte: CTISM

Resumo
Nessa aula, estudamos o transformador, responsvel pelo rebaixamento da tenso alternada da rede eltrica para os nveis exigidos dos equipamentos eletrnicos; os circuitos reticadores com diodos que convertem a energia alternada em energia na forma contnua; o circuito de ltragem com capacitor que reduz as ondulaes e proporciona uma tenso mais estvel; e por m, o circuito estabilizador de tenso com diodo zener, capaz de produzir uma tenso estvel para os sensveis circuitos dos equipamentos eletrnicos. As operaes conjuntas dessas etapas de processamento de energia constituem as fontes de alimentao para os circuitos eletrnicos.

Atividades de aprendizagem
1. O que uma fonte de alimentao? Qual o equipamento utilizado para rebaixar tenses em corrente alternada? 2. Qual a nalidade dos circuitos reticadores? 3. Qual a vantagem da reticao em onda completa comparada reticao em meia onda? 4. Qual a nalidade do capacitor de ltro? 5. O que ocorre com o nvel da tenso reticada quando adicionamos o capacitor de ltro? 6. Qual a nalidade do regulador de tenso com diodo zener?

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Aula 7 O transistor bipolar

Objetivos
Conhecer o transistor de juno bipolar, componente que revolucionou a tecnologia. Compreender o funcionamento e a operao do transistor em diversas aplicaes prticas. Aplicar corretamente as leis e as equaes que descrevem a operao do transistor nos circuitos eletrnicos.

Existe uma innidade de sinais eltricos cujos nveis de intensidade so extremamente baixos. Como exemplo, podem-se citar as correntes eltricas que circulam no corpo humano, o sinal de sada de uma cabea de gravao, elementos sensores, etc. Para transform-los em sinais teis, torna-se necessrio amplic-los. Antes da dcada de 50, a vlvula era o elemento principal nessa tarefa. Em 1947, foi inventado o transistor. Ele foi desenvolvido a partir da tecnologia utilizada no diodo de juno, como uma alternativa em relao s vlvulas, para realizar as funes de amplicao, deteco, oscilao, comutao, etc. A partir desse marco, o desenvolvimento da eletrnica foi imenso (Figura 7.1). Dentre todos os transistores, o bipolar o mais comum, o qual semelhante ao diodo estudado anteriormente. A principal diferena que o transistor formado por duas junes PN, enquanto o diodo por apenas uma.

Aula 7 - O transistor bipolar

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Figura 7.1: Os inventores John Bardeen, Walter Brattain e William Shockley e o primeiro transistor
Fonte: www.porticus.org

7.1 Funcionamento do transistor bipolar


O transistor bipolar constitudo por trs materiais semicondutores dopados. Dois cristais tipo N e um tipo P ou dois cristais tipo P e um tipo N. O primeiro chamado de transistor NPN e o segundo, de PNP. Veja a Figura 7.2.

Figura 7.2: Estrutura do transistor bipolar NPN e PNP


Fonte: CTISM

Cada um dos trs cristais que compem o transistor bipolar recebe o nome relativo sua funo. O cristal do centro chamado de base, pois comum aos outros dois cristais, levemente dopado e muito no. O cristal da extremidade esquerda recebe o nome de emissor, por emitir portadores de carga, fortemente dopado e, nalmente, o ltimo cristal tem o nome de coletor por receber os portadores de carga, possui uma dopagem mdia. Apesar de a Figura 7.2 no distinguir os cristais coletor e emissor, eles diferem entre si no tamanho e dopagem. O transistor tem duas junes, uma entre o emis-

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Eletrnica

sor e a base e outra entre a base e o coletor. Por causa disso, um transistor se assemelha a dois diodos. O diodo da esquerda comumente designado diodo emissor base e o da direita de coletor base. Nessa aula estudaremos o funcionamento do transistor NPN. A anlise do transistor PNP similar do NPN, bastando levar em conta que os portadores majoritrios do emissor so lacunas em vez dos eltrons livres. Na prtica isso signica tenses e correntes invertidas se comparadas com o NPN.

7.2 Transistor no polarizado


A difuso dos eltrons livres atravs da juno produz duas zonas de depleo. Cada zona tem aproximadamente uma barreira potencial de 0,7 V (silcio) em 25C. Com os diferentes nveis de dopagem de cada cristal, as zonas de depleo tm larguras diferentes. Quanto maior a largura, menor a dopagem. Ela penetra pouco na regio do emissor, bastante na base e medianamente na regio do coletor.

7.3 Polarizao do transistor NPN


As junes do transistor podem ser polarizadas diretamente ou reversamente, conforme a polaridade da tenso aplicada em seus terminais.

