Licence de Physique

L3 Physique et Applications

TD Physique des composants

Universit Paris-Sud

2011-2012

A) Semiconducteurs lquilibre
1-Densits volumiques
A quelle classe de matriaux appartient le silicium ? Donner la structure cristallographique du silicium utilis en microlectronique. Quelle est la nature des liaisons entre les atomes de Si ? Calculer le nombre datomes dans une maille lmentaire de Si. En dduire la densit volumique d'atomes dans un semiconducteur. A.N. e. Que peut-on dire du rseau cristallin temprature ambiante (T = 300 K) ? a. b. c. d.

2-Concentrations en lectrons et en trous Semiconducteur intrinsque

a. Dcrire la structure des bandes dnergie dans les cristaux semiconducteurs. Par quelle mthode peut-on lobtenir partir des tats lectroniques datomes isols ? b. Indiquer comment la densit dlectrons dans un semiconducteur homogne peut tre value partir du nombre dtats disponibles dans la bande de conduction et de la probabilit quils soient occups. c. Prciser la loi donnant la probabilit pour quun tat nergtique E soit occup par les lectrons du semiconducteur. d. Rappeler ce quon appelle un semiconducteur non dgnr. e. La densit d'tats pour un lectron d'nergie E est donne par :

me * nC(E)=8 2 2 h

3/ 2

( E E C )1 / 2 .

En dduire la densit d'lectrons dans la bande de conduction d'un semiconducteur non dgnr. Application numrique pour le silicium 300 K avec me* = 1,06 m0 o m0 = 9,1 10-31 kg. f. Donner par analogie la concentration en trous dans la bande de valence. g. Exprimer le produit des densits en lectrons et en trous. En dduire la concentration ni de porteurs dans un semiconducteur intrinsque puis la position du niveau de Fermi EF dans ce cas. h. Applications numriques : calculer ni et positionner EF sur le diagramme en nergie pour le silicium et larsniure de gallium t = 20C. Dans Si, on prendra comme masse dans la bande de valence mt* = 0,81 m0. Pour GaAs, on considrera me* = 0,063 m0 et mt* = 0,53 m0.

3-Diagrammes de Shockley
3.1-Silicium de type P On considre un cristal de silicium de type P avec une densit NA d'atomes d'impurets introduisant un niveau accepteur en EA. a. Dterminer graphiquement les volutions de la position du niveau de Fermi EF et de la densit de trous p en fonction de la temprature. b. En dduire la plage de temprature sur laquelle on peut considrer que la relation p = NA est vrifie. A.N. Pour In dans Si, EA-EV = 160 meV et NA=1017 cm-3. 3.2-Arsniure de gallium de type N Soit un cristal de GaAs de type N avec une densit ND d'atomes d'impurets introduisant un niveau donneur en ED. a. Dterminer graphiquement les volutions de la position du niveau de Fermi EF et de la densit d'lectrons n en fonction de la temprature. b. En dduire la plage de temprature sur laquelle on peut considrer que la relation n = ND est vrifie. A.N. Pour Si en substitution Ga dans GaAs, EC-ED = 6 meV et ND = 1016 cm-3.

B) Phnomnes de transport, drive et diffusion

1-Courant total
Calculer la densit totale de courant rsultant de la diffusion d'lectrons soumis un champ lectrique E. On assimilera les porteurs aux molcules d'un gaz parfait. Etablir la relation entre la densit de courant et le niveau de Fermi EF.

2-Tranche homogne
Soit une plaquette de silicium de type N, de rsistivit 5 .cm et d'paisseur 250 m. a. Dterminer la mobilit des porteurs l'aide des courbes ci-dessous (tlcharges de http://www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/).

2 b. Calculer la tension appliquer entre les deux faces pour faire circuler un courant de 10 A/cm . c. Tracer les variations du potentiel lectrostatique , ainsi que de EC, EV, et EF.

3-Tranche inhomogne non polarise

On considre une tranche de silicium de type N et d'paisseur 250m avec un gradient de dopage : -1 ND(x)= ND0 exp(-x) non polarise. ND0 = 1017 cm-3, = 400 cm . a. Calculer le champ lectrostatique et la diffrence de potentiel lectrostatique. b. Tracer les variations du potentiel lectrostatique , ainsi que de EC, EV, et EF.

