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CAPTULO 7

ESTABILIZAO DA POLARIZAO DE TRANSISTORES


INTRODUO
Ao lanar um transistor no comrcio, o
fabricante fornece todas as informaes sobre
ele e as inclui em seus manuais para facilitar o
trabalho dos tcnicos e projetistas de circuitos.
Uma das principais informaes
fornecidas a famlia de curvas caractersticas
de sada do transistor. De posse dela, entre
outras coisas, podemos traar a linha de carga e
a curva de mxima dissipao de potncia. A
primeira nos possibilita a escolha do ponto Q
(ponto quiescente) ou POE (ponto de operao
esttica) e a segunda nos assegura se o transistor
est trabalhando dentro de seus limites.
Aparentemente, para que um transistor
no se danifique durante seu funcionamento,
baste que ele trabalhe dentro dos limites de
dissipao de potncia. Entretanto, existem
outros aspectos a serem considerados, tais
como: corrente, tenso e temperatura.
Portanto, antes de entrarmos no traado
da curva de mxima dissipao de potncia,
faremos consideraes sobre essas limitaes.
LIMITAES DOS TRANSISTORES
BIPOLARES
Como qualquer componente eletrnico,
o transistor em funcionamento normal, no deve
ultrapassar os valores limites de tenso,
corrente, potncia, temperatura e frequncia,
fornecidos pelo fabricante, sob pena de
desempenho no satisfatrio, diminuio do
tempo de vida ou mesmo destruio do
componente.
Limitaes de correntes
O fabricante especifica a corrente de
coletor (mxima absoluta) que pode fluir no
transistor, embora esta definio no seja muito
clara, uma vez que na realidade, desde que a
potncia dissipada no ultrapasse o valor
tambm especificado por ele, a corrente do
coletor pode ser aumentada at um ponto que
no destrua o material do transistor. Entretanto,
mesmo sem exceder a potncia especificada, a
corrente pode ser suficientemente alta a ponto
de destruir os fios de conexo dos dispositivos,
embora a corrente necessria para tal, seja bem
maior que a especificada como corrente mxima
absoluta.
Embora o dependa do transistor, ele
pode sofrer variaes de acordo com o valor de
I
C
. Assim, para valores muito elevados de
corrente, o diminui. A figura 7-1 nos mostra
trs curvas para alguns tipos de transistores.
Figura 7-1 Ganho em funo da I
C
para vrios
transistores
Na figura 7-2, so apresentadas as curvas
caractersticas de sada e delimitada a faixa
possvel de operao, em termos de corrente do
coletor. Nesta figura estamos considerando
apenas a limitao de corrente do coletor.
Ainda com relao s especificaes de
correntes, o fabricante fornece, s vezes, os
valores limites das correntes de base e de
emissor.
Limitaes de tenses
Como limitao de tenso, geralmente o
fabricante fornece os valores mximos das
tenses entre os trs terminais, ou seja, os
valores mximos de V
BE
, V
BC
e V
CE
, quando as
junes so polarizadas inversamente.
Sabemos que, no funcionamento normal
do transistor, a juno base-emissor polarizada
diretamente, mas o fabricante costuma dar a
tenso mxima inversa, caso ela venha a ser
polarizada inversamente, fato que ocorre,
quando o transistor usado como chave.
7-1
Quanto juno base-coletor, ela
normalmente polarizada no sentido inverso,
havendo portanto, necessidade de fornecer os
valores mximos inversos de V
BC
e V
CE
.
Figura 7-2 Delimitao da regio de funcio-
namento de um transistor em
funo da mxima I
C
Lembramos que V
CE
= V
BC
+ V
BE
.
Portanto, dados os valores de V
BE
e V
CE
, V
BC
estar praticamente definida, pois basta verificar
a diferena entre os valores dados para se obter
V
BC
.
Por exemplo, se um transistor de silcio
est funcionando em um circuito com V
BE
=
0,6V e V
CE
= 10V, forosamente a tenso
inversa presente na juno base-coletor ser:
V
BC
= V
CE
V
BE
= 10 0,6 = 9,4V
Os limites dessas tenses so fixados,
por causa do efeito de ruptura que ocorre
quando se aumenta a tenso inversa de uma
juno.
Por exemplo, se a tenso inversa entre
base e coletor for aumentando, com IE = 0, ser
atingida a tenso de ruptura (tenso Zener) e
haver um brusco aumento na corrente de
coletor. Isto acontece tambm quando a corrente
de emissor diferente de zero.
Figura 7-3 Curvas caractersticas de sada da
configurao base comum, desta-
cando a tenso de ruptura da juno
base-coletor.
A figura 7-3 mostra a ocorrncia do fato
com diversos valores de corrente de emissor.
Esta figura mostra tambm que o fabricante
fornece a BV
BCO
, que a tenso de ruptura
entre o coletor e a base. A letra B significa
ruptura (Breakdown em ingls) e a letra O
significa que o emissor est aberto (Open).
