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SERVIO NACIONAL DE APRENDIZAGEM INDUSTRIAL Escola de Educao Profissional Senai Plnio Gilberto Kreff

ELETRNICA INDUSTRIAL

Professor: Carlos Ricardo dos Santos Barbosa, Gustavo Grams Teixeira Unidade Curricular: Manuteno Eletrnica Curso: Tcnico em Eletrnica

So Leopoldo 2009

SUMRIO

1 ESTUDO DOS TIRISTORES ........................................................................ 03 1.1 CLASSIFICAO DOS TIRISTORES ....................................................... 03 2 SCR- RETIFICADOR CONTROLADO DE SILCIO ...................................... 04 2.1 ESTRUTURA E SIMBOLOGIA DO SCR .................................................... 04 2.2 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO DO SCR............................................ 05 2.3 AS CORRENTES IL E IH ........................................................................... 08 2.4 CARACTERSTICAS DINMICAS ............................................................. 09 2.5 CLASSIFICAO DOS TIRISTORES ....................................................... 12 2.6 O EFEITO dI / dt ......................................................................................... 12 2.7 O EFEITO dV/ dt ........................................................................................ 14 2.7.1 Circuito Snubber...................................................................................... 15 2.8 MTODOS DE DISPARO DE UM SCR ..................................................... 17 2.9 MTODOS DE BLOQUEIO OU COMUTAO DO SCR .......................... 17 2.9.1 Comutao natural .................................................................................. 18 2.9.2 Comutao Forada ................................................................................ 18 2.10 INFLUNCIA DE COMPONENTES PASSIVOS ENTRE GATE-CTODO .............................................................. 19 2.11 CARACTERSTICAS ANODO-CTODO DO SCR .................................. 20 2.12 EFEITOS DESTRUTIVOS........................................................................ 23 2.13 TIRISTORES EM PARALELO E EM SRIE ............................................ 24 2.13.1 Tiristores em Paralelo............................................................................ 24 2.13.1.1 Equilbrio de Corrente Mediante Triagem ........................................... 25 2.13.1.2 Equilbrio de Corrente Mediante Resistncia ..................................... 25 2.13.1.3 Equilbrio de Corrente Mediante Indutncia ....................................... 26 2.13.2 Tiristores em Srie ................................................................................ 28 2.13.2.1 Equilbrio das Tenses em Regime .................................................... 28 2.13.2.2 Equilbrio de Tenses no Transitrio .................................................. 29 2.14 SOBRECARGA EM TIRISTORES ........................................................... 30 2.14.1 Corrente Inrush (Corrente de Pico) ....................................................... 30

2.14.2 Flashover (Disparo) ............................................................................... 31 3 TRIAC (TRIODE ALTERNATING CURRENT) ............................................. 32 3.1 ESTRUTURA INTERNA E SMBOLO DO TRIAC ...................................... 33 3.2 CIRCUITO EQUIVALENTE DO TRIAC USANDO SCR ............................. 34 3.3 CURVA CARACTERSTICA E FUNCIONAMENTO ................................... 35 3.4 TIPOS DE TRIAC ....................................................................................... 36 3.5 POTNCIA ................................................................................................. 37 3.6 APLICAES ............................................................................................ 37 3.7 VANTAGENS DO TRIAC SOBRE O SCR ................................................. 38 3.8 DESVANTAGEM DO TRIAC SOBRE SCR ............................................... 38 4 DIAC (DIODE ALTERNATING CURRENT) .................................................. 39 4.1 CURVA CARACTERSTICA E FUNCIONAMENTO ................................... 39 4.2 EQUIVALENTE A DIODO ZENER ............................................................. 40 4.3 APLICAES ............................................................................................ 41 5 ETAPAS DE ACOPLAMENTO ..................................................................... 43 5.1 TRANSFORMADOR DE PULSO ............................................................... 44 5.1.1 Caractersticas e Funcionamento ............................................................ 45 5.2 ACOPLADORES PTICOS ...................................................................... 48 5.3 ACOPLAMENTO PARA ONDA QUADRADA............................................. 49 6 TCA 785 ........................................................................................................ 51 6.1 CARACTERSTICAS PRINCIPAIS DO TCA 785 ....................................... 51 6.2 DESCRIO E FUNCIONAMENTO DO TCA 785..................................... 51 6.3 FORMAS DE ONDA NO TCA 785 ............................................................. 54 6.3.1 COMPARAO: SADA Q X SADA Q ................................................... 55 7 RELS DE ESTADO SLIDO ...................................................................... 56

