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INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL

ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERIA MECANICA Y ELECTRICA

SINTESIS Y CARACTERIZACION DE NANOCRISTALES DE SILICIO PARA APLICACIONES EN CELDAS SOLARES

TESIS

PARA OBTENER EL TITULO DE INGENIERO EN COMUNICACIONES Y ELECTRONICA

PRESENTA

ANGEL SALINAS CALLEJAS

ASESOR: DR. ESTEBAN MOTA PINEDA


MEXICO D.F. 2012.

INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL


ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERIA MECANICA y ELECTRICA

UNIDAD PROFESIONAL" ADOLFO LOPEZ MATEOS"

TEMA DE TESIS
INGENIERO EN COMUNICACIONES Y ELECTRNICA

QUE PARA \oBTENER EL TITULO DE POR LA OPCION DE TITULACION DEBERA(N),DESARROLLAR

TESIS Y EXAMEN ORAL INDIVIDUAL


C. ANGEL SALINAS CALLEJAS

"SNTESIS Y CARACTERIZACIN DE NANOCRISTALES DE SILICIO PARA APLICACIONES EN CELDAS SOLARES"

ESTUDIAR LA OBSORBANCIA DE NANOCRISTALES DE SILICIO EN EL ESPECTRO VISIBLE Y DEL CERCANO INFRARROJO.

SINTETIZAR NANOCRISTALES DE SILICIO EMBEBIDOS EN Si02 EMPLEANDO UN EQUIPO DE /o EROSIN CATDICA A RADIOFRECUENCIA. CARACTERIZACIN POR MICROSCOPIA DE FUERZA ATMICA, ESPECTROSCOPIA UV-Vis y FOTOLUMINISCENCIA. . ANLISIS DE RESULTADOS.

MXICO D.F., 5 DE AGOSTO DE 2011.

ASESOR

AGRADECIMIENTOS

Por esta tesis, pero sobre todo, por estos aos que compartimos:

A mis padres, por su entereza, motivacin y apoyo a lo largo de este camino.

A mis hermanos y familia, por sus palabras de aliento y superacin.

A mis amigos, los que han pasado y los que se han quedado.

Al Dr. Esteban Mota Pineda por haber aceptado dirigir esta tesis, por sus

consejos, paciencia y amistad.

OBJETIVO GENERAL

Realizar crecimientos, muestras de nanocristales de silicio y oxido de silicio combinados, para explorar la posibilidad de aumentar la eficiencia en celdas solares, la cual es una constante cuando se fabrican de manera comercial.

OBJETIVOS PARTICULARES

Utilizar obleas de silicio para la creacin de celdas solares. Sintetizar nanocristales luminiscentes de Si inmersos en una matriz de SiO 2 mediante erosin catdica.

Mostrar que la rugosidad de una pelcula de SiO2 puede ser aprovechada para la produccin de nanoestructuras.

Estudiar el efecto de la presin parcial de oxigeno en las propiedades de estructuras SiO2/Si.

JUSTIFICACION
En aos recientes, la sntesis de semiconductores nanoestructurados ha mostrado potenciales aplicaciones en casi todos los campos de la ciencia, desde aplicaciones mdicas nuevas hasta soluciones a problemas ambientales. En el campo de la opto-electrnica, los nanocristales de silicio presentan la posibilidad de superar las limitaciones relacionadas a la emisin de luz y la respuesta a problemas energticos que aquejan al ser humano o que en un futuro, al verse agotados los recursos naturales como el petrleo, se convierta en la solucin para la satisfaccin de necesidades.

En este trabajo se propone un enfoque novedoso para la sntesis de nanoestructuras, el cual toma ventaja de la rugosidad superficial de los materiales crecidos mediante erosin catdica, formando capas o films los cuales se emplearon para la fabricacin de paneles solares.

El propsito de este trabajo es mostrar que la rugosidad de la superficie de una pelcula de SiO2 puede ser aprovechada para la produccin de nanoestructuras de Silicio.

Si se continua experimentando con los nanocristales de silicio, mejorando los procedimientos de creacin, se podrn reducir los costos de fabricacin y adquisicin y sobre todo el resultado final, una celda solar eficiente, a bajo costo y de fcil acceso a todas las personas, dejando as de explotar los recursos naturales.

NDICE GENERAL.

CAPITULO 1. INTRODUCCIN 1.1 Antecedentes 1.2 Nanociencia 1.3 Celdas solares y nanocristales 1.4 Opto-electrnica y nanocristales de Silicio CAPITULO 2. NUCLEACIN DE CRISTALES 2.1 Introduccin 2.2 Coeficiente de absorcin y de acomodacin sobre el substrato 2.3 Teora atomstica de nucleacin 2.4 Crecimiento de cristales CAPITULO 3. TECNICAS EXPERIMENTALES 3.1 Erosin catdica 3.1.1 Erosin catdica reactiva 3.2 Espectroscopia infrarrojo 3.3 Espectroscopia Raman 3.4 Microscopia de fuerza atmica 3.5 Espectroscopia UV Visible

7 7 8 9 13 15 15 17 19 21 23 23 23 25 26 26 27

CAPITULO 4. CRECIMIENTO DE MUESTRAS 4.1 Descripcin del proceso de crecimiento 4.2 Limpieza de sustratos 4.3 Procedimiento de crecimiento 4.4 Equipos utilizados

28 28 28 29 31

CAPITULO 5. RESULTADOS Y DISCUSION 5.1 Sntesis de SiO2 5.2 Sntesis de Nanocristales de Silicio CAPITULO 6. CONCLUSIONES REFERENCIAS GLOSARIO

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CAPITULO 1. INTRODUCCIN
1.1 ANTECEDENTES

El silicio tiene una estructura tipo diamante y una banda prohibida de 1.12 eV. El Silicio poroso (-Si) fue sintetizado por primera vez hace ms de 50 aos en los laboratorios Bell. La sntesis se realiza atacando una oblea de silicio con cido fluorhdrico. El cido por cuenta propia corroe el cristal de forma muy lenta (a una tasa de slo nanmetros por hora), pero pasando una corriente elctrica entre el electrolito y la oblea se logra acelerar considerablemente el proceso. El resultado es una serie de poros de algunos nanmetros de ancho y varios micrmetros de profundidad que se extienden en forma perpendicular a la superficie.

En 1989 el cientfico Leight Canham concibi la idea de fabricar hilos cunticos de silicio haciendo mucho ms lento el ataque electroqumico, observando por primera vez fotoluminiscencia (PL) a temperatura ambiente en el rango visible en muestras de Silicio poroso. En 1991 Lehmann y Gosele observaron un corrimiento en el borde de absorcin del Silicio poroso hasta valores tan altos como 1.76 eV, que tambin atribuyeron a la formacin de hilos cunticos. Estos experimentos, detonaron el inters por las propiedades fsicas y qumicas del Silicio poroso. Con el tiempo, fuertes seales de fotoluminiscencia se han observado en Silicio poroso en longitudes de onda que van del infrarrojo cercano hasta el azul.

A pesar de los importantes trabajos en Silicio poroso, aun son necesarias amplias mejoras en la eficiencia, la disipacin de energa y un aumento de la intensidad para hacer posibles aplicaciones en pantallas e interconexiones pticas. Una alternativa al -Si para producir nano-estructuras de silicio es intentar crecerlas directamente de una fase gaseosa o indirectamente por re-cristalizacin dentro de una matriz.

Algunos clculos han mostrado que la PL en nanocristales puede ser debida a excitones atrapados en la superficie pasivada por xido de silicio, mientras que la absorcin ptica es una caracterstica de los efectos de confinamiento. Para nanocristales pasivados con oxgeno, un estado electrnico de superficie estabilizado se postula para formar un enlace covalente Si=O y tres diferentes mecanismos de recombinacin se invocan en funcin del tamao de cristal. Para los tamaos ms grandes, la recombinacin se produce va excitones libres, puesto que la banda prohibida no es lo suficientemente grande como para estabilizar el estado de superficie. Para tamaos intermedios la recombinacin implica un electrn atrapado localizado en el tomo de silicio del enlace Si=O y un hueco libre. Finalmente para los tamaos ms pequeos, la recombinacin es a travs de electrones atrapados en el enlace Si=O.

Los nanocristales de silicio embebidos en una matriz forman un atractivo sistema para la fabricacin de dispositivo en comparacin con el -Si, debido adems a la estabilidad de la superficie y la rigidez del material. Un novedoso efecto de confinamiento cuntico puede entonces ser generado mediante la bsqueda de estados electrnicos resonantes. Algunas barreras adecuadas para nanocristales de silicio son el SiO2, CaF2 (fluoruro de calcio) y el Al2O3 (oxido de aluminio). El SiO2 tiene la ventaja adicional de ser un excelente pasivador del silicio. 1.2 NANOCIENCIA El origen de la nanociencia se remonta al 29 de diciembre de 1959, fecha en que Richard Feynman imparti una conferencia ante la Sociedad Americana de Fsica titulada There is plenty of room at the bottom (Hay mucho sitio en el fondo). En tal platica Feynman expuso los beneficios que nos supondra el ser capaces de manipular la materia con precisin de nanmetros (una millonsima parte de un milmetro). Mencion la posibilidad de almacenar los 24 tomos de la Enciclopedia Britnica en la cabeza de un alfiler, de crear micromquinas capaces de viajar a travs del cuerpo humano, de manipular tomo por tomo la sntesis de nuevos materiales y algunas otras ideas difciles de concebir. 8

En la actualidad, el desarrollo alcanzado por la ciencia de materiales permite hacer tangibles algunas de las premisas mencionadas. Ejemplo de ello son los dispositivos de almacenamiento de informacin capaces de contener gran cantidad de datos en pequeas pelculas magnticas; los materiales reforzados con nanopartculas influyen ya de forma importante en la Industria Automotriz y Aeronutica; la fabricacin de pozos, alambres y puntos cunticos, as como los dispositivos producidos a partir de estos objetos, estn revolucionando la Electrnica y las Comunicaciones; la obtencin sistemas de liberacin controlada de medicamentos da lugar a nuevas concepciones en las ciencias de la vida y la confeccin de membranas selectivas para eliminar contaminantes permitir realizar una contribucin favorable al cuidado del medio ambiente.

