Universidade Federal do Par Instituto de Tecnologia Faculdade de Engenharia Qumica Disciplina: Operaes Unitrias II Professora: Geormenny

MTODO DE PONCHON-SAVARIT

Alunos: Andel Denilson M. Lima 07025005001 Caio Csar da Silva Rocha 07025003301 Helder Miyagawa 07025000201 Kleber Dias Sousa 07025002801 Uriel Lean William Satoshi Uno - 07025000401

Belm, 23 de junho de 2010

Introduo Retificao contnua, ou fracionamento, operao multiestgio de destilao em contracorrente. Para uma soluo binria, com certas excees normalmente possvel separar a mistura em seus componentes, recuperando cada um em um estado de pureza desejado. Retificao provavelmente o mtodo mais frequentemente usado para a separao, apesar de relativamente novo. Enquanto que a destilao simples conhecida despe o primeiro sculo, e talvez ainda mais cedo, no foi antes de 1830 que Aneas Coffey de Dublin inventou o retificador multiestgio em contracorrente para destilar etanol de gros (TREYBAL, 1981) e conseguiu produzir destilado contendo at 95% de etanol. O mtodo de entalpia concentrao (Ponchon-Savarit) til para o clculo dos fluxos de vapor interno e lquido em qualquer ponto da coluna de fracionamento. Portanto, esses dados so utilizados para determinar o tamanho dos pratos. Alm disso, as estimativas de qCD e qRW so usados para projetar o condensador e o ebulidor. O mtodo perfeitamente aplicvel ao projeto atravs de uma soluo computacional para as misturas binrias e componentes mltiplos de balanos de massa e entalpia de prato a prato para a torre inteira (GEANKOPLIS, 1998).

Mtodo de Ponchon-Savarit um mtodo grfico para calcular o nmero de placas tericas que prescinde das hipteses simplificadoras usuais. Por esta razo, em princpio ele deve ser mais rigoroso do que os anteriores. Outra vantagem deste mtodo a facilidade com que se obtm as cargas trmicas do condensador e fervedor. A construo grfica feita no diagrama entalpia-concentrao do sistema. Infelizmente diagramas deste tipo so raros, sendo esta a maior limitao do mtodo. A figura abaixo mostra a diferena do nmero de pratos tericos calculados entre o mtodo de Ponchon-Savarit, representado pelas linhas cheias, e o mtodo de McCabe e Thiely, representado pelas linhas tracejadas. O nmero de pratos pelo mtodo de McCabe e Thiely de 5,5 o que representa um valor 10% maior enquanto que pelo de Ponchon-Savarit so 5 pratos exatos.

Figura 1: Nmeto de Pratos pelo mtodo de McCabe e Thiely e Ponchon-Savarit[HENLEY,1981]

Diagrama entalpia-concentrao Este diagrama uma representao das entalpias das misturas lquidas ou vaporizadas do sistema considerado, em funo de sua composio (fraes molares ou em peso). (fig. 2).

Figura 2: Diagrama entalpia-concentrao

A curva superior representa as entalpias H de vapores saturados, em funo de sua composio y, enquanto a inferior corresponde ao lquido saturado (h vs x). As retas entre as duas curvas (como LV) so as retas de equilbrio ou conjugao. Seus pontos extremos correspondem s fases de equilbrio no sistema cujo ponto representativo est na regio de duas fases. Ao ponto P, por exemplo, corresponde uma mistura de lquido L e vapor V, cujas composies so respectivamente x e y e as entalpias so h e H. Acima da linha de vapor saturado o sistema vapor superaquecido. Abaixo da linha do liquido saturado o sistema lquido frio ou comprimido. A cada ponto no diagrama corresponde uma mistura e, inversamente, a cada mistura corresponde um nico ponto no diagrama.

Particularidades do diagrama entalpia-concentrao Mencionaremos apenas as que so importantes para compreender a apresentao do mtodo de Ponchon-Savarit: mistura adiabtica de duas correntes materiais e mistura no-adiabtica de duas correntes.