1 ESTUDO DOS TIRISTORES

Tiristores

so

dispositivos

semicondutores

(na

realidade

Chaves

Semicondutoras) constitudos por quatro ou mais camadas semicondutoras, como por exemplo, P, N, P, N. O Tiristor um dispositivo Biestvel que pode ser chaveado do estado de corte para o de conduo e vice-versa, sendo que a posio da chave em cada um desses estados depende de realimentao regenerativa associada com a sua estrutura.

1.1 CLASSIFICAO DOS TIRISTORES

SCR (Silicon Controlled Rectifier): Retificador Controlado de Silcio TRIAC (Triode Alternating Current): Triodo de Corrente Alternada GTO (Gate Turn-Off): Tiristor bloquevel pelo Gate SCS (Silicon Controlled Swiches): Chave Controlada de Silcio LASCR (Light Ativated Silicon Controlled Rectifier): SCR ativado por Radiao Luminosa. Os Tiristores so ainda classificados quanto a sua capacidade de conduo como:

Unidirecionais, quando tem polaridade definida (nodo e ctodo), caso do SCR. Bidirecionais, quando conduzem a corrente em ambas as direes, caso do Triac.

2 SCR- RETIFICADOR CONTROLADO DE SILCIO

O diodo controlado de silcio (Silicon Controlled Rectifier- SCR) sem dvida o dispositivo de maior interesse, atualmente, da famlia de dispositivos PNPN. Ele surgiu pela primeira vez em 1956,e foi desenvolvido por um grupo de engenheiros do Bell Telephone Laboratory. Algumas das reas de maior interrese de aplicaes do SCR incluem controles e rels, fontes de tenso regulada, chaves estticas, controle de motores, choppers, inversores, cicloconversores, carregadores de baterias, circuitos de proteo, controles de aquecedores e controles de fase. Nos ltimos anos, tem sido projetados SCRs para controlar potncias de ordem de 10 MW, com capacidades individuais da ordem de 2000 A com 1800 V. a faixa de freqncia atinge at 50 KHZ, permitindo algumas aplicaes em altas freqncias tais como aquecimento por induo e purificao ultra- snica.

2.1 ESTRUTURA E SIMBOLOGIA DO SCR

A estrutura do SCR consiste em quatro camadas de silcio, sendo duas camadas do tipo N e duas camadas do tipo P, montadas alternadamente dando origem a trs junes.

As duas regies internas apresentam dopagem fraca, enquanto as duas regies mais externas (laterais) apresentam dopagem mais intensa. As duas regies

externas so denominadas de nodo ( + ) e Ctodo ( - ). Nestes plos so inseridos terminais que servem para conduzir a corrente de carga atravs do Tiristor. O acionamento do tiristor, por sua vez, realizado atravs de um terminal inserido em uma das regies internas do componente, que apresenta dopagem fraca. Este terminal denominado Gate, Porta ou ainda Eletrodo de Controle.

2.2 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO DO SCR

Para se entender o funcionamento do SCR, recorre-se ao seu circuito equivalente com polarizao direta :

Analogia a Diodos

Atravs das figuras acima, podemos observar que, ao aplicarmos um potencial positivo ao nodo (+) e negativo ao ctodo (-) os diodos D1e D3 so polarizados diretamente enquanto D2 est polarizado em sentido reverso. Para tenses VF positivas, a corrente igual ao fluxo de portadores minoritrios de D2 (impedncia alta) at atingirmos a sua Tenso de Ruptura (VRRM impedncia baixa). Neste momento haver conduo plena e a tenso nodo - ctodo cair.

Para tenses VF negativas, o SCR comandado pela caracterstica dos diodos D1 e D3 polarizados reversamente.

