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UNIVERSIDADE FEDERAL DE SO PAULO DEPARTAMENTO DE CINCIAS EXATAS E DA TERRA

Experimento 3: Determin !"o # Con$t nte #e P% n&'


A%(no$: Art)(r Con$(%in C (* Moreir Deni$e Mi+(no Eri&' A,i%

C(r$o: En-en) ri .(/mi& Di$&ip%in : F/$i& IV Pro01: S r )

Re$(mo A constante de Planck uma constante fundamental da natureza e para a Fsica Quntica. O presente estudo visa entender o princpio do funcionamento de diodos semicondutores e determinar a constante de Planck a partir de dados experimentais. Os valores obtidos foram 6 !".#$%&' (.s para o )*+ vermel,o e - '! #$%&' (.s para o verde resultando em um erro percentual de ## ./. *sse valor foi atribudo principalmente ao mtodo 0r1fico de obten23o do 4t,res,old 5ue n3o muito preciso. Alm disso outros fatores podem ter contribudo para o erro experimental como erros dos pr6prios e5uipamentos utilizados varia27es de temperatura arredondamentos numricos entre outros. 8o entanto foi perfeitamente possvel visualizar a varia23o da intensidade da corrente eltrica em fun23o de um aumento 0radual da tens3o submetida aos diferentes )*+s. +esse modo ap6s c1lculos e an1lises foi possvel concluir 5ue esses materiais realmente apresentam uma barreira potencial 5uando submetidos a um determinado potencial eltrico. 23 INTRODU4O TE5RICA A 5uantiza23o ou se9a a idia de 5ue o mundo natural 0ranular ao invs de um contnuo suave certamente n3o uma idia nova para a fsica. A matria 5uantizada: a massa de um ti9olo de ouro por exemplo i0ual a um n;mero m;ltiplo inteiro da massa de um ;nico 1tomo de ouro. A eletricidade 5uantizada pois uma car0a eltrica 5ual5uer sempre um n;mero m;ltiplo inteiro da car0a de um ;nico eltron. A fsica 5untica estabelece 5ue no micromundo do 1tomo a 5uantidade de ener0ia de 5ual5uer sistema 5uantizada < ou se9a nem todos os valores de ener0ia s3o possveis. A ener0ia de um feixe de luz laser 5ue um n;mero m;ltiplo inteiro de um ;nico valor mnimo de ener0ia < o quantum. Os 5uantas da luz e da radia23o eletroma0ntica em 0eral s3o os f6tons. A ener0ia de um f6ton dada por= * > ,.f ?*5. #@

Onde , a constante de Planck ?o n;mero resultante do 5uociente entre a ener0ia pela sua fre5ABncia@.

*la uma constante fundamental da natureza

5ue serve para

estabelecer um limite inferior para a pe5uenez das coisas. *la est1 em p de i0ualdade com a velocidade da luz e a constante universal da 0ravita23o neCtoniana como uma constante fundamental da natureza repetidamente na fsica 5untica. A *5. # expressa a menor 5uantidade de ener0ia 5ue pode ser convertida em luz de fre5ABncia f. A radia23o luminosa n3o emitida de maneira contnua mas como uma corrente de f6tons cada um deles vibrando com uma fre5ABncia f e transportando uma ener0ia i0ual a ,f. 6r70i&o I versus V A passa0em de corrente eltrica atravs de uma 9un23o p%n diretamente polarizada implica em libera23o de ener0ia devida D recombina23o de eltrons em abundncia na banda de condu23o no lado n da 9un23o com os buracos na banda de valBncia no lado p da 9un23o. 8esse processo os eltrons ao atin0irem a banda de condu23o no lado p decaem para a banda de valBncia atravs da barreira de ener0ia desi0nada por E0. 8os )*+Es essa ener0ia liberada na forma de ondas eletroma0nticas com fre5ABncias 5ue podem estar na faixa do visvel ou do infravermel,o para os )*+Es comumente encontrados em aplica27es comerciais ?como em indicadores de aparel,os eletrFnicos controles remotos etc@. Assumindo a ocorrBncia de recombina23o direta dos eltrons com os buracos atravs da 9un23o com toda a ener0ia envolvida sendo convertida em ener0ia do f6ton ent3o a se0uinte e5ua23o v1lida= ?*5. #@ onde h a constante de Planck e G a fre5ABncia da radia23o emitida. A diferen2a de potencial V aplicada ao )*+ na polariza23o direta aproximadamente constante corresponde D ener0ia ?por unidade de car0a@ fornecida aos eltrons para vencerem a barreira de ener0ia entre o lado n e o lado p existente inicialmente ?na ausBncia de tens3o aplicada@. H0ualando a ener0ia fornecida pela fonte de tens3o aos eltrons com a ener0ia da barreira temos portanto= e aparece