Mistura adiabtica de duas correntes Sejam A e B as correntes. A mistura ser representada por M. No diagrama entalpia-concentrao essas correntes so representadas pelos pontos A, B e M (fig. 3). Suas quantidades (pesos ou vazes) tambm sero representadas pelas mesmas letras. Assim, de agora em diante cada letra representa ao mesmo tempo: a corrente o ponto correspondente no diagrama

sua quantidade

Figura 3: Mistura adiabtica de duas correntes

Para operao em regime permanente os balanos materiais e de energia podero ser escritos como segue: M=A+B (1) (2) (3)

M xM = A xA + B xB M hM = A hA + B hB M no diagrama:

Estas expresses fornecem diretamente xM e hM, o que permite localizar o ponto

Mas h tambm uma soluo grfica: o ponto M est localizado sobre a reta AB em posio dada pela regra do inverso dos braos de alavanca (RIBA). De fato (fig. 4):

Figura 4: Construo grfica para localizar o ponto M

Esta igualdade atesta a semelhana dos tringulos AMm e ABb e portanto o alinhamento dos pontos A, B e M. Por outro lado, da equao (4) tira-se: (A + B) xM = A xA + B XB

O que dissemos igualmente vlido quando da mistura A retirada da mistura M. Neste caso o ponto representativo da mistura resultante B estar no prolongamento da reta AM, em localizao dada pela RIBA.

Mistura no-adiabtica de duas correntes. Sejam A e B as correntes que se misturam para dar a corrente M. Seja Q o calor (positivo ou negativo) trocado com o meio (fig. 5). Como anteriormente foi feito, os balanos materiais podem ser escritos, resultando as mesmas equaes (4) e (5), mas o balano de energia diferente: Q = H = M hM (A hA + B hB) M hM = A hA + B hB + Q

Figura 5: Mistura no-adiabtica de duas correntes

O calor Q pode ser calculado por unidade de massa de qualquer uma das trs correntes que participam da operao:

Estas quantidades representam o calor trocado durante a operao de mistura, por unidade de massa das correntes envolvidas. O balano de energia poder ser escrito com qualquer uma delas. Trabalharemos com qm: M hM = A hA + B hB + M qM ou M (hM qM) = A hA + B hB (7)

A localizao do ponto correspondente mistura pode ser feita atravs das equaes (4) e (7) combinadas com a equao (1):

A primeira relao a prpria (4). O segundo membro da segunda idntico ao da relao (5). Assim sendo, as relaes (4) e (8) atestam o alinhamento dos pontos A, B e M no diagrama. Este ltimo tem coordenadas xm e hm qm. Em outras palavras, o ponto M representativo da mistura acha-se na vertical passando por M e distante qm deste ponto (fig. 6). A figura foi desenhada com a hiptese de qm ser positivo, mas esta quantidade poderia ser negativa, caso em que o ponto M estaria situado abaixo de M.

Figura 6: Construo grfica utilizando qM

O clculo poderia ser feito com qa ou qb em vez de qm, com o resultado indicado nas figs. 7a e b desenhadas com a hiptese de qa e qb serem quantidades positivas.

Figura 7: Construes grficas utilizando qA e qB

Construo grfica de Ponchon-Savarit

Consideremos inicialmente a seo de enriquecimento. Os balanos realizados no sistema (I) envolvendo o condensador e as n primeiras placas a contar do topo da coluna permitem escrever (fig. 8):

Figura 8: Balanos no topo da coluna

Vn+1 = Ln + D

(9) (10)

Vn+1 yn+1 = Ln xn + D xD ou

QC = Ln hn + D hD Vn+1 Hn+1 Vn+1 Hn+1 = Ln hn + D (hD qCD) (11)