C) Equations de continuit
1-Temps de relaxation dilectrique
On considre un semiconducteur de type N dans lequel on cre une perturbation temporelle homogne dans tout le matriau n(t=0) homogne telle que n(t)<<n0. En ngligeant toute recombinaison, dterminer la loi du retour l'quilibre. Le temps caractristique correspondant et la longueur de Debye dfinie dans l'exercice suivant sont tracs ci-dessous en fonction de la densit d'lectrons impose par le dopage (en prenant comme permittivit dilectrique relative celle de Si soit 11,7).

2-Longueur de Debye
On considre un semiconducteur de type N dans lequel on cre une perturbation spatiale constante en x=0 n(x=0) telle que n(x)<<n0. En ngligeant toute recombinaison, dterminer la loi du retour l'quilibre.

10

Temps de relaxation dilectrique (ps)

1 0,1 10-2 10-3 10-4 1015

= 300 cm2.V-1.s-1 600 1200 2400 4800 9600

Longueur de Debye (nm)

100

10

1016

1017

1018

1019

1020

0,1 1015

1016

1017

1018

1019

1020

Densit lectronique
3-Photoconduction intrinsque

(cm-3)

Densit lectronique

(cm-3)

On claire une tranche de silicium N de rsistivit 0 = 2 .cm et d'paisseur ep = 250 m avec une lumire monochromatique = 1 m sous un flux de 10 W.cm-2. a. Calculer le flux de photons incidents (cm-2s-1) et le nombre de photons absorbs dans l'paisseur de la tranche (=0e-x avec = 1 cm-1 et en cm-2s-1). b. Sachant que chaque photon absorb cre une paire lectron-trou, calculer la vitesse de cration G suppose uniforme dans toute l'paisseur de la tranche. Justifier lhypothse duniformit. c. La dure de vie tant de = 10 s et les mobilits des lectrons et des trous tant respectivement n = 1500 cm2.V-1.s-1 et p = 400 cm2.V-1.s-1, quelle est la rsistivit de la tranche claire ?

4-Tranche claire : effet Dember

On claire la surface d'une tranche de silicium de type N (paisseur ep et dopage ND = 1017 cm-3) avec un rayonnement trs absorbant. L'intensit lumineuse de l'excitation est telle que l'on gnre n(0) = p(0) =1016 cm-3 paires lectron-trou en surface. On ngligera les composantes drives des courants et on supposera Dpp << ep2 et n(x) = p(x). a. Dcrire ce qui se passe. b. Etablir l'expression donnant la densit d'lectrons et de trous dans la tranche.

D) Caractrisations par effet Hall

On considre la structure reprsente sur la figure. On applique une tension VP = 5 V et un champ magntique B = 0,5 T. En faisant varier la temprature, on relve les valeurs reportes dans le tableau cidessous. T C -196 -173 -123 -73 -23 27 77 127 177 227 277 327 I mA 410-7 210-5 0,25 0,7 1 0,9 0,74 0,56 0,4 0,3 0,23 0,16 VH mV 93 261 105 53,4 31 20 13 9,3 6,7 4,9 3,6 2,6

VH
B

h=20m

L=500m

VP

4
W=100m

Dterminer le type du semiconducteur et le niveau d'nergie introduit par le dopant. Expliquer comment on peut tracer comme report ci-dessous les variations de la densit de porteurs majoritaires et de la mobilit en fonction de la temprature. Commenter ces courbes.

Densit de porteurs (cm-3)

1015 1014 1013 1012 1011 1010 109 108 0 0,002 0,004 0,006 0,008 0,01 0,012 0,014

Mobilit p (cm2.V-1.s-1)

1016

10000

1000

100

10 -200

-100

100

200

300

400

1/T (K-1)

Temprature (C)

E) Caractrisations de capacit MIS-MOS

2,5 10-7

Capacit (F.cm-2)

2 10-7 1,5 10-7 1 10-7 5 10-8 0

-2

-1,5

-1

-0,5

0,5

1,5

Tension grille-substrat (V)

