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).x. vvv. x.v. :ooo .xo xii, x ,-,, ix1vcv.

1o 49
Crescimento epitaxial por feixe molecular:
Da fsica ao dispositivo
s.xnvo x.v1ixi*
)uiio cvs.v iuccui**
.xcvio vnu.vno n.11is1ixi x.vquvs***
1ox.s vvixssox i.x.s****
x.vcvio ).con n. siiv.*****
.i.ix .xnvv quivs******
Resumo Neste artigo apresentamos os aspectos fundamentais da epitaxia por feixe molecular. Essa
tcnica de crescimento de filmes semicondutores uma das mais importantes na fabricao de dispositivos
eletrnicos e optoeletrnicos de alto desempenho. Apresentamos tambm o funcionamento e a confeco
de um diodo emissor de luz e de um laser.
Palavras-chave semicondutores, lasers, dispositivos semicondutores.
Title Epitaxial Growth Through Molecular Bundle: from Physics to Device
Abstract This article presents the essential aspects of epitaxy through molecular bundle. This technique
for the growing of semi-conductors films is one of the most important in the production of high efficiency
electronic and opt-electronic devices. We also present the working and making of a diode emitting light,
and of a laser.
Keywords semi-conductors, lasers, semi-conducting devices.
Data de recebimento: 15/12/2004.
Data de aceitao: 28/01/2005.
As instituies diretamente envolvidas com este trabalho so a
Faculdade de Tecnologia e Cincias Exatas da USJT, pelo seu
Ncleo de Pesquisa em Microeletrnica e Dispositivos
Eletropticos (Caixa Postal 66318, CEP 05315-970, So Paulo) e o
IF-USP, pelo seu Laboratrio de Novos Materiais
Semicondutores (Caixa Postal 66318, CEP 05315-970, So Paulo).
* Engenheiro eltrico pela USJT, mestre e doutor pelo IF-USP;
atualmente professor de Fsica II na USJT.
Email: prof.martini@usjt.br.
** Engenheiro eltrico pela Escola de Engenharia Mau,
mestre e doutor pelo ITA; atualmente o coordenador dos
cursos de Engenharia Eltrica e Computao da USJT.
I. ix1vonu1o
No h duvida de que no fim do sculo XX a
humanidade pde presenciar uma fantstica
revoluo tecnolgica. Tal revoluo, que pros-
segue, tem mudado completamente nossas vidas,
do ponto de vista das relaes sociais, econmi-
cas e at mesmo morais. Hoje somos rodeados
de mquinas e equipamentos que vm desempe-
nhando um papel decisivo em nosso cotidiano.
*** Engenheiro eltrico pela EE-Mau, mestre e doutor pela
EP-USP; atualmente professor de Materiais Eltricos,
Eletrnica e Princpios da Comunicao na USJT.
**** Fsico, mestre e doutor pelo IF-USP; atualmente ps-
doutor no Laboratrio de Novos Materiais Semicondutores do
IF-USP.
***** Fsico pela Unesp, mestre e doutor pelo IF-USP;
atualmente trabalha na Siemens, na Alemanha.
****** Fsico pela Universidade Livre de Bruxelas e doutor
pelo Instituto Max Planck; atualmente docente no IF-USP.
comum ouvir o entusiasmo das pessoas dizendo
que no seria mais possvel viver sem os minsculos
telefones celulares ou passar horas sem utilizar a
Internet. Deixando de lado os exageros e os modis-
mos, os benefcios gerados pela tecnologia so
de fato surpreendentes. Seria exaustivo enumerar
aqui todas as grandes conquistas alcanadas pelo
homem nestes ltimos 50 anos graas aos avan-
os da cincia.
Todo esse avano, porm, teve como principal
pilar uma grande descoberta: o transistor. Esse
dispositivo eletrnico, inventado por Shockley,
Bardeen e Brattain em 1947 (BRATTAIN, 1968), a
50 ix1vcv.1o x.v1ixi . Feixe molecular
pea fundamental de qualquer circuito eletrnico.
O transistor dispositivo eletrnico que funciona
como uma chave eltrica (liga-desliga) ou como
um amplificador. Com a inveno do circuito inte-
grado por Jack Kilby e Robert Noyce (NOYCE, 1977,
p. 63), foi possvel integrar milhes de transisto-
res em um nico substrato de silcio. Isto possibi-
litou a evoluo da tecnologia digital.