7.3.1 Polarizao direta


Na Figura 7.3 a bateria B1 polariza diretamente o diodo base-emissor, e a bateria B2 polariza diretamente o diodo base-coletor. Os eltrons livres entram no emissor e no coletor, juntam-se na base e retornam para as baterias. O uxo de corrente eltrica intenso nas duas junes.

Figura 7.3: Polarizao direta das duas junes


Fonte: CTISM

Aula 7 - O transistor bipolar

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7.3.2 Polarizao reversa


Na Figura 7.4 os diodos base-emissor e base-coletor cam reversamente polarizados. A corrente eltrica que circula pelas duas junes muito pequena (corrente de fuga).

Figura 7.4: Polarizao reversa das duas junes


Fonte: CTISM

7.3.3 Polarizao direta reversa


Na Figura 7.5 o diodo base-coletor est reversamente polarizado e diodo base-emissor diretamente polarizado. Espera-se uma corrente de fuga no diodo base-coletor e uma intensa corrente no diodo base-emissor. No entanto, isso no acontece, nos dois diodos as correntes so elevadas.

Figura 7.5: Polarizao direta e reversa das funes


Fonte: CTISM

No instante em que a polarizao direta aplicada ao diodo base-emissor, os eltrons do emissor ainda no penetraram na regio da base. Se a tenso entre base e emissor (Ube) for maior que 0,7V, muitos eltrons do emissor penetram na regio da base. Esses eltrons na base podem retornar ao polo negativo da bateria B1, ou atravessar a juno base-coletor, atingindo a regio do coletor. Os eltrons que a partir da base retornam a bateria B1 so chamados de corrente de recombinao. Ela pequena, porque a base pouco dopada. Como a base muito na, grande parte dos eltrons da base

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Eletrnica

atravessam a juno base-coletor. Essa juno, polarizada reversamente, diculta a passagem dos portadores majoritrios do cristal de base (lacunas) para o coletor, mas no dos eltrons livres. Esses atravessam sem diculdade a zona de depleo e penetram na regio de coletor. L os eltrons livres so fortemente atrados para o polo positivo da bateria B2. Em suma, com a polarizao direta do diodo base-emissor, injetada uma alta corrente em direo base. Na base uma pequena parcela da corrente, por recombinao, retorna ao polo negativo da bateria B1 e o restante da corrente ui para o coletor e da para o polo positivo da bateria B2. Obs.: Considerar a tenso coletor-base (Ucb) bem maior que a tenso emissor-base (Ube). Veja a Figura 7.6.

Figura 7.6: Fluxo de eltrons


Fonte: CTISM

7.4 Polarizao do transistor PNP


No transistor PNP as regies dopadas so contrrias s do transistor NPN. Isso signica que as lacunas so portadoras majoritrias no emissor em vez dos eltrons livres. O funcionamento descrito a seguir: O emissor injeta lacunas na base. A maior parte dessas lacunas circula em direo ao coletor. Por essa razo, a corrente de coletor quase igual do emissor. A corrente de base muito menor que essas duas correntes. Qualquer circuito com transistor NPN pode ser convertido para uso de transistor PNP. Basta trocar os transistores, inverter a polaridade da fonte de alimentao dos diodos e capacitores polarizados. O funcionamento do circuito ser idntico ao modelo com transistor NPN. Considerando esta similaridade, neste curso os circuitos analisados sero sempre com transistores NPN.

Aula 7 - O transistor bipolar

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Figura 7.7: Correntes nos transistores NPN e PNP respectivamente


Fonte: CTISM

A Figura 7.7 mostra os smbolos que representam os transistores NPN e PNP, respectivamente. A diferenciao entre os tipos de transistores na representao grca feita pela seta no pino do emissor. A direo da seta mostra o uxo de corrente convencional e tambm o sentido das correntes convencionais Ib, Ic e Ie. A lei de correntes de Kirchhoff diz que a soma de todas as correntes que chegam a um n igual soma de todas as correntes que partem desse mesmo n. Considerando o transistor como um nico n, e aplicando-se a lei de correntes de Kirchhoff, obtm-se a equao 7.1.

A relao entre a corrente contnua de coletor e a corrente contnua de base chamada de ganho de corrente, designado pelo parmetro CC:

Em geral, mais de 95% dos eltrons livres atingem o coletor, ou seja, a corrente de emissor praticamente igual corrente de coletor.

