03/08/2011

SEMICONDUTORES

Prof. Marcelo Wendling Jul/2011

Conceitos Bsicos
Alguns materiais apresentam propriedades de conduo eltrica intermedirias entre aquelas inerentes aos isolantes e aos condutores. Tais materiais so denominados de semicondutores. Os materiais semicondutores mais simples so constitudos de tomos de um nico elemento qumico com quatro eltrons na camada de valncia, ou seja tomos tetravalentes.

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Conceitos Bsicos
Dois tomos, tetravalentes, bastante utilizados em materiais semicondutores so o germnio (Ge) e silcio (Si).

Rede Cristalina
Os tomos que tm quatro eltrons na camada de valncia tendem a se arranjar formando uma estrutura ou rede cristalina com tomos vizinhos compartilhando seus eltrons de valncia.

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Rede Cristalina

Rede Cristalina
Representao plana de uma rede cristalina de tomos tetravalentes.

Representao tridimensional de uma rede cristalina de tomos tetravalentes.

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Dopagem
A dopagem um processo qumico no qual tomos estranhos so introduzidos na estrutura cristalina de uma substncia. Em um cristal semicondutor a dopagem geralmente realizada para alterar suas propriedades eltricas. Existem dois tipos de materiais semicondutores, tipo N e tipo P, que dependem do tipo de impureza introduzida na rede.

Semicondutor tipo N
Insere-se na estrutura cristalina, tomos contendo excesso de um eltron de valncia em relao aos tomos da rede.

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Semicondutor tipo N
Inserindo vrios tomos de impurezas:

Semicondutor tipo N
Com a insero de vrios tomos de impurezas, os eltrons livres passam a transitar livremente pelo material, tornando um material isolante (rede cristalina) em material com certo nvel de condutividade.

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Semicondutor tipo P
Insere-se na estrutura cristalina, tomos com a deficincia de um eltron em relao aos tomos da rede.

Semicondutor tipo P
Verifica-se a ausncia do segundo eltron que comporia o par necessrio formao de uma das ligaes com o tomo de ndio. Essa ausncia de eltron de ligao denominada de lacuna. A existncia de lacunas permite que haja um mecanismo de conduo distinto do tipo N. Quando a dopagem produz lacunas no semicondutor, um eltron proveniente de uma ligao covalente s poder transitar para um ponto do cristal onde haja uma lacuna disponvel.

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Semicondutor tipo P
O movimento de eltrons de valncia ocorre do polo negativo para o polo positivo.

As lacunas em um semicondutor dopado se comportam como cargas positivas que podem transitar em um cristal submetido a uma tenso externa aplicada.

Influncia Trmica
Quando a temperatura de um material semicondutor aumenta, sua condutividade tambm aumenta, devida a liberao de eltrons nas camadas de valncia, que formam um par eltron/lacuna.

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Consideraes Finais
Analisando as propriedades de materiais semicondutores, nota-se que o nmero de eltrons ou lacunas em um semicondutor, cresce com o aumento do nmero de tomos de impurezas introduzidas no cristal. Com o aumento do nmero de portadores de carga, aumenta-se a condutividade eltrica do material. Dessa forma, torna-se possvel alterar de forma controlada a condutividade eltrica de um semicondutor, efetuando-se a dosagem adequada da quantidade de dopagem do cristal durante a etapa de fabricao.

Consideraes Finais
Essa caracterstica de controle externo de condutividade possibilita o uso de cristais semicondutores como matria prima na fabricao de componentes eletrnicos, como diodos, transistores e circuitos integrados. Inicia-se agora o estudo das junes desses materiais tipo N e tipo P na busca de componentes eletrnicos com comportamentos distintos.

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Bibliografia
Retirado da apostila Srie desenvolvido pelo Sistema SENAI. Eletrnica,