On veut dterminer l'paisseur d'isolant, le dopage du semiconducteur et la nature et la quantit de charges mobiles dans l'isolant. Pour ce faire, on a relev les courbes C(V) en balayant suivant les tensions positives et suivant les tensions ngatives (courbes ci-dessous). L'isolant a une constante dilectrique i0 = 3,410-13 F.cm-1. a. Dfinir les diffrents rgimes de polarisation d'une structure MIS pour un semiconducteur de type N et un de type P. Pour calculer la tension de seuil dans une structure MIS, on sintresse dabord au rgime de dsertion. On se propose dabord de dterminer lexpression de lpaisseur de la zone de charge despace dans le semiconducteur en fonction du dopage et de la tension de polarisation. Pour les calculs, on fera lhypothse que la tension de bandes plates est nulle (VFB= 0 V) et que loxyde nest pas charg. b. Dterminer puis tracer lallure du potentiel lectrostatique dans le semiconducteur puis dans lisolant par rsolution de l'quation de Poisson (cas N et P). c. Dterminer lexpression du potentiel de diffusion D dans la zone de charge despace (ZCE) en partant de 0 = jp = qppE - qDp(dp/dx) et sachant que E = -d/dx. d. Dterminer lexpression de lpaisseur xd de la ZCE, en fonction de la tension de grille VGB et Ndop.

e. En dduire lexpression de la capacit totale de la structure MIS. f. Comment est dfinie physiquement la tension de seuil VT ? g. Dterminer la nouvelle expression du potentiel de diffusion dans le semiconducteur puis montrer que la tension de seuil scrit, au signe prs :

VT = 2

k B T N dop ln n q i

2q 0 SC N dop

k B T N dop ln n q i

Ci

o Ci = 0i/ei.

h. Montrer comment partir des courbes donnes ci-dessus on peut dterminer le type du semiconducteur, l'paisseur de l'isolant et le dopage du semiconducteur. i. Dterminer galement la nature (charges mobiles ou piges) et la densit de charges variables dans l'isolant.

F) Jonction PN abrupte
Dans tout le problme, on supposera que les dimensions effectives des diffrentes zones sont gales aux dimensions mtallurgiques. On ngligera tout phnomne de multiplication de porteurs et tout phnomne de gnration-recombinaison dans les zones de charge d'espace. De plus, on fera l'hypothse de complte dpltion. On considre une jonction Si-N+/Si-P dont les caractristiques sont rsumes dans le tableau ci-dessous: Type Epaisseur e N 1 m P 50 m Surface des lectrodes : A Dopage 1019 cm-3 1016 cm-3 = 50 cm2 Dure de vie minoritaires 1 ns 10 s Coeff. diff. Dminoritaires 1 cm2s-1 30 cm2s-1

Donnes T = 300K pour le Silicium kBT = 25 meV NV = 1019 cm-3 sc0 = 10-10F.m-1 q = 1,610-19 C 1. Diode non polarise

NC = 2,81019 cm-3 EG = 1,12 eV

ni = 1010 cm-3

1) Expliquer comment se forme une zone de charge d'espace au niveau de la jonction N+P et comment s'tablit un champ lectrique, prciser le sens de ce champ. 2) Exprimer le potentiel de diffusion D en fonction des dopages. Calculer sa valeur. On branche un voltmtre aux bornes de la jonction N+P, quelle valeur lit-on sur lappareil ? 3) Reprsenter l'allure de la densit de charges (en valeur algbrique) l'quilibre thermodynamique, en prcisant leur nature. 4) Dterminer l'allure du champ lectrique et du potentiel le long de la structure. Exprimer le champ lectrique maximal Emax en fonction de la largeur de la zone de charge d'espace W et du potentiel de diffusion D. Calculer le rapport entre l'extension de la zone charge d'espace ct P (xP) et l'extension de la zone charge d'espace ct N (xN). 5) Etablir l'expression de l'paisseur de la zone charge d'espace W en fonction des dopages et du potentiel de diffusion D. Calculer les valeurs numriques de W et Emax pour la jonction non polarise. 2. Diode en inverse La diode est polarise en inverse sous une tension VR (VR<0). 1) Brancher le gnrateur de tension aux bornes de la diode pour obtenir cette polarisation inverse. 2) Donner les nouvelles expressions de l'paisseur de la ZCE W et celles de ses extensions xN et xP. 3) Calcul du courant de gnration : a. Expliquer qualitativement quel est l'effet de la gnration de paires lectrons-trous dans la ZCE. b. Etablir l'quation permettant de calculer le courant de gnration dans la diode polarise en inverse. c. Donner les conditions aux limites que l'on justifiera.

