Eletronica Geral

APOSTILA PARA A DISCIPLINA
ELETRONICA GERAL
Curso
T ecnico em Automa c ao Industrial
Professor: MSc. Thiago Ribeiro de Oliveira
Betim, Agosto de 2013
Eletr onica Geral
Sum ario
1 F sica dos Semicondutores 1.1 Estrutura At omica . . . . . . . . . . . . . . . 1.1.1 N veis e Bandas de Energia . . . . . . 1.2 Material Intr nseco . . . . . . . . . . . . . . . 1.3 Material Extr nseco - Dopagem . . . . . . . . 1.3.1 Material Tipo n . . . . . . . . . . . . . 1.3.2 Material Tipo P . . . . . . . . . . . . . 1.3.3 Portadores Majorit arios e Minorit arios 1 1 4 7 8 8 9 9 11 11 13 14 17 19 19 20 21 22 23 25 25 28 28 28 30 36 42
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2 Diodos 2.1 A Jun c ao PN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2 Polariza c ao Direta da Jun c ao PN . . . . . . . . . 2.2.0.1 Curva Caracter stica do diodo em 2.3 Polariza c ao Reversa da Jun c ao PN . . . . . . . . 2.3.1 Ruptura . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.3.2 Efeito Zener . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.4 Modelos aproximados do Diodo . . . . . . . . . . 2.4.1 O diodo ideal - Primeira aproxima c ao . . . 2.4.2 Segunda Aproxima c ao . . . . . . . . . . . 2.4.3 Terceira Aproxima c ao . . . . . . . . . . . 2.4.4 Modelo de um diodo na Regi ao de Zener . 2.5 Diodo Emissor de Luz - LED . . . . . . . . . . . 3 Aplica c oes do Diodo em Circuitos Eletr onicos 3.1 An alise de circuitos a diodos em c.c. . . . . . . . 3.1.1 Circuito b asico . . . . . . . . . . . . . . 3.1.2 Exemplos de circuitos a diodos simples . 3.1.3 Fun c oes L ogicas a Diodos . . . . . . . . 3.2 Exerc cios propostos . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . polariza c ao direta . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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4 Aplica c oes de Diodos em c.a. 46 4.1 Sinais . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46 4.1.1 Elementos de um sinal el etrico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
Prof. Thiago R. de Oliveira
Automa c ao Industrial
SUMARIO Amplitude de um sinal . . . . 4.1.1.1.1 Valor Instant aneo . . 4.1.1.1.2 Valor de pico-a-pico 4.1.1.1.3 Valor de pico . . . . 4.1.1.1.4 Valor m edio . . . . . 4.1.1.1.5 Valor Ecaz ou RMS 4.1.1.2 Frequ encia de um sinal . . . . 4.1.1.3 Fase de um sinal . . . . . . . Circuitos com entrada c.a. . . . . . . . . . . . 4.2.1 Limitadores de tens ao . . . . . . . . . 4.2.2 Reticador B asico . . . . . . . . . . . . Reticadores para fontes de alimenta c ao . . . 4.3.1 Reticador de Meia-Onda . . . . . . . 4.3.2 Reticador de Onda Completa . . . . . 4.3.2.1 Reticador em Ponte . . . . . 4.3.2.2 Reticador com Tap-central . Reticadores com ltro capacitivo . . . . . . . 4.4.1 Reticador de meia-onda . . . . . . . . 4.4.2 Reticador onda completa em ponte . Reguladores de Tens ao . . . . . . . . . . . . . 4.5.1 O Regulador Zener . . . . . . . . . . . 4.1.1.1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . - Root . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Mean Square . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
SUMARIO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47 47 48 48 48 48 49 49 54 56 58 59 59 63 63 66 66 67 70 71 74 81 82 82 83 84 84 86 86 86 88 89 90 92 92 94 96 97 97 100 104
4.2
4.3
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4.5
5 O Transistor Bipolar de Jun c ao - TBJ 5.1 Opera c ao de um transistor NPN . . . . 5.1.1 Transistor sem polariza c ao . . . 5.1.2 Transistor em corte. . . . . . . 5.1.3 Transistor em satura c ao . . . . 5.1.4 Transistor na regi ao ativa . . . 5.1.5 Modelo de Ebers-Moll . . . . . 5.2 Congura c oes B asicas de um transistor 5.2.1 Congura c ao Base-comum . . . 5.2.2 Congura c ao Emissor-comum . 5.2.3 Congura c ao Coletor-comum . 5.3 Limites de Opera c ao . . . . . . . . . .
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6 Aplica c ao de Transistores em c.c. 6.1 Transistor como chave . . . . . . . . . . . . . . . 6.1.1 Acionamento de rel e . . . . . . . . . . . . 6.2 Polariza c ao de circuitos transistorizados . . . . . 6.2.1 Polariza c ao por fonte de corrente . . . . . 6.2.2 Polariza c ao Fixa . . . . . . . . . . . . . . 6.2.3 Polariza c ao Fixa com Resistor de Emissor 6.2.4 Polariza c ao por divisor de tens ao . . . . . ii
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6.3 6.4
Dicas de resolu c ao de circuitos diversos com transistores . . . . . . . . . . 107 Exerc cios propostos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 107 111
Refer encias Bibliogr acas
iii
Eletr onica Geral
Cap tulo 1 F sica dos Semicondutores

Para realizar o estudo de eletr onica e indispens avel compreender o funcionamento de seus dispositivos, como diodos e transistores, quando inseridos em circuitos el etricos. Para isso, no entanto, se faz necess ario entender o comportamento dos materiais semicondutores que comp oem estes dispositivos.
1.1
Estrutura At omica
Figura 1.1: Atomo de Bohr
Os atomos, elementos constituintes da mat eria, s ao formados por tr es elementos b asicos: Pr otons - Carga el etrica positiva; Neutrons - Elementos sem carga el etrica; El etrons - Carga el etrica negativa. O modelo at omico de Rutherford-Bohr, ilustrado na Figura 1.1, dene que um atomo e formado por um n ucleo, no qual se encontram os neutrons e pr otons, componentes
Eletr onica Geral
estes respons aveis por grande parte do peso at omico, e ao redor do n ucleo se encontram os el etrons, estes dispostos em camadas eletr onicas, tamb em conhecidas como n veis de energia. Neste modelo os el etrons orbitam ao redor do n ucleo como um sistema solar microsc opico. Para se manter eletricamente neutro, um atomo precisa possuir a mesma quantidade de el etrons e pr otons. Caso haja diferen ca entre o n umero de pr otons e el etrons em um atomo, ele apresentar a uma carga el etrica l quida, transformando-se em um on positivo (falta de el etrons) ou um on negativo (sobra de el etrons). Assim como em um sistema solar, os el etrons (cargas negativas) s ao atra dos pelo n ucleo (carga positiva) devido ` a for ca de atra c ao que cargas de diferentes polaridades possuem entre si. Relembrando a lei de Coulomb, a intensidade da for ca de atra c ao entre o n ucleo e os el etrons decai com o quadrado da dist ancia entre eles, de modo que os el etrons mais pr oximos ao n ucleo sentem uma for ca de atra c ao muito maior do que os el etrons dispostos nas camadas mais distantes. Essa situa c ao faz com que os el etrons que ocupam camadas mais distantes sejam mais afetados pelo efeito de campos el etricos externos ao atomo. Em rela c ao ` a quantidade de camadas eletr onicas, o diagrama de Pauling estipula que os atomos podem possuir at e 7 camadas, estas denominadas K, L, M, N , O, P e Q. Cada camada, no entanto, pode ser ocupada por um n umero m aximo de el etrons, como descreve a Tabela 1.1. Tabela 1.1: Distribui c ao de El etrons em Camadas Eletr onicas Camada Eletr onica N umero M aximo de El etrons K 2 L 8 M 18 N 32 O 32 P 18 Q 2 Cada camada ainda pode ser dividida em sub-n veis de energia (s, p d e f), os quais podem ser ocupados tamb em por um n umero m aximo de el etrons. A Tabela 1.2 explicita o n umero m aximo de el etrons pass veis de serem alocados em cada n vel de energia. Tabela 1.2: Distribui c ao de El etrons em Sub-n veis de Energia Sub-n vel de energia N umero M aximo de El etrons s 2 p 6 d 10 f 14
Eletr onica Geral
` medida que as camadas eletr A onicas se afastam do n ucleo, maior e a energia potencial associada ` aquela camada, ou seja, menor e a inu encia da for ca de atra c ao do n ucleo sobre os el etrons das camadas mais exteriores. A varia c ao da energia contida em cada n vel ao longo das camadas e ilustrada na Figura 1.2, onde as setas indicam a varia c ao de um n vel de menor energia para um de maior energia.
Figura 1.2: Varia c ao da energia nos n veis e camadas A distribui c ao dos el etrons de um determinado atomo nas camadas tamb em segue a varia c ao da energia mostrada na Figura 1.2, ou seja, os el etrons se distribuem primeiramente nas camadas mais interiores (com menor energia) e v ao subindo para n veis de energia mais altos. Para exemplicar essa situa c ao considere um atomo de Sil cio1 , cujo n umero at omico e 14 (14 pr otons e 14 el etrons), iremos distribuir esses el etrons nas camadas eletr onicas seguindo a orienta c ao da Figura 1.2:
Camada s p d f K 2 L 2 6 M 2 2 Observe que um atomo de Sil cio possui apenas 3 camadas, sendo a camada M a u ltima camada que cont em el etrons. Neste caso, a u ltima camada ocupada por el etrons e denominada camada de val encia. Notamos que o sil cio e um atomo tetravalente, isto e, possui quatro el etrons em sua camada de val encia. De acordo com a regra do octeto2 , o atomo de sil cio ser a est avel apenas se conseguir adquirir mais quatro el etrons. Essa aquisi c ao de el etrons ocorrer a por meio do compartilhamento dos el etrons da camada de
1
O sil cio e o material semicondutor mais utilizado atualmente para a confec c ao de dispositivos eletr oni-
cos. Um atomo ser a est avel, ou seja, n ao necessita realizar liga c oes qu micas, se o n umero de el etrons presentes em sua camada de val encia for igual a oito.
2
Eletr onica Geral
val encia com outros atomos, esse tipo de liga c ao qu mica e conhecida como liga c ao covalente. As liga c oes covalentes permitem a cria c ao de longas redes de atomos dando origem a cristais de um determinado material. Quando uma rede e composta apenas por atomos de um mesmo material, aquela rede passa a ser denominada intr nseca, no caso de houver um grande n umero de impurezas em uma rede ( atomos de outros materiais imersos na rede) chamamos a rede de extr nseca. O sil cio intr nseco ser a formado idealmente apenas por atomos de sil cio, os quais fazem liga c oes covalentes com outros atomos vizinhos, como ilustra a Figura 1.3, nota-se que um elemento do cristal de sil cio possui um formato tetra edrico.
Figura 1.3: Cristal de sil cio. a) Compartilhamento de el etrons entre atomos de sil cio. b)
Distribui c ao espacial de um elemento do cristal de sil cio.
1.1.1
N veis e Bandas de Energia
Como comentado, os el etrons de um determinado atomo se encontram dispostos em camadas eletr onicas, distribu dos de acordo com a energia potencial associada a cada um deles. A f sica qu antica explica com propriedade que existem n veis discretos de energia associados a cada uma das camadas eletr onicas, o que implica em se dizer que um el etron pertencente a um atomo n ao pode apresentar qualquer valor de energia potencial, mas sim, n veis bem denidos pela estrutura at omica. Isso faz com que existam, entre as camadas eletr onicas, bandas de energia proibidas, ou seja, as quais nunca ser ao ocupadas por el etrons. Uma banda proibida entre duas camadas eletr onicas e chamada de Gap de energia. O gap determina a quantidade de energia potencial necess aria para que um el etron de uma determinada camada possa pularpara uma outra camada. Normalmente a energia associada a um el etron e medida em eV (el etron.volt), onde: 1eV = 1, 6 1019 J (1.1)
A Figura 1.4 ilustra os n veis de energia associados a um atomo simples. A distribui c ao dos n veis de energia mostrada na Figura 1.4 e referente apenas a um atomo simples isolado. Contudo, como j a discutimos, os atomos se disp oem em redes cristalinas formadas pela associa c ao de diversos atomos. A intera c ao de um atomo com
Eletr onica Geral
Figura 1.4: Distribui c ao dos n veis de energia em um atomo simples. os seus vizinhos na rede cristalina altera a composi c ao dos n veis de energia, uma vez que estes tamb em dependem da posi c ao de cada atomo na rede. Essa altera c ao age no sentido de se expandir o n vel de energia, formando bandas de energia, como ilustra a Figura 1.5.
Figura 1.5: Distribui c ao das bandas de energia em uma rede cristalina. Os el etrons da banda de val encia s ao aqueles que menos sentem a for ca de atra c ao exercida pelos seus respectivos n ucleos. Caso estes el etrons recebam uma quantidade de energia sucientemente grande para vencer essa for ca de atra c ao, eles ir ao se tornar el etrons livres, isto e, n ao estar ao mais ligados ao seu atomo de origem, podendo ent ao circular pela rede cristalina livremente. Esse estado de energia no qual um el etron se torna um el etron livre e tratado como uma nova banda de energia, acima da banda de val encia, chamada de banda de condu c ao. El etrons na banda de condu c ao est ao mais suscet veis ` a a c ao de campos el etricos, podendo portanto participar na condu c ao de corrente el etrica.
Eletr onica Geral
OBS: Quando um el etron atinge a banda de condu c ao, tornando-se livre, ele deixa um buracona sua liga c ao covalente de origem. Esse buraco ou lacuna pode ser ocupado eventualmente por um el etron pr oximo, o que produzir a uma nova lacuna em um outro ponto do material. Para ns de estudo de eletr onica, criou-se um artif cio matem atico que trata a lacuna como um elemento at omico pr oprio, tendo carga positiva e ligado ` a banda de val encia, ou seja, essa produ c ao de novas lacunas no material e vista como uma corrente de lacunas na banda de val encia. Para se compreender o artif cio que e a lacuna, imagine que a rede cristalina e uma sala completamente cheia, com pessoas sentadas em cadeiras. Se por algum motivo uma pessoa quiser sair, ela deixar a uma cadeira vazia. Essa pessoa pode ser enxergada como um el etron livre, pois n ao est a presa a nenhuma posi c ao xa na rede cristalina. A cadeira vazia seria o equivalente ` a lacuna deixada pelo el etron. Imagine agora que essa cadeira vazia fosse ocupada por uma outra pessoa, que deixou o seu lugar de origem, notaremos que a cadeira vazia agora estar a em um outro ponto da sala. Neste contexto, poder amos avaliar o movimento das pessoas que se deslocam na sala, assim como poder amos estudar o movimento das cadeiras vazias, o que fosse mais conveniente. A quantidade de el etrons livres presentes na banda de condu c ao, para um determinado material, depende principalmente do gap de energia existente entre a banda de condu c ao e a de val encia. Cada material possui um perl de gap diferente, o que inui diretamente na condutividade do material. A Figura 1.6 mostra o perl do gap de energia para materiais ditos condutores, isolantes e semicondutores.
Figura 1.6: Materiais el etricos de acordo com a disposi c ao do gap de energia em temperatura ambiente.
Onde Eg e a energia do gap. Para alguns materiais semicondutores temos: Ge - Eg = 0, 67eV ; Si - Eg = 1, 1eV ;
Eletr onica Geral
GaAs - Eg = 1, 41eV . Nota-se que em temperatura ambiente os materiais isolantes n ao apresentar ao nenhum, ou quase nenhum el etron na banda de condu c ao, constituindo uma baixa condutividade. Os materiais semicondutores apresentar ao poucos el etrons na banda de condu c ao, sendo a ocupa c ao dessa banda fortemente dependente da temperatura. Em altas temperaturas um semicondutor possuir a muitos el etrons livres, aproximando-se de um material condutor, a baixas temperaturas essa quantidade diminui, aproximando o material de um isolante. Os materiais condutores, por sua vez, apresentam um entrela camento das bandas de condu c ao e val encia, implicando em se ter um grande n umero de el etrons livres, ou seja, uma alta condutividade. OBS: Em materiais semicondutores, o aumento da temperatura do material confere maior energia aos el etrons da banda de val encia, fazendo com que a quantidade de el etrons que atingem a banda de condu c ao aumente. Com isso, pode-se dizer que a condutividade de materiais semicondutores aumenta com a temperatura, ao contr ario dos materiais condutores, os quais perdem condutividade com o aumento da temperatura. Dizemos que os materiais semicondutores possuem coeciente de temperatura negativo, enquanto os condutores possuem coeciente de temperatura positivo.
1.2
Material Intr nseco
Como comentado anteriormente, uma cristal semicondutor composto unicamente por atomos de sil cio e chamado de semicondutor intr nseco. Em um semicondutor intr nseco a gera c ao de el etrons livres e de lacunas ocorre principalmente devido ao efeito t ermico e as concentra c oes desses dois portadores de carga s ao iguais, ou seja, para cada el etron livre criado, uma lacuna e automaticamente gerada. Esses portadores podem se movimentar ao longo do cristal de sil cio, o el etron na banda de condu c ao e a lacuna na banda de val encia. Existem no entanto dois fatores que inuenciam neste movimento de portadores, sendo eles o movimento por difus ao e o movimento por deriva. Difus ao - A difus ao ocorre pela atra c ao que os el etrons livres e as lacunas exercem entre si, uma vez que os el etrons s ao portadores de carga negativa e as lacunas, de carga positiva. Desta forma uma corrente de difus ao atua no sentido de homogeneizar a distribui c ao de cargas ao longo do material. Deriva - A deriva ocorre pela aplica c ao de um campo el etrico externo ao material. Como se sabe, a presen ca de um campo el etrico ir a gerar uma for ca el etrica sobre os portadores de carga pondo-os em movimento. Neste caso as lacunas se movimentar ao no sentido do campo el etrico e os el etrons livres no sentido oposto. A velocidade com que os portadores se movimentar ao pelo efeito do campo el etrico depender a do tipo de material semicondutor utilizado no cristal e seu n vel de pureza. Ocasionalmente, ao se aproximar de uma lacuna, um el etron livre pode ser atra do por ela e ent ao capturado. Essa uni ao de um el etron livre com uma lacuna e chamada
Eletr onica Geral
de recombina c ao . A recombina c ao ent ao e respons avel pela retirada de um el etron da banda de condu c ao e pela sua devolu c ao ` a banda de val encia. O intervalo de tempo entre a gera c ao de uma el etron livre e a sua recombina c ao em um determinado material semicondutor e denominado de tempo de vida e este e dependente da pureza e estrutura do semicondutor. Uma vez que cada material semicondutor possui uma velocidade de deriva e um tempo de vida, pode-se denir para cada material um comprimento m edio livre, ou seja, a dist ancia m edia que um el etron livre pode atingir em um material semicondutor antes de se recombinar.
1.3
Material Extr nseco - Dopagem
Como comentado anteriormente, em materiais semicondutores intr nsecos a quantidade de el etrons na banda de condu c ao e a quantidade de lacunas na banda de val encia dependem principalmente da largura do gap de energia e da temperatura do material. Na pr atica, no entanto, impurezas3 presentes nos cristais de materiais semicondutores podem alterar fortemente as caracter sticas da rede, modicando assim a concentra c ao de el etrons livres e lacunas. As caracter sticas el etricas de um material intr nseco pode ser completamente alterada pela adi c ao de apenas 1 parte de impurezas por cada 10 milh oes de partes de semicondutor. Para a constru c ao de dispositivos semicondutores, foco do estudo e desenvolvimento da eletr onica moderna, as caracter sticas el etricas dos materiais semicondutores intr nsecos s ao propositalmente alteradas pela adi c ao de impurezas, criando os chamados materiais extr nsecos tipo n e tipo p. O processo de forma c ao dos materiais extr nsecos e denominado Dopagem, e ser a explicada com mais detalhes nas pr oximas se c oes.
1.3.1
Material Tipo n
Os materiais extr nsecos do tipo n t em como portador majorit ario os el etrons livres, logo, o processo de dopagem deve ocorrer no sentido de aumentar a concentra c ao de el etrons na banda de condu c ao em temperatura ambiente. Como, normalmente, os materiais semicondutores mais comuns como o Germ anio (Ge) e o Sil cio (Si) s ao tetravalentes, a dopagem do tipo n e efetuada ao se inserir na rede cristalina do semicondutor impurezas doadoras de el etrons, isto e, atomos que ao serem inseridos na estrutura cristalina ir ao fornecer um el etron para a banda de condu c ao. Os elementos doadores mais comuns s ao: o ars enio, o f osforo ou o antim onio. Esses materiais s ao pentavalentes, ou seja, possuem 5 el etrons na camada de val encia. Ao se inserir atomos pentavalentes em uma rede de atomos tetravalentes (Germ anio ou Sil cio), um dos el etrons n ao ir a formar uma liga c ao covalente. O el etron desassociado de qualquer liga c ao covalente est a fracamente conectado ao seu n ucleo, o que faz com que ele possa
Em uma rede cristalina de um determinado material intr nseco podem aparecer pequenas quantidades de outros atomos, os quais s ao chamados de impurezas
3
Eletr onica Geral
ser arrancado de sua orbita mais facilmente. A Figura 1.7 exemplica a congura c ao de um elemento de uma rede com uma impureza doadora.
Figura 1.7: Inser c ao de um atomo doador em uma rede cristalina de Sil cio. A dopagem do tipo n faz com que apare ca dentro do gap entre a banda de val encia e a de condu c ao, um novo n vel de energia. Os el etrons desassociados encontram-se todos nesse novo n vel, sendo que agora a energia necess aria para que os el etrons desassociados alcancem a banda de condu c ao seja signicativamente menor do que o gap original do sil cio intr nseco.
1.3.2
Material Tipo P
Em um material tipo p, os portadores majorit arios s ao as lacunas. O processo de dopagem, portanto, consiste em se aumentar o n umero de lacunas presentes na banda de val encia. Para tal, insere-se na estrutura cristalina atomos trivalentes (possuem 3 atomos na camada de val encia), receptores, como o Boro, o G alio e o Indio. A Figura 1.8 ilustra o resultado da inser c ao de Boro em um cristal de sil cio intr nseco. Observe que agora n ao existem el etrons sucientes para realizar todas as quatro ligac oes covalentes necess arias. A falta de um el etron provoca o surgimento de uma lacuna.
1.3.3
Portadores Majorit arios e Minorit arios
Em um material intr nseco, a banda de condu c ao e ocupada exclusivamente por el etrons que adquiriram energia suciente para romper as suas liga c oes covalentes e vencer o gap de energia. Neste caso, cada el etron livre deixa na banda de val encia uma lacuna, isto e, a concentra c ao de el etrons livres e lacunas e a mesma. J a em um material dopado, a concentra c ao de el etrons ou lacunas e elevada pela inser c ao de impurezas doadoras ou receptoras.
Eletr onica Geral
Figura 1.8: Inser c ao de um atomo receptor em uma rede cristalina de Sil cio. Em um material do tipo n, por exemplo, a concentra c ao de el etrons livres na temperatura ambiente e muito superior ` a observada em um material intr nseco, contudo, a concentra c ao de lacunas n ao muda muito em rela c ao ao material puro. Isso signica que em um material do tipo n existir a um grande n umero de el etrons livres e um pequeno n umero de lacunas. Neste caso, chamamos os el etrons de portadores majorit arios e as lacunas de portadores minorit arios. Em um material do tipo p as concentra c oes se invertem, ou seja, a lacuna representa o portador majorit ario e o el etron livre, o portador minorit ario. Como comentado nas se c oes anteriores, a presen ca de um atomo doador em meio ` a rede cristalina provoca o aparecimento de um on negativo, enquanto que, a presen ca de um atomo receptor gera um on positivo. Nesses casos e importante frisar que o aparecimento desses ons n ao faz com que o material como um todo se torne mais negativo ou positivo. Como o n umero de el etrons e pr otons em ambos os casos e o mesmo, um material do tipo n, ou um material do tipo p s ao eletricamente neutros.
10
Eletr onica Geral
Cap tulo 2 Diodos