A parte vital na descoberta do transistor, con-
tudo, foi a utilizao de materiais semicondu-
tores. Os materiais semicondutores apresentam
condutividade eltrica entre a dos isolantes e a dos
metais. Nos semicondutores, porm, a condutivi-
dade pode ser drasticamente alterada pela pre-
sena de impurezas, ou seja, tomos diferentes dos
que compem o cristal puro. esta propriedade
que possibilita a fabricao de uma variedade de
dispositivos eletrnicos (transistores e diodos) e
optoeletrnicos (diodos emissores de luz [Light
Emission Diode, LED], fotodiodos e lasers).
A confeco desses dispositivos semicondu-
tores depende, porm, quase exclusivamente de
modernas tcnicas de crescimento de materiais que
sejam capazes de produzir estruturas semicon-
dutoras de alta qualidade. Entre as mais impor-
tantes tcnicas de crescimento utilizadas para tais
fins, destaca-se a epitaxia por feixe molecular
(Molecular Beam Epitaxy, MBE; cf. HERMAN &
SITTER, 1996). A tcnica MBE comeou a ser desen-
volvida no inicio dos anos 70 nos Estados Unidos,
e ao longo desses anos tornou-se um equipamento
essencial para a pesquisa e o desenvolvimento de
dispositivos semicondutores. O excelente controle
da espessura, composio e dopagem na escala at-
mica oferecido por essa tcnica permitiu o desen-
volvimento de uma nova gerao de dispositivos.
Entre estes, podemos citar os transistores de alta
mobilidade eletrnica (High Electron-Mobility
Transistor, HEMT), lasers de poos qunticos
(Quantum-Well Laser, QWL) e diodos de tunela-
mento ressonante (Resonant-Tunneling Diode, RTD).
A concepo de novos dispositivos tambm se
deve capacidade com que o crescimento epitaxial
pode produzir estruturas semicondutoras arti-
ficiais que apresentam uma excelente qualidade
cristalina. At um passado recente, o Si (silcio) e o
Ge (germnio) eram os materiais exclusivamente
escolhidos na fabricao de dispositivos. Hoje,
porm, o GaAs (arseneto de glio), o InAs (arseneto
de ndio), o InP (fosfeto de ndio), o GaN (nitreto
de glio), o CdTe (teruleto de cdmio), bem como
as ligas ternrias (InGaAs, AlGaAs, InGaN, etc.) e
quaternrias (AlGaAsP, InGaAsP, etc.) destes
compostos e de muitos outros das famlias III-V,
II-VI e IV-IV (ver Figura 1) tornaram-se o objeto
de inmeros estudos na rea da fsica de disposi-
tivos semicondutores.
A proposta deste artigo de reviso apresentar
os conceitos bsicos sobre essa importante tcnica
de crescimento de materiais semicondutores. Sero
discutidos os aspectos fundamentais do processo
de crescimento e, alm disso, ser feita a descrio
de como um dispositivo ptico pode ser cons-
trudo a partir dela.
:. o quv v o cvvscixvx1o vvi1.xi.i
vov vvixv xoivcui.v:
A epitaxia por feixe molecular uma tcnica de
crescimento de cristais, a partir da evaporao
de elementos em um ambiente de ultra-alto vcuo
(10
-10
Torr, ou seja, 10
13
vezes menor que a pres-
so atmosfrica). O termo epitaxia derivado da
palavra grega epitaxis (epi = sobre, taxis = arranjo),
designa, portanto, o crescimento de um cristal, que
Figura 1: Disposio dos elementos qumicos das colunas 2B, 3A,
4A, 5A e 6A na Tabela Peridica.
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possuir a mesma estrutura cristalina do mate-
rial sobre o qual est sendo crescido (substrato).
O ambiente de ultra-alto vcuo assegura a integri-
dade dos feixes incidentes durante o crescimento
e limita os nveis de impurezas no intencionais
que eventualmente possam ser incorporadas nas
amostras durante o processo de formao do
filme. A Figura 2 ilustra uma cmara de cresci-
mento tpica de um sistema MBE.