Geralmente, o fabricante especifica
tambm a tenso mxima permissvel entre o
coletor e o emissor, com a base aberta. Esta
especificao dada em termos de BV
CEO
,
tenso inversa de ruptura entre o coletor e o
emissor. O conjunto de curvas representativas
deste fenmeno ilustrado na figura 7-4.
Figura 7-4 Curvas caractersticas de sada da
configurao emissor comum, desta-
cando a tenso de ruptura da juno
emissor-coletor
Limitaes de potncia
Alm das limitaes de corrente e tenso
a limitao de potncia das mais importantes
para os transistores, bem como para todos os
dispositivos semicondutores e at mesmo para
todos os componentes eltricos.
No funcionamento do transistor, o calor
gerado na juno base-coletor, onde quase
toda a tenso externa aplicada.
Por exemplo, num circuito em emissor
comum, a potncia gerada no transistor dada
aproximadamente por I
C
x V
CE
.
Essa limitao de potncia, ou seja, a
mxima potncia que o transistor pode dissipar
com segurana, depende da temperatura
mxima permissvel para a juno base-emissor
(especificada pelo fabricante), da mxima
temperatura ambiente de operao do circuito
(avaliada pelo projetista) e dos meios utilizados
para dissipar o calor produzido na juno base-
emissor.
7-2
O fabricante especifica a potncia
mxima para o transistor, considerando o seu
funcionamento temperatura de 25
o
C.
CURVA DE MXIMA DISSIPAO DE
POTNCIA
O traado dessa curva feito sobre as
curvas caractersticas de sada do transistor.
Para facilitar a compreenso, sero omitidos os
valores da corrente de entrada.
Sendo a potncia dissipada no transistor
igual ao produto de I
C
pela V
CE
, temos:
P = I
C
x V
CE
Se fixarmos a potncia mxima que o
transistor pode dissipar, em uma determinada
temperatura, e considerarmos I
C
e V
CE
como
variveis, teremos:
P
mx
= I
C
x V
CE
De posse do valor de P
mx
podemos
atribuir valores a V
CE
, encontrar os valores
correspondentes de IC e determinar os vrios
pontos da curva, que possibilitaro o seu
traado.
Por exemplo, se um transistor pode
dissipar no mximo 1W a 25
o
C, podemos
determinar que ele opere com uma V
CE
de 4 V,
e assim determinarmos a sua I
C
.
A
V
W
V
P
I
CE
mx
C
25 , 0
4
1
= = =
Com o valor suposto de V
CE
e o valor de
I
C
encontrado, determinamos o ponto X, que
ser um dos pontos da curva, ilustrada na figura
7-5. Se montarmos uma tabela e atribuirmos
valores a V
CE
, encontraremos os valores
correspondentes de I
C
que, combinados com os
valores de tenso, determinaro os pontos A, B,
C, D, E, F e G, no grfico da figura 7-5.
P em W 1 1 1 1 1 1 1
V
CE
em V 1 2 3 5 6 8 10
I
C
em mA 1000 500 333 200 166 125 100
Tabela para determinar I
C
em funo de V
CE
com P constante
Figura 7-5 Curva de mxima dissipao
A curva obtida, interligando-se os
pontos encontrados na tabela. Esta curva
tambm chamada de curva de potncia
constante.
Quanto mais alta for a temperatura de
trabalho do transistor, menor ser a sua regio
de operao. A figura 7-6 mostra como a
variao de temperatura afeta a regio de
7-3
operao do transistor. Em alguns casos, em que
o transistor precisa operar com altas correntes
(da ordem de Ampres), so usados sistemas de
refrigerao para reduzir a temperatura e
ampliar a regio de operao.
Figura 7-6 Efeito da variao de temperatura
sobre a regio de operao do
transistor
Linha de carga
A linha de carga (ou reta de carga) a
linha que cruza a famlia de curvas de sada.
Essa linha possibilita aos tcnicos e projetistas,
a escolha do ponto Q, que determina os
valores de tenso e corrente que polarizam o
transistor.
Em qualquer das trs configuraes ela
traada, levando-se em conta a curva de mxima
dissipao de potncia.
Duas situaes de funcionamento do
transistor determinam as extremidades da linha
de carga de um amplificador: corte e saturao.
Para encontrar o extremo inferior da reta (ponto
A no grfico da figura 7-6), supomos o
transistor em corte (I
C
= 0).
Nesse caso V
CE
igual tenso da fonte
de alimentao.
O extremo superior (pontoB)
encontrado, supondo-se o transistor em
saturao.
Nessa situao ele apresenta resistncia
nula em sua juno coletor-emissor,
determinando uma V
CE
igual a zero volt,
ficando a corrente de coletor limitada apenas
pelo resistor de carga (R
L
).
Pelo que j vimos at aqui, fica evidente
que a reta de carga determinada por dois
valores: tenso de alimentao e valor de R
L
.