7.5 Montagem bsica com transistor


Na Figura 7.8 o lado negativo de cada fonte de tenso est conectado ao emissor. Nesse caso, denomina-se o circuito como emissor comum. Alm da montagem em emissor comum, existe a montagem em coletor e em base comuns. O circuito constitudo por duas malhas. A malha da esquerda que contm a tenso Ube e a malha da direita, com a tenso Uce. Aplicando-se a lei das malhas de tenso de Kirchhoff, obtm-se as equaes 7.3 e 7.4.

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Figura 7.8: Polarizao do transistor em emissor comum


Fonte: CTISM

Na juno base-emissor, temos um diodo diretamente polarizado. Isso nos leva a uma relao entre Ib e Ube, ou seja, para cada Ib existe uma tenso Ube correspondente. Naturalmente, essa curva semelhante curva do diodo de juno diretamente polarizado. Veja Figura 7.9.

Figura 7.9: Relao entre Ib e Ube


Fonte: CTISM

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Na Figura 7.10 pode-se visualizar a relao entre a corrente de base IB, a corrente de coletor IC e a tenso entre os terminais de coletor e emissor UCE. Essa Figura 7.10 fundamental na determinao do ponto de operao do transistor que pode se encontrar em trs regies distintas: a) Regio de corte nessa regio, a corrente de base e de coletor so praticamente nulas e a tenso entre os terminais de coletor e emissor praticamente igual a da fonte de alimentao do circuito; b) Regio ativa ou linear nessa regio, a corrente de base apresenta um valor determinado, conforme as diferentes curvas do grco. A corrente de coletor determinada no eixo das ordenadas e o valor de tenso entre os terminais de coletor e emissor, no eixo das abcissas; c) Regio de saturao essa regio denida pelo contorno esquerda do grco, onde a corrente de coletor apresenta valores elevados, enquanto a tenso entre o coletor e o emissor relativamente pequena.

Figura 7.10: Ponto de operao do transistor


Fonte: CTISM

7.6 O modelo de Ebers-Moll


Na anlise ou projeto de um circuito transistorizado, tem-se diculdade em trabalhar com o transistor em nvel de malhas. Uma opo utilizar um circuito equivalente para o transistor, usando componentes mais simples como fontes e resistores.

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O modelo de Ebers-Moll um circuito equivalente ao transistor, vlido apenas para a operao na regio ativa, ou seja, o diodo base-emissor polarizado diretamente; o diodo base-coletor polarizado reversamente e a tenso do diodo base-coletor menor que a tenso de ruptura do dispositivo. Observe a Figura 7.5. O modelo faz algumas simplicaes: Ube = 0,7V

Despreza a diferena de potencial produzida pela corrente de base ao atravessar a resistncia de espalhamento da base.

Figura 7.11: Modelo Ebers-Moll


Fonte: CTISM

7.7 Polarizao em corrente contnua de transistores

Um circuito transistorizado pode ter uma innidade de aplicaes e os transistores para cada funo tm um ponto de funcionamento correto. Estudaremos, a seguir, a forma de estabelecer o ponto de operao ou quiescente de um transistor, isto , como polariz-lo. a) Reta de carga a Figura 7.12 mostra um circuito com polarizao de emissor comum. O desao consiste em saber os valores de correntes e tenses nos diversos componentes. Uma forma de soluo o uso da reta de carga.

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Figura 7.12: Polarizao do transistor em emissor comum


Fonte: CTISM

Usa-se a reta de carga em transistores para obter as correntes Ic e Uce, considerando a existncia de um resistor de coletor Rc. A anlise da malha formada pela fonte de tenso Ucc, Rc e Uce (ver equao 7.6) leva-nos a determinao da corrente Ic:

Nessa equao, existem duas incgnitas Ic e Uce. A soluo desse impasse utilizar o grco Ic x Uce. Com o grco em mos (Figura 7.13), podemos calcular os extremos da reta de carga: Fazendo: UCE = 0 IC = UCC / RC, determinamos o ponto sobre o eixo das ordenadas; Fazendo: IC = 0 UCE = UCC, determinamos o ponto sobre o eixo das abcissas. A partir da denio desses dois pontos, temos a reta de carga para este circuito.

Denida uma corrente de base Ib, obtemos os valores de Ic e Uce sobre a reta de carga.

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Exemplo Vamos denir a reta de carga para o circuito da Figura 7.12 e determinar os valores de IC e UCE de operao do transistor. Os dois pontos necessrios para denir a reta de carga so: UCE = 0 IC = UCC / RC = 15/1500 = 10mA ponto no eixo das ordenadas. A corrente de base a mesma que atravessa o resistor RB e denida por: Ib = (15-0,7) / 500.000 = 30A. IC = 0 UCE = UCC = 15V ponto sobre o eixo das abcissas.