Com essas caractersticas, a tcnica MBE
capaz de produzir camadas monocristalinas com
preciso atmica, permitindo a confeco de nano-
estruturas (da ordem de 10
-9
m) semicondutoras
capazes de suprir as demandas tecnolgicas dos
dispositivos microeletrnicos e optoeletrnicos
modernos. A produo e o desenvolvimento
desses dispositivos motivaram a utilizao do
MBE no crescimento dos mais variados tipos de
compostos cristalinos.
para o crescimento, a presso de vapor dos ele-
mentos V muito maior que a dos elementos III e,
conseqentemente, a temperatura de evaporao
do GaAs adequada para a produo do feixe de
arsnio (As) , em geral, insuficiente para a pro-
duo do feixe de glio (Ga) num crescimento
estequiomtrico. A primeira tentativa bem-suce-
dida de obter-se feixes de As e Ga adequados ao
crescimento estequiomtrico do composto GaAs
foi realizada por Gnther em 1958 (GNTHER,
1958, p. 1081). No mtodo de Gnther, os feixes de
As e Ga no eram obtidos a partir do composto
GaAs, mas sim a partir de cargas individuais de
As e Ga puros. Assim, no crescimento do GaAs, a
carga de As era mantida em uma temperatura T
1
,
a carga de Ga em uma temperatura T
2

e o substrato
em uma temperatura intermediria T
2
, criando
uma maneira eficiente de obter-se a razo de
fl uxos V/III adequada. A tcnica criada por
Gnther freqentemente chamada de mtodo
das trs temperaturas. Com essa tcnica, ele foi
capaz de obter o crescimento estequiomtrico de
uma srie de compostos III-V binrios e ternrios.
Como, porm, os filmes foram depositados sobre
substratos de vidro, as camadas crescidas torna-
ram-se policristalinas. O crescimento de compos-
tos III-V monocristalinos pelo mtodo das trs
temperaturas s foi obtido em 1968 por Davey e
Pankey (DAVEY & PANKEY, 1968, p. 1941), aps
uma grande evoluo das condies de vcuo do
crescimento e da produo de substratos mono-
cristalinos de GaAs. Assim, o mtodo de Gnther,
aperfeioado pelo desenvolvimento das condies
de vcuo, pela fabricao de substratos monocris-
talinos e pela produo de feixes puros e uniformes,
deu origem tcnica que hoje se denomina MBE.
,. vvocvssos vsicos
No processo de crescimento, o substrato e todas as
espcies qumicas (As, Ga, In, etc.) dirigidas sua
superfcie esto em diferentes temperaturas. Poder-
se-ia, portanto, esperar que a formao de um
filme sempre ocorra muito fora do equilbrio
trmico. Por outro lado, apesar das diferenas
iniciais de temperatura, a formao do material
cristalino precedida por um nmero imenso de
A primeira tentativa de se produzir estruturas
de compostos semicondutores III-V, em meados
da dcada de 50, empregou o mtodo da evapora-
o, em que a estrutura era obtida a partir da
evaporao dos prprios compostos III-V que a
integrariam. Por exemplo, uma interface GaAs-
AlAs era obtida pela evaporao do composto
GaAs seguida da evaporao do composto AlAs.
No entanto, nas temperaturas nas quais a evapo-
rao produz um transporte de massa suficiente
Figura 2: Interior de uma cmara de crescimento tpica de um
sistema MBE. Dentro das clulas de efuso ficam os elementos
qumicos (Ga, In, Al, As, por exemplo) que so aquecidos em
temperaturas especificas. Em frente s clulas est o porta-
substrato que recebe os feixes moleculares provenientes das
clulas de efuso. Os obturadores podem interromper os fluxos
sobre a superfcie do substrato. Todo esse ambiente mantido
em ultra-alto vcuo por bombas de vcuo especiais
52 ix1vcv.1o x.v1ixi . Feixe molecular
processos cinticos de superfcie que podem
promover a acomodao trmica das espcies, ou
seja, os tomos e molculas adsorvidos sobre o
substrato podem trocar energia entre si, e com a
superfcie, aproximando o sistema do equilbrio
termodinmico, e s ento serem incorporados.
Estima-se (HERMAN & SITTER, 1996) que um tomo
de Ga sobre um substrato de GaAs a 600
o
C possa
realizar aproximadamente 1 milho de trocas
entre stios antes de ser incorporado definitiva-
mente no cristal, o que proporciona uma oportu-
nidade adequada para que o sistema aproxime-se
de um estado isotrmico de mais baixa energia.