No Cap tulo 1 discutimos a estrutura f sica de materiais semicondutores intr nsecos e extr nsecos. Esses materiais s ao a base da eletr onica moderna, a qual baseia-se em dispositivos semicondutores constitu dos por jun c oes de materiais tipo n e tipo p. Neste cap tulo iniciaremos os estudos dos dispositivos semicondutores b asicos e suas aplica c oes em circuitos el etricos.
2.1
A Jun c ao PN
O dispositivo de estado s olido (semicondutor) mais simples e o diodo de jun c ao, o qual e constitu do por uma jun c ao PN, isto e, a uni ao entre um cristal do tipo n e outro do tipo p. A a uni ao dos dois cristais e ilustrada na Figura 2.1, onde est ao explicitados os portadores majorit arios de cada cristal.
Figura 2.1: Uni ao entre um cristal do tipo n e outro do tipo p. Nota-se pela gura que a concentra c ao de el etrons e lacunas ao longo do corpo do novo material n ao e uniforme. Devido ao fen omeno da difus ao, assim que a jun c ao PN e formada, uma migra c ao de portadores de um cristal para o outro ocorre, ou seja, el etrons do material tipo n ir ao se deslocar para o material tipo p, e as lacunas far ao o caminho contr ario. Assim que um el etron penetra no material tipo p, ele ir a se recombinar rapidamente com uma lacuna, formando um on negativo na borda do cristal. As lacunas, ao
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Eletr onica Geral
penetrarem no material tipo n, tamb em sofrer ao recombina c ao e formar ao ons positivos na borda do material. Ao longo do tempo, a concentra c ao de ons em torno do ponto de jun c ao entre os dois cristais ir a aumentar. Devido a isso, cria-se um campo el etrico no ponto de jun c ao, o qual age no sentido de impedir a migra c ao de portadores. Em um determinado momento a for ca desse campo el etrico e forte o suciente para impedir que qualquer portador atinja a regi ao em torno da jun c ao, gerando, portanto, uma regi ao depleta de portadores: a regi ao de deple c ao, ou camada de deple c ao. A Jun c ao PN e os seus elementos s ao ilustrados na Figura 2.2. OBS: Para que novos portadores possam ultrapassar a regi ao de deple c ao, estes dever ao possuir energia suciente para vencer a for ca exercida pelo campo el etrico formado na jun c ao. Isto indica que a forma c ao da camada de deple c ao gera uma barreira que impede o deslocamento de portadores entre os cristais do tipo n e do tipo p, essa barreira e referenciada comumente como barreira de potencial. A largura da camada de deple c ao e a intensidade da barreira de potencial podem variar devido a fatores construtivos do dispositivo, material semicondutor utilizado e principalmente pela temperatura do material.
Figura 2.2: Jun c ao PN e a regi ao de deple c ao. Para a aplica c ao em circuitos el etricos, adota-se um s mbolo para representar um diodo de jun c ao, o qual e apresentado na Figura 2.3. Ao terminal conectado ao material tipo p d a-se o nome de Anodo, ao terminal conectado ao material tipo n, d a-se o nome de Catodo.
Figura 2.3: S mbolo el etrico de um diodo de jun c ao. Observa-se que o diodo de jun c ao e um dispositivo de dois terminais, logo, podemos polariz a-lo de duas formas:
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Eletr onica Geral
Polariza c ao Reversa - Aplica c ao de uma tens ao negativa entre o anodo e o catodo; Polariza c ao Direta - Aplica c ao de uma tens ao positiva entre o anodo e o catodo;
2.2
Polariza c ao Direta da Jun c ao PN
Neste tipo de polariza c ao, aplica-se ao diodo uma tens ao externa positiva (VR > 0) entre o anodo e o catodo. Essa diferen ca de potencial age no sentido de for car os portadores majorit arios de cada cristal contra a barreira de potencial. Para explicar melhor como essa fonte externa afeta o comportamento dos portadores, explicaremos o que ocorre com um el etron pertencente ao material tipo n, a lacuna, por sua vez, se comportar a de forma semelhante.
Figura 2.4: Polariza c ao Direta de um Diodo. A Figura 2.4 ilustra o comportamento do diodo com a polariza c ao direta. Com a aplica c ao de uma fonte externa (VR > 0), um el etron do material tipo n ir a ser acelerado contra a barreira de potencial, ou seja, receber a energia cin etica. Os efeitos causados pelo aumento da energia cin etica do el etron variam de acordo com a intensidade da tens ao aplicada ao diodo: Para pequenos valores de VR - A energia cin etica do el etron n ao e suciente para vencer a barreira, o que faz com que nenhuma corrente el etrica seja percebida entre os terminais do diodo; ` medida que a tens A ao externa aumenta de magnitude, o el etron ter a energia suciente para atravessar a barreira. Uma vez dentro do material tipo p, o el etron come ca a ser freado pela atra c ao das lacunas presentes naquele material, caso a sua energia cin etica seja baixa ele ir a eventualmente se recombinar com uma lacuna, formando um on negativo e aumentando a barreira de potencial;
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Eletr onica Geral
VR VL - Existe, contudo, um valor de limiar (VL ), a partir do qual a energia cin etica transferida ao el etron e suciente para que ele ven ca a barreira de potencial e percorra todo material tipo p sem se recombinar. Desse ponto em diante, observase uma corrente ID nos terminais do diodo. A partir desse ponto, a oposi c ao ao uxo de el etrons se dar a basicamente devido ` a resist encia de contato do diodo e ` a agita c ao t ermica dos atomos de sil cio, assim, qualquer incremento em VR se reetir a em um grande aumento na corrente ID . A tens ao de limiar depende de diversos fatores como: Tipo de diodo, material do semicondutor, temperatura, etc. Informa c oes espec cas sobre cada diodo s ao fornecidas pelos fabricantes de semicondutores nos Datasheets de cada modelo de componente. Para diodos de aplica c ao comum, a tens ao de limiar, ou tens ao de condu c ao, dos diodos o a temperatura de 25 s ao: Sil cio - VL 0, 7V ; Germ anico - VL 0, 3V . Essa tens ao limiar e afetada principalmente devido ` a temperatura do diodo, para um diodo de sil cio, contudo, assume-se que essa varia c ao se d a da seguinte forma: VL = 2mV /o C (2.1)
OBS: A corrente IS apresentada na Figura 2.4 diz respeito ` a corrente formada pelos portadores minorit arios, os quais s ao acelerados pela camada de deple c ao, essa corrente est a na faixa de pico a nanoamp eres. A corrente entre os terminais do diodo ser a, logicamente, igual a diferen ca entre a corrente de portadores majorit arios e minorit arios: ID = Imajoritarios IS (2.2)
2.2.0.1
Curva Caracter stica do diodo em polariza c ao direta
f A sica qu antica permite levantar uma equa c ao que descreve o comportamento do diodo em polariza c ao direta: ( ) ID = IS eVR /nVT 1 (2.3)
Onde: IS e a corrente devida aos portadores minorit arios (corrente de satura c ao); n = 1, para o sil cio; VT e a tens ao t ermica. Para a temperatura ambiente VT = 25mV .
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Eletr onica Geral
Figura 2.5: Curva caracter stica de um diodo na polariza c ao direta. A partir da equa c ao (2.3), podemos tra car a curva IxV para um diodo em polariza c ao direta. A curva caracter stica obtida est a explicitada na Figura 2.5. Observa-se pela curva, que abaixo da tens ao de 0,6V a corrente ID possui valores insignicantes. Para tens oes entre 0,6V e 0,7V, a corrente possui um perl fortemente ` partir de VR = 0, 7V , nota-se que exponencial, ` a essa regi ao d a-se o nome de Joelho. A a tens ao sobre o diodo varia muito pouco, mesmo com um grande aumento da corrente. A pequena inclina c ao percebida se deve ` a resist encia de corpo do sil cio e as resist encias de contato do diodo. Em circuitos reais, no entanto, os dispositivos semicondutores s ao fabricados para operarem dentro de determinadas faixas de trabalho, por exemplo, o diodo modelo 1N4007 e fabricado para operar com uma corrente m edia de 1A. Isto signica que se tentarmos impor uma corrente superior a este valor ao diodo, suponha 2A, ele ir a superaquecer e eventualmente ir a queimar. Para evitar que isso ocorra e comum associar ao diodo um resistor s erie, o qual servir a para limitar a m axima corrente que circular a pelo dispositivo. Se pensarmos em fun c ao da curva caracter stica do diodo mostrada anteriormente, a associa c ao do resistor s erie ir a denir um ponto de opera c ao, ou ponto Quiescente, isto e, ir a determinar um ponto sobre a curva do diodo (ID ,VR ) onde o circuito poder a operar. Para entender como que esse ponto quiescente e denido considere o circuito eletr onico mostrado na Figura 2.6.
Figura 2.6: Circuito eletr onico com um diodo e resistor s erie.