?*5. !@ Ie a ddp V fosse exatamente constante na polariza23o direta combinando%se as *5s. # e ! seria possvel assim a determina23o imediata da constante de Planck a partir das medidas de V e de G atravs da express3o= ?*5. &@ 8a pr1tica ocorrem outros efeitos na propa0a23o de corrente atravs do )*+ polarizado diretamente como a presen2a de uma resistBncia eltrica intrnseca ao diodo 5ue leva a curva IV a possuir uma por23o aproximadamente linear para tens7es bem acima do limiar de condu23o. Assim a determina23o de 5ual valor de V deve ser empre0ado na *5. ! al0o arbitr1ria. O mtodo mais empre0ado para a obten23o da constante de Planck corresponde a tra2ar uma reta tan0ente D por23o linear na parte final da curva IV obtendo%se por extrapola23o o valor Vext para o 5ual essa reta corta o eixo ,orizontal ?ve9a a Fi0. #@.

Fi-(r 2: Obten23o da tens3o 4ext a partir da curva H x 4. *sse valor de tens3o n3o pode ser diretamente empre0ado na *5. & mas a varia23o de Vext com a fre5ABncia G da radia23o emitida pelos )*+Es fornece uma rela23o linear a partir da 5ual a constante de Planck pode ser obtida ?*5. '@. ?*5. '@

83 O9:ETIVOS Os ob9etivos 0erais desse experimento foram obter os dados experimentais e compar1%los com valores calculados teoricamente desenvolvendo uma an1lise crtica de resultados da Fsica Quntica atravs da realiza23o do experimento relativo ao estudo da estrutura da matria. Alm disso o presente estudo foi realizado para entendermos o princpio de funcionamento de diodos semicondutores e determinar experimentalmente a constante de Planck. 33 MATERIAIS E M;TODOS 332 M teri i$ Jon9unto Kavalaro para constante de Planck: Fonte de Alimenta23o: ! Lultmetros: & conex7es de fio 4L com pinos bananas: & conex7es d fio PK com pinos bananas: J,ave li0a%desli0a.

338 M<to#o$ #@ Lontou%se o circuito envolvendo os materiais acima de acordo com a Fi0ura &.#. A fonte de alimenta23o foi re0ulada de modo 5ue n3o ultrapassasse &4JJ para n3o danificar a placa.

Fi0ura &.# < *s5uema do Jircuito *ltrico. !@ Apenas o )*+ vermel,o foi li0ado e atravs do potenciFmetro ac,ou%se uma tens3o inicial para as medi27es onde 91 ,avia corrente suficiente para medi23o. A tens3o foi variada inicialmente de $ ! 4 e ap6s a luz acender alterou%se para $ $! 4 anotando tanto os valores de tens3o como a intensidade da corrente medida no amperimetro. A tens3o m1xima foi determinada pelo 0iro completo do potenciFmetro. O procedimento foi repetido - vezes. &@ O procedimento ?!@ foi repetido usando o )*+ verde.

=3 RESULTADOS
Os dados de tenso e de corrente para o LED vermelho ( = 660nm) esto descritos na Tabela 1, sendo !e a tenso inicial "oi de 1,#0$ e depois disso a tenso "oi variada de 0,0%$& Tabela 1: $alores para potenciais el'tricos e intensidades da corrente el'trica re"erentes ao LED vermelho. Potencial (V) Intensidade (mA) 1,#0 1,#% 1,#( 1,#6 1,#) 1,60 1,6% 1,6( 1,66 1,6) 1,,0 0,010 0,010 0,0%0 0,0%) 0,0(0 0,060 0,0*6 0,1(0 0,%16 0,+%0 0,(6)

