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ELECTRNICA ORGNICA.

LUIS GUILLERMO DURANGO MERCADO

UNIVERSIDAD PONTIFICIA BOLIVARIANA FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA MEDELLN 2005

ELECTRNICA ORGNICA

LUIS GUILLERMO DURANGO MERCADO

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D(r#+&!r MAURICIO VANEGAS I*$#*(#r! E'#+&r,*(+!

UNIVERSIDAD PONTIFICIA BOLIVARIANA FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA MEDELLN 2005

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DEDICATORIA

A Dios por estar siempre conmigo y a mi grupo familiar, especialmente a mis padres Jorge Ricardo y Mara del Socorro por la oportunidad, por su comprensin y sus invaluables consejos. !"S #!" $RM% D.M

AGRADECIMIENTOS

$l autor e&presa sus agradecimientos a'

A mi director de tesis Mauricio (anegas, "ngeniero $lectrnico, por su tiempo, colaboracin y aportes. A mi amigo "v)n "gnacio Sierra, "ngeniero $lectrnico, por su tiempo y colaboracin t*cnica. A la !niversidad +ontificia ,olivariana y en especial a la -acultad de "ngeniera $l*ctrica y $lectrnica por la ense.an/a a lo largo de mi carrera.

CONTENIDO

Pa$. INTRODUCCIN 3. SEMICONDUCTORES ORGNICOS 0.0 %rbital 0.3 4ibridacin 0.1 $nlaces atmicos 0.6 7aractersticas el*ctricas del )tomo de carbono 0.5 7lasificacin de los semiconductores org)nicos 0.5.0 %ligmeros semiconductores 0.5.3 +olmeros semiconductores 2. FSICA DE LOS SEMICONDUCTORES ORGNICOS 3.0 Movilidad en los semiconductores org)nicos 3.3 7onductividad en semiconductores org)nicos 4. PORTADORES DE CARGA Y TRASPORTE DE CARGA 1.0 7lasificacin de los portadores de carga en lo semiconductores org)nicos 1.0.0 Semiconductores de estado base no degenerado 1.0.3 Semiconductores de estado base degenerado 1.3 <ransporte electrnico de carga 5. PROPIEDADES OPTOELECTRNICAS DE LOS SEMICONDUCTORES ORGNICOS 6.0 uminiscencia y estados optoelectrnicos e&citados 6.0.0 7lasificacin de los e&citones 6.0.3 +roceso luminiscente en semiconductores org)nicos 6.0.1 Din)mica de los e&citones en los semiconductores org)nicos :2 :2 :0 :1 :8 22 40 12 13 15 18 69 69 52 55 5: ;5 67 90 91 95 99

Pa$. 5. DISPOSITIVOS ELECTRONICOS ORGNICOS 5.0 % $D =%R#A>"7 "#4< $M"<$R D"%D$? 5.0.0 $structura de un % $D 5.0.3 -uncionamiento de un % $D 5.0.1 -abricacin de un SM% $D tpico 5.0.6 -abricacin de un + $D 5.0.5 Materiales para la fabricacin de % $Ds 5.0.; <ipos de % $Ds 5.0.9 Diferencias entre % $Ds, " $Ds =inorganic $Ds? y 7Ds 5.3 <RA>S"S<%R$S %R#@>"7%S D$ $-$7<% D$ 7AM+% 5.3.0 Dise.o del transistor 5.3.3 Descripcin de la operacin de un %-$< 5.3.1 (elocidad de circuitos con %-$< 5.3.6 7aractersticas de los materiales usados en %-$< 5.1 7A+A7"<%R$S D$ +% A+ARR% $ 5.1.0 <eora de %peracin 5.1.3 7onclusiones 5.6 7$ DAS -%<%(% <A"7AS %R#@>"7AS 5.5 @S$R %R#@>"7% 5.5.0 $structura del l)ser 5.5.3 7onclusiones 6. AVANCES RECIENTES CONCLUSIONES BIBLIOGRAFA 82 83 81 86 85 8; 89 022 026 02: 028 000 00: 030 033 031 010 013 019 01: 060 352 355 352

LISTA DE FIGURAS.

Pa$. F($)ra 3. %rbital 0s. F($)ra 2. %rbitales p. F($)ra 4. <ipos de Bibridacin en los atmos del grupo "(. F($)ra 5. $nerga de enlace. F($)ra 5. $nlaces moleculares sigma =C? entre orbitales atmicos p. F($)ra 6. $nlaces moleculares pi =? entre orbitales atmicos p. F($)ra 7. $structura de un polmero conjugado. F($)ra 2. Diagrama de energa de un enlace molecular. F($)ra 8. <ipos de dienos. F($)ra 30. 7ompuesto de +$D%<'+SS. F($)ra 33. +rincipales semiconductores de bajo peso molecular. F($)ra 32. $structura energ*tica de una peDue.a mol*cula org)nica. F($)ra 34. +rincipales polmeros semiconductores. F($)ra 35. $structura energ*tica de un polmero conjugado. F($)ra 35. +o/o de potencial o sitio. F($)ra 36. Hopping asistido por fonones. F($)ra 37. (ariacin de la movilidad con el desorden energ*tico, asumiendo desvanecimiento del desorden posicional. F($)ra 32. (ariacin de la movilidad con el desorden posicional asumiendo desvanecimiento del desorden energ*tico. F($)ra 38. Movilidad del <A+7'+7 con desorden energ*tico y posicional. ;6 F($)ra 20. $structura de un cristal de silicio. F($)ra 23. $structura de un semiconductor org)nico. F($)ra 22. $nerga contra distancia del radicalEcatin. ;: ;: ;8 ;3 ;0 13 13 16 19 1: 1: 60 63 63 65 68 68 53 53 55 5;

Pa$. F($)ra 24. $structuras de enlaces. F($)ra 25. 7onfiguracin de enlaces de diferentes energas en un polmero de estado base no degenerado. F($)ra 25. Dos fases con igual energa, de un polmero con estado base degenerado. F($)ra 26. #eneracin de polarones positivos y bipolarones en el +$D%<. F($)ra 27. >iveles de energa de un polmero neutro, un polarn, un bipolaron y un polmero con bandas de energa de bipolaron. F($)ra 22. -ormacin de solitones. F($)ra 28. <res tipos de solitones y sus bandas de energa. F($)ra 40. <ransporte de un bipolaron a lo largo de una cadena de +$D%<. F($)ra 43. Hopping entre cadenas polim*ricas. F($)ra 42. Representacin esDuem)tica de los estados e&citnicos. F($)ra 44. <ipos de e&citones. F($)ra 45. Diagrama de energa para una mol*cula en su estado base y e&citado, mostrando energa potencial vs distancia nuclear. F($)ra 46. $spectro de absorcin y de emisin. F($)ra 47. Diagrama de JablonsFi. F($)ra 42. Representacin esDuem)tica de la din)mica de los e&citones en un semiconductor org)nico desordenado. campo el*ctrico. b? Disociacin de un e&citn a lo largo de la misma mol*cula bajo la influencia de un campo el*ctrico. F($)ra 50. $structura de % $D. F($)ra 53. 7apas funcionales de un % $D. F($)ra 52. $structura de SM% $D. F($)ra 54. $structura de un + $D. F($)ra 55. +eDue.as mol*culas. F($)ra 55. Materiales polim*ricos. F($)ra 56. $structura de un <% $D. 80 81 86 8; 89 8: 8: 020 82 F($)ra 48. a? Disociacin de un e&citn entre mol*culas, bajo la influencia de un :6 :; :8 96 9; 9; 9: 98 :3 :1 93 96 93 92

Pa$. F($)ra 57. <% $D creado por >eG Display %pportunities. F($)ra 52. ArDuitectura de un S% $D. F($)ra 58. % $D fle&ible. F($)ra 50. a? 7ontactos sobre el semiconductor, b? contactos en el fondo del semiconductor. F($)ra 53. %-$< con gate en el fondo en la arDuitectura de contactos en el tope . 003 00; 032 033 0 011 016 015 062 060 F($)ra 52. 7omportamiento de la capa de acumulacin F($)ra 54. $sDuema de un HanilloI oscilador F($)ra 55. "magen de un circuito pl)stico de una matri/ activa, de ucent tecBnology F($)ra 55. 7apacitor org)nico F($)ra 56. $sDuema de una celda fotovoltaica org)nica bicapa de unin +lana. F($)ra 57. Diagrama de energa de una celda fotovoltaica bicapa org)nica. F($)ra 52. ,icapa fotovoltaica con Beterounin. F($)ra 58. Resonador en forma de anillo. F($)ra 60. $structura corrugada de D-,. 002 020 021 029

LISTA DE TABLAS.

Pa$. Tab'a 3. +ropiedades de algunos semiconductores org)nicos Tab'a 2. 7aractersticas de los SM% $Ds y los + $Ds 88 022

GLOSARIO

ACEPTOR' mol*cula capa/ de recibir electrones. AFINIDAD ELECTRNICA9 energa liberada cuando un )tomo adDuiere un electrn. ANIONES' es un ion =)tomo o mol*cula? con carga el*ctrica negativa, es decir, con e&ceso de electrones. Se describen con un estado de o&idacin negativo. NODO9 electrodo positivo en una cone&in electrnica. ANTIENLACE :9 uno de los dos enlaces formados al unirse dos orbitales p/ sin Bibridar, el cual es menos estable y por lo tanto de mayor energa. Al estar la mol*cula sin e&citacin normalmente se encuentra vaco. ANTIENLACE ;:9 uno de los enlaces formados al unirse dos orbitales sp3, el cual es menos estable y por lo tanto de mayor energa. Al estar la mol*cula sin e&citacin, normalmente se encuentra vaco. $s de mayor energa Due el antienlace J. ANTRACENO9 semiconductores. Bidrocarburo arom)tico. -orma cristales moleculares

BIPOLARONES9 son cuasiEpartculas formadas al o&idarse o reducirse dos veces consecutivas un monmero. Se forman dos cargas del mismo signo las cuales est)n acopladas a trav*s de una distorsin local de la configuracin del enlace. CADENA PRINCIPAL9 es la columna vertebral de un polmero, desde donde se ramifican los grupos pendientes o laterales. CATALI<ADOR9 sustancia =o me/cla de sustancias? Due aumenta la velocidad de un proceso Dumico sin desgastarse en la reaccin. CATIONES9 es un ion =)tomo o mol*cula? con carga el*ctrica positiva, esto es con deficiencia de electrones. Se describen con un estado de o&idacin positivo. CTODO9 electrodo negativo en una cone&in electrnica. COMPUESTO ORGANOMETALICO9 compuesto Due contiene un enlace carbonoE metal. CON/UGACIN9 este t*rmino Bace referencia a una cadena principal en donde los )tomos est)n enla/ados por enlaces Due se alternan entre simples y dobles. COPOLMEROS9 polmero formado por la unin entre si de diferentes tipos de monmeros. CORRIMIENTO DE STO=ES9 diferencia de energa entre el espectro de absorcin y el de emisin de una mol*cula, originada por la interaccin de esta con las mol*culas vecinas. CRISTAL DE TIPO MOLECULAR9 son cristales en los Due sus constituyentes son mol*culas, las cuales aunDue intramolecularmente est)n unidas por fuertes enlaces covalentes, intermolecularmente est)n unidas por fuer/as muy d*biles

como las de (an der Kaals, lo Due los Bace menos acoplados Due los cristales atmicos. CRISTAL DE TIPO ATMICO9 son cristales en los Due sus constituyentes son )tomos, los cuales entre si est)n unidos por enlaces covalentes y por lo tanto est)n muy acoplados y por ende son muy fuertes. CROMFOROS9 su nombre proviene del griego y significa dador de color. 7orresponden a sectores de la cadena polim*rica delimitados por defectos estructurales o energ*ticos. DEDOPA/E9 proceso por el cual materiales dopados se devuelven a su estado natural, es decir no dopado. DENDRMEROS9 compuestos Due crecen en forma fractal o como las ramas de un )rbol, y Due tienen mucBos usos en la industria. DERIVADOS FLUORINADOS9 compuestos Due mejoran la fabricacin de dispositivos electrnicos org)nicos gracias a su alta reactividad. DIAGRAMA DE /ABLONS=I9 diagrama Due muestra los procesos de e&citacin y dese&citacin de un electrn, en un e&citn. DIALCO>Y9 se refiere a dos radicales, los cuales est)n constituidos por carbono y o&igeno. DICATIN9 dos cargas positivas acopladas. DIIMIDE PERILENO9 semiconductor org)nico tipo n, con gran estabilidad t*rmica y ptica.

DISTANCIA O LONGITUD DEL ENLACE9 distancia a la cual se logra la mayor estabilidad =menor energa? al formarse un enlace. DISTRIBUCIN GAUSSIANA9 es la distribucin de probabilidad Due con m)s frecuencia aparece en estadstica y teora de probabilidades. Se caracteri/a por Due cuando se reali/an medidas e&perimentales, algunas de ellas son mayores Due la media y otras menores, aunDue unas y otras se producen en igual cantidad y con la misma probabilidad, y al graficarla da una grafica en forma de campana. DOPADO9 es el proceso por el cual se introducen portadores de carga en un semiconductor. DOPA/E IN?OMOGNEO9 Dopaje Due se efectLa en forma irregular es decir Due no es parejo en todo el material. DOS9 es la densidad de los estados electrnicos, o m)s bien los niveles de energa disponibles para los electrones. EFECTO TUNEL9 mecanismo cu)ntico mediante el cual una partcula subatmica tiene la posibilidad de alcan/ar niveles energ*ticos poco probables. ELECTROCROMISMO9 proceso mediante el cual un compuesto cambia de color como consecuencia del dopaje o el dedopaje. ELECTRODO9 conductor utili/ado para Bacer contacto con una parte no met)lica de un circuito por ejemplo un semiconductor, electrolito, etc. ELECTROFORESIS9 movimiento de partculas cargadas =iones?, por accin de un campo el*ctrico.

ELECTROLITO9 sustancia Due al disolverse en agua, da lugar a la formacin de iones. ELECTROLUMINISCENCIA9 es la emisin no t*rmica de lu/ de un material sometido a un campo el*ctrico e&terno ELECTRONEGATIVIDAD9 tendencia de un )tomo a ganar electrones. ELECTRONES DESLOCALI<ADOS' electrones Due no pertenecen a un enlace atmico en especifico, sino Due pueden ser compartidos por mas de dos )tomos. ELECTRN VOLTIO @#VA9 es la energa necesaria para mover un electrn en contra un potencial de un voltio, o es la energa Due gana una carga positiva al aplicarle un potencial de un voltio. $s una unidad de energa frecuentemente usada en teora de semiconductores y tiene un valor de 0.; 02 19 J. ELECTROBUMICA9 parte de la Dumica Due trata de la relacin entre las corrientes el*ctricas y las reacciones Dumicas y la conversin de la energa Dumica en el*ctrica y viceversa. EMERALDINA9 compuesto verde usado como pigmento, producido a partir de la anilina a/ul cuando sobre ella actLa un acido. ENERGA DE DISOCIACIN9 es la energa necesaria para disociar una mol*cula. $sta energa es igual a la energa de enlace. ENLACE 9 enlace formado por la atraccin entre los orbitales p/ sin Bibridi/ar, es un enlace mas d*bil Due el enlace C. ENLACE ;9 enlace formado por la atraccin entre los orbitales Bbridos sp3.

EPO>ICO9 formado por la unin de un prepolimero de bajo peso molecular con un compuesto Due forma un polmero entrela/ado. ESPN9 propiedad de las partculas fundamentales asimilable a una rotacin sobre su propio eje. $sta relacionado con el campo magn*tico Due estas tengan. ESTADO BASE DEGENERADO9 cuando los enlaces simples y dobles se pueden intercambiar sin cambiar la energa de su estado base. ESTADO BASE NO DEGENERADO9 cuando el intercambio de los enlaces es asociado con dos estados de energa diferentes. ESTADO FUNDAMENTAL' estado energ*tico en el cual un )tomo o mol*cula presenta mayor estabilidad. ESTADO E>CITADO9 estado energ*tico de mayor energa Due el fundamental al cual son promovidos los electrones de un )tomo o mol*cula al ser e&citados t*rmica, ptica el*ctricamente. ESTADOS VIBRACIONALES9 estados de energa relacionados con la vibracin de los nLcleos de los )tomos. ETILENDIO>I9 radical M%E743 M743 M%E ETILENO9 conocido tambi*n como eteno, el cual es un compuesto Dumico formado por )tomos de carbono enla/ados mediante un doble enlace =743N743?. E>CITN9 cuasi partcula creada al e&citarse una mol*cula, donde se forma un par electrnEBueco acoplado electrostaticamente.

E>CITN DE FREN=EL9

os e&citones de -renFel corresponden a un par

electrnEBueco locali/ado sobre una mol*cula org)nica simple y su radio es comparable al tama.o de la mol*cula, tpicamente inferior a 5O. E>CITN DE CANNIERDMOTT9 os e&citones de KannierEMott son tpicos en

semiconductores inorg)nicos, en donde la energa de ligadura coulLmbica es mas d*bil, comparada a los e&citones de -renFel y el radio e&citonico oscila entre 62E 022O, dependiendo del tama.o de la red cristalina. FACTOR DE LLENADO9 determina la forma de la caracterstica "E(, de las celdas solares. !n buen factor de llenado o factor de forma es mayor a 2.9. FET9 transistor de efecto de campo. FLUORESCENCIA9 fenmeno fsico mediante el cual ciertas substancias absorben energa y la emiten en forma de lu/ u otro tipo de radiacin electromagn*tica. A diferencia de la fosforescencia, dura solo mientras permanece el estimulo Due la provoca. FONN9 cuasi partcula sin carga Due se caracteri/a por las vibraciones de la retcula y Due porta gran cantidad de momento. FOTOCONDUCTIVIDAD9 proceso mediante el cual un material conduce energa mediante la estimulacin ptica. FOTOFSICA9 fotoe&citacin y transiciones radiantes de una mol*cula, pero sin cambios Dumicos. FOTN9 una de las partculas fundamentales de la materia, encargada de transmitir la fuer/a electromagn*tica.

FOTOBUMICA9 se encarga de estudiar las reacciones Dumicas Due se producen por la accin de la lu/. FUER<A DE VAN DER CAALS O LONDON9 es una fuer/a intermolecular debida a la atraccin entre dipolos temporalmente inducidos en mol*culas no polares. FUNCIN DE TRABA/O' representa la energa mnima necesaria para poder retirar un electrn o foton de un metal y tiene un valor particular para cada material. FUNCIONES DE ONDA SIMTRICOS9 esto se refiere a Due los electrones tiene funciones de onda Due son como las im)genes reflejadas en un espejo, las cuales se refuer/an y fortalecen el enlace. FUNCIONES DE ESPIN ANTIDSIMTRICO9 esto se tiene Due dar para Due se cumpla el principio de e&clusin de +auli, y significa Due los espines de los electrones deben de ser antiparalelos. GAP9 brecBa energ*tica entre la banda de valencia y la banda de conduccin, o entre el 4%M% y el !M% en semiconductores org)nicos. GRUPOS ARYL 9 radicales Due contienen compuestos arom)ticos. GRUPOS AL=O>Y9 se denomina as la unin de un grupo alFyl con o&igeno. GRUPOS CARBONIL9 esta formado por la unin de un )tomo de carbono doblemente enla/ado con o&igeno. GRUPOS ?IDRO>YL9 radical E%4

GRUPOS IMIDAS9 conformado por un )tomo de carbono doblemente enla/ado con o&igeno y enla/ado con un )tomo de nitrogeno. GRUPOS FUNCIONALES9 son estructuras submoleculares, caracteri/adas por una conectividad y composicin especfica elemental, Due le confiere reactividad a la mol*cula Due los contiene. GRUPOS PENDIENTES9 peDue.as cadenas de )tomos enla/adas a la cadena principal del polmero. $stos grupos son cadenas mucBo mas cortas Due la cadena principal. ?E>AMERO9 compuesto Due contiene ; monmeros. ?IBRIDACIN9 es el proceso de combinar orbtales atmicos de un )tomo con el fin de producir igual numero de orbtales me/clados, pero de caractersticas diferentes a los originales ?IBRIDACIN SP29 Se da en todos los compuestos donde el carbono posea enlaces dobles. $s el resultado de la me/cla de dos orbitales p y uno s. ?OMO9 es el orbital molecular con m)s alta energa, Due se encuentra

ocupado y desde donde pueden trasladarse electrones al !M%. ?OPPING9 proceso mediante el cual se trasladan portadores de carga desde un sitio de menor energa a uno de mayor energa mediante efecto tLnel. IONES' )tomos o grupos de )tomos cargados el*ctricamente. ISMERO9 compuestos diferentes, pero con la misma formula molecular.

ISOMERO CIS9 isomero con sustituyentes id*nticos en el mismo lado del doble enlace. ISOMERO TRANS9 isomero con sustituyentes id*nticos en diferentes lados del doble enlace. ITO9 compuesto de o&ido de esta.o e indio Due se usa como electrodo inyector de Buecos y tiene la caracterstica de ser transparente. LED9 diodo emisor de lu/ con semiconductor de material inorg)nico como el arseniuro de galio, germanio, etc. LONGITUD DE EBUILIBRIO9 longitud de un enlace en el estado base o fundamental. LUMINISCENCIA9 la luminiscencia se define como la dese&citacin de un )tomo o mol*cula, mediante la emisin de fotones LUMO9 es el orbital molecular * con energa mas baja Due se encuentra desocupado, al Due pueden acceder electrones e&citados desde el 4%M%. MASCARA9 placa fotogr)fica de cristal, utili/ada para imprimir un patrn en el material fotorresistivo. METALLOP?T?ALOCYANINE9 material semiconductor org)nico, utili/ado en la fabricacin de dispositivos electrnicos. METAL UNIDDIMENSIONAL9 metal Due solo conduce la corriente en una direccin.

MOMENTO ANGULAR NETO9 este es el momento Due tienen los electrones debido a girar alrededor del nLcleo. MOMENTO ANGULAR DE ESPN9 es el momento Due se le atribuye a un electrn por presentar fenmenos, con los cuales se puede Bacer una analoga a como si el electrn girara en su propio eje. MONMERO9 unidad repetitiva en un polmero. NAFTALENO' Bidrocarburo arom)tico, Due forma cristales semiconductores. NANOALAMBRES9 alambres de tama.o nanom*trico. NANOMATERIALES9 materiales Due tienen tama.os en el orden de los nanmetros. +or ende son materiales moleculares. NODO9 parte del orbital donde la probabilidad de encontrar un electrn es cero. OLED9 $D en donde el material semiconductor es un material org)nico. OLIGMEROS9 polmeros peDue.os Basta con 32 unidades monom*ricas. OLGOTIOFENOS9 polmero con pocos monmeros tiofeno y utili/ado en la fabricacin de % $D. ORBITAL ATMICO9 es el lugar espacial con mayor probabilidad de locali/acin de un electrn alrededor del nLcleo de un )tomo. ORBITAL MOLECULAR9 es un orbital Due se forma cuando los orbitales atmicos se traslapan, formando un orbital Due pertenece a toda la mol*cula y no solo a un )tomo individual

O>IDACIN9 proceso en el cual se retiran electrones de un )tomo o mol*cula. PEDOT9 poly=1,6Eetilendio&ytiofeno?. 7ompuesto Due muestra muy buenas propiedades electroDumicas. PENTACENO' Bidrocarburo arom)tico, Due forma cristales semiconductores. P?T?ALOCYANINE9 material semiconductor org)nico utili/ado en sensores, eDuipos pticos reescribibles, etc. PLANO NODAL9 plano Due divide un volumen, donde la probabilidad de encontrar un electrn es cero. PLED9 es un $D en donde el semiconductor es un polmero org)nico. POLARN9 es uno de los portadores de carga libre en algunos semiconductores org)nicos. $s formado por la retirada o adicin de un electrn a una mol*cula org)nica. $n medio del catin o anin y el radical Due se forman se crea un cambio en la estructura del polmero, el cual es caracterstico de esta cuasiE partcula. POLARN NEGATIVO9 polarn Due fue formado por reduccin. POLARN POSITIVO9 polarn Due fue formado por o&idacin. POLIACETILENO9 uno de los primeros materiales semiconductores org)nicos descubiertos ==E7 7E?n?. POLIANILINAS9 semiconductor org)nico, de amplio uso. POLIENO9 compuesto Due tiene varios enlaces dobles.

POLIFLUORENOS9 material polim*rico utili/ado en % $Ds. POLMEROS9 os polmeros son compuestos formados por la unin de m)s de 32 unidades moleculares carbonadas id*nticas, Due reciben el nombre de monmeros y pueden llegar a contener cientos o incluso miles de monmeros, constituyendo mol*culas gigantes o macromol*culas. POLIPIRROLE9 polmero semiconductor org)nico, utili/ado en dispositivos electrnicos. POLITIOFENOS9 material semiconductor org)nico utili/ado en % $Ds, %-$<s, etc. PPP9 +oly=paraEpBenilene?, semiconductor org)nico utili/ado en + $Ds. PPV9 poly=paraEpBenylene vinylene?, semiconductor org)nico utili/ado en + $Ds. PRINCIPIO DE AUFBAU' este principio dice Due un electrn siempre va al orbital de menos energa disponible. PRINCIPIO DE E>CLUSIN DE PAULI9 dice Due no mas de 3 electrones pueden ocupar un orbital y los dos electrones deben tener espines opuestos. PRINCIPIO DE FRAN=DCONDON 9 dice Due las transiciones electrnicas son mucBo mas r)pidas Due las transiciones del nLcleo, es decir Due los electrones e&citados efectLan sus movimientos mucBo mas r)pido de lo Due le toma al nLcleo reacomodarse. PRINCIPIO DE INCERTIDUMBRE DE ?EISENBERG9 dice Due la ubicacin y el momento de una partcula son dos par)metros Due no pueden ser simult)neamente determinados.

PROMOCIN ELECTRNICA9 es el resultado de la aplicacin de la regla de m)&ima multiplicidad de 4und, la cual dice Due en los orbitales atmicos, la mayor estabilidad se logra cuando los espines electrnicos se encuentran desapareados. PSS9 poly=styrene sulpBonic?, compuesto utili/ado para mejorar las caractersticas electrnicas del +$D%<. PV=9 poly =vinyl Parba/ole?, semiconductor org)nico utili/ado en dispositivos electrnicos org)nicos. RADIATIVO9 Due radia o emite lu/. RADICAL9 )tomo o mol*cula con un electrn desapareado. REDO>' abreviacin del proceso de o&idoEreduccin. REDUCCIN9 proceso mediante el cual se adicionan electrones a un )tomo o mol*cula. RESONANCIA9 nombre Due se da a procesos de deslocali/acin electrnica. SEMICONDUCTOR9 un semiconductor es un caso intermedio entre un metal y un aislante. $n este la banda de conduccin esta vaca como en un aislante, sin embargo, la banda de gap es menor y permite Due sean promovidos electrones mediante e&citaciones pticas o t*rmicas. SEMICONDUCTOR ORGNICO9 compuesto conjugado de )tomos de carbono enla/ados con o&igeno, Bidrogeno, nitrgeno y otros pocos elementos, Due gracias a la conjugacin adDuiere caractersticas semiconductoras.