No se obtm a conduo do SCR fazendo-se a tenso VF igual a Tenso de Ruptura de D2, pois isto pode danificar o componente. Normalmente, dependendo da corrente que se fizer circular do Gate para o ctodo, o SCR passa a conduzir para diferentes valores da tenso VF. A aplicao de um potencial positivo entre Gate e ctodo polariza esta juno no sentido de conduo. Os eltrons do cristal tipo N do ctodo difundem-se atravs desta juno. Sendo o cristal tipo P do Gate muito estreito, eles so atrados pelo potencial da juno seguinte, que repele as lacunas mas favorvel aos eltrons. Com isto tm-se a conduo de nodo para ctodo, com eltrons vindo do ctodo ( K) e indo para o nodo (A) e, atravs do efeito avalanche isto permanece, independentemente do Gate, at que a tenso de nodo se reduza. Este fluxo de eltrons, associado tenso entre nodo e ctodo (VAK), pode ter Energia para realizar a ruptura ou quebra de ligaes covalentes, por reao em cadeia. Isto justifica o fato de, para valores de VAK altos, o fluxo de eltrons que circula no Gate poder ser pequeno. Alternadamente, pode-se explicar o comportamento interno do SCR pelo modelo idealizado equivalente com dois transistores, um NPN e outro PNP.

FIG. 06 - Detalhe da transformao da estrutura de um SCR para a analogia com dois Transistores.

Ao aplicarmos ao nodo um potencial positivo em relao ao ctodo teremos as junes J1 e J3 diretamente polarizadas e J2 inversamente polarizada. Com isto ambos os transistores esto na regio de corte pois T1 no tem corrente de base (

IB1 = IC2 = 0, logo T2 em corte ) e T2 no tem corrente de base tambm ( IB2 = IC1 = 0, logo T1 em corte). Conforme o modelo de dois transistores, eles so acoplados

regenerativamente e cada um excita o outro at a saturao, a partir do momento em que um pulso positivo inicial aplicado ao terminal Gate em relao ao terminal Catodo (base de T2 em relao ao emissor de T2). Uma vez disparado o sistema este s entrar em corte se a corrente IA for interrompida e, novamente acionado requer um outro pulso positivo no Gate. Suponhamos que o SCR est no estado de corte, isto , IA = 0 quando um pulso positivo aplicado a base do base do transistor 2, este conduz, fazendo com que IC2 aumente, ora como IB1 = IC2 , o transistor 1 ser forado para a conduo , fazendo com que IC1 aumente, finalmente como IB2 = IC1, o transistor 2 conduzir fortemente, o ciclo se repetir e rapidamente o SCR entrar em conduo, sendo a corrente IA limitada pela carga, mesmo que o pulso original aplicado base do transistor 2 seja retirado, o SCR continuar no estado de conduo, enquanto for mantida a corrente IA ( significa V e RL fixos ). para que seja

2.3 AS CORRENTES IL E IH

Existem dois parmetros associados corrente de anodo do SCR que merecem considerao. A primeira delas IL (LATCHING CURRENT), denominada CORRENTE DE ENGATAMENTO ou TRANCA. Como geralmente disparamos um SCR com pulsos no gate necessitamos saber o tempo mnimo de durao destes pulsos (tempo de turn-on). S podemos zerar a corrente no gate quando a corrente andica for igual ou maior que IL (IA IL). A segunda corrente IH (HOLDING CURRENT), denomina-se CORRENTE DE MANUTENO. Esta corrente menor valor que deve fluir no anodo sem que o SCR bloqueie. bom colocar que IL aproximadamente igual a 2 IH. O tempo necessrio para o pulso no gate o tempo necessrio para que a IA seja, igual ou maior a IL, dependendo da carga controlada pelo SCR, bem como do circuito de disparo.

5 IG MN 2 IG MN

10 20 30 40 50
Corrente de Latching em funo da corrente de gate.

Durao do pulso(s)

A corrente de engatamento depende da durao do sinal de comando e da intensidade da corrente de gate, como visto no grfico acima. Um circuito indutivo limita a subida da corrente, nesse caso ser necessrio ter impulsos mais longos que nos circuitos puramente resistivos.