1.3 CELDAS SOLARES Y NANOCRISTALES

La demanda de energa alrededor del mundo es actualmente del orden de 13 TW. Factores tales como el crecimiento de la poblacin y la expansin econmica hacen prever que este consumo se incrementar hasta 45 TW hacia el ao 2050. En una hora el Sol libera la misma cantidad de energa que se consume en la tierra durante un ao y en 36 horas libera tanta energa como la estimada en las reservas internacionales de petrleo. Cuando se combina esto con el hecho de que la energa solar es esencialmente inagotable, disponible a cada ser alrededor del mundo y que no genera ningn agente contaminante, parece difcil imaginar el porqu no se hace uso de ella. La razn principal es el costo. La evolucin de las celdas solares ha reducido el costo de la electricidad fotovoltaica tan solo en 20% durante los ltimos 30 aos. La electricidad fotovoltaica tiene un costo de 0.30 dlares por kilowatt - hora (kW-h).

Este precio no es competitivo al compararse con fuentes de energa fsil, pero el incremento del uso de energa solar podra ser dramtico si se perfecciona una nueva generacin de dispositivos construidos con el empleo de nanopartculas.

Las celdas solares comerciales han permanecido esencialmente sin cambios desde que fueron inventadas en los aos cincuenta. El esquema bsico de una celda fotovoltaica consiste en una mitad de una oblea de silicio dopada tipo p (para crear un exceso de huecos) mientras que la otra parte es dopada tipo n (para contener un exceso de electrones). En esta configuracin se forma un potencial electrosttico que mantiene a los portadores de carga separados por la unin de las dos regiones. Cuando un fotn con suficiente energa impacta en la celda, los electrones son excitados desde la banda de valencia hasta la banda de conduccin creando pares electrn-hueco. Los pares as formados son separados por el campo elctrico de la unin p-n (de manera que los huecos pasan a la regin tipo p y los electrones a la regin tipo n) producindose una corriente.

La calidad de una celda solar se mide por su eficiencia (la razn entre la energa elctrica generada y la energa de la luz incidente en la celda).

En 1961 William Shockley (quien comparti el Premio Nobel de Fsica en 1956 por la invencin del transistor) y Hans Queisser calcularon que el tipo de celda solar ms simple puede alcanzar una eficiencia mxima de 31%. El termino simple refiere a una celda que consiste de una sola unin p-n, que genera solamente un par electrn-hueco por fotn entrante, que es expuesta a luz solar no concentrada y que pierde en forma de calor cualquier energa del fotn que exceda el ancho de banda prohibida.

La mayora de fotovoltaicos disponibles en el mercado actual son llamados celdas de primera generacin, las cuales son fabricadas empleando cristales simples de silicio. Son las ms eficientes (que es menos eficiente que las obtenidas en el laboratorio) pero con costos de produccin altos, debido a los procesos de purificacin y cristalizacin necesarios en la sntesis de obleas de silicio. Las llamadas celdas de segunda generacin tienden a reducir los costos sustituyendo el silicio por pelculas delgadas de semiconductores tales como el

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seleniuro de cobre-indio y el teluro de cadmio. Pero mientras son ms econmicas sufren de defectos estructurales que las hacen menos eficientes. Estas limitaciones han motivado que la investigacin de fotovoltaicos se centre en la bsqueda de una nueva generacin de celdas que tengan alta eficiencia y sean tan econmicas como los dispositivos de pelcula delgada.

La opcin ms simple para aumentar la eficiencia consiste en concentrar la luz solar sobre la celda usando espejos o lentes. Este efecto por s mismo no aumenta la eficiencia de la celda, pero debido a que el voltaje de salida crece con la corriente y esta con el nmero de pares electrn-hueco, la potencia total del sistema se incrementa de manera exponencial. Una ptica relativamente econmica puede concentrar la luz en un rea mucho ms pequea, disminuyendo el rea de la celda necesaria y por consiguiente el costo. Ya que la celda por s misma constituye una fraccin baja de los costos del sistema, tiene sentido usar una celdas ms costosa pero de mayor efectividad.

Si los aspectos restantes del modulo fotovoltaico se mantienen sin cambios, enfocar la luz del sol puede aumentar la eficiencia de un mdulo fotovoltaico hasta 41%. Otra opcin sugerida para incrementar la eficiencia de las celdas es apilar mltiples uniones p-n con diferentes anchos de banda prohibida. Este arreglo permite al dispositivo generar corriente empleando un rango ms amplio del espectro solar. Usadas ya para alimentar las naves espaciales (donde el costo no es problema), las celdas de mltiple ensamble (multiunin) tienen un lmite terico de eficiencia de 43% si se construyen con dos uniones, del 49% si tienen tres y 66% con un nmero infinito de uniones.

Otra opcin para exceder el lmite convencional de 31% es convertir el exceso de energa del fotn (es decir la diferencia entre la energa del fotn y el ancho de banda prohibida) en energa til. Una forma de hacer esto es crear mltiples pares electrn-hueco por cada fotn entrante. El Dr. Vctor Klimov et. al., han mostrado que la multiplicacin de portadores es posible con el empleo de celdas solares de

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nanopartculas en lugar del semiconductor en bulto. En particular, se ha mostrado la generacin de hasta siete pares electrn-hueco por cada fotn entrante iluminando cristales simples de seleniuro de plomo de 5nm. Este proceso podra conducir a celdas solares con una eficiencia de 40%.

Los

nanocristales

pueden

ser

empleados

tambin

para

hacer

celdas

transportadoras de calor en las que la energa extra del fotn no se pierda trmicamente, sino que incremente la energa de los electrones y por consiguiente aumente el voltaje de salida. Se ha mostrado que es posible manipular el material de manera que la intensidad de interaccin entre puntos y la matriz en que estn embebidos reduzca la cantidad de calor que se pierde debido a la vibracin atmica. Con esta tecnologa las celdas podran alcanzar una eficiencia de 30%.

Una ventaja adicional en el empleo de nanocristales es la posibilidad de sintonizar la energa de banda prohibida del material. Esto significa que la longitud de onda de la radiacin absorbida por la celda puede ser ajustada. Cuanto ms pequeo es el tamao de una nanopartcula mayor es su banda prohibida (los fotones ms enrgicos pueden ser empleados) y el voltaje de salida es mayor.

Por otra parte, una banda prohibida menor (nanopartculas ms grandes) resultara en la captura de ms fotones (incluidos aquellos ubicados en la parte infrarroja del espectro) resultando en una ms alta corriente (con un voltaje menor). Por tanto el empleo de nanopartculas permite la conversin de energa solar con el voltaje ms alto posible recogiendo a dems la proporcin mxima de luz incidente. En este sentido, las celdas fotovoltaicas de captura en el infrarrojo han atrado mucho la atencin debido a que la mitad de la intensidad de la luz del sol (aproximadamente 1000 W/m2) se encuentra en el infrarrojo.

Las celdas solares sensibles en esta regin del espectro (termovoltaicos) pueden incluso capturar radiacin proveniente de la combustin de materiales. Una celda solar de silicio de un cm2 expuesta a luz solar directa puede generar cerca de

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0.01W. Por otra parte, un termovoltaico de igual tamao puede generar tericamente 1W. Una ventaja adicional en el empleo de nanopartculas es que los mdulos fotovoltaicos pueden ser moldeados (en contraste con las celdas tradicionales rgidas). Entonces las nanopartculas pueden combinarse con polmeros orgnicos, tintes o pelculas porosas y de esta manera ser transformadas en celdas flexibles.

1.4 OPTO-ELECTRNICA Y NANOCRISTALES DE SILICIO

El silicio es el semiconductor dominante de la industria electrnica. A pesar del frecuente anuncio de que la era del GaAs ha llegado esto nunca ha sucedido y el continuo desarrollo en silicio sigue empujando las fronteras de microminiaturizacin, complejidad y velocidad. Hoy en da es posible crecer y procesar monocristales de 300 mm de dimetro e incluso obleas de mayor dimensin estn bajo desarrollo. El ancho de banda prohibida del silicio (1.12 eV) es ideal para operar a temperatura ambiente y su oxido nativo (SiO2) permite la flexibilidad de procesamiento que da lugar a mas de 108 transistores por centmetro cuadrado. Tal nivel de integracin (en el rango de nanmetros) ha permitido que un sistema electrnico completo sea impreso en un solo chip. Sin embargo, el hecho de que cada transistor tenga que transferir informacin en escalas de longitudes muy largas comparadas a su escala nanomtrica comienza a provocar algunos inconvenientes. Longitudes de interconexin tan grandes como 15 km en un solo chip son comunes en la actualidad y se espera que en 10 aos esta longitud sea del orden de 100 km. Este grado de interconexin causa prdidas significativas por propagacin y sobrecalentamiento (adems del obvio retraso en el procesamiento). Superar este problema es la principal motivacin y oportunidad de la opto-electrnica basada en silicio.

La opto-electrnica es la tentativa de combinar la tecnologa de fibra ptica y la microelectrnica en un solo chip. El remplazo de interconexiones elctricas con pticas sugiere la posibilidad de operacin a alta rapidez (velocidad de la luz)

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adems de inmunidad al cruce de seales. Pese a estas importantes ventajas el desarrollo opto electrnico en silicio ha experimentado un lento progreso en el que el obstculo principal es la falta de una fuente de luz eficiente basada en silicio. La emisin de luz en semiconductores ocurre cuando un electrn y un hueco se recombinan produciendo un fotn.