SEMICONDUCTORES ORGNICOS ?BRIDOS9 semiconductores org)nicos formados por la unin tanto de polmeros org)nicos semiconductores como de monmeros u oligmeros semiconductores org)nicos. SITIOS9 se denominan as mol*culas individuales, o segmentos de un polmero en donde ocurre un fenmeno en especfico. SOLITONES9 son cuasiEpartculas Due transportan energa en polmeros con estado base degenerado. Se forman mediante la o&idacin =reduccin? de un polmero con estado base degenerado o&idado =reducido?. Se caracteri/a por cambiar la configuracin de la cadena sin cambiar de energa y sus cargas no est)n enla/adas. SINGLETE9 se denomina as cuando un electrn e&citado adopta un espin igual al Due tenia en el estado base. SMOLED9 $D en donde el material semiconductor esta BecBo de peDue.as

mol*culas =monmeros u oligmeros? org)nicas. ESPIN COATING' t*cnica preferida en la aplicacin de pelculas delgadas uniformes para dispositivos electrnicos. 7onsiste en depositar sobre el centro del sustrato una cantidad suficiente de polmero en solucin y luego se Bace girar a gran velocidad el sustrato para esparcir el polmero gracias a la fuer/a centrifuga. TCNICAS DE PERCOLACIN9 es una t*cnica Due utili/a la teora de la percolacin, la cual representa uno de los modelos mas simples para manejar sistemas desordenados. T?IA<OLE9 semiconductor org)nico utili/ado en la fabricacin de dispositivos electrnicos.

T?IOP?ENE9 tiofeno. TIOFENO9 semiconductor org)nico utili/ado en la fabricacin de dispositivos electrnicos. TIPO N9 material Due posee e&ceso de electrones. TIPO P9 material Due posee e&ceso de Buecos. TRAMPAS O ESTADOS TRAMPA' son impure/as Dumicas =dopantes? o defectos estructurales Due generan nuevos estados energ*ticos, en los cuales los portadores de carga son atrapados por periodos de tiempo. TRIPLETE9 se denomina as cuando un electrn e&citado Dueda con un espin antiparalelo al Due tenia en el estado base.

RESUMEN

a electrnica org)nica naci en 0899 con el descubrimiento de los polmeros conductores, por parte de 4ideFo SBiraFaGa, Alan 4eeger y Alan MacDiarmi. $ste descubrimiento los condujo a ganarse el premio >obel de Dumica en el a.o 3222. os materiales org)nicos se dividen en compuestos, de pocas mol*culas =monmeros y oligmeros? y en compuestos de grandes cantidades de mol*culas o compuestos polim*ricos. $stos materiales tienen la capacidad de conducir energa y emitir lu/ gracias a Due tienen una configuracin especfica, denominada conjugacin. $sta configuracin se caracteri/a por la alternacin de enlaces simples y dobles en la cadena principal de estos materiales. os materiales org)nicos con propiedades electrnicas y optoelectrnicas Ban sido toda una revolucin en la industria electrnica, la cual los Ba comen/ado a implementar en pantallas para celulares, televisores, celdas fotovolt)icas, l)seres, etc., adem)s de implementar nuevas aplicaciones tales como, papel electrnico, mLsculos artificiales, ventanas inteligentes, nervios artificiales, entre otras.

a electrnica org)nica aun no alcan/a el desempe.o de la electrnica tradicional del silicio y el germanio, pero en el mediano pla/o, se espera Due reemplace a los semiconductores inorg)nicos en el campo optoelectrnico, gracias a su facilidad de fabricacin, bajo precio y mejor desempe.o. $n el largo pla/o, se espera Due los semiconductores org)nicos mejoren su velocidad y puedan competir con la electrnica tradicional en todos los campos.

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INTRODUCCIN

a vertiginosa velocidad con Due se dan los avances en la industria electrnica, conlleva a la bLsDueda de nuevos materiales y campos de aplicacin de los dispositivos electrnicos. 7omo resultado de esta bLsDueda, nace la electrnica org)nica, la cual se refiere a los materiales org)nicos =Due son aDuellos Due est)n constituidos por carbono principalmente y Due se enla/an generalmente con unos pocos elementos, entre los cuales, los principales son' carbono, Bidrgeno, o&geno y nitrgeno? Due tienen un rol activo en la industria electrnica, es decir, aDuellos materiales Due cumplen funciones an)logas a los semiconductores y conductores y Due los pueden reempla/ar en mucBas aplicaciones, con mejor rendimiento y m)s bajo costo de fabricacin, adem)s de crear nuevos campos de aplicacin, tales como el papel electrnico, las pantallas fle&ibles, las ventanas inteligentes, mLsculos y nervios artificiales. etc. $sta rama de la electrnica nace en 089:, cuando el japon*s 4ideFo SBiraFaGa en colaboracin con Alan 4eeger y Alan MacDiarmi de la universidad de +ensilvania, descubren los polmeros conductores y publican su descubrimiento en el articulo HSynthesis of electrically contucting organic polymers: Halogen derivatives of polyacetilene (CH)n, en el diario de la sociedad Dumica, Chemical Comunications. $l descubrimiento fue considerado como un gran suceso, tanto Due, SBiraFaGa, MacDiarmi y 4eeger fueron galardonados con el premio >obel de Dumica en el a.o 32220.

AMR!<RA% +A<" , SatisB. adder +olymer for +Botonic Applications. Qen lineaR, s.l. !niversidad de ,ergiscBen, febrero de 3226. p. 01 Qconsulta' 05 de octubre de 3226R.

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$stos

materiales

org)nicos

conductores,

Ban

sido

objeto

de

mucBas

investigaciones y desarrollos, tanto Due en 08:5 A. <sumura, 4. Poe/uFa y <. Ando fabrican el primer dispositivo con esta tecnologa, un -$< org)nico, y al a.o siguiente 7Bing K. <ang y Steven A. (an SlyFe de $astman PodaF fabrican el primero $D org)nico, basado en mol*culas org)nicas de bajo peso molecular. a cadena de adelantos continu con la fabricacin del primer $D org)nico polim*rico en 0882, por parte de Jeremy ,urrougBs y sus colegas RicBard -riend y Donald ,radley del laboratorio 7avendisB de la !niversidad de 7ambridge en el Reino !nido y en 0889 con el lan/amiento al mercado del primer producto con esta tecnologa, un display de color verde en un radio de la +ioneer. A partir de esta fecBa la industria a desarrollado papel electrnico, bateras org)nicas, % $Ds = $Ds org)nicos?, %-$<s =-$<s org)nicos?, monitores, condensadores, cBips y un sin nLmero de dispositivos y nuevas aplicaciones basadas en materiales org)nicos. $sta nueva tecnologa no reempla/ar) en el corto y mediano pla/o a la tecnologa del silicio, debido a Due sus velocidades de conmutacin no son las apropiadas, pero se espera Due en largo pla/o, estas velocidades se alcancen y domine una gran variedad de aplicaciones Due Boy en da se basan en el silicio, debido a Due esta nueva tecnologa presenta un costo de manufactura m)s bajo y en algunas aplicaciones mejor rendimiento. +or la importancia Due tienen estos avances tecnolgicos en la rama de la

electrnica, se decidi Bacer como trabajo de grado este te&to, titulado H$lectrnica %rg)nicaI, Due es una recopilacin en forma general del estado actual de esta tecnologa, el cual tiene como objetivo, servir a los estudiantes e ingenieros electrnicos, como te&to introductorio, en el cual puedan encontrar los fundamentos y aplicaciones de la electrnica org)nica, con el fin de Due adDuieran un concepto mucBo m)s amplio de *sta, Due es, una de las vertientes tecnolgicas con m)s perspectivas a principios de este siglo.

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3. SEMICONDUCTORES ORGNICOS

os materiales org)nicos son compuestos Due basan su estructura en el )tomo de carbono. $ste al igual Due el silicio y el germanio Bace parte del grupo "( de la tabla peridica y como es caracterstica de los elementos de este grupo, tiene una valencia de cuatro, lo Due le permite enla/arse con cuatro )tomos m)s. $l carbono como tambi*n los dem)s elementos del grupo "( presentan una distribucin electrnica Due termina en s 2 p 2 , Due determina Due solo son capaces de formar dos enlaces, pero esto est) muy alejado de la realidad, en donde como ya mencionamos se enla/an con cuatro )tomos, entonces, S7omo es posible Due se formen cuatro enlacesT. +ara responder esta pregunta primero tenemos Due conocer unos conceptos b)sicos acerca de los )tomos, como son los de' orbital, Bibridacin y enlaces atmicos.

3.3 ORBITAL.

os electrones, como se descubri a principios del siglo UU con los trabajos de +lancF3, $instein1, de ,roglie6, 4eisenberg5 y ScBrVdinger;, presentan un comportamiento dual entre onda y partcula, y este comportamiento conduce a Due no se les pueda atribuir una posicin fija, sino tan solo, un volumen en el espacio en donde la probabilidad de encontrar un electrn es mucBo mayor. A esta porcin en el espacio se le denomina orbital. Del principio de e&clusin postulado por
2 3

Radiacin de cuerpo negro. $fecto fotoel*ctrico. 4 +ostulado de dualidad ondaEpartcula. 5 +rincipio de incertidumbre. 6 $cuacin de onda de ScBVdinger.

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+auli, para sistemas conformados por fermiones, se determin Due dos partculas subatmicas no pueden e&istir, en un mismo instante y lugar, con los mismos nLmeros cu)nticos, es decir, no pueden tener la misma energa, momento angular y momento de espin. +ara Bacerlo, deben diferir en por lo menos uno de estos nLmeros. De acuerdo con esto, en un orbital, a lo sumo pueden estar dos electrones en el mismo instante, siempre y cuando tengan espines diferentes, es decir, antiparalelos. os trabajos de los cientficos citados arriba, determinan Due un )tomo est) conformado por un nLcleo Due consta de protones con carga positiva y neutrones sin carga, Due tienen la funcin de mantener unidos a los protones Due mutuamente se repelen. Alrededor del nLcleo giran electrones en un nLmero tal Due las cargas negativas son iguales Due las cargas positivas en el nLcleo y mantienen una neutralidad de cargas en el )tomo, adem)s, estos electrones slo pueden ocupar capas o niveles de energa discretos, los cuales solo pueden contener un nLmero fijo de electrones. Sin embargo, cada capa o nivel de energa se divide en subniveles o subcapas, de diferentes energas discretas. Dependiendo del nLmero de protones del nLcleo, los electrones de la periferia, van llenando ordenadamente cada subnivel de cada nivel de energa permitido, Basta Due todos los electrones est*n ubicados energ*ticamente. +or lo tanto, los electrones, Due pueden ser definidos como una partcula fundamental u onda estacionaria, con carga negativa, pueden ser ubicados en un )tomo, teniendo en cuenta su nivel de energa o capa Due ocupan y el subnivel o subcapa de energa en la Due se encuentran. $n el )tomo, los electrones tienen unas funciones de probabilidad de e&istencia llamadas orbitales, las cuales adoptan, segLn +aula AurFanis,9 diferentes formas de acuerdo a la subcapa Due ocupen y diferentes tama.os de acuerdo a la capa en Due se encuentren. $stos orbitales en la pr)ctica son de cuatro tipos' s, p, d, y f. os orbitales s, son esf*ricos y sin orientacin, los orbitales p tienen forma de reloj de arena y se orientan a lo largo de los tres ejes cartesianos, y los orbitales d y f tienen formas y orientaciones mucBo m)s
7

,R!"7$, +aula AurFanis. %rganic 7Bemistry. Second edition. >eG AorF' +rentice Ball. 088:. p.0;

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complejas, pero en el estudio de los semiconductores, no tienen relevancia. <eniendo en cuenta Due en la pr)ctica Bay cuatro tipos de orbitales, se puede inferir Due tambi*n en la pr)ctica solo Bay m)&imo cuatro subcapas en cada nivel de energa. <ambi*n cabe anotar Due en las capas llenas, siempre los orbitales contienen dos electrones.

F($)ra 3. %rbital 0S.

F($)ra 2. %rbitales tipo +. $n un )tomo individual a los orbitales se les denomina orbitales atmicos, pero cuando dos )tomos se unen para formar mol*culas, a los orbitales de los electrones Due mantienen unidos a los )tomos, se les denomina orbitales moleculares.

3.2 ?IBRIDACIN.

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naturale/a,

como

dice

-red

4oyle:, es

amante

de

estar

siempre

energ*ticamente relajada y sin tensiones, ra/n por lo cual en todo momento tiende a estar en el nivel de energa m)s bajo Due permitan las condiciones ambientales. $sto conduce a la regla de m)&ima multiplicidad de 4und, la cual dice Due en los orbitales atmicos, la mayor estabilidad =menor energa? se logra cuando los espines electrnicos se encuentran desapareados. $sta regla significa Due, en una capa o nivel de energa, un orbital no contendr) dos electrones, Basta Due todas las subcapas de ese nivel no est*n ocupadas por lo menos con un electrn. De esta manera, cuando no tomamos en cuenta la regla de 4und al Bacer la distribucin electrnica, estamos cometiendo una eDuivocacin, y para solucionarla tenemos Due tener en cuenta un proceso denominado promocin electrnica, el cual se ve en la figura 1 y consiste en promocionar electrones Due forman pares, a orbitales vacos de la misma capa. $ste fenmeno es posible ya Due Hla diferencia de energa entre los orbitales s y p de una misma capa, es generalmente del mismo orden de magnitud Due la energa de enlaceI 8. a regla de 4und y el proceso de la promocin electrnica responden la pregunta de por Du* los )tomos del grupo "( forman cuatro enlaces y no dos. Sin embargo, dependiendo de las condiciones energ*ticas en las Due se encuentren los )tomos al momento de formar mol*culas, los diferentes tipos de orbitales de una capa est)n en la capacidad de me/clarse en su totalidad o parcialmente para formar orbitales Bbridos. $ste proceso de me/cla se denomina Bibridacin y Hconsiste en combinar orbitales atmicos con el fin de producir igual nLmero de orbitales atmicos me/clados, pero de caractersticas diferentes a los originalesI02.
8 9

os

4%A $, -red. Astronomia. $diciones Destino, ,arcelona =$spa.a?, 08;3. pag 318. >ASSA!, Purt. as causas del dolor. "nvestigacin y ciencia. +rensa cientifica S.A. ,arcelona =$spa.a?. >. 50. Dic 08:2. pag.5;.

10

#AR7"A, Arcesio, A!,AD, ADuilino, WA+A<A, Ruben. 4acia la Dumica 3. +rimera edicin. ,ogota' $ditorial <emis, 0885. p. 3:

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diferentes tipos de Bibridacin Due se pueden dar en los )tomos del grupo "( son' sp1, sp3 y sp =ver figura 1?. $stas se caracteri/an porDue en la primera, los tres orbitales atmicos p y el orbital atmico s se Ban me/clado para formar cuatro orbitales Bbridos, en la segunda solo el orbital atmico s y dos de los p se Ban me/clado, formando tres orbitales Bbridos y Duedando el tercer orbital atmico p sin Bibridi/ar, y en la tercera solo el orbital s y un orbital p se Ban me/clado para formar dos orbitales Bbridos, Duedando dos orbitales p en su estado original.

F($)ra 4. <ipos de Bibridacin de los )tomos del grupo "(.

3.4 ENLACES ATMICOS.

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7uando dos )tomos se unen para formar una mol*cula, siempre la mol*cula resultante tendr) menos energa Due los dos )tomos individuales, de lo contrario, la unin no se dara y esto es debido a Due como ya dijimos, la naturale/a siempre tiende a estar en su estado de menor energa. $n el caso de las mol*culas formadas por los elementos del grupo "(, estas se forman, cuando los )tomos involucrados en el enlace comparten sus electrones de valencia =electrones desapareados de la Lltima capa?, este mecanismo se denomina enlace covalente. $ste tipo de enlace se da mediante el traslapo de dos orbitales atmicos, y esta interaccin da como resultado la formacin de dos orbitales moleculares de diferentes caractersticas. +ara entender esto, recordemos Due los electrones son ondas estacionarias y como ya sabemos los orbitales representan a los electrones. +or lo tanto, en este orden de ideas, cuando dos orbitales se traslapan o se unen generan una unin Due tiene la posibilidad de darse de dos maneras. !na de esas posibilidades es Due las dos funciones de probabilidad u orbitales est*n en fase =propiedad de las ondas? y Due ambos electrones tengan espines opuestos =antiparalelos?. $sta opcin, como dice +aula AurFanis,00 origina un orbital molecular Due se caracteri/a por tener una densidad electrnica muy alta, debido a Due al estar en fase los dos electrones, significa Due estos la mayora del tiempo estar)n juntos, lo cual ayuda a mantener a los dos )tomos juntos, ya Due cuando en el medio de dos nLcleos est)n presentes electrones, estos reducen la repulsin electrost)tica entre los protones. $l BecBo de Due los electrones est*n en fase y tengan espines opuestos conduce a Due este orbital molecular se caracterice por ser muy estable =este en un nivel energ*tico bajo?. $ste orbital molecular se denomina enlace orbital molecular. a otra opcin es Due los electrones est*n desfasados y puedan tener espines paralelos, lo Due genera un orbital molecular denominado antienlace orbital molecular, como escribe Raoul ScBroeder03, debido a Due al estar desfasados, la densidad electrnica entre los
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,R!"7$, %p. 7it, p.0; S74%$D$R, Roul. 7Baracteri/ation of organic and inorganic optoelectronic semiconductor devices using advanced spectroscopic metBods. Qen lneaR. s.l.' (irginia polytecBnic "nstitute and State !niversity. 3220. XscBolar.lib.vt.eduYtBesesYavailableYetdE20293223E286:20YunrestrictedY RaoulZ ScBroederZtBesis.pdf [ Qconsulta' -ebrero de 3225R
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nLcleos es muy baja y esto origina Due la repulsin electrost)tica entre los protones no se redu/ca. <ambi*n, tener la posibilidad de Due bajo ciertas circunstancias Due no violan el principio de e&clusin de +auli, los electrones tengan el mismo espn, genera inestabilidad. +or lo tanto, este antienlace orbital molecular, es un orbital Due se caracteri/a por ser inestable e ir en contra de la e&istencia de la mol*cula, y de esta forma presentar un nivel de energa mucBo mayor al anterior. +or lo tanto cuando los electrones se encuentran en el orbital enla/ante y el orbital antienla/ante esta vaci la mol*cula est) en su nivel de mayor estabilidad =menor energa?, pero cuando los electrones se encuentran en el orbital antienla/ante, si solo uno de ellos est) en *ste, la mol*cula pierde estabilidad, pero si los dos electrones se encuentran en este orbital, la mol*cula tiende a no ser viable debido a Due se encuentra en un nivel de energa muy alto =m)s alto Due los dos )tomos por separado?. HDurante la formacin de un enlace, cuando los dos orbitales atmicos se apro&iman el uno al otro para traslaparse, a medida Due los electrones de cada )tomo comien/an a ser atrados por las cargas positivas del nLcleo del otro )tomo, al igual Due por su propio nLcleo, la energa potencial el*ctrica comien/a a disminuir, Basta llegar a un punto en Due la apro&imacin de los )tomos es tan peDue.a, Due los nLcleos empie/an a repelerse. A la distancia en Due se da este fenmeno significa, Due la mayor estabilidad =mnima energa? Ba sido alcan/ada, con lo cual esta distancia corresponde a la longitud propia del enlace. +or ejemplo, la longitud del enlace BidrgenoEBidrgeno es de 2.96 O. a figura 6 muestra Due Bay una disminucin de la energa cuando se forma el enlace covalente. De la misma forma en Due el enlace covalente tiene una longitud determinada, durante su formacin tambi*n se libera energa. +or ejemplo, cuando se forma el enlace BidrgenoEBidrgeno se liberan 026PcalYmol. $sta liberacin de energa durante la formacin implica Due para lograr la separacin de la mol*cula se reDuiere la misma cantidad de energa, la cual se denomina energa de disociacin. De esta

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manera todo enlace covalente tiene una longitud del enlace caracterstica y una energa de disociacin determinadaI01.

F($)ra 5. $nerga de enlace. F)#*&#9 ,R!"7$, +aula AurFanis. %rganic 7Bemistry. 3nd edition. +rentice 4all. 088:. p.0:. 7ontinuando con la descripcin de los enlaces atmicos, cuando dos )tomos de carbono se enla/an, dependiendo de Due clase de orbitales se unen o traslapan se dividen en dos tipos' enlace =p? y enlace C =sigma?. $l enlace C, se genera en el )tomo de carbono, cuando se unen orbitales atmicos Bbridos. $ste enlace se da a muy corta distancia =longitud del enlace?, ra/n por la cual es muy fuerte. $ste tipo de enlace es el encargado de darle la fuer/a caracterstica al enlace covalente.

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BRUICE, Op. Cit, p. 18

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F($)ra 5. $nlaces moleculares C =sigma? entre orbitales atmicos p. $l enlace , se forma cuando los orbitales Due se traslapan son los orbitales p Due no Ban Bibridi/ado, de tal forma Due este tipo de enlace slo se da cuando los )tomos Ban sufrido Bibridacin sp3 o sp, y ya Due estos orbitales est)n muy separados uno del otro al enla/arse, debido a Due entre ellos siempre estar) presente un enlace C, no alcan/an la distancia ideal =longitud del enlace?, motivo por el cual son de menor fuer/a y por ende menos estables Due los enlaces C. $s importante anotar Due los enlaces , son los enlaces Due caracteri/an a los enlaces dobles y triples.

F($)ra 6. $nlaces moleculares p =? entre orbitales atmicos p.

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4abiendo entendido porDue los )tomos del grupo "( forman cuatro enlaces y no solo dos, y comprendiendo el concepto de orbital y de enlace atmico, muy seguramente !d. se preguntar), S+or Du* si el carbono est) en el mismo grupo del silicio y el germanio, adem)s Bibridi/a igual y forma el mismo tipo de enlaces, Due origina Due el silicio y el germanio formen cristales semiconductores y el carbono cristalino, como es el caso del diamante sea tan mal semiconductorT. a respuesta, es Due en los )tomos en general, tal como dice Purt >assau 06, el gap =diferencia de energa entre niveles discretos o bandas de energa? entre niveles de energa adyacentes, varia en forma inversamente proporcional al radio atmico, es decir a mayor radio atmico, menor gap, por lo tanto, el carbono Due es uno de los )tomos con menor radio atmico debido a su bajo peso, de acuerdo a lo anterior, presenta un gap entre su nivel de valencia y de conduccin Due se sale ligeramente del rango de los buenos semiconductores, mientras Due el silicio y el germanio, los cuales son m)s pesados y de mayor radio, de acuerdo a la premisa inicial, presentan una diferencia energ*tica entre su nivel de valencia y de conduccin Due es menor a la del carbono y est) dentro de los niveles energ*ticos Due caracteri/an a los semiconductores =1 e(?. Despu*s de esto, entonces !d. se preguntar), S7omo es posible Bablar de semiconductores org)nicosT, para entender como un compuesto org)nico puede ser semiconductor, primero debemos comprender Due es lo Due los Bace aislantes y para ese fin, observemos primero las caractersticas el*ctricas del )tomo de carbono.

3.5 CARACTERISTICAS ELECTRICAS DEL ATOMO DE CARBONO.

$l )tomo de carbono es el elemento Due en la naturale/a presenta mayor versatilidad debido a su valencia de cuatro y a su tama.o, y gracias a esto sobrepasa en decenas de veces a los dem)s elementos, en cuanto a la cantidad
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>ASSA!, %p. 7it, p.5:

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de compuestos Due puede formar. Sin embargo Basta antes de los a.os 92\s, los compuestos org)nicos fabricados por el Bombre y por la naturale/a, Baban tenido caractersticas el*ctricas muy pobres para ser considerados como conductores o semiconductores en la industria electrnica. +or esta ra/n, en la industria siempre los materiales org)nicos y los pl)sticos sint*ticos Ban solo sido implementados como materiales aislantes, materiales de soporte o como materiales foterresistivos en la industria electroEptica de las impresoras, c)maras fotogr)ficas, de la discografa, etc. a ra/n para Due ese comportamiento aislante se de en los materiales org)nicos, recae en varios aspectos, Due son' el tipo de enlaces Due forman, organi/acin o distribucin de los enlaces y cantidad de )tomos de carbono constituyentes. os materiales org)nicos tradicionales son aislantes debido a Due por lo general presentan enlaces simples y dobles Due no est)n alternados entre si, es decir no est)n conjugados, y si lo est)n no se presentan en grandes e&tensiones. De esta manera al no presentar conjugacin en una gran cantidad de )tomos y de Bacerlo en forma irregular, origina Due su comportamiento sea mayoritariamente regido por las caractersticas el*ctricas de los enlaces C, Hlos cuales presentan un gap entre el enlace orbital molecular y el antienlace orbital molecular demasiado grande, mayor a ; e(I05, lo Due los categori/a como materiales donde es imposible promover un electrn desde el orbital enla/ante ocupado de mayor energa =4%M%? al orbital antienla/ante desocupado de menor energa = !M%?, mediante una radicacin visible o una fuente de campo el*ctrico convencional. $l enlace C presenta un gap tan amplio, debido a Due es un enlace muy fuerte y estable, y cuando algo es muy estable implica Due se encuentra a una energa muy baja de acuerdo a las condiciones energ*ticas de su entorno. +or lo tanto, la energa del orbital enla/ante mas alto =4%M%? o nivel de valencia mas alto de este enlace estar) a una energa muy baja. Sin embargo, el nivel de conduccin mas bajo de este enlace corresponde al orbital antienla/ante mas bajo = !M%?, el cual como ya conocemos desestabili/a la mol*cula y como para desestabili/ar algo muy estable Bay Due suministrarle mucBa energa, este se encontrar) a una energa muy alta, lo Due causa Due el
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<!R<%>, RicBard. $l +unto 7uantico, la microelectronica del futuro. Alian/a $ditorial S.A. Madrid. 0885. p. ;2

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gap en el enlace C se tan amplio. +or otro lado, si los anteriores factores determinan a un compuesto org)nico como aislante, S]ue caractersticas lo definen como conductorT. 7omo vimos anteriormente, un compuesto org)nico no puede ser semiconductor mediante una estructura cristalina de tipo atmico como la del silicio o el germanio, ya Due de esta manera su gap sera muy amplio, como en el caso del diamante. $n consecuencia para Due un compuesto org)nico se comporte como un semiconductor debe optar por otra alternativa, la cual en su caso es la conjugacin, Due consiste en una estructura de enlaces simples y dobles Due se alternan =ver figura 9?, pero a diferencia de los aislante org)nicos, esta conjugacin debe ser e&tensa, es decir Due se de a lo largo de toda una mol*cula, o en su gran mayora, con lo cual el material ya no ser) regido por las caractersticas del enlace C, sino por las caractersticas del enlace .

F($)ra 7. $structura de un polmero conjugado.

