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Transistores

Transistores

Antônio Padilha L. Bo

TEMAS

(1) Introdução aos transistores

– Conceitos básicos

– Tipos de transistores

(2) Transistor bipolar de junção (TBJ)

– Princípios de operação

– Modos de operação

– Polarização

– Aplicações

(3) Transistor de efeito de campo (FET)

– Princípios de operação de JFETs e MOSFETs

– Modos de operação

– Polarização

– Aplicações

Transistores

Antônio Padilha L. Bo

1

Introdução aos transistores

Conceitos básicos

– Histórico e conceitos

Tipos básicos de transistores

– Transistor bipolar de junção (TBJ)

– Transistor de efeito de campo (FET)

Transistores

Antônio Padilha L. Bo

TRANSISTORES

O que é um transistor?

– Dispositivo eletrônico em que uma pequena corrente elétrica é usada para controlar uma corrente maior em outros dois terminais

– Funções básicas

• Amplificador

• Chave

História

– 1947: dispositivo em que uma pequena corrente sobre uma junção PN poderia controlar a corrente sobre um outro eletrodo. Foi o primeiro transistor (TRANSfer resISTOR)

• Foi a invenção que permitiu a “era do conhecimento”

– 1958: um dos primeiros circuitos integrados

Transistores

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permitiu a “era do conhecimento” – 1958: um dos primeiros circuitos integrados Transistores 1 Antônio Padilha
permitiu a “era do conhecimento” – 1958: um dos primeiros circuitos integrados Transistores 1 Antônio Padilha

Antônio Padilha L. Bo

TRANSISTORES

Aplicações

– É o componente fundamental de uma fonte controlada, do amplificador, elementos básicos da eletrônica analógica

– É o componente fundamental de uma chave lógica, que é o elemento básico da eletrônica digital

Tipos principais

– Transistores Bipolares de Junção (TBJ) e Transistores de Efeito de Campo MOS (MOSFET)

– MOSFETs são os dispositivos mais utilizados atualmente

– MOSFET Vs. TBJ

• TBJ é um dispositivo bipolar, enquanto o MOSFET é unipolar

• O MOSFET fornece maior impedância de entrada e propicia menor consumo de energia

• O TBJ é mais indicado para operações em alta frequência e quando altas correntes estão envolvidas. Além disso, é muitas vezes preferido quando são utilizados componentes discretos, tendo em vista a grande quantidade de componentes disponíveis

Transistores

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Analogia hidráulica simplificada: TBJ

TBJ NPN

Analogia hidráulica simplificada: TBJ TBJ NPN – Fluxo d'água na base controla a válvula correspondente –

– Fluxo d'água na base controla a válvula correspondente

– A válvula entre o coletor e o emissor é controlada pela válvula da base

– A válvula entre o coletor e o emissor permite a passagem de um maior fluxo d'água

– O fluxo d'água na base junta-se ao fluxo d'água principal no emissor

Transistores

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Analogia hidráulica simplificada: MOSFET

MOSFET canal N

Analogia hidráulica simplificada: MOSFET MOSFET canal N – Pressão na porta controla a válvula correspondente –

– Pressão na porta controla a válvula correspondente

– A válvula entre o dreno e a fonte é controlada pela válvula da porta

– A válvula entre o dreno e a fonte permite a passagem de um grande fluxo d'água

– É mínimo o fluxo d'água na porta que junta-se ao fluxo d'água principal na fonte

Transistores

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Transistor bipolar de junção

Princípios de operação

– Estrutura e princípios de funcionamento

Modos de operação

– Comportamento e modelos de TBJs

Polarização

– Reta de carga e circuitos de polarização

Aplicações

– TBJ como chave e amplificador

Transistores

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Transistores Bipolares de Junção?

Mas então por que estudar o TBJ?

– Você precisará frequentemente entender as propriedades de entrada e saída do circuito para conectá-los a outros circuitos

– O TBJ é um ótimo recurso para interface entre CIs e outros circuitos que você projetará

– Muitas vezes o CI que você necessita simplesmente não existe. Nesse caso, você deverá projetar o circuito a partir de transistores discretos

– Talvez seja você quem vai projetar tais CIs

Transistores

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Como é a estrutura de um TBJ?

Estrutura

– É um dispositivo semicondutor de 3 terminais composto por 2 junções PN

– As 3 regiões que o compõem são chamadas de emissor, base e coletor

As 3 regiões que o compõem são chamadas de emissor , base e coletor NPN PNP

NPN

As 3 regiões que o compõem são chamadas de emissor , base e coletor NPN PNP

PNP

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Como é a estrutura de um TBJ?

Estrutura

– Analisando as duas junções PN isoladamente, JEB e JCB, cada uma delas representa um diodo de junção PN

– Vale lembrar nesse momento que um diodo comum possui 3 regiões distintas de operação

Condução: polarização direta

Corte: polarização reversa

Ruptura: polarização reversa

– Entre essas 3 regiões de operação, em geral transistores não são projetados para operar na região de ruptura

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NPN

Transistores

NPN Transistores 2 Antônio Padilha L. Bo

2

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Como funciona um TBJ?

Princípio de funcionamento em modo ativo

– Analisando calmamente

(1) Como a junção JEB está diretamente polarizada, a região de depleção diminui e a junção conduz

(2) Entretanto, devido às diferenças de dopagem e construção, apenas parte dos elétrons provenientes do emissor se combinam com lacunas na base

(3) Esses poucos elétrons que se combinam na base formam a corrente que flui pelo terminal da base, I B

(4) A maior parte dos elétrons provenientes do emissor acaba por ultrapassar a JCB, devido à energia acumulada pela polarização de JEB e pela distribuição dos elétrons na base. Assim, como o nome indica, o coletor coleta os elétrons enviados pelo emissor.