La posibilidad de obtener un emisor de luz basado en silicio surgi en 1990 con la observacin de luminiscencia en silicio poroso. Hoy en da este material permanece tan solo como una esperanza limitada en la creacin de dispositivos debido a que la porosidad lo hace frgil y con una superficie altamente reactiva. La teora ms ampliamente aceptada del origen de la luminiscencia en este material se relaciona con procesos de recombinacin radiactiva en

nanoestructuras. Por tal razn, la investigacin de materiales emisores de luz basados en silicio se centra en la actualidad en nanocristales el cual es el camino ms prometedor para alcanzar altas eficiencias de luminiscencia.

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CAPITULO 2. NUCLEACIN DE CRISTALES


2.1 INTRODUCCIN

La sntesis de materiales es relevante desde diversos puntos de vista. Es importante en aplicaciones industriales como cubiertas pticas, proteccin contra la corrosin o tecnologa electrnica. Por otro lado, es importante desde el punto de vista cientfico por s misma, pues permite explorar las propiedades fsicas de sistemas confinados, los procesos de nucleacin y crecimiento que envuelven la absorcin de tomos o molculas, la formacin de enlaces qumicos y otros procesos en la superficie. El propsito de este captulo es describir los mecanismos fsicos envueltos en la nucleacin y crecimiento de materiales.

Generalmente es aceptado que existen tres modos de crecimiento.

En el modo de islas (o mtodo de Volmer-Weber), pequeos cmulos de material nuclean directamente en la superficie del substrato y entonces crecen en islas a partir de la fase condensada.

Esto pasa cuando los tomos (o molculas) depositados estn ms fuertemente ligados entre ellos que al substrato. Este modo de crecimiento es caracterstico de sistemas metlicos creciendo sobre superficies semiconductoras como silicio, germanio, galio, arsnico, incluyendo metales alcalinos, grafito entre otros.

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El crecimiento por capas (o modo Frank-van der Merwe) despliega las caractersticas opuestas. Debido a que los tomos estn ms fuertemente ligados al substrato que entre ellos mismos, los primeros tomos en condensarse forman una monocapa completa en la superficie. Este modo de crecimiento es observado en el caso de sistemas metal-metal y en el crecimiento de materiales semiconductores sobre semiconductores.

El modo de crecimiento de capas ms islas (o mtodo de Stranski-Krastanov) es un interesante caso intermedio. Despus de formarse unas primeras pocas monocapas, el crecimiento subsecuente no es favorable por lo que islas son formadas encima de esta capa intermedia.

Existen muchas razones por las que este modo puede ocurrir, y cualquier factor que afecte la energa de enlace puede ser la causa. Por ejemplo puede ser que el parmetro de red (o la simetra u orientacin molecular) de la capa intermedia no pueda continuar inalterada despus de varias monocapas.

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2.2

COEFICIENTES

DE

ABSORCIN

ACOMODACIN

SOBRE

EL

SUBSTRATO

Si un sustrato es expuesto a una fase gaseosa supersaturada en una cmara de volumen fijo, puede mostrarse experimentalmente que la presin del gas cae mientras que el peso del sustrato se incrementa. Esto se debe a que un proceso de nucleacin ocurre sobre el sustrato. La absorcin se debe a una fuerza atractiva entre el slido y el gas, la cual puede ser descrita definiendo una energa de absorcin. Las fuerzas presentes en esta absorcin no son diferentes en tipo de aquellas envueltas en cualquier otra interaccin entre tomos y molculas. En general podemos hablar de dos tipos de absorcin: fsica y qumica. La absorcin fsica refiere al caso donde no existe transferencia de electrones entre el gas y el substrato, de manera que las fuerzas atractivas son electrostticas. Por otra parte, la absorcin qumica refiere al caso donde existe trasferencia de electrones entre el gas y el sustrato, es decir existe una combinacin qumica. En general, la energa de absorcin fsica suelen ser ms pequeas que la qumica.

Cuando un flujo de tomos de la fase gaseosa llega a la superficie del sustrato eventualmente se forman algunas islas. Estas islas continan creciendo hasta que ellas se unen y forman una pelcula continua. Hay dos rutas por las cuales un tomo puede alcanzar una isla y causar su crecimiento. Estas son por directa adicin desde la fase gaseosa o por migracin del tomo a travs de la superficie. Si la primera opcin fuera dominante, podra esperarse que el crecimiento de las islas fuera ms rpido en altura que en rea. Sin embargo, para que esto ocurra, una tasa de depsito muy alta combinada con una energa de difusin grande y una temperatura de sustrato baja es necesaria. En una superficie suave, es precisamente la dificultad de alcanzar estas condiciones lo que hace posible que exista el crecimiento completo de una monocapa superficial y las islas en general no se formen.

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En la mayora de los casos prcticos la energa de difusin en la superficie, Ed, es pequea y el crecimiento del ncleo es dominado por la energa de difusin superficial. Cuando el flujo de tomos de la fase gaseosa arriba al sustrato, estos pueden re-evaporarse inmediatamente o intercambiar energa con la superficie hasta alcanzar el equilibrio. Para un tomo con una energa trmica mayor que el sustrato, podemos definir un coeficiente de acomodacin, , dado por:

Ti Te Ti Ts

(ec. 3.7)

donde Ti es la temperatura de los tomos incidentes, Te es la temperatura de los tomos que se re-evaporan del sustrato y Ts es la temperatura del sustrato. Puede observarse claramente que cuando Te = Ts, el coeficiente de acomodacin es igual a la unidad. Entonces el coeficiente surge como un parmetro que mide la proporcin de los tomos que arriban que alcanzan el equilibrio trmico con el substrato. Este proceso de equilibrio sucede cuando un tomo que arriba pierde demasiada energa al golpear el substrato de manera que ya no puede reevaporarse. El tomo se encuentra entonces ligado al sustrato, pero en un nivel vibracional muy alto; en este caso la distancia promedio tomo-substrato puede ser ms grande que la distancia de equilibrio. El tomo entonces hace transiciones a niveles energticos inferiores disipando su energa en colisiones con irregularidades de la superficie.

Es importante diferenciar entre el coeficiente de acomodacin mencionado anteriormente y el coeficiente de pegado o condensacin. Este ltimo es definido como la proporcin entre el nmero de tomos adheridos al sustrato y el nmero de tomos que arriban a este. El coeficiente de pegado puede ser determinado estimando el aumento de material en el sustrato. Comnmente el coeficiente de condensacin es menor que la unidad y en casos donde la energa de absorcin de los tomos en el sustrato es baja y/o la temperatura del sustrato es alta, el coeficiente puede ser una fraccin muy pequea.

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Si asumimos que el coeficiente de acomodacin es la unidad todos los tomos que arriba se acomodaran sobre el sustrato. Esto no significa, sin embargo, que ellos permanezcan all indefinidamente, pues aun tienen una probabilidad finita, relacionada con la temperatura del sustrato, de adquirir suficiente energa para superar las fuerzas atractivas y dejar el sustrato. Si la condensacin no ocurre, todos los tomos eventualmente se re-evaporaran.

2.3 TEORA ATOMISTICA DE NUCLEACIN

Para describir el proceso de nucleacin sobre el sustrato consideraremos la fase cubica (100) de un cristal de Kossel, conteniendo un escaln monoatmico (figura 2.3). Un escaln puede ser definido como el lmite entre una regin de la superficie y otra regin adyacente a la primera cuya altura difiere por un espacio interplanar. Los tomos pueden ocupar los siguientes sitios en esta superficie:

i) embebido en la cara del cristal (sitio 1), ii) localizado sobre el escaln (sitio 2), iii) localizado en una esquina (sitio 3), iv) absorbido en un escaln (sitio 4) o v) localizado sobre la superficie del cristal (sitio 5). Dependiendo de la posicin que el tomo ocupe, estar enlazado de manera diferente al cristal. Un tomo localizado sobre la superficie (sitio 5) se encuentra ligado solamente por un enlace al cristal y tiene cinco enlaces sueltos.

Por el contrario, un tomo embebido (sitio 1) tiene 5 de sus enlaces saturados y uno insaturado. Una consecuencia de esta idea es que un cambio en la configuracin del tomo conlleva a un cabio en el nmero de enlaces sueltos o en otras palabras a un cambio en la energa libre. La nica excepcin es el tomo anclado a la posicin 3, el cual tiene un igual nmero de enlaces saturados e insaturados.

En esta configuracin ningn cambio en la energa ocurrir cuando el tomo se separe de su posicin particular. Como puede ser visto un tomo en esta posicin

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se encuentra mitad ligado a una lnea de tomos, mitad ligado a un plano de tomos y mitad ligado a un tomo individual. Esta es la razn por la que esta posicin es llamada posicin de cristal medio. Por repetidas uniones o separaciones de tomos hacia o desde esta posicin, el cristal completo puede ser construido totalmente o desintegrado en tomos individuales.

Figura 2.3 Representacin de los sitios que puede ocupar un tomo en una superficie cristalina. 1.- Embebido en la cara del cristal, 2.- localizado sobre el escaln, 3.- localizado en una esquina, 4.- absorbido en un escaln y 5.- localizado sobre la superficie del cristal.

El origen de la energa de formacin superficial puede ser descrito como un desbalance de fuerzas entre los enlaces. Con esta imagen es fcil imaginar el porqu los tomos de la superficie se movern hacia las hendiduras de la superficie desde las posiciones que ellos ocupan en el cristal original. El movimiento ser tal que se minimice la energa potencial sobre la superficie. Este fenmeno es referido como relajacin superficial.