Figura 7.13: Reta de carga na curva do transistor


Fonte: CTISM

Aps traar a reta de carga na curva do transistor, chega-se aos valores de Ic = 6mA e Uce = 5,5V. Este o ponto de operao do circuito (ponto Q - ponto quiescente). O ponto Q varia conforme o valor de Ib. Um aumento na corrente de base Ib aproxima o transistor da regio de saturao, e uma diminuio de Ib leva o transistor regio de corte (ver a gura 7.13). O ponto onde a reta de carga intercepta a curva Ib = 0 conhecido como corte. Nesse ponto a corrente de base zero e a corrente do coletor muito pequena (Iceo). A interseo da reta de carga e a curva Ib = Ib (SAT) so chamadas saturao. Nesse ponto a corrente de coletor mxima. Ver Figura 7.14.

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Figura 7.14: Regio de operao do transistor


Fonte: CTISM

7.8 O transistor operando como chave


Uma das operaes mais comuns para o transistor bipolar operar como uma chave controlada, isto , um dispositivo capaz de permitir ou no a conduo da corrente eltrica. Se o transistor for levado a uma operao na regio de saturao ir se comportar como uma chave fechada do coletor para o emissor. Permitir assim, a passagem de corrente entre estes terminais. Por outro lado, quando o transistor est na regio de corte, como uma chave aberta. Todo esse processo depende, exclusivamente, da intensidade de corrente na base do transistor. a) Corrente de base a corrente de base controla a posio da chave. Se Ib for zero, a corrente de coletor prxima de zero e o transistor est em corte (chave aberta). Se Ib for Ib (SAT) ou maior, a corrente de coletor mxima e o transistor satura. Saturao fraca signica que o transistor est levemente saturado, isto , a corrente de base apenas suciente para operar o transistor na extremidade superior da reta de carga. Saturao signica dispor de corrente na base suciente para saturar o transistor para todas as variaes de valores de cc. No pior caso de temperatura e corrente, a maioria dos transistores de silcio de pequeno sinal tem um cc maior do que 10. Portanto, uma boa orientao de projeto para a saturao forte de considerar um cc (SAT) = 0,1.CC, ou seja, dispor de uma corrente de base que seja de aproximadamente um dcimo do valor saturado da corrente de coletor.

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7.9 O transistor operando como fonte de corrente


A Figura 7.15 mostra um transistor operando como fonte de corrente. Ele tem um resistor de emissor Re entre o emissor e o ponto comum. A corrente de emissor circula por esse resistor, produzindo uma queda de tenso de Ie.Re.

Figura 7.15: Transistor operando como fonte de corrente


Fonte: CTISM

A soma das tenses da malha de entrada :

Logo:

Como Ube, Ubb, e Re so aproximadamente constantes, a corrente no emissor constante, independentemente de cc, Rc ou da corrente de base.

7.10 O transistor operando como amplicador


Antes de o transistor amplicar pequenos sinais ele deve estar devidamente polarizado na regio ativa de operao. O circuito mais usado em ampli-

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cadores chamado de polarizao por divisor de tenso conforme a Figura 7.16. A principal vantagem desse circuito a independncia da sua operao em relao a variaes do ganho do transistor (cc). Nesse circuito xa-se uma tenso na base do transistor, via os resistores R1 e R2. Deve-se ter ateno para que o valor da corrente (I) em R1 seja bem maior que a corrente de base (Ib). Dessa forma, a corrente Ib no inuenciar na tenso sobre R2. Como regra prtica considera-se a corrente I, 20 vezes maior que Ib. Para a anlise da tenso em UR2, observar que R1 e R2 formam um divisor de tenso. Supondo I >> Ib:

Figura 7.16: Polarizao por divisor de tenso


Fonte: CTISM

Aps obter o valor de UR2 torna-se simples o clculo de Ie. Deve-se utilizar a equao das tenses da malha formada pela base e emissor do transistor: UR2 = URe + Ube Como URe = Ie .Re

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Analisando as tenses da malha de sada formada pelo coletor e emissor do transistor: UCC = Rc.Ic + Uce + Re.Ic E considerando Ie = Ic Tem-se: UCC = Ic (Rc + Re)+ Uce

