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DIODOS
SEMICONDUCTORES
LEY DE OHM
La Ley de Ohm, postulada por el fsico y matemtico
alemn Georg Simon Ohm, es una de las leyes
fundamentales de la electronica, electricidad.
Tecsup 2012-I 2

El flujo de corriente en ampere que circula por un circuito
elctrico cerrado, es directamente proporcional a la tensin o
voltaje aplicado, e inversamente proporcional a la resistencia en
ohm de la carga que tiene conectada.
Ing. Baker Carpio
Tecsup 2012-I 3
Ing. Baker Carpio

Tecsup 2012-I 4
Ing. Baker Carpio
Tecsup 2012-I 5
Ing. Baker Carpio

Tecsup 2012-I 6
Ing. Baker Carpio
Tecsup 2012-I 7
Ing. Baker Carpio
ley de nodos o primera ley de Kirchhoff
En cualquier nodo, la suma de las corrientes que
entran en ese nodo es igual a la suma de las corrientes
que salen. De forma equivalente, la suma de todas las
corrientes que pasan por el nodo es igual a cero
Tecsup 2012-I 8
Ing. Baker Carpio
Esta frmula es vlida tambin para circuitos complejos:


La ley se basa en el principio de la conservacin de la
carga donde la carga en couloumbs es el producto de la
corriente en amperios y el tiempo en segundos.
Tecsup 2012-I 9
Ing. Baker Carpio
Segunda ley de Kirchhoff, ley de lazos de Kirchhoff o ley
de mallas de Kirchhoff
En un lazo cerrado, la suma de todas las cadas de
tensin es igual a la tensin total suministrada. De
forma equivalente, la suma algebraica de las diferencias
de potencial elctrico en un lazo es igual a cero.
Tecsup 2012-I 10
Ing. Baker Carpio
De igual manera que con la corriente, los voltajes
tambin pueden ser complejos, as:



Esta ley se basa en la conservacin de un campo
potencial de energa. Dado una diferencia de potencial,
una carga que ha completado un lazo cerrado no gana
o pierde energa al regresar al potencial inicial.
Tecsup 2012-I 11
Ing. Baker Carpio

Tecsup 2012-I 12
Ing. Baker Carpio

Tecsup 2012-I 13
Ing. Baker Carpio
14
La electrnica trata de la teora y de la aplicacin de los
dispositivos que controlan la corriente, en ellos estn incluidos
los dispositivos de semiconductor y hasta hace algunos aos los
tubos de vaco. Los semiconductores son slidos, cuya
resistividad es intermedia entre la de los conductores elctricos
y la de los aislantes.
INTRODUCCIN
Ing. Baker Carpio
Tecsup 2012-I
U01 Conceptos Fundamentales de la Electricidad 15
16
Materiales semiconductores
Conductor: material que soporta un gran flujo de
carga/corriente.
Material que permite el flujo de carga cuando una
fuente de voltaje se aplica entre sus terminales.
Aislante: material con nivel bajo de conductividad
de corriente.
Presenta un nivel de paso e corriente muy
bajo(Conductividad)
Semiconductor: material que posee un nivel de
conductividad entre los extremos de un aislante y
un conductor.

Ing. Baker Carpio
17
27/03/201
3
Los mejores conductores tienen un electrn de valencia, mientras que los
mejores aislantes tienen 8 electrones de valencia.
Un semiconductor es un elemento con propiedades elctricas entre las de
un conductor y un aislante por tanto los mejores semiconductores tienen 4
electrones de valencia.
Por efectos de temperatura en estos materiales hay electrones que se
desligan de sus tomos quedando un electrn libre. La salida del electrn deja
un vaco en el orbital de valencia que se denomina hueco (tomo sin electrn)
estos huecos se constituyen en portadores de carga positiva.
recombinacin es la unin de un electrn libre y un hueco.
Ing. Baker Carpio
Tecsup 2012-I
18
Los tomos de los
semiconductores se organizan en
un patrn definido que se repite
continuamente.
Un patrn completo se llama
Cristal y el arreglo peridico se
llama red.
Cualquier material compuesto
nicamente de estructuras
cristalinas repetidas del mismo
tipo se denomina: estructura
monocristal.