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2.4 CRECIMIENTO DE CRISTALES

Podemos decir que un tomo o molcula llegan a ser parte del cristal cuando su potencial qumico es igual al potencial qumico del cristal. En el cero absoluto esto es igual al trabajo necesario para separar un bloque de la posicin de cristal medio tomado con signo negativo. En otras palabras, solo cuando un tomo se encuentra atado a una posicin de cristal medio o mas fuerte (Posiciones 1 y 2 en la figura 2.5) se le considera parte del cristal. En cualquier otra posicin se encuentra ligado a la superficie mas dbilmente que los tomos en posicin de cristal medio, con lo cual su presin de vapor de equilibrio y por tanto su potencial qumico va a diferir de aquel del cristal en bulto. En este sentido la absorcin de tomos en la superficie del cristal o a lo largo de los escalones no puede ser considerada como crecimiento cristalino. Todo esto es vlido cuando el sustrato est en contacto con una fase ambiental supersaturada, es decir cuando el potencial qumico de este ltimo es ms grande que el del cristal.

Las superficies cristalinas pueden ser clasificadas de acuerdo a su capacidad de crecer en paquetes cerrados, paquetes no cerrados o superficies escalonadas. Los tres grupos de superficies son: superficies planas (F), escalonadas (S) y de cristal medio (K) dependiendo si ellas son paralelas a al menos dos lneas densas de tomos, una lnea de tomos o si no son paralelas a la mayora de lneas densas de tomos, respectivamente. Un ejemplo de cara F es la (100) del cristal de Kossel. Ejemplos tpicos de las caras S y K son la (110) y la (111) del cristal de Kossel.

Es claro que cuando una cara cristalina es paralela a ms de una lnea de tomos, el nmero de enlaces qumicos paralelos a la superficie cristalina es mayor. Para una cara F, el nmero de enlaces no saturados es mnimo, de tal manera que tambin lo es la energa libre de la cara. Cuando la cara cristalina es paralela solamente a una lnea de tomos, todos los enlaces qumicos paralelos al escaln se encuentran insaturados.

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Entonces el nmero de enlaces no saturados alcanza su ms alto valor cuando la cara cristalina interseca todas las lneas de tomos y entonces tal cara ofrece ms sitios de crecimiento que las caras S y F.

Figura 2.4 Representacin esquemtica de las superficies F (planas), S (escalonadas) y de cristal medio (K) en un cristal de Kossel.

Puesto que las caras K ofrecen sitios de nucleacin ms fuertes y de mayor densidad crecern ms rpido. Las caras S tambin ofrecen sitios de cristal medio pero en menor cantidad que las caras K. Finalmente, las caras F de cristales perfectos no ofrecen sitios de nucleacin.

Entonces a presiones suficientemente pequeas para prevenir nucleacin 2D, la proporcin de crecimiento en direccin normal a la cara particular ser grande para las caras K, pequea para las superficies S y cero para las caras F. Se sigue que las caras K deben de desaparecer primero en los crecimientos seguidas por las caras S.

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CAPITULO 3. TECNICAS Y DETALLES EXPERIMENTALES


3.1 EROSIN CATDICA

El proceso de erosin catdica (Sputtering) consiste en la extraccin de tomos de un material debido al intercambio de momento con iones que lo bombardean. Es una tcnica ampliamente utilizada en sntesis de semiconductores, fotovoltaicos. Su popularidad radica en la versatilidad y flexibilidad que posee para ajustar las condiciones experimentales a crecimientos particulares. Materiales de alto punto de fusin como cermicos o metales refractarios que son difciles de crecer por tcnicas de evaporacin son fcilmente depositados al emplear erosin catdica.

La erosin catdica puede realizarse en atmsferas gaseosas con presiones del orden de mTorr. Esto permite la incorporacin (intencional) de gases reactivos en la atmosfera de crecimiento (erosin catdica reactiva) para estudiar los efectos sobre la estequiometria, la estructura y otras propiedades de la pelcula depositada. Una desventaja de esta tcnica es la baja utilizacin del blanco. Por ejemplo, la alta tasa de depsito alcanzada por los sistemas con magnetrones se ve reducida por el factor de que la regin donde el plasma se concentra tiene un rea limitada de la superficie total del blanco. En un sistema convencional con magnetrn se espera erosionar solamente 25-30% del material total del blanco.

3.1.1 EROSIN CATDICA REACTIVA

La erosin catdica reactiva se produce cuando al plasma se le aade intencionalmente un gas no inerte para reaccionar con el material erosionado. Algunos ejemplos son el oxgeno inyectado a la erosin de aluminio para formar xido de aluminio o el nitrgeno aadido a la erosin de titanio para formar nitruro de titanio. La erosin catdica reactiva incluye la erosin de blancos compuestos en los que se pierden preferencialmente uno de los componentes y esta prdida tiene que ser compensada por la adicin al gas de las especies perdidas.

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Por ejemplo, la prdida de nitrgeno durante el erosionado de un blanco de Si 3N4 tiene que ser compensada por la suma de N2 al plasma. Aunque alguna reaccin puede ocurrir entre las especies del material erosionado y el gas reactivo al interior del plasma, esto slo es posible a altas presiones. A presiones normales (3-30 mTorr) la reaccin qumica ocurre cerca de las superficies del blanco o el sustrato. A bajas presiones parciales del gas reactivo y altas tasas de erosin todas las interacciones qumicas entre el flujo erosionado y el gas reactivo ocurren en el sustrato. La formacin del compuesto es ms lenta en el sustrato que la proporcin de material erosionado del blanco. A esto se le llama el modo metlico. A presiones parciales superiores ocurre una transicin del modo metlico al modo no-metlico; en el punto dnde la tasa de formacin del compuesto en el blanco excede la tasa de erosin.

Esquema simplificado de un sistema de erosin catdica reactiva.

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3.2. ESPECTROSCOPIA INFRARROJO.

El anlisis de espectros relaciona la cantidad de energa que un material puede reflejar, refractar, absorber, difractar o dispersar. La cantidad que mide el detector es la intensidad del haz no absorbido al pasar por la muestra y la cantidad que se estudia es la razn entre la intensidad medida por el detector respecto la intensidad incidente. Esta cantidad se denomina transmitancia. La espectroscopia infrarrojo mide la absorcin de luz de ciertas longitudes de onda por un material y relaciona esta energa con los niveles energticos implicados en transiciones cunticas. La finalidad es determinar los grupos funcionales que contiene el material. Los equipos comerciales analizan frecuencias entre 400 y 4000 cm-1. Desde un punto de vista funcional el espectro infrarrojo se divide en tres zonas: IR lejano de 10-200 cm-1, donde se produce absorcin relacionada con cambios rotacionales, el IR medio de 200-4000 cm-1, donde tienen lugar las vibraciones fundamentales y el IR cercano que va de 4000-14300 cm-1. Los espectrmetros de IR convencionales se componen de una fuente de luz infrarroja, componentes pticos (espejos, lentes, divisores de haz, etc.) construidos con materiales adecuados no absorbentes en el IR (tpicamente sales como KBr o NaCl) y un fotodetector sensible al IR. La fuente de luz IR es un filamento trmico cuyo el espectro de emisin es el correspondiente a un cuerpo negro con la temperatura del filamento. Los espectrmetros infrarrojos ms modernos son del tipo FTIR (Fourier Transform Infrared). La ventaja fundamental de la tcnica FTIR frente al IR convencional es la rapidez en la adquisicin del espectro, debido a que se evita variar la longitud de onda para medir cada longitud de onda. En FTIR se adquieren simultneamente todas las componentes de frecuencia del espectro, lo que permite acumular un gran nmero de espectros en poco tiempo, con la consiguiente mejora en la relacin seal-ruido. Esto es especialmente importante en las regiones del espectro infrarrojo en que la fuente tiene una emisin dbil o el detector es poco sensible.

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3.3 ESPECTROSCOPIA RAMAN

La espectroscopia Raman es el anlisis de la luz dispersada por una muestra en colisiones inelsticas. Al irradiar un material con luz monocromtica, el haz dispersado tiene componentes con un corrimiento de frecuencia caracterstico, este efecto se debe a la creacin o aniquilacin de excitaciones elementales en la muestra (fonones).

Se basa en la examinacin de la luz dispersada por un material al incidir sobre este un haz de luz, registrando cmo sus enlaces covalentes vibrantes de forma nica dispersan la luz incidente a frecuencias diferentes. El uso de la espectroscopia Raman se debe a su habilidad para identificar materiales, para estudiar su composicin qumica, perfeccin cristalina, cantidad de dopantes y campos elctricos en las superficies as como intercapas.

La ventaja clave de la espectroscopia Raman es su capacidad de penetrar diversos contenedores de vidrio y plstico as que no es necesario manejar la sustancia directamente.

3.4 MICROSCOPIA DE FUERZA ATOMICA

Su funcionamiento se basa en la deteccin de las minsculas fuerzas atmicas o moleculares de interaccin entre una punta y la superficie del material a estudiar. Se trata de una aguja minscula (apenas 5 nanmetros) que va recorriendo a cierta distancia la superficie de un material y midiendo la fuerza de los tomos del material. Elabora mapas topogrficos en tres dimensiones, la superficie es barrida en el plano de la superficie por la punta. El movimiento de barrido lo realiza un escner piezo-elctrico, y la interaccin punta/muestra se monitoriza reflejando un lser en la parte trasera de la palanca.

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3.5 ESPECTROSCOPIA UV VISIBLE. La regin del espectro electromagntico que corresponde a las transiciones que involucran a electrones de la capa de valencia se extiende por longitudes de onda de 100 a 1000nm (regiones ultravioleta-visible e infrarroja cercana). No toda esta zona es de igual utilidad para la explicacin de estructuras orgnicas. La regin por debajo de 200nm, conocida como Ultravioleta lejano, presenta caractersticas que hacen complicada su utilizacin: 1. En esta zona absorben las molculas componentes del aire, lo que hace imprescindible trabajar con equipos evacuados (de aqu el nombre alternativo de la regin: Ultravioleta de vaco). 2. - Los materiales usuales para la construccin de componentes pticos (celdas, lentes, elementos dispersivos), el cuarzo y el vidrio, absorben fuertemente en esta zona.