Notar que o ganho do transistor cc no aparece na frmula da corrente de coletor. Isso quer dizer que o circuito imune a variaes em cc, o que implica um ponto de operao estvel. Por isso, a polarizao por divisor de tenso amplamente utilizada. a) Dicas de projeto considerar: Uce = 0,5.UCC URe = 0,1.UCC R2 0,1cc.Re b) Amplicadores de sinal emissor comum pode-se, ento, considerar os transistores devidamente polarizados com seu ponto de operao prximo ao meio da reta de carga para uma mxima excurso do sinal de entrada sem distoro. Ao injetar um pequeno sinal CA base do transistor, ele se somar s tenses contnuas de polarizao e induzir utuaes na corrente de coletor de mesma forma e frequncia. Ele ser chamado de amplicador linear (ou de alta-delidade Hi-Fi) se no mudar a forma do sinal na sada. Desde que a amplitude do sinal de entrada seja pequena, o transistor usar somente uma pequena parte da reta de carga, e a operao ser linear. Caso o sinal de entrada apresente elevada amplitude, as utuaes ao longo da reta de carga levaro o transistor a condies de saturao. Um circuito amplicador mostrado na Figura 7.17. A polarizao por divisor de tenso. A entrada do sinal acoplada base do transistor via o capacitor C1, e a sada do sinal acoplada carga RL atravs do capacitor C2. O capacitor funciona como uma chave

http://pt.wikipedia.org/wiki/ Amplicador

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aberta para corrente contnua e como chave fechada para a corrente alternada. Essa ao permite obter um sinal CA de um estgio para outro, sem perturbar a polarizao CC de cada estgio.

Figura 7.17: Amplicador de sinal emissor comum


Fonte: CTISM

Esta etapa amplicadora de pequenos sinais apresenta as seguintes caractersticas: Elevado ganho de tenso para pequenos sinais; Independncia com relao s variaes de ganho do transistor; Inverso da fase do sinal de sada.

Resumo
Nessa aula conhecemos um dos maiores inventos da atualidade, o transistor bipolar, que um componente que proporcionou uma verdadeira revoluo tecnolgica. de fundamental importncia a compreenso por parte do tcnico industrial do funcionamento e da operao do transistor, pois se trata do elemento bsico tanto em um pequeno rdio porttil como no processador de um moderno computador. Nessa aula aprendemos a forma de operao do transistor em diversas situaes: operando como chave esttica, como fonte de corrente e como amplicador de pequenos sinais. Na aula seguinte, estudaremos dispositivos eletrnicos que possuem mais de trs

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camadas semicondutoras em sua estrutura, e que desempenham funes importantes no acionamento de equipamentos eltricos.

Atividades de aprendizagem
1. O que um transistor de juno bipolar? 2. Quais as caractersticas fsicas do cristal da base? 3. Quais as caractersticas fsicas do cristal do coletor? 4. Quais as caractersticas fsicas do cristal do emissor? 5. Como se determina a corrente de emissor em um transistor devidamente polarizado? 6. O que ganho de corrente de um transistor? 7. Quais as caractersticas da regio de corte? 8. Quais as caractersticas da regio de saturao? 9. Quais as caractersticas da regio de operao ativa? 10. Qual a nalidade do modelo de Ebers-Moll? 11. Explique a operao do transistor como chave. 12. Quais as caractersticas de uma etapa amplicadora tipo emissor comum?

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Aula 8 Tiristores

Objetivos
Conhecer os tiristores, que so dispositivos eletrnicos formados por quatro camadas semicondutoras. Compreender o processo de conduo e disparo dos tiristores. Conhecer as principais aplicaes desses componentes, relacionadas automao industrial.

Os tiristores so componentes eletrnicos com estrutura cristalina de quatro camadas. So os componentes bsicos da Eletrnica Industrial, utilizados para acionar cargas como: motores, eletroms, aquecedores e conversores de corrente alternada em corrente contnua. Nesta aula sero estudados os componentes denominados SCR e TRIAC.

8.1 A estrutura PNPN


Tiristor um componente eletrnico de silcio cuja estrutura apresenta quatro camadas dopadas na seguinte sequncia PNPN. Este componente apresenta trs terminais: a) Terminal do material tipo P externo que denominado de nodo (A); b) Terminal do material tipo N externo que denominado ctodo (K); c) Terminal da camada tipo P, interna, denominado gatilho (G). Aplicando-se uma tenso positiva no nodo em relao ao ctodo, polarizam-se diretamente as duas junes extremas do componente. Nesta situao no ocorre conduo de corrente eltrica atravs do componente, at que a camada interna tipo P (gatilho) receba uma tenso positiva. Essa

Aula 8 - Tiristores

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tenso positiva no terminal de gatilho desencadeia a conduo de corrente por todas as camadas do dispositivo. Ver Figura 8.1.