Ing. Baker Carpio
19
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3
Semiconductores intrnsecos
Un semiconductor intrnseco es un semiconductor puro, tienen el mismo
nmero de electrones libres y el mismo nmero de huecos. A menudo a los
electrones libres y huecos se denominan portadores.
Una forma de incrementar la conductividad de un semiconductor es mediante el
dopaje. El dopaje consiste en aadir tomos de impurezas a un cristal intrnseco
Para incrementar el nmero de electrones libres se aaden tomos
pentavalentes al cristal puro.
Para incrementar el nmero de huecos se aaden tomos que tengan slo tres
electrones de valencia.
Ing. Baker Carpio
El grado de impurezas llega hasta 1 parte por cada 10.000.000.000
A temperatura ambiente existen cerca de 1,5X10
10
portadores libres en un 1cm
3

de material intrinseco de silicio
Tecsup 2012-I
U01 Conceptos Fundamentales de la Electricidad 20
El germanio y el silicio en estado intrinseco son malos conductores
Ing. Baker Carpio
21
27/03/201
3
Semiconductores extrnsecos
Un semiconductor se puede dopar para tener exceso de electrones libres o
exceso de huecos, por tanto existen dos tipos de semiconductores dopados.
Semiconductor tipo N
Semiconductor tipo P
El silicio que ha sido dopado con impurezas pentavalentes (antinonio,
arsnico y fsforo) se denomina semiconductor tipo n, donde n hace
referencia a negativo. Los electrones libres son los portadores
mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios.
El silicio que ha sido dopado con impurezas trivalentes (Boro, galio e indio)
se denomina semiconductor tipo p, donde p hace referencia a positivo. Los
huecos sern los portadores mayoritarios y Los electrones libres los
portadores minoritarios.
Ing. Baker Carpio
22
Semiconductores


Silicio y Germanio.
Valencia 4

Ing. Baker Carpio
23
Materiales semiconductores extrnsecos Tipo
N
Dopado de antimonio, arsnico y
fsforo:
Tipo N. (adicin + 5 electrones
de valencia)
Las impurezas difundidas se
denominan atomos donores.
La carga elctrica es cero
debido a que el numero de
Electrones es igual al numero
de protones en la estructura.
El electron libre aumenta la
conductividad del material.

Ing. Baker Carpio
El tomo pentavalente en un cristal de silicio (Si) produce un
electrn libre y se puede representar como un signo "+"
encerrado en un circulo y con un (que sera el electrn) al
lado.

24
Ing. Baker Carpio
25
Materiales semiconductores extrnsecos Tipo
P:
Boro, galio e indio:
Tipo P. (adicin + 3
electrones de valencia)
Las impurezas
difundidas se
denominan atomos
aceptores.
La carga elctrica es
cero debido a que el
numero de Electrones
es igual al numero de
protones en la
estructura.


Ing. Baker Carpio
El tomo trivalente sera un signo "-" encerrado en un
circulo y con un + sin rellenar al lado (que simbolizara
un hueco).
26
Ing. Baker Carpio
27
DIODO SEMICONDUCTOR (Diode)
-
-
-
-
+
P N
+
+
+
ZONA
TRANSICIN
NODO
CTODO
NODO CTODO
SMBOLO
Zona libre de cargas.
Solo quedan los iones fijos.
Ing. Baker Carpio
Existen tres posibilidades al aplicar un voltaje a travs
de las terminales del diodo:
No hay polarizacin (Vd = 0 V).
Polarizacin directa (Vd > 0 V).
Polarizacin inversa (Vd < 0 V).