$l enlace , a diferencia del enlace C, es m)s d*bil y esta debilidad se traduce en inestabilidad, lo Due conduce a Due el gap del enlace sea menor Due el del enlace C. !d, se preguntar) entonces, S+or Du* el gap del enlace C es mayor Due el del enlace T, y la respuesta, se basa en lo siguiente' como el enlace es menos fuerte o menos estable Due el enlace C, significa Due su energa ser) mayor y por tal ra/n su 4%M% esta ubicado a mayor energa Due el 4%M% del enlace C. +or otro lado, para desestabili/ar algo no muy estable se necesita menor energa Due para Bacerlo con algo muy estable, y al ser el enlace menos estable Due el enlace C, implica Due, el nivel de energa del !M% del enlace , este ubicado a menor energa Due el del enlace C. =ver figura :?.

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F($)ra 2. Diagrama de energa de un enlace molecular. $n la figura :, se ve el esDuema energ*tico de una mol*cula Due presenta enlaces dobles, en *sta n representa el nLmero de electrones Due participan en enlaces y m al nLmero de electrones Due participan en enlaces C. +ara entender mejor el car)cter aislante o no de un compuesto org)nico, consideremos la figura 8, en donde se muestran tres tipos de dienos =compuestos org)nicos Due poseen enlaces doble?, en *sta observamos Due aunDue todas presentan enlaces dobles, la figura A, presenta un comportamiento el*ctrico regido por el enlace C, mientras Due en las figuras , y 7, predomina un comportamiento regido por los enlaces , Due se caracteri/a porDue sus orbitales se traslapan a lo largo de toda la mol*cula, lo Due origina Due los electrones de los sistemas , se encuentre deslocali/ados en las mol*culas individuales.

F($)ra 8. <ipos de dienos. +or lo tanto, aunDue un dieno aislante contiene enlaces , y estos tienen un gap reducido, al presentarse de forma aislada, no permite Due el compuesto se

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comporte de e&tremo a e&tremo como un semiconductor. +or otro lado en los dienos conjugados y alenos los enlaces , se distribuyen por toda la mol*cula, y en consecuencia el gap es reducido a lo largo de toda su e&tensin, lo Due bajo ciertas condiciones les permitira comportarse como semiconductor. !d, preguntar) S+or Du* se dice Due bajo ciertas condicionesT, y la respuesta es Due, la conjugacin aunDue es un reDuisito indispensable, no es suficiente en todos los casos para Due un compuesto org)nico adDuiera propiedades semiconductoras, debido a Due, el Due el gap se redu/ca, no significa Due Duede dentro del rango de los materiales semiconductores. 7uando este rango es alcan/ado se dice Due el compuesto es un semiconductor org)nico intrnseco, de lo contrario, si el material tiene un gap por fuera de este rango Due es de 1 e(, es indispensable Due el compuesto sea dopado, con el fin de reducir aun m)s la brecBa energ*tica entre el nivel de conduccin y el de valencia. Sin embargo, el Due un material org)nico sea intrnsecamente semiconductor no significa Due no nesecite ser dopado, ya Due en estos ocurre lo mismo Due en los semiconductores de silicio y germanio y es Due la banda de valencia est) completamente llena y la de conduccin completamente vaca, con lo Due no Bay vacantes ni portadores de carga Due puedan Bacer parte en la conduccin, y si los Bay, debido a la promocin t*rmica, son en un nLmero muy bajo, adem)s, el semiconductor es bipolar =Due conduce al igual por medio de electrones y de Buecos?, y en estas condiciones no es Ltil para ser utili/ado en dispositivos electrnicos. 7on el fin de suministrar los espacios vacos en la banda de valencia o los portadores en la banda de conduccin y de Due el material condu/ca mayoritariamente por Buecos o electrones, estos materiales nesecitan ser dopados de forma an)loga a los semiconductores inorg)nicos. H a diferencia entre el dopaje de los materiales org)nicos e inorg)nicos, es Due en los inorg)nicos, algunos )tomos del cristal son reempla/ados por )tomos dopantes, mientras Due en los materiales org)nicos los )tomos dopantes se insertan de forma adicional sin reempla/ar a los )tomos en la cadena principal de la mol*culaI0;, adem)s Hel dopaje se da mediante un proceso de o&idoEreduccin en donde interviene un electrolito Due se encarga de mantener la electroneutralidad
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PA>$R, RicBard ,, y MA7D"ARM"D, Alan #. +lasticos Due conducen la electricidad. investigacin y ciencia. +rensa 7ientifica. 08::. p.;6.

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del sistemaI09. 7omo dice %scar arsson0:, $l dopaje en los materiales org)nicos se da mediante dos m*todos principales, Due son' el dopaje Dumico y el electroDumico. $l primero consiste en enla/ar al material org)nico agentes dopantes, Dumicos Due o&idan =remueven electrones? o reducen =adicionan electrones? el compuesto org)nico. 7uando el material es o&idado la electroneutralidad es mantenida mediante la adicin de aniones =cargas negativas? por parte del electrolito, en caso contrario, es decir Due se de una reduccin, la neutralidad se mantiene mediante la adicin de cationes =cargas positivas? por parte del electrolito. $l dopaje Dumico es utili/ado cuando se necesitan dopajes de altas concentraciones, pero para niveles intermedios, este tipo de dopaje no es muy apropiado, la ra/n, es Due es difcil de variar y controlar la concentracin de los agentes dopantes y encontrar agentes dopantes de fuer/a apropiada. $n este caso se utili/a el dopaje electroDumico, en el cual la adicin o sustraccin de electrones se da mediante un potencial el*ctrico y el electrolito mantiene la electroneutralidad al igual Due en el dopaje Dumico. 7abe anotar Due la remocin y adicin de electrones se da en el sistema , el cual es energ*ticamente m)s aseDuible. 7abe anotar Due en el dopaje de los semiconductores, no solo cambian las propiedades el*ctricas del material, sino Due tambi*n cambia el color del material, ya Due al introducir niveles de energa en la banda proBibida, estos nuevos niveles energ*ticos absorben algunas longitudes de onda adicionales, lo Due ocasiona el cambio de color del material dopado, Heste fenmeno se denomina electrocromismoI08. ABora !d. se preguntar), S+or Du* se Babla de Due los materiales semiconductores org)nicos deben ser conjugados y no se nombran a los alenosT. a respuesta a esta pregunta nos la da el dopaje. Al necesitar los compuestos org)nicos ser dopados, se necesita de un material de una reactividad tal, Due
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ARSS%>, %scar. $mpirical parameteri/ation of organic electrocBemical transistors. Qen lneaR s.l.!niversidad de inFVpings. 3226.p.10XGGG.ep.liu.seYe&jobbYitnYedY3226[.Qcons' %ctubre' 3226R. 18 "bid, p. 10 19 "bid, p. 15

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reaccione f)cilmente con los agentes dopantes y los dienos conjugados son m)s reactivos Due los alenos, por ra/ones Due se salen del manejo de este te&to, adem)s como la electroneutralidad es mantenida por un electrolito, se necesitan como escribe Daniel James !linsFi32, espacios de carga para albergar los iones, funcin para la cual son apropiados los enlaces simples, y los alenos al no poseer enlaces simples no poseen espacios de carga y por lo tanto no son utili/ados como semiconductores.

F($)ra 30. 7ompuesto de +$D%<'+SS. F)#*&# 9 ! ">SP", Daniel James. %rganic diode and otBer circuit element creation tBrougB variations of poly=1,6EetBylenedio&ytBiopBene? syntBesis. Qen lneaR. s.l.' +ittsburg !niversity. 3223. XBttp'YYetd.library.pitt.eduY$<DYavailableYetdE29293226E 0:2239Y unrestrictedYDJ!linsFiEMS$$E<BesisE+ittEJulyE3226.pdf [. p.008 Qconsulta' -ebrero de 3225 R. $n la figura 02, se observa un polmero conjugado =+$D%<?, el cual esta dopado =o&idado?, el electrolito =+SS? y se indican los iones y los espacios de carga. #racias al dopaje, un material se comporta como semiconductor, pero tambien gracias al dopaje un compuesto org)nico conjugado puede convertirce en
20

! ">SP", Daniel James. %rganic diode and otBer circuit element creation tBrougB variations of poly=1,6EetBylenedio&ytBiopBene? syntBesis. Qen lneaR. s.l.' +ittsburg !niversity. 3223. XBttp'YYetd.library.pitt.eduY$<DYavailableYetdE29293226E0:2239Y unrestricted Y DJ!linsFiEMS$$E <Besis E+ittEJulyE3226.pdf [. p.008 Qconsulta' -ebrero de 3225 R

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conductor, y esto se logra mediante altos niveles de dopaje, los cuales reducen el gap y ponen a disposicin grandes cantidades de portadores de carga para la conduccin. $n los p)rrafos anteriores Bemos e&plicado lo Due Bace a una mol*cula org)nica individual ser semiconductora, pero en la pr)ctica los materiales utili/ados y tratados en este trabajo no son mol*culas individuales =de las cuales trata la electrnica molecular y cuyo contenido se sale de nuestro alcance?, sino muestras macroscpicas, las cuales constan de millones de mol*culas individuales, y se encuentran unidas ya no por enlaces covalentes sino por fuer/as muy d*biles de tipo polar, como la fuer/a de van der Kaals. $l Due las mol*culas individuales est*n unidas tan d*bilmente origina Due el gap entre mol*culas sea muy grande y la estructura de bandas de energa sea f)cilmente interrumpida, pero aun cuando se piense en Due esto ecBara por tierra la utili/acin de los materiales org)nicos como semiconductores, en realidad no es as y las ra/ones para Due no sea de esta manera las veremos en el siguiente capitulo =fsica de los semiconductores org)nicos?. 4abiendo e&plicado en forma muy general, como un material org)nico puede adDuirir propiedades semiconductoras y conductoras, antes de pasar al siguiente capitulo debemos referirnos a los diferentes tipos de materiales semiconductores Due Ba sinteti/ado la industria y Due forman ya parte, en la actualidad, de una diversidad de dispositivos electrnicos.

3.5 CLASIFICACIN DE LOS SEMICONDUCTORES ORGNICOS.

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os materiales org)nicos, por su naturale/a, pueden formar una infinidad de compuestos de diferentes tama.os, formas y estructuras, y en consecuencia pueden ser clasificados de acuerdo a mucBos par)metros, pero en cuanto a los compuestos org)nicos con caractersticas conductoras, se clasifican en dos grandes grupos, dependiendo de su peso molecular, Due son' mol*culas de bajo peso molecular y mol*culas de alto peso molecular. as primeras se refieren a mol*culas conjugadas, de un tama.o menor a 32 monomeros, las cuales se conocen como oligomeros, y las segundas abarcan a las mol*culas conjugadas de m)s de 32 monomeros, las cuales se conocen como polmeros. Ambos tipos de compuestos org)nicos se diferencian entre si por su tama.o y propiedades fsicas, pero en cuanto a las propiedades el*ctricas su comportamiento es muy similar. $n este apartado tan solo daremos las caractersticas generales de ambos tipos de mol*culas, y las m)s utili/ados en la industria, ya Due los mecanismos utili/ados para transportar portadores de carga y comportarse como semiconductores ser)n descritos m)s adelante. 3.5.3 O'($!E#r!. .#E(+!*")+&!r#.9 $n el campo de la electrnica org)nica, estas mol*culas se caracteri/an por estar constituidas por un nLmero no muy grande de )tomos, con una estructura de sus enlaces conjugada y por formar cristales de tipo molecular. $sto cristales se diferencian de los cristales de tipo atmico como los formados por el silicio, el germanio o el carbono =diamante?, en Due los primeros est)n conformados por la unin de mol*culas individuales Due intramolecularmente est)n unidas por fuertes enlaces covalentes, pero Due intermolecularmente se unen mediante fuer/as d*biles como la de van der Kaals, mientras Due los cristales de tipo atmico son en su totalidad una sola mol*cula Due est) fuertemente unida por enlaces covalentes. $sta diferencia origina Due los cristales de tipo atmico generen estructuras de bandas muy bien definidas debido a Due este tipo de cristales son muy fuertes y la estructura de sus estados energ*ticos permanece inalterada, mientras Due en los cristales moleculares al

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estar unidos por atracciones tan d*biles, y por poseer un nLmero muy bajo de )tomos por mol*cula, su acople energ*tico es bajo y su estructura energ*tica se altera con mucBa facilidad, originando esto Due en este tipo de materiales, la estructura de bandas de energa tenga muy poca importancia en la forma como conducen corrientes el*ctricas. 7abe anotar Due pese a esa facilidad con Due se interrumpe el orden energ*tico, los cristales de mol*culas peDue.as mantienen un orden considerable. os semiconductores fabricados con peDue.as mol*culas, se destacan por presentar mejores niveles de conduccin Due los semiconductores polim*ricos, pero el ser muy difciles de preparar en soluciones, los inBabilita para poder ser depositados con t*cnicas de fabricacin de bajo costo como impresin convencional o spin coating, y por esta ra/n, tampoco pueden formar pelculas delgadas de gran )rea. $ntre los semiconductores org)nicos, las mol*culas de bajo peso molecular m)s utili/adas segLn la pagina XBttp'YYGGG.sBef.ac.uF YpBysicsY tecBingY pBy600cYpBy600.pdf[30, son' <+D, perileno, pentaceno, ;Etiofeno, fullereno =7;2? y AlD1. $l perileno, el pentaceno y el <+D =>,>^EbisE=mEtolyl?E >,>^difenylE0,0EbifenylE6,6^Ediamina? son materiales transportadores de Buecos y usados como materiales fluorescentes en % $D. $l ;Etiofeno, es un representante de la familia del tiofeno, el cual es conocido por su gran movilidad de Buecos, y es usualmente utili/ado en %-$<s. $l +,D ==3E=bipBenylE6Eyl?E5E=6EtertbutylpBenyl?E 0,1,6Eo&adia/ole?, es un conductor de electrones usado en % $Ds. $l 7 ;2 o -ullereno es un material con gran afinidad electrnica, y sus derivados son utili/ados como aceptores de electrones en dispositivos fotovolt)icos. +or Lltimo el AlD1 =tris=:EDuinoleina de aluminio?? es un complejo organomet)lico con una electroluminiscencia de color verde muy eficiente y de muy buena estabilidad, usado en % $D. =ver figura 00?.

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7ontents, Qen lneaR s.l.'s.n.s.f. p.12 XBttp'YYGGG.sBef.ac.uFYpBysicsYtecBingYpBy600cYpBy600.pdf[ Qconsulta' feb. 3225R

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F($)ra 33. +rincipales semiconductores de bajo peso molecular.

F($)ra 32. $structura energ*tica de una peDue.a mol*cula org)nica. F)#*&#9 P, eo. %rganic semiconductors' tBe basics. XBttp'YYGGG.orgGorld.deY[

Qconsulta' jun' 3226R.

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a figura 03, nos muestra un diagrama energ*tico de una peDue.a mol*cula org)nica, en este caso un anillo de benceno, en donde observamos Due la estructura de bandas en este tipo de semiconductores es muy reducida, debido a la poca cantidad de )tomos constituyentes, y en donde se resaltan solo los enlaces , ya Due son los Lnicos Due intervienen en la conduccin, en un semiconductor org)nico. ADu tambi*n se ven en color rojo los niveles de energa del 4%M% y el !M%, Due en las mol*culas de bajo peso molecular, son niveles discretos debido al nLmero de )tomos de este tipo de materiales. 3.5.2 P!'0E#r!. .#E(+!*")+&!r#.9 os polmeros se caracteri/an por ser

cadenas muy largas, compuestas de monmeros, en donde cada monmero est) unido mediante enlaces covalentes. $sto conduce a Due al Baber una gran cantidad de unidades monom*ricas enla/adas fuertemente, dentro de las cadenas de polmero se formen bandas de energa, como en los semiconductores inorg)nicos. Sin embargo estas cadenas son de longitud finita, y un compuesto polim*rico est) constituido de millones de estas cadenas, las cuales est)n muy d*bilmente acopladas, ra/n por la Due en los polmeros al igual Due en los cristales moleculares org)nicos conjugados, la estructura de bandas de energa tampoco presente mucBa relevancia en la corriente total del semiconductor. os polmeros semiconductores a diferencia de los cristales moleculares, son m)s f)cilmente solubles, lo Due permite Due sean depositados mediante impresin convencional o spin coating, y de esta manera ser depositados en pelculas delgadas de gran )rea a muy bajo costo. Adicionalmente, los polmeros semiconductores presentan las caractersticas propias de los materiales polim*ricos, como son fle&ibilidad y durabilidad. $n cuanto a la conductividad, al presentar los polmeros estructuras amorfas, presentan una conductividad menor a los cristales moleculares, por ra/ones Due veremos en el siguiente captulo. os polmeros semiconductores m)s utili/ados en la industria segLn la pagina de "nternet XBttp'YYGGG.sBef.ac.uFYpBysicsYtecBingYpBy600cYpBy600.pdf[33, son' los
22

Ibid, p.30

52

politiofenos, polipirroles, polianilinas, +++ =polyEpara fenileno?, ++( =poly paraE fenileno vinileno?, +(P =poly vinil carba/ole?, polyfluoreno, +$D%<E+SS, ++$ y los dendrimeros. $l ++( es un compuesto muy utili/ado en dispositivos electroluminiscentes, este compuesto en la forma de M$4E++( y cianoE++( es muy soluble y su banda de gap mejora para el transporte de cargas. $l ++$ =poly fenileno etileno? y el +++ y los polifluorenos =+-? tambi*n son muy utili/ados en dispositivos emisores de lu/. $l +(P fue uno de los primeros semiconductores org)nicos descubiertos, junto con el poliacetileno y fue el primer polmero en el cual se report electroluminiscencia. os politiofenos son de gran inter*s por su buena solubilidad y e&celentes posibilidades de procesamiento, adem)s presentan gran capacidad de transporte de carga e ndices altos de onYoff. !no de los politiofenos m)s estudiados es el +$D%< =poly=1,6Eetilendio&ytiofeno??. $l +$D%<'+SS es el resultado de la polimeri/acin Dumica o&idativa del monmero $D%< en poly=acido estireno sulfonico? =+SS?. $l sistema resultante Due consiste de los polmeros conjugados +$D%< de dopado tipo p y +SS como iones opuestos Due mantienen la carga neutral, es altamente conductivo =_ 02Scm`a?, transparente, mec)nicamente durable e insoluble. $n los Lltimos a.os este material transparente est) siendo utili/ado en mucBas aplicaciones en los dispositivos org)nicos electroDumicos y como capa de inyeccin de Buecos en % $D\s = $Ds org)nicos?. os dendrmeros son polmeros BiperEramificadosb su estructura contiene unidades ramificadas repetidas llamadas dendrmeros Due se radan desde su centro. os dendrmeros tienen una concentracin e&tremadamente alta de grupos funcionales Due le confieren su alto peso molecular y su volumen. $n el campo de los % $Ds, los dendrmeros permiten Due las peDue.as mol*culas mantengan sus propiedades semiconductoras y adDuieran algunas ventajas de los + $Ds, como la capacidad de ser procesadas como solucin.

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F($)ra 34. +rincipales polmeros semiconductores.

F($)ra 35. $structura energ*tica de un polmero conjugado. F)#*&#9 P, eo. %rganic semiconductors' tBe basics.XBttp'YYGGG.orgGorld.deY Qconsulta' jun' 3226R.

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$n la figura 06, vemos la estructura energ*tica de un polmero semiconductor, en este caso particular la estructura del ++(, en donde podemos observar, a diferencia de la figura 03, Due en los polmeros semiconductores si se forman bandas de energa bien definidas, y aDu los niveles de energa del 4%M% y el !M% se pueden considerar como niveles no discretos, debido al gran nLmero de )tomos Due conforman los polmeros. Al igual Due en la figura de las mol*culas de bajo peso molecular, aDu solo se muestran las bandas de los enlaces , debido a Due son los niveles de energa de este tipo de enlaces, los Lnicos Due contribuyen a la conduccin en un semiconductor org)nico.

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2. FSICA DE LOS SEMICONDUCTORES ORGNICOS

$n los semiconductores org)nicos al presentarse estructuras desordenadas y mucBo menos acopladas Due en los cristales atmicos Due conforman a los semiconductores inorg)nicos, el modelo de bandas de conduccin, es de poca valide/. $n el caso de los cristales semiconductores, la estructura de bandas no se forma, debido a los pocos )tomos Due conforman cada mol*cula y en los polmeros semiconductores el modelo de bandas se utili/a intramolecularmente, pero intermolecularmente debido al alto grado de desorden y al bajo acople, este modelo no tiene cabida al igual Due en los cristales moleculares. +or lo tanto, si mediante el modelo de bandas no se puede e&plicar el transporte de cargas en los semiconductores org)nicos, Smediante Due modelo se e&plica dicBo transporteT. SegLn (issemberg31, el fenmeno de conduccin en los semiconductores org)nicos se e&plica de la siguiente manera' en los semiconductores org)nicos los electrones se encuentran en estados energ*ticos o niveles de energa locali/ados, a diferencia de los conductores y semiconductores tradicionales en donde los electrones est)n deslocali/ados por todo el material. $n los materiales org)nicos, estos estados locali/ados o sitios son' los estados de las mol*culas individuales en los cristales moleculares, los estados de las cadenas polimericas individuales o los estados de los segmentos de estas cadenas donde la conjugacin es interrumpida por defectos estructurales o Dumicos. 4abiendo definido los estados locali/ados o sitios y teniendo presente Due estos sitios actLan como po/os de potencial, la transferencia de carga entre sitios se da mediante saltos cu)nticos o hopping en donde los portadores de carga mediante efecto tLnel asistido por fonones =vibraciones de la estructura del material? pasan de un sitio a otro, bajo
23

("SS$M,$R#, MicBael 7ornelis JosepBus Marie, %ptoEelectronic properties of disordered organic semiconductors Qen lineaR. eiden' !niversidad de eiden, 0888. p. ;.X Bttp'YYGGG.lorent/. leidenuniv.nlY beenaFFer YtBesesYvissenbergYvissenberg.Btml. Q7onsulta' Abril de 3226R.

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ciertas condiciones especiales. +ara entender un poco m)s este fenmeno, vamos a e&plicar en forma general este mecanismo cu)ntico. $l efecto tLnel, como dice la editorial Time ife!", fue por primera ve/ propuesto por #eorge #amoG a principios del siglo UU, para e&plicar como dos )tomos de Bidrogeno se fusionaban en las estrellas a temperaturas sumamente bajas para Due se diera dicBo fenomeno, y se basa en el principio de incertidumbre y en la ecuacin de onda de ScBrVdinger, la cual predice Due una partcula subatmica dentro de un po/o de potencial o fuera de *ste, siempre y cuando la barrera de potencial sea finita, tiene una probabilidad =aunDue muy peDue.a? de encontrarse por fuera o de entrar a dicBo po/o, atravesando sus paredes, como si Biciera un tLnel, ra/n por la cual se denomin efecto tLnel.

F($)ra 35.+o/o de potencial o sitio. $n un semiconductor org)nico, los electrones como dijimos en el captulo anterior, se encuentran deslocali/ados dentro de los sistemas de las mol*culas individuales de los cristales moleculares o de las cadenas polim*ricas. H$stos electrones al ser estimulados por un campo el*ctrico se mueven dentro de estos sitios de e&tremo a e&tremo y al encontrarse con una barrera energ*tica rebotan y forman ondas estacionariasI35 Due tienen cierto nivel de energa. <eniendo en cuenta lo anterior los electrones u ondas estacionarias tienen la posibilidad de atravesar la barrera de potencial entre las mol*culas o polmeros, siempre y

24 25

$ditorial <ime ife, !niverso, $strellas ". $ditorial -olio S.A. ,arcelona. 0886. p.6: 7%R7%RA>, $li/abetB. >anotecnica. "nvestigacin y ciencia. $d prensa cientifica S.A. >o.093 ,arcelona. 0880. p.:2

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cuando, segLn RicBard <urton3;, los electrones de un sitio origen esten en un nivel de energa igual a uno de los niveles de energa permitido en el sitio al Due va a trasladarse, de lo contrario el hopping no se lleva a cabo. +or lo tanto, con el fin de lograr los niveles de energa necesarios, el papel de los fonones es indispensable, ya Due la energa de los fonones es trasmitida a los electrones Due de esta forma alcan/an la energa suficiente para trasladarse por efecto tLnel.

F($)ra 36. Hopping asistido por fonones. $n la figura 0;, en la parte A, observamos al lado i/Duierdo un electrn en una mol*cula o sitio con una energa inferior a la energa de uno de los niveles de energa discretos de otra mol*cula o sitio, inBabilitando esto su traslado por efecto tLnel. $n la parte ,, al aplicarle un campo el*ctrico al material los niveles de energa al igual Due en los semiconductores inorg)nicos se inclinan y la diferencia de energa entre los dos sitios disminuye pero aun no coinciden. Sin embargo en la parte 7, el electrn absorbe la energa de un fonn e iguala la energa de la mol*cula vecina, situacin *sta Due le permite trasladarse por hopping. H$l mecanismo de efecto tLnel asistido por fonones o Hopping =saltos cu)nticos? fue originalmente propuesto por 7onGell y Mott en los semiconductores
26

<!R<%>, RicBard. $l +unto 7uantico, la microelectronica del futuro. Alian/a $ditorial S.A. Madrid. 0885. p. 316

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inorg)nicos con defectos trampas y la tasa de transicin por efecto tLnel asistido por fonones fue calculada por Miller y AbraBams, en donde el Hopping desde un estado locali/ado # a un estado i se lleva a cabo a una frecuencia para el fonn de

o, la cual es adecuada para Due el fonn sea absorbido por los portadores de

carga, Due as aumentan su energa y se trasladan por efecto tLnelI39.

E+)a+(,* 3. <asa de tunelage asistido por fonones. $n la ecuacin 0, es la longitud inversa de locali/acin, Ri$ es la distancia entre los estados locali/ados,

i es la energa en el estado i y $ es la energa del estado

#. 7omo los ndices de salto son fuertemente dependientes de la energa y la posicin de los estados locali/ados, el transporte por Hopping es e&tremadamente sensible, tanto a la estructura como al desorden energ*tico. a anterior es la ra/n por la Due los cristales moleculares tienen una conductividad mayor Due los polmeros semiconductores. 7onociendo ya el modelo mediante el cual se e&plica la semiconduccin en los materiales org)nicos, es importante conocer, como es la movilidad en estos materiales.