2.4 CARACTERSTICAS DINMICAS

Quando se aplica um pulso positivo de tenso no gate do tiristor e este esteja polarizado diretamente, a tenso VAK no cai instantaneamente,existe um tempo de atraso para caracterizar a troca de estado chamado TEMPO DE DISPARO (tgt). O tempo de disparo (tgt) compreende o comeo da subida do sinal do gate (10%) e o instante em que a tenso de Anodo vale 10% o seu valor inicial e, este tempo pode ser dividido em dois outros tempos:

td (DELAY TIME) TEMPO DE ATRASO a subida de corrente, o tempo calculado entre o comeo da subida do sinal de gate (10%) e o instante em que a tenso Andica Vale 90% da seu valor inicial.

tr(RISE TIME) TEMPO DE SUBIDA DA CORRENTE. a diferena entre o tempo de disparo e o tempo de atraso.

tr = tgt - td

Conclui-se que para garantir o disparo do tiristor o pulso de corrente no gate deve ter durao mnima igual ou superior a tgt.

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Curva Dinmica de disparo

Dados: VG = TENSO DE GATE t = TEMPO VAK = TENSO ANODO-CATODO td = DELAY TIME (TEMPO DE RETARDO) tr = RISE TIME (TEMPO DE SUBIDA) tgt = TEMPO DE DISPARO (GATE)

O tempo de atraso na subida (tr), diminui quando se aumenta: - A amplitude e a subida da corrente de gate. (Fig. 1A); - A tenso Anodo - Katodo ( Fig. 1 B); - A temperatura. O tempo de subida (tr) depende da amplitude e subida da corrente de anodo ( dIA / dt) (Fig. 1C), bem como a temperatura. Esses so parmetros que influem na velocidade de Propagao do plasma sendo que praticamente no h influncia de gate.

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Fig. 1A

Fig. 1B

V AK (V) 30 50 A

500 A

10

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GT

Fig. 1.C(s)

Os tiristores de uma srie apresentam valores de tempo de disparo bastante diferentes. Nas montagens que exigem preciso no instante de disparo, por exemplo, tiristores colocados em srie ou paralelo, os pulsos devem ter amplitude de cinco vezes o valor mnimo, com o tempo de subida na ordem de 0,5 s. Normalmente tgt varia de 1 s a 6 s sendo que o pulso de disparo deve durar pelo menos 10 s, preferencialmente na faixa de 20 s a 100 s. Aps o disparo do tiristor o gatilho no ter mais nenhuma ao. O tiristor se desativa ao final do ciclo de Alternncia Positiva ou quando se aplica sobre ele uma Tenso VAK menor que zero (0). O tempo de corte (tQ) (TURN OFF TIME) definido como tempo de corrido entre o instante em que a corrente principal (Corrente Anodo-Catodo) cai a zero, devido a comutao do circuito externo, e o instante onde o tiristor pode novamente suportar uma determinada tenso de Anodo sem entrar em conduo.

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2.5 CLASSIFICAO DOS TIRISTORES

- TIRISTORES RPIDOS: tq menor 10 s 800 VAK - TIRISTORES NORMAIS: Tq at 100 s 30 VAK a 350 VAK. Logo o OFF TIME que limita em freqncia um TIRISTOR.

2.6 O EFEITO dI / dt

O efeito dI / dt pode ser descrito do seguinte modo: assim que o SCR disparado ele no entra em conduo plena instantaneamente. Inicialmente, a zona de conduo se restringe a uma rea prxima da porta, e esta rea vai se propagando, com velocidade finita. Assim, dever ir existindo uma rea proporcional a medida em que a corrente vai aumentando com o tempo. Entretanto, se a um SCR for imposta uma taxa de crescimento da sua corrente Andica (dIA / dt) maior que a especificada, haver uma densidade de corrente muito elevada, que provocar aquecimento localizado (HOT SPOT) na pastilha de silcio, danificando o SCR. Portanto a taxa de d IA / d t deve ser limitada a um valor seguro para o SCR considerado. Na prtica, o crescimento da corrente andica pode ser limitada com a adio de um indutor em srie com SCR (Anodo do SCR).