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Eletr onica Geral
Seguindo o caminho da corrente ID especicado na Figura, podemos levantar a equa c ao do balan co de tens oes na malha: E VR R ID = 0 Podemos isolar a corrente do circuito: ID = E VR R (2.5) (2.4)
Uma vez especicada uma tens ao de entrada (E) e uma resist encia (R) para o circuito eletr onico exemplicado, a corrente total observada no circuito ser a denida apenas pela tens ao VR , ou seja, apenas pela tens ao sobre os terminais do diodo. Para denir esse ponto de opera c ao, ou seja, denir ID e VR , faz-se o seguinte: Tra ca-se um gr aco do comportamento do circuito para toda regi ao de polariza c ao direta; Tra ca-se sobre o mesmo gr aco a curva caracter stica do diodo; Encontra-se o ponto de encontro entre as duas curvas. Este ser a o ponto quiescente do circuito. Para exemplicar melhor esse sistema, fa camos o seguinte exerc cio: Ex. 1 - Para o circuito mostrado na Figura 2.6 e um diodo com a curva caracter stica descrita na Figura 2.5, calcule o ponto quiescente do circuito para uma tens ao de entrada E = 10V e resist encia s erie R = 5. Para este problema, a equa c ao (2.5) se torna: ID = 10 VR 5 (2.6)
A equa c ao acima forma uma reta com inclina c ao negativa, a qual damos o nome de Reta de Carga. Sabemos que a regi ao de polariza c ao direta ocorre para ID 0 e VR 0, desta forma, podemos dizer que a polariza c ao direta ocorrer a apenas no primeiro quadrante do plano trigonom etrico. Tra cando ent ao a reta no primeiro quadrante, teremos a Figura 2.7. Note que a reta corta os limites da regi ao de polariza c ao direta (os eixos do gr aco) em dois pontos: ID = 0A. Neste ponto, a tens ao VR = 10V ; VR = 0V . Neste ponto, a corrente ID =
10 5
= 2A.
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Eletr onica Geral
Figura 2.7: Reta de carga do circuito do Ex.1. Tra cando ent ao a reta encontrada juntamente com a curva caracter stica do diodo, encontramos a Figura 2.8.
Figura 2.8: Deni c ao de ponto de opera c ao por an alise de reta de carga. O ponto de cruzamento entre a curva caracter stica do diodo e a reta de carga, na gura, ocorreu em ID = 1, 94A e VR = 0, 65V . Esse ponto dene as vari aveis do circuito eletr onico avaliado. Obviamente, se utilizarmos um diodo com caracter sticas diferentes o ponto quiescente ser a alterado.
2.3
Polariza c ao Reversa da Jun c ao PN
A polariza c ao reversa de um diodo semicondutor consiste na aplica c ao de uma tens ao negativa (VR < 0) entre os terminais de anodo e catodo do componente. Nesta situa c ao a fonte externa atrai para si as lacunas do material tipo p e os el etrons livres do material tipo n. Assim os portadores se afastam da jun c ao PN alargando a camada de deple c ao e consequentemente a barreira de potencial. A barreira se alarga at e a intensidade do seu campo el etrico se igualar ` a tens ao externa aplicada ao diodo. Quando isso ocorre n ao haver a mais movimento de portadores majorit arios no material. Os portadores minorit arios, por sua vez s ao acelerados pela fonte externa, constituindo uma corrente de
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Eletr onica Geral
catodo para anodo, denominada de corrente de satura c ao, a qual j a foi mencionada no item anterior. A Figura 2.9 ilustra o comportamento do diodo durante a polariza c ao reversa.
Figura 2.9: Polariza c ao Reversa do diodo. importante mencionar que a corrente de satura E c ao, por depender apenas dos portadores minorit arios, n ao aumenta com o aumento da tens ao externa aplicada ao diodo, isso porque, os portadores que a produzem apenas podem ser gerados pelo efeito t ermico. Logo a corrente de satura c ao varia apenas com a temperatura. Nesta situa c ao, poder amos enxergar o diodo como uma chave aberta, uma vez que a corrente que circular a pelo circuito ser a muito pequena, na ordem dezenas de picoamp eres a alguns micro-amp eres, dependendo do modelo do diodo empregado. Para entendermos melhor o comportamento do diodo em polariza c ao reversa considere o circuito exemplicado na Figura 2.10.
Figura 2.10: Circuito eletr onico com um diodo em polariza c ao direta. Considerando o sentido da corrente indicado no circuito, a equa c ao do balan co de tens oes se torna: E + VR R ID = 0 (2.7)
OBS: Note que a polaridade da tens ao VR e inversa ` a considerada na Figura 2.6. Neste caso, a corrente total do circuito seria: ID =
E + VR R 18
(2.8)
Eletr onica Geral
Como a corrente reversa no diodo possui um valor muito pequeno, podemos consider ala zero (ID = 0A). Nesse caso, resolvendo a equa c ao acima, encontramos que a tens ao sobre os terminais do diodo ser a: E + VR = VR = E (2.9) R Ou seja, caso o diodo se encontre em polariza c ao reversa, ele bloquear a a circula c ao de corrente no circuito e absorver a toda tens ao equivalente sobre os seus terminais. Esse comportamento e exatamente o comportamento de uma chave aberta. No Cap tulo 3 ser ao apresentados exerc cios e exemplos, para aprimorar e solidicar o entendimento do comportamento de diodos em circuitos eletr onicos. 0=
2.3.1
Ruptura
No item anterior, mostrou-se que quando um diodo se encontra em polariza c ao reversa ele absorve a tens ao equivalente do circuito sobre o seus terminais, de modo que a tens ao entre anodo e catodo se torna negativa e a corrente se mant em em patamares muito pequenos. Contudo, se a tens ao reversa aplicada aos terminais do diodo possuir uma magnitude muito elevada os portadores minorit arios ter ao energia suciente para, ao colidirem com atomos do cristal, arrancarem el etrons de sua orbita e aumentar a quantidade de portadores em condu c ao, esses novos portadores ir ao se colidir com novos atomos gerando mais portadores em um efeito avalanche. Neste instante a corrente reversa apresenta um salto repentino e a curva caracter stica se assemelha ` a da polariza c ao direta, contudo, como a corrente reversa se torna muito elevada, o diodo poder a superaquecer e destruir as liga c oes covalentes estabelecidas, destruindo o material. Logo a opera c ao pr oxima da regi ao de ruptura n ao e recomendada. Em diodos comerciais, a avalanche ocorre para tens oes reversas superiores a 50V, normalmente. O diodo 1N4007, por exemplo, apresenta uma regi ao de ruptura pr oxima de 1000V. Nas folhas de dados a regi ao de ruptura e denominada comumente como Breakdown .
2.3.2
Efeito Zener
Quando um diodo e fortemente dopado, a camada de deple c ao e muito estreita, o que faz com que o campo el etrico na camada de deple c ao seja muito intenso. Durante a polariza c ao reversa se a intensidade do campo el etrico se tornar superior a 300kV/cm, haver a for ca suciente para arrancar el etrons de suas orbitas e gerar um par el etron-lacuna na regi ao de deple c ao, a gera c ao de portadores por este efeito e denominado de efeito zener. Esses novos portadores podem participar da condu c ao de corrente reversa, aumentando a sua magnitude. No entanto, como o efeito zener se d a em tens oes muito mais baixas que o efeito avalanche, o aumento da corrente reversa n ao provoca um aquecimento exagerado do semicondutor, podendo ser mais facilmente revertido e sem provocar a destrui c ao do material.
19
Eletr onica Geral
O efeito zener, assim como a ruptura, podem ser visualizadas na curva IxV de um diodo, como e mostrado na Figura 2.11, a regi ao onde ocorre o efeito zener e chamada de regi ao de zener.
Figura 2.11: Curva caracter stica do Diodo com a Regi ao de Zener. Ao atingir a regi ao de zener, a tens ao terminal do diodo sofre pouca altera c ao com o incremento da corrente reversa. Esse atributo e muito utilizado em reguladores ou limitadores de tens ao (tema de cap tulos posteriores). Devido ao alto interesse em se utilizar essa regi ao do diodo, os fabricantes desenvolveram tipos de diodos, cuja tens ao de Zener e muito bem denida. A essa classe de diodos especiais d a-se o nome de diodo Zener. O s mbolo de um diodo zener e um pouco diferente do diodo convencional, sendo mostrado na Figura 2.12.
Figura 2.12: S mbolo de um diodo zener.
OBS: Em polariza c ao direta o diodo zener se comporta como um diodo convencional.
2.4
Modelos aproximados do Diodo
Na se c ao anterior, discutimos o funcionamento microsc opico do diodo e descrevemos as curvas caracter sticas do dispositivo. Vericamos que o comportamento do diodo para diferentes faixas de tens ao e extremamente n ao-linear. Apesar de existirem equa c oes bem precisas que descrevem o comportamento do diodo em toda a sua faixa de opera c ao,
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Eletr onica Geral
para um estudo r apido e realiza c ao de projetos de circuitos eletr onicos e interessante encontrarmos um modelo para o diodo que represente as suas caracter sticas principais. Os modelos mais complexos s ao utilizados em softwares de simula c ao de circuitos, sendo empregados quando se deseja obter uma resposta mais precisa do comportamento do circuito. Para a an alise e projeto de circuitos eletr onicos b asicos, 3 modelos aproximados do diodo s ao utilizados, os quais ser ao descritos a seguir.
2.4.1
O diodo ideal - Primeira aproxima c ao
Nesta aproxima c ao, o diodo e tratado como uma chave ideal, capaz de conduzir corrente em apenas um sentido, ou seja: Polariza c ao Direta - Chave fechada (curto-circuito); Polariza c ao Reversa - Chave aberta (circuito aberto); O comportamento do modelo do diodo em um circuito eletr onico b asico e ilustrado na Figura 2.13. Note que a regi ao de joelho da curva em polariza c ao direta e completamente desprezada e considera-se que o diodo n ao atinge a regi ao de ruptura.
Figura 2.13: Curvas e s mbolos de um diodo ideal. O circuito tomado como exemplo na Figura 2.13 e muito semelhante aos analisados anteriormente. Por em, a tens ao de entrada Va e uma tens ao vari avel, a qual pode assumir qualquer valor positivo ou negativo. Levantando a equa c ao da malha, obteremos: Va VD ID R = 0 Assim, podemos escrever: { VD = Va ID R Va VD ID = R 21 (2.11) (2.10)
Eletr onica Geral
Como na polariza c ao direta, o diodo se comportaria como um curto-circuito, a sua tens ao terminal VD seria nula. J a em polariza c ao reversa, ele se comportaria como uma chave aberta, logo a sua corrente ID seria nula. A Tabela 2.1 resume as caracter sticas do diodo ideal em cada condi c ao de opera c ao, para o circuito de exemplo. Tabela 2.1: Caracter sticas de um diodo ideal VD Pol. Direta 0V Pol. Reversa Va ID Va R 0A
2.4.2
Segunda Aproxima c ao
Nesta aproxima c ao, a tens ao de limiar do diodo e representada como uma fonte constante de tens ao em s erie com um diodo ideal. Novamente as caracter sticas de ruptura s ao desprezadas. A Figura 2.14 mostra as curvas e os s mbolos associados com o modelo.
Figura 2.14: Curvas e s mbolos de um modelo de primeira aproxima c ao. As caracter sticas do modelo em primeira aproxima c ao do diodo, para o circuito descrito na Figura 2.14, s ao apresentadas na Tabela 2.2. Tabela 2.2: Caracter sticas de um modelo em primeira aproxima c ao VD Pol. Direta Pol. Reversa VLimiar Va ID Va VLimiar R 0A
O valor da tens ao limiar a ser utilizado no modelo depende do tipo de diodo empregado. Normalmente diodos de sil cio possuem tens ao limiar de 0,7V. Diodos de Germ anio, por
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Eletr onica Geral
sua vez, possuem tens ao limiar de 0,3V. Caso j a se conhe ca o componente espec co a ser utilizado, pode-se utilizar a tens ao limiar denida pelo fabricante do dispositivo, a qual est a informada em seu datasheet.
2.4.3
Terceira Aproxima c ao
Nesta aproxima c ao, al em da tens ao de limiar, o efeito da resist encia de corpo do diodo tamb em e representada. O modelo consiste em um diodo ideal em s erie com uma fonte de tens ao e um resistor. O valor da resist encia pode ser inferido a partir da an alise de algumas regi oes da curva caracter stica do diodo. A Figura 2.15 mostra as curvas e os s mbolos do modelo.
Figura 2.15: Curvas e s mbolos de um modelo de segunda aproxima c ao. As caracter sticas do modelo em segunda aproxima c ao s ao apresentadas na Tabela 2.3. Tabela 2.3: Caracter sticas de um diodo em segunda aproxima c ao VD Pol. Direta Pol. Reversa VLimiar + rD ID Va ID Va VLimiar R + rD 0A
Ex. 2 - Para a curva apresenta da Figura 2.16 levante o modelo de 3a aproxima c ao. Para levantar o modelo de 3a aproxima c ao e necess ario lembrar que este modelo e representado por um diodo ideal em s erie com uma fonte de tens ao e uma resist encia. O diodo ideal garante que quando a tens ao de polariza c ao for negativa (VAK < 0), a corrente no diodo ser a nula, assim, para levantar o modelo, nos basta determinar a tens ao de limiar do componente e a resist encia de contato. Para denir a tens ao limiar iremos tra car uma reta tangente ` a regi ao linear da curva. O ponto onde essa linha intercepta o eixo das abscissas ser a a tens ao de limiar do modelo. A Figura 2.17 apresenta mostra a tens ao de limiar da curva do exemplo.
23
Eletr onica Geral
Figura 2.16: Curva caracter stica de um diodo real.
Figura 2.17: Deni c ao da tens ao limiar. Pelo gr aco, nota-se que a tens ao limiar e de 0,23V para este diodo. A deni c ao da resist encia de contato leva em considera c ao a inclina c ao da reta tangente tra cada anteriormente ao longo da regi ao linear. A resist encia de contato poder a ser denida por dois pontos no gr aco (ID1 , VD1 ) e (ID2 , VD2 ), de modo que: rD = VD1 VD2 ID1 ID2 (2.12)
Tomando dois pontos quaisquer na regi ao linear (0,6V - 100mA) e (0,3V - 20mA) determina-se que a resist encia de contato e:
24
Eletr onica Geral
rD =
0, 6V 0, 3V = 3, 75 100mA 20mA
(2.13)
2.4.4
Modelo de um diodo na Regi ao de Zener
Os modelos aproximados de diodos apresentados at e o momento dizem respeito a componentes desenvolvidos para trabalhar longe da regi ao de zener. No entanto, como comentado anteriormente, existem componentes projetados para trabalhar nessa regi ao. O diodo Zener, contudo, tamb em lan ca m ao de modelos aproximados para representar o seu comportamento. Normalmente consideramos que o diodo zener, na polariza c ao direta assume um dos 3 modelos descritos acima, j a na regi ao de zener ele assume um outro modelo, descrito na Figura 2.18.
Figura 2.18: Curva e s mbolo do modelo de um diodo zener na regi ao de zener. Como mostra a Figura, o diodo zener na regi ao de zener e representado por uma fonte de tens ao em polariza c ao reversa de valor VZ 0 (tens ao de Zener nominal) e um resistor rZ (resistor de zener) que representa a varia c ao da corrente no zener com a varia c ao da tens ao aplicada ao diodo. Ao se utilizar esse modelo na an alise de circuitos eletr onicos, muitas vezes, por quest oes de simplica c ao, considera-se rZ muito pequeno, o que leva VZ VZ 0 .
2.5
Diodo Emissor de Luz - LED
Existem diversos tipos de diodos, desenvolvidos para cada tipo de aplica c ao. Um diodo muito interessante e muito utilizado na eletr onica e o diodo emissor de luz (LED - Light Emitting Diode ). O LED funciona da mesma maneira que os diodos comuns, contudo, ao ser polarizado diretamente, ele emite luz em uma banda bem denida. Existem diversos tipos de LEDs (alto brilho, indicador, LED de pot encia, LED Branco, LED Vermelho, LED Verde, LED Azul, etc...). No curso de eletr onica geral, consideraremos apenas os LEDs indicadores, os quais possuem Tens ao de Limiar (V ) na faixa de 1,5V a 2,5V e assume corrente de at e 100mA.
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Eletr onica Geral
A Figura 2.19 ilustra o encapsulamento t pico de um LED indicador com os seus elementos principais e o seu s mbolo el etrico. Note que para identicar um LED corretamente deve-se localizar no encapsulamento o chanfro que indica a posi c ao do Catodo.
Figura 2.19: Encapsulamento de um LED e seus elementos principais.
Existem muitos encapsulamentos de diodos dispon veis no mercado, contudo, uma grande variedade delas trazem uma marca, cuja fun c ao e facilitar a identica c ao dos terminais do diodo. Normalmente essa marca e uma tarja escura localizada no terminal Catodo, como ilustra a Figura 2.20.
Figura 2.20: Exemplo de tarja de identica c ao de um diodo (Encapsulamento DO-41).
Quest oes
1 - Procure na Internet os Datasheets dos seguintes Diodos: 1N4007, 1N5407, 1N4148, 1N4736, BAS116, MUR860. A partir dos dados do datasheet determine: 1. Tens ao de limiar;
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Eletr onica Geral
2. Corrente m axima Direta; 3. Tens ao de Ruptura ou Tens ao de Zener; 4. Resist encia s erie; 5. M axima Pot encia; 6. Encapsulamento.
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Eletr onica Geral
Cap tulo 3 Aplica c oes do Diodo em Circuitos Eletr onicos

O estudo do comportamento de dispositivos semicondutores e o levantamento de modelos aproximados que possibilitem uma r apida e consistente avalia c ao dos estados das grandezas el etricas (corrente e tens ao) dos dispositivos nos permitem realizar a an alise e o projeto de circuitos eletr onicos. A associa c ao de diodos e outros dispositivos d a origem a uma gama innita de congura c oes, as quais apresentam variadas respostas aos sinais de entrada dos circuitos eletr onicos, isto e, a partir da associa c ao de dispositivos semicondutores podemos construir desde uma simples porta l ogica a um complexo sistema de processamento de dados (computador, DSP e microcontroladores). Contudo, para que o estudante de eletr onica seja capaz de compreender plenamente o funcionamento de tais sistemas e possa tamb em constru -los e extremamente importante que ele compreenda como os dispositivos semicondutores interagem com outros elementos em um circuito el etrico. Neste sentido e interessante que o estudante esteja familiarizado com algumas congura c oes b asicas, as quais constituem blocos elementares utilizados na constru c ao de diversos sistemas eletr onicos. A abordagem utilizada neste cap tulo ser a baseada na an alise de algumas topologias b asicas de circuitos a diodos. A princ pio discutiremos circuitos a diodos com entrada em corrente cont nua e em seguida discutiremos os circuitos com corrente alternada.
3.1
3.1.1
An alise de circuitos a diodos em c.c.

Circuito b asico
Nesta se c ao analisaremos o circuito a diodos mais elementar poss vel, mostrado na Figura 3.1, onde possu mos uma fonte de tens ao (E ) um diodo (D1 ) e um resistor (R). A gura tamb em apresenta a curva caracter stica do diodo em polariza c ao direta. Como comentado em cap tulos anteriores, a deni c ao do ponto de opera c ao do circuito pode ser feita por meio da an alise da reta de carga, onde cruzamos em um mesmo gr aco a curva caracter stica do diodo e a reta de carga do circuito. Para levantar a reta de carga
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Eletr onica Geral
Figura 3.1: Circuito a diodos elementar e curva caracter stica. para o circuito apresentado na Figura 3.1, levantamos a equa c ao de balan co de tens ao do circuito: E = VD + VR = VD + RID (3.1)
Considerando a tens ao E = 10V (c.c.), a equa c ao apresenta apenas duas vari aveis (VD e ID ), as quais s ao exatamente as mesmas vari aveis que comp oem os eixos da curva caracter stica do diodo. Assim sendo, podemos avaliar qual seria o comportamento do circuito ao longo do quadrante mostrado na curva caracter stica: E VD (3.2) R Verica-se que a rela c ao entre ID e VD para o quadrante avaliado e uma reta com inclina c ao negativa, a qual corta o eixo das ordenadas em VD = E e o eixo das abscissas em E ID = R . Assim, podemos tra car essa reta de carga em conjunto com a curva caracter stica do diodo e encontrar o real ponto de opera c ao do sistema. Essa combina c ao e mostrada na Figura 3.2. ID =
Figura 3.2: An alise por reta de carga do circuito da Figura 3.1. Observa-se que para o circuito em quest ao, a tens ao VD = 0, 78V e a corrente ID =
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Eletr onica Geral
9, 22mA. Outra forma de se analisar o circuito seria utilizar os modelos aproximados discutidos no cap tulo anterior. Para a segunda aproxima c ao, por exemplo, ter amos: 10V 0, 7V = 9, 3mA (3.3) 1k Nota-se que o erro obtido pela aproxima c ao foi de aproximadamente 1%, algo irris orio, uma vez que a toler ancia de muitos componentes el etricos e muito maior do que isso. Esse erro, no entanto, pode variar de diodo para diodo. Para que a an alise simplicada seja mais con avel, e importante vericar o datasheet do componente e buscar o valor de VD mais condizente com a aplica c ao. Pode-se concluir, portanto, que a aplica c ao dos modelos simplicados permite uma avalia c ao mais r apida do estado de um circuito eletr onico, tendo em contrapartida uma perda de precis ao na deni c ao das grandezas el etricas. Assim sendo, para as pr oximas an alises iremos considerar apenas o modelo em primeira aproxima c ao do diodo. ID =
3.1.2
Exemplos de circuitos a diodos simples
Para se realizar a an alise de circuitos a diodos e importante determinar primeiramente o sentido da corrente que passa pelo diodo e ent ao empregar o modelo em polariza c ao direta ou reversa. A deni c ao do sentido da corrente, contudo, pode n ao ser trivial ` a primeira vista, de modo que muitas vezes o estudante deve fazer uma investiga c ao sobre o estado do dispositivo. Iremos apresentar alguns exemplos de circuitos a diodos simples, de modo a podermos exemplicar formas de an alise de circuitos a diodos. Circuito 3.1.A
Figura 3.3: Circuito a diodos do Exemplo A Neste primeiro exemplo consideraremos o circuito mostrado na Figura 3.3. Para se realizar a an alise do referido circuito, devemos, primeiramente, determinar qual o sentido da corrente que a fonte de tens ao est a tentando impor ao circuito e assim determinar qual o tipo de polariza c ao que o diodo se encontra. Para denir este sentido, lan caremos m ao de um artif cio: Substituiremos inicialmente o diodo por um resistor e observaremos qual o sentido da corrente no circuito, caso a corrente resultante esteja no mesmo sentido da setado diodo, ele estar a em polariza c ao direta, caso contr ario, ele estar a em polariza c ao reversa. A Figura 3.4 exemplica esse m etodo.
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Eletr onica Geral
Figura 3.4: Determinando o sentido da corrente atrav es o diodo. Notamos que, o sentido da corrente imposta pela fonte seria do catodo para o anodo do diodo, ou seja, estaria no sentido reverso ` a seta do diodo. Assim, podemos concluir que o diodo no circuito acima entraria em corte (polariza c ao reversa). Uma vez conhecido o sentido da corrente, aplicamos o modelo adequado para o diodo, neste caso o diodo seria representado por um circuito aberto, como ilustrado na Figura 3.5.
Figura 3.5: Estado nal do circuito do exemplo A. Perceba que a corrente no circuito seria de ID = 0A, uma vez que o diodo em polariza c ao reversa bloqueia a circula c ao de corrente. Seguindo a lei de kirchho das tens oes, ter amos: E VD R ID = 0 Substituindo o valor da corrente: E VD = 0 VD = E (3.5) (3.4)
Note que pela polaridade da tens ao VD descrita na gura, a tens ao entre anodo e catodo (VAK ) seria VAK = E . Circuito 3.1.B Realizando sobre o circuito apresentado na Figura 3.6 o mesmo artif cio utilizado no exemplo anterior, para se descobrir o sentido da corrente, iremos vericar que o diodo se encontrar a diretamente polarizado. Substituindo ent ao o diodo pelo seu modelo em polariza c ao direta (segunda aproxima c ao), obteremos o circuito mostrado na Figura 3.7.
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Eletr onica Geral
Figura 3.6: Circuito do exemplo B.
Figura 3.7: Circuito do exemplo B aproximado. Levantando a lei de kirchho das tens oes, obteremos a seguinte express ao: E VD R ID = 0 A corrente do sistema ser a; ID = Substituindo valores, temos: 0, 5V 0, 7V = 0, 17mA (3.8) 1, 2k Note que a corrente encontrada possui um sinal negativo, isto e, circula no sentido contr ario ao denido no circuito. Isto implica em se dizer que o diodo estaria reversamente polarizado, o que estaria em desacordo com a nossa an alise. Na realidade o que ocorreu foi o seguinte: O diodo est a diretamente polarizado, no entanto, a tens ao da fonte e inferior ` a tens ao limiar do diodo, o que indica que os portadores majorit arios do diodo n ao conseguiram ainda vencer a barreira de potencial. Logo, o diodo encontra-se em corte, isto e, apesar de polarizado diretamente a corrente que o atravessa e igual a zero. Assim, ID = 0 e VAK = VD = 0, 5V . ID = Circuito 3.1.C Neste exemplo, ao inv es de um diodo apenas, possu mos uma associa c ao de dois diodos em s erie: um de Sil cio (VD = 0, 7V ) e um de Germ anio (VD = 0, 3V ). Para avaliar o
(3.6)
E VD R
(3.7)
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Eletr onica Geral
Figura 3.8: Circuito do exemplo C. sentido da corrente utilizamos o mesmo artif cio empregado nos exemplos anteriores. Ao fazer isso, notaremos que ambos os diodos estar ao diretamente polarizados. Substituindo ent ao o s mbolo dos diodos pelo seu modelo aproximado, obteremos o circuito da Figura 3.9.
Figura 3.9: Circuito do exemplo C com os modelos aproximados. Levantando a lei de kirchho das tens oes, encontramos: 12V 0, 7 0, 3 5, 6k ID = 0 Desta forma, podemos calcular o valor da corrente ID : ID = 12V 0, 7V 0, 3V = 1, 96mA 5, 6k (3.10) (3.9)
Para se denir a tens ao Vo devemos observar que a corrente ID passar a toda pelo resistor de 5,6k , gerando uma tens ao Vr = ID 5, 6k . Essa tens ao Vr possui a mesma diferen ca de potencial que a tens ao Vo , de modo que Vr = Vo , assim; Vo = 1, 96mA 5, 6k = 11V (3.11)
Outro caminho seria substituir a equa c ao de Vo descrita anteriormente na equa c ao da lei de kirchho de tens oes: 12V 0, 7 0, 3 Vo = 0 Vo = 12 0, 7 0, 3 = 11V (3.12)
Nota-se que para se denir as grandezas el etricas do circuito e necess ario considerar as quedas de tens ao em ambos os diodos.
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Circuito 3.1.D Neste exemplo temos um circuito com duas fontes de tens ao, como mostrado na Figura 3.10. Nesse caso, poder amos utilizar o artif cio de substituir o diodo por um elemento resistivo e resolver o circuito como v nhamos fazendo at e ent ao, contudo, outro m etodo de an alise poderia ser utilizado com a mesma ec acia: Assumiremos inicialmente que o diodo est a em condu c ao (sentido da corrente igual ao sentido da seta) e resolveremos o circuito. Se esta considera c ao estiver equivocada, ou seja, se o diodo na realidade estiver em corte, isso ser a indicado por incoer encias nos valores de tens ao e corrente encontrados.
Figura 3.10: Circuito do exemplo D. Caso o diodo estivesse em condu c ao, o sentido das correntes seria igual ao indicado na gura do exemplo, a equa c ao da malha neste caso seria: 10V R1 ID VD R2 I1 25V = 0 Lembrando que, se o diodo conduz: I1 = ID e VD = 0, 7V . Assim, ter amos: ID = 10V 25V 0, 7V = 15, 1mA 4, 7k + 1, 5k (3.14) (3.13)
Novamente encontramos uma corrente com sentido inverso ao determinado no in cio da an alise. Isso signica que o diodo encontra-se na realidade em corte, ou seja, ID = 0A. Logo, necessitamos refazer os nossos c alculos e modicar o modelo do diodo empregado. Considerando que o diodo est a inversamente polarizado, o circuito nal caria da seguinte forma:
Figura 3.11: Circuito do exemplo D com o diodo em seu estado correto.