28
Ing. Baker Carpio
Introduccin a la fsica de estado slido: semiconductores
Semiconductor extrnseco : TIPO N
Impurezas grupo V
300K
Electrones libres tomos de impurezas ionizados
Los portadores de carga en un semiconductor tipo N son
electrones libres
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
Introduccin a la fsica de estado slido: semiconductores
Semiconductor extrnseco : TIPO P
300K
Huecos libres tomos de impurezas ionizados
Los portadores de carga en un semiconductor tipo P son huecos.
Actan como portadores de carga positiva.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
La unin P-N
La unin P-N en equilibrio
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N
La unin P-N
La unin P-N en equilibrio
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N
-
-
-
-
+
+
+
+
+
+ -
Zona de transicin
Al unir un semiconductor tipo P con uno de tipo N aparece una zona de
carga espacial denominada zona de transicin. Que acta como una
barrera para el paso de los portadores mayoritarios de cada zona.
La unin P-N
La unin P-N polarizada inversamente
-
-
-
-
-
-
-
-
+
+
+
+
+
+
+
-
-
-
-
+
+
+
+
+
-
-
-
-
+
+
+
+
+
La zona de transicin se hace ms grande. Con polarizacin inversa no hay
circulacin de corriente.
P
N
La unin P-N
La unin P-N polarizada en directa
-
-
-
-
-
-
-
-
+
+
+
+
+
+
+
-
-
-
-
+
+
+
+
-
-
-
-
+
+
+
+
+
La zona de transicin se hace ms pequea. La corriente comienza a
circular a partir de un cierto umbral de tensin directa.
P
N
+
La unin P-N
La unin P-N polarizada en directa
-
-
-
-
-
-
-
-
+
+
+
+
+
+
+
-
-
-
-
+
+
+
+
-
-
-
-
+
+
+
+
+
La recombinacin electrn-hueco hace que la concentracin de electrones
en la zona P disminuya al alejarse de la unin.
P
N
+
Concentracin de huecos
Concentracin de electrones
La unin P-N
Conclusiones:
Aplicando tensin inversa no hay conduccin de corriente
Al aplicar tensin directa en la unin es posible la circulacin
de corriente elctrica
P N
DIODO SEMICONDUCTOR
37
El diodo semiconductor se forma uniendo los materiales tipo N y tipo P, los
cuales deben estar construidos a partir del mismo material base, el cual puede
ser Ge o Si. En el momento en que dos materiales son unidos (uno tipo N y el
otro tipo P), los electrones y los huecos que estn en, o cerca de, la regin de
"unin", se combinan y esto da como resultado una carencia de portadores
(tanto como mayoritarios como minoritarios) en la regin cercana a la unin.
Esta regin de iones negativos y positivos descubiertos recibe el nombre de
Regin de Agotamiento por la ausencia de portadores.
Ing. Baker Carpio
Existen tres posibilidades al aplicar un voltaje a travs
de las terminales del diodo:
No hay polarizacin (Vd = 0 V).
Polarizacin directa (Vd > 0 V).
Polarizacin inversa (Vd < 0 V).

38
Ing. Baker Carpio
39
Vd = 0 V. En condiciones sin polarizacin, los portadores minoritarios (huecos) en
el material tipo N que se encuentran dentro de la regin de agotamiento pasarn
directamente al material tipo P y viceversa. En ausencia de un voltaje de
polarizacin aplicado, el flujo neto de carga (corriente) en cualquier direccin es
cero para un diodo semiconductor.

El campo elctrico entre los iones es equivalente a una diferencia de potencial
llamada "Barrera de Potencial" que a 25 C vale:
0.3 V para diodos de Ge.
0.7 V para diodos de Si.