2.3 MOVILIDAD EN LOS SEMICONDUCTORES ORGNICOS.

27

("SS$>,$R#, %p 7it, p.9

59

+ara medir esta caracterstica en los semiconductores inorg)nicos, los investigadores utili/an la t*cnica del tiempo de vuelo, la cual consiste en Hgenerar mediante un flasB de lu/, una capa de portadores de carga cerca de un electrodo de un capacitor de placas paralelas y bajo un campo el*ctrico aplicado $, Bacer Due las cargas se mueven Bacia el electrodo opuesto. $l tiempo de tr)nsito cual las cargas alcan/an ese electrodo =distancia directa de la movilidad de los portadoresI3:.

t al

? es entonces una medida

E+)a+(,* 2. Movilidad por la t*cnica de tiempo de vuelo. Sin embargo en los semiconductores org)nicos segLn (issenberg38, las fotoE corrientes generadas son con frecuencia dispersivas =disminuyen con el tiempo debido a Due las cargas toman diferentes caminos y se inmovili/an temporalmente debido a Due Duedan atrapadas en irregularidades? y por lo tanto la velocidad de las cargas disminuye cuando la muestra es atravesada. $n ese caso el tiempo de arribo promedio de las cargas y consecuentemente la movilidad de los portadores, dependen de la dimensin de la muestra y la movilidad no refleja un par)metro genuino del material. $sa dispersin de la corriente es debido, a Due como vimos en el captulo anterior, los semiconductores org)nicos presentan bajo acople y en especial los polmeros tienen un grado muy alto de desorden al ser amorfos. <eniendo en cuenta lo anterior y segLn Man 4oy Kong12, investigaciones con respecto a la movilidad, Ban concluido Due la movilidad en los materiales org)nicos tiene una dependencia del campo el*ctrico % N %& e&p=cd$? Due es del tipo +ooleE-renFel y adicionalmente se observa un transporte de carga tanto dispersivo como no dispersivo. +or lo tanto, para estudiar la movilidad en los
28 29

"bid, p.: "bid, p.: 30 K%>#, Man 4oy. 7Barge transport and injection in doped organic semiconductors. Qen lneaR, s.l.' 7ornell university. 3226. p. 03 Xmy.ece.ucsb.eduYmBGongYdocumentsYtBesis.pdf[. Q7onsulta' -ebrero de 3225R

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semiconductores org)nicos se utili/a el modelo de ,essler, el cual modela ambos comportamientos, teniendo en cuenta la simulacin de Monte 7arlo, la cual se basa en una distribucin #aussiana de densidad de estados =D%S? o niveles de energa disponibles para los electrones, con el cual se obtienen unos resultados muy acordes con los e&perimentos. DicBos resultados muestran Due el transporte de carga en los slidos org)nicos es altamente dispersivo, y Due la movilidad de los portadores depende de tres aspectos fundamentales Due son' el desorden energ*tico =debido a la fluctuacin de la polari/acin de la energa de la retcula yYo de la distribucin de la longitud de los enlaces del semiconductor?, la intensidad del campo el*ctrico aplicado y el desorden estructural =debido a la fluctuacin de la distancia entre sitios, la cual vara con una varian/a '?. +ara describir los tres aspectos anteriores, el modelo de ,essler, primero calcula, para un paDuete de portadores de carga, la energa media de eDuilibrio en funcin del desorden energ*tico =X()[?, teniendo en cuenta Due los portadores de carga no son sometidos a un campo electrico.

E+)a+(,* 4. $nerga media de eDuilibrio. Donde *(f? es la densidad de estados de energa y es el ancBo de la D%S normali/ados a F< y representa el desorden energ*tico. os sistemas Due poseen grandes desordenes energ*ticos implican bajas temperaturas de acuerdo a la ecuacin y se eDuilibran m)s despacio debido a Due los saltos activados t*rmicamente, Due ayudan a los portadores a encontrar otras trayectorias para la relajacin, est)n eliminados.

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SegLn Man 4oy Kong10, el segundo paso del modelo de ,essler, con el fin de encontrar una ecuacin analtica de la movilidad, tiene en cuenta la dependencia Due tienen la movilidad, de la temperatura, la cual tiene la siguiente ecuacin'

( T ) = exp( 2 / 3) 2 ) .
0

E+)a+(,* 5. Dependencia t*rmica de la movilidad uego, teniendo la relacin de la movilidad con la temperatura, el modelo de ,essler relaciona la movilidad conjuntamente con el campo el*ctrico y el desorden energ*tico, y aDu encuentra un comportamiento como el de la figura 09, en donde el desorden posicional o varian/a es cero =' N 2? y la movilidad del material Hpresenta un comportamiento Due se apro&ima a =log%_+,? Due es del tipo de +ooleE-renFel, el cual se da a campos el*ctricos moderadamente altos =[02 5 (Ycm? con tendencia a saturarse a grandes campos el*ctricos =[02 6 (Ycm?I13. $n la figura se ve Due a medida Due el desorden energ*tico aumenta, la movilidad disminuye, lo cual es consecuencia de lo Due vimos anteriormente cuando tratamos el po/o de potencial, en donde el trasporte por efecto tLnel necesita Due las energas de los sitios entre los cuales se dar) el hopping sean iguales y el desorden energ*tico implica Due dicBas energas son muy dispares. <ambi*n la figura 09 nos muestra Due la movilidad aumenta con el aumento del campo el*ctrico, lo cual es consecuencia de Due la D%S aumenta con el campo y el aumentar la densidad de estados, conlleva inevitablemente a una disminucin en el desorden energ*tico. $sto tambi*n se puede e&plicar retomando la figura 0;, en donde observamos Due un potencial aplicado reduce la barrera de potencial, facilitando el hopping en la direccin del campo aplicado. +or Lltimo y como m)s importante, la figura nos muestra Due a grandes campos, la movilidad alcan/a un nivel de saturacin en el cual deja de depender del desorden energ*tico

31 32

"bid, p.05 "bid, p.05

62

F($)ra 37. (ariacin de la movilidad con el desorden energ*tico, asumiendo desvanecimiento del desorden posicional. F)#*&#9 K%>#, Man 4oy. 7Barge transport and injection in doped organic semiconductors. !niversidad de 7ornell. Mayo de 3226. Xmy.ece.ucsb.eduYmBGongYdocumentsYtBesis.pdf[ Qconsulta' feb 3225R $l modelo de ,essler Babiendo ya considerado el desorden energ*tico, continua su an)lisis, considerando la movilidad relacionada conjuntamente con el desorden posicional y el campo el*ctrico y en este aspecto encuentra Due la movilidad se comporta como la figura 0:, en donde el desorden energ*tico es cero. $n esta figura se observa Due al aumentar el desorden posicional se aumenta la movilidad, lo cual se debe a Due este desorden introduce mucBas rutas alternas, es decir, Due si en la direccin del campo el*ctrico la barrera de potencial es muy grande, es factible Due en otras direcciones se encuentren barreras menos ancBas por las cuales los portadores puedan tomar atajos, incluso en direcciones en contra del campo el*ctrico. Sin embargo a medida Due el campo aplicado aumenta, los portadores de carga son obligados a obedecer la ruta se.alada por el campo y las rutas alternas ya no se pueden tomar, con lo cual disminuye la movilidad.

63

F($)ra 32. (ariacin de la movilidad con el desorden posicional asumiendo desvanecimiento del desorden energ*tico. F)#*&#9 K%>#, Man 4oy. H7Barge transport and injection in doped organic semiconductors.I !niversidad de 7ornell. Mayo de 3226. Xmy.ece.ucsb.eduYmBGongYdocumentsYtBesis.pdf[ Qconsulta' feb 3225R 4abiendo considerado los tres factores de los Due depende la movilidad, el modelo de ,essler, con el objeto de encontrar una frmula general para la movilidad, toma todos los factores en conjunto y llega una ley universal Due relaciona los tres efectos'

E+)a+(,* 5. Movilidad relacionada con $ y el desorden energ*tico y posicional.

64

$n la ecuacin 5, 7 es un par)metro del sistema Due depende del material. <eniendo en cuenta todo lo anterior se puede concluir Due' E SegLn Man 4oy Kong11, Mediante una combinacin adecuada de desorden energ*tico y de desorden posicional se puede lograr Due la movilidad de un semiconductor org)nico no dependa del campo el*ctrico aplicado =sea constante en la pr)ctica?, siempre y cuando este se mantenga dentro de un rango especfico. E $l desorden energ*tico disminuye la movilidad y en si mismo disminuye con el campo el*ctrico. E $l desorden posicional aumenta la movilidad, pero tambi*n disminuye con el campo el*ctrico. E $l campo el*ctrico Bace Due la movilidad de un semiconductor org)nico no sea constante =pero este efecto tiene solucin? y satura la movilidad de los portadores de carga a campos elevados.

a figura 08 muestra la movilidad de los Buecos en <A+7Ypolycarbonate ante la presencia de ambos par)metros de desorden y del campo el*ctrico.

33

"bid, p.0;

65

F($)ra 38. Movilidad del <A+7'+7 con desorden energ*tico y posicional. F)#*&#9 K%>#, Man 4oy. H7Barge transport and injection in doped organic semiconductors.I !niversidad de 7ornell. Mayo de 3226. Xmy.ece.ucsb.eduYmBGongYdocumentsYtBesis.pdf[ Qconsulta' feb 3225R

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2.2 CONDUCTIVIDAD EN LOS SEMICONDUCTORES ORGNICOS.

<eniendo en cuenta el modelo de trasporte de cargas en los semiconductores org)nicos y el comportamiento de la movilidad con el desorden y el campo electrico, podemos encontrar la conductividad de un semiconductor org)nico facilmente, ya Due por definicin la conductividad es' Nne E+)a+(,* 6. $cuacin de la conductividad. $n donde n es la concentracin de portadores de carga, e es la carga del electrn y es la movilidad de los portadores de carga, la cual tiene la forma encontrada en el numeral anterior. Sin embargo la conductividad vara con la temperatura, ya Due si *sta se incrementa, tambien se incrementan el nLmero de sitios alcan/ables, ya Due se puede Bacer hopping Basta estados locali/ados m)s alejados o de mayor energa, debido a Due con la temperatura se aumentan los fonones y la energa, y en este orden de ideas una partcula subatmica puede trasladarse mediante efecto tLnel a mayores distancias. H a dependencia Due tiene la conductividad en los semiconductores org)nicos C=<? con respecto a la temperatura, est) dada por la ecuacin 9, en donde Co=<? es un factor dependiente de la temperatura, <o es la temperatura de referencia =relacionada con la D%S en el nivel de -ermi? y d la dimensin del saltoI16.

E+)a+(,* 7. 7onductividad dependiente de la temperatura

34

ARSS%>, %scar. $mpirical parameteri/ation of organic electrocBemical transistors. Qen lneaR s.l.!niversidad de inFVpings. 3226.p.0;XGGG.ep.liu.seYe&jobbYitnYedY3226[.Qcons' %ctubre' 3226R.

67

HAdicionalmente el nLmero de estados locali/ados disponibles, es incrementado mediante el aumento del nivel de dopaje, lo cual mejora la conductividad. +ero para para los polmeros conjugados altamente dopados, la conductividad con respecto a la temperatura se asemeja al comportamiento de un metal, en el cual la conductividad decrece con el incremento de la temperaturaI15. $n estos casos la ecuacin anterior ya no es v)lida, debido a Due las mol*culas individuales se comportan como metales y en este caso el modelo cambia un poco respecto al anterior y consiste en Due el material est) constituido por granos met)licos o islas met)licas rodeadas por un medio con una banda de gap con estados locali/ados. H$ste modelo, basado en el desorden Beterog*neo de polmeros conjugados altamente dopados, sugiere Due el mecanismo de transporte de cargas dentro de las islas met)licas es similar al de los metales y entre islas sigue siendo el hopping. a conductividad dependiente de la temperatura C=<? en este modelo es e&presado de acuerdo a la ecuacin :, para peDue.as islas met)licas =_nm?, donde Co y <o son constantes del material, y de acuerdo a la ecuacin 8, para islas met)licas m)s largas =_gm?, donde <0 y <3 son constantes del material Due dependen del ancBo y la altura de la barrera de tunelajeI1;.

E+)a+(,* 2. 7onductividad entre islas separadas por nanmetros.

E+)a+(,* 8. 7onductividad entre islas separadas por micrmetros.

35 36

"bid, p.08 "bid, p.30

68

4. PORTADORES DE CARGA Y TRANSPORTE DE CARGA

4abiendo descrito en el capitulo anterior el modelo de transporte de cargas en los semiconductores org)nicos, en este capitulo nos referiremos a los portadores de carga, Due en el caso de los materiales org)nicos, a causa de la naturale/a misma de los compuestos Due forman estos materiales, son un tanto diferentes a los electrones y Buecos de los semiconductores inorg)nicos. +ara entender, por Due los portadores de carga de los semiconductores org)nicos, son diferentes Due los de los semiconductores inorg)nicos, Bay Due tener en cuenta Due cuando un semiconductor inorg)nico se dopa, los )tomos dopantes Due son los encargados de aportar los electrones o los Buecos, tambi*n son los Due sufren los mayores cambios energ*ticos, conduciendo esto a Due la estructura de los enlaces en estos materiales no cambie. $n contraste, en los semiconductores org)nicos, como dice %scar arsson19, tanto en el dopado electroDumico como en el dopado Dumico, no se introducen )tomos en la cadena principal del semiconductor y por lo tanto al no Baber )tomos Due soporten los cambios energ*ticos creados en la formacin de los portadores de carga, el deseDuilibrio es soportado por la estructura misma del semiconductor, provocando cambios estructurales en esta. +ara entender bien este fenmeno miremos la figura 32. $n esta figura se esDuemati/a en =,? un cristal de silicio el cual es dopado con fsforo =+?, y se puede observar Due la estructura de los enlaces no varia, ya Due el desvalance se da en el )tomo de fsforo y la estructura original del cristal sigue siendo la de menor energa.

37

Ibid, p. 17

69

F($)ra 20. $structura de un cristal de Silicio. Sin embargo en la figura 30, se ve en =$?, Due en un semiconductor org)nico, al crearse un portador de carga, ya sea por dopado Dumico o electroDumico, se genera un deseDuilibrio en el lugar donde se formo, Due en su caso es la estructura principal del semiconductor. ADu se observa Due el polmero al ser o&idado =retiro de un electrn?, origina segLn %scar arsson1:, la formacin de un catin =carga positiva? y un radical =electrn desapareado? y por lo tanto la desaparicin del enlace . $l Due el enlace desapare/ca, conduce a Due la longitud del enlace entre los dos )tomos de carbono aumente =ver figura 30$?, adem)s al Duedar los )tomos de carbono sin sus capas llenas son muy inestables y en consecuencia, la mol*cula en busca de mayor estabilidad, reorgani/a su enlaces, como se ve en =-?.

F($)ra 23. $structura de un semiconductor org)nico dopado.


38

Ibid, p.17

70

!d se preguntar) S7mo se lleva a cobo todo este fenmenoT. +ara responder a esta pregunta observemos la figura 33.

F($)ra 22. $nerga contra distancia del radicalEcatin. $n esta figura el crculo negro al lado i/Duierdo representa la distancia y la energa del catinE radical cuando se encuentran juntos, como en la parte =$? de la figura 30. $n esta instancia el conjunto catinE radical es muy inestable =posee mucBa energa potencial el*ctrica? y en pro de la estabilidad se separan, pero durante su separacin, cambian la configuracin de los enlaces de los monmeros Due Duedan entre ellos, debido a Due cambiar la estructura de los enlaces es mas estable Due si el catin y el radical se trasladaran sin cambiar los enlaces. !d, se preguntar), S+or Du* es m)s estableT. a respuesta la obtenemos estudiando la figura 31. $n esta figura vemos un polmero conjugado o&idado, en donde en =A?, las partculas =catin y radical? no cambian los enlaces, y por lo tanto el total de enlaces dobles es de 6, mientras Due en =,?, las partculas cambian la configuracin de los enlaces, y el total de enlaces dobles es de 5, por lo tanto, al tener =,? mayor nLmero de enlaces dobles es m)s estable, debido a Due el enlace doble al estar compuesto por enlaces y enlaces , es muy fuerte.

71

F($)ra 24. $structuras de enlaces. Sin embargo cabe recordar Due una estructura Due no este o&idada, como la =7?, es mas estable Due las dos anteriores =tienen mas enlaces dobles?, y esta, se presenta en el resto del polmero Due no esta o&idado. $n este orden de ideas y recordando Due para separar algo muy estable Bay Due suministrar mucBa energa, seguramente !d. se debe preguntar S7mo es posible Due el radical y el catin se separen, si est)n en medio de una configuracin de enlaces m)s estableT, y la respuesta, es Due se separan debido a Due la energa inicial es muy grande, lo Due les permite abrirse campo entre una configuracin tan estable, pero durante este proceso la energa se relaja, Basta llegar a un punto determinado en donde la relajacin a sido tanta, Due ya no Bay energa suficiente para Due el radical y el catin se sigan apartando uno del otro, punto este en el cual el radicalE catin Ba alcan/ado la mayor estabilidad, Duedando confinado en medio de una barrera de potencial, originada por la mayor estabilidad de la configuracin de los enlaces circundantes. <eniendo en cuenta lo anterior, vemos Due en un semiconductor org)nico, los portadores de carga no se presentan simplemente como electrones o Buecos, sino Due debido a la inestabilidad producida en el

72

dopaje, los portadores de carga en estos semiconductores son un conjunto mucBo mas complejo, conformado por una carga =electrn o Bueco? y un radical, en medio de los cuales, se presenta una configuracin de enlaces menos estable Due la del semiconductor no dopado. 4abiendo entendido, por Due en los semiconductores org)nicos, los portadores de carga son diferentes, entraremos aBora a clasificar los diferentes tipos de portadores de carga Due se forman en este tipo de semiconductores.

4.3

CLASIFICACIN

DE

LOS

PORTADORES

DE

CARGA

EN

LOS

SEMICONDUCTORES ORGNICOS.

+ara poder clasificar los portadores de carga, segLn David >ilsson 18, primero tenemos Due clasificar los tipos de semiconductores de acuerdo a la energa de sus enlaces, ya Due de esta clasificacin depende el tipo de portadores Due se formaran. De acuerdo a la energa de los enlaces, los semiconductores org)nicos se clasifican en' semiconductores de estado base degenerado y semiconductores de estado base no degenerado. os primeros se caracteri/an por Due sus enlaces simples y dobles se pueden intercambiar sin cambiar la energa de su estado base y los segundos se caracteri/an por Due el intercambio de sus enlaces esta asociado con dos estados de energa diferentes. $n la figura 36, podemos observar ejemplos de estos tipos de semiconductores. $s importante tener en cuenta, Due en la pr)ctica, la mayora de los semiconductores y los m)s importantes para aplicaciones en dispositivos electrnicos, se destacan por ser semiconductores de estado base no degenerado.
39

>" SS%>, David. An %rganic $lectrocBemical transistor for +rinted Sensors and ogic. Qen lneaR. s.l.' !niversidad de inFVpings, "nstitute of tecBnology. 3225. Bttp'YYGGG.ep.liu.seYdessY scienceZtecBnologyY28Y30Ydigest.pdf. p.0;. Qconsulta' -ebrero de 3225 R

73

F($)ra 25. 7onfiguracin de enlaces de diferente energa en un polmero con estado base no degenerado. F)#*&#9 ARSS%>, %scar. $mpirical parameteri/ation of organic

electrocBemical transistors.Qen lneaR.s.l.' !niversidad de linFVpings. Junio de 3226. XGGG.ep.liu.seYe&jobbYitnYedY3226[ Qconsulta' %ct 3226R.

F($)ra 25. Dos fases con igual energa, de un polmero con estado base degenerado. F)#*&#9 ARSS%>, %scar. $mpirical parameteri/ation of organic

electrocBemical transistors.Qen lneaR.s.l.' !niversidad de linFVpings. Junio de 3226. XGGG.ep.liu.seYe&jobbYitnYedY3226[ Qconsulta' %ct 3226R.

74

4.3.3 S#E(+!*")+&!r#. "# #.&a"! ba.# *! "#$#*#ra"!9 7omo ya dijimos estos semiconductores se caracteri/an por Due sus energas cambian cuando se intercambian los enlaces simples y dobles, en consecuencia, vemos Due el ejemplo utili/ado para e&plicar por Due en los semiconductores org)nicos los portadores de carga eran diferentes, es un caso tpico de semiconductor de estado base no degenerado. +or lo tanto, conociendo las caractersticas de estos semiconductores, veamos los diferentes tipos de portadores de carga Due se pueden formar en estos. SegLn David >ilsson62, cuando un semiconductor org)nico de estado base no degenerado se dopa de tal manera Due sea de tipo p =tipo n?, es decir portador de cargas positivas =portador de cargas negativas?, lo Due se Bace es o&idar =reducir? el material, con lo Due se obtiene un semiconductor con un tipo de portador de carga denominado polarn positivo =negativo?, el cual esta conformado por un catin =anin?, unido a un radical mediante una nueva configuracin de los enlaces. $n este tipo de portador, la carga es positiva =negativa? ya Due el radical Due se forma es de carga neutra. 4abiendo o&idado =reducido? una ves el semiconductor, este polarn puede ser nuevamente o&idado =reducido? Duitando el electrn del radical =adicionando un electrn al radical?, con lo Due se genera un dicatin =dianin?, el cual recibe el nombre de bipolarn positivo =negativo?. $n la figura 3; se observa el proceso como se forman polarones y bipolarones, y en la figura 39, se ven los niveles de energa generados por estos portadores de carga. $n esta ultima figura, a la derecBa se observa un polmero en donde se Ban generado bandas de bipolarn, las cuales tienen su origen en un polmero altamente dopado. 7uando un semiconductor tiene un nivel muy alto de dopaje, antes de formarse dos polarones aislados en una misma cadena polim*rica, se forman bipolarones, ya Due es mas f)cil Duitarle o adicionarle un electrn a un radical, el cual es inestable, Due a un )tomo Due se encuentre establemente enla/ado y con su ultima capa llena.

40

Ibid, p.17

75

F($)ra 26. #eneracin de polarones positivos y bipolarones en el +$D%<. F)#*&#9 >" SS%>, David. An %rganic $lectrocBemical transistor for +rinted Sensors and de 3225R. ogic. !niversidad de inFVpings, "nstitute of tecBnology. 3225. XBttp'YYGGG.ep.liu.seYdessYscienceZtecBnologyY28Y30Ydigest.pdf.[Qconsulta' febrero

F($)ra 27. >iveles de energa de un polmero neutro, un polarn positivo, un bipolaron positivo y un polmero con bandas de energa de bipolaron. F)#*&#9 >" SS%>, David. An %rganic $lectrocBemical transistor for +rinted Sensors and de 3225R. ogic. !niversidad de inFVpings, "nstitute of tecBnology. 3225. XBttp'YYGGG.ep.liu.seYdessYscienceZtecBnologyY28Y30Ydigest.pdf.[Qconsulta' febrero

76

4.3.2 S#E(+!*")+&!r#. "# #.&a"! ba.# "#$#*#ra"!9 SegLn David >ilsson60, cuando un semiconductor con un estado base degenerado es dopado, al igual Due en los semiconductores de estado base no degenerado, la o&idacin =reduccin? inicial produce un polarn positivo =negativo?, pero a diferencia de los polarones de los materiales con estado base no degenerado, estos no est)n obligados a permanecer enla/ados, ya Due en este caso ambas configuraciones de los enlaces tienen la misma energa, por lo tanto los enlaces Due se encuentran entre el catin =anin? y el radical, tienen la misma energa Due los enlaces contiguos. $n consecuencia si dicBo polarn se vuelve a o&idar =reducir?, retirando =adicionando? un electrn al radical, el resultado ser)n dos cargas positivas =negativas? independientes, las cuales reciben el nombre de solitn positivo =negativo?. os solitones tambi*n pueden ser neutros, y estos se forman cuando en la fabricacin del semiconductor dos mol*culas con estado base degenerado y con los enlaces trocados se unen, como se observa en la figura 38. os solitones al igual Due los polarones y los bipolarones se comportan individualmente como una sola unidad, y se denominan cuasiEpartculas, debido a Due se comportan como partculas =electrones o Buecos?, pero sin serlo. a formacin de solitones al igual Due la de polarones y bipolarones, resulta en nuevos estados locali/ados en la mitad de la banda de gap y ante un alto nivel de dopaje, los solitones pueden interactuar con los dem)s para formar una banda continua de solitones. os solitones se caracteri/an tambi*n por Due pueden portar carga o no =solitones neutros? y adem)s por Due para moverse a lo largo del semiconductor nesecitan menos energa de activacin Due los bipolarones y los polarones en los semiconductores de estado base no degenerado.

41

Ibid, p. 18

77

F($)ra 22. -ormacin de solitones.

F($)ra 28.. <res tipos de solitones y sus bandas de energa. F)#*&#9 >" SS%>, David. An %rganic $lectrocBemical transistor for +rinted Sensors and tecBnology. ogic.Qen lneaR.s.l.' !niversidad de 3225. inFVpings, "nstitute of XBttp'YYGGG.ep.liu.seYdessYscienceZtecBnologyY28Y30Y

digest.pdf.[ Qconsulta' febrero de 3225R.

78

4.2 TRANSPORTE ELECTRNICO DE CARGA

$n el capitulo dos, estudiamos el modelo de transporte de carga y observamos Due este se caracteri/a por Due el movimiento de los portadores se da mediante el modelo de bandas intramolecularmente, pero mediante hopping =saltos cu)nticos? intermolecularmente. $n este numeral, conociendo ya el modelo de transporte y los portadores de carga, observaremos como se da la conduccin en estos semiconductores. +uesto Due en la pr)ctica, segLn %scar arsson63, los semiconductores org)nicos m)s utili/ados son los de estado base no degenerado, ser)n los Due utili/aremos para ilustrar el movimiento de los portadores de carga a trav*s de una muestra polim*rica, con lo cual Duedara claro el transporte de cargas. $n la figura 12, se observa una cadena de +$D%<, la cual Ba sido doblemente o&idada y por lo tanto sus portadores de carga son bipolarones positivos. $stos al ser sometidos a un campo el*ctrico, se mueven en la direccin de este, como un paDuete Due altera la posicin de un enlace simple y uno doble, como si estos se movieran a lo largo de la cadena principal. +ara entender este mecanismo, tengamos en cuenta primero Due los semiconductores org)nicos segLn Daniel James !linsFi61, mantienen la electroneutralidad mediante iones Due ocupan los espacios de carga, y por lo tanto, si el espacio de carga =enlace simple? esta ocupado, este no puede participar en la conduccin, debido a Due el ion no permite Due dicBo enlace simple se convierta en enlace doble, lo cual es indispensable, ya Due para Due el bipolaron se mueva nesecita intercambiar los enlaces. Sin embargo cuando se aplica un voltaje, el polmero en un e&tremo es reducido =se introducen

42 43

LAR O!, Op. Cit, p. 23 ! ">SP", Daniel James. %rganic diode and otBer circuit element creation tBrougB variations of poly=1,6EetBylenedio&ytBiopBene? syntBesis. Qen lneaR. s.l.' +ittsburg !niversity. 3223. XBttp'YYetd. library.pitt.eduY$<DYavailableYetdE29293226E0:2239YunrestrictedYDJ!linsFiEMS$$E<Besis E+ittEJulyE 3226.pdf [. p.008 Qconsulta' -ebrero de 3225 R

79

electrones?, lo cual retira el in del espacio de carga y el bipolaron impulsado por el campo se mueve a lo largo del semiconductor. =(er figura 38?.

F($)ra 40. <ransporte de un bipolaron a lo largo de una cadena de +$D%<.

figura

12

nos

muestra

el

movimiento

de

un

portador

de

carga

intramolecularmente, pero como ya sabemos estos portadores de carga con el fin de tener una muestra macroscpica semiconductora, tienen Due trasladarse entre mol*culas, lo cual ejecutan mediante hopping como muestra la figura 10.

80

F($)ra 43. Hopping entre cadenas polim*ricas. F)#*&#' ARSS%>, %scar. $mpirical parameteri/ation of organic electrocBemical transistors.Qen lneaR.s.l.' !niversidad de linFVpings. Junio de 3226. XGGG.ep. liu.seYe&jobbYitnYedY3226[ Qconsulta' %ct 3226R.