Figura 8.1: A estrutura de quatro camadas - PNPN


Figura: CTISM

8.2 SCR
O SCR (Sillicon Controlled Recticier) um diodo reticador controlado. Ele possui trs terminais A (nodo), K (ctodo) e o terminal de controle G (gate). Para a entrada em conduo do SCR necessrio que seus terminais A e K estejam diretamente polarizados e que seja aplicado um pulso de tenso positiva no terminal G. Satisfeita essa condio, estabelecida uma corrente atravs do dispositivo (entre os terminais A e K). Essa corrente deve apresentar um valor mnimo chamado corrente de manuteno (valor informado nas folhas de dados dos componentes). Uma vez estabelecido esse processo, mesmo sem tenso positiva no terminal de controle G, o dispositivo permanece conduzindo. A extino desse processo ocorre quando o dispositivo passar a ser polarizado reversamente e a corrente atravs do dispositivo for menor que a corrente de manuteno. Na Figura 8.2 observa-se a curva caracterstica de operao do SCR e seu respectivo smbolo, utilizado nos esquemas eletrnicos.

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Figura 8.2: Curva de operao do SCR


Fonte: CTISM

Na Figura 8.3 observa-se uma aplicao prtica do SCR em que realizado o controle do ngulo de disparo do componente. Pode-se variar a potncia entregue carga resistiva variando-se o valor da resistncia R ligada ao terminal de gatilho do SCR.

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Figura 8.3: Circuito de controle de fase com SCR


Figura: CTISM

8.3 TRIAC
O TRIAC um tiristor de estrutura mais complexa contendo diversas regies PNPN que atuam como dois SCRs interligados em antiparalelo. Essa estrutura permite que o TRIAC opere no controle de cargas em corrente alternada. Na Figura 8.4 observa-se o smbolo grco do TRIAC e seu circuito equivalente a partir de dois SCRs.

Figura 8.4: TRIAC


Fonte: CTISM

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Na Figura 8.5 est representado o diagrama esquemtico de um circuito de controle do ngulo de fase que permite controlar toda a faixa de potncia desenvolvida na carga. Esse circuito muito utilizado no controle do brilho produzido por lmpadas incandescentes, ou no controle da velocidade de rotao de motores universais.

Figura 8.5: Circuito de aplicao do TRIAC


Fonte: CTISM

8.4 Acionando o gatilho dos tiristores


Os tiristores podem ser acionados ou disparados em seu terminal de gatilho de dois modos: pela aplicao de corrente contnua ou pelos pulsos de tenso. O disparo por aplicao de corrente contnua usado no acionamento de cargas por longos perodos como lmpadas, calefatores, eletroms, motores, em sistemas de controle tipo liga-desliga e cclicos. Nesses casos mantm-se continuamente a alimentao de gatilho. Apesar do consumo de energia alm do necessrio e o consequente aquecimento da juno, isso simplica o circuito de acionamento. O disparo por pulsos de tenso aplicado em controles de ngulo de fase, podendo controlar a potncia de cargas como lmpadas ou a velocidade de motores universais (ver Figura 8.5). Nesses, a cada ciclo da tenso CA de alimentao, gerada uma tenso defasada por uma ou duas redes de atraso, formadas por resistores e capacitores. Quando a tenso o nvel de

Aula 8 - Tiristores

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tenso necessrio ao disparo do TRIAC, num dado ngulo de fase, o tiristor acionado, energizando a carga. O processo se repete a cada ciclo. Variando o valor do resistor, varia-se a poro do ciclo em que alimentada a carga (ngulo de conduo do tiristor), variando a tenso ecaz, e a potncia na carga.

Resumo
Nessa aula estudamos os dois principais componentes que apresentam quatro camadas de semicondutores. O SCR um diodo reticador, controlado atravs de um terminal de gatilho e o TRIAC corresponde a uma chave esttica, controlada para o acionamento de cargas em corrente alternada. Esses componentes tero grande importncia em sua formao por serem amplamente utilizados nos modernos conversores estticos e controles de mquinas eltricas.

Atividades de aprendizagem
1. O que um tiristor? 2. Qual a nalidade do terminal de gatilho nos tiristores? 3. O que um SCR? 4. O que um TRIAC? 5. Quais os mtodos de disparo dos tiristores?

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Aula 9 Introduo aos circuitos integrados


Objetivos
Conhecer os circuitos integrados ou microchips e as suas vantagens quando utilizados em equipamentos mais complexos. Conhecer a classicao dos microchips quanto aplicao, grau de integrao e forma de encapsulamento.