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Notamos ent ao que a corrente ID = I1 = 0A. A tens ao VO = 25V . e a tens ao sobre o diodo ser a: VD = (10V R1 ID ) (R2 I1 + 25V ) = 10V 25V = 15V Circuito 3.1.E (3.15)
Figura 3.12: Circuito do exemplo E. Neste exemplo, existem dois diodos em paralelo no caminho da corrente. Neste caso, a tens ao entre os terminais dos diodos deve ser a mesma. Isso indica que o diodo que possuir a menor tens ao limiar ir a impor esta tens ao sobre o outro diodo. Na pr atica, como n ao existem dois diodos com as mesmas caracter sticas, a disposi c ao de dispositivos em paralelo far a como que a corrente vista por cada diodo seja diferente (mesmo que minimamente), gerando o que chamamos de desequil brio de corrente. O c alculo exato desse desequil brio e muito complicado de ser realizado, uma vez que n ao sabemos a priori as caracter sticas exatas de um diodo espec co (OBS: o datasheet de um diodo indica faixas de valores para um mesmo lote de componentes ), por isso consideraremos para an alise que todos os diodos de um mesmo tipo possuem caracter sticas iguais. No exemplo em quest ao temos um diodo de Sil cio e outro de Germ anio em paralelo. Utilizando o artif cio do elemento resistivo vericamos que ambos os diodos est ao diretamente polarizados, contudo, como a tens ao limiar do diodo de Germ anio e menor do que a do de Sil cio, o diodo de Germ anio estar a conduzindo e o de Sil cio estar a em corte. A Figura 3.13 abaixo exemplica essa situa c ao: Assim, a corrente ID,Si = 0 e a corrente ID,Ge ser a: ID,Ge = A tens ao sobre a carga ser a: VO = 12V 0, 3V = 11, 7V
12V 0, 3V = 5, 32mA 2, 2k
(3.16)
(3.17)
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Eletr onica Geral
Figura 3.13: Circuito do exemplo E redesenhado.
3.1.3
Fun c oes L ogicas a Diodos
Uma tarefa muito requisitada por sistemas eletr onicos e a realiza c ao de opera c oes l ogicas e aritm eticas com sinais el etricos. As opera c oes aritm eticas (soma, subtra c ao, etc) s ao realizadas no dom nio anal ogico por circuitos especiais chamados de amplicadores operacionais, cujo estudo ser a feito em outra disciplina. J a as opera c oes l ogicas podem ser implementadas por meio de circuitos integrados espec cos, conhecidos como portas l ogicas (TTL, CMOS, BICMOS, etc), ou por associa c oes simples de diodos (Fun c oes AND e OR) e transistores (Fun c ao NOT). Nessa se c ao apresentaremos as congura c oes b asicas que implementam as fun c oes OR e AND com diodos. OBS: Apesar de funcionalmente um circuito l ogico a diodos e uma porta l ogica operarem da mesma maneira, existem diferen cas importantes entre as duas implementa c oes de fun c oes l ogicas. Para sistemas digitais complexos e importante sempre lan car m ao das portas l ogicas, por quest ao de compatibilidade e conan ca nas informa c oes manipuladas.
Fun c ao OR
Figura 3.14: Congura c ao de uma fun c ao OR implementada com diodos.

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A congura c ao mostrada na Figura 3.14 ilustra uma fun c ao OR implementada com diodos. As entradas da fun c ao s ao as tens oes V1 e V2 e a sa da da mesma e a tens ao sobre o resistor de pull-down, VO . Para se realizar a an alise do circuito e comprovar que ele e capaz de implementar uma fun c ao booleana OR sobre as entradas, temos que vericar a resposta do sistema frente a todas as combina c oes de entrada poss veis. Faremos isso a seguir: A. V1 = 0V e V2 = 0V Nesse caso, todas as tens oes envolvidas no circuito s ao nulas, o que indica que n ao h a circula c ao de corrente. Isto indica que ambos os diodos devem estar em corte. Assim, a tens ao sobre o resistor de pull-down ser a zero; B. V1 = 10V e V2 = 0V Utilizando o artif cio do elemento resistivo, vericamos que o diodo D1 se encontra em condu c ao e o diodo D2 se encontra em corte. Assim, a tens ao na sa da ser a VO = 10V 0, 7V = 9, 3V ; C. V1 = 0V e V2 = 10V Esse caso e semelhante ao anterior, sendo que agora o diodo D1 est a em corte e o diodo D2 , em condu c ao; D. V1 = 10V e V2 = 10V Nessa situa c ao ambos diodos se encontram em condu c ao e a tens ao sobre a sa da ser a 9,3V. Resumimos as considera c oes feitas acima na Tabela 3.1. Tabela 3.1: Comportamento do circuito de uma fun c ao OR a diodos V1 V2 0V 0V 0V 10V 10V 0V 10V 10V VO 0V 9,3V 9,3V 9,3V
Se considerarmos que a tens ao 0V representa um n vel l ogico 0 e uma tens ao igual ou superior a 9,3V representa um n vel l ogico 1, ent ao vericamos que o circuito da Figura 3.14 implementada de fato uma fun c ao OR. Fun c ao AND A Figura 3.15 apresenta a congura c ao de um circuito que implementa uma fun c ao AND. As entradas s ao novamente V1 e V2 , e a sa da, a tens ao VO . Observamos que agora temos uma fonte externa de 10V conectada ` a sa da por um resistor de pull-up. Para que o circuito funcione adequadamente, o valor do n vel l ogico 1, nas entradas, dever a ser igual ou superior ` a tens ao externa. Nesse circuito, caso alguma das entradas possuir uma tens ao igual a 0V, o diodo ligado ` aquela entrada estar a em condu c ao. Este diodo for car a a tens ao na sa da a ser igual ` a queda de tens ao sobre ele, ou seja, quando uma das entradas e 0V, a sa da ser a
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Figura 3.15: Congura c ao de uma fun c ao AND implementada com diodos. igual a 0,7V. Quando ambas as entradas forem iguais a 10V (tens ao da fonte externa), ambos os diodos estar ao em corte, o que faz com que a tens ao na sa da seja igual a 10V. Tente analisar o circuito pelos m etodos discutidos anteriormente e comprove as arma c oes acima. A Tabela 3.2 resume o comportamento do sistema. Tabela 3.2: Comportamento do circuito de uma fun c ao AND a diodos V1 V2 0V 0V 0V 10V 10V 0V 10V 10V VO 0V 0V 0V 10V
Exerc cios resolvidos

1 - Para o circuito abaixo, calcule o valor da corrente ID e o valor da tens ao VO .
Figura 3.16: Exerc cio Resolvido 1. Resolu c ao Primeiramente deve-se denir se o diodo estar a conduzindo ou n ao. Ao se observar o circuito, a fonte de tens ao de 8V imp oe ao circuito uma diferen ca de potencial que for caria a circula c ao de uma corrente no sentido de condu c ao do diodo. Assim, pode-se concluir
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que o diodo estar a em polariza c ao direta. Uma vez sabido isso, pode se redesenhar o circuito:
Pode-se ent ao, levantar a equa c ao da malha formada no circuito: 8V = 1, 2k ID + 4, 7k ID + 0, 7V Isso nos permite denir o valor da corrente na malha: ID = 8V 0, 7V = 1, 24mA 4, 7k + 1, 2k (3.19) (3.18)
A deni c ao da tens ao VO passa pela an alise do ramo existente entre o ponto de medi c ao (VO ) e o terminal de refer encia (terra). Note que entre os dois pontos do circuito existe o resistor de 4, 7k e o diodo. Assim, a queda de tens ao no ramo ser a de: VO = 4, 7k ID + 0, 7V = 4, 7k 1, 24mA + 0, 7V = 6, 53V (3.20)
2 - Para o circuito abaixo, calcule: a) O valor das corrente I e ID2 , b) o valor das tens oes V e B , c) dena o estado de condu c ao dos dois diodos.
Figura 3.17: Exerc cio Resolvido 2. Resolu c ao Neste circuito, n ao e trivial denir qual dos diodos est a em condu c ao e qual estaria bloqueado. Assim, iremos utilizar outra t ecnica de resolu c ao: Suporemos que ambos os
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diodos est ao em condu c ao. Ao m da resolu c ao, vericaremos se essa considera c ao estava correta. Caso ela estiver errada, refaremos a an alise do circuito. Para resolver o circuito, iremos utilizar o m etodo de kirchho das tens oes de n o. Note que o circuito apresenta apenas um n o efetivo, o n o B. Assim sendo, a lei de kirchho para este n o pode ser denida como: Ix = I + ID2 (3.21)
Onde Ix e a corrente que sai do n o B para a fonte de -10V. Podemos desenvolver as correntes ID2 e Ix , a corrente I , por circular apenas por um diodo, n ao possui rela ca o direta com nenhuma tens ao. Assim: ID2 = 10V 0, 7V B 9, 3V B = 5k 5k (3.22)
B (10V ) B + 10V = 10k 10k Retornando na equa ca o do n o, se tem que: Ix = 9, 3V B B + 10V =I+ 10k 5k De modo que:
(3.23)
(3.24)
3B 8, 6V (3.25) 10k Observe que n ao se pode denir o valor da corrente I sem se conhecer o valor da tens ao no n o B. O valor da tens ao, no entanto, foi denido ao se assumir que ambos os diodos est ao conduzindo. Como um diodo de sil cio possui uma queda de tens ao de 0,7V entre anodo e catodo, e como o anodo do diodo D1 est a conectado no terra e o seu catodo, no terminal B, pode-se concluir que a tens ao de B = 0 0, 7V = 0, 7V . Com isso, a corrente I se torna: I= I= A corrente ID2 ser a: 9, 3V (0, 7V ) = 2mA (3.27) 5k Neste ponto da resolu c ao j a se constata uma irregularidade: A corrente no diodo D1 e negativa, ou seja, e contr aria ao sentido denido no problema. Isso faz com que o diodo conduza uma corrente reversa, o que n ao ocorre na realidade. Com isso se conclui que o diodo D1 est a na realidade em corte. Uma vez conhecido os estados de condu c ao dos diodos, pode-se redesenhar o circuito, para a nova condi c ao: ID 2 =
3(0, 7V ) 8, 6V = 1, 07mA 10k
(3.26)
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Observe que a corrente I = 0A. O circuito se torna uma u nica malha, de modo que se pode escrever:
10V + 10V = 5k ID2 + 10k ID2 + 0, 7V Assim: 20V 0, 7V = 1, 29mA 5k + 10k
(3.28)
ID 2 =
(3.29)
Com isso se pode denir os valores das tens oes medidas:
V = 10V 5k 1, 29mA = 3, 55V
(3.30)
B = V 0, 7V = 3, 55V 0, 7V = 2, 85V Com isso, podemos responder o problema: a) I = 0A, ID2 = 1, 29mA; b) V = 3, 55V , B = 2, 85V ; c) O diodo D1 est a bloqueado e o diodo D2 estar a conduzindo.
(3.31)
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Eletr onica Geral
3.2
Exerc cios propostos
1. Considerando as curvas caracter sticas de diodos mostradas acima, dena para o circuito abaixo: a) a reta de carga, b) O valor da tens ao Vo .
2. Refa ca a an alise do item anterior, considerando agora o modelo do diodo em primeira aproxima c ao. Compare os resultados obtidos. 3. Considerando as curvas caracter sticas de diodos mostradas anteriormente, analise o circuito abaixo e dena: a) a reta de carga, b) o valor da tens ao VO .
4. Para o circuito abaixo calcule a tens ao VR e a corrente ID , considerando o modelo de primeira aproxima c ao.
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Eletr onica Geral
5. Para os circuitos abaixo, calcule o valor da corrente ID e o valor da tens ao VO .
6. Para os circuitos abaixo, calcule o valor da corrente I e o valor da tens ao sobre o(s) diodo(s) (VAK ).
7. Para os circuitos abaixo, determine o valor da tens ao VO .
8. Para os circuitos abaixo, determine o valor das tens oes Vo1 e Vo2 .
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Eletr onica Geral
9. Para o circuito abaixo, determine o valor da tens ao V e da corrente I.
10. Para o circuitos abaixo, determine o valor da tens ao VO .
11. Para o circuito abaixo, determine o valor da tens ao V e da corrente I.
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12. Para o circuito abaixo, calcule o valor das correntes I1 , I2 e ID2 .
13. Calcule para o circuito abaixo, as correntes I1 , I2 , ID1 e o valor das tens oes VO .
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Eletr onica Geral
Cap tulo 4 Aplica c oes de Diodos em c.a.