d. Rsoudre l'quation tablie au b) permettant de calculer le courant de gnration. Montrer que cette densit de courant peut se mettre sous la forme :

J Gen = J G0 1

VR V0

Donner les expressions de JG0 et V0. 3. Diode polarise en direct La jonction N+P est polarise en direct avec une polarisation VF = 0,7 V. 1) Dcrire le fonctionnement de la jonction N+P polarise en direct. 2) Comment varie l'paisseur de la zone charge d'espace W? Donner nouveau son expression et sa valeur numrique. 3) Etablir les expressions des concentrations de minoritaires dans chacune des zones de quasineutralit lectrique. Dterminer alors les expressions des densits de courant dues aux minoritaires (ces expressions pourront tre tablies proprement dans une zone puis dduites par identification dans l'autre zone en faisant les justifications ncessaires). 4) Dduire de la question prcdente l'expression du courant de diffusion. Calculer numriquement la valeur du facteur pr-exponentiel de ce courant de diffusion.

G) Diode lectroluminescente (DEL)

1-Choix du matriau actif
Les metteurs de lumire ne sont pas raliss base de silicium, mais partir dautres types de semiconducteurs tels que GaAs, InP, etc. (semiconducteurs III-V). Pour cette famille de semiconducteurs, on donne la courbe ci-dessous. 1) Expliquer le phnomne de recombinaison bande bande radiatif lorigine de lmission de lumire des diodes lectroluminescentes. 2) On cherche fabriquer un composant dmission la longueur donde 0 = 1,55 m. Quel type de matriau peut-on envisager et pourquoi ? 3) On donne les renseignements suivants concernant lalliage GaxIn1-xAsyP1-y : des concentrations en Ga et As telles que y/x 2,20 et 0 x 0,47 permettent dobtenir laccord de maille du quaternaire ( gap direct) sur InP, le gap du quaternaire suit la loi EG [eV] = 1,35-0,72y +0,12y2.

a [] G 6,2 6,0 5,8 5,6 5,4

1,4 1,6

1,0

0,7

0,55 [m]

InAs GaInAsP InP AlGaAs GaInAs AlAs

Rgion ferme GaAs gap direct

GaP 0 0,5 1 1,5 2 2,5 Energie du gap [eV]

a. Justifier la stchiomtrie du matriau. b. Rappeler la loi liant lnergie de bande interdite en eV et la longueur donde dmission en microns. c. Dterminer les compositions x et y afin dobtenir une mission de lumire la longueur donde vis.

2-Etude de la diode lectroluminescente

La surface des lectrodes de la diode est A = 10-4 cm2. Nous assimilerons les proprits du semiconducteur III-V celles du silicium, lexception de son nergie de bande interdite EG. 1) Reprsenter une vue en coupe du composant. 2) On suppose que le courant prpondrant est le courant de recombinaison radiatif. Expliquer ce phnomne de recombinaison dans la zone de charge despace (ZCE) donnant lieu lmission de lumire. 3) Etablir lexpression donnant le produit des concentrations en lectrons et en trous dans la ZCE. En dduire le terme de gnration/recombinaison correspondant. 4) Intgrer lquation de continuit des lectrons en rgime permanent dans toute ltendue de la ZCE. Que peut-on dire du courant dlectrons au bord de la ZCE ct P et pourquoi ? De mme pour le courant de trous au bord de la ZCE ct N. 5) En dduire le courant IREC qui traverse la jonction. 6) En supposant que la recombinaison de chaque paire lectron/trou donne lieu lmission dun photon dnergie gale EG (rendement de 100%), dterminer la puissance lumineuse mise en interne (PINT). Application numrique pour un courant inject I = 30 mA. 7) Dterminer le rendement dextraction EXT de la structure, dfini comme la fraction des photons mis que lon parvient extraire de la structure. On tiendra compte pour cela du coefficient de rflexion en puissance linterface semiconducteur/air et du phnomne de rflexion totale. Application numrique pour nSC-III-V = 3,5 8) Quelle est finalement la puissance optique POPT mise par le composant ? Indications : la fraction R de puissance optique rflchie une interface entre deux milieux dindices optiques n1 et n2 est donne par la relation suivante :

n1 n 2 R= n +n 2 1

langle solide du cne de demi-angle au sommet est :

= 2 (1 cos )