Nesta ltima expresso, qCD = QC/D, um valor negativo, o calor cedido pelos vapores gua de resfriamento no condensador. Estas equaes indicam que os pontos Vn+1, Ln e D (coordenadas xD e h qCD) esto alinhados no diagrama entalpiaconcentrao (fig. 9). Como a placa n genrica, conclui-se que qualquer reta partindo de D e passando por Ln determina Vn+1. Nosso problema ser localizar D que , como vemos, o plo de toda a construo grfica para relacionar as composies e entalpias de duas correntes que se cruzam entre duas placas da seo de enriquecimento. O calor trocado mo condensador depende da razo de refluxo. A relao entre qCD e r pode ser obtida diretamente a partir dos balanos em torno do condensador. Estes, por sua vez, podero ser tirados diretamente das equaes (9), (10) e (11) que valem em particular para o condensador: V1 = R + D V1 y1 = R xR + D XD V1 H1 = R hR + D (hD qCD)

Figura 9: Construo grfica para a seo de enriquecimento

Combinando e lembrando que em geral hR = hD , vem (R + D) H1 = R hD + D (hD qCD) Dividindo por D: (r + 1) H1 = (r + 1) hD qCD - qCD = (r + 1) (H1 hD) (12) A localizao do ponto D pode ser feita com as coordenadas xD e hD qCD, ou pelo processo grfico que passaremos a descrever. Os pontos R (xR , hR) e V1 (y1 , H1) podem ser localizados no diagrama (fig. 9). Da equao (12) tira-se:

Uma vez que a razo de refluxo especificada como condio de projeto, o ponto D fica automaticamente definido por esta relao geomtrica. Ser suficiente medir o segmento V1R e marcar V1D = r V1R. A construo grfica para o clculo do nmero de placas tericas da seo de enriquecimento pode prosseguir: o lquido L1 que sai da 1 placa est em equilbrio com o vapor V1 e, assim sendo, L1 dever estar sobre a curva do lquido saturado, na outra extremidade da reta de equilbrio que passa por V1. Depois, unindo L1 e D determina-se V2 sobre a curva do vapor. Uma reta como esta, que unindo L1 ao plo determina V2, chama-se reta de trabalho. A partir do ponto V2 a relao de equilbrio pode ser utilizada novamente e o lquido L2 fica determinado. Esta construo grfica repetida o nmero de vezes necessrio para dar um lquido cujo ponto representativo esteja situado esquerda da perpendicular levantada por xF. Da em diante o plo da construo grfica deve mudar. Antes de cuidarmos da localizao do plo para a seo de stripping

convm observar que, para Ln e Vn+1 quaisquer, vale a seguinte relao entre as vazes, obtida pela aplicao da RIBA:

Na seo de stripping a construo grfica semelhante. A localizao do plo W feita como segue (fig. 10). Traa-se uma reta unindo D e F. O cruzamento desta reta com a vertical passando por xW o plo procurado. De fato, os balanos em torno da coluna podem ser escritos:

Figura 10: Construo grfica para a seo de stripping

F=D+W

(13) (14)

F xF = D xD + W xW

F hF = D hD W hW (QC + QR) (QR = calor fornecido ao lquido no fervedor). Esta ltima pode ser escrita sob outra forma: F xF = D (hD qCD) + W (hW qRD) (15)

As equaes (13), (14) e (15) indicam que os pontos D (xD, hD qCD), F e W (xW, hW qRW) esto alinhados, o que justifica a construo descrita para localizar W, que o novo plo da construo. Ligando Lf (da placa de alimentao) a W e prolongando at a curva do vapor obtm-se Vf+1. A RE permite localizar Lf+1 e depois, ligando ao plo, resulta Vf+2. E assim vo sendo localizados sucessivamente todos os demais pontos Vm e Lm da seo de stripping. Esta construo grfica pode ser justificada como foi feito para a seo de enriquecimento. Os balanos em torno do sistema (II) so escritos e mostram que os pontos Lm-1, Vm e W (de coordenadas xW e hW qRW) esto alinhados: Lm-1 = Vm + W Lm-1 Xm-1 = Vm ym + W xW Lm-1 hm-1 = Vm Hm + W (hW qRW) Balano Total da Torre Considerando a coluna inteira podemos escrever as equaes de balano:

F = D +W xF F = xD D + xW W FhF + qWW + qD D = hD D + hW W
Manipulaes algbricas entre a equao do balano de massa global e parcial e as equaes de balano de energia e global, nos levam a
D xF xW hF (hW qW ) = = W xD xF (hD qD ) hF

Algumas linhas pertinentes na construo do diagrama de Ponchon-Savarit esto apresentadas na figura abaixo e na tabela seguinte.