La regin entre 200 y 400nm, llamada Ultravioleta cercana, es de gran utilidad en la determinacin estructural de insaturacin conjugada, aromaticidad o de ciertos grupos insaturados con pares electrnicos libres (carbonilo, nitro, etc.), sin presentar los serios inconvenientes del Ultravioleta de vaco. Se requieren materiales pticos de cuarzo si se quiere acceder a la zona de longitudes de onda inferiores a 350nm, mientras que el vidrio es utilizable en el resto de la regin Ultravioleta cercana y toda la regin visible.

La regin Visible, de 400 hasta cerca de 800nm, es la nica del espectro electromagntico detectable por el ojo humano.

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CAPITULO 4. CRECIMIENTO DE MUESTRAS


4.1 DESCRIPCON DEL PROCESO DE CRECIMIENTO

Las muestras estudiadas fueron sintetizadas empleando la tcnica de erosin catdica reactiva a radiofrecuencia con magnetrones. El blanco erosionado consisti en una pastilla comercial de dos pulgadas de Si policristalino con una pureza de 99.999%. Las muestras se prepararon bajo un flujo continuo en la atmosfera de crecimiento, manteniendo la presin constante al interior de la cmara con auxilio de una bomba turbomolecular. Los gases empleados fueron Ar (99.99%) para la formacin del plasma y O2 (99.99%) como gas reactivo. Los sustratos empleados fueron vidrio portaobjetos comercial y monocristales de silicio La temperatura de los sustratos fue de 400 C. La distancia blanco- sustrato fue de aproximadamente 5 cm. La presin base alcanzada por el sistema fue del orden de 10-6 Torr. La presin en la cmara durante el crecimiento de las muestras fue de 15mTorr.

4.2 LIMPIEZA DE SUSTRATOS

Antes de realizar la sntesis, se realiz una limpieza sistemtica de los sustratos a ser empleados con el fin de eliminar contaminantes orgnicos u xidos nativos de la superficie.

Las obleas de Silicio se limpiaron con el procedimiento estndar para MOS (conocido como piraa). La piraa se realiza mediante la combinacin de un ataque qumico y un procedimiento trmico. El propsito de este mtodo es remover residuos orgnicos, oxido y metales inicos pesados. La limpieza de sustratos consiste de tres pasos: i) remocin de xidos, sumergiendo los sustratos en una solucin acuosa al 10% de cido fluorhdrico (HF) durante 2 minutos; ii) eliminacin de substancias orgnicas, sumergiendo los sustratos cuatro minutos en una solucin 1:4 de perxido de hidrgeno (H2O2) y cido sulfrico (H2SO4) a una temperatura de 100 C; y iii) limpieza final, sumergiendo los sustratos

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nuevamente en una solucin acuosa al 10% de cido fluorhdrico (HF) durante 2 minutos. El secado de los sustratos se realiz con flujo de argn a presin. Debe mencionarse que el ltimo paso en la limpieza se realiz justo antes de introducir el sustrato en la cmara de crecimiento para evitar al mximo la contaminacin del medio ambiente.

La limpieza de sustratos de vidrio comprendi los siguientes pasos: i) limpieza con detergente extran, esponja y agua destilada; ii) limpieza con agua destilada en vibracin ultrasnica, 5 min (2 veces); iii) limpieza con etileno en vibracin ultrasnica, 10 min (2 veces); iv) limpieza con acetona en vibracin ultrasnica, 10 min (2 veces); y v) limpieza con isopropanol en vibracin ultrasnica, 10 min (2 veces). El secado de sustratos se realiz en el horno elctrico.

4.3 PROCEDIMIENTO DE CRECIMIENTO

El procedimiento de crecimiento de las heteroestructuras es detallado a continuacin: Sustratos limpios de silicio y vidrio de una pulgada cuadrada se introducen en la cmara de crecimiento, centrndolos frente al can a una distancia aproximada de 5 centmetros. Se posiciona el obturador entre los caones y el porta-sustratos. Una vez cerrada la cmara se procede a hacer el vacio con el empleo de una bomba mecnica seguida de una bomba turbomolecular (el vacio base en el equipo es del orden de 10 -6 Torr). Una vez alcanzado el vaci base, la temperatura del porta-sustratos se lleva a 400 C. Una vez alcanzados los 400 C, las condiciones del equipo se mantienen fijas durante 60 minutos para permitir que el sistema alcance el equilibrio trmico.

Para iniciar el crecimiento se permite la entrada gradual de Ar a la cmara hasta alcanzar una presin de 15mTorr. Entonces el plasma es encendido aplicando gradualmente una potencia de radiofrecuencia al blanco de silicio. El blanco es erosionado durante 5 minutos (con el obturador cerrado) para eliminar contaminantes de la superficie del blanco. Una vez encendido el plasma se ajusta

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la proporcin O2/Ar requerida, manteniendo la presin total del sistema constante (15mTorr). Una vez que la presin en el sistema se estabiliza, se quita el obturador y se contabiliza el tiempo de crecimiento de la pelcula. Para crecer la intercapa de Silicio se sigue el siguiente procedimiento. Se coloca el obturador cuando el crecimiento de la primera capa ha finalizado. Se apaga la fuente de radiofrecuencia. Se cierran las llaves de los gases. Se lleva el sistema cerca de la presin base. Se permite entonces la entrada gradual de Ar a la cmara hasta alcanzar nuevamente 15mTorr. Entonces el plasma es encendido nuevamente. Una vez que la presin en la cmara se estabiliza se abre el obturador y se mide el tiempo de crecimiento.

Para crecer la segunda capa de xido, se repite el procedimiento empleado para crecer la primera capa. Una vez terminado el crecimiento, la cmara se mantiene con la presin base hasta que la temperatura ambiente es alcanzada.

En este trabajo sintetizamos heteroestructuras SiO2/Si/SiO2. Para sintetizar las capas de SiO2 se emplearon los siguientes valores de OPP: 25, 33, 50, 66 y 75%. La potencia empleada fue de 100 W durante todo el crecimiento. Cada capa de SiO2 se creci durante 25 minutos, mientras que la intercapa de Si se deposit durante 10 minutos.

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4.4 EQUIPOS UTILIZADOS.

A continuacin se presenta la lista de los equipos utilizados para adquirir los diversos datos presentados en este trabajo. La espectroscopia UV-Vis se realizo en un equipo Perkin Elmer modelo Lambda 25. En este equipo el rango de longitud de onda va de 190 a 1100nm. El ancho de banda espectral es de 0.5nm. Utiliza como monocromador una red de difraccin hologrfica cncava. Las fuentes de luz utilizadas son una lmpara de deuterio y una lmpara halgena de tungsteno de baja emisin de ozono, pre alineadas y con cambio automtico. La espectroscopia de infrarrojo se realizo en un equipo comercial tipo FTIR Marca Nicolet modelo 750. En este equipo el intervalo de barrido va de 400 a 4000 cm-1. El ancho de banda espectral es de 1.929 cm -1. Para realizar la espectroscopia Raman se utilizo un equipo micro-Raman Horiba Jobin Yvon, LabRAM de alta resolucin con un lser de excitacin de 632.8nm. El ancho de banda espectral es de 1 cm -1. Para obtener las micrografas en el microscopio electrnico de barrido se utilizo un SEM marca JEOL modelo JSM-6300. Para obtener las imgenes de AFM el microscopio utilizado fue un Autoprobe CP Research en modo de contacto. La punta utilizada en el barrido fue de silicio con 10nm de radio de curvatura y velocidad de barrido de 1Hz. La fuerza de contacto fue de 13 nanoNewtons. Los difractgramas de rayos X se obtuvieron en un equipo marca Siemens modelo D-5000. La fuente de radiacin en este equipo es de Cu k (=0.15418nm) Las micrografas TEM se tomaron en un equipo marca JEOL modelo 2010.

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CAPITULO 5. RESULTADOS Y DISCUSIN


5.1 SINTESIS DE SiO2 La figura 5.1 presenta el conjunto de imgenes de microscopia de fuerza atmica (AFM) de las pelculas de SiO2 sintetizadas para actuar como centro de nucleacin de nanocristales (NCs). Estas micrografas muestran que la textura rugosa de la superficie disminuye con el incremento de la presin parcial de oxigeno (OPP) en el sistema. Como se mostrara en las pginas siguientes, estos cambios de topografa influyen fuertemente en las propiedades de pelculas de materiales semiconductores depositados sobre el xido y la textura superficial puede emplearse efectivamente como molde para la produccin de NCs de Silicio.

Figura 5.1. AFM de muestras de SiO2. (a) OPP 25%; (b) OPP 33%; (c) OPP 50%; (d) OPP 66%; (e) OPP 75%.

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Los espectros de IR de las muestras de SiO2 no revelan diferencias significativas entre ellos; una curva representativa es presentada en la figura 5.1.2. Las bandas de absorcin en 1080, 812 y 458 cm-1 se encuentran asociadas a los modos normales de estiramiento asimtrico, flexin y balance del tomo de oxigeno en los grupos Si-O-Si respectivamente. Debido a la fuerte electronegatividad del oxigeno, la frecuencia del modo de estiramiento asimtrico es una funcin decreciente del contenido de oxigeno x en el SiOx. En el caso de pelculas de silicio amorfo dopado con oxigeno y de SiO 2 estas frecuencias se localizan en 940 y 1080 cm-1 respectivamente.

Los resultados obtenidos de la caracterizacin por espectroscopia de infrarrojo (IR) muestran que las pelculas de xido sintetizadas tienen la estequiometria correcta (es decir SiO2) independientemente de la OPP empleada.