Os circuitos integrados, tambm chamados de microchips, so circuitos eletrnicos funcionais, constitudos por um conjunto de transistores, diodos, resistncias e capacitores, fabricados sobre uma nica pastilha semicondutora de silcio. Foram desenvolvidos a partir da dcada de 60 em importantes laboratrios americanos e rapidamente difundidos no uso militar, espacial e domstico. Atualmente pode-se encontrar um microchip em cartes pessoais, relgios eletrnicos ou modernos computadores pessoais.

http://www.youtube.com/ watch?v=DUjLjGCZV4M

Figura 9.1: Vista interna superior de um circuito integrado (CI)


Fonte: CTISM

O circuito integrado (CI) propriamente dito chama-se pastilha (chip, em ingls) e muito pequeno, observe a Figura 9.1. O tamanho externo do circuito integrado deve-se ao seu invlucro e s ligaes do chip aos terminais externos.

http://www.lsi.usp.br/~chip/ index.html

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Vantagens dos CIs em relao aos circuitos com componentes discretos: Reduo de custos, peso e tamanho; Aumento da conabilidade; Maior velocidade de trabalho; Menor consumo de energia; Facilidade de manuteno; Simplicidade na produo industrial.

9.1 Classicao dos circuitos integrados


Os circuitos integrados podem ser classicados de diversas formas, considerando sua aplicao prtica, nmero de componentes integrados na sua pastilha de silcio, tipo de encapsulamento, ou seja, a sua proteo externa. Vejamos a seguir estas classicaes.

9.1.1 Quanto sua aplicao


Os circuitos integrados lineares ou analgicos produzem sinais contnuos em funo dos sinais que lhe so aplicados nas suas entradas. As funes dos CIs analgicos so a amplicao, gerao ou manipulao de pequenos sinais eltricos. Destacam-se, nesse grupo de circuitos integrados, os amplicadores operacionais. Os circuitos integrados digitais operam segundo a lgebra booleana, realizando operaes lgicas. Nessas operaes lgicas so manipulados valores discretos de tenso que representam os dgitos 0 (zero) e 1 (um). a) Sinal analgico sinal que tem uma variao contnua ao longo do tempo (Figura 9.2).

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Figura 9.2: Sinal analgico


Fonte: CTISM

b) Sinal digital sinal que tem uma variao por saltos de uma forma descontnua (Figura 9.3).

Figura 9.3: Sinal digital


Fonte: CTISM

9.1.2 Quanto ao seu grau de integrao


O grau de integrao refere-se ao nmero de componentes que o circuito integrado (CI) contm em sua pastilha semicondutora: a) SSI (Small Scale Integration) integrao em pequena escala so os CIs com menos componentes. Podem dispor de at 30 dispositivos por pastilha (chip).

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b) MSI (Medium Scale Integration) integrao em mdia escala corresponde aos CIS com 30 a 1.000 dispositivos por pastilha (esses circuitos incluem decodicadores, contadores, etc.). c) LSI (Large Scale Integration) integrao em grande escala contm milhares de componentes 1.000 at 100.000 dispositivos por pastilha (estes circuitos normalmente efetuam funes lgicas complexas, como toda a parte aritmtica de uma calculadora, um relgio digital, etc.). d) VLSI (Very Large Scale Integration) integrao em larga escala o grupo de CIs com um nmero de componentes compreendido entre 100.000 e 10 milhes de dispositivos por pastilha (so utilizados na implementao de microprocessadores). e) ULSI (Ultra Large Scale Integration) integrao em escala ultra larga o grupo de CIs com mais de 10 milhes de dispositivos por pastilha.

9.2 Tipos de encapsulamento dos CIs


Basicamente so utilizados quatro tipos de encapsulamentos para envolver, proteger e proporcionar a devida dissipao de calor nos chips: Cpsulas com las de pinos (DIL, QIL ou SIL); Cpsulas planas (Flatpack); Cpsulas metlicas (TO-5); Cpsulas especiais. A maioria dos encapsulamentos constituda de materiais plsticos ou cermicos, exceto as cpsulas TO-5 que so de material metlico. Para os CIs de baixa potncia utilizam-se as cpsulas em la de pinos. Nos integrados de encapsulamento DIL (Dual In Line), a numerao dos terminais feita a partir do terminal 1 (identicado pela marca), seguindo por essa linha de terminais e retornando pela outra (em sentido anti-horrio). Durante essa identicao dos terminais, o CI deve ser sempre observado por cima. Veja a Figura 9.4.

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Figura 9.4: Circuito integrado DIL dual in line


Fonte: CTISM

QIL (Quad In Line) o encapsulamento utilizado em CIs de mdia potncia, como os amplicadores de udio (ver gura 9.5). A principal razo da linha qudrupla de pinos a de permitir um maior afastamento das respectivas ilhas de ligao no circuito impresso, de forma que pistas mais largas (portanto para correntes maiores) possam ser conectadas.

Figura 9.5: Cpsula QIL quad in line


Fonte: CTISM

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SIL (Single In Line) alguns integrados pr-amplicadores, e mesmo alguns amplicadores de mdia potncia, para udio, apresentam este encapsulamento.