4.1 Sinais
Um sinal e um meio de representar as informa c oes contidas em fato ou fen omeno f sico presentes em nosso mundo. Na area t ecnica, tratamos como sinal todo fen omeno que carrega informa c oes u teis a um processo ou sistema. Como exemplo, imagine que um sistema de controle tem que controlar a temperatura de um forno industrial, para esse sistema as informa c oes referentes ` a varia c ao da temperatura da c amara ao longo do tempo e um sinal, assim como as informa c oes de press ao, vaz ao de combust vel, etc. Para um sistema de transmiss ao de r adio, um tipo de sinal seria a voz do locutor, a qual transporta as not cias a serem anunciadas. Um tipo de processo pode receber informa c oes advindas de v arios sinais, alguns u teis, como os exemplicados acima, outros, indesej aveis. Normalmente trata-se os sinais indesejados em um determinado processo como ru do. Os sistemas eletr onicos a serem discutidos nessa apostila tem como intuito principal processar os sinais necess arios para o funcionamento de um processo. No entanto, os sistemas eletr onicos apenas interpretam grandezas el etricas, como tens ao e corrente. Assim sendo, para que os diversos fen omenos f sicos possam ser processados e necess ario que estes sejam primeiramente convertidos em sinais an alogos de corrente ou tens ao. Esse processo de convers ao e realizado por equipamentos espec cos chamados de transdutores, dos quais podemos citar o microfone (transdutor de press ao), o termopar (transdutor t ermico), o LDR (transdutor luminoso), entre outros. Os transdutores mais utilizados em processos industriais ser ao tema das disciplinas de instrumenta c ao e controle, para o dado momento, nos basta saber que os sinais relacionados a eventos f sicos podem ser representados no dom nio el etrico. Como os sinais el etricos s ao gerados a partir de eventos f sicos, eles possuem um comportamento vari avel com o tempo, ou seja, a magnitude do sinal pode mudar de valor ao longo do tempo. Desta forma um sinal el etrico pode ser representado por um gr aco temporal, como o ilustrado na Figura 4.1. Existem no entanto, diversos termos utilizados para descrever as caracter sticas de um determinado sinal el etrico. Nas pr oximas se c oes esses termos ser ao melhor discutidos.
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Eletr onica Geral
Figura 4.1: Sinal el etrico arbitr ario
4.1.1
Elementos de um sinal el etrico
Como comentado, um sinal el etrico pode se apresentar de diversas formas, dependendo do evento que o criou e do processamento sobre ele realizado. Assim sendo, costuma-se denir alguns par ametros para melhor denir as caracter sticas de cada sinal. Um sinal convencional possui tr es componentes b asicos: Amplitude - Dene a magnitude do sinal el etrico (Unidade dependente do tipo de grandeza analisada); Frequ encia - Dene o n umero de ciclos que aquele sinal exibe em um segundo (Medido em Hertz); Fase - Dene o deslocamento do sinal em rela c ao a um instante de refer encia (Medido em graus ou radianos); Um sinal pode, portanto, transportar informa c oes inseridas em pelo menos um desses tr es componentes. Existem, contudo diversas formas de se interpretar e trabalhar com cada um desses componentes, como ser a discutido mais a seguir. Para tanto, considere como exemplo inicial a representa c ao de um sinal simples descrito na Figura 4.2. 4.1.1.1 Amplitude de um sinal
A amplitude de um sinal el etrico mede a magnitude daquele sinal, sendo que a unidade referente a tal magnitude est a relacionada ` a grandeza analisada. Por exemplo, um sinal de tens ao ter a sua magnitude medida em Volts, um sinal de corrente, em Amp eres e um sinal pot encia, em Watts. A amplitude pode ser denida de v arias formas diferentes, determinando valores distintos. Assim sendo, apresentamos aqui algumas deni c oes mais comumente utilizadas. 4.1.1.1.1 Valor Instant aneo O valor instant aneo de um sinal representa a magnitude do sinal em cada instante de tempo.
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Eletr onica Geral
Figura 4.2: Elementos de um sinal el etrico 4.1.1.1.2 Valor de pico-a-pico O Valor de pico-a-pico representa a magnitude existente entre o ponto m aximo do sinal em um per odo e o seu ponto m nimo. Na Figura 4.2 o valor de pico-a-pico e representado por AP P . 4.1.1.1.3 Valor de pico O valor de pico representa a magnitude existente entre o ponto m aximo do sinal em um per odo e o valor m edio do sinal. Na Figura, o valor de pico e representado por AP . 4.1.1.1.4 Valor m edio O valor m edio e a magnitude da m edia de um sinal ao longo de um per odo. Na Figura 4.2, o valor m edio e representado por Am . A deni c ao de valor m edio e dada pela equa c ao abaixo: 1 Am = T
0 t
x(t)dt
(4.1)
Ou seja, e igual ` a soma das areas sob a curva de um sinal, dividido pelo per odo. 4.1.1.1.5 Valor Ecaz ou RMS - Root Mean Square O valor RMS, ou seja , o valor m edio quadr atico, e um representa c ao de magnitude muito utilizado em sistemas el etricos. Contudo esse valor n ao pode ser extra do apenas pela an alise da forma de onda do sinal, como e feito com os demais. Esse valor surge com a necessidade de se medir a capacidade de gerar pot encia de um sinal. O valor ecaz e um valor cont nuo atribu do a um sinal arbitr ario, de modo que a pot encia dissipada sobre um resistor alimentado por um sinal cont nuo de magnitude igual
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Eletr onica Geral
ao valor RMS de um sinal arbitr ario ser a igual ` a pot encia dissipada pelo mesmo resistor quando este e alimentado pelo sinal arbitr ario em si. A equa c ao que dene o valor ecaz e: 1 t ARM S = x(t)2 dt (4.2) T 0 Talvez o valor RMS mais importante de ser lembrado por alunos de eletr onica e o Valor Ecaz de uma sen oide pura. Considera-se uma sen oide pura um sinal el etrico de forma de onda senoidal com valor m edio nulo e frequ encia xa, como ilustra a Figura 4.3.
Figura 4.3: Sinal senoidal puro Neste caso, o Valor Ecaz do sinal senoidal puro seria: AP ARM S,Senoide = 2 4.1.1.2 Frequ encia de um sinal (4.3)
A frequ encia de um sinal el etrico representa quantos ciclos, ou per odos, daquele sinal ocorrem em um intervalo de um segundo. O valor de frequ encia e representado pela unidade Hertz (Hz), a qual signica ciclos/segundo. O valor inverso da frequ encia e o per odo de um sinal, ou seja, o tempo necess ario para que este sinal complete um ciclo. Na Figura 4.2, o per odo do sinal e representado por T . Assim a frequ encia do sinal seria: f= 4.1.1.3 Fase de um sinal 1 T (4.4)
Matematicamente, considera-se que um sinal peri odico, seja ele el etrico ou n ao, tem dura c ao eterna, ou seja, come cou em um tempo innitamente distante e continuar a para
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Eletr onica Geral
sempre mantendo os mesmos atributos que o descrevem. Sabemos que essa arma c ao n ao e realista, uma vez que os sinais, como representa c oes de eventos f sicos, duram um intervalo mensur avel de tempo (mesmo que este seja de alguns milh oes de anos!), no entanto, essa e uma maneira de podermos trat a-los como sinais peri odicos e lan car m ao de ferramentas matem aticas conhecidas e simplicadas para analis a-los. Uma vez dito isso, ca claro que ao se analisar um per odo, ou trecho, de um sinal, e importante denir um instante de tempo de refer encia, ou seja, em qual momento queremos vericar os atributos de um determinado sinal. Acontece, todavia, que esse instante de refer encia n ao necessariamente estar a alinhado com o in cio de um ciclo do sinal a ser analisado. ` dist A ancia (em radianos ou graus) entre o instante de refer encia e o in cio de um novo ciclo do sinal analisado d a-se o nome de angulo de fase, ou simplesmente fase. Para exemplicar essa ideia, observe as duas ondas senoidais apresentadas na Figura 4.4.
Figura 4.4: Ondas senoidais defasadas entre si. Note que a onda em Azul se inicia no mesmo instante em que o eixo do tempo tem seu valor nulo, ou seja, t = t0 = 0 (t0 normalmente e o s mbolo utilizado para denir o instante de refer encia.). Nesse caso, dizemos que a onda senoidal possui fase nula, ou zero, pois est a em fase com o instante de refer encia. J a a onda em Preto se inicia em um instante posterior ao da onda azul, sendo que a dist ancia angular entre a onda preta e o o instante t0 e de 2 , ou 90 . Logo, podemos dizer que esta onda possui um angulo de fase de 90o . Comumente podemos empregar o conceito de fase ao comparar duas ondas em um mesmo intervalo de tempo. Mantendo ainda o exemplo da Figura 4.4, podemos dizer que a onda preta est a 90o atrasada em rela c ao ` a onda azul, isso pois a onda azul tem seu in cio em um instante anterior ` a onda preta. Logo, existe um defasamento entre as ). No caso do sinal duas ondas, o qual pode ser medido em graus (90o ), ou radianos ( 2 senoidal e seus derivados, a fase pode ser incorporada ` a equa c ao que dene o sinal, como e mostrado a seguir: S (t) = Ap sen(t + )
(4.5)
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Eletr onica Geral
Onde: S(t) e o sinal dependente do tempo; Ap e o valor de pico do sinal; = 2f e a frequ encia angular do sinal, medida em radianos/s; f e a frequ encia do sinal em Hertz; eo angulo de fase em radianos; t e o instante de tempo que dene um valor instant aneo do sinal avaliado; Exerc cios Resolvidos 1 - Para o sinal mostrado na gura 4.5 abaixo calcule: a) Valor de pico-a-pico; b) Valor m edio; c) Valor de pico; d) Frequ encia (Hz); e) angulo de fase.
Figura 4.5: Forma de onda do exerc cio E1.1. Resolu c ao: O sinal triangular mostrado na gura 4.5 excursiona entre os valores 0 e 4V, logo, o seu valor de pico-a-pico (diferen ca entre ponto m aximo e m nimo) e de 4V. Para calcular o valor m edio, deve-se calcular a area de um ciclo e dividi-la pelo per odo. Como a forma de onda e triangular, podemos utilizar a area de um tri angulo Base Altura [ ] para calcular o que desejamos. Assim: 2 Sarea = 4 6 103 2 = 12 103 V s. Como o per odo mostrado e de 6ms, o valor m edio do sinal seria:
3 = 12 10 = 2V . S 6 103
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Eletr onica Geral
O valor de pico e a diferen ca entre o ponto de m aximo do sinal (4V) e o seu valor m edio (2V), assim, o valor de pico para o sinal em quest ao seria de: Sp = 4V 2V = 2V .
1 O sinal possui per odo igual a 6ms, como a frequ encia de um sinal ef = T , a frequ encia do sinal ser a de:
f=
1 = 166, 67Hz . 6 103
Note que o primeiro ciclo do sinal ap os a origem do gr aco se inicia no instante t = 2ms, este intervalo de tempo corresponde ` a defasagem do sinal em rela c ao ` a origem. Contudo, como foi pedido o angulo de defasagem, devemos realizar uma regra de tr es para denir a resposta correta. Lembrando que um ciclo completo corresponde a uma volta completa no c rculo trigonom etrico, ou seja, 360o ou 2 radianos, fazemos: 2ms = 6ms 360o 2ms 360o 2 = 360o = = 120o = rad. 6ms 3 3 Resp. a) 4V; b) 2V; c) 2V; d) 166,67Hz; e) 120o ou
2 rad. 3
2 - Para o sinal quadrado mostrado na Figura 4.6, calcule o valor ecaz.
Figura 4.6: Forma de onda do exerc cio E1.2. Resolu c ao: O primeiro passo para resolver esse exerc cio e entender a equa c ao (4.2). O operador
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Eletr onica Geral
integral, ao longo de um intervalo de tempo, calcula a area sob a curva naquele intervalo de tempo. Assim, o c alculo do valor ecaz e feito da seguinte forma: 1. Eleva-se o sinal ao quadrado; 2. Calcula a area sob a curva do sinal quadr atico ao longo de um intervalo de tempo determinado (no caso, em um per odo); 3. Divide-se a area resultante pelo intervalo de tempo; 4. Extrai-se a raiz quadrada do resultado. Seguindo ent ao esses passos, elevamos primeiramente o sinal ao quadrado, encontrando ent ao a forma de onda descrita na Figura 4.7.
Figura 4.7: Forma de onda do exerc cio E1.2 elevada ao quadrado. Uma vez feito isso, podemos calcular a area do sinal em um per odo. Sarea = 9 1 103 = 9 103 . O valor m edio desse sinal resultante e calculado ao dividir-se a area do sinal em um per odo e o intervalo de tempo que constitui esse per odo: Sm = Sarea T = 9 103 = 9V . 1 103
Para nalizar o c alculo do valor ecaz, extra mos a raiz quadrada do valor m edio encontrado: SRM S = 9 = 3V .
Resp.: 3V.
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Eletr onica Geral
4.2
Circuitos com entrada c.a.
Muitas vezes, um circuito a diodos e alimentado por um sinal alternado. Para se realizar a an alise do sistema, deve-se vericar o comportamento para diversas possibilidades de funcionamento, ou seja, deve-se procurar por pontos de opera c ao do circuito. Como exemplo, tome o circuito a diodos da Figura 4.9.
Figura 4.8: Circuito a diodos com entrada alternada. Neste circuito existem duas condi c oes de opera c ao: Quando a tens ao de entrada e positiva; Quando a tens ao de entrada e negativa. Quando a tens ao vi e positiva, note que o diodo estar a diretamente polarizado, de modo que o circuito se torna:
Figura 4.9: Circuito a diodos com tens ao de entrada positiva. Neste caso, pode-se escrever que: 10V = 0, 7V + (2, 2k + 1, 2k ) ID De modo que a corrente na malha se torne: ID = A tens ao de sa da ser a ent ao:
(4.6)
10V 0, 7V = 2, 73mA 2, 2k + 1, 2k
(4.7)
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Eletr onica Geral
Vo = 1, 2k ID = 3, 28V
(4.8)
No segundo caso, quando a tens ao se tornar negativa, o diodo estar a reversamente polarizado. Isso faz com que ele bloqueie a circula c ao de corrente, como ilustra a Figura 4.10.
Figura 4.10: Circuito a diodos com tens ao de entrada negativa. Neste caso, como n ao h a circula c ao de corrente, a tens ao Vo = 0V . Com essas informa c oes, pode-se esbo car a forma de onda de tens ao na sa da, levando em considera c ao as an alises feitas. A Figura 4.11 apresenta as formas de onda de tens ao na entrada e na sa da do circuito.
Figura 4.11: Formas de onda de tens ao na entrada e na sa da do circuito com entrada c.a.. Nota-se que a an alise de circuitos com entrada c.a. pode se tornar bastante complexa, dependendo da montagem e da forma de onda do sinal alternado. Para simplicar o estudo dessas montagens, podemos determinar circuitos b asicos a diodos, os quais podem ser encontrados em diversas aplica c oes. Nesta apostila abordaremos dois desses circuitos, os reticadores (como o exemplo dado acima) e os limitadores (ceifadores). Outros circuitos b asicos, como os dobradores de tens ao e grampeadores, podem ser encontrados nas refer encias desta apostila.
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Eletr onica Geral
4.2.1
Limitadores de tens ao
Os circuitos limitadores, tamb em denominados ceifadores, s ao projetados para limitar o n vel de tens ao em sua sa da. A aplica c ao principal dessa montagem e proteger outros circuitos de sobre-tens oes provocadas por falhas nos circuitos, curto-circuito, ou ru dos induzidos, no entanto, existem aplica c oes onde o ceifamento e feito propositalmente, como no caso de distorcedores de audio e geradores de forma de onda. A montagem b asica de um limitador e apresentada na Figura 4.12.
Figura 4.12: Circuito b asico de um limitador de tens ao. Observe que os diodos s ao conectados entre a sa da do circuito e duas tens oes cont nuas, uma positiva (+VCC ) e outra negativa (VEE ). Esses diodos apenas conduzir ao em duas condi c oes: Tens ao de sa da igual a +VCC + 0, 7V ; Tens ao de sa da igual a VEE 0, 7V . Em qualquer outra situa c ao os diodos se encontrar ao em corte. Como a tens ao de entrada e conectada ` a sa da por meio de um resistor, e este apenas perceber a corrente quando os diodos estiverem em condu c ao, quando os diodos estiverem em corte a tens ao de sa da ser a sempre igual ` a tens ao de entrada. Com isso se percebe a nalidade do circuito: Enquanto a tens ao de entrada estiver entre os limites comentados acima, ela passar a pelo circuito limitador sem altera c ao. Quando a tens ao de entrada extrapolar os limites, ela ser a limitada pelos diodos. Como exemplo, tome a seguinte condi c ao: VCC = 15V , VEE = 10V . Assumiremos uma tens ao de entrada triangular (poderia ser qualquer forma) com valor de pico igual a 5V. A Figura 4.13 apresenta a forma de onda da tens ao de entrada e os limites de condu c ao dos diodos. Note que como a tens ao de entrada e inferior aos patamares de satura c ao (limites de tens ao na sa da do circuito) os diodos n ao entrar ao em condu c ao e portanto, a tens ao de sa da ser a igual ` a tens ao de entrada. Caso o n vel da tens ao de entra seja elevada a 12V, ter-se- a as formas de onda mostradas na Figura 4.14. Neste segundo caso, a tens ao de entrada supera o limite
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Eletr onica Geral
Figura 4.13: Forma de onda de entrada e limites de satura c ao.
inferior de satura c ao. Assim, o diodo inferior ir a conduzir e limitar a tens ao de sa da, durante o intervalo em que a tens ao e inferior a -10,7V, ` a tens ao de satura c ao. Com isso, nota-se que h a uma deforma c ao na forma de onda da tens ao de sa da, a qual e ceifada em seu pico inferior. Caso a tens ao de entrada se eleve ainda mais, ocorrer a o ceifamento no pico superior tamb em.
Figura 4.14: Forma de onda de entrada e limites de satura c ao - segundo caso.
O mesmo efeito pode ser obtido com um circuito a zeners, como o apresentado na Figura 4.15. Os limites de satura c ao seriam determinados pelas tens oes de avalanche dos dispositivos. Neste exemplo, os limites de satura c ao seriam (VZ + 0, 7V ). OBS: Pode-se variar os valores dos limites de satura c ao, ou se retirar diodos, de modo a se ter apenas um limite de satura c ao. No entanto, o efeito de limita c ao sempre ocorrer a quando houver algum dispositivo que impe ca a eleva c ao do n vel de tens ao acima de um valor pr e-determinado.
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Eletr onica Geral
Figura 4.15: Circuito limitador a zeners.
4.2.2
Reticador B asico
Os circuitos reticadores s ao utilizados em uma larga gama de aplica c oes: conversores CA/CC, fontes de alimenta c ao, detectores de valor de pico, geradores de forma de onda, etc. Na se c ao seguinte iremos vericar o funcionamento de reticadores aplicados a fontes de alimenta c ao monof asicas. O objetivo principal de um reticador e eliminar alguma parcela do sinal de entrada, de modo que a sa da exiba um n vel m edio diferente de zero. O circuito b asico de um reticador e apresentado na Figura 4.16.
Figura 4.16: Circuito b asico de um reticador. Note que s o existir a tens ao na sa da se o diodo conduzir e essa condi c ao apenas ser a satisfeita se a tens ao de entrada for positiva e superior ` a tens ao de limiar do diodo, ou seja, Vi 0, 7V . Com essa observa c ao, podemos esbo car a forma de onda de entrada e sa da do circuito, consideraremos para tal uma tens ao de entrada triangular de valor de pico 10V, como mostra a Figura 4.17.
Figura 4.17: Formas de onda de um reticador b asico. Observe que o diodo deixar a passar para a sa da apenas a parcela de tens ao que e
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Eletr onica Geral
superior ` a sua tens ao de limiar, assim o valor de pico da tens ao de sa da e de Vimax 0, 7V , como no nosso exemplo a tens ao de pico de entrada e de 10V, a tens ao de pico da sa da ser a de 9,3V.
4.3
4.3.1
Reticadores para fontes de alimenta c ao

Reticador de Meia-Onda
O circuito b asico de um reticador monof asico de meia-onda e mostrado na Figura 4.18.
Figura 4.18: Congura c ao b asica de um reticador de meia-onda. Onde: Vi e a tens ao senoidal de entrada. Vi = Vm sen(2f t); VO e a tens ao de sa da; VD e a tens ao sobre o diodo do reticador; ID e a corrente que circula pelo diodo e a carga; R e a carga do circuito. Observa-se que o circuito de um reticador de meia-onda se assemelha ao circuito apresentado na Figura 3.1. Naquele circuito mostramos que o diodo estaria em condu c ao sempre que a tens ao da fonte fosse superior ` a tens ao de limiar do diodo (0,7V para o sil cio). Para o circuito em c.a., essa condi c ao se mant em, no entanto, como a tens ao de entrada varia com o tempo, haver a regi oes de condu c ao e de bloqueio do diodo. Essas regi oes est ao sintetizadas na Figura 4.19.
Figura 4.19: Regi oes de opera c ao do diodo em um reticador de meia onda. Pela lei de kirchho das tens oes, temos que a equa c ao da malha ser a:
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Eletr onica Geral
Vi VD R ID = 0
(4.9)
Considerando as regi oes de opera c ao mostradas na Figura 4.19, podemos calcular os valores das grandezas el etricas do circuito: Vi 0, 7V VD = 0, 7V ID = Vi R VO = Vi 0, 7V VD = Vi ID = 0A VO = 0V
(4.10)
Vi < 0, 7V
A partir das equa c oes acima, podemos tra car as formas de onda das tens oes no circuito do reticador de meia-onda. Estas formas de onda s ao apresentadas na Figura 4.20.
Figura 4.20: Formas de onda de um circuito reticador de meia-onda durante um per odo
do sinal de entrada.
A tens ao de pico reversa (ou TPI - Tens ao de pico inversa) e o valor m aximo negativo atingido pela tens ao sobre o diodo do reticador. Ao se escolher um diodo reticador e importante observar se a tens ao de ruptura, ou avalanche, desse diodo e superior ` a TPI do circuito. Observando as formas de onda apresentadas na gura podemos identicar duas regi oes de opera c ao no circuito reticador de meia-onda:
60
Eletr onica Geral
Semi-ciclo positivo do sinal de entrada - Enquanto a tens ao de entrada e inferior ` a tens ao limiar do diodo, n ao h a condu c ao. Quando a tens ao de entrada e superior ` a tens ao limiar, o diodo entra em condu c ao, ent ao a tens ao na sa da se iguala ` a tens ao de entrada subtraindo a queda de tens ao no diodo (VO = Vi 0, 7V ) Semi-ciclo negativo do sinal de entrada - Nesse intervalo a tens ao de entrada e inferior a 0V, logo, o diodo se encontrar a bloqueado. A tens ao na sa da e nula e a tens ao sobre o diodo e igual ` a tens ao de entrada. Observando novamente a gura, vericamos que o reticador bloqueou a tens ao negativa do sinal de entrada, deixando que a carga recebesse apenas a parcela positiva desse sinal. Desta forma, o reticador faz com que um valor m edio seja percebido pela carga. Isto signica que o sinal de sa da VO possui uma parcela alternada e uma parcela cont nua, enquanto que o sinal de entrada e puramente alternado (valor m edio nulo). Por esse motivo o reticador tamb em e conhecido como conversor CA/CC. Essa fun c ao de convers ao CA/CC e muito importante em sistemas eletr onicos, uma vez que a energia el etrica gerada e distribu da no mundo ainda se apresenta no formato alternado e as fontes de alimenta c ao da grande maioria do equipamentos eletr onicos devem estar na forma cont nua. Assim sendo, conhecer o valor do n vel c.c. aplicado ` a carga em sistemas reticadores e muito importante. Esse valor pode ser encontrado ao se calcular o valor m edio do sinal de sa da. A resolu c ao do valor m edio para a forma de onda em quest ao n ao est a no escopo deste texto, de modo que apenas o resultado ser a apresentado. Considerando uma tens ao senoidal, o valor m edio visto pela carga em um reticador de meia-onda ser a: VO = Vm 0, 7V = 0, 318(Vm 0, 7V ) (4.11)
A Figura 4.21 ilustra a representa c ao do valor m edio em rela c ao ao sinal de sa da do reticador.
Figura 4.21: Forma de onda do sinal de sa da do reticador de meia-onda e representa c ao

do valor m edio.
Essa tens ao cont nua ir a provocar sobre a carga uma corrente tamb em cont nua, o seu valor pode ser encontrado ao dividirmos (4.15) pelo valor da resist encia de carga:
61
Eletr onica Geral
0, 318(Vm 0, 7V ) (4.12) R Considerando que a parcela cont nua do sinal de sa da e o termo de maior interesse em fontes de alimenta c ao, a parcela alternada se torna algo indesejado. Neste caso tratamos a parcela alternada pelo nome de ripple1 . No caso apresentado, o valor de pico-a-pico do ripple e: ID = VO = Vm 0, 7V Reticador com transformador Ao tratarmos de fontes de alimenta c ao, a tens ao de entrada se torna a tens ao el etrica fornecida pelas concession arias de energia na rede de distribui c ao. Nas resid encias brasileiras essa tens ao se apresenta nas magnitudes 127Vrms / 220Vrms e com frequ encia de 60Hz. Nota-se portanto que n ao poder amos, com o circuito reticador apresentado acima, produzir uma tens ao c.c. qualquer, uma vez que esta dependeria do valor de pico do sinal de rede, o qual e xo. Para resolver esse problema utilizamos um componente eletromagn etico chamado de transformador. O transformador e composto por duas bobinas 2 dispostas em um mesmo n ucleo ferromagn etico , como ilustra a Figura 4.22. (4.13)
Figura 4.22: S mbolo de um transformador ideal. Os pontos presentes sobre as bobinas do prim ario e do secund ario indicam a polaridade de cada bobina. O termos NP e NS signicam o n umero de espiras (voltas) do prim ario e do secund ario, respectivamente. A rela c ao entre as tens oes e as correntes nas duas bobinas e mostrada a seguir: VP IS NP = = NS VS IP (4.14)
Ou seja, dependendo da rela c ao entre as espiras do prim ario e do secund ario, podemos elevar ou abaixar o valor da tens ao na sa da do transformador e assim alterar o valor
Ripple e um termo ingl es que signica oscila c ao. Logo, ao tratarmos a parcela alternada de um sinal como ripple estamos dizendo que ela e uma oscila c ao que existe entorno de uma parcela cont nua. 2 Transformadores de baixa frequ encia utilizam n ucleo de a co-sil cio, j a transformadores de altafrequ encia utilizam n ucleo cer amicos como o ferrite e o permalloy.
1
62
Eletr onica Geral
da tens ao reticada. Um reticador de meia-onda com transformador e apresentado na Figura 4.23.
Figura 4.23: Reticador de meia-onda com transformador. Neste circuito a tens ao da rede (VRede ) e aplicada ao prim ario e a tens ao Vi (entrada do reticador) e a tens ao do secund ario. A an alise feita anteriormente e a mesma, a u nica modica c ao est a relacionada com o valor de pico da tens ao de entrada do reticador que agora e: Vi = VRede NS NP (4.15)
Exemplo: Se VRede e a tens ao de rede (127Vrms = 180Vpico ) e utilizamos um transP = 10, formador de 100 espiras no prim ario e 10 espiras no secund ario, de modo que N NS qual o valor de pico do sinal de entrada do reticador de meia-onda e quais s ao os seus valores caracter sticos: Valor de Vi Vi = 180V 10 = 18Vpico ; Valor de V O V O = 0, 318 (18 0, 7) = 5, 51V ; Valor de VO VO = 18 0, 7 = 17, 3V ; Valor de TPI TPI = 18V.
4.3.2
Reticador de Onda Completa
O circuito reticador de meia-onda n ao utiliza a energia contida no semi-ciclo negativo do sinal de entrada. Para se aproveitar essa parcela de energia utilizamos uma congura c ao de onda-completa, onde reticamos os dois semi-ciclos. Existem duas topologias de reticador de onda-completa: a topologia em ponte e a topologia com tap-central. 4.3.2.1 Reticador em Ponte
A Figura 4.24 mostra o diagrama b asico de um reticador em ponte.