Vd=0V
Ing. Baker Carpio
POLARIZACION DIRECTA
Se produce cuando se conecta el polo positivo de la bateria a la parte P de la unin P - N
y la negativa a la N. En estas condiciones podemos observar que:
El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos electrones se dirigen
hacia la unin p-n.
El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es equivalente a decir que
empuja a los huecos hacia la unin p-n.
Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la diferencia de potencial en
la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar a los
huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n.
Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga espacial, cae en
uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el
electrn es atrado por el polo positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final
del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera.


Id = I mayoritarios - Is

40
Ing. Baker Carpio
POLARIZACION INVERSA
Condicin de Polarizacin Inversa (Vd < 0 V). Bajo esta condicin el nmero de iones
positivos descubiertos en la regin de agotamiento del material tipo N aumentar debido al
mayor nmero de electrones libres arrastrados hacia el potencial positivo del voltaje aplicado.
El nmero de iones negativos descubiertos en el material tipo P tambin aumentar debido a
los electrones inyectados por la terminal negativa, las cuales ocuparn los huecos.
El fenmeno explicado anteriormente, en ambos tipos de material N y P, provocar que la
regin de agotamiento se ensanche o crezca hasta establecer una barrera tan grande que los
portadores mayoritarios no podrn superar, esto significa que la corriente Id del diodo ser
cero. Sin embargo, el nmero de portadores minoritarios que estarn entrando a la regin de
agotamiento no cambiar, creando por lo tanto la corriente Is. La corriente que existe bajo
condiciones de polarizacin inversa se denomina corriente de saturacin inversa,Is.
41
Ing. Baker Carpio
El trmino "saturacin" proviene del hecho que alcanza
su mximo nivel (se satura) en forma rpida y no
cambia significativamente con el incremento en el
potencial de polarizacin inversa, hasta que al valor Vz
o VPI, voltaje pico inverso.


42
Ing. Baker Carpio
43
INCISO: Representacin del componentes elctricos en diagrama V-I
+
-
V
I I
V
Corto
(R = 0)
+
-
V
I I
V
Abierto
(R = )
+
-
V
I I
V
Batera
+
-
I I
V
Resistencia
(R)
V
I
+
-
V
V
Fuente
Corriente
I
Ing. Baker Carpio
44
I
P
N
POLARIZACIN DIRECTA:
LA CONSIDERACIN INTUITIVA ES BASTANTE CIERTA
+
-
Huecos (zona P) y electrones (zona N) mayoritarios se
ven empujados a "invadir" la zona de transicin.

La zona de transicin se ve reducida drsticamente.

La corriente se debe a mayoritarios y la corriente directa
puede llegar a ser importante.

La aproximacin de una resistencia pequea (idealmente
un cable es razonable)
P
N
Ing. Baker Carpio
45
POLARIZACIN INVERSA:
FALLA LA INTUICIN.
I
P
N
P
N
-
+
-
-
-
-
+
+
+
+
+
+
+
+
-
-
-
-
Huecos (zona P) y electrones (zona N) mayoritarios se
ven empujados a "escapar" de la zona de transicin.

La zona de transicin aumenta drsticamente.

La corriente se debe a minoritarios y la corriente directa
ser muy pequea (idealmente nula).