Figura 9.6: Cpsula SIL - single in line


Fonte: CTISM

As cpsulas planas (atpack) tm reduzido volume e espessura e so formadas por terminais dispostos horizontalmente, fazendo com que a sua instalao sobre o circuito impresso ocupe pouco espao. Atualmente o encapsulamento preferido para os sistemas que necessitam de alta compactao. Veja a Figura 9.7.

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Figura 9.7: Cpsula atpack


Fonte: CTISM

Cpsulas metlicas TO-5 tm um corpo cilndrico metlico, com os terminais dispostos em linha circular, na sua base. Foram desenvolvidas para suportar condies mais severas de operao em baixas e altas temperaturas. A contagem dos terminais inicia-se pela pequena marca, em sentido horrio, com o componente visto por baixo. Veja a Figura 9.8.

Figura 9.8: Cpsula metlica TO-5


Fonte: CTISM

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As cpsulas especiais so as que dispem de numerosos terminais para conectar a enorme integrao de componentes que esses chips dispem (por exemplo, CIs contendo microprocessadores). (Ver gura 9.9).

Figura 9.9: Cpsula especial TO-5


Fonte: CTISM

Resumo
Nessa aula conhecemos o microchip, um componente desenvolvido a partir da integrao de diversos componentes em um circuito funcional a ser aplicado para uma tarefa especca como gerar a base de tempo necessria a um relgio digital, ou realizar operaes matemticas em uma calculadora eletrnica. Estudamos suas principais caractersticas, classicaes e diferentes tipos de encapsulamentos. Na sequncia de seu curso, voc entrar novamente em contato com esse fascinante e poderoso dispositivo em novas aplicaes.

Atividades de aprendizagem
1. O que um circuito integrado? 2. Quais as vantagens dos circuitos integrados?

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3. Como se classicam os circuitos integrados quanto sua aplicao? 4. Como se classicam os circuitos integrados quanto ao seu grau de integrao? 5. Quais os tipos de encapsulamentos para circuitos integrados?

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Referncias
BOYLESTAD, R. L.; NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrnicos e Teoria de Circuitos. 8 ed. So Paulo: Editora Pearson Prentice Hall, 2004. CRUZ, E. C. A.; CHOUERI, S. Jr. Eletrnica Aplicada. 1 ed. Editora rica, 2007. DAL MOLIN, Beatriz Helena, et al. Mapa Referencial para Construo de Material Didtico - Programa e-Tec Brasil. 2 ed. revisada. Florianpolis: Universidade Federal de Santa Catarina UFSC, 2008. DANILOW, L. A.; CELESTINO, P. Amplicadores Operacionais. 10 ed. So Paulo: Editora rica, 1995. HELFRICK, A. D.; COOPER, W. D. Instrumentao Eletrnica Moderna e Tcnicas de Medio. Rio de Janeiro: Prentice Hall do Brasil, 1994. LALOND, D. E.; ROSS, J. A. Princpios de Dispositivos e Circuitos Eletrnicos. Vol. 1 e 2. So Paulo: Makron Books, 1999. LANDER, C. W. Eletrnica Industrial: Teoria e aplicaes. So Paulo: Makron Books, 1996. MALVINO, Albert Paul. Eletrnica. 7 ed. Vol. 1 e 2. Ed. McGraw-Hill Brasil, 2008. TOCCI, R. J. Sistemas Digitais: Princpios e aplicaes. 5 ed. Editora PHB, 1994.

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Currculo do professor-autor
Rodrigo Cardozo Fuentes natural de Santa Maria-RS. Sua formao tcnica iniciou-se em 1988, como Eletrotcnico no Colgio Tcnico Industrial de Santa Maria (CTISM). Graduou-se Engenheiro Eletricista pela Universidade Federal de Santa Maria (UFSM), em 1995. graduado em Formao Pedaggica Licenciatura Plena em Ensino Prossionalizante (UFSM). Especializou-se em Engenharia de Segurana do Trabalho no Centro Universitrio Franciscano (UNIFRA). No ano de 1996 obteve o grau de Mestre em Engenharia Eltrica na rea de Sistemas de Energia Eltrica (UFSM). Desde 1997 desenvolve suas atividades prossionais como docente do Colgio Tcnico Industrial de Santa Maria nas reas de Eletrotcnica, Eletrnica e Automao Industrial. Atualmente desenvolve atividades administrativas como Diretor Geral da instituio e atividades de extenso como a capacitao e qualicao de prossionais nas reas de Eletricidade, Eletrnica, Automao Industrial e Segurana do Trabalho.

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