63
Eletr onica Geral
Figura 4.24: Reticador de onda-completa em ponte com transformador. Este circuito possui duas etapas de funcionamento: uma durante o semi-ciclo positivo do sinal de entrada, e outra durante o semi-ciclo negativo. Em cada situa c ao uma dupla de diodos est a em condu c ao. A Figura 4.25 ilustra as duas etapas de funcionamento, explicitando quais diodos encontram-se em condu c ao em cada uma delas e as polaridades das tens oes e correntes no circuito.
Figura 4.25: Etapas de funcionamento de um reticador de onda completa em ponte. Observa-se que em ambas as etapas a corrente na carga (IR ) e sempre positiva, logo, existir a tamb em uma tens ao positiva sobre a carga. As formas de onda de tens ao envolvidas no circuito s ao mostradas na Figura 4.26. Nota-se a presen ca de um segundo l obulo na tens ao de sa da do circuito, esse segundo l obulo praticamente dobra o valor da tens ao cont nua sobre a carga. Constata-se tamb em que, como existem dois diodos no caminho da corrente, a queda de tens ao total que incide sobre a tens ao de entrada e de 1,4V, ou seja, VO = |Vm 1, 4V |. A TPI tamb em e levemente menor do que a observada no reticador de meia-onda. O valor m edio resultante e: VO = A corrente na carga e: I R = 0, 637 A corrente m edia em cada diodo e: I D1 = 0, 318
2 (Vm 1, 4V ) = 0, 637(Vm 1, 4V ) Vm 1, 4V R
(4.16)
(4.17)
Vm 1, 4V IR = R 2 64
(4.18)
Eletr onica Geral
Figura 4.26: Formas de onda de tens ao em um reticador de onda completa em ponte Nota-se que a corrente no diodo e inferior ` a corrente na carga, isso porque cada diodo conduz apenas meio ciclo da corrente. A Figura 4.27 ilustra as formas de onda das correntes na carga, nos diodos D1 e D2 e a corrente fornecida pela rede (IS ). OBS: em um reticador de meia-onda todas essas correntes s ao iguais.
Figura 4.27: Formas de onda de corrente em um reticador de onda completa em ponte

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Eletr onica Geral
4.3.2.2
Reticador com Tap-central
Figura 4.28: Reticador onda-completa com tap-central A Figura 4.28 mostra o diagrama de um reticador onda completa com tap-central. Esse reticador usa obrigatoriamente um transformador com dois enrolamentos secund arios. A tens ao em cada enrolamento e a metade da tens ao total do secund ario. Assim como o reticador em ponte, este circuito tamb em possui duas etapas de opera c ao, ilustradas na Figura 4.29.
Figura 4.29: Etapas de funcionamento de um reticador onda-completa com tap-central Nota-se que o reticador de onda completa com tap-central se equivale a dois reticadores de meia-onda operando de forma complementar, ou seja, em cada semi-ciclo um reticador de meia-onda ir a atuar. As formas de onda obtidas com esse circuito s ao muito semelhantes ` as vericadas no reticador de onda completa em ponte, no entanto, a magnitude das tens oes sobre alguma varia c ao. Note que para uma mesma rela c ao de espiras, o reticador com tap central apresenta uma tens ao cont nua menor na sa da. Logo, para que ambas as topologias apresentem o mesmo valor de tens ao na sa da, e necess ario que a rela c ao de espiras do transformador com tap-central seja o dobro da de um reticador em ponte. Nesta situa c ao a TPI sobre os diodos de um reticador com tap-central ser a o dobro da TPI de um reticador em ponte!
4.4
Reticadores com ltro capacitivo
Como vimos nas discuss oes da se c ao anterior, os reticadores tem como intuito fazer a convers ao CA/CC. No entanto, para um reticador monof asico, mesmo com uma topologia
66
Eletr onica Geral
onda-completa, o maior valor m edio a ser obtido e 63% do valor de pico de um sinal senoidal. Para melhorar essa convers ao costuma-se acrescentar ao circuito reticador um componente armazenador de energia, como um capacitor. A inser c ao do capacitor modica o comportamento do circuito, de modo a manter a tens ao de sa da em um patamar mais elevado. As se c oes seguintes ser ao dedicadas ao estudo de reticadores com ltro capacitivo.
4.4.1
Reticador de meia-onda
Figura 4.30: Reticador meia-onda com ltro capacitivo Ao se inserir um capacitor a um circuito reticador, estamos impedindo que a tens ao decaia rapidamente, logo a varia c ao da tens ao de sa da ser a menor do que em um reticador puro. A forma de onda da tens ao de sa da de um reticador de meia-onda com ltro capacitivo e mostrada na Figura 4.31.
Figura 4.31: Forma de onda da tens ao de sa da de um reticador de meia-onda com ltro

capacitivo
Observa-se que h a uma redu c ao do ripple de tens ao e uma consequente eleva c ao do valor m edio do sinal de sa da. Para podermos realizar a an alise do sistema, considere o seguinte: VM ax = Vm 0, 7V
(4.19)
67
Eletr onica Geral
VM in = VM ax VO VM ax + VM in VO = Vm 0, 7V 2 2
(4.20)
VO =
(4.21)
Observe que a tens ao cont nua na sa da do reticador depende agora do valor do ripple. Para calcular o ripple sobre a tens ao de sa da iremos avaliar a carga l quida transferida da fonte para o capacitor durante um ciclo da tens ao de rede. Sabendo que, para um capacitor; Qc = C Vc (4.22)
Podemos, ent ao, considerar que a carga mantida pelo capacitor no ponto de m nima tens ao e: QM in = CVM in J a a carga no ponto de m axima tens ao ser a: QM ax = CVM ax Assim: Qc = C (VM ax VM in ) = C VO (4.25) (4.24) (4.23)
Dividindo ambos os termos da equa c ao pelo per odo do sinal de rede encontraremos a equa c ao que dene o valor m edio da corrente de carga: Qc C VO = T T I R = C VO fRede Assim, podemos explicitar a equa c ao que dene o ripple de tens ao: VO = IR CfRede (4.28) (4.26)
(4.27)
0,7V O Onde: I R = VR Vm . R Nota-se que para se obter um ripple muito baixo, e necess ario que a capacit ancia utilizada seja muito alta.
68
Eletr onica Geral
Exemplo: Calcule o valor do capacitor para se obter um ripple de 5% para um reticador que trabalhe com uma tens ao de entrada de 25Vrms e alimente uma carga de 10. A tens ao de oide de entrada do reticador ser a: pico da sen Vm = 25V 2 = 35, 35V ; Assim, a tens ao m axima sobre a carga ser a: VM ax = Vm 0, 7V = 35, 35 0, 7 = 34, 65 Sabemos que a tens ao m axima na carga de um reticador com ltro se relaciona com a tens ao m edia pela seguinte express ao: VO VM ax = V O + = (1 + 0, 025)VO ; 2 Logo: VM ax VO = = 33, 8V 1, 025 VO = 0, 05 V O = 1, 69V VO 33, 8V = = 3, 38A; R 10 IR 3, 386A C= = = 33.333, 33F . VO f 1, 69V 60Hz IR = N ao existe um capacitor comercial de 33.000 F , logo seria necess ario utilizar um conjunto de v arios capacitores em paralelo, chamado de banco capacitivo. Para avaliarmos as formas de onda de tens ao no diodo reticador e a corrente na fonte e no diodo, utilizaremos um ambiente de simula c ao, uma vez que deni c ao anal tica destas formas de onda s ao muito trabalhosas. Na Figura 4.32 vemos a forma de onda de tens ao na carga e no diodo.
Figura 4.32: Formas de onda de tens ao na carga e no diodo reticador Note que o diodo apenas conduz durante um pequeno intervalo de tempo, na realidade
69
Eletr onica Geral
ele conduz apenas durante o tempo em que o capacitor de ltro est a sendo carregado. No restante do tempo, o diodo est a bloqueando a tens ao da rede. Na simula c ao, utilizamos uma tens ao de entrada de 30V de pico, observe que a TPI no diodo e aproximadamente 60V (se o ripple for muito pequeno ela ser a exatamente 60V). Assim, para ns de simplica c ao, diremos que a TPI de um reticador de meia-onda com ltro capacitivo e o dobro de Vm . As formas de onda de corrente na fonte e no diodo s ao apresentadas na Figura 4.33.
Figura 4.33: Formas de onda de corrente na fonte e no diodo reticador Para o reticador de meia onda, as formas de onda de corrente no diodo e na fonte s ao exatamente iguais. Observa-se que a corrente que passa pelo o diodo possui um car ater pulsante. Isso ocorre porque o intervalo de condu c ao do diodo e muito pequeno, o que faz com que a fonte tenha que entregar uma grande quantidade de carga ao capacitor durante um intervalo muito curto de tempo, dando origem a esses pulsos. A an alise desses pulsos est a fora do escopo desse texto, mas pode ser encontrada nas refer encias da apostila. Por agora basta saber que: O valor m edio da corrente no diodo e igual ao valor m edio da corrente na carga; O valor de pico dos pulsos repetitivos (Ipr ) e: Ipr 2f C VO ( ) VO arccos 1 Vm 0,7V
(4.29)
4.4.2
Reticador onda completa em ponte
O funcionamento do reticador onda-completa com o ltro capacitivo e semelhante ao descrito na se c ao anterior. Contudo, como o reticador onda completa possui dois l obulos durante um per odo do sinal de rede, o ripple de tens ao para este reticador ser a menor. Para ns de c alculo do valor do ripple, consideramos que um reticador de onda completa dobraa frequ encia do sinal visto pelo capacitor, assim:
70
Eletr onica Geral
Figura 4.34: Reticador onda completa em ponte com ltro capacitivo.
VO =
IR 2fRede C
(4.30)
A nova congura c ao tamb em afeta as formas de onda do circuito. A Figura 4.35 mostra as formas de onda de tens ao no circuito (carga e diodo). Observamos que, para as mesmas condi c oes utilizadas na se c ao anterior, a TPI e a metade da encontrada para um reticador de meia-onda. As formas de onda de corrente s ao mostradas na Figura 4.36. Notamos tamb em que o valor de pico dos pulsos de corrente diminu ram, al em disso o valor m edio da corrente nos diodos ser a igual ` a metade da corrente m edia na carga.
Figura 4.35: Formas de onda de tens ao no reticador de onda completa com ltro capacitivo.
4.5
Reguladores de Tens ao
As fontes de alimenta c ao c.c., cujo est agio principal e constitu do pelos reticadores descritos nas se c oes anteriores, s ao projetadas para fornecerem uma tens ao c.c. constante
71
Eletr onica Geral
Figura 4.36: Formas de onda de corrente no reticador de onda completa com ltro capacitivo.
em sua sa da independentemente das varia c oes de fatores externos, como por exemplo a tens ao da linha (rede el etrica) ou a carga. Em circuitos reais, por em, o valor m edio da tens ao na sa da de uma fonte de alimenta c ao ir a se alterar perante algumas perturba c oes. Pode-se comparar a qualidade de uma determinada fonte de alimenta c ao em rela c ao a outra por meio de guras de m erito, como a regula c ao de linha e a regula c ao de carga, as quais medem a sensibilidade de uma fonte ` a perturba c oes de linha e de carga respectivamente. A deni c ao dessas guras de m erito e dada abaixo: Regula c ao de Linha VO VO1 VO2 = Vi Vi1 Vi2 VO VO1 VO2 = IO IO1 IO2
Regula c ao de Carga
Como exemplo, considere uma fonte de alimenta c ao constitu da apenas por um reticador de onda-completa em ponte com ltro capacitivo na sa da. Sabemos que a tens ao de sa da da fonte e dada por: V O = (Vm 1, 4V ) VO 2 (4.31)
Onde: Vm e a tens ao de pico do sinal de entrada do reticador; . 2frede C Iremos agora calcular as regula c oes de linha e carga para esta fonte. Para calcular a regula c ao de linha, devemos nos lembrar que qualquer varia c ao na tens ao de entrada do circuito ir a afetar o valor de pico do sinal de entrada (Vm ). Assim sendo, consideremos duas situa c oes Vm1 e Vm2 : VO e o ripple de tens ao sobre a sa da da fonte, sendo que: VO =
IR
72
Eletr onica Geral
VO1 = (Vm1 1, 4V ) VO2
VO 2 VO = (Vm2 1, 4V ) 2
(4.32) (4.33)
Assim, a regula c ao de linha se torna: VO VO1 VO2 Vm1 1, 4 0, 5VO Vm2 + 1, 4 + 0, 5VO = = Vm Vm1 Vm2 Vm1 Vm2 Logo: (4.34)
VO Vm1 Vm2 = = 100% (4.35) Vm Vm1 Vm2 Isso signica que qualquer perturba c ao na linha ir a afetar a tens ao de sa da da fonte, sem no entanto sofrer nenhum tipo de atenua c ao. Desta forma, podemos dizer que a fonte de alimenta c ao em quest ao n ao possui regula c ao de linha. Para avaliar a regula c ao de carga, seguiremos o mesmo m etodo. Considere duas situa c oes: IR1 e IR2 . VO1 = (Vm 1, 4V ) 0, 5 VO2 IR1 2frede C IR2 = (Vm 1, 4V ) 0, 5 2frede C
(4.36) (4.37)
Assim a regula c ao de carga ser a:

R2 R1 Vm + 1, 4 + 0, 5 2fI Vm 1, 4 0, 5 2fI VO VO 1 VO 2 rede C rede C = = IR IR1 IR2 IR1 IR2
(4.38)
Desta forma:
1 IR2 I4R 1 VO frede C = = IR IR1 IR2 4frede C
(4.39)
Nota-se que a fonte avaliada possui alguma regula c ao de carga, no entanto essa regula c ao depende da frequ encia da rede el etrica e da capacit ancia utilizada no circuito. Como exemplo, se considerarmos a frequ encia de 60Hz e uma capacit ancia de 15.000F, encontrar amos uma regula c ao de carga de -27,8%, o que ainda representa uma regula c ao muito fraca, mesmo com o emprego de uma capacit ancia de ltro elevada. OBS: O sinal negativo vericado na regula c ao de carga da fonte signica apenas que um aumento da corrente de carga ir a provocar uma diminui c ao na tens ao de sa da da fonte.
73
Eletr onica Geral
Para se conseguir melhorar a regula c ao de linha e de carga de uma fonte de alimenta c ao, comumente insere-se ap os o est agio reticador um circuito regulador de tens ao. Os circuitos reguladores podem ser implementados de diversas formas, sendo que, para circuitos lineares, as mais comuns s ao com reguladores a diodo zener e reguladores com circuitos integrados dedicados (ex: LM7805, LM7812, LM7915, etc.). A seguir discutiremos sobre os reguladores a zener.
4.5.1
O Regulador Zener
O diodo zener e um diodo constru do de modo a trabalhar na regi ao de zener, onde a varia c ao da tens ao terminal do diodo com a corrente e muito pequena. Esse atributo do diodo zener e utilizado para se construir circuitos reguladores, como aquele mostrado na Figura 4.37.
Figura 4.37: Circuito regulador associado ` a sa da de uma fonte de alimenta c ao. Se polarizarmos o diodo zener corretamente, ele ir a amortecer as perturba c oes vericadas na tens ao de sa da do reticador, diminuindo o ripple de tens ao e tamb em melhorando os fatores de regula c ao. Para a an alise do circuito regulador, consideraremos: IZ - Corrente drenada da sa da do reticador com ltro, que passa pelo resistor RZ ; IDZ - Corrente no diodo zener; IR - Corrente na carga (R); VZo - Tens ao nominal do diodo zener; VC - Tens ao na sa da do circuito reticador com ltro. A an alise do circuito regulador se inicia pela substitui c ao do diodo zener pelo seu modelo completo (discutido no Cap tulo 2). Deste modo, temos o circuito da Figura 4.38. Realizando uma an alise por meio da lei de kirchho, encontramos as seguintes rela c oes: VO = VC RZ IZ VO = VZo + rZ IDZ
(4.40) (4.41)
74
Eletr onica Geral
Figura 4.38: Circuito regulador zener.
IDZ = IZ IR
(4.42)
Manipulando as equa c oes acima, podemos encontrar uma express ao para a tens ao de sa da do regulador que seja fun c ao de todas as vari aveis do circuito: VO = VC rZ RZ rZ RZ + VZo IR RZ + r Z RZ + r Z RZ + r Z (4.43)
Por meio dessa equa c ao podemos calcular a regula c ao de linha e de carga do circuito, seguindo para isso o mesmo m etodo descrito anteriormente: Regula c ao de Linha Regula c ao de Carga VO rz = ; VC RZ + r Z VO RZ r Z = . IR RZ + r Z
Observa-se que as guras de m erito da fonte, em rela c ao ` a sua regula c ao, s ao dependentes basicamente de dois fatores: a resist encia s erie intr nseca do diodo zener e a resist encia RZ , denida pelo projetista. Percebe-se assim que a qualidade da fonte de alimenta c ao e denida por um projeto adequado do circuito regulador e pela escolha dos componentes a serem empregados. importante frisar que as guras de m E erito descritas acima apenas ser ao garantidas se, para todas as condi c oes de funcionamento do circuito, o diodo zener se encontrar polarizado na regi ao de zener, caso contr ario, ele se tornar a um circuito aberto e a fun c ao de regula c ao deixar a de existir. Projeto de um regulador zener O projeto de um regulador zener passa pela deni c ao da tens ao nominal do diodo e pelo c alculo do resistor RZ . Esse resistor ir a limitar a corrente na carga e garantir um n vel de corrente m nimo para fazer o zener operar na regi ao de zener. Podemos explicitar a equa c ao que dene o resistor limitador:
75
Eletr onica Geral
VC VZo IDZ + rZ (4.44) IDZ + IR IDZ + IR Observando os datasheets de diodos zener, vericamos que o fabricante garante a tens ao nominal do diodo zener para uma faixa de valores. Normalmente, escolhemos o valor da corrente no diodo zener (IDZ ) como o ponto central dessa faixa. Assim, temos que garantir que no instante em que a carga estiver drenando a maior corrente, uma corrente IDZ deve passar pelo diodo zener. Para isso, calculamos o valor do resistor limitador (RZ ), de modo que a corrente que passa por ele seja igual a IZ = IDZ + IRmax , onde IRmax e a m axima corrente drenada pela carga. Escolhemos para os c alculos o menor valor da tens ao sobre o ltro capacitivo (VM in ), isso pois e neste instante que h a a maior demanda de carga. Assim, o c alculo do resistor limitador ser a: RZ = IDZ VM in VZo + rZ (4.45) IDZ + IRmax IDZ + IRmax Outro par ametro importante no projeto de um regulador zener e a pot encia dissipada pelo diodo. Os fabricantes de diodos projetam os componentes para que eles operem em uma determinada faixa de pot encia (devido a quest oes de dissipa c ao de calor), logo, deve-se estipular qual a pot encia m axima que o zener ir a dissipar ao longo da opera c ao do circuito. A m axima pot encia dissipada pelo diodo zener ocorrer a quando a corrente que por ele passa e m axima. Isso se dar a quando a carga for nula (R ), e a tens ao de entrada for m axima. Neste ponto toda corrente IZ circular a pelo diodo zener. Utilizando as equa c oes acima, vemos que: RZ = VO,P max = VM ax rZ RZ + VZo RZ + r Z RZ + rZ VO,P max VZo rZ (4.46) (4.47) (4.48)
IDZ,P max =
PM ax = VO,P max IDZ,P max
OBS: Quando n ao se tem ideia sobre qual diodo zener ser a utilizado, de modo que a resit encia s erie rZ n ao pode ser denida, o projeto deve ser primeiramente simplicado. Essa simplica c ao e feita considerando rZ = 0, o que faz com que a tens ao terminal do zener seja VZ = VZ 0 . Exemplo num erico: Para um sistema que possua os seguintes par ametros: VM ax = 35V ; VM in = 27V ; IRmax = 500mA;
76
Eletr onica Geral
VZo 15V ; rz = 100m; IDZmin = 100mA. Calcule: RZ ; Pot encia dissipada no resistor RZ ; VO ; R; PM ax ; Regula c ao de linha; Regula c ao de carga. Utilizando as equa c oes acima: VM in VZo IDZ - RZ = + rZ IDZ + IRmax IDZ + IRmax 27 15 100mA RZ = + 100m 100mA + 500mA 100mA + 500mA RZ 20. - PRZ = RZ (IDZmin + IRmax ) = 20 (600mA)2 = 7, 2W . rZ RZ r Z RZ + VZo IR RZ + rZ RZ + rZ RZ + rZ 0, 1 20 2 VO = 27V + 15V 500mA 20, 1 20, 1 20, 1 - VO = VM in VO = 15, 004V 15V ; 15V = = 30. IRmax 500mA [ ] rZ RZ - VO,P max = VM ax + VZo ; RZ + r Z RZ + r Z 0, 1 + 15V 2020, 1 = 15, 09V ; VO,P max = 35V 20, 1 -R= VO
77
Eletr onica Geral
- IDZ,P max =
VO,P max VZo 15, 09V 15V = = 900mA; rZ 0, 1
- PM ax = VO,P max IDZ,P max = 15, 09V 900mA = 13, 58W . 0, 1 rZ = = 0, 00497V /V ; RZ + r z 20, 1 RZ r Z 2 - Regula c ao de carga = = = 0, 0995V /A. RZ + rz 20, 1 - Regula c ao de linha =