Assim, a diferena entre um filme em crescimento
alcanar um estado prximo ao equilbrio ou
permanecer esttico muito longe do equilbrio
est relacionada com a habilidade dos tomos
incidentes sobre o substrato em alcanar os stios
energeticamente mais favorveis para sua incor-
porao. A eficincia com a qual os processos
cinticos (adsores fsica e qumica, dissociao
de espcies moleculares, migrao etc.) podem
aproximar o sistema do equilbrio depende das
condies de crescimento (fluxos incidentes, tempe-
ratura do substrato) e da natureza do sistema (tipo
de substrato, orientao do substrato, acordo de
parmetro de rede entre o substrato e o filme
crescido etc.). Crescimentos sob condies muito
diferentes implicam diferenas relevantes nas taxas
dos processos cinticos envolvidos e, desse modo,
tendem a resultar em diferenas significativas
(quanto topografia, composio qumica etc.)
no filme crescido. Dentro desse contexto, podem-
se estabelecer as seguintes etapas para uma descri-
o da cintica envolvida no crescimento MBE
(MADHUKAR & GHAISAS, 1988):
Incidncia aleatria de tomos e/ou mol-
culas sobre o substrato;
Adsoro fsica das espcies;
Migrao sobre a superfcie das espcies
adsorvidas;
Possvel evaporao (desadsoro) de parte
do material adsorvido;
Adsoro qumica;
Migrao sobre a superfcie de espcies
quimisorvidas;
Possvel evaporao (desadsoro);
Incorporao no cristal.
A Figura 3 ilustra esquematicamente tais pro-
cessos. Ao alcanar a superfcie do substrato, um
tomo (ou molcula) incidente tende a perder
parte de sua energia com excitaes trmicas ou
eletrnicas dos tomos da superfcie do cristal. Se
uma quantidade suficiente de energia perdida, o
tomo pode acomodar-se superfcie, atingindo
o estgio de adsoro fsica. Nesse caso, o tomo
encontra-se ligado superfcie por meio de foras
fracas do tipo Van der Waals causadas pela atrao
coulombiana do tomo adsorvido com os tomos
Figura 3: Ilustrao esquemtica dos principais processos
cinticos presentes durante o crescimento epitaxial
da superfcie. O tipo de potencial de interao ao
qual o tomo incidente est sujeito ao aproximar-
se da superfcie est ilustrado na Figura 4, em que
E
a
representa a energia de adsoro. A fraca inte-
rao do estado fisisorvido permite uma grande
mobilidade das espcies sobre a superfcie. Difun-
dindo sobre o substrato, o tomo adsorvido pode
interagir basicamente de duas maneiras: (a) rece-
ber energia de outras espcies mveis e eventual-
mente desligar-se da superfcie (desadsoro) ou
(b) perder ainda mais energia, ligando-se quimi-
camente superfcie. No ltimo caso, o estgio de
adsoro qumica atingido, e o tomo passa a
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ligar-se superfcie por meio de uma energia bem
maior que a presente no estado fisisorvido. Um
tomo quimisorvido ainda pode migrar sobre a
superfcie, porm, o movimento agora afetado
pelo estado da superfcie (composio qumica,
reconstruo, orientao etc.) e pela disposio dos
stios de incorporao (presena de degraus, de-
feitos etc.). As chances de um tomo adsorvido qui-
micamente desadsorver-se menor por causa de
sua maior energia de ligao, e, portanto, a maior
parte das espcies nesse estgio tende a ser defini-
tivamente incorporada ao final do crescimento de
uma monocamada completa. Essa representao
conceitual do crescimento bastante genrica e
delineia os principais processos cinticos envolvi-
dos na cristalizao de materiais a partir do estado
gasoso sobre a superfcie de um slido, sendo
vlida para muitos materiais e sistemas.
. nisvosi1ivos v1icos v.nvic.nos
vov xnv
Desde o incio da telecomunicao por fibras
pticas, os LEDs e lasers semicondutores emitindo
na regio do infravermelho foram adotados como
a melhor fonte para a converso de sinais eltricos
em pticos. Alm da compatibilidade de tamanho
com as fibras pticas, uma srie de outros fatores,
como a potncia luminosa, facilidade de modula-
o, longa vida til e baixo custo, contriburam
para o sucesso destes dispositivos.