81

5. PROPIEDADES OPTOELECTRNICAS DE LOS SEMICONDUCTORES ORGNICOS

os materiales org)nicos, adem)s de presentar caractersticas conductoras muy importantes, tambi*n muestran propiedades optoelectrnicas muy interesantes para la industria electrnica, como es el caso de la electroluminiscencia, Due consiste en e&citar el*ctricamente un )tomo o mol*cula, los cuales durante la dese&citacin emiten lu/. $sta propiedad de los materiales org)nicos, es una de las mas estudiadas por la industria electrnica, y es en su estudio donde mayores avances se Ban alcan/ado en el campo de los materiales org)nicos, como es el caso de los % $D =%rganic igBt $misin Diode?, con los cuales se fabrican en la actualidad, una gran variedad de productos, entre los cuales destacan el papel electrnico, las pantallas fle&ibles y los vidrios inteligentes entre otros. +or lo tanto por la importancia Due tiene esta propiedad de los materiales org)nicos en la electrnica, en este capitulo estudiaremos este fenmeno.

5.3 LUMINISCENCIA Y ESTADOS ELECTRONICOS E>CITADOS.

+ara comen/ar, la luminiscencia se define como la dese&citacin de un )tomo o mol*cula a trav*s de la emisin de fotones, y puede clasificarse segLn Juan Aguilera66, de acuerdo con la duracin de la emisin despu*s de la e&citacin, ya Due cuando se suspende la e&citacin, el decaimiento siempre se da en forma e&ponencial. +or lo tanto, si el tiempo para este decaimiento desde su intensidad m)&ima Basta un valor igual a 0Ye =con e la carga del electrn? es del orden de los
44

A#!" $RA, Juan. uminiscencia en materia condensada. Qen lneaR.s.l.'s.n.3220.XGGG.fis.puc. clYspmYpublicYfi/1;22Y3220.mpEJuanAguilera.pdf[ Qconsulta' >oviembre de 3226 R

82

02h 3 seg. o menor el fenmeno se denomina fluorescencia, de lo contrario si este tiempo es del orden de los segundo o m)s, se denomina fosforescencia. 7onociendo ya, la definicin de luminiscencia y sus diferentes clases, veamos aBora, como y mediante Due tipo de partculas se lleva a cabo. SegLn la pagina de "nternet XBttp'YYGGG.sBef.ac.uFYpBysicsYtecBingYpBy600cYpBy600.pdf[65, cuando una mol*cula org)nica con un gap en el rango de la energa de la lu/ visible, absorbe un fotn, un electrn es removido del 4%M% y promovido al !M%, en otras palabras, ocurre una transicin desde un estado fundamental a un estado e&citado, con lo cual se crea un par electrnEBueco, Due se denomina e&citn. os e&citones a diferencia de los polarones, bipolarones y solitones, son neutros y se diferencian en Due durante la e&citacin, el electrn no es arrancado totalmente de la mol*cula, como en el caso de los portadores de carga, sino Due tan solo es promovido a un orbital de mayor energa. 4emos dicBo Due los e&citones son formados por la e&citacin fotonica, sin embargo estos tambi*n se pueden formar el*ctricamente, mediante la unin de un polarn positivo =Bueco? y uno negativo =electrn?, lo cual, constituye el fenmeno electroluminiscente, Due es en el Due se basa el funcionamiento de todos los dispositivos electroEpticos. 5.3.3 C'a.(F(+a+(,* "# '!. #G+(&!*#.9 os e&citones como vimos anteriormente se pueden formar, mediante la e&citacin ptica o mediante la e&citacin el*ctrica, no obstante, tambi*n se pueden clasificar dependiendo de la distancia Due separa al electrn del Bueco y del espn Due adoptan los electrones al ser transferidos al !M%. 7on respecto a la distancia de separacin, los e&citones segLn Juan Aguilera 6;,se clasifican en e&citones de -renFel y en e&citones de KannierE Mott, en donde los primeros se caracteri/an por presentar radios de separacin menores a 5 O =comparable al tama.o de una mol*cula?, debido a su mayor acople, y son los Due se generan en las mol*culas org)nicas, a causa de la menor deslocali/acin Due presentan estos materiales. os e&citones de KannierE Mott
45

7ontents, Qen lneaR s.l.'s.n.s.f. p.12 XBttp'YYGGG.sBef.ac.uFYpBysicsYtecBingYpBy600cYpBy600.pdf[ p. 12. Qconsulta' feb. 3225R 46 A#!" $RA. %p. 7it, p.1

83

por otro lado se caracteri/an por presentar radios de separacin Due oscilan entre los 62 O y los 022 O, y se presentan en los semiconductores inorg)nicos debido a su alto grado de deslocali/acin.

F($)ra 42. Representacin esDuem)tica de los estados e&citnicos. F)#*&#9 A#!" $RA, Juan. H uminiscencia en materia condensada.I 6p. XGGG.fis.puc.clYspmYpublicYfi/1;22Y3220.mpEJuanAguilera.pdf 3226R. 7on respecto al espn Due adoptan los electrones al e&citarse, segLn Juan Aguilera69, los e&citones se pueden clasificar en e&citones singletes o e&citones tripletes. Si los electrones al e&citarse toman la misma orientacin del espn como en el estado fundamental, el espn resultante es cero y el estado e&citado es llamado singlete, por el contrario, si el espn tiene un valor total igual a uno, el estado e&citado se denomina triplete. =(er figura 11?. 7abe anotar Due los e&citones singletes, segLn SFoog6:, tienen una vida media de 02 8 seg, mientras Due la vida media de los e&citones tripletes es mayor a 02 3 seg. $l tiempo de vida promedio es un valor muy importante a tener en consideracin. ya Due Hel camino m)s probable Bacia el estado fundamental es aDuel Due minimi/a el tiempo de vida del estado e&citadoI68, por lo tanto, teniendo en cuenta las caracteristicas de la fluorescencia y la fosforescencia, no damos cuenta Due la primera corresponde a la dese&itacin de e&citones singletes y la segunda a la de e&citones tripletes.
47

[Qconsulta'

>ov

"bid, p.1

48
49

"OO#,$.A.%Le&'(%A)&*i+i+ I)+t',-e)t&*,4.ed.%Ed./0#'&123i**. 419945,p.210.


"bid, p.300

84

F($)ra 44. <ipos de e&citones. F)#*&#9 7ontents,Qen lneaR s.l.'s.n. s.f XBttp'YYGGG.sBef.ac.uF YpBysicsY tecBingY pBy600cYpBy600.pdf[. Qconsulta' feb. 3225R.

5.3.2 Pr!+#.! ')E(*(.+#*&# #* .#E(+!*")+&!r#. !r$H*(+!.9 +ara entender como se da el proceso luminiscente en las mol*culas org)nicas, primero veamos el diagrama de la figura 16, propuesto por la pagina Geb XBttp'YYGGG.sBef.ac.uF YpBysicsY tecBingY pBy600cYpBy600.pdf[52. $n este diagrama, se representan los estados fundamental =S2? y e&citado =S0? de una mol*cula org)nica, mediante curvas de energa, las cuales presentan lneas Bori/ontales Due indican los diferentes estados energ*ticos vibracionales de la mol*cula =niveles de energa discretos dentro de S2 o S0?, a los cuales son promovidos los electrones producto de las e&citaciones t*rmicas, potenciales el*ctricos, fotones y transferencia de energa por parte de fonones =vibraciones de la estructura?. $n esta figura se ve
50

7%><$><S, %p. 7it, p. 15

85

Due a medida Due los electrones aumentan su energa, siendo promovidos al !M% o a niveles de energa m)s altos, sus estados vibracionales son mayores y los enlaces atmicos aumentan sus distancias =debido a Due una mayor distancia significa menor estabilidad?, con respecto una longitud de eDuilibrio =R2?, Due es propia del estado fundamental o de menor energa de la mol*cula. os niveles de

energa vibracionales, como todo lo concerniente a )tomos y mol*culas, est)n cuanti/ados, y tienen un espaciamiento vibracional en el orden de 2.0 e( a una temperatura de 0022 iP, lo cual significa Due a temperatura ambiente =m)s o menos 38: iP?, casi todos los enlaces aun estar)n en el nivel vibracional m)s bajo del estado fundamental. Desde all, estos pueden ser elevados al primer estado e&citado mediante la absorcin de un fotn, ya Due cuando un fotn promueve un electrn del 4%M% al aumenten su longitud. !M%, se desestabili/a la mol*cula energ*ticamente y esto origina Due los enlaces

F($)ra 45. Diagrama de energa para una mol*cula en su estado base y e&citado, mostrando energa potencial vs distancia nuclear. F)#*&#9 R"$74$ , Stefan. %rganic Semiconductor lasers GitB tGoEdimensional distributed -eedbacF. Qen lneaR. MunicB'!niversidad de MunicB. 3223.Qconsulta' feb de 3225R.

86

H$n los semiconductores org)nicos, el proceso de absorcin esta gobernado por el principio de -ranFE7ondon, el cual dice, Due las transiciones electrnicas son mucBo m)s r)pidas Due las transiciones =reorgani/acin? del nLcleo o de los enlacesI50, Dueriendo decir esto Due en el diagrama de la figura 16, las transiciones siempre ocurrir)n verticalmente, desde el estado fundamental, al estado vibracional Due corresponde verticalmente en el estado e&citado. H7uando un electrn estimulado por un fotn, llega al estado e&citado, r)pidamente se relaja =en el orden de los 02 12 s? en forma no radiativa al estado vibracional m)s bajo del estado e&citado =como muestra la figura 16 y 15?, lo cual se denomina relajacin vibracionalI53. a relajacin vibracional es consecuencia, de Due la naturale/a siempre busca el nivel de energa m)s bajo posible, tal cual lo Bemos dicBo a lo largo de todo este trabajo. +osterior a esta relajacin, el fotn puede ser reemitido despu*s de un tiempo entre 0ns y 02 ns en una transicin al estado vibracional m)s bajo del estado fundamental =se denomina transicin 2E2?, o a el primer estado vibracional =transicin 2E0? del estado fundamental, etc.

F($)ra 45. -ormacin de un e&citn. $n la figura 15, observamos la promocin de un electrn del 4%M% a un nivel de energa mayor al del gap, debido a Due el fotn Due lo estimulo tenia una energa superior a la brecBa energ*tica. Sin embargo, buscando la estabilidad, segLn dice
51 52

7%><$><S, %p. 7it, p. 1; "bid, p. 1;

87

Andre MysyroGic/ y James +. Kolfe51, el electrn r)pidamente disipa el e&ceso de energa en forma de una vibracin de la estructura del semiconductor y se sitLa en el !M%, en donde para relajarse aun m)s energ*ticamente, se enla/a coulumbicamente con el Bueco del 4%M% y forma un e&citn. 7uando en una mol*cula la energa de la promocin de un electrn =espectro de absorcin? es igual a la energa de la dese&citacin =espectro de emisin?, significa Due ambos espectros se dan a la misma longitud de onda, sin embargo en la realidad estas longitudes de onda difieren entre si de 5 a 02 nm, debido a Due por lo general la promocin nunca se da e&actamente al !M%, sino, a niveles de energa mas altos, y como vimos en la figura 16, parte de la energa de absorcin se disipa no radiativamente, lo Due conduce a Due la longitud de onda de emisin sea mayor =de menor energa?, es decir se desplace Bacia el rojo con respecto al espectro de absorcin. $ste fenmeno se denomina corrimiento de StoFes y ocasiona Due el espectro de emisin sea como una imagen en el espejo del espectro de absorcin. =(er figura 1;?.

F($)ra 46. $spectro de absorcin y de emisin. F)#*&#9 7ontents,Qen lneaR s.l.'s.n. s.f XBttp'YYGGG.sBef.ac.uF YpBysicsY tecBingY pBy600cYpBy600.pdf[. Qconsulta' feb. 3225R.
53

MASAR%K"7S, Andre y K% -$, James +. Materia e&citonica. "nvestigacin y 7iencia. >o. 83 $d. +rensa 7ientfica. ,arcelona =$spa.a?. 08:6. p.;6.

88

4abiendo entendido como se da el fenmeno luminiscente en los semiconductores org)nicos, tenemos Due tener en cuenta Due el fenmeno estudiado es el referente a la formacin de e&citones por parte de fotones, los cuales siempre generan e&citones del tipo singlete y por lo tanto fluorescencia. >o obstante, en los dispositivos electrnicos, los e&citones no son generados por lu/, sino por la combinacin de un polarn positivo y uno negativo, y estas dos formas de generar e&citones guardan entre si mucBas diferencias. a principal diferencia, es Due en la formacin de e&citones mediante radiacin luminosa, los e&citones formados son del tipo singlete, en donde el electrn promovido al estado e&citado S 0, al dese&citarce puede emitir un fotn, gracias a Due durante la e&citacin, el fotn Due lo e&cito le transfiri su momento orbital angular = ? Due es igual a 0 h =h es la constante de +lancF?, con lo cual al dese&citarse, puede ceder ese momento angular al fotn emitido y de esta forma cumplir con el principio de conservacin del momento. 7abe anotar Due siempre Due se forman e&citones singletes estos tiene N0h, pero la e&plicacin de este fenmeno se sale del alcance de este te&to. $n contraposicin a la formacin de e&citones mediante fotones, cuando un e&citn es formado por la unin de un polarn positivo y uno negativo, la cuestin no es tan sencilla, sino Due en este caso las reglas de la fsica cu)ntica originan Due Balla un 35j de probabilidad de Due se forme un e&citn singlete y un 95j de probabilidad de Due el e&citn sea del tipo triplete. a pregunta Due surge es S+or Du* se da este fenmenoT. XGGG.columbia. a respuesta, de acuerdo con la pagina Geb es eduYcuYbulletinYuGbYsubjY74$MY#:16:E08881E220.Btml[56,

Due, segLn las reglas de la fsica cu)ntica, cuando dos partculas con momento angular de espn =S? se unen, el espn de la partcula resultante tendr) varios valores posibles, los cuales se Ballan sumando sus momentos angulares de espn, para obtener un momento de espn m)&imo, y los dem)s estados posibles, se obtienen rest)ndole una unidad a dicBo valor Basta Due la resta sea cero, Due es el momento de espn mnimo. +or lo tanto, cuando el electrn =desapareado? de un polarn positivo y el electrn de un polarn negativo, ambos con momento
54

Modern molecular +BotocBemistry. 7apitulo 3, Qen lneaR s.l.'s.n.s.f.. p.8. X Bttp'YYGGG.columbia. eduYcuYbulletinYuGbY subjY 74$MY#:16:E08881E220.Btml[

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angular de espn de k se unen, el momento de espn m)&imo ser) uno =k l k N0? y restando una unidad se obtiene inmediatamente el momento de espn mnimo Due es de cero. De este modo, el e&citn formado solo tendr) dos valores posibles para su momento angular de espn =2 y 0?. Sin embargo aDu no termina todo, ya Due segLn la pagina Geb anteriormente referenciada55, las reglas de la fsica cu)ntica tambi*n dicen, Due una partcula con momento de espn cero tiene solo una posible orientacin o estado de espn con respecto al eje /, por lo cual se denomina estado singlete, y Due una partcula con momento angular de espn de uno, tiene tres estados de espn u orientaciones con respecto al eje /, por lo Due se denomina estado triplete, con lo Due se concluye Due si la partcula tiene un posible momento de espn de cero y tambi*n tiene un posible momento de espn de uno, entonces tiene cuatro posibles orientaciones o estados de espn, uno singlete y tres tripletes. ABora !d, se preguntar), S+or Du* los tripletes no emiten fotonesT, y la respuesta es Due, el electrn del e&citn triplete, a diferencia del singlete, tiene un momento angular N2, lo cual imposibilita Due se cumpla el principio de conservacin del momento en el caso Due se emitiere un fotn y por ende esto no sucede. %bviamente, el Due en la electroluminiscencia de los semiconductores org)nicos solo Balla un 35j de probabilidad de Due se forme un singlete, es una muy mala noticia ya Due la eficiencia luminiscente es muy baja, sin embargo, este inconveniente tiene solucin, Hla cual consiste en transferir el momento de espn del triplete Due es SN0 al momento angularI5;. a pregunta es S7moT, y la respuesta es Due esta transferencia es facilitada por la interaccin de los campos magn*ticos =producto de la rotacin? Due generan tanto el momento de espn como el momento angular, por lo cual este mecanismo se llama acople S. a emisin de fotones mediante acople S se denomina fosforescencia y solo se da en semiconductores Due tengan un fuerte acople S, Due se logra mediante la incorporacin de )tomos pesados Due tengan capas llenas y altos nLmeros cu)nticos = ?. H a incorporacin de estos )tomos facilita el acople S, debido a Due estos, albergan un gran nLmero de electrones e&ternos =de
55

Modern molecular +BotocBemistry. 7apitulo 3, Qen lneaR s.l.'s.n.s.f.. p.8. X Bttp'YYGGG.columbia. eduYcuYbulletinYuGbY subjY 74$MY#:16:E08881E220.Btml[ 56 7%><$><S, %p. 7it, p. 62

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valencia?, los cuales se encuentran lejos del nLcleo y en consecuencia, tienen un momento angular muy grande. a interaccin de este momento con el espn de los tripletes crea las condiciones adecuadas para Due todos los e&citones puedan emitir lu/ en ve/ de calor. $l rendimiento terico as obtenido se apro&ima al 022j y actualmente los materiales pesados utili/ados, son complejos organomet)licos Due contienen iridio o platinoI59. a figura 19 muestra el diagrama de JablonsFi, donde se ve el proceso luminiscente, en donde la e&citacin se ve reflejada en la absorcin, y la dese&citacin, se da en varios pasos, como' la relajacin vibracional, la conversin interna, la fluorescencia, el cruce entre sistemas y la fosforescencia.

F($)ra 47. Diagrama de JablonsFi. 5.3.4 D(*HE(+a "# '!. #G+(&!*#. #* '!. .#E(+!*")+&!r#. !r$H*(+!.9 $n los semiconductores org)nicos, como dijimos al comien/o de este capitulo, los e&citones formados son e&citones de -renFel, los cuales despu*s de ser creados, segLn (issenberg5:, tienen varias opciones, como son' recombinarse radiativamente y producir lu/, recombinarse no radiativamente y generar fonones, migrar Bacia sitios =mol*culas o segmentos de mol*culas conjugadas? de energa
57

K$,S<$R. 4oGard $. +antallas de pelcula %rg)nica. "nvestigacin y 7iencia. Madrid. 3226. ("SS$>,$R#, MicBel 7ornelis JosepBus Marie. %ptoEelectronic properties of disordered %rganic Semiconductors.Qen lneaR. eiden'!niversidad de eiden. -ebrero 0888. XBttp'YYGGG.lorent/. leidenuniv.nlYbeenaFFerYtBesesYvissenbergYvissenberg.Btml[ p.65Qconsulta' >ov 3226R.
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m)s baja, o disociares en portadores de carga libres, es decir el proceso inverso a la electroluminiscencia. a primera opcin es la mas deseada cuando se fabrican diodos emisores de lu/ org)nicos =% $D? y para Due se de con la mayor eficiencia, las dem)s opciones no deben ocurrir, ya Due la recombinacin no radiativa por obvias ra/ones disminuye la emisin de fotones, al igual Due la disociacin en portadores de carga libre, y en cuanto a la migracin, esta afecta el color de la lu/ del dispositivo, ya Due si se desea Due el % $D emita un color a/ul, la migracin originaria Due la lu/ emitida sea de una longitud de onda mayor, lo Due cambiara el color del diodo. Sin embargo cuando el deseo es fabricar celdas fotovoltaicas, la primera y la segunda opcin son indeseables y la cuarta es la m)s importante. $sta ultima de lleva a cabo con la participacin de un campo el*ctrico como se ve en la figura 18A.

F($)ra 42. Representacin esDuem)tica de la din)mica de los e&citones en un semiconductor org)nico desordenado. F)#*&#9 de ("SS$>,$R#, MicBel 7ornelis JosepBus Marie. %ptoEelectronic

properties of disordered %rganic Semiconductors. Qen lineaR eiden' !niversidad eiden. -ebrero 0888. XBttp'YYGGG.lorent/. leidenuniv. nlY beenaFFerYtBeses YvissenbergYvissenberg.Btml[ Qconsulta' >ov 3226R.

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a figura 1: muestra un segmento de polmero desordenado ++(. Donde en a? se ve un fotn Due es absorbido por la mol*cula, en b? un e&citn =un par electrnE Bueco acoplado?, es creado en la mol*cula, en c? el e&citn migra Bacia mol*culas con menor energa de e&citn, y en d? el e&citn se recombina y un fotn es emitido.

F($)ra 48. a? Disociacin de un e&citon entre cadenas polim*ricas, bajo la influencia de un campo el*ctrico.b? Disociacin de un e&citon a lo largo de la misma cadena polim*rica bajo la influencia de un campo el*ctrico. F)#*&#9 de ("SS$>,$R#, -ebrero MicBel 0888. 7ornelis 0;0p. JosepBus Marie. %ptoEelectronic

properties of disordered %rganic Semiconductors. Qen lneaR. eiden' !niversidad eiden. XBttp'YYGGG.lorent/.leidenuniv.nlY beenaFFerYtBeses YvissenbergYvissenberg.Btml[ Qconsulta' >ov 3226R.

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5. DISPOSITIVOS ELECTRONICOS ORGNICOS

$n este capitulo, Babiendo e&plicado en forma general los aspectos fundamentales Due producen Due un material org)nico se comporte como semiconductor, vamos a sondear algunas de las principales aplicaciones en las cuales estos semiconductores est)n siendo utili/ados, con el fin de tener una idea mucBo mas clara de lo Due se puede Bacer con estos materiales. +ara comen/ar, primero nos referiremos a una de las mayores aplicaciones en las Due se esta implementando la electrnica org)nica, Due son los % $D o diodos emisores de lu/ org)nicos.

5.3 OLED @ORGANIC LIG?T EMITER DIODEA

Desde el descubrimiento en 08:9 de los

$D\s fabricados con peDue.as

mol*culas org)nicas =SM% $Ds? y en 0882 de los $D\s fabricados con polmeros org)nicos =+ $Ds?, los % $D Ban venido siendo estudiados en mucBos laboratorios alrededor del mundo. Ambos tipos de $D\s forman parte de una gran familia llamada % $Ds =dispositivos org)nicos emisores de lu/?, los cuales operan en ciertos materiales org)nicos, bajo el principio de convertir energa el*ctrica en lu/, un fenmeno conocido como electrolumiscencia. $n su forma m)s simple, segLn el AM+58, un % $D consiste de una capa de material org)nico luminiscente, formando un emparedado entre dos electrodos. 7uando una corriente el*ctrica es pasada entre los electrodos, a trav*s de la capa org)nica, la lu/ es emitida con un color Due depende en particular del material usado. +ara
59

%rganic igBt emitting devices =% $D?. Qen lneaR. s.l.' AM+. s.f. XBttp'YYcedb. postecB. ac.FrY lampYengYresearcBZoled.pBp.[ Qconsulta' Mar/o de 3226 R

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poder observar la lu/ emitida por un % $D, como mnimo uno de los electrodos debe ser transparente. AunDue los SM% $D como los + $D se diferencian en Due uno utili/a polmeros =grandes mol*culas? y el otro peDue.as mol*culas como capa emisora, ambos tienen la misma estructura, y operan esencialmente de la misma forma. Sin embargo, en cuanto a la fabricacin e&iste una gran diferencia, y es Due las peDue.as mol*culas son aplicadas usando la t*cnica de deposicin multicapa de vapor al vaco =(<$?, mientras Due los polmeros, con su estructura molecular m)s grande, permiten ser depositados mediante spin coating o inyeccin de tinta, como lo Bacen las impresoras convencionales. $stas t*cnicas se diferencian en Due la (<$ es m)s complicada y costosa Due el spin coating o la impresin por inyeccin de tinta. 5.3.3 E.&r)+&)ra "# )* OLED9 a estructura de un % $D es de tres capas. !na capa con la propiedad de transporte de Buecos, una Due emita lu/ y otra de transporte de electrones, se encuentran entre un )nodo de "<% y un c)todo met)lico de baja -uncin de <rabajo. 7uando el voltaje es aplicado, las cargas positivas y negativas inyectadas se recombinan en la capa emisora y se da la electroluminiscencia.

F($)ra 50. $structura de % $D. F)#*&#9 %rganic igBt emitting devices =% $D?.Qen lneaR. s.l.' AM+. s.f XBttp'YYcedb.postecB.ac.FrYlampYengYresearcBZoled.pBp[ Qconsluta' >ov 3226R.

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F($)ra 53. 7apas funcionales de un % $D. F)#*&#' %rganic igBt emitting devices =% $D?. Qen lneaR. S.l.' s.n s.f XBttp'YYcedb.postecB.ac.FrYlampYengYresearcBZoled.pBp.[ Qconsluta' >ov 3226R. $n la figura 60, se muestran las capas funcionales Due conforman un % $D tpico. All de derecBa a i/Duierda $" ,$< , $M , 4< y 4" son la capa inyectora de electrones, la capa transportadora de electrones, la capa emisora de lu/, la capa de transporte de Buecos y la capa inyectora de Buecos respectivamente. 5.3.2 F)*+(!*aE(#*&! "# )* OLED9 $n el funcionamiento de un % $D se ven involucrados cinco procesos b)sicos, Due son' D I*I#++(,* "# +ar$a.9 os materiales org)nicos tienen bajas concentraciones de portadores y no tienen niveles superficiales. +or lo tanto, los portadores son inyectados desde los electrodos. $l electrodo Due tiene una alta funcin de trabajo se comporta como el )nodo y el de la mas baja funcin de trabajo se comporta como el c)todo. a operacin de un % $D depende de la inyeccin de Buecos del )nodo y de electrones desde el c)todo, cuando un voltaje es aplicado a trav*s del dispositivo. D R#'a a+(,* "# %!r&a"!r#.9 $ste proceso consiste en Due los portadores inyectados desde los electrodos, crean polarones negativos y positivos cuando entran en la capa emisora =semiconductor?.

96

D M!J(E(#*&! "# %!r&a"!r#.9 ADu los portadores se mueven durante un proceso de conduccin por hopping a trav*s de las capas org)nicas, Basta Due se encuentran con otro portador y se recombinan para formar un e&citn. D Cr#a+(,* "# )* #G+(&,*9 os materiales org)nicos tienen una constante

diel*ctrica muy baja, y por lo tanto no disminuyen los campos el*ctricos de las cargas. as cargas en movimiento se unen debido a sus fuertes interacciones y estas uniones son llamadas e&citones. $stos generan singletes o tripletes de acuerdo a la combinacin de espines. D EE(.(,*9 $sta es la ultima etapa en el proceso electroluminiscente, y consiste en Due los e&citones generados al recombinarce emiten lu/, cuya energa es eDuivalente a la energa del gap de los polarones. 5.3.4 Fabr(+a+(,* "# )* SMOLED &0%(+!9 SegLn el %rgoGorld;2, la fabricacin de un SM% $D, comien/a con un sustrato transparente como vidrio o +$< =poly =etBilene terepBtBalate??, el cual se recubre con una capa de electrodo transparente de o&ido de "ndioEesta.o ="<%?, Due posteriormente se recubre con una capa delgada de cobre pBtBalocyanine, la cual le proporciona mayor estabilidad t*rmica. Seguidamente se deposita al vaco una capa de material tipo p como naftafenileno ben/idine =>+,? y luego, tambien al vaco, una capa de material tipo n como aluminio Bidro&iDuinolena =AlD?, para finalmente depositarse una aleacin de plataEmagnesio como c)todo. =(er figura 63?