Esta tcnica de limitao de d IA /d t muito utilizada. Principalmente quando o SCR trabalha em sistemas de Potncia. Deve-se tambm tomar cuidado com a reduo de d I/d t, porque se esta taxa baixar muito devido ao indutor adicional o disparo SCR ficar comprometido. Assim

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sendo, a corrente andica levar mais tempo para alcanar o valor de latching (corrente de engate), necessitando-se neste caso de um pulso de disparo com durao maior. Estas condies so vlidas tambm para o TRIAC, porque o princpio de funcionamento deste dispositivo baseado no mesmo princpio de funcionamento do SCR, podendo, entretanto, ser disparado nos dois sentidos. Exemplo de clculo do indutor: Segundo Faraday: = Onde: o fluxo magntico no indutor e equivalente ao valor da indutncia vezes a intensidade de corrente. Logo: =-L ou L = e = LI

Exemplo prtico:

x 127

Considerando o circuito acima, supondo dI/dt mx = 100A/s.

L = -

L = - (-

)=

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2.7 O EFEITO d V/ dt

Sabe-se que o funcionamento de um SCR pode ser compreendido mais facilmente utilizando-se o modelo, onde faz uma analogia desse dispositivo com dois transistores bipolares um NPN e PNP. As figuras 1A e 1B mostram a constituio bsica de um SCR e a interligao dos dois transistores do referido modelo equivalente para efeito anlise.

FIGURA.1.A

Constituio fisica bsica do SCR

Quando o SCR polarizado diretamente a juno (J2) (Juno PN do centro) inicialmente polarizada em sentido inverso apresenta uma capacitncia, representada por C na Figura Com a aplicao BRUSCA da tenso (degrau de tenso, por exemplo, entre Anodo e Catodo, flui pela Capacitncia C uma corrente dada:

I = C.

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Se esta corrente for suficiente para estabelecer a condio de disparo, o SCR conduz mesmo que a corrente de porta seja nula. Assim, pode-se concluir que variaes muito rpidas de tenso entre anodo e catodo podero disparar o SCR aleatriamente. Colocando-se um resistor em paralelo entre a porta e o catodo a sensibilidade e este efeito pode ser enormemente diminudo porque o resistor adicional oferece um caminho para passagem, de corrente capacitiva. Outra maneira de contornar o problema amortecer a subida de tenso, ou seja, limitar d v/ d t. Este amortecimento pode ser conseguido utilizando-se um circuito RC, conhecido por circuito SNUBBER, no que concerne ao amortecimento da tenso aplicada (ligado em paralelo com Anodo e Catodo).

2.7.1 Circuito Snubber

Amortecimento de Tenso (Limitao de d v / d t).

Ao de circuito SNUBBER ao amortecimento da tenso aplicada.

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O circuito SNUBBER, alm de limitar d v/ d t facilita tambm o disparo do SCR sob cargas indutivas, aparece quando o pulso de disparo termina antes que a corrente atravs da carga tenha atingido o valor de LATCHING. O SNUBBER reduz este risco, porque este fornece um pulso de corrente (descarga de C) que se soma corrente de carga, aumentando as chances de se alcanar o valor de LATCHING. A Figura mostra a contribuio do SNUBBER na formao de Corrente Andica total, nesta Figura aparecem duas correntes notveis. So elas:

A CORRENTE DE LATCHING B CORRENTE DE HOLDING

Efeito do SNUBBER na formao da CORRENTE ANDICA.

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2.8 MTODOS DE DISPARO DE UM SCR