(5) Ao atingir o coletor, os elétrons são atraídos pelo campo elétrico produzido pela polarização reversa da JCB

(6) Esses elétrons formam a corrente do coletor, I C , que é bem maior que I B

(7) A base atua como região de controle do fluxo de portadores de carga do emissor para o coletor

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Quais as regiões de operação de um TBJ?

Regiões de operação

– Ao controlar as tensões nos terminais de um TBJ, podem ser definidas 4 regiões distintas de operação

Ativo: transistor utilizado como amplificador

Corte e saturação: transistor utilizado como chave

Ativo reverso: pouca aplicação prática

– A tabela abaixo relaciona as áreas às tensões observadas nos terminais do TBJ

Modo

JEB

JCB

Tensão aplicada (npn)

Corte

Reversa

Reversa

V E > V B < V C

Ativo

Direta

Reversa

V E < V B < V C

Ativo reverso

Reversa

Direta

V E > V B > V C

Saturação

Direta

Direta

V E < V B > V C

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Como funciona um TBJ?

Princípio de funcionamento em modo ativo

– Aqui utilizamos um dispositivo NPN

• A operação de um transistor PNP é semelhante

• As diferenças são os papéis dos elétrons e lacunas, as polaridades das tensões de polarização e os sentidos das correntes

e lacunas, as polaridades das tensões de polarização e os sentidos das correntes Transistores 2 Antônio

Transistores

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O primeiro modelo: o mais simples

– Considerando que JEB está diretamente polarizada e que JCB está reversamente polarizada, podemos assumir o seguinte modelo simplificado

• Como JEB está diretamente polarizada, temos que

• Como JEB está diretamente polarizada, temos que • O ganho de corrente de emissor comum,

• O ganho de corrente de emissor comum, β, com valores tradicionalmente variando entre 20-200, é dado por

valores tradicionalmente variando entre 20-200, é dado por • A corrente do emissor, i E ,

A corrente do emissor, i E , é simplesmente

entre 20-200, é dado por • A corrente do emissor, i E , é simplesmente Transistores

Transistores

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Analisando circuitos CC básicos com um TBJ

As respectivas tensões e correntes são calculadas da seguinte forma

– Como está polarizado diretamente

da seguinte forma – Como está polarizado diretamente – Assim, pode-se calcular – e consequentemente –

– Assim, pode-se calcular

está polarizado diretamente – Assim, pode-se calcular – e consequentemente – visto que Transistores 2 Antônio

– e consequentemente

diretamente – Assim, pode-se calcular – e consequentemente – visto que Transistores 2 Antônio Padilha L.
diretamente – Assim, pode-se calcular – e consequentemente – visto que Transistores 2 Antônio Padilha L.

– visto que

diretamente – Assim, pode-se calcular – e consequentemente – visto que Transistores 2 Antônio Padilha L.

Transistores

2

diretamente – Assim, pode-se calcular – e consequentemente – visto que Transistores 2 Antônio Padilha L.

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Exemplos básicos de circuitos CC

Exemplo: NPN

– Considerando β = 150, calcule

I B , I C

V BE , V CB , V CE

– Solução

I B , I C • V BE , V CB , V CE – Solução

Como JEB está polarizada diretamente, o valor de V BE é conhecido e pode-se calcular as seguintes correntes

o valor de V B E é conhecido e pode-se calcular as seguintes correntes Transistores 2
o valor de V B E é conhecido e pode-se calcular as seguintes correntes Transistores 2

Transistores

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Exemplos básicos

Exemplo: NPN

– Considerando β = 150, calcule

I B , I C

V BE , V CB , V CE

– Solução

I B , I C • V BE , V CB , V CE – Solução

As tensões respectivas são calculadas da seguinte forma

● As tensões respectivas são calculadas da seguinte forma ● Simulações Transistores 2 Antônio Padilha L.
● As tensões respectivas são calculadas da seguinte forma ● Simulações Transistores 2 Antônio Padilha L.

Simulações

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Exemplos básicos de circuitos CC

Exemplo: saturação

Este transistor está saturado? Considere que V CE(sat) é 0,2 V

saturado? Considere que V C E ( s a t ) é 0,2 V – Solução

– Solução

• Primeiro, calculamos a corrente de saturação

t ) é 0,2 V – Solução • Primeiro, calculamos a corrente de saturação Transistores 2

Transistores

2

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Exemplos básicos de circuitos CC

Exemplo: saturação

Este transistor está saturado? Considere que V CE(sat) é 0,2 V

saturado? Considere que V C E ( s a t ) é 0,2 V – Solução

– Solução

Agora, podemos calcular I B e a corrente I C correspondente

calcular I B e a corrente I C correspondente • Assim, verificamos que o transistor está
calcular I B e a corrente I C correspondente • Assim, verificamos que o transistor está

• Assim, verificamos que o transistor está saturado

Transistores

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Outra analogia

O transistor-man

Outra analogia • O transistor-man Transistores 2 Antônio Padilha L. Bo

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Algumas aplicações simples

TBJ como chave

– O circuito abaixo pode ser utilizado como uma chave

simples • TBJ como chave – O circuito abaixo pode ser utilizado como uma chave Transistores

Transistores

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Algumas aplicações simples

TBJ como chave

Algumas aplicações simples • TBJ como chave – Quando V B B = 0 , o

Quando V BB = 0 , o transistor está em corte, provocando V CE = V CC

– Quando JEB está polarizado diretamente e houver corrente na base suficientemente grande para produzir a máxima corrente no coletor, o transistor estará saturado

a máxima corrente no coletor, o transistor estará saturado • A corrente mínima na base para

• A corrente mínima na base para garantir saturação será

estará saturado • A corrente mínima na base para garantir saturação será Transistores 2 Antônio Padilha

Transistores

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Algumas aplicações simples

Seguidor de emissor

Algumas aplicações simples • Seguidor de emissor – Para que serve este circuito? • Funciona como

– Para que serve este circuito?