Figura 5.1.2. Espectro de infrarrojo representativo de las muestras de SiO2.

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La presencia de cmulos de silicio al interior de las muestras puede ser investigada empleando espectroscopia Raman. Un espectro representativo de las muestras de SiO2 se compara en la figura 5.1.3 con la seal obtenida de una pelcula de silicio amorfo. El intenso pico en 520.5 cm-1 corresponde al modo transversal ptico (TO) de fonones en el Silicio. Sin embargo, esta banda aparece en nuestras muestras debido a la poca absorbancia del SiO2 al laser de excitacin; que le permite al haz de prueba alcanzar el substrato de silicio monocristalino empleado.

Los espectros Raman de SiO2 depositado sobre vidrio no muestran este pico, indicando la ausencia de cristales de silicio embebidos en el oxido. En el caso del silicio amorfo, el desorden induce cambios en la densidad de estados vibracionales, y el espectro Raman se caracteriza por dos bandas centradas alrededor de 150 y 480 cm-1, que corresponden a los modos normales transversal acstico (TA) y transversal ptico (TO) respectivamente. Puede observarse adems en la figura 5.1.3 que el espectro del SiO2 es cualitativamente idntico con el del substrato; lo cual demuestra la ausencia de silicio amorfo al interior del oxido.

Figura 5.1.3. Comparacin entre espectros, un espectro Raman representativo de las muestras de SiO2 y uno de silicio policristalino.

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Los resultados obtenidos de la caracterizacin por difraccin de rayos X (DRX) muestran que los xidos de referencia tienen una estructura cristalogrfica amorfa independientemente de la OPP empleada.

5.2 SINTESIS DE NANOCRISTALES DE SILICIO La figura 5.2 presenta imgenes de microscopia de fuerza atmica 1m x 1 m de las muestras SiO2/Si; es decir heterocapas en las que la segunda pelcula de SiO2 no fue sintetizada. La topografa de la pelcula de SiO 2 empleada como molde manomtrico es mostrada como referencia (figura 5.2(a)). El SiO2 es caracterizado por la presencia de columnas con dimetro alrededor de 350nm. Estas columnas presentan bordes bien definidos que, en sus intersecciones promueven la formacin de depresiones superficiales. Una caracterstica relevante del crecimiento es que el depsito de una capa de silicio durante 60s no forma una pelcula continua, si no que promueve la aparicin de nano-aglomerados aislados de Si cercanos a los bordes de las columnas de SiO2 (figura 5.2b). Nano-aglomerados similares son visibles en las imgenes de AFM restantes, pero el empleo de tiempos de depsito mayores promueve la elongacin de las islas de Si. Todos los nano-aglomerados estn localizados en la depresiones o sobre los bordes de las columnas de SiO2, nunca en las regiones planas de la pelcula; siendo entonces un resultado directo de la topografa. Como puede esperarse el modo de crecimiento en nano-aglomerados cambia a un modo de crecimiento de pelcula continua cuando la cantidad de Si depositado llega a ser demasiado grande. Nuestros resultados indican que la formacin de islotes independientes de Si en esta topografa particular puede ser llevada a cabo hasta un tiempo de depsito de 300s.

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Figura 5.2. Microscopia de fuerza atmica 1m x 1m de las muestras SiO2/Si. Una imagen de microscopia electrnica de transmisin (TEM) en seccin transversal de la muestra en que la capa de Si fue depositada durante 600s se presenta en la figura 5.2.1(a). Las micrografa muestra claramente la heteroestructura SiO2/Si/SiO2 de la muestras. Las capas de SiO2 y de Si aparecen como franjas claras y obscuras respectivamente debido al contraste causado por la diferencia de densidades (51022 tomos cm-3 para el silicio y 2.21022 tomos cm-3 para el SiO2). La figura muestra la presencia de una capa uniforme de Si de 60nm embebida entre dos capas de 130nm de espesor. Esta imagen nos permite estimar la tasa de depsito de 1nm /10 segundos para el silicio. Es oportuno aclarar que la intercapa depositada presenta un espesor promedio (60nm) mucho mayor que la longitud de onda de De Broglie en el silicio (~10nm); por esta razn, en esta trabajo descartaremos efectos asociados a QC unidimensional (poso cuntico) en las propiedades de las muestras. 36

El QC se refiere al confinamiento de portadores de carga en cmulos de silicio embebidos en la matriz de SiO2. El modo de alta resolucin (HR) del TEM presentado en la figura 5.2.1 (b) permite apreciar claramente la primera interface SiO2/Si en las muestras; en donde la zona clara corresponde a la capa de SiO2. Observe que a pesar de que la capa depositada de Si es mayoritariamente amorfa, esta contiene NCs de Si nucleando en las depresiones superficiales de la pelcula SiO2; un resultado en acuerdo con las conclusiones obtenidas por AFM. La transformada rpida de Fourier (FFT) presentada en la figura 5.2.1(c) permiten identificar los planos (2-20), (220) y (400) del silicio cubico, siendo [001] el eje de zona de la imagen. La FFT tambin muestra dbiles spots relacionados con planos (111) del silicio. La figura 5.2.1 (d) muestra un NC Si nucleando sobre NC Si primario que creci en una depresin del SiO2; sugiriendo as que los NC Si podran actuar como nuevos centros de nucleacin para mas NCs.

Es conocido que la regin cerca de depresiones superficiales contiene un gradiente de estrs y por tanto en ella se ubican regiones de inestabilidad debido al adelgazamiento de la pelcula depositada. Se cree que un pequeo aumento de estrs compresivo favorece la cristalizacin debido a la contraccin de volumen tpicamente observada en la cristalizacin del silicio. En la estructura presentada en este trabajo, el estrs compresivo esta igualmente presente debido a que las pelculas sintetizadas por Sputtering generalmente presentan un estrs

compresivo intrnseco.

Adems de lo anterior, el coeficiente de expansin trmica es aproximadamente de un orden de magnitud superior en el Si que en el SiO 2, permitiendo un estrs compresivo adicional en la capa de Si durante el crecimiento (llevado a cabo a 400C) cuando la formacin de cmulos es ms probable que ocurra. Estas caractersticas podran favorecer la coalescencia de tomos en los NCs Si y explicar porque ellas no son observadas en las regiones planas de la muestra.

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La importancia de este resultado radica en que la nucleacin preferencial de NCs Si en depresiones superficiales podra ser usada en la fabricacin de grandes arreglos de puntos cunticos de silicio auto ensamblados.

Figure 5.2.1 Microscopia electrnica de transmisin de la muestra 600s.

La figura 5.2.2(a) muestra una difractograma de rayos-X representativo d las heterocapas. Los patrones de difraccin corroboran la presencia de NCs Si embebidos en todas las heterocapas, como es indicado por los picos correspondientes a los planos (111), (220), y (311). La correspondencia entre la orientacin cristalina observada por TEM y XRD sugiere que los NCs Si crecen en una orientacin preferencial respecto al substrato. El factor de que todos los picos de difraccin muestren una misma intensidad sugiere que la cantidad de NCs no se incrementa con el espesor de la intercapa; en acuerdo con la hiptesis de que la nucleacin se lleva acabo primordialmente cerca de la superficie de SiO2. La figura 5.2.2 (b) muestra un espectro representativo de IR de las muestras. Bandas de absorcin fueron observadas en 450, 800 y 1080 cm 1 para todas las muestras; estas frecuencias estn relacionadas a los modos de balanceo,

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estiramiento simtrico y estiramiento asimtrico de los tomos de oxigeno en los grupos SiOSi, respectivamente. Las caractersticas del IR indican que la composicin de la matriz de oxido

corresponden a aquella del SiO2; descartando la presencia de centros absorbentes relacionados a defectos de vacancias de oxigeno en la interface SiO2/Si-NCs.

Figura 5.2.2 Patrn representativo de las muestras. (a) Difraccin de Rayos X. (b) de espectroscopia IR.

La caracterstica ms relevante de este trabajo es que el borde de absorcin de las heterocapas se desplaza de la regin del cercano-infrarrojo hasta la regin violeta cuando el tiempo de depsito de la capa de silicio se reduce de 600s a 60s.

La figura 5.2.3 presenta los espectros de absorcin UV-Vis de las muestras. La pelcula de SiO2 muestra una transmitancia nula por debajo de los 300nm debido a la absorcin de las impurezas presentes en el sustrato de vidrio empleado; pero es transparente en la regin de absorcin de las muestras sintetizadas. Los bordes de absorcin bien definidos en la muestras corroboran un bajo nivel de oxidacin en la superficie de los NCs.

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Ha sido demostrado que la presencia de enlaces de Oxigeno (O) en la interface SiO2/Si NCs produce la inclusin de bandas de absorcin en la regin de alta energa del borde.

Claramente la muestra con una intercapa de Si ms delgada muestra el borde de absorcin localizado a mayor energa; cuando la capa llega a ser ms gruesa el borde de absorcin se desplaza sistemticamente hacia ms bajas energas.

Debe ser notado que incluso las muestras con el mayor espesor en la intercapa presentan un borde de absorcin a ms alta energa que el Si en bulto. El espectro de emisin de muestras con una intercapa de Si sintetizada durante 900, 1200 y 1800s no muestra un borde de absorcin.

Figura 5.2.3. Espectros de transmitancia UV-Vis de las muestras SiO2/Si/SiO2. El espectro de transmisin de una pelcula pura de SiO2 es incluido como referencia.