1. Para os circuitos abaixo, trace a forma de onda da tens ao de sa da (VO ) e da corrente indicada. [Caso nenhuma corrente esteja expl cita no circuito, trace a corrente no diodo (IAK )]. a)
b)
c)
78
Eletr onica Geral
d)
2. Para o circuito reticador abaixo, fa ca: a) Trace a forma de onda de tens ao na sa da (VO ); b) Dena a TPI e a corrente m edia em cada diodo da ponte; c) Calcule o valor da tens ao m edia na carga; d) Calcule o valor da corrente m edia na carga, para R = 20; e) Calcule a pot encia consumida pela carga.
3. O circuito abaixo apresenta um reticador com transformador isolador. Supondo que se deseja projetar o reticador de modo que a tens ao m edia de sa da (VO ) seja igual a 25V 5% e que a pot encia m axima consumida pela carga seja de 100W, fa ca: a) Esboce a forma de onda de tens ao na carga; b) Calcule qual a rela c ao de espiras (Np:Ns) necess aria para o funcionamento do reticador; c) Calcule o valor da resist encia de carga (R) e a corrente de carga; d) Calcule a corrente m edia em cada diodo da ponte reticadora; e) Dena a TPI em cada diodo da ponte reticadora; f) Calcule o valor da capacit ancia de sa da.
79
Eletr onica Geral
4. O circuito abaixo mostra uma fonte de alimenta c ao com um regulador zener na sa da. Considere os seguintes par ametros: Va e igual ` a tens ao de sa da do exerc cio anterior; C e o valor de capacit ancia encontrado no exerc cio anterior; Vo e a tens ao de sa da do circuito que dever a ser igual a 15V; O consumo de pot encia na sa da do circuito pode variar entre 30W e 100W; A corrente IZmin = 70mA e a resist encia s erie do diodo zener e rZ = 45m.
80
Eletr onica Geral
Cap tulo 5 O Transistor Bipolar de Jun c ao TBJ

O transistor foi desenvolvido em meados dos anos 50 por pesquisadores do Bell Labs nos EUA, como um substituto mais eciente e econ omico ` as v alvulas eletr onicas. Esse componente passou rapidamente a ser empregado nos mais diversos sistemas, de amplicadores de audio a sistemas de processamento digital, tornando-os mais baratos, compactos e ecientes e obviamente, mais acess veis ao grande p ublico. O transistor bipolar de jun c ao (TBJ) e um dispositivo semicondutor constitu do de tr es camadas de semicondutor extr nseco, podendo se apresentar de duas formas: Transistor NPN - Uma camada do tipo P entre duas camadas do tipo N; Transistor PNP - Uma camada do tipo N entre duas camadas do tipo P. A Figura 5.1 mostra esses dois tipos de transistores de forma esquem atica.
Figura 5.1: Camadas de transistores NPN e PNP. Cada camada cristalina de um transistor recebe um nome espec co, relacionado com a sua fun c ao na opera c ao do dispositivo. A camada mais interna e chamada de Base, sendo utilizada para controlar o uxo de el etrons ao longo do dispositivo. As camadas mais externas recebem o nome de Coletor e Emissor, ambas s ao constitu das pelo mesmo semicondutor dopado, no entanto, o emissor possui um n vel de dopagem maior do que o coletor. A Figura 5.2 mostra os s mbolos el etricos de um TBJ npn e outro pnp.
81
Eletr onica Geral
Figura 5.2: S mbolos el etricos de transistores bipolares.
Se observarmos bem a Figura 5.1, notaremos a presen ca de duas jun c oes PN ao longo do transistor. Logo, poder amos interpretar o transistor como dois diodos: um entre emissor e base e outro, entre o coletor e a base. Essa abordagem, no entanto, n ao nos auxilia no estudo do comportamento do transistor, por em nos permite identicar os terminais de um transistor real. Para identicar os terminais de um transistor devemos, com um mult metro, na fun c ao de medi c ao de diodo, tentar localizar as jun c oes PN do transistor. Como o emissor e mais dopado do que o coletor, o diodo emissor-base ter a uma tens ao limiar um pouco maior do que o diodo coletor-base. A Figura 5.3 exemplica essa quest ao, para um transistor npn.
Figura 5.3: Identica c ao de terminais de um transistor npn.
A seguir ser a analisado o funcionamento de um transistor npn, o transistor pnp tem um funcionamento semelhante, no entanto os portadores majorit arios s ao lacunas e n ao el etrons.
5.1
5.1.1
Opera c ao de um transistor NPN

Transistor sem polariza c ao
A partir da uni ao dos tr es cristais de semicondutor dopado, cria-se duas jun c oes PN. A difus ao dos portadores majorit arios em cada cristal gera duas camadas de deple c ao pr oximas aos pontos de jun c ao, assim como ocorre com o diodo de jun c ao. A Figura
82
Eletr onica Geral
5.4 mostra as camadas de deple c ao e explicita os portadores majorit arios em cada regi ao formada.
Figura 5.4: Transistor npn n ao polarizado. Notamos pelo esquema apresentado na gura acima que a regi ao de base de um transistor bipolar e muito estreita e fracamente dopada. A regi ao coletora possui uma menor dopagem do que a regi ao emissora, logo a largura da camada de deple c ao na jun c ao BC e maior do que na jun c ao BE. Observe que, assim como ocorre com os diodos, os ons formados nas bordas das jun c oes PN formam um campo el etrico, cujo efeito e impedir que os portadores majorit arios de cada regi ao atravessem a camada de deple c ao, o que implica em se dizer que existem duas barreiras de potencial, uma em cada jun c ao.
5.1.2
Transistor em corte.
Podemos polarizar ambas as jun c oes PN de modo reverso, como indica a Figura 5.5.
Figura 5.5: Transistor npn com ambas as jun c oes reversamente polarizadas. Nesta situa c ao, as fontes externas est ao injetando portadores minorit arios nas tr es regi oes, o que faz com que as camadas de deple c ao se elevem e impe cam ainda mais o uxo de portadores majorit arios entre os cristais. Com isso, nenhuma corrente pode ser observada entre o coletor e o emissor. Dizemos ent ao que o o transistor est a em corte, funcionando como uma chave aberta.
83
Eletr onica Geral
5.1.3
Transistor em satura c ao
Nesta situa c ao, polarizamos diretamente as duas jun c oes PN, como mostra a Figura 5.6.
Figura 5.6: Transistor npn com ambas as jun c oes diretamente polarizadas. Caso as tens oes VBE e VBC forem superiores ` as tens oes de limiar dos diodos de cada jun c ao, haver a um estreitamento das regi oes de deple c ao, fazendo com que, praticamente, todo el etron emitido pelo emissor atravesse a base e o coletor. O uxo de corrente ir a depender exclusivamente de componentes externos ao transistor, n ao podendo ser controlado por um circuito de base, por isso chamamos essa regi ao de opera c ao do transistor como regi ao de satura c ao. Um transistor saturado se comporta como uma chave fechada, existe por em uma tens ao m nima de satura c ao entre os terminais do emissor e do coletor, chamada de tens ao de satura c ao de coletor-emissor, ou VCESat . VCESat 0, 2V (5.1)
5.1.4
Transistor na regi ao ativa
Al em das regi oes de corte e satura c ao, o transistor tamb em pode operar em uma regi ao chamada de regi ao ativa. Esta regi ao e obtida quando polarizamos diretamente a jun c ao base-emissor e reversamente a jun c ao base-coletor, como mostra a Figura 5.7.
Figura 5.7: Transistor npn polarizado na regi ao ativa.

84
Eletr onica Geral
Nesta condi c ao, se a tens ao VBE 0, 7V , de modo que o diodo de base-emissor esteja diretamente polarizado, el etrons do emissor ir ao ser acelerados com a jun c ao BE com energia suciente para vencer a sua barreira de potencial. Esses el etrons ir ao penetrar na base (uma parcela ir a recombinar com as lacunas da base, as concentra c ao de lacunas perdidas e recomposta por uma corrente IB ), e atravess a-la. Quando os el etrons atingem a jun c ao de base-coletor eles s ao acelerados para o coletor. A fonte VBC ent ao retira o excesso de concentra ca o de el etrons livres do coletor, estabelecendo ent ao uma corrente el etrica entre o emissor e o coletor. Pela lei de Kirchho, podemos deduzir uma rela c ao entre as correntes das tr es regi oes: IE = IC + IB (5.2)
O circuito de base desempenha uma fun c ao muito importante em um transistor polarizado na regi ao ativa: a inje c ao de lacunas na base faz com que a barreira de potencial entre base e emissor diminua, de modo que o uxo de el etrons entre emissor e coletor aumenta. Dessa forma, o circuito de base atua como um controlador da corrente entre emissor e coletor. A f sica de semicondutores nos mostra que existe uma rela c ao entre a magnitude da corrente injetada na base e a magnitude das correntes de coletor e emissor: IC = IB O que implica em dizer que: IE = ( + 1)IB IE = IE ( + 1) (5.4) (5.3)
IC =
(5.5)
O termo e denominado ganho DC do transistor e e um par ametro fornecido por fabricantes. Este par ametro e muito dependente da temperatura! Na regi ao ativa o transistor funciona como uma fonte de corrente controlada por corrente. A Figura 5.8 mostra dois transistores (npn e pnp) polarizados na regi ao ativa. As polaridades de cada fonte externa e o sentido da corrente el etrica s ao explicitados.
Figura 5.8: Transistores bipolares polarizado na regi ao ativa. a) npn. b) pnp.

85
Eletr onica Geral
5.1.5
Modelo de Ebers-Moll
O modelo de ebers-moll e um circuito equivalente para o transistor polarizado na regi ao ativa. Ele representa o transistor como um diodo entre base e emissor e uma fonte de corrente dependente entre coletor e base. A Figura 5.9 mostra o modelo ebers-moll.
Figura 5.9: Modelo de Ebers-Moll de um TBJ npn. O modelo descrito acima e capaz de representar as caracter sticas principais do transistor quando este estiver em corte ou na regi ao ativa. Contudo ele n ao representa o comportamento do transistor na regi ao de satura c ao. Para essa regi ao, utilizaremos o modelo descrito na Figura 5.10.
Figura 5.10: Modelo em satura c ao de um TBJ npn.
5.2
5.2.1
Congura c oes B asicas de um transistor

Congura c ao Base-comum
A congura c ao Base-comum consiste em se ter um ponto comum (de tens ao nula) no terminal da base e aplicar as tens oes VBE e VBC de modo a polarizar o transistor na regi ao ativa. A Figura 5.11 mostra um diagrama de um transistor npn em congura c ao Base-comum. Este tipo de congura c ao possui dois conjuntos de curvas caracter sticas: um referente ` a rela c ao entre as grandezas de entrada (corrente e tens ao no circuito entre base-emissor) e outro referente ` a sa da (corrente e tens ao no circuito de coletor-base). A Figura 5.12
86
Eletr onica Geral
Figura 5.11: Transistor em congura c ao Base-comum. mostra as curvas caracter sticas de entrada, enquanto a Figura 5.13 mostra as curvas de sa da.
Figura 5.12: Curvas caracter sticas em base-comum, circuito de entrada.
Figura 5.13: Curvas caracter sticas em base-comum, circuito de sa da.

87
Eletr onica Geral
Nota-se pelas curvas de entrada que a caracter stica IE VCE n ao se altera signicativamente com a varia c ao da tens ao VCB . Al em disso, a rela c ao de entrada se assemelha muito ` a curva caracter stica de um diodo em polariza c ao direta. Assim sendo, podemos considerar que na regi ao ativa, a tens ao VBE ser a praticamente constante e igual a 0,7V, para qualquer valor de IE e VCB . As curvas de sa da mostram que a corrente de coletor ser a muito pr oxima da corrente de emissor, de modo que para ns de simplica c ao podemos considerar IE IC . Com essa simplica c ao podemos determinar facilmente o ponto quiescente de um circuito em base-comum, por meio, por exemplo, da an alise por reta de carga.
5.2.2
Congura c ao Emissor-comum
A congura c ao emissor-comum e apresentada na Figura 5.14.
Figura 5.14: Congura c ao Emissor-Comum.
As curvas de entrada e de sa da s ao apresentadas nas Figuras 5.15 e 5.16, respectivamente.
Figura 5.15: Curvas caracter sticas em emissor-comum, circuito de entrada.

88
Eletr onica Geral
Figura 5.16: Curvas caracter sticas em emissor-comum, circuito de sa da. Novamente vericamos que a caracter stica de entrada do transistor em emissor-comum se assemelha a um diodo em polariza c ao direta. J a nas curvas de sa da vericamos uma leve inclina c ao da corrente com o aumento de VCE , isso indica a presen ca de um elemento resistivo em paralelo com os terminais emissor-coletor. Esse termo e chamado de resistor de sa da do transistor (rO ) que e um par ametro do fabricante.
5.2.3
Congura c ao Coletor-comum
Au ltima congura c ao b asica de um transistor e a congura c ao coletor-comum, mostrada na Figura 5.17.
Figura 5.17: Congura c ao Coletor-Comum. As curvas caracter sticas de entrada e sa da para o transistor nessa congura c ao s ao as mesmas obtidas para a congura c ao emissor-comum. A diferen ca entre elas e que a congura c ao emissor-comum pode ser utilizada para trabalhar o transistor como uma chave eletr onica, um inversor l ogico, um amplicador de tens ao ou pot encia, entre outras coisas,
89
Eletr onica Geral
j a a congura c ao coletor-comum e utilizada como um buer. Isto porque a tens ao vista pelo resistor de carga ser a aproximadamente a tens ao aplicada na base (ganho unit ario de tens ao), mas o transistor amplica a corrente de base, de forma que o circuito de entrada precisa entregar uma corrente muito pequena para alimentar a carga.
5.3
Limites de Opera c ao
Todo transistor e projetado para funcionar em uma faixa de valores de tens ao, corrente e pot encia. Caso um determinado circuito force o transistor para regi oes fora dessa faixa de valores, o fabricante n ao ir a garantir a sua correta opera c ao, e provavelmente o componente sofrer a algum dado. Os limites de opera c ao de um determinado transistor em congura c ao emissor-comum s ao mostrados na Figura 5.18.
Figura 5.18: Limites de opera c ao de um TBJ em emissor-comum. Podemos identicar alguns desses limites: Corrente constante - Existe um valor de corrente m aximo suportado pelo TBJ. Normalmente no datasheet do componente esse valor e determinado como m axima corrente de coletor (ICmax ). No gr aco exemplo, essa corrente m axima e de 50mA; Tens ao de breakdown - Esse e o m aximo valor de tens ao aplicado entre os terminais de coletor e emissor suportado pelo TBJ. Acima desse valor ocorre o rompimento das liga c oes covalentes dos cristais e a destrui c ao do componente. No exemplo, o VCEmax = 20V ; Regi ao de pot encia constante - O TBJ tamb em suporta dissipar apenas uma certa quantidade de pot encia. Assim deve-se garantir que a pot encia m axima dissipada pelo componente n ao e superior ao valor estipulado pelo fabricante. No gr aco de exemplo, a pot encia m axima e de 300mW.
90
Eletr onica Geral
Existe por em uma margem de seguran ca, representada pela parte mais escura do gr aco. Isto signica que os valores denidos pelo fabricante est ao abaixo dos reais limites de opera c ao do dispositivo, no entanto, por seguran ca, e prudente n ao penetrar na regi ao de seguran ca!
91
Eletr onica Geral
Cap tulo 6 Aplica c ao de Transistores em c.c.