Tanto os lasers de emisso lateral quanto os
LEDs tm a mesma estrutura epitaxial, constituda
basicamente por uma juno p-n, que pode ser
definida da maneira mais simples como uma
camada do tipo p em contato com uma camada
do tipo n de um mesmo material (como em um
diodo), formando o que chamado de homoes-
trutura. Quando estas duas camadas so postas
em contato, os buracos presentes na camada do
tipo p tendem a difundir na camada do tipo n,
enquanto os eltrons livres da camada do tipo n
difundem na camada do tipo p (ver Figura 5).
Esta difuso de portadores ocorre em uma regio
muito prxima juno e deixa ons aceitadores
N
A
-
no lado p e ons doadores N
D
+
no lado n. A
interao destes ons cria um campo eltrico
interno que define uma regio de depleo de
cargas que representa uma barreira passagem
dos portadores. Com a aplicao de uma volta-
gem externa positiva nesse diodo (ou seja, o poten-
cial positivo do lado p em relao ao lado n), este
campo eltrico interno reduzido, tornando pos-
svel a passagem de eltrons e buracos atravs da
juno. Estes eltrons e buracos, para um mate-
rial de gap direto, recombinam radiativamente
gerando ftons com energia prxima do gap do
Figura 4: Potencial de Van der Waals ao qual se submete um tomo
ou molcula que atinge a superfcie do substrato
Figura 5: Diagrama mostrando uma juno p-n no polarizada.
A figura superior mostra uma situao em que as camadas p e n
esto em contato, mas ainda no atingiram o equilbrio.
Embaixo, a juno j no equilbrio com a formao dos ons
NA- e ND+
material usado na juno. A emisso obtida desta
forma denominada espontnea, e os ftons
gerados so emitidos em direes aleatrias e
sem nenhuma relao de fase entre si. A emisso
54 ix1vcv.1o x.v1ixi . Feixe molecular
espontnea a caracterstica principal dos LEDs,
que so os dispositivos optoeletrnicos mais
simples. Em termos tcnicos, seu processamento
no requer cuidados especiais, bastando realizar
contatos eltricos nas camadas p e n para a injeo
de corrente. A emisso da luz pode ocorrer pelas
bordas ou pela superfcie do dispositivo, conforme
o tipo de estrutura e processamento usados. Sua
aplicao principal d-se na construo de displays
e iluminao (no caso de LEDs emitindo no espec-
tro visvel), na transmisso de dados por fibras
pticas em curtas distncias e controles remotos.
Diferentemente de um LED, um laser tem como
caractersticas principais a emisso de um feixe
de luz monocromtico (um nico comprimento
de onda) e coerente (todos os ftons em fase), o
que pode ser obtido por meio da emisso estimu-
lada. A Figura 6 ajuda a entender a diferena entre
a emisso espontnea e a estimulada. A emisso
espontnea ocorre devido simples recombinao
de um eltron no nvel de energia E
I
com um
buraco no nvel E
:
> E
I
, emitindo um fton com
energia E
:
- E
I
= hn
I:
(Figura 6.b). Cada um dos
ftons emitidos pela recombinao de diferentes
pares eltron-buraco no ter nenhuma relao
de fase com os outros. Este pode ser considerado
um caso oposto da absoro (Figura 6.a), na qual
um fton promove um eltron do estado funda-
mental ao estado excitado. A incidncia, porm,
de um fton de energia h
I:
pode estimular a
transio do eltron do estado excitado para seu
estado fundamental, emitindo outro fton com
a mesma energia h
I:
, mesma fase e direo de
propagao do fton incidente (Figura 6.c). Este
o processo chamado de emisso estimulada. Esta
emisso monocromtica, uma vez que cada
fton emitido tem precisamente a energia h
I:
do
fton original, e coerente, pois todos os ftons
Figura 6: Os trs processos bsicos de transio entre dois nveis de energia. O ponto preto indica o nvel de
energia no qual se encontra o eltron. A condio inicial e final encontra-se na coluna da esquerda e e na da
direita, respectivamente. Em (a) est a representao da absoro, em (b) a emisso espontnea e (c) a emisso
estimulada. Figura extrada da referncia 1
).x. vvv. x.v. :ooo .xo xii, x ,-,, ix1vcv.1o 55
so emitidos em fase. Para que a emisso estimu-
lada domine os demais processos de transio,
necessrio haver uma alta densidade de ftons
(uma vez que estes so os precursores da emisso)
e uma elevada populao de eltrons (SZE, 1985)
no estado excitado (caso contrrio, qualquer fton
incidente sofreria absoro). O fenmeno que d
origem a esta segunda condio chamado de
inverso de populao e um termo que tem ori-
gem no fato de a populao de eltrons ser, em
condies normais, sempre mais elevada no esta-
do fundamental que no estado excitado, j que
dada pela expresso
3,5), respectivamente. Apenas os ftons com inci-
dncia perpendicular a estes espelhos sero refle-
tidos na mesma direo e participaro novamente
do processo de emisso estimulada, dando origem
a uma direo de propagao caracterstica que
contribui para a colimao do feixe. As faces
laterais do dispositivo devem ser processadas de
forma que seja impedida qualquer reflexo na
direo perpendicular emisso do feixe. Essa a
estrutura usualmente chamada de cavidade de
Fabry-Perot, e os lasers processados desta forma
so chamados de lasers de emisso lateral.