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CAPITULO 6. CONCLUSIONES

La sntesis y caracterizacin de nanocristales de silicio se convirti en un desafo, ya que al estar envuelto en el rea de comunicaciones y electrnica, se tienen los conocimientos adquiridos a travs de los aos de desarrollo escolar, pero se necesita de una preparacin y profundidad especfica en cuanto a tcnicas,

mtodos, conceptos e ideas para poder entender el comportamiento, manipulacin y beneficios de los nanocristales de silicio, la transformacin de dichos nanocristales en films o capas es uno de los aspectos ms importantes en los que se experiment, esto es el punto clave para manipular la eficiencia de esta forma se puede variar la estructura de las capas para generar una celda solar eficiente, que supere a las celdas comerciales existentes, ese 31% de eficiencia con el que cuentan dichas celdas, logrando de esta forma una contribucin tecnolgica a la sociedad, una que har que se dejen de explotar los recursos naturales los cuales decrecen a cada segundo, ya que en esta ocasin se ocup uno que es esencialmente inagotable, el sol, el cual libera en una hora la misma cantidad de energa que se consume en la tierra durante un ao entonces, si se puede utilizar esta energa, si de alguna manera se logra sustituir la forma en la que se genera y a su vez a un bajo costo, esta tecnologa podra ser utilizada por las distintas clases sociales, convirtindose en un beneficio para la humanidad.

Se ha desarrollado un procedimiento exitoso para la sntesis de nanocristales semiconductores empleando erosin catdica reactiva. La formacin de nanocristales se controlada por medio de la textura superficial de la primera capa de SiO2, que a su vez es modificada por ajustar apropiadamente los valores de la presin parcial de oxigeno (OPP) empleada en la sntesis.

Cuando la OPP se incrementa, la cristalinidad de la intercapa semiconductora decrece hasta que llega a ser totalmente amorfa. En este sentido, la matriz de SiO2 contribuye a la formacin de nanopartculas de alta calidad cristalina.

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Al colocar la muestra sobre un substrato en este caso de vidrio se observa que existe una transmitancia nula por debajo de los 300nm esto es porque dicha muestra absorbe impurezas del vidrio.

Durante el desarrollo y experimentacin de la investigacin se observ en las muestras creadas que el borde de absorcin se desplaza de la regin del cercano infrarrojo hasta la regin violeta cuando el tiempo de depsito de la capa de silicio se reduce de los 600s a los 60s, quiere decir que si se altera su espesor se logra aumentar el rango de absorcin aumentando as la eficiencia de las mismas, la muestra con una intercapa de Si ms delgada muestra el borde de absorcin localizado a mayor energa mientras que cuando la capa llega a ser ms gruesa el borde de absorcin se desplaza sistemticamente hacia ms bajas energas.

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REFERENCIAS

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GLOSARIO
Absorbancia O absorbencia, es la cantidad de intensidad de luz que absorbe la muestra. Operacin qumica que trata la separacin de los componentes que conforman una mezcla gaseosa, ayudndose de un solvente en estado lquido, con el que conseguir formar una solucin. Para la fsica la absorcin es la prdida de la intensidad de una radiacin al atravesar la materia. El equilibrio qumico es un estado de un sistema reaccionante en el que no se observan cambios a medida que transcurre el tiempo, a pesar de que siguen reaccionando entre si las sustancias presentes. Es un compuesto formado en parte por galio y en parte por arsnico de peso molecular 144.645 g/mol. Dicho compuesto posee propiedades semiconductoras. El estado de congelamiento, o ms bien, atrapamiento de un tomo resulta necesario porque el movimiento normal es tan rpido, que no existen herramientas suficientemente exactas para medir sus caractersticas. Esto es til para realizar estudios muy bsicos sobre el comportamiento de la materia. En una reaccin qumica ordinaria la masa permanece constante, es decir, la masa consumida de los reactivos es igual a la masa obtenida de los productos. Nivel de energa donde la atraccin del ncleo del tomo sobre los electrones es ms dbil. Cuando un tomo es excitado empleando corriente elctrica, luz, calor, etc., alguno de sus electrones pueden absorber energa, saltar a la banda de conduccin permitiendo la presencia de corrientes elctricas. Es el valor mnimo que necesita un fotn para que se pueda producir el efecto fotovoltaico en un material semiconductor. En la banda prohibida no se encuentra ningn electrn, ya que es un espacio de paso de electrones, desde la banda de valencia a la banda de conduccin Es donde giran los electrones que en unos casos el tomo puede ceder, como ocurre con los metales y en otros casos puede atraer o captar de la banda de valencia de otros tomos cercanos. La banda de valencia es el nivel de energa que determina que un cuerpo se comporte como conductor, aislante o semiconductor. La energa asociada a cada uno de los bordes corresponde a la energa de enlace, o ionizacin, de los electrones contenidos en el nivel energtico atmico respectivo de cada elemento qumico.

Absorcin

Absorcin en equilibrio

Arseniuro de Galio GaAs

Atrapamiento de tomos

Balance detallado

Banda de conduccin

Banda prohibida

Banda de valencia

Borde de absorcin

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Caracterizacin de nanocristales

Conocer el tamao y velocidad de las partculas que conforman un compuesto o fluido. Se refiere al establecimiento de las caractersticas de un material determinado a partir del estudio de sus propiedades fsicas, qumicas, estructurales. Una vez conocidas las caractersticas del material puede establecerse la naturaleza del mismo, as como sus posibles aplicaciones. Cambio de estado de la materia que se encuentra en forma gaseosa a forma lquida. Es el proceso inverso a la vaporizacin. Es la relacin entre la cantidad de energa y de frecuencia asociadas a una partcula.

Condensacin

Constante de Planck

Crecimiento de cristales en sistemas metlicos

En la estructura de los cristales metlicos cada punto del cristal est ocupado por un tomo del mismo metal. Los cristales metlicos por lo regular tienen una estructura cbica centrada en el cuerpo o en las caras; tambin pueden ser hexagonales de empaquetamiento compacto, por lo que suelen ser muy densos. Sus propiedades varan de acuerdo a la especie y van desde blandos a duros y de puntos de fusin bajos a altos, pero todos en general son buenos conductores de calor y electricidad. El modelo de cristal ideal sin vibraciones fue introducido en los aos 30 por Kossel y Stranski. Existe una posicin en un cristal donde se puede continuar con el proceso de crecimiento hasta completar la capa de la cara cristalina, a su vez es necesario que sobre la superficie del cristal se generen nuevos rincones o escalones para que contine el crecimiento, esto se consigue mediante una nueva nucleacin heterognea sobre la superficie de la cara cristalina para volver a repetirse el proceso de incorporacin de tomos o molculas. Puede considerarse como una nica partcula movindose a travs del sistema, rodeada por una nube de otras partculas que se estn apartando de su camino o arrastradas por su movimiento, as que la entidad entera se mueve a travs de algo como una partcula libre. Se caracteriza por la descomposicin espontnea de un ncleo, generando ncleos de menor masa, partculas pequeas y energa. Concentrado liquido alcalino (tiene propiedades bsicas, es decir con un potencial de hidrogeno pH mayor a 7) utilizado para la limpieza de objetos. La difraccin se observa cuando se distorsiona una onda por un obstculo. La difraccin producida por una estructura cristalina verifica la ley de Bragg. Es el resultado de realizar un experimento de difraccin en el que se miden las intensidades de los rayos x difractados por un cristal y los ngulos donde aparecen.

Cristal Kossel

Cuasiparticula

Decaimiento

Detergente Extran

Difraccin

Difractograma

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Dispersin

Fenmeno por el cual un conjunto de partculas que se mueve en una direccin determinada rebota sucesivamente con las partculas del medio por el que se mueve hasta perder una direccin privilegiada de movimiento. Es llamada carga elemental o fundamental, se considera a la carga del protn como positiva, mientras que a la del electrn como negativa. Es la ausencia de un electrn en la banda de valencia. El hueco de electrn es, junto al electrn, uno de los portadores de carga que contribuyen al paso de corriente elctrica en los semiconductores. Su carga es positiva. La energa total del electrn siempre es la suma de su energa cintica y potencial. Si limitamos una regin del espacio donde el potencial es nulo, pero fuera de ste se hace infinito, entonces el electrn se halla confinado, metido en un pozo, limitado entre las posiciones x=0 y x=L. Es un estado estacionario en el que se cumple que la suma de fuerzas y momentos sobre cada partcula del sistema es cero. Es el estado en el que las actividades qumicas o las concentraciones de los reactivos y los productos no tienen ningn cambio neto en el tiempo. Se dice que un sistema se encuentra en estado de equilibrio termodinmico, si es incapaz de experimentar espontneamente algn cambio de estado. Para ello ha de encontrarse simultneamente en equilibrio mecnico y equilibrio qumico. Es la ciencia que mide las proporciones cuantitativas entre los reactantes y productos en el transcurso de una reaccin qumica. Es una cuasipartcula de los slidos formada por un electrn y un hueco. Se da nicamente en semiconductores y aislantes. Un fotn alcanza un semiconductor, excitando un electrn desde la banda de valencia a la banda de conduccin. El hueco que deja tras de s el electrn en la banda de valencia, al tener carga opuesta, interacciona con l, de forma que quedan ligados el uno al otro. El sistema que resulta es el excitn. Los tomos de la muestra se ionizan al colisionar con los iones producidos al bombardear con un haz de electrones de elevada energa. Son el mecanismo primario por el cual se produce la conduccin de calor. Es la partcula portadora de todas las formas de radiacin electromagntica, incluyendo a los rayos gamma, los rayos X, la luz ultravioleta, la luz visible (espectro electromagntico), El fotn tiene una masa invariante cero y viaja en el vaco con una velocidad constante c.