1,,% 1,,( 1,,6 1,,) 1,)0 1,)% 1,)( 1,)6 1,)) 1,*0

0,666 0,*+( 1,%*6 1,,6% %,(1% +,106 (,11) #,%#% 6,,#% ),0,1

- partir dos dados da tabela 1, constr!i!.se o se/!inte /r0"ico da intensidade de corrente el'trica em "!n1o da tenso aplicada atrav's do potenci2metro para o LED vermelho&

Figura 7: 3r0"ico com o comportamento apresentado pelo LED $ermelho - partir da "i/!ra ,, "oi "eita !ma e4trapola1o da reta m'dia na re/io ascendente do /r0"ico, isto ', na re/io !ando !ma pe !ena varia1o de tenso /era !ma elevada varia1o de intensidade el'trica, a !al pode ser vis!ali5ar na "i/!ra ), lo/o abai4o6

Figura 8: 3r0"ico representando a e4trapola1o da reta m'dia para o LED vermelho. 7om a e4trapola1o reali5ada, "oi poss8vel determinar o $threshold,=1,,*0$ - partir deste valor obtido e4perimentalmente e de valores te9ricos para o comprimento de onda da l!5 vermelha, para a velocidade da l!5 no v0c!o e para a !antidade de car/a el'trica presente em 1 el'tron, "oi poss8vel calc!lar o valor te9rico para a constante de :lanc; a partir da se/!inte e !a1o6 E $threshold = hc (E &6) <abendo ento6 1,6&10.1*&1,,*0&6,6&10.,=h&+,0&10) hvermelho= 6,%*&10.+( =&s O mesmo procedimento "oi repetido para o LED de colora1o verde ( = #,0nm)& - tenso inicial "oi de 1,)# $, as varia1>es "oram de 0,%& - tabela obtida est0 apresentada abai4o6 Tabela 2: $alores para potenciais el'tricos e intensidades da corrente el'trica re"erentes ao LED verde Potencial (V) 1,60 1,,1 1,,+ 1,,# 1,,, 1,,* 1,)1 1,)+ 1,)# 1,), 1,)* 1,*1 1,*+ 1,*# 1,*, Intensidade (mA) 0 0,0+( 0,0#6 0,0)) 0,1+( 0,%16 0,+#6 0,#,0 0,)10 1,%%6 1,6,) %,%#0 +,00( +,,#6 (,6*% !e , , ,
threshold

temos

- partir da tabela %, "oi constr!8do o se/!inte /r0"ico da intensidade de corrente el'trica em "!n1o da tenso aplicada atrav's do potenci2metro para o LED verde&

Figura 9: 3r0"ico com o comportamento apresentado pelo LED $erde - partir da "i/!ra *, "oi "eita !ma e4trapola1o da reta m'dia na re/io ascendente do /r0"ico, a !al pode ser vis!ali5ar na "i/!ra 10, lo/o abai4o6

Figura 1 : 3r0"ico representando a e4trapola1o da reta m'dia para o LED verde 7om a e4trapola1o reali5ada na "i/!ra 10, "oi poss8vel determinar $threshold,=1,,)# - partir deste valor e com os valores te9ricos apresentados no calc!lo anterior temos !e6 e $threshold,=?7 1,6&10.1*&1,,)#&#,,&10.,=h&+,0&10) hverde= #,(%&10.+( =&s - partir dos valores obtidos para a constante de :lanc; pelos LED@s vermelho e verde, "oi calc!lado !m valor m'dio para a mesma, o !al "oi de6

(E & ,)

=0 o valor te9rico para a constante de :lanc;, como mencionado no item % do presente relat9rio '6