Figura 11: Alguma linhas do diagrama de Ponchon-Savarit [HENLEY,1981]

Seo da Coluna

Seguimentos de Reta P'B

Enriquecimeno

Retificao Total

CP'/EP' AP'/BP' AP'/AB P''G MP''/KP'' MP''/MK P'P''/FP'' FP''/FP'

Significado Calor removido no condensador por massa de destilado L/V Geral L/V no topo da coluna (razo de refluxo Interna) L/D no topo da coluna (razo de refluxo externa) Calor adicionado no ebulidor por massa de resduo L'/V' geral L'/B geral F/D D/W

Tabela: Sumrio do Diagrama de Ponchon-Savarit relacionado a figura acima (todas as fases so assumidas saturadas). [HENLEY, 1981]

Placa de alimentao O critrio para localizar a placa de alimentao o do mnimo nmero de placas. Isto quer dizer que durante a construo grfica deve-se mudar de plo quando um valor yf+1 obtido a partir de xf for maior com o novo do que com o plo anterior. Por exemplo, se D estiver sendo usado, deve-se mudar para W na placa 4 e no mais acima, porque o valor de y5 que se obtm com o plo W superior ao que seria obtido com o plo D (fig. 12)

Figura 12: Localizao da placa de alimentao

Efeito da razo de refluxo O consumo de energia para efetuar uma dada separao, com temperaturas bem definidas da alimentao e refluxo, depende exclusivamente da razo de refluxo escolhida. medida que r aumenta, o calor removido no condensador (nmero positivo QC) tambm aumenta e o ponto D vai ficando cada vez mais distante de D. evidente que o enriquecimento conseguido por placa terica tambm vai aumentando. claro ento que o nmero de placas diminui medida que r aumenta. O nmero mnimo de placas tericas ser obtido quando o refluxo for total, situao em que as retas que unem Ln a D e Lm a W so todas as verticais (fig. 13). Apesar de evidente, este fato torna-se inteiramente bvio com base na equao (12): - qCD = (r + 1) (H1 hD)

Figura 13: Operao com refluxo total

Quando r = R/D , tambm - qCD infinito. Refluxo Mnimo

e a ordenada de D (hD qCD) tende a

Para que uma separao seja possvel, os coeficientes angulares das retas de trabalho devem ser maiores do que os das retas de equilbrio. Se numa dada seo da coluna houver coincidncia de uma reta de trabalho com uma reta de equilbrio, ento um nmero infinito de placas ser necessrio para efetuar a separao especificada. Para determinar o valor mnimo de r deve-se procurar a seo da coluna onde esta coincidncia ocorre quando se est diminuindo o refluxo. Prolongam-se diversas retas de equilbrio da seo de enriquecimento at a vertical x = xD de modo a obter diversos pontos D (fig. 14). O mais alto deles Dmin.D registrado. Faz-se o mesmo com a seo de stripping e diversos pontos W so obtidos pelo prolongamento das RE at a vertical passando por xW. O mais baixo dos W registrado. Une-se este ponto com F e prolonga-se at a vertical por xD, de modo a resultar um outro ponto Dmin.W que comparado com o anterior. O mais alto dos dois corresponde ao refluxo mnimo. De fato, a razo de refluxo correspondente a esse ponto a menor que se pode empregar para realizar a operao especificada, porm com um nmero infinitos de placas. Com refluxo menor a operao no mais poder ser realizada. Muitas vezes o ponto Dmin. obtido pelo cruzamento da reta de equilbrio que passa por F, com a vertical x = xD.