Electrn

Electrn, Hueco

Energa de un electrn en un pozo cuntico

Equilibrio mecnico

Equilibrio qumico

Equilibrio termodinmico

Estequiometria

Excitones

Fase gaseosa supersaturada

Fonn

Fotn

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Fotoluminiscencia

Emisin de luz que es consecuencia de la absorcin previa de una radiacin. Material o dispositivo que convierte la energa luminosa en electricidad. Espectroscopia infrarroja con Transformada de Fourier es una tcnica que es utilizada para obtener un espectro infrarrojo de absorcin, emisin o fotoconductividad de un slido, lquido o gas. El trmino se origina en el hecho de que la transformada de Fourier es requerida para convertir datos obtenidos en bruto en un espectro. Es una estructura que est formada por elementos de distinta clase o naturaleza. Se refiere al confinamiento de partculas, en este caso hilo cuntico nos indica que el grado de libertad de dichas partculas disminuye a una dimensin. Es un proceso a travs del cual se producen iones (tomos o molculas cargadas elctricamente gracias al exceso o la falta de electrones respecto a un tomo o molcula neutra). Es un cientfico britnico que ha sido pionero en aplicaciones con silicio poroso en optoelectrnica. La ley de Bragg permite estudiar las direcciones en las que la los rayos X sobre la superficie de un cristal son difractados, permite predecir los ngulos en los que los rayos X son difractados por un material con estructura atmica peridica (materiales cristalinos). Donde n es un nmero entero, es la longitud de onda de los rayos X, d es la distancia entre los planos de la red cristalina y, es el ngulo entre los rayos incidentes y los planos de dispersin.

Fotovoltaico

FTIR Fourier Transform Infrared

Heteroestructura

Hilos cunticos

Ionizacin

Leigh Canham

Ley de Bragg

Longitud de onda de Broglie

Descubri que todas las partculas que posean una cantidad de movimiento tenan asociada una determinada longitud de onda. Es la denominada Hiptesis de De Broglie.

Donde: h es la Constante de Planck, p es la cantidad de movimiento de la partcula. Luz Es la radiacin electromagntica que puede ser percibida por el ojo humano. Incluye el rango entero de radiacin conocido como espectro electromagntico. Velocidad de la luz 300 m/s. Un monocristal es un material en el que la red cristalina es continua y no est interrumpida por bordes de grano hasta los bordes de la muestra. Los bordes pueden tener efectos importantes en las propiedades fsicas de un material.

Monocristal

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mTorr

Militorr es una unidad de presin muy pequea que se utilizan para las mediciones de alto vaco y es un mltiplo 1/1000 de la unidad de presin torr . 1 mTorr equivale a 0,133322 Pascales. Un pascal se define como la presin que ejerce una fuerza de 1 newton sobre una superficie de 1 metro cuadrado. Smbolo del nitrgeno molecular o dinitrogeno (generalmente llamado slo nitrgeno) es una molcula diatmica formada por dos tomos de nitrgeno.

N2

Nanocristal

Estos materiales son de enorme inters tecnolgico puesto que muchas de sus propiedades elctricas y termodinmicas muestran una fuerte dependencia del tamao y pueden por lo tanto ser controladas por medio de procesos de fabricacin cuidadosos. Es la unidad de longitud que equivale a una milmillonsima parte de un metro. 1 nanmetro = 0,000000001 metros. Es la formacin de un ncleo o partcula inicial con las propiedades de un cristal, a partir de la cual ste ya puede crecer. Existen dos modalidades de nucleacin. Nucleacin homognea: Cuando la partcula es de la misma composicin y estructura del cristal que se va a formar. Nucleacin heterognea: Cuando el ncleo es una sustancia diferente y preexistente que favorece su cristalizacin. Las partculas extraas quedan incluidas dentro del nuevo cristal como impurezas o inclusiones. Es posible que los tomos colisionen entre s reactivamente, y formen ncleos de dos dimensiones que sean capaces de crecer. Es una propagacin de una perturbacin de alguna propiedad de un medio que se propaga a travs del espacio transportando energa. La longitud de una onda es la distancia a la que se repite la forma de la onda. Es el nexo de unin entre los sistemas pticos y los sistemas electrnicos. Los componentes optoelectrnicos son aquellos cuyo funcionamiento est relacionado directamente con la luz. Es la posicin de las molculas en el sustrato formadas durante el crecimiento de materiales. Es un compuesto de silicio y oxgeno, llamado comnmente slice. Es uno de los componentes de la arena. Una de las formas en que aparece naturalmente es el cuarzo. Se emplea para producir silicio elemental. Es un fenmeno presentado por determinados cristales que al ser sometidos a tensiones mecnicas adquieren una polarizacin elctrica en su masa, apareciendo una diferencia de potencial y cargas elctricas en su superficie. El efecto piezoelctrico es normalmente reversible: al dejar de someter los cristales a un voltaje exterior o campo elctrico, recuperan su forma.

Nanmetro

Nucleacin

Nucleacin 2D

Onda

Optoelectrnica

Orientacin molecular

Oxido de Silicio Si02

Piezoelctrico

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Polmeros orgnicos

Los polmeros orgnicos son compuestos formados por la unin de dos o ms unidades moleculares carbonadas idnticas que reciben el nombre de monmeros, como el caucho o las protenas y artificiales como los plsticos. El trabajo que hace sobre una partcula depende nicamente de la posicin inicial y final de la partcula, y no en el camino seguido. Es la denominacin en la que se confina, en dos dimensiones, partculas que originalmente tenan libertad para moverse en tres, forzndolas a ocupar una zona acotada. La presin parcial de un gas viene determinada por la concentracin del gas y por la presin ambiental; por ejemplo, la concentracin de oxgeno en el aire es del 21% y la presin parcial de oxgeno (PO2) en el aire a nivel de la superficie es de 0.21 atm. Mtodo empleado para la purificacin de sustancias. Se aprovechan las diferentes solubilidades de los compuestos en uno o varios disolventes a diferentes temperaturas. Consiste en el pasaje lento y gradual de un estado lquido hacia un estado gaseoso. La re evaporacin es una evaporacin por segunda vez. Se refiere al fenmeno por el cual un rayo de luz que incide sobre una superficie es reflejado. Es el cambio de direccin que experimenta una onda al pasar de un medio material a otro. Cuando incide oblicuamente sobre la superficie de separacin de dos medios, y en virtud del cual el rayo cambia de direccin y velocidad. El concepto de rugosidad se refiere a cuan spero es la superficie de un cuerpo. Es un material semiconductor compuesto de Cobre, Indio, y Selenio. Utilizado por su alta eficiencia fotovoltaica para construir paneles solares, y por su menor costo con respecto del silicio. Es un elemento que se comporta como un conductor o como aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo elctrico o magntico, la presin, la radiacin que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre. El silicio es un semiconductor ya que a bajas temperaturas son aislantes. Pero a medida que se eleva la temperatura o bien por la adiccin de determinadas impurezas resulta posible su conduccin. El nitruro de silicio es un compuesto qumico del silicio y nitrgeno. Es una sustancia dura, slida, que se puede obtener en temperaturas altas.

Potencial Electrosttico

Pozo cuntico

Presin Parcial de Oxigeno

Re-cristalizacin

Re-evaporacin

Reflexin

Refraccin

Rugosidad Seleniuro de cobre indio

Semiconductores

Semiconductores de Silicio

Si3N4

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Silicio poroso

Se obtiene por anodizado electroqumico (es una tcnica utilizada para modificar la superficie de un material) de una oblea de Si monocristalino (Constituidos por un solo tipo de red cristalina. Son sistemas homogneos). Lo que le ocurre es que queda lleno de "agujeritos" al ser atacado por un electrolito(es cualquier sustancia que contiene iones libres, los que se comportan como un medio conductor elctrico), en este caso cido fluorhdrico. Con un tamao promedio de los poros de 50nm y dependiendo de las condiciones experimentales, del dopado, de la densidad del material masivo, de la concentracin de electrolito, de la densidad de corriente, del voltaje y la temperatura pueden obtenerse distintas escalas y caractersticas de la estructura porosa. Equilibrio presente dentro de las molculas, utilizando este criterio para su clasificacin. Se puede de esta forma explicar o predecir las caractersticas qumicas de las molculas, como Ph, toxicidad entre otras. Es el proceso por el cual se obtienen compuestos qumicos a partir de sustancias ms simples. Tambin la sntesis qumica permite obtener productos que no existen de forma natural, como el acero, los plsticos o los adhesivos. Obtener un compuesto o un producto mediante sntesis. Es una porcin de cuerpo material con lmites especficos y que es objeto de estudios y/o anlisis con fines especficos. Es el compuesto qumico que se transforma en un producto en una reaccin qumica. Muestra con la que se realiza la experimentacin, en este caso una oblea de silicio. Se refiere a la formacin de una pelcula relativamente inerte, sobre la superficie de un material la cual lo enmascara en contra de la accin de agentes externos. Es una unidad de potencia, kilowatt-hora (kW-h) que equivale a 1000watts, megawatt-hora (MW-h), equivalente a 1 000 kW-h, el gigawatt-hora, equivalente a un milln de kilowatt-hora (GW-h), y el 12 terawatt-hora (10 W), que son mil millones de kilowatt-hora (TW-h). Toda seal peridica, sin importar cun complicada parezca, puede ser reconstruida a partir de sinusoides, cuyas frecuencias son mltiplos enteros de una frecuencia fundamental, eligiendo la amplitud y fases adecuadas. Joseph Fourier. La transformada rpida de Fourier es un eficiente algoritmo que permite calcular la transformada discreta de Fourier (Transforma una funcin matemtica en otra, obteniendo una representacin en el dominio de la frecuencia, siendo la funcin original una funcin en el dominio del tiempo). Se define como la fraccin de luz incidente, a una longitud de onda especificada, que pasa a travs de una muestra. Es la cantidad de energa que atraviesa un cuerpo en determinada cantidad de tiempo.

Simetra molecular

Sntesis

Sintetizar Sistema qumico

Sustrato

Superficie pasivada

Terawatt (TW)

Transformada rpida de Fourier

Transmitancia

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