La mejor aproximacin es un cable roto (falla la intuicin)
Ing. Baker Carpio
46
+
-
V
I
P
N
CARACTERSTICA DEL DIODO (CONCLUSIONES)
Idealmente, permite corriente directa (se comporta como un cable) y
bloquea o no permite la corriente inversa (se comporta como un cable
roto)
I
V
PRESENTA UN
COMPORTAMIENTO
NO LINEAL !!
SEMEJANZA
Un smil hidrulico podra ser una vlvula anti-retorno, permite pasar el agua
(corriente) en un nico sentido.
Ing. Baker Carpio
47
1 Aproximacin (el diodo ideal)
Polarizacin directa: Es como
sustituir un diodo por un
interruptor cerrado.
Polarizacin inversa: Es como sustituir el
diodo por un interruptor abierto.
La exponencial se aproxima a una vertical y una horizontal que
pasan por el origen de coordenadas. Este diodo ideal no existe
en la realidad, no se puede fabricar por eso es ideal.
Ing. Baker Carpio
48
EJEMPLO:
En polarizacin directa:
Ing. Baker Carpio
49
2 Aproximacin
El tramo que hay desde 0 V y 0,7 V es en realidad polarizacin directa, pero como a efectos prcticos no
conduce, se toma como inversa. Con esta segunda aproximacin el error es menor que en la aproximacin
anterior
La exponencial se aproxima a una vertical y a una
horizontal que pasan por 0,7 V (este valor es el valor de la
tensin umbral para el silicio, porque suponemos que el
diodo es de silicio, si fuera de germanio se tomara el valor
de 0,2 V).
Polarizacin directa: La vertical es
equivalente a una pila de 0,7 V.
Polarizacin inversa: Es un interruptor
abierto.
Ing. Baker Carpio
Tecsup 2012-I
U01 Conceptos Fundamentales de la Electricidad 50
EJEMPLO: Resolveremos el mismo circuito de antes pero utilizando la segunda
aproximacin que se ha visto ahora. Como en el caso anterior lo analizamos en
polarizacin directa:
Como se ve estos valores son distintos a los de la anterior aproximacin, esta
segunda aproximacin es menos ideal que la anterior, por lo tanto es ms exacta,
esto es, se parece ms al valor que tendra en la prctica ese circuito.
Ing. Baker Carpio
Tecsup 2012-I
U01 Conceptos Fundamentales de la Electricidad 51
3 Aproximacin
La curva del diodo se aproxima a una recta que pasa por 0,7 V
y tiene una pendiente cuyo valor es la inversa de la resistencia
interna.
El estudio es muy parecido a los casos anteriores, la diferencia es cuando se
analiza la polarizacin directa:
Ing. Baker Carpio
Tecsup 2012-I
U01 Conceptos Fundamentales de la Electricidad 52
EJEMPLO: En el ejemplo anterior usando la 3 aproximacin, tomamos 0,23
ohms como valor de la resistencia interna.
Ing. Baker Carpio
53
p n
nodo ctodo
A K
Smbolo
I
S
= Corriente Saturacin Inversa
K = Cte. Boltzman
V
D
= Tensin diodo
q = carga del electrn
T = temperatura (K)
I
D
= Corriente diodo

DIODO REAL
|
|
.
|

\
|
=

1
T K
q V
S D
D
e I I
V [Volt.]
0
1
0.25 -0.25
i [mA]
0.5
Ge
Si
Ing. Baker Carpio
Marco Arcos
Camargo
54
V [Volt.]
0
1
0.25 -0.25
i [mA]
0.5
Ge
Si
DIODO REAL (Distintas escalas)
Ing. Baker Carpio
55
DIODO: DISTINTAS APROXIMACIONES
I
V
Solo tensin
de codo
Ge = 0.3
Si = 0.7

I
V
Tensin de codo y
Resistencia directa
I
V
Ideal
I
V
Corriente de fugas con
Tensin de codo y
Resistencia directa
I
V
Curva real
(simuladore
s, anlisis
grfico)
Ing. Baker Carpio
Tecsup 2012-I
U01 Conceptos Fundamentales de la Electricidad 56
Corriente superficial de fugas.
Es la pequea corriente que circula por la superficie del diodo
(ver polarizacin inversa), esta corriente es funcin de la
tensin aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensin,
aumenta la corriente superficial de fugas.
Tensin umbral, de codo o de partida (V

).
Corriente mxima (I
max
).
Corriente inversa de saturacin (I
s
)
Tensin de ruptura (V
r
)
CURVA CARACTERISTICA DEL DIODO
Ing. Baker Carpio
Tecsup 2012-I
U01 Conceptos Fundamentales de la Electricidad 57
Voltajes Inversos Mximos

U
Rmax
~ 80-1500V Si

U
Rmax
~ 40-100V Ge

Corrientes Residuales en direccin inversa.