• Funciona como um buffer, porém com um pequeno deslocamento entre as tensões de entrada e saída

Transistores

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OUTROS EXEMPLOS de ANÁLISE CC

Exemplo: β = 100

OUTROS EXEMPLOS de ANÁLISE CC • Exemplo: β = 100 Transistores 2 Antônio Padilha L. Bo

Transistores

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OUTROS EXEMPLOS de ANÁLISE CC

Exemplo: polarização com uma única fonte

Transistores

OUTROS EXEMPLOS de ANÁLISE CC • Exemplo: polarização com uma única fonte Transistores 2 Antônio Padilha

2

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O segundo modelo: ainda simplificado

– Considerando que JEB está diretamente polarizada e que JCB está reversamente polarizada, podemos assumir o seguinte modelo simplificado

• Como JEB está diretamente polarizada, temos que

• Como JEB está diretamente polarizada, temos que • O ganho de corrente de emissor comum,

• O ganho de corrente de emissor comum, β, cujo valor normalmente varia entre 20-200, é dado por

β , cujo valor normalmente varia entre 20-200, é dado por • A corrente do emissor,

A corrente do emissor, I E , é dada por

por • A corrente do emissor, I E , é dada por • Assim, define,se também

• Assim, define,se também

• A corrente do emissor, I E , é dada por • Assim, define,se também Transistores
• A corrente do emissor, I E , é dada por • Assim, define,se também Transistores

Transistores

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Algumas aplicações simples

Seguidor de emissor

– Características de um seguidor de tensão ( buffer ) usando um transistor NPN

seguidor de tensão ( buffer ) usando um transistor NPN Transistores 2 – Resistência de entrada

Transistores

2

tensão ( buffer ) usando um transistor NPN Transistores 2 – Resistência de entrada • onde

– Resistência de entrada

tensão ( buffer ) usando um transistor NPN Transistores 2 – Resistência de entrada • onde

onde

tensão ( buffer ) usando um transistor NPN Transistores 2 – Resistência de entrada • onde
tensão ( buffer ) usando um transistor NPN Transistores 2 – Resistência de entrada • onde

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Algumas aplicações simples

Seguidor de emissor

– Características de um seguidor de tensão ( buffer ) usando um transistor NPN

seguidor de tensão ( buffer ) usando um transistor NPN Transistores 2 • Daí, como •

Transistores

2

• Daí, como

de tensão ( buffer ) usando um transistor NPN Transistores 2 • Daí, como • Chega-se

• Chega-se a

de tensão ( buffer ) usando um transistor NPN Transistores 2 • Daí, como • Chega-se

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OUTROS EXEMPLOS de ANÁLISE CC

Exemplo: análise CC, β = 100

OUTROS EXEMPLOS de ANÁLISE CC • Exemplo: análise CC, β = 100 Transistores 2 Antônio Padilha
OUTROS EXEMPLOS de ANÁLISE CC • Exemplo: análise CC, β = 100 Transistores 2 Antônio Padilha

Transistores

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OUTROS EXEMPLOS de ANÁLISE CC

Exemplo: análise CC, β > 50

Transistores

OUTROS EXEMPLOS de ANÁLISE CC • Exemplo: análise CC, β > 50 Transistores 2 Antônio Padilha

2

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OUTROS EXEMPLOS de ANÁLISE CC

Exemplo: análise CC, β > 50

Considerando que está no modo ativo

CC • Exemplo: análise CC, β > 50 – Considerando que está no modo ativo Transistores

Transistores

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OUTROS EXEMPLOS de ANÁLISE CC

Exemplo: análise CC, β > 50

Considerando que está saturado

CC • Exemplo: análise CC, β > 50 – Considerando que está saturado Transistores 2 Antônio

Transistores

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OUTROS EXEMPLOS de ANÁLISE CC

Exemplo: polarização com uma única fonte

– Circuito equivalente de Thévenin

polarização com uma única fonte – Circuito equivalente de Thévenin • onde Transistores 2 Antônio Padilha

onde

polarização com uma única fonte – Circuito equivalente de Thévenin • onde Transistores 2 Antônio Padilha
polarização com uma única fonte – Circuito equivalente de Thévenin • onde Transistores 2 Antônio Padilha
polarização com uma única fonte – Circuito equivalente de Thévenin • onde Transistores 2 Antônio Padilha
polarização com uma única fonte – Circuito equivalente de Thévenin • onde Transistores 2 Antônio Padilha

Transistores

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OUTROS EXEMPLOS de ANÁLISE CC

Exemplo: polarização com uma única fonte

– Circuito equivalente de Thévenin

• Aplicando a lei das malhas na junção emissor-base, tem-se

Aplicando a lei das malhas na junção emissor-base, tem-se • onde • e daí tem-se Transistores

• onde

a lei das malhas na junção emissor-base, tem-se • onde • e daí tem-se Transistores 2

• e daí tem-se

a lei das malhas na junção emissor-base, tem-se • onde • e daí tem-se Transistores 2

Transistores

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OUTROS EXEMPLOS de ANÁLISE CC

Exemplo: transistores em cascata

Transistores

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CURVAS CARACTERÍSTICAS de um TBJ

CURVAS CARACTERÍSTICAS de um TBJ Transistores 2 Antônio Padilha L. Bo

Transistores

CURVAS CARACTERÍSTICAS de um TBJ Transistores 2 Antônio Padilha L. Bo

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POLARIZAÇÃO de um TBJ

Por quê?