Figura 7-7 Traado da reta de carga
Na escolha da tenso de alimentao e
do valor de R
L
, devemos observar a mxima
dissipao de potncia especificada. Para maior
segurana, no devemos permitir que a reta
toque a curva de mxima dissipao, pois se o
circuito de polarizao no contar com uma boa
estabilidade, qualquer aumento na temperatura
ambiente poder fazer com que a potncia,
dissipada pelo transistor utilizado, ultrapasse a
especificada pelo fabricante, levando o
transistor sua danificao permanente.
Na figura 7-8 temos a curva de sada
com trs linhas de carga, referentes a um
amplificador na configurao emissor comum,
onde podemos selecionar diferentes valores de
R
L
e de V
CC
.
Quando queremos que o circuito opere
como amplificador de potncia, escolhemos
valores que determinem uma reta de carga mais
inclinada, como a de R
L1
, aproveitando toda a
potncia que o transistor pode oferecer. Nesse
caso o circuito deve contar com uma tima
estabilizao de polarizao que, geralmente,
exige o emprego de diodos termistores.
bom observar que na especificao da
potncia mxima de um transistor, feita pelo
fabricante, deixada uma pequena margem de
segurana com a qual o tcnico e o projetista
no devem contar.
Observando ainda a figura 7-8, fcil
concluir que com a mesma V
CC
(6 V) podemos
determinar a reta de carga que mais interessar,
variando apenas a R
L
, a exemplo das retas
correspondentes R
L2
e R
L3
.
7-4
Figura 7-8 Traado da reta de carga em funo de R
L
e V
CC
INSTABILIDADE TRMICA DOS
TRANSISTORES
J de nosso conhecimento que os
transistores so instveis variao de
temperatura. Esse fenmeno devido s
caractersticas intrnsecas do material bsico,
usado na sua confeco.
Por causa dessas caractersticas, quando
polarizado, o transistor apresenta uma pequena
corrente indesejvel, chamada de corrente
inversa, corrente de fuga ou ainda I
CBO
. Esta
I
CBO
a corrente que flui entre o coletor e a
base, estando o emissor em circuito aberto,
conforme aparece na figura 7-9.
Quando o transistor polarizado como
na figura 7-10, ao atingir o circuito de base a
I
CBO
sofre uma amplificao, conforme o fator
beta do transistor. Esta amplificao da I
CBO
d
origem I
CO
, que definida como sendo a
corrente inversa do transistor, no circuito
coletor. O valor de I
CO
pode ser calculado
atravs da seguinte frmula:
I
CO
= ( + 1) I
CBO
Se o valor de I
CBO
se mantiver a um
nvel pequeno, como o normal previsto para
uma determinada temperatura, os problemas
apresentados no sero prejudiciais ao circuito.
Porm, se a I
CBO
sofrer um aumento,
principalmente ocasionado pelo efeito trmico,
o resultado ser um aumento de I
C
(corrente
direta de coletor). Isto pode ser provado atravs
da seguinte equao:
I
C
= x I
B
+ I
CO
Substituindo I
CO
pela sua equao
correspondente, teremos:
I
C
= x I
B
+ ( + 1) I
CBO
Figura 7-9 Corrente entre base e coletor, com
emissor aberto
Figura 7-10 Correntes inversas no transistor
polarizado
7-5
No caso da I
C
aumentar em funo do
aumento da I
CBO
, o ponto Q do circuito
sofrer um deslocamento ao longo da reta de
carga.
A mudana do ponto Q pode ser
cumulativa e pode destruir o transistor. As
medidas utilizadas para contornar esta situao
so os sistemas de polarizao automtica.
importante frisar que a I
CO
flui no coletor,
independente da corrente de base. Isto pode ser
verificado na curva caracterstica de sada do
transistor, ilustrada na figura 7-11.
Nesta curva vemos que com I
B
igual a
zero flui uma pequena I
C
.
Figura 7-11 Curva caracterstica de sada de um transistor em configurao emissor comum.
A ICO normalmente especificada pelo
fabricante e consta nas caractersticas do
transistor. Seu valor fornecido para
determinadas temperaturas, geralmente 25
o
C.
O aumento de temperatura nas junes
de um transistor comea, normalmente, por um
aumento na temperatura ambiente ou mesmo
devido ao funcionamento normal do circuito,
ainda que instantneo. Neste caso, por causa do
transiente que leva o transistor a dissipar maior
potncia.
Em qualquer situao, o circuito deve
estar em condies de manter-se em bom
funcionamento e, para isto, depende de como
ele est polarizado e estabilizado.
J de nosso conhecimento que a
polarizao estabelecida para um transistor
pela especificao dos valores quiescentes da
tenso entre coletor e emissor e da corrente de
coletor. Uma operao confivel do transistor
dentro de um grande intervalo de temperatura,
requer que a tenso e a corrente de polarizao
permaneam estveis. Todavia, variaes da
corrente inversa em funo da variao de
temperatura, prejudicam a estabilidade da
polarizao se no forem empregados circuitos
de compensao.
A figura 7-12 mostra a variao da I
CBO
em funo da variao de temperatura da juno
base-coletor. O valor da corrente de fuga de
1 mA a 125
o
C. Em temperaturas abaixo de 10
o
C a corrente no causa problema.