O desempenho de um laser como um todo
pode ser quantificado por meio de sua corrente de
limiar (threshold), que definida como a mnima
corrente necessria para que ocorra a emisso da
luz laser. Para baixas correntes, a emisso espon-
tnea, e o laser comporta-se como um LED. Isso
pode ser explicado pelo reduzido nmero de ftons
presentes na cavidade, sem os quais a emisso esti-
mulada no ocorre. Conforme a corrente aumen-
ta, maior o nmero de recombinaes e maior a
concentrao de ftons que so em parte confina-
dos na cavidade pela ao dos espelhos. A partir
do valor de corrente de limiar, o aumento da
concentrao de ftons maior que as perdas
ocorrendo na cavidade (seja por absoro no
material ou por ineficincia dos espelhos), fazen-
do com que a emisso estimulada torne-se mais
favorvel que os outros processos de recombi-
nao, gerando a luz laser (ver Figura 7.f ). Os
primeiros lasers de emisso lateral remontam ao
incio da dcada de 60 e eram feitos a partir de
uma simples juno p-n de GaAs (AGRAWAL &
DUTTA, 1993). Estes lasers tinham uma corrente
de limiar muito elevada (da ordem de 50 kA/
cm
2
), gerando um acentuado aquecimento, o que
impedia sua operao na temperatura ambiente.
Poucos anos depois, Alferov e colaboradores
(ALFEROV et al., 2001) sugeriram que o desempe-
nho destes lasers poderia ser melhorado se uma
fina camada de menor gap (chamada camada ati-
va) fosse inserida entre uma juno p-n constitu-
da por duas camadas com maior gap de energia
(camadas confinantes), formando o que se chama
de heteroestrutura dupla, como ilustrado na Figu-
ra 8. Com esse tipo de laser foi possvel baixar a
N N
E E
k T
B
2 1
2 1
=

exp
em que N
1
e N
2
so as populaes de tomos nos
estados de energia E
1
e E
2
, respectivamente, kB a
constante de Boltzmann e T a temperatura abso-
luta. Considerando E
2
> E
1
, a populao N
2
pre-
sente no estado de mais alta energia ser sempre
inferior quela presente em E
1
. Em uma
homojuno como a da Figura 7.a, a emisso de
luz laser pode ser obtida com o aumento da tenso
aplicada juno, o que ocasiona uma maior inje-
o de portadores e a inverso de populao (ver
Figura 7.d). No entanto, alm do aumento da
injeo de portadores, um outro fator extrema-
mente importante para o funcionamento de um
laser a realimentao ptica por meio da qual
pode-se efetivamente aumentar a densidade de
ftons. Em lasers de emisso lateral isto reali-
zado mediante o uso de espelhos perpendiculares
juno, como mostra a Figura 7.e. A forma mais
simples de obteno destes espelhos pela clivagem
do cristal semicondutor, gerando uma refletivi-
dade R de aproximadamente 30%, como mostra
a frmula:
R
n n
n n
semicondutor ar
semicondutor ar
=

+


2
0 3 ,
na qual nar e nsemicondutor so os ndices de
refrao do ar (= 1) e do semicondutor (GaAs =
56 ix1vcv.1o x.v1ixi . Feixe molecular
corrente de limiar at 0,5 kA/cm
2
, ou seja, duas
ordens de magnitude em relao ao dispositivo
original. Existem duas razes fsicas para o melhor
desempenho dos lasers de heteroestrutura. As
camadas com maior gap de energia tm um menor
ndice de refrao, fazendo com que a camada
ativa atue como um guia de ondas. O confinamen-
to proporcionado por este guia reduz as perdas
internas que ocorreriam devido ao espalhamento
da luz. Alm disso, o menor gap de energia da
camada ativa favorece a transferncia de eltrons
e buracos, tornando maior o nmero de recom-
binaes especificamente nesta regio.