– Ao polarizar um transistor, podemos estabelecer o ponto de operação CC (ou quiescente Q) do circuito, de modo que o amplificador opere na região linear

– Caso a polarização for inadequada, o transistor entrará em saturação ou em corte e o sinal amplificado será distorcido

Exemplo

em saturação ou em corte e o sinal amplificado será distorcido • Exemplo Transistores 2 Antônio
em saturação ou em corte e o sinal amplificado será distorcido • Exemplo Transistores 2 Antônio

Transistores

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POLARIZAÇÃO de um TBJ

Exemplo

POLARIZAÇÃO de um TBJ • Exemplo Transistores 2 Antônio Padilha L. Bo

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POLARIZAÇÃO de um TBJ

Exemplo

POLARIZAÇÃO de um TBJ • Exemplo Transistores 2 Antônio Padilha L. Bo

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POLARIZAÇÃO de um TBJ

Reta de carga CC

– Os diferentes pontos de operação de um circuito com TBJ podem ser ilustrados graficamente por meio da reta de carga

podem ser ilustrados graficamente por meio da reta de carga – A partir dela, pode-se determinar
podem ser ilustrados graficamente por meio da reta de carga – A partir dela, pode-se determinar

– A partir dela, pode-se determinar os pontos de corte e saturação do circuito

– Ponto de corte

Idealmente a intersecção da reta de carga com o eixo V CE

Entretanto, devido às correntes de fuga no coletor, I CB0 , a tensão a partir qual o circuito estará em corte é ligeiramente menor que V CC

– Ponto de saturação

Idealmente a intersecção da reta de carga com o eixo I C

Entretanto, haverá uma pequena tensão sobre o transistor, V CE(sat) , quando em saturação, provocando um ligeira diminuição em I C(sat)

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POLARIZAÇÃO de um TBJ

Exemplo: região linear de operação

POLARIZAÇÃO de um TBJ • Exemplo: região linear de operação Transistores 2 Antônio Padilha L. Bo
POLARIZAÇÃO de um TBJ • Exemplo: região linear de operação Transistores 2 Antônio Padilha L. Bo
POLARIZAÇÃO de um TBJ • Exemplo: região linear de operação Transistores 2 Antônio Padilha L. Bo
POLARIZAÇÃO de um TBJ • Exemplo: região linear de operação Transistores 2 Antônio Padilha L. Bo

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POLARIZAÇÃO de um TBJ

Exemplo: região linear de operação

POLARIZAÇÃO de um TBJ • Exemplo: região linear de operação Transistores 2 Antônio Padilha L. Bo

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POLARIZAÇÃO de um TBJ

Exemplo: região linear de operação

POLARIZAÇÃO de um TBJ • Exemplo: região linear de operação Transistores 2 Antônio Padilha L. Bo

Transistores

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POLARIZAÇÃO de um TBJ

Exemplo: ponto de operação e máxima corrente na base, β = 200

ponto de operação e máxima corrente na base, β = 200 – Em primeiro lugar, pode-se

– Em primeiro lugar, pode-se calcular o ponto de operação, como no exemplo anterior

Em primeiro lugar, pode-se calcular o ponto de operação, como no exemplo anterior Transistores 2 Antônio

Transistores

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POLARIZAÇÃO de um TBJ

Exemplo: ponto de operação e máxima corrente na base, β = 200

ponto de operação e máxima corrente na base, β = 200 – Em seguida, podemos calcular

– Em seguida, podemos calcular a corrente de saturação aproximada

podemos calcular a corrente de saturação aproximada – Daí, podemos calcular a variação máxima da corrente

– Daí, podemos calcular a variação máxima da corrente no coletor a partir de Q

– Daí, podemos calcular a variação máxima da corrente no coletor a partir de Q Transistores

Transistores

2

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POLARIZAÇÃO de um TBJ

Exemplo: ponto de operação e máxima corrente na base, β = 200

ponto de operação e máxima corrente na base, β = 200 – Por fim, pode-se calcular

– Por fim, pode-se calcular a corrente máxima na base correspondente

β = 200 – Por fim, pode-se calcular a corrente máxima na base correspondente Transistores 2

Transistores

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LIMITES de OPERAÇÃO de um TBJ

LIMITES de OPERAÇÃO de um TBJ Transistores 2 Antônio Padilha L. Bo

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LIMITES de OPERAÇÃO de um TBJ

Transistor

Polaridade

V CE(max) [V]

I CE(max) [mA]

β

BC548

NPN

45

100

125 a 900

BC559

PNP

-30

-200

125 a 900

2N222

NPN

30

800

100 a 300

TIP31

NPN

40

3000

20 a 50

TIP31C

NPN

100

3000

20 a 50

2N3055

NPN

80

15000

20 a 50

Transistores

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CIRCUITOS de POLARIZAÇÃO de um TBJ

Polarização com uma única fonte

– Uma das opções mais simples para se polarizar um transistor com uma fonte apenas

simples para se polarizar um transistor com uma fonte apenas • Problemas – Variações em β

• Problemas

– Variações em β devido à temperatura e mudanças paramétricas entre dispositivos do mesmo tipo

• Aplicação

– Transistor como chave

Transistores

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CIRCUITOS de POLARIZAÇÃO de um TBJ

Polarização com uma única fonte

– Para minimizar efeitos das variações em β, pode-se acrescentar uma resistência ao emissor

em β , pode-se acrescentar uma resistência ao emissor • Nesse caso • e dessa forma

• Nesse caso

acrescentar uma resistência ao emissor • Nesse caso • e dessa forma R E irá compensar

e dessa forma R E irá compensar os efeitos das variações de β

Transistores

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CIRCUITOS de POLARIZAÇÃO de um TBJ

Polarização com uma única fonte: divisor de tensão

– É uma das polarizações mais utilizadas quando o transistor opera como amplificador linear

quando o transistor opera como amplificador linear • A tensão sobre a resistência R B 2

A tensão sobre a resistência R B2 polariza diretamente a junção emissor- base

Transistores

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CIRCUITOS de POLARIZAÇÃO de um TBJ