Figura 7-12 Variao de I
CBO
em funo da
temperatura da juno base-
coletor
7-6
Anlise da polarizao de um transistor
A polarizao de um transistor, em
princpio, seria bastante simples. Bastaria
aplicar tenses contnuas aos elementos do
transistor, de modo que as correntes
permanecessem estticas, em um nvel mdio e
constante. Tomemos como exemplo o transistor
2N408, cujas caractersticas de sada aparecem
no grfico da figura 7-13.
Atravs deste grfico verificamos as
condies de trabalho do transistor. A linha de
carga foi traada entre os limites de 6V, para
mxima V
CE
, e 60 mA, para mxima I
C
.
Figura 7-13 Curva caracterstica de sada de um transistor em configurao emissor comum, com reta
de carga e ponto Q
Na figura 7-14, o transistor utilizado de
germnio e a I
B
escolhida foi de 0,3 mA. O valor
de R
B
foi determinado da seguinte forma:
R
B
= O = =

K
mA
V
mA
V V
I
V
B
BE CC
3 , 19
3 , 0
8 , 5
3 , 0
2 , 0 6 V
Figura 7-14 Transistor PNP polarizado
Pela anlise do circuito e das curvas
caractersticas de sada, podemos verificar os
valores de tenso e corrente CC, estticos, para
o circuito. Com a projeo de perpendiculares,
do ponto de cruzamento de I
B
com a linha de
carga, para os eixos de I
C
e V
CE
, verificamos
que a I
C
e a V
CE
sero, respectivamente, 26 mA
e 3,4V.
Nesta situao podemos dizer que, com
I
B
de 0,3 mA, a I
C
ser de 26 mA e a V
CE
ser
de 3,4 V, no circuito da figura 7-14.
A I
C
, para uma I
B
de 0,3 mA, pode ainda
ser calculada atravs do fator beta do transistor,
que neste caso ser em torno de 86.
m x I x I
I
I
B C
B
C
3 , 0 86 = =
A
A
= | | A ~ 26 mA
J vimos que I
C
, considerando-se I
CO
,
pode ser formulada da seguinte forma:
I
C
= x I
B
- I
CO
7-7
Se a I
CO
aumentar, com o acrscimo da
temperatura, a I
C
tambm aumentar.
Observe, no circuito da figura 7-10, que
I
C
e I
CO
tm o mesmo sentido.
Logo, se a I
CO
aumentar, por qualquer
motivo, a Ic aumentar, mudando o ponto Q
do circuito.
Fator de estabilidade
Para a anlise da estabilidade da polari-
zao esttica de um circuito amplificador,
usada a seguinte equao:
S =
CO
C
I A
I A
Na equao apresentada, S o fator de
estabilidade de corrente e seu valor ideal a
unidade.
VALORES TPICOS DE TENSES DE
JUNO PARA TRANSISTORES
A figura 7-15 mostra as caractersticas
da I
C
, como funo da V
BE
, para transistores de
germnio e de silcio tipo NPN, e indica as
vrias regies para um transistor na configu-
rao emissor comum. Os valores numricos
indicados so obtidos experimentalmente ou a
partir de equaes tericas. A regio de corte
definida como sendo a regio onde a I
E
= 0 e I
C
= I
CO
, quando a polarizao da juno base-
emissor no existe (V
BE
s 0V).
Figura 7-15 Curvas de I
C
em funo de V
BE
para transistores de germnio e de silcio
7-8
Quando a juno base-emissor
polarizada inversamente, a I
B
muito pequena,
sendo da ordem de nanoampres ou microamp-
res para os transistores de silcio e de germnio,
respectivamente.
Nenhuma I
B
aprecivel flui at que a
juno base-emissor seja polarizada direta-
mente, de modo que: V
BE
> Vt , onde Vt
chamada de tenso de limiar.
Como a I
C
nominalmente proporcional
I
B
, nenhuma corrente aprecivel fluir pelo
circuito de coletor, at que exista uma corrente
aprecivel no circuito de base.
Podemos estimar a Vt , supondo que
V
BE
= Vt quando a I
C
alcanar aproxima-
damente 1% da corrente de saturao, no
circuito em emissor comum. Valores tpicos de
Vt so 0,1 V para os transistores de germnio e
0,5 V para os de silcio.
O transistor estar na regio ativa
sempre que houver uma polarizao direta entre
base e emissor, suficientemente grande. A
regio ativa atingida efetivamente quando
tivermos V
BE
> Vt .
Os fabricantes especificam os valores de
saturao das tenses de entrada e de sada de
vrios modos. Por exemplo, podem fornecer
curvas de V
CE
e V
BE
de saturao, como funes
de I
B
e I
C
.
As tenses de saturao dependem no
somente do ponto de operao, mas tambm do
material semicondutor e das caractersticas de
fabricao do transistor.
MTODOS DE POLARIZAO PARA
ESTABILIZAO DA I
C
Existem vrios meios de se conseguir
uma estabilizao trmica da I
C
. Todos os
sistemas tm vantagens e desvantagens.