Figura 14: Determinao do refluxo mnimo

A taxa de refluxo utilizada para o projeto de uma torre de destilao deve ser mnima, ou a mais econmica, para que o custo seja o menor possvel. Na razo de refluxo mnima a coluna requer um nmero infinito de estgios, e conseqentemente um custo infinito. Enquanto r aumenta, o nmero de estgios decresce rapidamente, porm o dimetro da coluna aumenta devido a grande quantidade de lquido e vapor por quantidade de alimentao. Todos os equipamentos devem ser maiores, os custos de

instalao passam por um mnimo e aumentam para o infinito novamente. O custo total, que a soma dos custos de operao mais os custos de instalao, deve ento passar por um mnimo. O que freqentemente, porm no sempre ocorre em uma razo de refluxo prximo a razo mnima de 1,2r a 1,5r.

Figura 15: Custo total [TREYBAL, 1981]

Exemplo 1 (Exemplo 10.1 HENLEY, 1981, modificado)100kgmol por hora de vapor saturado de uma mistura n-hexano/n-octano contendo 69% em mol de hexano separada por destilao em presso atmosfrica em produto contendo 90% em mol de hexano e um resduo com 5% em mol de hexano. O condensador retorna 42,5% do condensado para a coluna como lquido saturado Utilizando o mtodo grfico de Ponchon-Savarit e diagrama de entalpia-concentrao da figura abaixo calcular: a) b) A taxa de produo de resduo e de destilado. A quantidade, em kcal/h fornecido no ebulidor e removido no

condensador. c) Nmero de pratos tericos.

Figura 16 a e b

i) O ponto F se localiza em x = 0,69 na linha de vapor saturado ii) L/D = PVn/PLR = 0,425 , logo P= (0,90; 19000) iii) D/F = FP/PP = 0,75 D = 75 kgmol/h B = 25 kgmol/h iv) -qD = PLn = (45000-19000) = -14.500 kcal/kgmol de produto QD = qDD = 14.500 x 75 = -1087500 kcal/h QB = qBB = PB.B = (8400-1000)25 = 185.000 kcal/h v) Construo sobre o diagrama fornecido.

Exemplo 2

Uma soluo aquosa de amnia de 12,2 ata e 80C, contendo 20% de amnia em peso deve ser fracionada de modo a produzir um destilado com 95% de NH3 e um produto de fundo com 2% de NH3. Ser utilizada uma coluna de placas equipada com fervedor e

condensador total. Decidiu-se empregar uma razo de refluxo igual a 1,77 vezes a razo mnima. Calcular: a) o nmero de placas tericas de coluna; b) as cargas trmicas do fervedor e do condensador, para uma alimentao de 1t/h. Dados: diagrama entalpia-concentrao da fig. 17.

Figura 17 Diagrama de Ponchon-Savarit do exemplo 2

Soluo a) no diagrama so marcados os pontos F, W e D = R. Levantam-se as perpendiculares por xW = 0,02 e xD = 0,95, depois prolongam-se as RE para determinar rmin. O ponto Dm corresponde ao refluxo mnimo. Portanto:

Ento rreal = 1,77 (0,554) = 0,981 e V1D = 0,981 (355 30) = 318,8 kcal/kg hD = 535 + 318,8 = 853,9 kcal/kg

A construo grfica indica cinco estgios tericos, ou seja, 4 placas tericas, sendo a alimentao feita na 2 placa a contar do condensador. b) Cargas trmicas Do grfico tira-se -qCD = (r + 1) (H1 hD) = 1,985 (355 30) = 645,1 kcal/kg qRW = hW + 145,0 = 180,0 + 145,0 = 325,0 kcal/kg Balanos materiais: 200 = 0,95 D + 0,02 (1000 D) D = 193,5 kg/h W = 806,5 kg/h As cargas trmicas podem ser calculadas: - QC = 193,5 (645,1) = 124827 kcal/h QR = 806,5 (325,0) = 262113 kcal/h

Referncias Bibliogrficas GEANKOPOLIS, C.J. Procesos De Transporte Y Operaciones Unitrias. CECSA, Mxico, 3ed. 1998. GOMIDE, Reynaldo. Operaes unitrias. So Paulo: R. Gomide, Vol 4, 1980-1997. HENLEY, E. J.; SEADER, J. D. Equilibrium-Stage Separation Operations in Chemical Engineering. John Wiley & Sons, 1981. TREYBAL, Robert. Mass Transfer Operations. McGraw-Hill, 3ed., 1981.