I
resid
~ 5-500nA Si

I
resid
~ 10-500uA Ge
CURVA CARACTERISTICA DEL DIODO
58
DIODO: LIMITACIONES
I
V
Corriente mxima

Lmite trmico,
seccin del
conductor
Tensin inversa
mxima

Ruptura de la Unin
por avalancha
Ing. Baker Carpio
59
V
R
= 1000V Tensin inversa mxima
I
OMAX (AV)
= 1A Corriente directa
mxima
V
F
= 1V Cada de Tensin directa
I
R
= 50 nA Corriente inversa

V
R
= 100V Tensin inversa mxima
I
OMAX (AV)
= 150mA Corriente directa
mxima
V
F
= 1V Cada de Tensin directa
I
R
= 25 nA Corriente inversa
DIODO: Parmetros facilitados por fabricantes
V
d
i
d
i
S
V
R
I
Omax
NOTA:
Se sugiere con un buscador obtener
las hojas de caractersticas de un
diodo (p.e. 1N4007). Normalmente
aparecern varios fabricantes para
el mismo componente.
Ing. Baker Carpio
Tecsup 2012-I
U01 Conceptos Fundamentales de la Electricidad 60
Ing. Baker Carpio
Tecsup 2012-I
U01 Conceptos Fundamentales de la Electricidad 61
Ing. Baker Carpio
62
DIODOS ESPECIALES
Diodo Zener (Zener diode)
La ruptura no es destructiva.
(Ruptura Zener).

En la zona Zener se comporta
como una fuente de tensin
(Tensin Zener).

Necesitamos, un lmite de
corriente inversa.

Podemos aadir al modelo
lineal la resistencia Zener.

Aplicaciones en pequeas
fuentes de tensin y
referencias.
I
V
Tensin
Zener
(V
Z
)

Lmite mximo

Normalmente,
lmite de potencia
mxima
Ing. Baker Carpio
63
DIODOS ESPECIALES
Diodo LED (LED diode) Diodo emisor de Luz = Light Emitter Diode
El semiconductor es un compuesto III-V (p.e. Ga As). Con la unin
PN polarizada directamente emiten fotones (luz) de una cierta
longitud de onda. (p.e. Luz roja)
A K A K
Ing. Baker Carpio
64
DIODOS ESPECIALES
Fotodiodos (Photodiode)
0
i
V
i
opt
Los diodos basados en compuestos III-V, presentan
una corriente de fuga proporcional a la luz incidente
(siendo sensibles a una determinada longitud de
onda).

Estos fotodiodos se usan en el tercer cuadrante.
Siendo su aplicaciones principales:
Sensores de luz (fotmetros)
Comunicaciones
COMENTARIO
Los diodos normales presentan variaciones en la
corriente de fugas proporcionales a la Temperatura y
pueden ser usados como sensores trmicos
i
0
V
T
1
T
2
>T
1
El modelo puede ser una fuente de
corriente dependiente de la luz o
de la temperatura segn el caso
I = f(T)
Ing. Baker Carpio
65
DIODOS ESPECIALES
Clulas solares (Solar Cell)
Cuando incide luz en una unin PN, la
caracterstica del diodo se desplaza hacia el 4
cuadrante.

En este caso, el dispositivo puede usarse como
generador.
Paneles de clulas
solares
i
V
V
CA
i
CC
Zona
uso
Ing. Baker Carpio
66
DIODOS ESPECIALES
Diodo Varicap
(Varicap , Varactor or Tuning diode)
P
N
-
+
-
-
-
-
+
+
+
+
+
+
+
+
-
-
-
-
d
Dielctrico
La unin PN polarizada inversamente
puede asimilarse a un condensador de
placas planas (zona de transicin).

Esta capacidad se llama Capacidad de
Transicin (C
T
).