Polarizao automtica com R
B
ligado ao
coletor
Na figura 7-16 podemos ver um circuito
de estabilizao com R
B
ligado ao coletor. Os
valores de R
B
e R
C
devem estar de acordo com
as caractersticas que se desejam para o circuito.
Mas considerando-se o grfico da figura 7-13,
cuja reta de carga para uma R
C
de 100 Ohms,
verificamos que com uma I
B
de 300 A, a V
CE
ser de 3,4 V. O clculo de R
B
neste caso dado
pela seguinte equao:
ohms
x I
V V
R
B
BE CE
B
10667
10 300
2 , 0 4 , 3
6
=

Em situaes normais, o resistor R


B
limitar o valor de I
B
em 300 A. Esta I
B
produz
uma I
C
de 26 mA, que determina em R
C
uma
queda de tenso de 2,6 V. Portanto, a tenso
V
CE
ser igual a V
CC
V
CR
= 3,4 V, que o
mesmo valor observado no grfico da figura 7-
13.
R
B
, cujo valor de 10667 ohms, limita a
I
B
em 300 A, desde que a V
CE
permanea em
3,4 V. Suponhamos agora um aumento de I
CO
,
que por sua vez tende a aumentar a I
C
. Se a I
C
aumentasse, aumentaria tambm a V
RC
, o que
diminuiria a V
CE
. Com a diminuio da V
CE
, a
corrente atravs de R
B
tambm seria menor.
Com menor I
B
, menor seria a I
C
. Observamos
ento que qualquer tentativa de aumento de I
C
produz uma diminuio de I
B
e a I
C
tende a
diminuir. O resultado que a I
C
tende a manter-
se no ponto de operao escolhido, que no caso
de 26 mA.
Figura 7-16 Polarizao automtica com R
B
ligado ao coletor
O sistema de estabilizao por
realimentao de CC tirada do coletor bom,
mas tem o inconveniente da realimentao de
CA. Neste caso, referimo-nos s variaes da
V
CE
em trabalhos dinmicos.
Para atenuar a realimentao de CA, os
projetistas que usam esse sistema, costumam
desmembrar R
B
em dois resistores.
O uso de um capacitor, como aparece na
figura 7-17, tambm ajuda na reduo dessa
realimentao.
7-9
Figura 7-17 Polarizao automtica com atenu-
ao da realimentao CA
Estabilizao por realimentao de CC com
R
E
Os resistores R
C
e R
E
constituem a R
L
do
circuito e a soma de seus valores deve ser
equivalente ao valor do resistor usado na linha
de carga.
Para esse caso, consideraremos o grfico
da figura 7-13, cuja linha de carga foi traada
para um resistor de 100 ohms.
Como o valor de R
E
no deve ser muito
alto, porque afeta o ganho do circuito,
consideraremos como sendo de 10 ohms e R
C
ser de 90 ohms, conforme pode ser visto na
figura 7-18.
Figura 7-18 Estabilizao por realimentao de
CC, com R
E
No grfico, vemos que com uma I
B
de
300 A, a I
C
igual a 26 mA.
No resistor R
E
fluir esta corrente de 26
mA mais a I
B
de 300 A, que por ser de valor
muito pequeno no entrar em cogitao. A V
E
a queda em R
E
e pode ser encontrada pela Lei
de Ohm.
V
E
= R
E
x I
E
= 26 mA x 10 ohms = 0,26 V
Sendo a V
E
de 0,26 V, para que a V
BE
seja de 0,2 V, a V
B
debe ser igual a 0,46 V.
Se a V
CC
de 6 V, R
B
dever limita-la.
Neste caso o valor de R
B
encontrado pela
equao:
ohms
I
V V
R
B
B CC
B
18460
0003 , 0
46 , 0 6
=

=
Observando o circuito da figura 7-18,
conclumos que ao ser ligado, a I
B
ser limitada
em 300 A, determinando uma V
B
de 0,46V.
A I
B
de 300 A produz uma I
C
de 26 mA
que fluindo em R
E
causa, sobre este, uma V
RE
de 0,26V. Vemos ento que sendo a VE igual a
0,26V e a V
B
de 0,46V, a V
BE
ser de 0,2V,
o que constitui uma polarizao direta.
Atravs da frmula I
C
= x I
B
+ I
CO
,
sabemos que se a I
CO
aumentar por qualquer
razo, a I
C
tambm aumentar, saindo o circuito
do ponto de operao escolhido.
No circuito da figura 7-18, se a I
C
aumentar, a V
E
aumenta e a V
BE
diminui. Com
V
BE
menor, a I
B
tambm ser menor. A
diminuio da I
B
resulta em diminuio da I
C
.
Conclumos ento, que neste circuito, se a I
C
tende a aumentar, R
E
provoca uma
realimentao negativa, que tende a diminu-la e
assim, o circuito tende a estabilizar-se
automaticamente.
Uma das desvantagens de se usar o R
E

que, em circuitos de potncia, ele tende a
diminuir a potncia til do circuito. Alm da
estabilizao, o uso de R
E
tem como vantagem,
aumentar a R
i
.