Um SCR disparado (entra em conduo) quando aumenta a corrente de anodo IA, atravs de uma das seguintes maneiras: Corrente de Gatilho IGK: o procedimento normal de disparo do SCR. Sobretemperatura: O aumento brusco da temperatura aumenta o nmero de pares eltrons-lacunas no semicondutor provocando maior corrente de fuga, o que pode levar o SCR ao estado de conduo. O disparo por aumento de temperatura deve ser evitado. Sobretenso: Se a tenso direta nodo-ctodo VAK for maior que o valor da tenso de ruptura direta mxima VDRM (VBO), fluir uma corrente de fuga suficiente para levar o SCR ao estado de conduo. Degrau de Tenso dv/dt (V/t): Se a taxa de crescimento da tenso nodoctodo VAK no tempo for alta (subida muito rpida da tenso VAK) pode levar o SCR ao estado de conduo. Luz ou Radiao: Se for permitida a penetrao de energia luminosa (luz) ou radiante (ftons, raios gama,nutrons, prtons, eltrons ou raios X) nas junes do semicondutor, haver maior combinao de pares eltrons-lacunas, provocando maior corrente de fuga, o que pode levar o SCR ao estado de conduo. o caso do SCR ativado por luz, chamado foto-SCR ou LASCR (Light-Activated Silicon Controlled Rectifier).

2.9 MTODOS DE BLOQUEIO OU COMUTAO DO SCR

O desligamento de um SCR chamado de Bloqueio ou Comutao. O SCR uma chave de reteno, ou seja, uma vez disparado e conduzindo, o gatilho perde o controle. A nica forma de bloquear um SCR reduzir a corrente de nodo IA para um valor menor que o valor da corrente de manuteno IH durante um certo tempo. Este o tempo necessrio para o desligamento do SCR, toff.

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Devemos portanto lembrar: Diodos e SCRs somente bloqueiam quando praticamente extinta a corrente entre nodo-ctodo e no por aplicao de tenso reversa. Para um SCR comutar, ou seja, passar do estado de conduo para o estado de no conduo, tambm chamado de bloqueio, a Corrente de nodo IA deve ser reduzida a um valor abaixo do valor da corrente de manuteno IH, durante um certo tempo. O tempo de desligamento da ordem de 50 a 100s para os SCR normais e de 5 a 10s para os SCR rpidos.

2.9.1 Comutao natural

A Comutao Natural acontece quando a Corrente de nodo IA for reduzida a um valor abaixo da Corrente de Manuteno IH.

2.9.2 Comutao Forada:

Em circuitos de corrente contnua a tenso permanece positiva no nodo. Como a corrente no diminui naturalmente, deve-se provocar a reduo da Corrente de nodo atravs da Comutao Forada. H duas formas para isso:

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Desviando-se a corrente por um caminho de menor impedncia provocando IA < IH; Aplicando-se tenso reversa e forando-se a operao na regio de polarizao reversa. Note que isso tambm far IA < IH.

2.10 INFLUNCIA DE COMPONENTES PASSIVOS ENTRE GATE-CTODO

Elementos passivos podem influenciar na caracterstica de disparo de tiristores quando colocados entre o gate e o ctodo do mesmo.

a) Efeitos de uma resistncia entre gate e ctodo. Reduz a sensibilidade do gate. Os tiristores de baixa potncia e grande sensibilidade so disparados com correntes baixas. Coloca-se uma resistncia entre gate e ctodo para evitar disparos intempestivos devido a pequenas correntes de fuga originadas pelo aquecimento do dispositivo e dv/dt. Aumenta as correntes de holding (IH) e de latching (IL), pois h um desvio de corrente para o circuito de gate. Aumenta o limite de dI/dt, pois a corrente originada por esse efeito pode ser desviada para o circuito de gate. Aumenta a tenso de breakover. Reduz o tq do tiristor. Aps conduzir, o tiristor precisa permanecer durante um intervalo de tempo tq com tenso negativa para garantir a efetivao do seu bloqueio antes de receber tenso positiva.

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b) Efeito de um capacitor entre gate e ctodo: Aumenta o limite de dv/dt, produzindo o mesmo efeito da resistncia. Reduz a sensibilidade do gate aos rudos de alta freqncia. Inconveniente: Durante a conduo do tiristor, o gate se comporta como uma fonte que carrega o capacitor. No estado bloqueado, a descarga do capacitor pode provocar disparos parasitas. c) Efeitos de uma indutncia entre gate e ctodo: Aumenta o limite dv/dt. Reduz a sensibilidade do gate aos rudos de baixa freqncia. Aumenta as corrente de holding e de latching. Reduz o tq do tiristor. Inconveniente: a corrente negativa que aparece no circuito de gate, pode provocar o bloqueio do tiristor quando a corrente de nodo for pequena.