Como discutido no cap tulo anterior, um transistor e um componente muito vers atil, podendo operar como uma chave de estado s olido (regi oes de corte e satura c ao) ou como uma fonte de corrente (regi ao ativa). Essa versatilidade faz do transistor o elemento b asico de sistemas eletr onicos anal ogicos e digitais. Neste cap tulo veremos como utilizar o transistor em circuitos c.c., a aplica c ao em sistemas c.a. ser a feita em disciplinas posteriores.
6.1
Transistor como chave
A aplica c ao de transistores como chaves de estado s olido e muito importante em eletr onica de pot encia e sistemas digitais, uma vez que as chaves transistorizadas s ao os blocos b asicos de uma porta l ogica. As an alises entorno dessa quest ao ser ao feitas considerando o circuito da Figura 6.1.
Figura 6.1: Congura c ao emissor-comum - Transistor como chave. A corrente IB no circuito em quest ao e denida pela tens ao de entrada, de modo que: IB =
Ventrada 0, 7V RB 92
(6.1)
Eletr onica Geral
A tens ao de sa da VO , que no caso e igual a VCE ser a dada por: VO = VC RL IC (6.2)
O transistor operar a como uma chave comandada pela tens ao de entrada se os n veis de corrente impostos na base do transistor zerem o mesmo funcionar apenas nas regi oes de corte e satura c ao. O corte ocorrer a sempre que a corrente de base for nula, a satura c ao, por outro lado, depende das caracter sticas do diodo e do circuito. Para avaliarmos as condi c oes que garantem a opera c ao como chave, observemos a curva caracter stica do transistor em emissor-comum e a reta de carga do circuito, mostrados na Figura 6.2.
Figura 6.2: An alise de reta de carga de um transistor como chave. Pela an alise de reta de carga, vericamos que para o circuito utilizado como exemplo a satura c ao ocorrer a para uma corrente de base de 70A. Se considerarmos que o valor m aximo da tens ao de entrada e de 5V, por exemplo, ter amos que utilizar um RB 62k . A deni c ao das condi c oes nas quais o transistor opera como chave parece, a primeira vista ser muito simples. No entanto, devemos lembrar que as curvas fornecidas pelo fabricante s ao referentes a um determinado , a temperatura ambiente. Como o de transistor pode variar fortemente com a temperatura, n ao e aconselh avel fazer o projeto simplesmente pelos dados de cat alogo. Um erro na magnitude da corrente de base far a com que o transistor entre na regi ao ativa, o que geraria uma maior dissipa c ao de pot encia no transistor, al em de n ao garantir que a resposta desejada para o circuito ocorra. A Figura 6.3 exemplica a quest ao de aumento da energia dissipada pelo transistor quando este n ao entra na satura c ao. Para garantir a satura c ao em um circuito com TBJ, costumamos ent ao adotar uma regra de projeto: Consideramos que todo transistor possui um igual a 10 (valor muito inferior aos valores de ganho DC encontrados no mercado). Esse e chamado de forte. F orte = 10
(6.3)
93
Eletr onica Geral
Figura 6.3: Perdas de chaveamento em um transistor. Assim: IBSat = ICmax F orte (6.4)
6.1.1
Acionamento de rel e
Uma das aplica c oes de transistores como chave e o acionamento de cargas de pot encia, como l ampadas e motores via rel e. O rel e e um elemento eletromec anico composto por uma bobina e um ou mais contatos mec anicos. Ao se passar um determinado n vel de corrente na bobina o contato mec anico e fechado. Esse tipo de opera c ao permite acionar cargas que demandem muita corrente, por meio de um circuito eletr onico simples. O circuito b asico de acionamento de um rel e e mostrado na Figura 6.4.
Figura 6.4: Circuito de acionamento de um rel e. O diodo posto em anti-paralelo com a bobina do rel e se chama diodo de roda-livre. Ele e necess ario para descarregar a energia armazenada na bobina e impedir que ela gere uma sobre tens ao no transistor. A Figura 6.5 mostra as formas de onda envolvidas no circuito de acionamento.
94
Eletr onica Geral
Figura 6.5: Formas de onda de um circuito de acionamento de l ampada a rel e.
OBS: Note na forma de onda apresentado na Figura 6.5 que a a tens ao de sa da do circuito transistorizado (VO ) e inversa ` a tens ao de entrada do circuito (Vi ), ou seja, quando Vi e positiva, VO e nula e vice-versa. Essa caracter stica pode ser utilizada para construir um circuito inversor l ogico.
Exemplo de c alculo O circuito abaixo deve acionar um rel e de 100mA a partir de uma tens ao digital de entrada que varia entre 0 e 5V. O rel e aciona em seu lado c.a. uma l ampada de 60W. Com essas informa c oes, dena: a) O valor do resistor de base que garante o funcionamento do sistema, b) A corrente RMS que o lado c.a. do rel e deve suportar.
Resolu c ao a) O resistor de base RB deve impor uma corrente sucientemente alta para garantir a satura c ao do transistor quando a tens ao de entrada atingir 5V. Para isso, utilizamos a regra do f orte , pois assim a satura c ao e mantida independentemente de varia c oes nas caracter sticas do circuito. Com essa regra, a corrente de base a ser imposta deve ser:
95
Eletr onica Geral
IBsat = RB =
ICsat 100mA = = 10mA 10 10
(6.5) (6.6)
Vi 0, 7V 5 0, 7V = = 430 IBsat 10mA
b) A corrente a ser suportada pelo contato c.a. do rel e dever a ser: IRM S = 60W 60W = = 472, 4mArms VRede 127Vrms (6.7)
6.2
Polariza c ao de circuitos transistorizados
Na regi ao ativa, os transistores normalmente operam como amplicadores de sinais. Para isso e necess ario que o transistor esteja polarizado na regi ao ativa, de prefer encia em um ponto quiescente que permita que toda a excurs ao do sinal de entrada c.a. ocorra tamb em na regi ao ativa. A Figura 6.6 exemplica uma condi c ao onde um sinal alternado e injetado na base de um circuito em emissor-comum. Esse sinal ir a gerar uma onda alternada de corrente, que ao passar pelo circuito de sa da ser a amplicado.
Figura 6.6: Exemplo de amplica c ao de sinal com um transistor polarizado. A amplica c ao de sinais e a an alise de amplicadores transistorizados ser a realizada em uma disciplina posterior. O que nos interessa no momento e estudar como podemos fazer com que um determinado transistor se encontre polarizado em um ponto quiescente desejado. Existem diversos circuitos de polariza c ao de transistores, a seguir apresentaremos alguns dos circuitos mais comuns.
96
Eletr onica Geral
6.2.1
Polariza c ao por fonte de corrente
A forma mais simples de se polarizar um circuito transistorizado e aplicando diretamente pelo transistor uma corrente cont nua, por meio de uma fonte externa. Desta forma podemos denir diretamente o ponto de opera c ao do circuito, sem depender de fatores como o ganho DC e a temperatura. Esse tipo de polariza c ao e mostrado na Figura 6.7.
Figura 6.7: Polariza c ao por fonte de corrente. Neste caso: IC = IS IS A tens ao de sa da ser a: VO = VCC RC IS (6.9) (6.8)
Existem diversos circuitos que podem ser utilizados como fonte de corrente, como os espelhos de corrente. Este tema n ao ser a abordado nesta apostila.
6.2.2
Polariza c ao Fixa
A Figura 6.8 mostra o circuito de polariza c ao xa. Desconsidere os capacitores de bloqueio, eles existem para fazer a conex ao de sinais alternados ao circuito, para as an alises de c.c. basta consider a-los como circuitos abertos. Note que existem dois ramos para a circula c ao de corrente. Um ramo conecta o coletor ` a fonte de alimenta c ao, e o outro conecta a base ` a mesma fonte. Podemos ent ao denir duas equa c oes, uma para cada ramo: VCC RB IB VBE = 0 VCC RC IC VCE = 0
(6.10) (6.11)
97
Eletr onica Geral
Figura 6.8: Polariza c ao Fixa. A deni c ao do ponto quiescente se d a a partir da deni c ao dos resistores de base e coletor, da seguinte forma: IC = IB = VCC VBE RB (6.12) (6.13)
VCE = VCC RC IC
OBS: Lembre que VBE = 0, 7V na regi ao ativa. O grande problema desta topologia e que ela e muito dependente de , logo, o ponto de polariza c ao pode variar fortemente com a temperatura e outros fatores. O que possivelmente iria gerar resultados indesej aveis. Exemplo de c alculo Para o circuito abaixo, calcule as corrente de base, coletor e emissor e as tens oes de base, coletor e emissor. Considere = 100.
Resolu c ao
98
Eletr onica Geral
Para iniciar a resolu c ao do problema e necess ario denir uma regi ao de opera c ao para o transistor. Iremos assumir que o TBJ opera na regi ao ativa. Caso essa considera c ao esteja errada, poderemos vericar a real condi c ao de opera c ao do transistor pelo valor da tens ao entre coletor e emissor. Pela malha de base-emissor, podemos escrever: 15V = 560k IB + 0, 7V Assim a corrente de base pode ser denida como: IB = 15V 0, 7V = 25, 5A 560k (6.15) (6.14)
A corrente de coletor, na regi ao ativa, pode ser determinada como: IC = IB = 100 25, 5A = 2, 55mA A corrente de emissor ser a ent ao: IE = IC + IB = 2, 55mA + 25, 5A = 2, 57mA (6.17) (6.16)
Note que o terminal de emissor est a diretamente conectado ao terra do circuito. Assim, a tens ao do terminal de emissor ser a: V E = 0V (6.18)
Como, por deni c ao, a tens ao de base-emissor em regi ao ativa e de 0,7V, pode-se denir que a tens ao de base e de: VBE = 0, 7V VB VE = 0, 7V VB = 0, 7V VE = 0, 7V A tens ao de coletor ser a de: VC = 15V RC IC = 15V 4, 7k 2, 55mA = 3, 01V (6.21) (6.19)
(6.20)
Por m e necess ario conferir se a considera c ao de regi ao ativa est a correta. Para isso, tem-se que vericar se a tens ao VCE e superior a 0,2V, ou seja, se o transistor n ao est a na satura c ao. A tens ao coletor-emissor e: VCE = VC VE = 3, 01V 0V = 3, 01V Como VCE > 0, 2V , o transistor est a realmente na regi ao ativa.
(6.22)
99
Eletr onica Geral
Figura 6.9: Polariza c ao Fixa com resistor de emissor.
6.2.3
Polariza c ao Fixa com Resistor de Emissor
A polariza c ao xa com resistor de emissor e apresentada na Figura 6.9. Nesta situa c ao os caminhos de corrente pela base e pelo coletor se encontram no resistor de emissor. As equa c oes dos ramos s ao mostradas a seguir: VCC RB IB VBE RE IE = 0 VCC RC IC VCE RE IE = 0 Analisando a malha de base temos que, se IE = ( + 1)IB : VCC RB IB VBE RE ( + 1)IB = 0 Logo, IB = Ent ao: VCC VBE RB + ( + 1)RE VCC VBE RB + RE ( + 1) (6.26) (6.25) (6.23) (6.24)
IC =
(6.27)
Analisando a malha de coletor temos que: VCC RC IC VCE RE (IC ) = 0 Assim: (6.28)
100
Eletr onica Geral
VCE = VCC IC (RC + RE )
(6.29)
OBS: O uso do resistor de emissor torna o circuito mais est avel, ou seja, menos dependente de ! Exemplo de c alculo 1 - Para o circuito abaixo, calcule as correntes e tens oes de base, coletor e emissor. Considere = 120.
Resolu c ao Novamente, partiremos do princ pio que o transistor se encontra na regi ao ativa. Analisando a malha de base-emissor, pode-se escrever: 10V = 470k IB + 0, 7V + 1, 5k IE (6.30)
Na regi ao ativa, podemos relacionar a corrente de emissor e base, da seguinte forma: IE = IC + IB = IB + IB = ( + 1) IB Desta forma, a equa c ao da malha de base-emissor se torna: 10V = 470k IB + 0, 7V + 1, 5k ( + 1)IB Assim, a corrente de base pode ser determinada como: IB =
(6.31)
(6.32)
10V 0, 7V = 14, 3A 470k + (120 + 1) 1, 5k 101
(6.33)
Eletr onica Geral
Com isso, podemos determinar as demais correntes: IC = IB = 120 14, 3A = 1, 72mA IE = ( + 1)IB = 121 14, 3A = 1, 73mA (6.34) (6.35)
Uma vez conhecidas as correntes nos terminais, podemos determinar as tens oes do circuito. A tens ao de emissor ser a: VE = 1, 5k IE = 1, 5k 1, 73mA = 2, 6V (6.36)
A tens ao de base pode ser denida ao se lembrar que na regi ao ativa VBE = 0, 7V : VB = 0, 7V + VE = 0, 7V + 2, 6V = 3, 3V A tens ao no coletor ser a: VC = 10 3, 3k IC = 10 3, 3k 1, 72mA = 4, 32V Por m, a tens ao de coletor-emissor ser a: VCE = VC VE = 4, 32V 2, 6V = 1, 72V (6.39) (6.38) (6.37)
Como VCE > 0, 2V , o transistor est a realmente em regi ao ativa, logo, toda a an alise at e agora realizada est a correta. 2 - Para o circuito abaixo, com um = 50, calcule as correntes e tens oes nos terminais do transistor.
Resolu c ao Seguindo o mesmo procedimento realizado anteriormente. O circuito de base-emissor pode ser escrito como:
102
Eletr onica Geral
10V = 62k IB + 0, 7V + 1, 5k IE 10V = 62k IB + 0, 7V + 1, 5k ( + 1) IB A corrente de base se torna: 10V 0, 7V = 67, 15A 62k + (50 + 1) 1, 5k As correntes dos demais terminais podem ser denidas como: IB = IC = IB = 50 67, 15A = 3, 35mA IE = ( + 1) IB = 51 67, 15A = 3, 43mA Com isso, a tens ao de emissor se torna: VE = 1, 5k IE = 1, 5k 3, 43mA = 5, 15V A tens ao de base se torna: VB = 0, 7V + VE = 0, 7V + 5, 15V = 5, 85V A tens ao de coletor ser a ent ao: VC = 10V 3, 3k IC = 10V 3, 3k 3, 35mA = 1, 06V A tens ao VCE ser a: VCE = VC VE = 1, 06V 5, 15V = 6, 21V
(6.40) (6.41)
(6.42)
(6.43) (6.44)
(6.45)
(6.46)
(6.47)
(6.48)
Observe que a tens ao de coletor-emissor e inferior a 0,2V. Isso indica que na realidade o transistor est a em satura c ao, ou seja, toda an alise realizada at e o momento n ao e v alida. Com isso, devemos refazer a an alise do circuito, sabendo que agora a tens ao VCE = 0, 2V . Reescrevendo as equa c oes das malhas de base-emissor e coletor-emissor, podemos denir: 10V = 62k IB + 0, 7V + 1, 5k IE 10V = 3, 3k IC + VCE + 1, 5k IE (6.49) (6.50)
Al em dessas duas express oes, n ao podemos nos esquecer que IE = IC + IB . Tomando a express ao da malha de base-emissor, t em-se que: 10V 0, 7V = 62k IB + 1, 5k (IC + IB ) 10V 0, 7V = 63, 5k IB + 1, 5k IC
(6.51) (6.52)
103
Eletr onica Geral
Podemos isolar a corrente de base: IB = 9, 3V 1, 5k IC 63, 5k (6.53)
Substituindo isso na express ao da malha de coletor-emissor, pode-se escrever: 10V = 3, 3k IC + 0, 2V + 1, 5k (IC + IB ) 10V = 4, 8k IC + 0, 2V + 1, 5k 9, 3V 1, 5k IC 63, 5k (6.54) (6.55) (6.56) (6.57)
10V = (4, 8k 35, 4) IC + 0, 2V + 0, 22V IC = Calculando a corrente de base: IB = 9, 3V 1, 5k 2, 01mA = 98, 97A 63, 5k 10V 0, 42V = 2, 01mA 4, 76k
(6.58)
A corrente de emissor pode ser denida ent ao como: IE = IC + IB = 2, 01mA + 98, 97A = 2, 11mA (6.59)
Sabendo os valores das correntes, podemos encontrar os valores das tens oes terminais. A tens ao de emissor se torna: VE = 1, 5k IE = 1, 5k 2, 11mA = 3, 17V A tens ao de base ser a: VB = 0, 7V + VE = 0, 7V + 3, 17V = 3, 87V A tens ao de coletor ser a: VC = 0, 2V + VE = 0, 2V + 3, 17V = 3, 37V (6.62) (6.61) (6.60)
6.2.4
Polariza c ao por divisor de tens ao
A polariza c ao por divisor de tens ao visa estipular o ponto de opera c ao de um transistor de modo que este seja o menos suscet vel a varia c oes de poss vel. A an alise deste circuito pode ser feita de duas formas: uma forma exata, levando em considera c ao todas as correntes presentes no circuito, e uma forma aproximada, onde fazemos simplica c oes para agilizar o processo de an alise. A seguir descrevermos as duas formas de an alise:
104
Eletr onica Geral
Figura 6.10: Polariza c ao por divis ao de tens ao. An alise exata O circuito da Figura 6.10 pode ser redesenhado, de modo que o circuito de base se apresente da seguinte forma:
Figura 6.11: Circuito de base. Podemos desenvolver o circuito equivalente de Thevenin visto pela base do transistor. Utilizando as t ecnicas de an alise aprendidas em circuitos, temos que a resist encia de Thevenin para o circuito de base e: R1 R2 R1 + R2 A tens ao de Thevenin ser a igual a divis ao de tens ao: RT h = R1 //R2 = R2 R1 + R2 Assim, podemos redesenhar mais uma vez o circuito de base de modo que: Agora, podemos escrever a equa c ao que dene a corrente de base: ET h = VCC ET h IB RT h VBE RE IE = 0 Assim:
(6.63)
(6.64)
(6.65)
105
Eletr onica Geral
Figura 6.12: Circuito de base redesenhado. ET h VBE RT h + ( + 1)RE Uma vez conhecida IB podemos denir IC e ent ao VCE : IB = ET h VBE RT h + ( + 1)RE
(6.66)
IC =
(6.67) (6.68)
An alise aproximada Considerando a Figura 6.12, analisando o caminho da corrente no circuito de base, podemos perceber que a corrente que passa pelo resistor R1 ir a se dividir entre a corrente IB e a corrente no resistor R2 . Pelas nossas an alises anteriores, notamos que a corrente IB e inversamente proporcional a ( + 1)RE , logo, quanto maior esse termo, menor ser aa corrente de base. Para ns de simplica c ao, costuma-se considerar que se ( + 1)RE for pelo menos 10 vezes maior do que R2 , a corrente IB ser a desprez vel em rela c ao ` a corrente IR2 , de modo que podemos desconsider a-la da an alise. Fazendo isso, podemos estimar que a tens ao no terminal de base do transistor ser a: VB = VR2 = VCC Assim, a tens ao no terminal do emissor ser a: VE = VB 0, 7V Logo: VE VB 0, 7V = (6.71) RE RE Uma vez denida a corrente de emissor, podemos encontrar a corrente de coletor e a tens ao VCE : IE =
R2 R1 + R2
(6.69)
(6.70)
106
Eletr onica Geral
IC =
VB 0, 7V RE
(6.72) (6.73)
6.3
Dicas de resolu c ao de circuitos diversos com transistores
Como discutido nos exemplos acima, o transistor pode operar como chave eletr onica, operando apenas em corte ou satura c ao, e como uma fonte de corrente, operando na regi ao ativa. Na opera c ao em regi ao ativa, analisamos apenas as condi c oes de polariza c ao dos transistores, n ao abordando o seu funcionamento para sinais c.a., o que n ao e escopo dessa disciplina. Apesar da distin c ao feita na aplica c ao dos transistores, podem ocorrer casos onde um transistor pensado para trabalhar na regi ao ativa, por um motivo qualquer entre em corte ou satura c ao. O aluno dever a ser capaz de identicar essas situa c oes e resolver o circuito. Para isso, passamos algumas dicas: Quando analisar um caso de polariza c ao de transistores, inicie sua an alise considerando regi ao ativa. Verique a veracidade da sua considera c ao calculando o valor da tens ao VCE para transistores NPN e VEC para transistores PNP. Caso essa tens ao for inferior a 0,2V isso indicar a a condi c ao de satura c ao; Voc e pode determinar a corrente de satura c ao de um circuito denindo o ponto de transi c ao entre regi ao ativa e satura c ao. Neste ponto, VCE = 0, 2V e todas as rela c oes de corrente da regi ao ativa se aplicam. Neste ponto, pode-se fazer IC IE , uma vez que IC IB ; Sempre redesenhe os circuitos utilizando os modelos de Ebers-moll apresentados nesta apostila. Com isso voc e conseguir a visualizar um circuito el etrico equivalente e resolv e-lo corretamente, independentemente da regi ao de opera c ao.
6.4
1. Para os circuitos abaixo calcule as correntes IB , IC e IE ; as tens oes VC , VB e VE ; a tens ao VCE e indique em que regi ao est a operando o transistor (Corte, Satura c ao ou Regi ao Ativa). Considere = 100, e VBE = 0,7V (Regi ao Ativa).
107
Eletr onica Geral
2. Para cada circuito da quest ao 1 esboce a reta de carga de sa da e dena o valor da corrente de satura c ao e da tens ao de corte. Fa ca as considera c oes que julgar necess arias. 3. O circuito abaixo mostra um sistema de acionamento do farol de um autom ovel. Considere que o rel e e acionado com uma corrente de 100mA. Considerando esse circuito, fa ca o que se pede: a) Deseja-se que o farol seja acionado com uma tens ao de controle (VA ) de +5V. Para essa condi c ao, qual o valor de RB ? b) Qual a fun c ao do diodo em anti-paralelo com a bobina do rel e? Como ele se chama? c) Se o farol
108
Eletr onica Geral
do autom ovel possui 100W, qual a corrente que o contato do rel e deve suportar?
4. Abaixo est a representado um circuito transistorizado conhecido como push-pull normalmente utilizado como amplicador de corrente para acionamento de cargas. Considerando = 100, fa ca o que se pede: a) Calcule as correntes de base, emissor e coletor e as tens oes terminais de ambos os transistores. b) Calcule tens ao e a corrente sobre o resistor de carga.
109
Eletr onica Geral
Formul ario
Lei de Ohm: V = R I ; Pot encia el etrica: P = V I Lei de kirchho das correntes: Ientram = Isaem Lei de kirchho das tens oes: Velevacoes = Vquedas ( ) ID = IS enVD /VT 1 ; VT 25mV @ 27o C Tens ao limiar: 0,7V (sil cio); 0,3V (germ anio); 1,8V (LED comum) Tens ao ecaz sen oide: VRM S = Vpico / 2 Reticador de meia-onda: VO(med) = Vpico / Reticador de onda completa: VO(med) = 2Vpico / Ripple de tens ao: Vo = Vmax Vmin Io Vmax + Vmin Filtro capacitivo: C = ; Tens ao m edia ltrada: VO(med) = fr Vo 2 NP VP IS Rela ca o transforma c ao: = = NS VS IP rZ RZ r Z RZ Regulador zener: VO = VC + VZo IR RZ + rZ RZ + rZ RZ + rZ VO rz Regula c ao de linha: = VC RZ + r Z VO RZ r Z Regula c ao de carga: = IR RZ + r Z VM in VZo IDZ Resistor de zener: RZ = + rZ IDZ + IRmax IDZ + IRmax Pot encia de zener: PM ax = VO,P max IDZ,P max RZ VO,P max VZo rZ + VZo ; IDZ,P max = VO,P max = VM ax RZ + r Z RZ + r Z rZ IE = IC + IB VBE (npn) = VEB (pnp) = 0, 7V Regi ao ativa: IC = IB ; Beta forte: f orte = 10
Regi ao de satura c ao: VCE (npn) = VEC (pnp) = 0, 2V
110
Eletr onica Geral
Refer encias Bibliogr acas

[1] Robert Boylestad e Louis Nashelsky, Dispositivos Eletr onicos e Teoria de Circuitos, Editora LTC, Sexta Edi c ao, 1999. [2] Albert P. Malvino, Eletr onica: vol. 1, Makron Books, Quarta Edi c ao, 1997. [3] Adel S. Sedra e Kenneth C. Smith, Microeletr onica, Makron Books, Quarta Edi c ao, 2000.
111

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APOSTILA PARA A DISCIPLINA

Professor: MSc. Thiago Ribeiro de Oliveira

Betim, Agosto de 2013

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Cap tulo 2 Diodos

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Curva Caracter stica do diodo em polariza c ao direta

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O diodo ideal - Primeira aproxima c ao

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