Polarizao por divisor de tenso
Em um circuito polarizado, a V
B
deve
manter-se constante para que o circuito se
mantenha estvel. Um dos sistemas usados para
manter constante a V
B
, partindo de uma fonte
de tenso de valor muito maior que V
B
, emprega
um divisor de tenso, conforme visto na figura
7-19.
Conforme as caractersticas do divisor de
tenso, a V
RB
ser mais estvel, se a corrente
7-10
que fluir por ela for muito maior que a da base.
O ideal seria uma I
RB
vrias dezenas de vezes
maior que a I
B
. H, porm, vrios inconve-
nientes. Uma I
B
muito alta resulta em um valor
de R
B
muito baixo, o que diminui a impedncia
de entrada do circuito, acarretando srios
problemas para os sistemas de acoplamento
entre estgios. Tambm deve ser considerada a
energia que ser consumida pelo divisor de
tenso.
Em um equipamento existem dezenas de
estgios com dezenas de resistores em sistemas
de divisores de tenso, consumindo energia
inutilmente, j que a potncia consumida por
eles s para tentar manter pequenas tenses
constantes.
Na prtica, usa-se elaborar um divisor de
tenso para polarizao da base, com I
RB
igual a
I
B
ou vrias vezes maior que esta.
Figura 7-19 Polarizao por divisor de tenso
Calculemos os valores de R
F
e R
B
, do
divisor de tenso da figura 7-19, utilizando os
valores de V
B
de 0,46V e I
B
de 300 A.
Observe que estes valores j foram vistos em
circuitos anteriores; logo, os detalhes sobre eles
podem ser recordados.
O valor de R
B
, supondo que a I
RB
seja
igual a duas vezes a I
B
, facilmente encontrado
pela Lei de Ohm.
ohms
A x
V
A
V
I
V
R
RB
B
B
760
10 6
46 , 0
600
46 , 0
4
= = = =


O valor de R
F
calculado pela equao:
ohms
A A
V V
I I
V V
R
B RB
B CC
F
6150
600 300
46 , 0 6
=
+

=
+

=

O sistema de polarizao mais usado,
por apresentar melhor estabilizao trmica, o
por divisor de tenso, mostrado na figura 7-19.
R
E
realimenta negativamente a corrente
contnua de base, pelo efeito trmico. R
B
tende a
manter a V
B
em seu nvel estvel.
ESTABILIZAO DA POLARIZAO DE
ESTGIOS DE POTNCIA
Os projetos de amplificadores de
potncia requerem uma ateno especial com
relao polarizao. Primeiro, porque neste
caso o transistor ir trabalhar aquecido, o que
poder desencadear a instabilidade do mesmo.
Segundo, porque o uso de uma R
E
pode
diminuir a capacidade til de potncia do
estgio. Dois dispositivos so usados
comumente em estgios de potncia, para sua
estabilizao trmica. Tais dispositivos so o
diodo retificador e os termistores ou resistores
NTC.
Circuitos de estabilizao com termistores
J sabemos que a corrente de polarizao
do transistor sensvel temperatura. Especifi-
camente, a I
C
aumenta com o aumento da
temperatura. A estabilizao da I
C
pode ser feita
utilizando-se circuitos externos, com elementos
eletricamente sensveis temperatura. Um
desses elementos o termistor.
O termistor usado, neste caso, tem uma
resistncia com coeficiente negativo de
temperatura, isto , o valor de sua resistncia
diminui com o aumento da temperatura. Este
tipo de termistor chamado de resistor NTC
(Coeficiente de Temperatura Negativo).
O circuito da figura 7-20 tem sua
estabilizao de polarizao controlada por um
termistor.
Figura 7-20 Polarizao de base controlada por
NTC
7-11
Os valores de R
B
e do NTC dependem
das caractersticas do circuito, mas o seu
funcionamento simples. A V
BE
no circuito
0,2V e a I
B
300 A. Com o aumento da
temperatura ambiente, a I
C
tende a aumentar
devido ao aumento da I
CO
. Porm, este aumento
da temperatura afeta tambm o NTC,
diminuindo a sua resistncia, com o
conseqente aumento da corrente atravs dele.
Essa maior corrente solicitada, aumenta
a V
RF
, diminuindo a V
BE
e menor sero a I
B
e a
I
C
. Como vemos, o efeito trmico que tende a
aumentar a I
C
no circuito, diminui a resistncia
do NTC, que provoca uma diminuio da I
B
,
que por sua vez diminui a I
C
. O resultado que
este simples dispositivo tende a manter o
circuito no seu ponto de operao.
Controle da tenso de emissor
Figura 7-21 Polarizao de emissor controlada
por termistor
O circuito apresentado na figura 7-21,
emprega um termistor para variar a V
E
com a
temperatura, a fim de minimizar as variaes da
I
E
. Este circuito contm dois divisores de
tenso: o primeiro constitudo por R
1
e R
4
, e o
segundo por R
2
e o termistor R
T1
.
