DIODO DE UNIN PN POLARIZADO En el applet se muestra el flujo de las corrientes de difusin, las corrientes inversas de arrastre, y la variacin del

diagrama de bandas cuando cambia la polarizacin. Muestra la polarizacin de una unin PN a la aplicacin externa de una diferencia de potencial continua o con un determinado sentido a la unin. La polarizacin del diodo puede ser en directa o en inversa

Utilizando el control de voltaje permitir los huecos de la regin P y los electrones de la regin N son empujados hacia la unin por el campo elctrico a que da lugar la polarizacin. Por lo tanto, se reduce la anchura de la zona de transicin.

Se puede observar el flujo de corriente en un diodo de unin PN. Bajo polarizacin directa (Lado P es ms positivo que el lado N, o el lado N ms negativo que el lado P), se inyectan huecos desde el lado P (rojo), atravesando la regin neutral (alrededor de la unin, regin despoblada de portadores mviles) hasta el lado N (azul). Los huecos inyectados dentro del lado N son portadores minoritarios. Cerca de la frontera de la regin neutral, la concentracin de huecos minoritarios est por encima de la concentracin en equilibrio trmico debido a esos huecos inyectados elctricamente.

LA LEY DE SHOCKLEY

En este applet se explica la ecuacin corriente-tensin de un diodo ideal PN (tambin llamada ecuacin de Shockley). Se podr investigar con la ecuacin I=Io[exp(qV/kT)-1] al trabajar con el programa. Todas las componentes que componen la corriente total del diodo se muestran mediante una animacin visual interactiva. Puede verse que la corriente de arrastre es independiente de la polarizacin aplicada. Para la corriente de inyeccin con polarizacin directa se puede observar su dependencia exponencial con la polarizacin directa aplicada. Conociendo la distribucin del exceso de portadores minoritarios en ctodo resulta fcil conocer la corriente transportada por ellos puesto que es debida fundamental a difusin.

Se puede observar el flujo de corriente en un diodo de unin PN. Bajo polarizacin directa (lado P es ms positivo que el lado-n, o el lado-n ms negativo que el lado-p), se inyectan huecos desde el lado-p (rojo), atravesando la regin neutral (alrededor de la unin, regin despoblada de portadores mviles) hasta el lado-n (azul).

De esto podemos mostrar la unidad de corriente A:

Conmutacin del diodo

En este applet se simula la conmutacin de un diodo, pudiendo cambiar la tensin aplicada en sus bornas de positiva a negativa y viceversa. Para ello se dispone del esquema de un circuito con dos fuentes de tensin (una positiva y otra negativa) y un conmutador, un circuito de polarizacin (que incluye una resistencia) y un diodo de unin.

Se puede modificar todos los parmetros del circuito presionando el botn del panel superior con el texto "Parmetros ciscuito". Al presionarlo aparecer una ventana con tres campos editables donde se pueden introducir los valores numricos deseados para la tensin directa (VF), la tensin inversa (VR) y la resistencia de polarizacin (R).

Debajo del circuito aparecen cuatro grficas que varan en el tiempo y donde se representan los parmetros ms importantes que controlan el comportamiento del diodo. La primera grfica representa la tensin seleccionada en el circuito; la segunda la corriente que circula por el diodo; la tercera la carga acumulada en las zonas neutras del diodo (aplicando la aproximacin de diodo asimtrico) y la ltima grfica es la tensin que cae en bornas del diodo. Estas cuatro grficas se van actualizando en el tiempo y se irn desplazando hacia la derecha conforme avance el tiempo.
Debajo de las ecuaciones apare una imagen donde se representa, instantneamente, los perfiles de minoritarios que hay en el nodo y en el ctodo, as como la anchura de la zona espacial de carga. El valor de los perfiles para x=0 (junto a la zona dipolar) se muestra tambin, as como el valor de los que penetra la zona dipolar en las zonas N y P del diodo. Debajo, para todo momento, aparece el estado en que se encuentra el diodo (Directa, Inversa o Disrupcin).

ocho botones que permiten configurar la apariencia de la zona de las funciones temporales y la simulacin temporal del applet. Los cuatro botones de la izquierda permiten ocultar o mostrar cada una de las grficas de las funciones. As se podr ocultar alguna de ellas si no se est interesado en ella en algn momento para centrarse en la evolucin y caractersticas de otras. Los cuatro botones de la derecha permiten variar la velocidad de simulacin. Con dos de ellos se puede acelerar o frenar la simulacin y con los tros dos se puede detener y avanzar paso a paso. El botn de siguiente paso slo estar activo cuando la simulacin est pausada.