Polarização com uma única fonte: divisor de tensão

– Circuito equivalente de Thévenin

onde

uma única fonte: divisor de tensão – Circuito equivalente de Thévenin • onde Transistores 2 Antônio
uma única fonte: divisor de tensão – Circuito equivalente de Thévenin • onde Transistores 2 Antônio
uma única fonte: divisor de tensão – Circuito equivalente de Thévenin • onde Transistores 2 Antônio
uma única fonte: divisor de tensão – Circuito equivalente de Thévenin • onde Transistores 2 Antônio
uma única fonte: divisor de tensão – Circuito equivalente de Thévenin • onde Transistores 2 Antônio

Transistores

2

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CIRCUITOS de POLARIZAÇÃO de um TBJ

Polarização com uma única fonte: divisor de tensão

– Circuito equivalente de Thévenin

• Aplicando a lei das malhas na junção emissor-base, tem-se

Aplicando a lei das malhas na junção emissor-base, tem-se • onde • e daí tem-se Transistores

• onde

a lei das malhas na junção emissor-base, tem-se • onde • e daí tem-se Transistores 2

• e daí tem-se

a lei das malhas na junção emissor-base, tem-se • onde • e daí tem-se Transistores 2

Transistores

2

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CIRCUITOS de POLARIZAÇÃO de um TBJ

Polarização com uma única fonte: divisor de tensão

– Para um bom projeto, devemos garantir

V BB grande pode levar à saturação e pequeno pode levar ao corte

• Efeito sobre a variabilidade de β

Caso a resistência R E for suficientemente grande, i.e,

Transistores

Caso a resistência R E for suficientemente grande, i.e, Transistores – poderemos assumir 2 Antônio Padilha

– poderemos assumir

Caso a resistência R E for suficientemente grande, i.e, Transistores – poderemos assumir 2 Antônio Padilha

2

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CIRCUITOS de POLARIZAÇÃO de um TBJ

Polarização utilizando um resistor de realimentação do coletor para a base

– Para amplificadores na configuração emissor comum

base – Para amplificadores na configuração emissor comum – R C >> R B / β

R C >> R B / β + 1

Transistores

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CIRCUITOS de POLARIZAÇÃO de um TBJ

Espelho de correntes
Espelho de correntes

Transistores

2

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CIRCUITOS de POLARIZAÇÃO de um TBJ

Polarização utilizando uma fonte de corrente

R B pode ser elevado para aumentar resistência de entrada, sem afetar estabilidade

B pode ser elevado para aumentar resistência de entrada, sem afetar estabilidade Transistores 2 Antônio Padilha

Transistores

2

B pode ser elevado para aumentar resistência de entrada, sem afetar estabilidade Transistores 2 Antônio Padilha

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Outro EXEMPLOS pontual

Qual a utilidade esse circuito? Indique uma desvantagem.

Outro EXEMPLOS pontual • Qual a utilidade esse circuito? Indique uma desvantagem. Transistores 2 Antônio Padilha

Transistores

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CONFIGURAÇÕES BÁSICAS de um TBJ

O que são?

– Os transistores podem ser ligados em 3 configurações básicas

– Em cada uma dessas configurações são definidos os pontos de entrada e saída do circuito, e também qual dos 3 terminais será a referência no circuito

– Cada uma dessas configurações possui características que os fazem recomendados para diferentes aplicações

– Na construção de amplificadores de múltiplos estágios, pode-se muitas vezes concatenar diferentes configurações

Transistores

2

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CONFIGURAÇÕES BÁSICAS de um TBJ

Coletor comum

CONFIGURAÇÕES BÁSICAS de um TBJ • Coletor comum Transistores 2 Ganho de corrente Elevado Ganho de

Transistores

2

Ganho de corrente

Elevado

Ganho de tensão

~1

Impedância de entrada

Alta

Impedância de saída

Baixa

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CONFIGURAÇÕES BÁSICAS de um TBJ

Emissor comum

– Ocorre inversão de fase

de um TBJ • Emissor comum – Ocorre inversão de fase Transistores 2 Ganho de corrente

Transistores

2

Ganho de corrente

Elevado

Ganho de tensão

Elevado

Impedância de entrada

Baixa

Impedância de saída

Alta

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CONFIGURAÇÕES BÁSICAS de um TBJ

Base comum

CONFIGURAÇÕES BÁSICAS de um TBJ • Base comum Transistores 2 Ganho de corrente ~1 Ganho de

Transistores

2

Ganho de corrente

~1

Ganho de tensão

Elevado

Impedância de entrada

Baixa

Impedância de saída

Alta

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TBJ como AMPLIFICADOR

Conceitos

– Aqui, trataremos do uso de transistores bipolares de junção como amplificadores de pequenos sinais

– Um pequeno resumo

• A polarização de um transistor, ou seja, estabelecer um ponto de operação em seu modo de operação ativo, é uma operação meramente CC

• A partir do ponto de operação estabelecido, pode-se efetuar a amplificação de pequenos sinais

• Para analisar tal circuito, não utilizaremos apenas o modelo simplificado utilizado até o momento

Transistores

2

Antônio Padilha L. Bo

TBJ como AMPLIFICADOR

Exemplo: um amplificador linear

– O divisor de tensão estabelece o ponto de operação para amplificação de um sinal capacitivamente acoplado

• Acoplamento capacitivo impede que as resistências da fonte e da carga afetem a polarização do transistor

Em termos da tensão V C , a tensão de saída é invertida

transistor – Em termos da tensão V C , a tensão de saída é invertida Transistores

Transistores

2

Antônio Padilha L. Bo

TBJ como AMPLIFICADOR

Reanalisando um circuito básico

– Teríamos dificuldade em analisar o circuito abaixo utilizando o modelo de transistor adotado até agora

– Em um modelo mais completo do transistor, a JEB não é mais analisada como um simples modelo de queda de tensão constante, mas sim com

um simples modelo de queda de tensão constante, mas sim com – Assim, teremos a seguinte