O primeiro divisor permite a aplicao
de uma parte da V
CC
entre o terminal de base e
terra. A V
B
desenvolvida em R
1
e determina
uma tenso negativa na base de Q
1
.
O segundo divisor de tenso aplica uma
parte da V
CC
no terminal de emissor. A V
E

desenvolvida em R
2
e determina uma tenso
negativa no emissor de Q
1
. A tenso direta
aplicada ao terminal de base maior que a
inversa aplicada ao terminal emissor, de tal
modo que a polarizao base-emissor resultante
direta.
Com um aumento de temperatura a I
C
aumentaria normalmente, se o transistor no
estivesse estabilizado. O aumento da I
C
pode ser
evitado pela reduo da polarizao direta. Isto
feito pela ao do divisor de tenso
constitudo por R
2
e pelo termistor RT
1
. Devido
ao aumento da temperatura, a resistncia de RT
1
diminuda, provocando maior fluxo de
corrente atravs do divisor de tenso. O
aumento de corrente aumenta o potencial
negativo da conexo do resistor R
2
ao emissor.
Esta ao aumenta a polarizao inversa
aplicada ao emissor e diminui a polarizao
direta base-emissor. O resultado que a I
C

reduzida. Analogamente, a diminuio da
temperatura ocasiona aes inversas e evita o
decrscimo da I
C
.
C
1
bloqueia a tenso CC do estgio
anterior e acopla o sinal CA ao circuito base-
emissor. C
2
mantm constante a V
E
R
3
o
resistor de carga do coletor e onde se
desenvolve o sinal de sada. C
3
bloqueia a
tenso CC do coletor e acopla o sinal CA ao
estgio seguinte.
Controle da tenso de base
Figura 7-22 Amplificador com controle de
polarizao de base
O circuito apresentado na figura 7-22
emprega um termistor para variar a V
B
com a
temperatura, minimizando as variaes da I
E
.
Este circuito contm um divisor de tenso
constitudo por R
1
e RT
1
.
O divisor de tenso aplica uma parte da
V
CC
no circuito base-emissor. O fluxo de
corrente dos eltrons atravs do divisor est na
direo da seta. Esta corrente produz uma
tenso de polaridade indicada em RT
1
. Este
circuito produz polarizao direta no transistor.
Se a temperatura do transistor aumentar,
a I
E
tende a aumentar. Todavia, a resistncia de
RT
1
diminui com o aumento da temperatura,
provocando maior fluxo de corrente atravs do
divisor de tenso. Este aumento de corrente
7-12
ocasiona um aumento na VR
1
. A tenso de
polarizao direta reduzida e assim a IE
tambm reduzida.
T
1
acopla o sinal CA ao circuito de base-
emissor. C
1
mantm constante a tenso em RT
1
.
O primrio de T
2
atua como carga do coletor e
onde se desenvolve o sinal de sada que
acoplado ao secundrio.
Circuitos de estabilizao com diodos
O diodo pode ser usado em circuitos de
estabilizao. A principal vantagem do seu uso
como elemento sensvel temperatura por ele
poder ser feito do mesmo material que o
transistor.
Os coeficientes de temperatura das
resistncias do diodo e do transistor de mesmo
material, so os mesmos. Esta condio permite
uma I
C
mais constante em um grande intervalo
de temperatura, porque as variaes no diodo
acompanham as variaes no transistor. Os
diodos de juno tm uma resistncia com
coeficiente de temperatura negativo.
Estabilizao com um diodo
O circuito apresentado na figura 7-23
emprega um diodo de juno, diretamente
polarizado, como elemento sensvel
temperatura, para compensar as variaes da
resistncia da juno base-emissor.
Considere o divisor de tenso constitudo
por R
1
e D
1
, com a polaridade indicada. Esta
tenso uma polarizao direta. Com o
aumento da temperatura, a I
C
tenderia a
aumentar. Todavia, a resistncia de D
1
diminui.
Como resultado, a VR
1
aumenta. H uma queda
de tenso em D
1
, que provoca reduo na
polarizao direta e, consequentemente, na I
C
.
Figura 7-23 Estabilizao com um diodo direta-
mente polarizado
Os diodos, quando empregados adequa-
damente na estabilizao de um circuito,
funcionam mais ou menos como os NTC. A
instabilidade trmica que afeta o transistor afeta
tambm a eles. No circuito da figura 7-24
aparece um diodo com funo de estabilizao
trmica.
Figura 7-24 Circuito com estabilizao trmica
feita por diodo
D
1
tem sua juno semelhante juno
base-emissor de Q
1
. Logo, os diodos sero
afetados igualmente pela variao de tempera-
tura.
Analisando o comportamento do
circuito, vemos que se a I
C
tender a aumentar
pelo efeito trmico, a corrente atravs do diodo
tambm aumentar.
Com maior corrente atravs do diodo,
maior ser a V
RF
, resultando em uma menor V
BE
e assim, a I
B
tambm ser menor e, logicamente
a I
C
. Como resultado, D
1
tende a manter a I
C
estabilizada, mantendo o circuito no ponto de
operao escolhido.