60

%rganic semiconductors' tBe basics. Qen lneaR. s.l.' %rgoGorld. S.f. XBttp'YYGGG.orgGorld.deY[

Qconsulta' Mar/o de 3226 R

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F($)ra 52. $structura de SM% $D. F)#*&#9 % $Ds tBe difference betGeen + $Ds and SM% $Ds. Qen lneaR. s.l.'s.n. s.f. XGGG.calpoly.eduYdrjonesYcBem669Ypolymersj32cdYfilesYledY pledsoleds.Btm[ Qconsulta' >ov 3226R. 5.3.5 Fabr(+a+(,* "# )* PLED9 H$l proceso para Bacer un + $D es' se comien/a con un sustrato transparente como vidrio o +$<, el cual se recubre con un electrodo de o&ido de esta.oEindio ="<%?. uego se usa spin coating para depositar una capa de polmero semiconductor en el electrodo. os polmeros usados son principalmente +++, polipirrole o polianilinas. +osteriormente se deposita el c)todo en el polmero, mediante evaporacin al vaco. DicBo electrodo esta BecBo de un metal como el calcioI;0. 7abe anotar Due segLn el AM+;3, los dos electrodos suman tal ve/ 322 nm mas Due el grosor total del dispositivo, en donde el grosor de las capas org)nicas es del orden de 022nm. +or lo tanto todo el grosor y peso de la estructura es mayoritariamente debido al sustrato y los electrodos en si mismos.

61 62

"bid, p.1 AM+, %p. 7it, p.3

98

F($)ra 54. $structura de un + $D. F)#*&#9 % $Ds tBe difference betGeen + $Ds and SM% $Ds. Qen lneaR. s.l.' s.n. s.f.X GGG.calpoly.eduYdrjonesYcBem669Ypolymersj32cdYfilesYledY pledsoleds .Btm[ Qconsulta' >ov 3226R. 5.3.5 Ma&#r(a'#. %ara 'a Fabr(+a+(,* "# OLED.9 $n la fabricacin de % $D los materiales se clasifican en peDue.as mol*culas u oligmeros, y en polmeros. os primeros se caracteri/an por Due deben ser depositados mediante vaco y los polmeros mediante spin coating. as peDue.as mol*culas se diferencian de los polmeros en Due estas poseen baja estabilidad t*rmica y los polmeros alta estabilidad, adem)s el voltaje de operacin de las peDue.as mol*culas esta entre 5 a 05 (, mientras Due el de los polmeros esta entre 3 y 9 (. $n las figuras 66 y 65 se pueden observar los principales compuestos oligom*ricos y polim*ricos utili/ados en la fabricacin de % $Ds.

99

F($)ra 55. +eDue.as mol*culas. F)#*&#' %rganic igBt emitting devices =% $D?. Qen lneaR. S.l.' s.n. s.f

XBttp'YYcedb.postecB.ac.FrYlampYengYresearcBZoled.pBp.[ Qconsulta' >ov 3226R.

F($)ra 55. Materiales polim*ricos. F)#*&#9 %rganic igBt emitting devices =% $D?. XBttp'YYcedb.postecB.ac.FrY lampY engYresearcBZoled.pBp.[ Qconsulta' >ov 3226R. $n la tabla 0. se muestran algunos semiconductores org)nicos, sus propiedades, y caractersticas y en la tabla 3 se ven las ventajas del los + $D sobre los SM% $D.

100

Tab'a 3. +ropiedades de algunos semiconductores org)nicos.

F)#*&#9 %rganic semiconductors for advanced electronics. Qen lneaRs.l.' Sigma AldricB. (ol 6, >o ;. 3221 X GGG.sigmaaldricB.comYimgY assetsY 6::2Y alZcBemfileZv6Zno;.pdf[

101

Tab'a 2. 7aractersticas de los SM% $Ds y los + $Ds.

F)#*&#9 % $Ds tBe difference betGeen + $Ds and SM% $Ds.Qen lneaR. s.l.' s.n. s.f. XGGG.calpoly.eduYdrjonesYcBem669Ypolymersj32cdY filesYledYpledsoleds.Btm[ Qconsulta' >ov 3226R 5.3.6 T(%!. "# OLED9 SegLn !niversal Display;1, los % $D se pueden clasificar en tres tipos, Due son los <% $D =% $Ds transparentes?, S% $D =% $Ds dispuestos verticalmente? y -% $D =% $Ds fle&ibles?. A continuacin se describe cada uno de ellos. D TOLED @OLED. &ra*.%ar#*&#.A9 os <% $D se caracteri/an por Due sus

materiales constituyentes, es decir, los electrodos y el semiconductor org)nicos son transparentes. $ste tipo de % $D, tiene la ventaja, Due pueden incrementar fuertemente el contraste, lo Due los Bace m)s f)ciles de ver ante luces brillantes.

63

+ $Ds. Qen lneaR. s.l.' !niversal Display. S.f. XBttp'YYGGG.universaldisplay. com YBigB.Btm[ Qconsulta' Junio de 3226 R

102

F($)ra 56. $structura de un <% $D. F)#*&#9 <% $D. Qen lneaR. s.l.' 7D<. 3221. XBttp'YYGGG.cdtltd.co.uFY[ Qconsulta' -eb 3225R. Debido a Due los <% $Ds son transparentes en un 92j cuando se apagan, pueden ser integrados en los vidrios frontales de los veBculos, en ventanas de casas, en gafas, etc. Su transparencia les permite ser usados con metales, obleas de silicio y otros sustratos opacos para Bacer dispositivos Due emitan solo por un lado.

F($)ra 57. <% $D 7reado por >eG Display %pportunities. F)#*&#9 % $Ds tBe difference betGeen + $Ds and SM% $Ds. Qen lneaR. s.l.' 7alpoly. s.f. XGGG.calpoly.eduYdrjonesYcBem669Ypolymersj32cdYfilesYledY pledsoleds. Btm[ Qconsulta' >ov 3226R

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D SOLED @S*a+K OLEDA9 H!n S% $D consiste, en un agrupamiento de subE p&eles de <% $Ds dispuestos verticalmente. +ara emitir separadamente los diferentes colores =rojo, verde, a/ul? los subEp&eles son individualmente controlados mediante el ajueste de la corriente en cada uno de los tres <% $D. (ariando la corriente total en todo el arreglo se varia el brillo y modulando el ancBo del pulso, se logra la escala de grises, con lo cual, en una arDuitectura de S% $Ds, cada p&el puede emitir todos los coloresI;6.

a arDuitectura de los S% $D segLn !niversal Display;5, es una alternativa a los tradicionales esDuemas =SJS? usados en 7R<s =tubos de rayos catodicos? y 7D, y comparandolos, los S% $D, ofrecen un desempe.o mucBo mejor, debido a Due permiten una variacin din)mica del color en cada p&el, lo cual es muy deseable cuando la alta fidelidad del color es importante, adem)s, ofrece una resolucin 1U mas alta comparada con la de los display con configuracin SJS, ya Due mientras los tradicionales 7Ds, 7<Rs y pantallas de plasma, usan tres p&eles SJS =uno rojo, verde, a/ul? para generar una imagen a todo color, los S% $D solo utili/an un solo p&el, lo cual reduce el )rea utili/ada en un tercio para lograr lo mismo. $sto es especialmente ventajoso cuando se desea la ma&imi/acin de la densidad de p&eles, ya Due por ejemplo, cuando un display a todo color tradicional necesita un color verde, los p&eles a/ul y rojo est)n apagados en la estructura SJS, en comparacin, en un S% $D todos los p&eles se tornan de color verde, lo Due redunda en una imagen con mejor definicin de los colores y de mejor calidad. Adicionalmente, en las pantallas de gran )rea con el formato SJS, los p&eles individuales son con frecuencia lo suficientemente grandes para ser vistos a simple vista a corta distancia, con lo cual, se pueden percibir los colores individualmente en ves de la me/cla de los mismos. $n contraste en los S% $D, cada p&el es capas de emitir los diferentes colores deseados, de esta manera los colores son percibidos adecuadamente desde cualDuier distancia.

64

"bid, p.3 "bid, p.3

;5

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F($)ra 52. ArDuitectura de un S% $D. F)#*&#9 S% $D. Qen lneaR. s.l.' 7D<. s.f. XBttp'YYGGG.cdtltd.co.uFY[ Qconsulta' -eb 3225R. a figura 6: muestra los <% $Ds rojo, a/ul, verde y amarillo uno sobre el otro formando un S% $D, capas de emitir todos los colores. D FOLED @F'#G(b'# !r$a*(+ '($L& #E(&&(*$ "#J(+#A9 SegLn !niversal Display;;, los -% $Ds son dispositivos emisores de lu/ org)nicos construidos en un sustrato fle&ible. os paneles de displays planos Ban sido tradicionalmente fabricados en sustratos de vidrio, debido a las temperaturas, estructura yYo fuer/a utili/ada en el procesamiento. Sin embargo con los materiales org)nicos se pueden utili/ar t*cnicas de deposicin Due permiten la utili/acin de materiales fle&ibles, los cuales tienen grandes ventajas de desempe.o con respecto a los sustratos de vidrio. os -% $Ds ofrecen caractersticas revolucionarias en el campo de los displays, como son'

66

"bid, p.1

105

E-le&ibilidad'

os -% $Ds pueden ser fabricados en una amplia variedad de

sustratos Due van desde el rango de las pelculas pl)sticas pticamente claras Basta los metales reflectivos. $stos materiales proveen la Babilidad de conformar displays enrollables o de cualDuier otra forma. E-ormas delgadas ultra livianas' $l uso de sustratos pl)sticos adem)s significa una significativa reduccin de peso en laptops, tel*fonos celulares, etc. EDurabilidad' os -% $Ds generalmente son menos Duebradi/os, m)s resistentes a los impactos y mas durables en comparacin con su contraparte basada en vidrio. 5.3.7 D(F#r#*+(a. #*&r# OLED.1 ILED. @(*!r$a*(+ LED.A I LCD.9 SegLn el 7alpoly;9, la primera diferencia entre estas tecnologas recae en el tipo de material Due esta generando la lu/. $n los % $Ds la fuente de lu/ es una mol*cula org)nica, en los " $Ds es un semiconductor inorg)nico y en los 7D la fuente de lu/ es usualmente la lu/ reflejada del ambiente o una lu/ e&terna o bacFligBt. Adem)s los 7Ds son estrictamente usados para displays, mientras Due los " $D y % $D pueden ser usados para una amplia variedad de aplicaciones. Adicionalmente Bay Due tener en cuenta Due los " $Ds fabricados apro&imadamente Bace 52 a.os, los mediados de los a.os :2\s. 5.3.7.3 D(F#r#*+(a. #.&r)+&)ra'#.9 7omo se menciono anteriormente, los % $D est)n BecBos de mol*culas org)nicas, tanto de grandes cadenas como de peDue.os grupos de mol*culas. $n contraste, los " $D son tpicamente fabricados de materiales semiconductores inorg)nicos, como el silicio y el germanio los cuales se me/clan con aluminio, indio, galio, nitrogeno, arsenico y fsforo para producir $Ds de diferentes colores. $stos materiales semiconductores tienen comen/aron a ser 7Ds en 08;: y los % $Ds a

67

% $Ds tBe difference betGeen + $Ds and SM% $Ds. Qen lneaR. s.l.' 7alpoly. s.f.XGGG.calpoly. edu YdrjonesYcBem669Ypolymersj32cdYfilesYledYpledsoleds.Btm[Qconsulta' Septiembre de 3226R

106

estructuras cristalinas fuertes y regulares, opuestamente a las estructuras moleculares cristalinas propensas al desorden y amorfas de los % $D. os 7Ds por otro lado usan cristales lDuidos para crear im)genes. os cristales lDuidos son esencialmente un lDuido, cuyas mol*culas est)n orientadas en una direccin preferencial y por esta orientacin, comparten algunas caractersticas encontradas en los materiales cristalinos, sin embargo, siguen siendo un lDuido, y estas mol*culas son aun libres de moverse una respecto a la otra. os 7Ds se caracteri/an por Due los cristales lDuidos tienen la propiedad de dejar pasar la lu/ en ausencia de un campo el*ctrico, la cual es reflejada o emitida por una fuente de lu/ e&terna desde el otro lado y en presencia de un campo el*ctrico sus mol*culas se orientan en una direccin determinada Due bloDuea la lu/ y es este comportamiento caractir/a su funcionamiento. De lo anterior observamos Due cada una de estas tecnologas es estructuralmente muy diferente una de la otra, sin embargo todos los sistemas anteriores adem)s emplean una variedad de otros materiales para cumplir diferentes funciones. +or ejemplo ambos % $Ds y 7Ds usualmente emplean conductores de o&ido de esta.oEindio y todos los sistemas anteriores usan e&tensamente polmeros por una amplia variedad de ra/ones, usualmente para soporte estructural, o proteccin del medio ambiente, adem)s utili/an metales conductores como el oro, el cual es empleado en los electrodos para un correcto funcionamiento. 5.3.7.2 D(F#r#*+(a. F)*+(!*a'#.9 SegLn el 7alpoly;:, los 7Ds como su nombre lo sugiere son usados para propsitos de displays y virtualmente cualDuier aplicacin donde un display sea usado, puede usar un 7D, como es el caso de los relojes digitales, monitores, pantallas de celulares, calculadoras, etc. os " $D son significativamente m)s vers)tiles Due los 7D ya Due estos pueden ser usados, en un formato tipo matri/, o para cualDuier variedad de aplicaciones
68

"bid, p.0

107

donde una fuente de lu/ se necesite. <radicionalmente los $Ds Ban sido usados como luces indicadoras en dispositivos electrnicos y aBora mas recientemente Ban sido incorporados en displays, flasBligBts =la potencia de salida de los $Ds Ba finalmente alcan/ado niveles comparables, aunDue no para e&ceder las luces incandescentes ?. Adem)s las luces de tr)fico en las ciudades Ban venido siendo reempla/adas con delanteras en $Ds y arreglos de estos Ban sido puestas como luces 7laramente los $Ds son fuentes de lu/ automviles.

e&tremadamente vers)tiles y son alrededor de cinco veces m)s eficientes energ*ticamente Due la mayora de las fuentes de lu/ incandescentes o fluorescentes. os % $Ds tienen potencialmente toda la versatilidad de los " $Ds y algunas m)s, como por ejemplo la fle&ibilidad, la resistencia y por ende la durabilidad. $n adicin, estos tienen otras propiedades Due los Bacen muy atractivos para futuros usos. Actualmente estos aun no son tan eficientes como los " $Ds pero debido a la virtual variedad ilimitada de usos de las mol*culas org)nicas, es solo un problema de tiempo antes de Due % $Ds mas eficientes y potentes sean desarrollados. os 7D no pueden ser doblados lo suficiente debido a Due el cristal lDuido se puede tornar desalineado y el display cesara de funcionar. os pl)sticos rgidos encontrados en los " $Ds se pueden fracturar si se deforman mucBo.

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F($)ra 58. % $D fle&ible. F)#*&#9 % $Ds tBe difference betGeen + $Ds and SM% $Ds. Qen lneaR. s.l.' 7alpoly. s.f. X GGG.calpoly.eduYdrjonesYcBem669Ypolymersj32cdYfilesYledY pledsoleds.Btm[ Qconsulta' >ov 3226R >ote como en la figura 68 la imagen del dispositivo org)nico no cambia de forma o de color en ninguna de las maneras en Due se deforma. Si ud. trata de deformar un " $D o 7D en los grados vistos arriba, de por sentado Due el dispositivo dejaria de funcionar como lo Bacia anteriormente. as posibilidades presentadas por los % $Ds resultan virtualmente ilimitadas. 7on estos dispositivos es posible Bacer paneles luminosos para edificios, Baciendo obsoletos los viejos bulbos fluorescente y t&icos. 5.3.7.4 V(.(,* "#*&r! "# )* F)&)r! *! E)I '# a*!9 " $Ds y 7Ds Ban e&istido por mucBo mas tiempo en comparacin con los % $Ds y segLn el calpoly;8, estos dispositivos no desaparecer)n por el momento debido a lo prometedor Due se muestren los % $Ds. a realidad actual es Due los " $Ds y 7Ds son aun m)s eficientes en la mayora de las aplicaciones. 7on las innovaciones de luces a/ules y blancas en " $Ds, como tambi*n mayor potencia y bacFligBts relativamente mas eficientes para los 7Ds, estos dispositivos est)n siendo m)s y m)s usados todos los das en ve/ de lo contrario. +ero aun Babiendo dicBo todo lo anterior, es muy probable Due los % $D en el mediano pla/o reemplacen a " $Ds y 7Ds en la mayora de las aplicaciones, debido a la fle&ibilidad, eficiencia incrementada,

69

"bid. p.3

109

mayor brillo, mayor resolucin, procesos de fabricacin mas f)ciles y a menor costo, potencialmente Bar)n a los % $Ds mucBo mas atractivos en el futuro.

5.2 TRANSISTORES ORGNICOS DE EFECTO DE CAMPO

$l transistor es la piedra angular de la electrnica de estado slido, y representa una de las mas grandes invenciones del siglo UU. <odos los transistores se caracteri/an por tener tres terminales, en donde la corriente entre dos de estos es controlada por un tercer terminal. os transistores pueden ser clasificados en dos familias, de acuerdo a como estos controlan su funcionamiento. !na de estas familias se caracteri/a porDue su control es a trav*s de una corriente por el tercer terminal, y la otra familia se caracteri/a porDue su control es a trav*s de un voltaje en el tercer terminal. $n los transistores controlados por corriente, los tres terminales son llamados' base =,?, colector =7?, y emisor =$?. $n estos la base controla la corriente entre el colector y el emisor. <ales transistores son fabricados dopando el mismo semiconductor =normalmente el silicio?, con dopantes tipo n y tipo p en diferentes regiones, logrando configuraciones tanto npn como pnp, y son llamados transistores bipolares. H os semiconductores org)nicos no permiten la manufactura de transistores bipolares, ya Due la mayora de los semiconductores org)nicos solo pueden transportar o Buecos o electrones y los materiales org)nicos intrnsecos tipo p no pueden ser transformados en tipo n mediante el dopaje con donantesI92.

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7ontents,Qen lneaR s.l.'s.n.s.f, p.15 XBttp'YYGGG.sBef.ac.uF YpBysicsY tecBingY pBy600c YpBy600.pdf[. Qconsulta' feb. 3225R.

110

os transistores controlados por voltaje son conocidos como -$< =field effect transistor? o transistores de efecto de campo. $n estos los terminales son llamados source =S?, drain =D? y gate =#?, fuente, drenaje y compuerta respectivamente. !n voltaje en la gate o compuerta controla la corriente SED =fuenteYdrenaje?. os principios b)sicos de los -$< datan de 0812 =J. $ ilienfeldt, !S +atent 0965095, 0812?. 7on respecto al dise.o, los -$< son m)s simples Due los transistores bipolares, ya Due reDuieren solo materiales de un solo tipo de portador de carga =n o p?. os -$< pueden ser fabricados en grandes densidades de integracin y son tpicamente utili/ados en compuertas lgicas en electrnica digital. HDebido a su operacin con un solo tipo de portador de carga, los transistores fabricados con materiales org)nicos son invariablemente transistores de efecto de campo =-$<?. os -$< org)nicos u %-$<, se conocen usualmente como transistores org)nicos de pelcula delgada u %<-< y estos ser)n los Due trataremos en esta seccin. $l mayor impulso detr)s de las investigaciones en -$<s org)nicos =%-$<s? provino de la idea de Bacer circuitos integrados de bajo desempe.o completamente de pl)stico, con los cuales poder Bacer displays mas baratos, livianos y fle&iblesI90. 5.2.3 D(.#M! "#' &ra*.(.&!r9 os %<-< o transistores org)nicos de pelcula

delgada segLn 4aldun93, est)n dise.ados en dos formas, como muestra la figura 52. !na es con los contactos de drain y source en el tope y la otra es con los contactos de drain y source en el fondo del semiconductor.

71 72

"bid, p. ;0 Pm- m%# !, 4aldun, %rganic <Bin -ilm <ransistors. Kest afayette, !niv. de +urdue. 3221. p.3.

111

F($)ra 50. a? contactos sobre el semiconductor, b? contactos en el fondo del semiconductor.

H+ara el dise.o de contactos en el tope, el semiconductor es depositado en el aislador, despu*s de lo cual los contactos de fuente y drenaje son colocados. a capa de semiconductor es depositada sobre los contactos, en el caso del dise.o de contactos en el fondo. $l dispositivo de contactos en el fondo es f)cil de fabricar, sin embargo el desempe.o del dispositivo esta limitado, debido a la pobre calidad de la pelcula de semiconductor org)nico depositada en la interfase de los contactos y el canal. $l sustrato puede ser rgido como una oblea de silicio o vidrio, como tambi*n fle&ible con materiales pl)sticos. $n el caso del silicio o el vidrio, la compuerta met)lica es depositada usando litografa y utili/ando aisladores como Si%3 o materiales similares. +ara la mayora de los sustratos fle&ibles, procesos con pasos de altas temperaturas no pueden ser usadosb por lo tanto nuevas t*cnicas Ban sido desarrolladas para la compuerta y el aislador. a impresin convencional fue empleada para colocar los electrodos met)licos. #elincF incorporo la compuerta o gate usando procesos fotoDumicos de polianilinas. as capas aislantes pueden ser estampadas o depositadas mediante spin coating en el caso de sustratos fle&iblesI91.

a deposicin de la capa de semiconductor tiene un mayor efecto en el desempe.o del dispositivo. os dos m*todos de deposicin mas usados son'

73

"bid, p.1

112

E Deposicin al vaci' $l material depositado tiene un gran ordenamiento de cadena. as mayores movilidades de semiconductores org)nicos Ban sido reportadas empleando esta t*cnica. $l uso de altas temperaturas durante la deposicin provee mejores ordenamientos cristalinos, sin embargo por las altas temperaturas, y por la mayor movilidad de la superficie de las cadenas individuales, grandes vacos se forman en la pelcula. Adem)s este m*todo reDuiere de eDuipos costosos y los pasos de la preparacin de la muestra no son muy compatibles con sustratos fle&ibles como los pl)sticos. E Deposicin basada en solucin' $n esta t*cnica, el material en solucin =liDuido?, es transferido a la estructura del dispositivo. Sumergiendo el sustrato directamente dentro de la solucin o indirectamente, mediante m*todos como spin coating, estampacin o impresin. $sta t*cnica de deposicin es una promesa para la fabricacin de dispositivos de bajo costo y grandes )reas. 5.2.2 D#.+r(%+(,* "# 'a !%#ra+(,* "# )* OFET9 a figura 50 muestra el dise.o inicial de un %<-< con la polari/acin adecuada para mediciones b)sicas. 7on un voltaje entre source =S? y drain =D? llamado voltaje sourceEdrain =(D? Due maneja una corriente de Drain ="D? a trav*s del canal semiconductor del transistor. Sin embargo, una corriente "D solo puede fluir si Bay portadores de carga mviles en el canal.

113

F($)ra 539 %-$< con gate en el fondo en la arDuitectura de contactos en el tope. +ara lograr la anterior condicin, segLn la pagina Geb XBttp'YYGGG.sBef.ac.uF YpBysicsY tecBingY pBy600c YpBy600.pdf[96, un voltaje de gate (#, Bace Due portadores del source se dirijan dentro del canal semiconductor. #racias a Due el diel*ctrico del gate es un aislador, esas cargas no pueden alcan/ar el metal del gate, produciendo Due dicBas cargas se acumulen en el canal semiconductor cerca de la interfase canalYaislador. $stas cargas Due se acumulan de esta forma ser)n los portadores de carga mviles y reciben el nombre de capa de acumulacin. Se puede decir entonces Due el canal semiconductor es dopado mediante la aplicacin de un voltaje (#. $ste proceso contrariamente al dopaje Dumico es de mas r)pida reversin, ya Due Duitando la polari/acin de (# se Duita el dopaje del canal. H$ste comportamiento es cuantificado por el llamado ndice de encendidoYapagado =onYoff?, el cual en algunos casos puede ser tan alto como 02 6 I95. +or lo tanto una "D producida por un (D cambiara a trav*s de cambios BecBos en el (#. De lo anterior se puede decir Due el -$< es un suicBe electrnico. a capa de acumulacin en un %-$< es generalmente muy delgada, alrededor de 5 nm o menos, con lo cual, es mucBo mas delgada Due la pelcula semiconductora.
74 75

7%><$><, %+. 7it, p.;0 "bid, p.;0

114

>ote Due un %-$< se enciende por la aplicacin de un ( D y un (# de igual polaridad, opuesta al signo del portador de carga. De esta forma, en los %-$< se puede determinar f)cilmente el tipo de portador de carga Due se maneja. Si se da una polari/acin positiva tanto de (# y de (D y se enciende el transistor, entonces los portadores de carga son negativos =electrones?. +ero si se reDuiere una polari/acin negativa entonces los portadores de carga son Buecos. +ara caracteri/ar el voltaje de gate y el de drainYsource dependientes de la corriente de drain, mas all) de la descripcin del encendido y apagado en un %-$<, se pueden llevar a cabo dos tipos de medidas, las cuales se denominan' 7aracterstica de salida' es la familia de curvas "D contra (D, manteniendo un (# fijo durante toda una variacin de los valores de (D. 7aracterstica de transferencia' es la familia de curvas de "D contra (#, manteniendo un (D fijo durante la variacin del voltaje (#. $n principio, segLn la pagina Geb XBttp'YYGGG.sBef.ac.uF YpBysicsY tecBingY pBy600c YpBy600.pdf[9;, ambas medidas contienen la misma informacin fsica. Sin embargo en la practica las medidas de la caracterstica de salida " D contra (D se Baran usando varios medidas de voltajes de gate, mientras Due la caracterstica de transferencia a menudo se Bace tomando solo dos valores fijo de (D. !no ser) escogido tan peDue.o como pr)cticamente sea posibleb mas peDue.o Due el m)&imo (# usado para la medicin, mientras Due el segundo ( D ser) escogido de tal forma Due sea mas grande Due el m)&imo (# usado en la medicin. $stos dos regimenes son conocidos como el r*gimen lineal y el r*gimen de saturacin respectivamente. $sta terminologa ser) mas clara con la descripcin cuantitativa del comportamiento de los %-$<.

76

"bid, p.;3

115

H a operacin del %-$< puede ser descrita cuantitativamente si se tienen en cuenta primero ciertas condiciones. Si se considera un escenario ideal, estas condiciones son' Due la longitud del canal sea considerablemente mas larga Due el grosor del dispositivo =limite de la longitud del canal?, Due el source y el drain Bagan contacto con el canal del semiconductor sin resistencia de contacto o barrera de inyeccin, Due el semiconductor este libre de trampas, es decir Due no tenga impure/as Dumicas Due adicionen niveles de energa donde electrones o Buecos Dueden atrapados y no contribuyan a la conduccin, Due no este dopado y Due la movilidad de los portadores sea independiente del voltaje de gate y del voltaje de drain. +ero usted notara Due en la realidad muy pocas de esas condiciones se pueden lograr, por lo Due se aplican las siguientes ecuacionesI99'

E+)a+(,* 30.