7onse Aentemente, o erro percent!al "oi estimado a partir da se/!inte "9rm!la6

>3 DISCUSSO Atravs das 5uest7es apresentadas neste relat6rio foi possvel obter informa27es sobre al0uns fundamentos desta pr1tica como= 9un27es p%n e )*+s. Fundamentalmente )*+s s3o semicondutores 5ue ap6s receberem certa 5uantidade de ener0ia emitem luz. 8o experimento a an1lise de dois )*ds ?vermel,o e verde@ permitiu a obten23o da constante de Planck atravs da utiliza23o de um 0r1fico de corrente versus tens3o e obten23o do valor de 4t,res,old. *m uma 9un23o p%n ocorre uma corrente de difus3o 5ue cria uma re0i3o de ons positivos e ne0ativos separados < re0i3o de deple23o. 8esta re0i3o sur0e um campo eltrico devido a esses ons o 5ue 0era uma barreira de potencial. Ap6s a supera23o desta barreira observa%se uma re0i3o onde um pe5ueno aumento na tens3o aplicada no diodo n3o 0era 0randes modifica27es na intensidade da corrente eltrica. O potencial mnimo para ultrapassar a barreira de potencial o 4 t,res,old 5ue foi obtido pelos 0r1ficos das fi0uras M e #$. Iabendo o valor real de , > 6 6!6#. #$%!' (.s o erro calculado foi de ## . /. Kal erro pode ser considerado pe5ueno e aceit1vel e pode ter ocorrido devido a erros dos pr6prios e5uipamentos utilizados varia27es de temperatura arredondamentos numricos entre outros fatores. Alm disso o mtodo 0r1fico para determinar valor de 4 t,res,old n3o muito preciso uma vez 5ue a reta 5ue o determina pode variar mantendo%se visualmente tan0ente a curva. ?3 .UEST@ES .(e$t"o 2 De$&re, B(n!"o pCn3 A 9un23o de semicondutores do tipo p ?lacunas@ com semincondutores do tipo n?eltrons@ forma uma juno p-n. 8a 9un23o dos materiais ,1 um 0radiente de concentra27es. As lacunas do lado p fluem inicialmente para o lado n da 9un23o en5uanto os eltrons fluem inicialmente para o lado p. #e m neir $(&int o A(e < e &omo oper (m

A zona de deple23o uma zona vazia de portadores livres aonde existem apenas ons positivos e ne0ativos. 8esta zona as lacunas combinam%se com os eltrons e vice%versa. +entro da zona de deple23o existe um forte campo eltrico *. 8a 9un23o os eltrons portadores da parte 8 tendem a ocupar buracos na parte P deixando esta com um potencial ne0ativo e a parte 8 com um potencial positivo e assim formando uma barreira potencial 4o. Assim a polaridade da barreira de potencial mantm os eltrons na parte 8 e os buracos na parte P.

.(e$t"o 8 D .( i$ $ prin&ip i$ & r &teri$ti& $ #e (m #io#o &on$tr(i#o p rtir #e (m B(n!"o pCnE Como < $( &(r, & r &teri$ti& E O diodo um dispositivo constitudo por uma 9un23o p%n. +este modo o fluxo da corrente apenas em um ;nico sentido ?polariza23o direta@ e se ade5uadamente polarizada blo5ueia a corrente 5uando a polaridade da tens3o for invertida ?polariza23o reversa@.

Fi-(r 8: Nepresenta23o de um diodo semicondutor e suas caractersticas. O modelo mais simples do diodo considera%o como sendo uma c,ave 5ue controlada pela tens3o aplicada no diodo. Ie a tens3o positiva a c,ave fec,a se ne0ativa a c,ave abre. O diodo se comporta de forma ideal. A fi0ura a se0uir mostra a curva caracterstica do diodo ideal=

Fi-(r 3: Jurva caracterstica de um diodo construdo a partir de uma 9un23o p%n.

Ie um potencial externo 4 O 4o for aplicado o potencial de barreira ser1 5uebrado e a corrente ser elevada pois existem muitos eltrons em 8. +iz%se ent3o 5ue a 9un23o est1 diretamente polarizada. 8o caso de inversamente polarizada o potencial de barreira ser1 aumentado impedindo ainda mais a passa0em de eltrons e a corrente ser pequena. 8a realidade para a condu23o ocorrer o potencial 4 deve ser um mnimo superior ao da barreira. Para diodos de 0ermnio esse valor cerca de $ & 4. Para diodos de silcio $ . 4.