2.11 CARACTERSTICAS ANODO-CTODO DO SCR

As caractersticas tenso x corrente de um SCR, para o caso de no haver qualquer sinal aplicado ao gatilho, mostrado na figura abaixo:

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IA = corrente de nodo VAK = tenso de nodo-ctodo VRRM = mxima tenso reversa (repetitiva) IH = corrente de manuteno VDRM = mxima tenso de bloqueio (repetitiva) V(BO) = tenso de disparo IDRM = corrente de bloqueio no sentido direto IRRM = corrente de bloqueio no sentido reverso Quando o SCR polarizado inversamente, sua caracterstica semelhante a de um diodo comum polarizado inversamente. Na polarizao inversa, o SCR apresenta uma impedncia muito alta, e s uma pequena corrente reversa, IRRM, flui atravs dele. Esta corrente permanece pequena at que a tenso aplicada atinja a tenso inversa de Breakdown, VRRM. Quando esta atingida, rompe-se o potencial da juno intermediria, e a corrente aumenta bruscamente, do ctodo para o nodo ( o principio utilizado no diodo Zener, porem, no Zener reversvel enquanto que no SCR podemos danificar o dispositivo). Quando polarizado diretamente, o SCR eletricamente biestvel, isto , possui dois estados estveis, podendo apresentar impedncia elevada ou

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impedncia muito baixa. Na situao de impedncia elevada (desligado, corte ou bloqueio) na polarizao direta, uma pequena corrente direta do bloqueio (IDRM) circula pelas junes PNPN, a qual praticamente do mesmo valor que a corrente reversa de bloqueio (I
RRM).

Conforme se aumenta o valor de tenso, com um

determinado valor, a corrente aumenta rapidamente e o SCR se comuta para o estado ligado. Essa tenso em que a corrente passa a aumentar rapidamente chamada de tenso direta de Breakover ou tenso de disparo (V(BO)). Quando a tenso direta excede o valor de Breakover, a diferena de potencial sobre o SCR decresce abruptamente para um valor muito pequeno, sendo limitada a corrente pelo circulo externo (carga) e permanece assim na condio de ligado at que IAIH, quando a corrente de manuteno ento retornar para a condio de desligado. A tenso de Breakover pode ser controlada pela injeo de um pequeno sinal no gate. Quando a corrente de gate ( I
GT)

for zero, a tenso de Breakover

alta e, conforme a corrente de gate aumenta, a tenso de disparo diminui at que o dispositivo conduza.

Curvas caractersticas de VBO em funo de IG

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A justificativa reside no fato de que uma quantidade maior de portadores na regio de gatilho permite que o fenmeno de avalanche que d incio ao processo regenerativo que mantm o SCR em conduo, ocorra em um valor da tenso VAK. Quando a corrente de gate muito alta, pode ocorrer a descarga (Breakover) em uma tenso to baixa que a caracterstica do SCR se assemelha a um simples diodo P-N. Uma vez disparado, o gate no ter mais controle sobre a corrente de nodo. O nico processo para levar o dispositivo novamente no estado de bloqueio, ser reduzido sua corrente de nodo a um valor menor que IH.

2.12 EFEITOS DESTRUTIVOS

Os efeitos destrutivos so os motivos pelos quais pode-se danificar um tiristor. Efeito dI/dt: com um fraco sinal de gate, o efeito dI/dt pode causar aquecimento localizado na juno gate-ctodo pois com pequeno nmero de portadores majoritrios, o canal de conduo inicial tambm pequeno. Sobretenso: causada pelo excesso de tenso entre nodo-ctodo, tanto direta quando reversa. Degradao trmica: esta ocorre quando existe elevada corrente de fuga que aumenta exponencialmente com a temperatura. Corrente de surto: nem toda rea de ctodo possui um contato com a base metlica ( dissipador), para certos tiristores. Assim o calor gerado devido corrente de surto (dI/dt) no ser transmitido pela rea sem contato com a base metlica. Dependendo do calor, esta rea ser danificada. Potncia excessiva no gate: elevando-se demais o sinal de disparo, este poder curto-circuitar a juno gate-ctodo. Polarizao negativa no gate: aplicando-se um pulso de tenso negativa no gate, este drena corrente do nodo (quando em polarizao direta) ou do ctodo (quando em polarizao reversa), destruindo a regio de carga especial central de SCR.