E+)a+(,* 33. 7on Wel ancBo del canal sobre su longitud, (< el voltaje de umbral, . la movilidad de los portadores de carga, y 7i la capacitancia por unidad de )rea del aislador. 7i esta dada por 7i N

2Yti , siendo la constante diel*ctrica del aislante

y ti el grosor del aislante. a ecuacin 02 no se aplica para el r*gimen por debajo del umbral, n(#n X n(<n, el cual no discutiremos aDu.

a constante diel*ctrica

describe la capacidad Due tiene un diel*ctrico para

proteger de un campo aplicado, con lo cual, cuanto mas proteja este, mas cargas pueden acumularse en los platos del capacitor a un voltaje dado. $s ilustrativo considerar el producto de 7i por /# Due se encuentra en la ecuacin 02. 7i(#N

77

"bid. p.;1

116

0VG N d

&,0120 . ="gnoraremos (< por el momento?, con $# el campo el*ctrico

del gate y D# el despla/amiento el*ctrico del gate. D# tiene unidades de cargaY)rea, y corresponde a una densidad superficial de carga ]s de igual magnitud =esto corresponde a la capa de acumulacin?. De estas consideraciones, vemos Due es el despla/amiento el*ctrico D# el Due activa el transistor y no el voltaje de gate o el campo el*ctrico del gate directamente. HMientras la obtencin precisa de la ecuacin 02 es algo t*cnico, esta puede ser f)cilmente entendida cualitativamente, si por el momento dejamos el voltaje de umbral (< a un lado. WY es obviamente un factor geom*trico. a conductividad del canal ser) proporcional a la carga sobre el )rea con ] s N 7i(#. Adem)s, para (DXX(#, "D crece linealmente con (D, de acuerdo a la ley de %Bm. +or lo tanto "D =WY ?7i(#(DI9:. %bviamente "D, adem)s ser) proporcional a la velocidad con la cual los portadores se mueven bajo un campo dado, Due es descrita por la movilidad de las cargas g. Si nosotros ignoramos (<, obtenemos la ecuacin 02. Sin embargo, como (D crece en la misma forma como lo Bace (#, la capa de acumulacin se adelga/ara del lado del drain, debido a Due el voltaje entre el gate y el drain es menor Due entre el gate y el source. 7onsecuentemente, la resistencia de la capa de acumulacin crece. 7uando (D alcan/a (#, no Bay campo entre el gate y el drain, y nosotros tenemos la capa de acumulacin estrangulada o en pincBEoff. $sto es ilustrado en la figura 53. H7uando ( DN(#, la capa de acumulacin se torna triangular y esta en promedio la mitad de fuerte como cuando (D 2. $sto e&plica el factor k en la ecuacin 00. 7uando (D e&cede (#, el punto de estrangulamiento se mueve lejos del drain en el canal del transistor, y los portadores abandonan parte del canal entre el punto de estrangulamiento y el drain, con lo cual el drain mostrara alta resistencia. 7onsecuentemente, el transistor muestra una corriente de saturacin de drenaje

78

"bid, p.;6

117

para (D (#, con "D,sat 3(#.

a Lnica forma de incrementar "D mas all) de la

saturacin es incrementando (#I98.

F($)ra 52. 7omportamiento de la capa de acumulacin. $n la figura 53, en negro esta la capa de acumulacin de un -$<. $n la parte superior se aplica (#, con (DN2. a capa de acumulacin esta completamente a capa de acumulacin es desarrollada. $n la mitad, (# se aplica y (DN(#.

triangular y se estrangula en el drain. $n la parte baja, se aplica un ( #, y (D 3(#. a capa de acumulacin se estrangula en la mitad del canal. De lo anterior solo Dueda un par)metro en la ecuacin sin e&plicar, Due es el voltaje de umbral (<. $l (< segLn XBttp'YYGGG.sBef.ac.uF YpBysicsY tecBingY pBy600c YpBy600.pdf[:2, es complicado de Ballar, pero frecuentemente se encuentra Due el (< cambia en los transistores despu*s de mucBas operaciones de onYoff. $sto se denomina estr*s de polari/acin del gate. De las investigaciones sobre el estr*s de polari/acin del gate se Ba concluido Due este puede ser el
79 80

"bid, p.;8

Ibid, p.70

118

resultado de la baja orientacin de los dipolos en el aislador o por la presencia de iones de baja movilidad. >osotros tomaremos a (< tan solo como una constante emprica. H a movilidad de los portadores de carga puede ser determinada de medidas e&perimentales con la ayuda de la ecuacin 02. !n m*todo robusto de Bacerlo es graficar I D vs (#, con "D en el r*gimen de saturacin, n(Dn[n(#n. $sto resultara en una lnea recta con una pendiente= Z 7i? 1 / 2 y un intercepto en (<. 2L

$l m*todo mas adecuado, sin embargo es la medida

de la caracterstica de

transferencia en saturacin, con un voltaje de gate Due se varia mientras se tiene un (D fijo Due es mas grande en modulo Due cualDuier voltaje de gate alcan/ado. De esta forma, se asegura Due la corriente "D es siempre la de saturacin. #raficando I D vs (#, con n(Dn [n(#n, se obtiene acceso directo a g y a ( < a trav*s

de la pendiente y el intercepto respectivamenteI:0. %tra importante caracterstica de los -$< es el ndice de onYoff, definido como "=(#N(, (DN(?Y "=(#N(off, (DN(? con un voltaje operacional ( Due corresponde al voltaje disponible en la respectiva aplicacin, y (off el voltaje de gate Due minimi/a la corriente de drainb usualmente (off 2. os ndices de onYoff tpicos son nLmeros grandes, del orden de los 02 3 o02 7 , y pueden ser obtenidos mas convenientemente de la caracterstica de transferencia en saturacin, cuando esta es graficada con la absisa "D en una escala logartmica. -recuentemente se observa Due la movilidad de saturacin difiere de la movilidad a peDue.os voltajes de drain. a transductancia gm es definida en el r*gimen lineal de la caracterstica de salida =(DXX(#? como la pendiente de "D con (#, y es relacionada a la movilidad mediante la ecuacin 03. a gm es usada para estimar la movilidad dependiente del (# a bajos voltajes de drain y puede ser obtenida del r*gimen
81

"bid. p.92

119

lineal =no saturado? de la caracterstica de salida, o de la caracterstica de transferencia tomada con un voltaje de drenaje mas peDue.o Due el voltaje de gate. !sualmente g puede diferir cuando se mide en diferentes regimenes.

E+)a+(,* 32. 5.2.4 V#'!+("a" "# +(r+)(&!. +!* OFET9 Dependiendo de la aplicacin, los dispositivos electrnicos tienen Due encenderse y apagarse a muy altas velocidades. +or lo tanto aBora discutiremos el factor Due limita la velocidad de los circuitos org)nicos. 4emos visto Due una corta longitud pero del canal conlleva a altas corrientes de drain,

es aun mas importante en lo Due se refiere a la velocidad de suicBeo. a

m)&ima velocidad a la cual un transistor puede operar esta limitada por el tiempo

Due le toma a los portadores cru/ar el canal del -$<. $ste es el tiempo Due le toma a la capa de acumulacin en estar sin cargas del drain despu*s Due el ( # a sido e&tinguido. A una frecuencia f[f2N0Y 6, la se.al de salida "D se desfasa de la se.al de entrada (# y la amplitud del suicBeo decrece. $l ecuacin 01.

esta dado por la

E+)a+(,* 34. De la ecuacin se puede ver Due obviamente el tiempo de transito de los portadores a trav*s del canal ser) proporcional a . Adem)s el campo el*ctrico lateral Due impulsa los portadores a trav*s del canal es proporcional a 0Y . $l

es

120

conocido como el tiempo R7 del transistor, y puede ser calculado tambi*n usando los valores de la resistencia de canal y su capacitancia, con el mismo resultado de la ecuacin 01. HDebe tenerse en cuenta Due la ecuacin 01 representa un limite alto para f2I:3. +or ejemplo asumiendo (DN02( y gN 02 2 cm 2 Y (s, f2 es 0 P4/ para un N022 gm, pero es de 022 P4/ para un N 02 gm. $n contraste con los transistores inorg)nicos Due trabajan a frecuencias de #4/. De lo anterior es obvio Due la electrnica org)nica tiene Due competir con la inorg)nica, por el momento, en precio mas Due en desempe.o. +ueden Baber otras capacitancias diferentes a la capa de acumulacin en el transistor cuando se activa =desactiva? y (# se aplica =e&tingue?. $stas capacitancia parasitas pueden surgir por ejemplo de un traslape de los electrodos de drain y source con el electrodo de gate. as velocidades de suicBeo de los circuitos fabricados con transistores org)nicos pueden ser estudiadas con la ayuda de HanillosI osciladores. !n HanilloI oscilador consiste de un nLmero impar de compuertas H>%<I, las cuales pueden ser BecBas de dos -$<s. a operacin H>%<I convierte entradas de voltaje bajas =altas? en salidas de voltaje altas =bajas?. a salida de cada compuerta >%< es mantenida en la entrada de la pr&ima compuerta, con la salida de la ultima de las compuertas impares >%< siendo realimentada en la entrada de la primera compuerta >%<. De esta manera se concluye Due un HanilloI no tiene un estado consistente =ver figura 51?. +or otro lado, la salida oscilara entre altos y bajos con una frecuencia f Due esta relacionada con f2, Due es la frecuencia de suicBeo de un transistor individual. a frecuencia =f? ser) mas baja Due f2, cuando mas de un transistor tenga Due oscilar, y se incrementara con el numero de compuertas >%< o estados de oscilacin.

82

"bid, p.93

121

F($)ra 549 $sDuema de un HanilloI oscilador. $n la figura 51, si asumimos Due la salida de la compuerta >%< de la parte inferior es baja, entonces la salida de la compuerta de la parte superior derecBa ser) alta, y la salida de la compuerta de la i/Duierda ser) baja, llevando a una salida alta de la compuerta inferior, lo cual es inconsistente con lo asumido inicialmente. $l HanilloI oscilador no tiene un estado consistente propio y oscilara entre alto y bajo con una frecuencia f. 7uando la salida oscilante es vista en un osciloscopio, f puede ser e&trada. A menudo la inversa de la frecuencia f, dividida por =3 por el nLmero de compuertas >%< N nLmero de transistores? se conoce como el retraso de la propagacin por estado. $n la ausencia de capacitancias parasitas, esto es igual a = 1/f0. os HanillosI oscilantes permiten una medida din)mica de la

movilidad de los portadores. $n cualDuier caso, f es una medida practica y relevante de la velocidad de un circuito. HAnillosI oscilantes de %-$<s r)pidos, con f[022 P4/ Ban sido conseguidos por grupos de investigacin de Siemens. os HanillosI oscilantes no son puramente una Berramienta de diagnostico, pero tienen aplicaciones importantes. $n 1M Ban fabricado etiDuetas de identificacin por radiofrecuencia Due usan anillos oscilantes basados en pentaceno, con frecuencias de alrededor de los 3224/. $stas etiDuetas tienen una antena =circuito 7? Due absorbe una se.al de radio de una frecuencia de 01.; M4/, y reemiten una se.al de la misma frecuencia, pero con una modulacin de amplitud:1. 5.2.5 Cara+&#r0.&(+a. "# '!. Ea&#r(a'#. ).a"!. #* OFET.9 H os buenos %-$< deben mostrar altas corrientes de drenaje, a bajos voltajes de drain y de gate, sin optimi/ar el factor geom*tricob deben mostrar altos ndices de onYoff, lo Due
83

Ibid, p.76

122

significa Due las corrientes de drain a (#N2 deben ser e&tremadamente bajas y deben mostrar r)pidos

6.

$sto implica Due los %-$<s necesitan Due el

semiconductor org)nico, los aislantes y los electrodos cumplan con fuertes reDuerimientos. $n el campo de los semiconductores org)nicos, la principal propiedad Due debe ser cumplida es una buena movilidad de los portadores de cargaI:6. A continuacin se nombraran las mas importantes caractersticas Due deben tener los materiales usados en la fabricacin de %-$<' E os metales del source deben Bacer contactos oBmicos con el semiconductor =libres de barreras energ*ticas?. E $l aislante del gate debe ser delgado y no debe presentar agujerillos =t*cnica utili/ada para mejorar el proceso por solucin de materiales org)nicos?, u otro tipo de fugas, y debe tener una alta constante diel*ctrica. E os semiconductores org)nicos deben ser libres de dopantes o tenerlos en muy bajas concentraciones, de lo contrario el transistor no funcionara adecuadamente. E $l semiconductor org)nico debe estar libre de trampas de portadores de carga. as cargas atrapadas dejan de ser mviles, lo cual significa Due parte de la capa de acumulacin D# no puede contribuir a la corriente de drenaje:5.

84 85

"bid, p.99 ibid, p. 99

123

F($)ra 55. "magen de un circuito pl)stico de una matri/ activa, de ucent tecBnology F)#*&#9 %rganic igBt emitting devices =% $D?. Qen lneaR. s.l.' AM+. s.f.

XBttp'YYcedb.postecB.ac.FrYlampYengYresearcBZoled.pBp.[ Qconsulta' >ov 3226R.

5.4 CAPACITORES DE POLYPIRROL

$n general, las cargas en los capacitores convencionales son almacenadas en la superficie de los electrodos. Si en estos se incrementa el )rea de la superficie, proporcionalmente se incrementa la capacitancia. Sin embargo, los capacitores basados en polmeros conductores, tienen la ventaja de almacenar carga a trav*s del material y no simplemente en la superficie. !na segunda ventaja de los capacitores basados en polmeros conductores =7+7\s? es Due la separacin efectiva de las placas esta en el orden de los 3 nm, permitiendo un tremendo almacenamiento de energa. >o obstante, en la actualidad, estos dispositivos tienen ancBos de banda Due est)n varios ordenes de magnitud por debajo de los capacitores convencionales y los potenciales aplicados alcan/an tan solo 6 (.

124

5.4.3 T#!r0a "# siguiente'

O%#ra+(,*9 "an 4unter, Meter Madden y JoBn Madden en

H3olypyrrole CapacitorsI escriben Bacerca de la operacin de estos capacitores lo

!n capacitor basado en polmero conductor tpico tiene una estructura de emparedado, la cual en primer lugar es id*ntica a aDuella de los capacitores convencionales, diferenciandose solamente en los materiales utili/ados. as capas e&ternas son electrnicamente conductivas =polypirrol?, mientras Due el medio entre los platos polim*ricos no. A diferencia de la mayora de los capacitores, el diel*ctrico intermedio es en si un electrolito. 7uando un voltaje es aplicado entre las dos placas, iones en el diel*ctrico son trasportados por fuer/as electroforeticas =fuer/as Due mueve cargas el*ctricas =iones?, originadas por la accin de un campo el*ctrico?, con aniones y cationes viajando paralelamente al campo el*ctrico aplicado y en direcciones opuestas. $stas cargas comien/an a concentrarse en la interfase polmeroYelectrolito. 7uando los iones se apro&iman a la interfase, la superficie del polmero se carga electrnicamente, de este modo, previniendo Due el campo el*ctrico penetre la superficie del polmero. os iones y las cargas forman lo Due se conoce en electroDumica como capacitancia de doble capa. $l espacio promedio, entre los iones y la superficie de carga del polmero en la doble capa, es tpicamente menor a 12 nm, en electrolitos de concentracin moderada, conduciendo esto a grandes campos. as capacitancias tpicas de estas capas estan entre 2.0 y 2.6 -pm 2 =,ard y -aulFner 08:2?. A diferencia de la mayora de los electrodos, el polmero es poroso, permitiendo Due los iones entren y salgan. a conductividad el*ctrica de los polmeros previene Due se generen campos el*ctricos dentro del polmero, y de esta manera, a diferencia Due en el electrolito, no Bay fuer/a electroforetica. Sin embargo la acumulacin de iones en la interfase genera un gradiante de concentracin, el cual conduce a la difusin de iones dentro del polmero. 7uando estos iones se difunden en a el interior del polmero, sus

125

cargas son neutrali/adas por cargas en la cadena principal del polmero, de esta manera se mantiene la electroneutralidad del mismo. a difusin de iones y cargas dentro del polmero disminuye la carga de la doble capa. $ventualmente, dado Due el voltaje aplicado permanece constante, la concentracin inica en los electrodos del polmero conductor se iguala a aDuellos de la doble capa, y la difusin cesa. $n este punto, el capacitor esta cargado. !na ve/ cargado, el potencial cae a trav*s de la doble capa en la interfase electrolitoYpolmero. >ote Due para cargar esta interfase, las cargas tienen Due ser transferidas a todo el polmero. De esta manera, a diferencia de los capacitores convencionales, la carga es almacenada en un volumen y como veremos, la capacitancia puede ser e&presada en t*rminos de un volumen en ves de en t*rminos de una )rea de superficie. a aplicacin de un paso de potencial al 7+7 claramente lleva a Due el dispositivo se cargue, pero es evidente Due no estamos tratando con una capacitancia pura. Realmente el 7+7, inicialmente actLa como una resistencia, con el campo aplicado actuando para superar la viscosidad del electrolito. a doble capa entonces comien/a a cargarse y simult)neamente a descargarse debido a la corriente de difusin. Solo una ve/ Due la difusin es completada la corriente para. Solo cuando el potencial aplicado varia a un ritmo suficientemente bajo, Bace Due el 7+7 actu* como una capacitancia pura, como lo aclararan mas tarde las ecuaciones. a aplicacin de una sinusoide, cuyo periodo es mas bajo Due la constante de tiempo para la cual la difusin se produce, provoca un comportamiento ideal. $l desafi es aBora representar este fenmeno matem)ticamente, y de este modo determinar el m)&imo desempe.o. 7omo se discuti, el electrolito actLa como una resistencia R y la interfase entre el polmero y el electrolito es una capacitancia, 7. a corriente Due pasa la celda debe atravesar el electrolito y carga la capacitancia de doble capa, la cual puede ser descargada por difusin.

126

a difusin es dirigida por el gradiante de concentracin, de la misma manera Due la corriente inica y la carga de doble capa son dirigidas por gradientes de potencial. $stas fuer/as est)n aBora relacionadas y una e&presin para la admitancia A es obtenida en t*rminos de' 0. Resistencia del electrolito, R, 3. 7apacitancia de doble capa, 7, 1. #rosor del polmero, a, 6. @rea superficial del polmero, A, 5. 7oeficiente de difusin inica en el polmero, D, ;. Separacin de la capa doble, , 9. -recuencia. %tras variables y constantes incluyen' 0. 7orriente de carga de la doble capa, "c, 3. 7orriente de difusin, "D, 1. 7oncentracin inica dentro del polmero como una funcin de la posicin y el tiempo, c=&,t?, 6.7onstante de -araday, - N 8.;6:6;p02 4 7oulumbios por mol. a corriente de celda total, "=t?, es la suma de la corriente de difusin y de la corriente de carga de la doble capa'

E+)a+(,* 35. y la caida total del potencial a trav*s del 7+7 es'

127

E+)a+(,* 35.

a corriente de difusin, "D, en la interfase polmeroYelectrolito esta dada por la primera ley de -icF'

E+)a+(,* 36. Donde 4 es la posicin entre los platos del polmero, con 4N2 en la interfase polmeroYelectrolito y el vector apuntando Bacia fuera del electrolito. corriente de carga de la doble capa es' a

E+)a+(,* 37. $n esta ultima ecuacin la capa doble se describe con un grosor, , y un )rea, A, en la cual la concentracin inica esta variando con el tiempo. Se reDuiere una ecuacin mas, la cual debe relacionar el gradiante de concentracin en la interfase, con el ndice temporal del cambio en la concentracin. a relacin entre los dos, es obtenida mediante la convolucin de la respuesta, a un cambio en la concentracin en el frontera. a concentracin como una funcin del tiempo, en respuesta al cambio en la concentracin en la frontera, en una pelcula de grosor finito, a, y en la cual no ocurre transporte de masa en la otra frontera =&NaY3?, es'

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E+)a+(,* 32. +ara obtener este resultado aplicamos series de fourier y separacin de variables para resolver la ecuacin de difusin unidimensional, teniendo una condicin de frontera de >euman y una de DiricBlet. uego el principio de superposicin es aplicado en la forma de un integral de convolucin, tal Due el comportamiento de la concentracin puede ser obtenido para una escogencia casi arbitraria del lmite de concentracin con el tiempo'

E+)a+(,* 38. <omando la derivada con respecto a la posicin &, en &N2, se obtiene la relacin reDuerida entre el gradiente, y la concentracin en la interfase, derivada parcialmente con respecto al tiempo'

E+)a+(,* 20. $ste sistema de ecuaciones es entonces transformado al dominio de aplace y solucionado, produciendo la admitancia A, como una funcin de la variable de laplace, s, el grosor del material, a, el coeficiente de difusin, D, la resistencia del electrolito, R, la capacitancia de doble capa, 7 y el grosor de la doble capa, '

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E+)a+(,* 23. $n esta forma, Bay cuatro par)metros para ser determinados, la capacitancia, 7, el coeficiente de difusin, D, el grosor de la doble capa, , y la resistencia, R. a capacitancia de doble capa puede ser apro&imadamente relacionada a , qasumiendo un capacitor de placas paralelas, cuya )rea, A, es del tama.o de la regin interfacial, donde la constante diel*ctrica es aDuella del solvente y el espaciamiento entre platos es '

E+)a+(,* 22. os par)metros desconocidos son aBora reducidos a tres. a resistencia es rapidamente determinada del espectro de impedancia, apro&imadamente a 62P4/, a cuya frecuencia la impedancia capacitiva es despreciable, y la resistencia del electrolito domina. a capacitancia de la doble capa esta en el rango de 2.0 to 2.6 -pm 2 =,ard and -aulFner 08:2?. $sto deja a el coeficiente de difusin, como el unico par)metro desconocido. $l limite superior en el coeficiente de difusin es 02 10 m 2 ps 1 , un valor tpico para iones en lDuidos. $l coeficiente de difusin del polmero es un orden de magnitud menor. os datos fueron obtenidos de pelculas de polypirrole de un grosor, aN 5.1&02 5 m, )rea AN 1.1p02 5 m 2 , en una celda de 095 oBm. a pelcula fue sinteti/ada, usando Be&afluorofosfato como dopante, y electrodeposicin de carbono cristalino a M12i7 a 2.03; Apm 2 . a pelcula fue sujeta a un paso de potencial y a la respuesta se le aplico la transformada de -ourier y fue escalada para obtener la admitancia. $l modelo fue entonces

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ajustado a los datos mediante el ajuste del coeficiente de difusin, para minimi/ar la suma de los errores cuadrados. $l valor de la capacitancia del modelo, 7 fue ajustada para mejorar la introduccin del modelo, pero permaneci dentro de los limites esperados.

os valores de las variables del modelo fueron los siguientes'

7omen/ando con bajas frecuencias, la admitancia modelada creci con una pendiente de l0, sugiriendo un comportamiento capacitivo. +ara peDue.os valores de s, la admitancia se torno'

E+)a+(,* 24. De esta forma, para se.ales con periodos Due son largos comparados con los tiempos de difusin y de carga de la doble capa, el comportamiento es capacitivo. De los resultados e&perimentales, el tiempo de carga es cinco rdenes de magnitud mayor al tiempo de difusin y ademas Dueda claro Due cuando se reduce el grosor del electrodo de polypirrol, se produce un incremento en un factor de 022 en el ancBo de banda por cada d*cada de decrecimiento. $&perimentalmete, reduciendo las dimensiones a 5 micrmetros, se incremento el ancBo de banda a 2.1 4/ y si se reduce a 2.5 micrmetros, el ancBo de banda puede alcan/ar 1P4/ o mas. <odo esto asumiendo por supuesto Due la frecuencia de carga R7 es reducida. R puede ser reducido minimi/ando el grosor, t, de la capa de electrolito, e

131

incrementando el )rea de superficie A, de la interface polmeroYelectrolito. "ncrementando el )rea, sin embargo, se incrementa la capacitancia. a mejor manera de reducir el tiempo de carga de R7 es entonces incrementar la conductividad del electrolito o reducir t. 7on grosores del polmero del orden de nanometros , los cuales son factibles, se obtienen constantes de tiempo de difusin apro&imadamente de 02 M4/. $&presando R y 7 en t*rminos de la separacin entre electrodos, t, la conductividad del electrolito inico, , la constante diel*ctrica, F, la permitividad del espacio libre, o, y el grosor de la doble capa, d, la constante de tiempo de carga R7 =R7?, es'

E+)a+(,* 25. Asumiendo una conductividad de la solucin tpica de 022 Sm 1 , una constante diel*ctrica de 92, y usando el grosor de doble capa, qN 3.19p02 9 m, y teniendo en cuenta el parrafo anterior, se obtiene Due la constante de tiempo es puramente una funcin de la separacin entre electrodos, t, la cual tiene un valor de'

E+)a+(,* 25. As, aun un electrolito de un grosor de 022 micrmetros, permitir) un ancBo de banda de M4/. A tiempos mayores Due el tiempo de carga R7 y Due la constante de tiempo de difusin, la capacitancia efectiva esta dada por'

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E+)a+(,* 26. 7apacitancia efectiva. $sta es m)s grande Due la capacitancia de la doble capa. Modelando la capacitancia de la doble capa, 7, como un capacitor de placas paralelas con espaciamiento, d y )rea A, y asumiendo Due el grosor, a, del electrodo del polmero, es mucBo mayor Due el grosor de la doble capa, , la capacitancia se torna una funcin del volumen del electrodo, ('

E+)a+(,* 27. 7apacitancia efectiva en funcin del volumen. !na ve/ mas usando qN 3.19p02 9 m, y FN92, la capacitancia por unidad de volumen es de 502 7 -m 3 . menores. A grandes potenciales, reacciones faradicas son inducidas, cuando el electrolito o el solvente son o&idados o reducidos. De esta forma, no obstante Due la capacitancia volum*trica sea e&tremadamente grande, la densidad de energa del capacitor de polypirrole es casi igual a aDuella de los capacitores de tantalio 2.3 MJFg 1 , o alrededor del doble de la densidad de energa de las batera de acidoEplomo. !sando el electrolito y el solvente apropiado, es posible de cargar a 1.5(, con una densidad de energa de cerca de 3 MJ Fg 1 , o logrando aDuella de las bateras de alta densidad de energa:;. 5.4.2 C!*+').(!*#.9 H os capacitores de polipirrol tienen una capacitancia por unidad de volumen e&tremadamente alta, cinco ordenes de magnitud por encima de los dispositivos convencionales. $sto los Bace muy adecuados para circuitos de
86

a capacitancia por unidad de volumen de los 6p02 2 -m 3 , cinco ordenes de magnitud

capacitores de tantalio es de

4!><$R, "an K, MADD$>, Meter #.A, MADD$>, JoBn D.K. +olypyrrole 7apacitors. Qen lneaR. s.l.'M"<, 0888. p.0 Xdarbelofflab.mit.eduY+rogressReportsY4ome AutomationYReport3E6Y7ond+olyj 3288.pdf[, 7consulta' %ctubre de 3226R.