RESUMO
1 A corrente I
CO
ou de fuga existe nos
transistores, devido aos portadores minoritrios
existentes em suas estruturas.
2 A principal corrente de fuga de um
transistor, a de coletor para base, cuja
denominao I
CBO
.
3 A corrente I
CO
, em um circuito amplificador,
tende a ser amplificada em uma razo ( + 1)
I
CBO.
7-13
4 A corrente I
C
, considerando-se a I
CO
,
equacionada como sendo: I
C
= x I
B
+ I
CO
.
5 Em temperatura constante e normal,
conforme a especificada pelo fabricante, a I
CO
no constitui problema num amplificador.
6 Com o aumento da temperatura, a I
C
tende a
aumentar de acordo com a frmula:
I
C
= x I
B
+ ( + 1)x I
CO
, tirando o
circuito de seu ponto de operao.
7 Vrios sistemas so usados para manter a I
C
constante mesmo com o aumento da I
CO
.
8 Os sistemas que tendem a manter a I
C
constante, consistem em polarizar o transistor de
tal maneira que haja uma pequena
realimentao CC, ou ainda por estabilizao da
V
BE
.
9 Um dos mtodos de estabilizao por reali-
mentao CC polarizar a base com a tenso
V
CE
. Neste caso, se a I
C
aumentar estati-
camente, a V
CE
diminui, reduzindo a I
B
.
10 O mtodo mais usado para manter
constante a I
C
, a realimentao CC por
resistncia de emissor. Neste caso, se a I
C
aumentar, haver tambm um aumento da V
E
,
que diminui a V
BE
, diminuindo a I
B
, que por sua
vez diminui a I
C
.
11 Atravs de um circuito divisor de tenso
pode-se manter a V
BE
dentro dos limites de
estabilizao. Neste caso, o divisor deve ser
projetado levando-se em conta as suas
desvantagens, como por exemplo, o alto
consumo de energia e a diminuio da
impedncia de entrada.
12 O sistema de polarizao mais adequado
para uma boa estabilizao em circuitos
amplificadores de baixa potncia, constitudo
por um R
E
e por um divisor de tenso. Este
sistema o mais usado.
13 Em circuitos de potncia, a estabilizao
trmica da I
C
conseguida atravs de
transistores, diodos e resistores NTC.
14 Um diodo de juno polarizado inversa-
mente tem uma resistncia com coeficiente de
temperatura negativo, desde que a tenso de
polarizao inversa no iguale ou exceda
tenso de ruptura.
15 Diodos com a mesma caracterstica da
juno base-emissor de um transistor, podem ser
usados em circuitos estabilizadores de
polarizao.
Neste caso, quando instalado
adequadamente, poder estabilizar a V
BE
. Isto
porque o efeito trmico que agir sobre o
transistor, agir tambm sobre o diodo.
16 As correntes e tenses desenvolvidas num
amplificador transistorizado estabilizado em
temperatura, podem ser utilizadas para estabili-
zar em temperatura outros amplificadores
transistorizados.
17 Os resistores NTC, tm a resistncia
diminuda com o aumento da temperatura.
Logo, se colocados no circuito de base, eles
podero diminuir a V
BE
que provoca a
diminuio da I
B
e da I
C
. Isto acontece porque o
efeito trmico que agir sobre o transistor,
tambm agir sobre ele.
18 A reta de carga a linha que possibilita a
escolha do ponto de operao do transistor.
19 A curva de mxima dissipao de potncia
a curva que possibilita a limitao da regio de
operao do transistor.
20 Todo componente eltrico possui uma
potncia de trabalho especificada pelo
fabricante.
Em se tratando de transistores, existem
mais razes para se obedecer a essa
especificao.
21 Para cada temperatura de trabalho do
transistor, h uma curva de mxima dissipao
de potncia.
22 Um aumento de temperatura reduz a regio
de operao do transistor.
23 A frmula para se calcular a potncia de
dissipao do transistor, : P = V
CE
x I
C
.
24 A regio de operao de um transistor a
parte onde pode ser traada a linha de carga.
7-14
25 Na curva de mxima dissipao, a potncia
a mesma em todos os pontos.
26 Os limites de tenses so especificados
para transistores, por causa do efeito de ruptura
que ocorre quando h um aumento da tenso
inversa da juno.
27 A fim de deixar o transistor operar
temperatura ambiente, so colocados
dissipadores de calor em contato com seu corpo.
28 No traado da reta de carga faz-se duas
suposies extremas do funcionamento do
transistor: corte e saturao.
29 A reta de carga do amplificador de
potncia mais inclinada que a do amplificador
de tenso.
30 O sistema de estabilizao da polarizao
dos amplificadores de potncia deve ser de boa
eficincia. Geralmente so empregados diodos,
termistores e transistores.
31 Com a mesma tenso de alimentao
podemos traar vrias linhas de carga diferentes,
variando apenas o valor de R
L
.
7-15