A f6rmula se0uinte expressa a rela23o da corrente no diodo com a tens3o e outras 0randezas fsicas= H > H$ ?e54PkK % #@ Onde= H= corrente no diodo ?A@: H$= corrente de satura23o ?A@: 5= car0a do eltron ?Q # 6 #$%#" J@: ?*5. -@ 4= tens3o aplicada em volts ?4@: k= constante de Roltzmann ?Q # &M #$%!& ( PS@: K= temperatura da 9un23o ?S@.

A curva caracterstica de um diodo tanto em polariza23o direta 5uanto inversa dada por=

Fi-(r =: Jurva caracterstica de um diodo tanto em polariza23o direta 5uanto inversa.

.(e$t"o 3 D O A(e < (m LEDE Como 0(n&ion (m LEDE De A(e $"o 0eito$ o$ LEDF$E O )*+ um componente eletrFnico semicondutor ?9un23o P%8@ ou se9a um diodo emissor de luz ?)*+ < Light Emitting Diode@ 5ue 5uando ener0izado emite luz visvel. A luz n3o monocrom1tica ?como em um laser@ mas consiste de uma banda espectral relativamente estreita e produzida pelas intera27es ener0ticas do eltron. O processo de emiss3o de luz pela aplica23o de uma fonte eltrica de ener0ia c,amado eletroluminescBncia. *m 5ual5uer 9un23o

P%8 polarizada diretamente dentro da estrutura pr6ximo D 9un23o ocorrem recombina27es de lacunas e eltrons. *ssa recombina23o exi0e 5ue a ener0ia possuda por esse eltron 5ue at ent3o era livre se9a liberada o 5ue ocorre na forma de calor ou f6tons de luz.

Fi-(r >: Nepresenta23o de um )*+. A cor emitida pelo )*+ depende da composi23o do cristal e da impureza de dopa0em 5ue o cristal e fabricado. O )*+ 5ue utiliza ArsBnio de T1lio emite radia27es infra%vermel,os: dopando com f6sforo a emiss3o pode ser vermel,a ou amarela dependendo da concentra23o: usando fosfeto de 01lio com dopa0em em nitro0Bnio a luz emitida pode ser verde ou amarela: ,o9e em dia fabrica%se leds 5ue emitem luz azul violeta e at ultra%violeta. *xistem tambm os leds brancos mas esses s3o 0eralmente leds emissores de cor azul revestidos com uma camada de f6sforo do mesmo tipo usado nas lmpadas fluorescentes 5ue absorve a luz azul e emite a luz branca. Jom o e devem barateamento do pre2o seu alto rendimento e sua 0rande durabilidade esses leds tornam%se 6timos substitutos para as lmpadas comuns substitu%las a mdio ou lon0o prazo.

G3 CONCLUSO 8o presente experimento para a determina23o da constante de Planck foram usados dois diodos emissores de luz ?)*+@ os 5uais s3o uma classe dos diodos semicondutores um vermel,o e outro verde. Para o )*+ vermel,o obteve%se uma constante de Planck da ordem de 6 !".#$ %&' (.s 91 para o )*+ verde o valor foi de - '! #$%&' (.s. O erro percentual mdio envolvido no experimento foi de ## ./. Apesar dos erros cometidos foi possvel visualizar com sucesso o comportamento dos diodos semicondutores isto a varia23o do aumento da intensidade da corrente eltrica em fun23o de um aumento caracterstico da volta0em submetida ao )*+ em estudo. Jonse5uentemente foi possvel visualizar e analisar 0r1ficos caractersticos de diodos semicondutores e c,e0ar D conclus3o 5ue estes materiais realmente apresentam uma barreira potencial causado devido D re0i3o de deple23o 5uando s3o submetidos a uma 9un23o isto 5uando s3o submetidos a um certo potencial eltrico

H3 REFERNCIAS 9I9LIO6RIFICAS U#V ,ttp=PPCCC.lsi.usp.brPWeletroniPmiltonPtiposd.,tm U!V ,ttp=PPaulasel0.br.tripod.comPAulaX".pdf U&V ,ttp=PPCCC.directli0,t.com.br U'V ,ttp=PPCCC.dra0team.infoPforumPelectronica%manuaisPM"&%o%5ue%sao%e%como% funcionam%os%leds.,tml U-V Atkins P.: de Paula (ulio Fsico%5umica 4ol. # oitava edi23o *ditora= )KJ !$$M