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bajo voltaje, donde ellos consumen un 0Y022.222 del volumen. Su ancBo de banda depende altamente de sus dimensiones, con ancBos de banda Due son inversamente proporcionales al grosor del electrodo, y potencialmente alcan/an los M4/. a principal desventaja de los capacitores de polipirrol es su bajo voltaje de operacin, el cual no puede e&ceder los 6(. Sin embargo, aun a esos bajos potenciales, la densidad de energa alcan/a aDuellas de las bateras de alta densidad de energa. Adicionalmente el rango de voltaje es apropiado para usarse en todos los circuitos polim*ricos, en unin con transistores, diodos, resistencias e inductores. -inalmente, estos capacitores pueden ser coEfabricados con sensores, actuadores y otros dispositivos electrnicos a bajo precio y con propiedades de fle&ibilidad propias de los polmerosI:9.

5.5 CELDAS FOTOVOLTAICAS ORGNICAS

as celdas fotovoltaicas org)nicas, son dispositivos Due convierten la lu/ en electricidad, de manera contraria a los % $D, y en los cuales el semiconductor, al igual Due en todos los dispositivos electrnicos org)nicos, es un material org)nico conjugado. $l mecanismo mediante el cual estos dispositivos convierten la lu/ en corriente el*ctrica, se denomina efecto fotovoltaico. HPallman reporto la primera celda fotovoltaica org)nica basada en un cristal individual de antraceno en 0858. Sin embargo estas celdas basadas en materiales org)nicos fueron consideradas inadecuadas como fuentes de energa, esto en parte, debido a Due las e&citaciones pticas producan pares electrnYBueco fuertemente acoplados. +or lo tanto, los portadores de carga fotogenerados de esta manera, no eran directamente aseDuibles a circuitos e&ternos, lo cual resultaba en una eficiencia cu)ntica e&terna insuficiente. $sta pobre respuesta
87

"bid, p. 9

134

fotovoltaica fue atribuida a la naturale/a cuasiEaislante de los semiconductores org)nicos intrnsecosI::. a eficiencia de las celdas fotovoltaicas esta dada por la siguiente ecuacin'

E+)a+(,* 22. $ficiencia de una celda solar. Donde (oc es el voltaje de circuito abierto, "sc, es la corriente de corto circuito, dada en AYm 2 , --, es el factor de llenado, y la I"igBt es la radicacin del sol en KYm 2 . $l factor de llenado --, esta dado por'

E+)a+(,* 28. -actor de llenado. Donde "mpp y (mpp, son la corriente y el voltaje en el punto de ma&ima potencia. H$n estos primeros dispositivos, las capas constituyentes eran de cientos de micrones de grosor, lo cual conllevaba a la creacin de grandes resistencias en serie y consecuentemente a un factor de llenado limitado. $sto fue as Basta 08:;, cuando fueron reportados factores de llenado del ;5j, usando celdas fotovoltaicas de doble capa, de pelcula delgada, de cobre pBtalocyanine y un derivado de perileno tetracarbo&ilicoI:8.

88

JA# ARW, Janus/. +olymeric +Botovoltaic Devices. Qen lneaR. 7racovia =+olonia?' "nstituto de fisica de la !niversidad de 7racovia. 3226. p.0 XGGG.materialsscience.pGrYGroc.plYciYarticlesY msZ3226Z255.pdf[. Qconsulta' Diciembre de 3226R. 89 "bid, p.6

135

F($)ra 56 . $sDuema de una celda fotovoltaica org)nica bicapa de unin plana.

F($)ra 57. Diagrama de energas de una celda fotovoltaica bicapa org)nica. 4oy en da celdas solares de derivados de ++( como donantes y derivados de fullerenos como aceptores alcan/an eficiencias del 1j. Sin embargo las eficiencias de las celdas de silicio alcan/an el 05j, lo Due significa Due se necesitan mayores desarrollos en las celdas org)nicas para mejorar su eficiencia. $n una celda fotovoltaica org)nica bicapa, donanteYaceptor, como la de la figura 55, segLn Jaglar/82, la absorcin de la lu/ conduce a la creacin de e&citones singletes en la fase del donante. 7on el fin de lograr una gran ta/a de produccin de e&citones, el espectro de absorcin del donante debe ser similar al espectro solar. $sto reDuiere una banda de gap del donante entre 0.0 y 0.9 e(. Adem)s, el
90

"bid, p.6

136

coeficiente de e&tincin debe ser grande. Sin embargo como los electrones e&citados est)n fuertemente acoplados a sus correspondientes Buecos, las cargas fotogeneradas no pueden contribuir directamente a las fotocorrientes, ademas los e&citones se mueven algunos nanmetros y decaen radiativa como no radiativamente, con lo cual las cargas no consiguen alcan/ar el circuito e&terno. $sta es la ra/n por la cual en las celdas fotovoltaicas de semiconductores org)nicos intrnsecos, la fotorespuesta es muy pobre. Sin embargo cuando los e&citones alcan/an una interfase donanteYaceptor, ocurre una transferencia metaestable ultra r)pida de electrones, desde el donante al aceptor =en el rango de los picosegundos?, locali/ando los Buecos en la fase donante y los electrones en la fase aceptora. Aun asi, la mayora de los e&citones fotogenerados en la estructura de bicapa plana donanteYaceptor, no producen cargas Due contribuyan a la corriente e&terna, debido a Due la distancia tipica de difusin de los e&citones, es mucBo menor Due la profundida Due puede alcan/ar la lu/ solar al penetrar el semiconductor, por lo tanto la mayoria de los e&citones se recombinan nuevamente. +ara salvar ese obst)culo, actualmente se utili/an bicapas con Beterouniones, como la de la figura 59, en las cuales el aceptor y el donante estan distribuidos por todo el volumen de la bicapa. De este modo, se incrementa la eficiencia de la conversin fotn a electrn y por lo tanto tambi*n la sensibilidad fotovoltaica en forma dram)tica.

F($)ra 52. ,icapa fotovoltaica con Beterounin. 7omo la transferencia de electrones en la interfase de la unin ocurre muy r)pido, ningLn otro mecanismo de decaimiento le puede competir, con lo cual se alcan/an

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tericamente eficiencias cercanas a la unidad. Sin embargo, las cargas separadas aun permanecen enla/adas debido a la fuer/a de 7oulumb. $sto produce Due en condiciones normales de operacin, la eficiencia de conversin e&citnEelectrn libre no sea m)&ima. !na ve/ las cargas fotogeneradas son puestas en libertad =mediante un campo el*ctrico?, estas son transportadas con la ayuda de un campo el*ctrico interno, Bacia el )nodo y el c)todo, segLn sea el caso, resultando finalmente en una fotocorriente e&terna. $l campo el*ctrico interno, segLn Jaglar/80, determina el voltaje de circuito abierto de la celda fotovoltaica y es causado por el uso de electrodos met)licos, con diferentes funciones de trabajo. Aun en el proceso de transporte, la recombinacin de cargas fotogeneradas, podra adicionalmente limitar la fotocorriente e&terna. +or lo tanto, la recombinacin toma importancia, siempre y cuando, el tiempo de transito de los portadores de carga libre sea mayor a su tiempo de vida =tiempo de recombinacin?, ya Due la recombinacin no ocurre para portadores de carga libre Due tengan tiempos de vida mayores Due los correspondientes tiempos de transito. $n este ultimo caso, los electrodos e&traen todas las cargas libres fotogeneradas. $n el caso, de Due las propiedades de transporte de electrones y Buecos, est*n fuertemente desvalanceadas, las cargas de los portadores de carga mas lentos se acumulan en el dispositivo, modificando de esta manera el campo el*ctrico, a tal grado, Due las corrientes se igualan. Adicionalmente, la acumulacin de carga podra originar un aumento de la carga espacial, con un subsiguiente apantallamiento del campo el*ctrico, lo cual ocasionara Due la fotorespuesta de la celda fotovoltaica disminuyera. +or lo tanto la presencia de este fenmeno se nota en un factor de llenado muy pobre = 2.6?. H os reDuerimientos esenciales para una celda fotovoltaica eficiente son' el espectro de absorcin del donante debe ser semejante al espectro solar, como
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"bid, p.5

138

tambi*n se debe tener un alto coeficiente de e&tincin, con el fin de obtener una alta tasa de generacin de e&citones. a longitud de difusin de los e&citones debe ser grande, con el fin de incrementar el volumen activo para la disociacin eficiente de e&citones. $l tiempo de vida de los portadores de carga debe ser mas grande Due el tiempo de transito, y las caractersticas de carga espacialI83. H+ara terminar, las ventajas potenciales de las celdas fotovoltaicas org)nicas son' bajo costo =produccin a gran escala usando la tecnologa e&istente de procesamiento de polmeros?, gran )rea =las pelculas delgadas de pl)stico pueden ser producidas en grandes formatos?, fle&ibilidad =permite Due los dispositivos se adapten a cualDuier superficie?, adem)s los materiales usados son mol*culas de Bidrocarburos no to&icas y la produccin de este tipo de celdas se Bace a temperatura ambiente y sin producir gases peligrosos. Adicionalmente, como la banda de gap, puede ser manipulada, es posible obtener celdas fotovoltaicas de una gran variedad de colores, lo cual es importante desde el punto de vista arDuitectnicoI81. transporte de los portadores de carga deben estar balanceadas, en pro de prevenir el efecto de la

5.5 LSER ORGNICO

MucBos polmeros conjugados son capaces de emitir lu/. $sto puede ser generado por fotoluminiscencia o electroluminiscencia, mediante la aplicacin de un voltaje. a vigorosa actividad relacionada con el desarrollo de polmeros emisores de lu/ en todo el mundo a conllevado a avances e&traordinarios en los materiales en la d*cada pasada, facilitando el desarrollo de otras aplicaciones como transistores, celdas solares y l)seres.
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"bid, p.; "ntroduccin. Qen lneaR. s.l.'s.n. s.f. XGGG.ub.rug.nlYeldocYdisYscienceYc.mel/erYc0.pdf[. Qconsulta' octubre de 3226R.

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H4ay mucBas ra/ones por las cuales los materiales org)nicos semiconductores son atractivos como materiales para l)seres. $ntre ellas estan Due' e&iste una gran variedad de polmeros Due pueden emitir lu/ en el espectro visible, los polmeros tienen amplios espectros =posibilitando la fabricacin de l)seres sintonisables?, los polmeros tienen fuertes coeficientes de absorcin, lo cual implica Due tienen el potencial para grandes amplificaciones de la lu/, el espectro de absorcin y de fluorescencia est)n bien separados, por lo tanto la absorcin de la lu/ emitida es d*bil y adem)s los polmeros semiconductores combinan las ventajas especificas para l)seres, con las ventajas generales de los polmeros, como son la variacin de las caractersticas de emisin de lu/ mediante cambios en la estructura del polmero, fabricacin simple y barata y la fle&ibilidadI86. 5.5.3 E.&r)+&)ra "#' 'H.#r9 SegLn RiecBel Stefan85, la caracterstica principal de un l)ser es Due esta constituido por un material Due amplifica la lu/ =conocido como el medio de ganancia? y un resonador Due aplica la realimentacin. 7uando la lu/ pasa por el amplificador de lu/, este estimula la emisin de mas radiacin, de este modo ganando en intensidad. $l resonador refleja la lu/ adelante y atr)s del medio de ganancia para aumentar la intensidad del campo de lu/. !n punto muy importante es Due la lu/ estimulada adicionalmente, tiene la misma longitud de onda, direccin y fase como la lu/ Due esta pasando por el medio de ganancia, lo cual conduce a la coBerencia distintiva de la lu/ l)ser. H+ara Due el l)ser funcione se le debe suministrar energa, y Bay dos formas de Bacer esto. a primera conocida como bombardeo ptico, Due consiste en la e&citacin del medio de ganancia con una fuente de lu/ muy potente. $sto se logra mediante otro l)ser o una l)mpara de flasB. a otra posibilidad, es el bombardeo el*ctrico, Due involucra la e&citacin del medio de ganancia el*ctricamente mediante el paso de corriente a trav*s de este. $n todos los l)seres Bay un
94

#RA4AM, A, D.K, Samuel, +olymer asers'recent advances Qen lneaR. s.l.' !niversidad de St. AndreGs, 3226. XGGG.materialstoday.comYpdfsZ9Z8YSamuel.pdf[ p.3 Qconsulta' enero de 3225R. 95 R"$74$ , Stefan. %rganic Semiconductor lasers GitB tGoEdimensional distributed -eedbacF. Qen lneaR. MunicB'!niversidad de MunicB. 3223.p.05 Qconsulta' feb de 3225R.

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mnimo de energa Due se debe suministrar, conocido como el umbral, el cual se debe suministrar si se Duiere Due el l)ser funcione. $l bombardeo el*ctrico es muy conveniente y es el usado en los l)seres de semiconductor inorg)nicos, como los usados en reproductores de 7DI8;. 4asta aBora todos los l)seres de polmeros Ban sido opticamente bombardeados por otros l)seres. a configuracin m)s comLn de un l)ser, se caracteri/a por tener un medio de ganancia en medio de un resonador consistente de dos =o m)s? espejos. a lu/ pasa repetidamente a trav*s del medio de ganancia rebotando en los espejos. !no de los espejos refleja la mayora de la lu/, pero deja pasar una peDue.a porcin, Due es el rayo l)ser. H$l primer l)ser de semiconductor polim*rico fue reportado por Mosess en 0883. $ste usaba un medio de ganancia BecBo de una solucin diluida de poly=3EmetBo&yE5E =3\EetBylBe&ylo&y?E0,6EpBenylenevinilene?, M$4E++(. $l uso del polmero en solucin fue un buen punto de partida, debido a Due su eficiencia fluorescente es mayor Due en estado slido, y la estructura de un simple resonador puede ser usadoI89. !n l)ser de polmero en estado slido, seria atractivo debido a Due este puede ser mas compacto y robusto, y seria mas adecuado para bombardeo el*ctrico. Sin embargo, este tipo de l)ser en estado slido presenta mas desafos por resolver. SegLn #raBam8:, en el mismo a.o en Due Moses reporto un l)ser de solucin, tambi*n se estaba investigando un l)ser de estado slido de pelcula delgada de material polim*rico. $ste no presento ganancia, solo absorcin fotoEinducida, lo cual mostr Due un l)ser org)nico de estado slido no se poda fabricar con los materiales desarrollados en esos a.os. Afortunadamente debido al desarrollo de materiales, liderado por el desarrollo de los % $Ds, se Ban podido desarrollar l)seres org)nicos slidos Due muestren ganancia y estimulacin l)ser. !n ejemplo de estos l)seres es el trabajo de <essler, Duien estudio pelculas delgadas de ++( en medio de dos espejos. 7uando se estimulo con un l)ser muy intenso, el
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"bid, p. 6 Ibid, p. 5 98 "bid, p. 9

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fenmeno l)ser se observo y se produjo una rayo de lu/ con longitud de onda de 565nm. !na caracterstica interesante de este resultado, fue Due esto se logro en un medio de ganancia de tan solo 022 nm de grosor. $n contraste, el medio de ganancia en la mayora de los l)seres es de centmetros. $l BecBo de Due puedan ser utili/ados, medios de ganancia de muy bajo grosor, muestra Due con los semiconductores org)nicos se pueden lograr ganancias e&traordinariamente altas. H as caractersticas de fle&ibilidad de los polmeros, permiten una gran variedad de formas simples en la fabricacin de los resonadores. +or ejemplo, mediante la introduccin de una fibra ptica dentro de la solucin de polmero se pueden formar un anillo =ver figura 5:?, en el cual la lu/ puede viajar alrededor y alrededor de esta estructura, siendo amplificada y produciendo el fenmeno l)ser. !na ventaja de esta estructura es Due el medio de ganancia es largo y las perdidas son muy bajas, Baciendo f)cil alcan/ar el umbral y lograr la lu/ l)ser. Sin embargo la lu/ emitida en todas direcciones desde la estructura y la salida del rayo no definida, es una desventajaI88.

F($)ra 58. Resonador en forma de anillo. F)#*&#9 #RA4AM, A, D.K, Samuel, +olymer asers'recent advances Qen lneaR. s.l.' !niversidad de St. AndreGs, 3226. XGGG.materialstoday.comYpdfsZ9Z8Y Samuel.pdf[ Qconsulta' enero de 3225R. $n ve/ de utili/ar espejos, la realimentacin puede llevarse a cabo segLn #raBam022, Baciendo una estructura peridica adecuada en una pelcula de polmero. $l ejemplo mas simple es una estructura en forma de lamina corrugada =ver figura 58?, pero en una escala mas fina, con espaciamientos entre picos de 622 nm. $sta longitud es similar a la longitud de onda de la lu/, por lo tanto la estructura actLa como una red de difraccin. a lu/ viajando en una direccin en la
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"bid, p.: Ibid, p.3

142

pelcula ser) difractada en una nueva direccin. Si el periodo de la corrugacin es escogido cuidadosamente, entonces se puede arreglar este de tal forma Due la lu/ sea difractada 0:2i. $l efecto es similar al de ser reflejada por un espejo. !na pelcula de semiconductor polim*rico corrugado, puede de esta forma ser usada para fabricar un l)ser en donde el polmero es el medio de ganancia y la corrugacin provee la realimentacin. )seres de este tipo son conocidos como l)seres de realimentacin distribuida =D-,?. a geometra de los D-,, es muy as atractiva para l)seres de semiconductor polim*rico por mucBas ra/ones.

pelculas de polmero pueden ser BecBas mediante spin coating y la estructura del l)ser permite Due la lu/ se propague a distancias significativas en el medio de ganancia. De este modo produciendo umbrales de operacin bajos. 7omo la realimentacin es proveda por la corrugacin, en ve/ Due por espejos, no se reDuiere la alineacin del l)ser, y la corrugacin puede ser usada adem)s, para dar una bien definida salida del rayo, mediante la difraccin de algLn porcentaje de la lu/ fuera de la cara de la pelcula.

F($)ra 60. $structura corrugada de un D-,. F)#*&#9 #RA4AM, A, D.K, Samuel, +olymer asers'recent advances Qen lneaR. s.l.' !niversidad de St. AndreGs, 3226. XGGG.materialstoday.comYpdfsZ9Z8Y Samuel.pdf[ Qconsulta' enero de 3225R. 5.5.2 C!*+').(!*#.9 $l desarrollo de los laseres polim*ricos es mas reciente Due la de los % $Ds, pero se Ban logrado enormes progresos para entender y mejorar el dise.o ptico, reduciendo el umbral de funcionamiento, y e&plotando las propiedades de los polimeros para permitir una manufactura mas sencilla. $l mayor desafi en la actualidad, es Due todos los l)seres polim*ricos son de bombardeo ptico. Sin embargo, los l)seres el*ctricamente bombardeados son muy Ltiles y pueden encontrar un sin numero de aplicaciones como fuente variable de bajo costo en espectroscopia.

143

os

l)seres

polim*ricos

el*ctricamente

bombardeados

reDuerir)n

de

considerables progresos adicionales, pero en el mediano pla/o, los l)seres el*ctricamente bombardeados indirectamente son una promisoria alternativa para l)seres polim*ricos de bajo consumo, alimentados con bateras.

6. AVANCES RECIENTES

3883. +rimer display funcional de =1 & 5 pi&eles? desarrollado por 7D<. 3882. Alan J 4eeger y sus colaboradores Bacen el primer display fle&ible. 3884. 7D<, reempla/o los contactos de Al por contactos de 7a, para solucionar el problemas de la inyeccin de electrones en polmeros conjugados. 3885. "nvestigadores de 7ovion desarrollaron SM% $Ds estables a altas temperatras. 3885. !so de polmeros para dispositivos fotovoltaicos por parte del aboratorio 7avencisB de la !niversidad de 7ambrige. 3887. +rimer producto electrnico org)nico comercial. -ue un display de color verde de un radio de carro, basado en monmeros y fabricado por +ioneer y comerciali/ado en Japn. 3888. Se reportan <-< polim*ricos de alto rendimiento.

144

2000. 7D< y SeiFoE$pson fabrican el primer + $D display de matri/ activa a todo color mediante la t*cnica de inyeccin de tinta. $ste mide 3.5 pulgadas y tiene 3mm de grosor.

2000. -sicos de

ucent <ecBnologies desarrollaron el primer

@S$R de

semiconductor org)nico manejable. 7onstruido con tetraceno cristalino, una mol*cula Due est) formada por cuatro moleculas de ben/eno. $l dispositivo emite lu/ con una longitud de onda de 595.9 nm.

2003. 7D< y SeiFoE$pson fabrican el primer display de 3.: pulgadas y 022 ppi de resolucin.

2002. +rimer + $D comercial, producido por +Bilips con una resolucin de 0; & ;6. -ue lan/ado en una rasuradora y presentado por primera ve/ en la pelcula de James ,ond HDie anotBer day. 2004. 7D< anuncia mejoras significativas en el tiempo de vida de los + $D en m)s de 32,222 Boras de operacin para sus polmeros a/ules, lo cual representa una mejora significativa pensando en la e&plotacin comercial de aplicaciones a todo color. 2004. Dupont y $volution <ecBnologies lan/an al mercado un reproductor de M+1 con un + $D display de 3.0 pulgadas y 03: & ;6 de resolucin. 2004. 7D< anuncia la primera lnea de manufactura para + $D displays, usando la tecnologa de la impresin de tinta de presicin. =inF jet? 2004. Sumitomo 7Bemical y 7D< se unen para crear materiales altamente eficientes, utili/ando la tecnologa de los Dendrmeros, lo cual representa

145

especial importancia para el desarrollo de dispositivos Due reDuieran bajo consumo de potencia. 2005. +Bilips incorpora + $Ds en el celular HMagic MirrorI.

2005. +Bilips, en unin con $ "nF 7orporation y Sony $lectronics, anuncian la primera aplicacin comercial de un modulo de papel electrnico' Sony eE ,ooF reader ",R"*, el cual puede ser ledo a la lu/ del sol, adem)s en lugares con poca lu/. Adicionalmente permite la lectura de m)s de 02222 p)ginas antes de ser necesario reempla/ar la pila.

2005. +Bilips demuestra el primer prototipo de televisor basado en consume muy poca energa .

$D

polim*ricos, el cual muestra gran calidad de color, es ultra delgado y

2005. Se logran materiales Due pueden doparse como tipo n o como tipo p. 2005. Sony 7orporation, anuncia, la produccin masiva de pantallas % $D, para su producto 7 "$ +$#E(W 82. 2005. Samsung electronics, anuncia el desarrollo del primer televisor de 62 pulgadas, basado en % $D.

146

CONCLUSIONES

a electrnica org)nica como se Ba visto en esta trabajo es una rama de la electrnica la cual basa su funcionamiento y arDuitectura en los compuestos org)nicos o basados en el )tomo de carbono. $sta por estar basada en el )tomo de carbono presenta un sin nLmero de materias primas a diferencia de la electrnica inorg)nica, la cual solo tiene como alternativa de materia prima el silicio, el germanio, arseniuro de galio y unos pocos elementos mas.

os compuestos org)nicos semiconductores se presentan como cristales ordenados y como polmeros =amorfos?, en ambos su principal caracterstica es la de tener una configuracin de enlaces conjugada, la cual es la base para el transporte electrnico.

os cristales org)nicos al ser del tipo molecular, intermolecularmente estan enla/ados por fuer/as muy debiles como las de (an der Kaals y ondon, lo cual conduce a una ausencia de bandas de conduccin estables, por lo tanto, la conduccin en los cristales org)nicos mayoritariamente es debida al transporte electrnico por efecto tunel o Hopping =saltos cuanticos?.

$n los polmeros org)nicos, los monmeros estan enla/ados mediante enlaces covalentes conjugados, lo cual les permite la formacin de bandas de conduccin semejantes a las de los semiconductores inorg)nicos,

147

sin embargo, los polmeros org)nicos presentan irregularidades, como torceduras de las cadenas moleculares, etc, Due interrumpen la conduccin por bandas de energa. +or lo tanto en los polmeros org)nicos la conduccin se da por bandas de energa dentro de las cadenas individuales o dentro de los segmentos de cadenas polim*ricas Due no presentan irregularidades, pero entre las cadenas o entre las interrupciones, la conduccin, se da como en el caso de los cristales org)nicos, es decir por saltos cuanticos o hopping. De lo anterior pordemos concluir Due el proceso de transporte de energa en los materiales org)nicos es en su inmensa mayoria por efecto tunel o hopping. $n los semiconductores org)nicos la transferencia de energa se da mediante especies electronicas como polarones, solitones, bipolarones y e&citones, los cuales se denominan cuasi particulas, las cuales en el campo inorg)nico no tienen mucBa trascendencia. os cristales semiconductores presentan movilidades mayores a los polmeros, pero son poco solubles en solventes org)nicos, lo cual imposibilita su utili/acin para dispositivos de gran )rea Due nesecitan Due los semiconductores sean depositados en pelculas delgadas uniformes. +or lo tanto estos cristales son utili/ados y depositados mediante las mismas t*cnicas utili/adas por la electrnica tradicional =inorg)nica?. os polmeros semiconductores son mediante algunas t*cnicas, solubles en solvente org)nicos y conservan sus caracterstica semiconductoras, lo cual permite Due estos materiales sean depositados mediante t*cnicas de inyeccin de tinta en grandes )reas, en la fabricacin de dispositivos Due aprovecBan las caractersticas mec)nicas de fle&ibilidad polmeros. propias de los

148

os semiconductores org)nicos polim*ricos por su caractersticas de ser solubles en solventes org)nicos y depositados en grandes )reas permite la fabricacin de dispositivos de gran )rea como pantallas, papel electrnico, etc.

os semiconductores org)nicos por necesitar de procesamientos menos cuidadosos y caros Due su contraparte inorg)nica depositados por t*cnicas menos complejas complejas y costosas. y por poder ser permiten la fabricacin de

dispositivos electrnicos a mas bajo costo y plantas de ensamblaje menos

$n la actualidad los compuestos org)nicos alcan/an movilidades electrnicas Due est)n en todo el rango de conduccin desde los aisladores, pasando por los semiconductores Basta aDuella propia de los conductores como el cobre.

a velocidad de suicBeo de los dispositivos org)nicos actuales esta muy por debajo de las de los dispositivos inorg)nicos, pero se espera Due en pocos a.os estas velocidades se puedan alcan/ar.

$n la actualidad y en el mediano pla/o la electrnica org)nica no reempla/ara la electrnica tradicional, debido a menores velocidades de suicBeo, tiempos de vida de los materiales, etc, pero es utili/ada en nuevas areas tecnologicas, donde la electrnica tradicional no es viable, como dispositivos de gran )rea, dispositivos fle&ibles, dispositivos electroluminiscentes de bajo consumo de energa, mLsculos artificiales, nervios artificiales, entre otras, con lo cual se apodera de una franja considerable del mercado electrnico. AunDue a largo pla/o no se espera Due la electrnica org)nica reemplace la inorg)nica, se espera Due con la mejora en la s velocidades de suicBeo, la mejora de los tiempos de vida de los materiales org)nicos, entre otras, esta nueva rama de la electrnica se apodere de gran parte del mercado electrnico.

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