– Assim, teremos a seguinte equações

descrevendo o circuito

mas sim com – Assim, teremos a seguinte equações descrevendo o circuito Transistores 2 Antônio Padilha
mas sim com – Assim, teremos a seguinte equações descrevendo o circuito Transistores 2 Antônio Padilha
mas sim com – Assim, teremos a seguinte equações descrevendo o circuito Transistores 2 Antônio Padilha

Transistores

2

mas sim com – Assim, teremos a seguinte equações descrevendo o circuito Transistores 2 Antônio Padilha

Antônio Padilha L. Bo

TBJ como AMPLIFICADOR

Corrente no coletor e transcondutância

– Considerando que a tensão de entrada é representada pelas suas componentes CC e CA, tem-se que

representada pelas suas componentes CC e CA , tem-se que – Assim, a corrente no coletor

– Assim, a corrente no coletor será

CC e CA , tem-se que – Assim, a corrente no coletor será – Ou seja

– Ou seja

CC e CA , tem-se que – Assim, a corrente no coletor será – Ou seja

Transistores

2

CC e CA , tem-se que – Assim, a corrente no coletor será – Ou seja

Antônio Padilha L. Bo

TBJ como AMPLIFICADOR

Corrente no coletor e transcondutância

Considerando agora que v be é um sinal de pequena amplitude, ou seja, v be < V T , pode-se aproximar a relação por

v b e < V T , pode-se aproximar a relação por – Assim, a corrente

– Assim, a corrente total no coletor é composta

pelo valor da corrente de polarização I C e

de um componente de sinal i C

de polarização I C e de um componente de sinal i C – Essa equação relaciona
de polarização I C e de um componente de sinal i C – Essa equação relaciona

– Essa equação relaciona a corrente de sinal no coletor a um sinal de tensão na JEB correspondente, i.e.

a corrente de sinal no coletor a um sinal de tensão na JEB correspondente, i.e. Transistores

Transistores

2

Antônio Padilha L. Bo

TBJ como AMPLIFICADOR

Corrente na base e a resistência de entrada na base

Para determinar a corrente de base em função de v be , primeiro temos de avaliar a corrente total na base i B

, primeiro temos de avaliar a corrente total na base i B – Ou seja, onde

– Ou seja,

temos de avaliar a corrente total na base i B – Ou seja, onde – Substituindo

onde

de avaliar a corrente total na base i B – Ou seja, onde – Substituindo I

Substituindo I C /V T por g m , obtemos

i B – Ou seja, onde – Substituindo I C /V T por g m ,

Transistores

2

Antônio Padilha L. Bo

TBJ como AMPLIFICADOR

Corrente na base e a resistência de entrada na base

– Assim, a resistência de entrada para pequenos sinais entre a base e o emissor, olhando para o terminal da base, é representada por r π e pode ser definida como

i.e.base, é representada por r π e pode ser definida como – Dessa forma, r π

é representada por r π e pode ser definida como i.e. – Dessa forma, r π

Dessa forma, r π é diretamente proporcional a ß e inversamente proporcional à corrente de polarização I C

Substituindo g m por I C /V T e substituindo I C por I B , temos a seguinte expressão alternativa para r π

I C /ß por I B , temos a seguinte expressão alternativa para r π Transistores

Transistores

2

Antônio Padilha L. Bo

TBJ como AMPLIFICADOR

Corrente no emissor e a resistência de entrada na base

A corrente total no emissor i E pode ser determinada a partir de

total no emissor i E pode ser determinada a partir de – Ou seja, onde –

– Ou seja,

i E pode ser determinada a partir de – Ou seja, onde – Se representarmos a

onde

i E pode ser determinada a partir de – Ou seja, onde – Se representarmos a

– Se representarmos a resistência para pequenos sinais entre base e emissor, olhando para o terminal do emissor, como r e , ela pode ser definida como

do emissor , como r e , ela pode ser definida como – Assim, a resistência

– Assim, a resistência de emissor é dada por

ela pode ser definida como – Assim, a resistência de emissor é dada por Transistores ou

Transistores

ou seja

ela pode ser definida como – Assim, a resistência de emissor é dada por Transistores ou

2

Antônio Padilha L. Bo

CIRCUITOS EQUIVALENTES CA

O modelo π-híbrido

– As figuras abaixo ilustram um modelo equivalente de um TBJ para pequenos sinais

um modelo equivalente de um TBJ para pequenos sinais (a) (b) – Em (a), o TBJ

(a)

um modelo equivalente de um TBJ para pequenos sinais (a) (b) – Em (a), o TBJ

(b)

– Em (a), o TBJ é representado como um fonte de corrente controlada por tensão

– Em (b), é representado como uma fonte de corrente controlada por corrente

– São equivalentes, visto que

Transistores

como uma fonte de corrente controlada por corrente – São equivalentes, visto que Transistores 2 Antônio

2 Antônio Padilha L. Bo

CIRCUITOS EQUIVALENTES CA

O modelo T

– Embora usemos, na maioria das vezes, o modelo π–híbrido, há situações nas quais um modelo alternativo, chamado modelo T, é mais conveniente

– Em (a), o TBJ é representado como fonte de corrente controlada por tensão

– Em (b), é representado como uma fonte de corrente controlada por corrente

como uma fonte de corrente controlada por corrente – O modelo T mostram explicitamente a resistência

– O modelo T mostram explicitamente a resistência do emissor r e , diferente do modelo π-hibrido, que explicita a resistência de base

Transistores

2

, diferente do modelo π -hibrido, que explicita a resistência de base Transistores 2 (a) (b)

(a)

, diferente do modelo π -hibrido, que explicita a resistência de base Transistores 2 (a) (b)

(b)

Antônio Padilha L. Bo

CIRCUITOS EQUIVALENTES CA

Aplicando os modelos equivalentes para pequenos sinais

– A disponibilidade dos modelos equivalentes do TBJ para operação com pequenos sinais faz da análise de circuitos amplificadores com transistores um processo sistemático. O processo consiste nos seguintes passos:

(1) Determine o ponto de operação CC do TBJ e, em particular o valor da corrente CC de coletor, I C

(2) Calcule os valores dos parâmetros do modelo para pequenos sinais: g m =

I C /V T , r π = ß/g m e r e = V T /I E = α/g m

(3) Elimine as fontes CC substituindo cada fonte CC de tensão por um curto- circuito e cada fonte CC de corrente por um circuito aberto. Atenção também aos capacitores de acoplamento e bypass

(4) Substitua o TBJ por um de seus modelos equivalentes. Embora qualquer um dos modelos possa ser utilizado, um deles deve ser mais conveniente, dependendo do circuito a ser analisado

(5) Analise o circuito resultante para determinar as grandezas de interesse (por exemplo, ganho de tensão, resistência de entrada)

Transistores

2

Antônio Padilha L. Bo

CIRCUITOS EQUIVALENTES CA

Exemplo 1

– Problema

• Desejamos analisar o amplificador com transistor ilustrado ao lado para determinar seu ganho de tensão. Suponha ß = 100.

– Solução

• O 1º passo da análise consiste em determinar o ponto quiescente de operação. Para isso, vamos supor que v i = 0. A corrente CC na base será

supor que v i = 0 . A corrente CC na base será • As correntes

• As correntes e tensão no coletor serão

= 0 . A corrente CC na base será • As correntes e tensão no coletor
= 0 . A corrente CC na base será • As correntes e tensão no coletor

Transistores

2

= 0 . A corrente CC na base será • As correntes e tensão no coletor
= 0 . A corrente CC na base será • As correntes e tensão no coletor

Antônio Padilha L. Bo

CIRCUITOS EQUIVALENTES CA

Exemplo 1

• Considerando que o transistor está no modo ativo, podemos determinar os parâmetros do modelo para pequenos sinais

determinar os parâmetros do modelo para pequenos sinais • Para fazer a análise de pequenos sinais
determinar os parâmetros do modelo para pequenos sinais • Para fazer a análise de pequenos sinais

• Para fazer a análise de pequenos sinais aplica-se o modelo π-híbrido. Usando o primeiro modelo, chega-se ao circuito equivalente abaixo

Transistores

2
2

Antônio Padilha L. Bo

CIRCUITOS EQUIVALENTES CA

Exemplo 1

• Observe que no circuito equivalente ao lado não estão representadas as fontes CC. Ou seja, um nó de circuito conectado a uma fonte CC pode ser considerado como um terra para sinais

• A análise do circuito continua da seguinte forma

sinais • A análise do circuito continua da seguinte forma • Assim, o ganho de tensão
sinais • A análise do circuito continua da seguinte forma • Assim, o ganho de tensão
sinais • A análise do circuito continua da seguinte forma • Assim, o ganho de tensão

• Assim, o ganho de tensão será dado por

do circuito continua da seguinte forma • Assim, o ganho de tensão será dado por Transistores

Transistores

2

Antônio Padilha L. Bo

CIRCUITOS EQUIVALENTES CA

Exemplo 2

– Problema

• Desejamos analisar o circuito ao lado para determinar o ganho de tensão. O capacitor C é um capacitor de acoplamento cuja função é acoplar o sinal v i ao emissor e ao mesmo tempo bloquear grandezas CC. Desse modo, a polarização CC estabelecida juntamente por V + , V , R E e R C não será alterada quando o sinal v i for conectado

– Solução

• O 1º passo da análise consiste em determinar o ponto quiescente de operação

consiste em determinar o ponto quiescente de operação Supondo β = 100 , então α =

Supondo β = 100, então α = 0,99 e

o ponto quiescente de operação Supondo β = 100 , então α = 0,99 e Transistores

Transistores

o ponto quiescente de operação Supondo β = 100 , então α = 0,99 e Transistores

2

Antônio Padilha L. Bo

CIRCUITOS EQUIVALENTES CA

Exemplo 2

Logo, o transistor está no modo ativo. Além disso,

sinal no coletor pode excursionar de -5,4 V até a tensão de saturação da JCB

o

Os parâmetros desse modelo são

 
 

A

análise do circuito (ao lado) nos fornece o ganho

de tensão

  • A análise do circuito (ao lado) nos fornece o ganho de tensão Transistores 2
  • A análise do circuito (ao lado) nos fornece o ganho de tensão Transistores 2
  • A análise do circuito (ao lado) nos fornece o ganho de tensão Transistores 2
  • A análise do circuito (ao lado) nos fornece o ganho de tensão Transistores 2

Transistores

2

Antônio Padilha L. Bo

CIRCUITOS EQUIVALENTES CA

Exemplo 2

Como v eb = v i , se for desejada a operação para pequenos sinais (para que haja linearidade), então o valor de pico de v i deve ser limitado a cerca de 10 mV, portanto,

de v i deve ser limitado a cerca de 10 mV , portanto, • Assim, o

• Assim, o transistor não entrará em saturação

a cerca de 10 mV , portanto, • Assim, o transistor não entrará em saturação Transistores

Transistores

2

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3

Transistor de efeito de campo (FET)

Princípios de operação

– Conceitos básicos e tipos principais

MOSFET

– Modos de operação

– Análise de circuitos CC

– Outras aplicações

Transistores

Antônio Padilha L. Bo

TRANSISTORES

Tipos principais

– Transistores Bipolares de Junção (TBJ) e Transistores de Efeito de Campo (FET)

– FET Vs. TBJ

• TBJs são dispositivos bipolares, enquanto FETs são unipolares

• FETs fornecem maior impedância de entrada

• FETs propiciam menor consumo de energia e podem em geral ser construídos em dimensões menores. Assim, são mais utilizados em circuitos integrados (CIs)