Notar, que al aumentar la tensin inversa
aumenta la zona de transicin. Un efecto
parecido al de separar las placas de un
condensador (C
T
disminuye).

Tenemos pues una capacidad dependiente
de la tensin inversa.

Un diodo Varicap tiene calibrada y
caracterizada esta capacidad.

Uso en equipos de comunicaciones (p.e.
Control automtico de frecuencia en
sintonizadores)
C
T

V
I

30 pF
10 V
Ing. Baker Carpio
67
DIODOS ESPECIALES
Diodo Schottky (Schottky diode)
Unin Metal-semiconductor N. Producindose el llamado
efecto schottky.

La zona N debe estar poco dopada.

Dispositivos muy rpidos (capacidades asociadas muy
bajas).

Corriente de fugas significativamente mayor.

Menores tensiones de ruptura.

Cadas directas mas bajas (tensin de codo ~ 0.2 V, 0.4V).

Aplicaciones en Electrnica Digital y en Electrnica de
Potencia

Ing. Baker Carpio
68
ASOCIACIN DE DIODOS
Diodo de alta tensin
(Diodos en serie)
DISPLAY
Puente rectificador
+
-
+
-
Monofsico
Trifsico
Ing. Baker Carpio
69
Display a 7 segmentos
Ing. Baker Carpio
70
APLICACIONES DE DIODOS
Detectores reflexin de espejo
Detectores reflexin de
objeto
Detectores de barrera
Ing. Baker Carpio
71
APLICACIONES DE DIODOS
Sensores de luz: Fotmetros
Sensor de lluvia en vehculos
Detectores de humo
Turbidmetros
Sensor de Color
LED
Fotodetector

LED azul

LED verde

LED rojo

Fotodiodo

Objetivo


LED

Ing. Baker Carpio
72
APLICACIONES DEL DIODO
Los diodos (y el resto de dispositivos electrnicos) son
dispositivos no lineales.

Cuidado, no se puede aplicar el principio de superposicin!
Cuidado, no se puede aplicar el anlisis con complejos
V
E

V
S

V
E

R
V
MAX
MAX
V
EJEMPLO TPICO:
RECTIFICADOR
+
-
I
D

V
D

V
E

t
t
V
S

t
Ing. Baker Carpio
Tecsup 2012-I
U01 Conceptos Fundamentales de la Electricidad 73
PRUEBA DEL DIODO CON EL OHMIMETRO
Tecsup 2012-I
U01 Conceptos Fundamentales de la Electricidad 74
PRUEBA DEL DIODO CON LA FUNC. DIODO
Tecsup 2012-I
U01 Conceptos Fundamentales de la Electricidad 75
PRUEBA DEL DIODO EN FUNCIONAMIENTO
Tecsup 2012-I
U01 Conceptos Fundamentales de la Electricidad 76
APLICACIONES
77
Ejercicio 1
Para la siguiente configuracin calcule I
D
, V
R
.


Ing. Baker Carpio
Calcular la corriente a traves de la resistencia
(VT=0.62).
78
Ing. Baker Carpio

79
Ing. Baker Carpio
80
Ejercicio 2
Para la siguiente configuracin calcule I
D
, V
R
.


Ing. Baker Carpio
81
En la siguiente red determinar I
D
, Vo, voltaje en cada
resistencia y potencia del diodo.
Ejercicio 3
Si
Ing. Baker Carpio
82
+5V
Si
Uo
+20V
4,7k
Ejercicio 4
Para el circuito mostrado determinar el valor de Vo
Ing. Baker Carpio
83
A un estudiante de PFR se le pide demostrar aplicando las
leyes de la electricidad si el diodo del circuito mostrado esta
en conduccin.
Ejercicio 4
Ing. Baker Carpio
84
Ejercicio 5
Determinar I
D
, Vo y el voltaje en cada resistencia
Ing. Baker Carpio
85
Cual es el valor y su sentido de la corriente en R2
Ing. Baker Carpio
86