Os lasers de heteroestrutura representaram uma
revoluo na rea, sendo os primeiros a sarem dos
laboratrios e serem efetivamente usados em
diversas aplicaes.
O desenvolvimento da tcnica MBE permitiu
o crescimento de heteroestruturas com dimenses
prximas do comprimento de onda de De
Broglie dos portadores, dando origem a efeitos de
confinamento muito interessantes. A mais simples
destas estruturas o poo quntico, formado ao
crescermos uma fina camada (com espessura da
ordem de dezenas de angstrons, ou seja, 10
-10
m)
de um material semicondutor entre duas cama-
das mais espessas de um segundo material com
gap de energia maior, causando um confinamento
de portadores na direo do crescimento. A solu-
o da equao de Schrdinger mostra que o
Figura 7: (a) Esquema de uma homojuno, seguida do respectivo diagrama de bandas de energia em trs situaes distintas: (b) em
equilbrio, (c) com uma pequena tenso direta Vf e (d) com uma tenso direta alta o bastante para ocasionar a inverso de populao.
Em (e) se encontra um esquema de um laser de emisso lateral baseado em uma homojuno com duas faces clivadas atuando como
espelhos. O grfico em (f) mostra a distribuio de potncia luminosa em funo do comprimento de onda para trs condies de
corrente. Quando a corrente I injetada menor que a corrente de limiar (Ith), o dispositivo d origem emisso espontnea e
funciona como um LED. Quando I = Ith, ocorre um estreitamento do pico e um aumento de sua amplitude. Para I > Ith, tem-se um
pico extremamente estreito, caracterstico da emisso de um laser
).x. vvv. x.v. :ooo .xo xii, x ,-,, ix1vcv.1o 57
comprimento de onda de emisso pode ser contro-
lado (enquanto houver o efeito de confinamento)
pela espessura do poo quntico, no sendo mais
limitado exclusivamente pelo material usado na
camada ativa. O primeiro laser de poo quntico
foi construdo no final da dcada de 70 e apresen-
tou uma enorme evoluo em relao ao laser de
heteroestrutura (DUPUIS et al., 1978). No incio
da dcada de 90, Leonard e colaboradores
(LEONARD et al., 1993) relataram em um trabalho
pioneiro a formao de pontos qunticos de
In
0,50
Ga
0,50
. As crescidos sobre GaAs por meio do
processo de auto-organizao (self assembling)
em um sistema MBE. Estas entidades confinam os
portadores nas trs dimenses espaciais. A desco-
berta de Leonard e colaboradores foi motivada
pelos estudos anteriores de Arakawa e Sakaki, os
quais sugeriram que estruturas com confina-
mento tridimensional poderiam melhorar ainda
mais o desempenho dos lasers (ARAKAWA & SAKAKI,
1982). A melhor performance destas estruturas em
relao aos poos qunticos pode ser explicada
principalmente pelo fato de que o aumento do
nmero de direes de confinamento torna a
densidade de estados discreta, o que tem como
principal conseqncia uma corrente de limiar
menor. Um exemplo da estrutura de um laser
com poo ou ponto quntico esquematizado
na Figura 8. Ele tem as camadas dopadas p e n
formando o diodo e uma camada mais fina no
dopada com gap menor (o guia de ondas). No
centro deste guia de ondas encontra-se a camada
de poo ou pontos qunticos. Deste modo, a
recombinao dos portadores ocorre preferen-
cialmente nesta camada de menor gap, e a emisso
corresponde, portanto, s transies entre nveis
de energia do poo ou ponto quntico.
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Figura 8: Esquema das estruturas epitaxiais de um laser de heteroestrutura (
esquerda) e de poo ou pontos qunticos ( direita)
Agradecimentos
Os autores Sandro Martini, Julio Cesar Lucchi
e Angelo Eduardo Battistini Marques agradecem
o apoio do Centro de Pesquisa da USJT.
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