• FETs são os dispositivos mais utilizados atualmente

• FETs permitem a implementação de funções analógicas e digitais sem o uso de resistores ou outros componentes

• TBJs fornecem maior densidade de corrente

• TBJs são dispositivos controlados por corrente, enquanto que FETs são controlados por tensão

Transistores

3

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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO

Tipos principais

– FET de junção (JFET)

• Canal P e canal N

– FET de semicondutor de óxido metálico (MOSFET)

• Tipo crescimento (ou enriquecimento) e tipo depleção

• Canal P e canal N

• Tipo crescimento (ou enriquecimento) e tipo depleção • Canal P e canal N Transistores 3

Transistores

3

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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO

TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO Transistores 3 Antônio Padilha L. Bo

Transistores

3

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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO

Estrutura

TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO • Estrutura JFET canal N Transistores MOSFET canal N tipo crescimento

JFET canal N

Transistores

DE EFEITO DE CAMPO • Estrutura JFET canal N Transistores MOSFET canal N tipo crescimento 3

MOSFET canal N tipo crescimento

3

JFET canal N Transistores MOSFET canal N tipo crescimento 3 MOSFET canal N tipo depleção Antônio

MOSFET canal N tipo depleção

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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO

JFET canal N

– JFET sempre opera com a junção GS

em polarização reversa

Controlando V GS , controla-se a resistência

entre o dreno e a fonte e a corrente I D

V G S , controla-se a resistência entre o dreno e a fonte e a corrente

Transistores

3

V G S , controla-se a resistência entre o dreno e a fonte e a corrente
V G S , controla-se a resistência entre o dreno e a fonte e a corrente

Antônio Padilha L. Bo

TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO

JFET canal N

– Relações básicas simplificadas em modo ativo

canal N – Relações básicas simplificadas em modo ativo – Analogia com modelo simplificado do TBJ
canal N – Relações básicas simplificadas em modo ativo – Analogia com modelo simplificado do TBJ

– Analogia com modelo simplificado do TBJ NPN

simplificadas em modo ativo – Analogia com modelo simplificado do TBJ NPN Transistores 3 Antônio Padilha
simplificadas em modo ativo – Analogia com modelo simplificado do TBJ NPN Transistores 3 Antônio Padilha
simplificadas em modo ativo – Analogia com modelo simplificado do TBJ NPN Transistores 3 Antônio Padilha

Transistores

3

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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO

JFET canal N

– Exemplo

TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO • JFET canal N – Exemplo – Determine as correntes e

– Determine as correntes e tensões no transistor

Transistores

3

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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO

JFET canal N

TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO • JFET canal N Transistores 3 Antônio Padilha L. Bo

Transistores

3

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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO

MOSFET canal N tipo crescimento

– É um dispositivo simétrico de porta isolada

– Chamado também de nMOSFET

simétrico de porta isolada – Chamado também de nMOSFET • O MOSFET canal P é também

• O MOSFET canal P é também chamado de pMOSFET

• A tecnologia CMOS (MOS complementar) é baseada no uso combinado de dispositivos nMOSFET e pMOSFET

Transistores

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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO

MOSFET canal N tipo crescimento

– Sempre opera com a junção GS em polarização direta

N tipo crescimento – Sempre opera com a junção GS em polarização direta Transistores 3 Antônio

Transistores

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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO

MOSFET canal N tipo crescimento

– Relações básicas simplificadas em modo saturação (ativo)

básicas simplificadas em modo saturação (ativo) Modo Tensão aplicada Corte V G S <
básicas simplificadas em modo saturação (ativo) Modo Tensão aplicada Corte V G S <
básicas simplificadas em modo saturação (ativo) Modo Tensão aplicada Corte V G S <

Modo

Tensão aplicada

Corte

V GS < V T

Triodo (saturação)

V GS > V T e V DS < ( V GS V T )

Saturação (ativo)

V GS > V T e V DS > ( V GS V T )

Transistores

3

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EXEMPLOS DE CIRCUITOS CC

Exemplo (saturação)

EXEMPLOS DE CIRCUITOS CC • Exemplo (saturação) – Determine as tensões V D S e V

Determine as tensões V DS e V GS . Para tanto, assuma que V T = 2 V e que I D = 200 mA para V GS = 4 V.

Transistores

3

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EXEMPLOS DE CIRCUITOS CC

Exemplo (saturação)

Projete o circuito de modo que o transistor opere com I D = 0,4 mA e V D = +0,5 V. O transistor NMOS tem V T = 0,7 V, k = 1,6 mA/V 2

Transistores

e V D = +0,5 V . O transistor NMOS tem V T = 0,7 V

3

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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO

MOSFET canal N tipo crescimento

– Relações básicas simplificadas em modo triodo (saturação)

básicas simplificadas em modo triodo (saturação) Modo Tensão aplicada Corte V G S <
básicas simplificadas em modo triodo (saturação) Modo Tensão aplicada Corte V G S <

Modo

Tensão aplicada

Corte

V GS < V T

Triodo (saturação)

V GS > V T e V DS < ( V GS V T )

Saturação (ativo)

V GS > V T e V DS > ( V GS V T )

Transistores

3

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EXEMPLOS DE CIRCUITOS CC

Exemplo (triodo)

– Projete o circuito da figura abaixo para estabelecer uma tensão de dreno de 0,1 V. Suponha V T = 1 V e k = 1 mA/V 2 .

Transistores

uma tensão de dreno de 0,1 V . Suponha V T = 1 V e k

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EXEMPLOS DE CIRCUITOS CC

Exemplo

– Analise o circuito mostrado na figura abaixo a fim de determinar todas as tensões dos nós e as correntes nos ramos. Suponha V T = 1 V e k = 1 mA/V 2 .

dos nós e as correntes nos ramos. Suponha V T = 1 V e k =

Transistores

3

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