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2.13 TIRISTORES EM PARALELO E EM SRIE

Para se obter correntes elevada (acima de mil ampres), tiristores ou diodos so ligados em paralelo. O nmero de tiristores em paralelo no determinado somente pela condio de carga em regimento contnuo, mas tambm pelas condies de falha ou sobrecarga do circuito.

2.13.1 Tiristores em Paralelo

Quando tiristores so ligados em paralelo, deve-se certificar que as correntes que os atravessam so, tanto quanto possvel, iguais. Se dois tiristores esto em paralelo entre os pontos A e B, a tenso VAB evidentemente a mesma para os elementos, mas as correntes dependem da impedncia dos circuitos e, sobretudo, das caractersticas estticas dos mesmos.

Tiristores em paralelo

O problema da associao em paralelo de tiristores devido basicamente repartio de corrente nos estados de conduo, bloqueio e disparo. Entre os mtodos utilizados para balancear a corrente nos tiristores destacam-se trs que sero descritos a seguir:

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2.13.1.1 Equilbrio de Corrente Mediante Triagem

impossvel igualar os semicondutores para todas as correntes e temperaturas a juno. Dessa forma, so escolhidos elementos com mesma queda de tenso para a corrente nominal e para a temperatura da juno correspondente a essa corrente. Esse procedimento no evita as dificuldades de manuteno como por exemplo, a substituio de um elemento. Alm do que, mediante uma sobrecarga acidental, a repartio de corrente certamente no ser uniforme. Para os tiristores em particular, a disperso dos tempos de disparo deve ser conduzida atravs de triagem sobre esse parmetro e de maximizao de corrente de gate. Convm lembrar que os sinal de gate devem permanecer at que todas as unidades entrem em conduo.

2.13.1.2 Equilbrio de Corrente Mediante Resistncia

Pode-se inserir uma resistncia de baixo valor em srie com o semicondutor de maneira a equilibrar as correntes, pois a queda de tenso Ri predomina sobre as diferenas de caractersticas. Esse procedimento poderia dispensar a triagem precedente, mas requer um novo balanceamento a cada substituio de um elemento. Evidentemente, constitui uma soluo que deteriora o regimento da instalao.

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Equilbrio de corrente por resistncia

2.13.1.3 Equilbrio de Corrente Mediante Indutncia

No adianta equilibrar os circuitos com indutncias puras, pois estas seriam eficazes somente durante a subida de corrente e inoperantes para corrente constante. O procedimento mais interessante consiste em equilibrar as correntes por acoplamento de indutncias. A restrio maior desse mtodo ser quanto ao custo de peso, para o caso de vrios elementos em paralelo. No caso de tiristores, existe ainda o problema de que se uma unidade dispara primeiro, a tenso terminal diminui ( 1V), e os demais elementos, por insuficincia

de tenso, retardaro a disparar, ou ainda, no conseguiro entrar em conduo. Por isso, a indutncia em srie L com cada tiristor deve tambm conter a tenso terminal durante algum tempo.

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Equilbrio de corrente por indutncia

A diferena ocorre entre o primeiro e o ltimo elemento disparado vale:

I =

AB

Sendo t a disperso entre os tempos de disparo. Para diminuir as discrepncias em corrente, desejvel que as indutncias sejam ligeiramente resistivas para, aps o disparo, exercerem o papel das resistncias discutidas anteriormente. Um dos problemas da conexo em paralelo de tiristores ocorre quando a corrente de carga cai para um valor baixo, acarretando o bloqueio de um ou mais tiristores. Se ocorrer um aumento de corrente subseqente, os tiristores que permaneceram em conduo sofrero sobrecarga. Esse problema pode ser resolvido por pulsos contnuos no gate durante a conduo.

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2.13.2 Tiristores em Srie

Quando a tenso de alimentao de um circuito a semicondutores for maior do que a tenso nominal do semicondutor, dois ou mais desses dispositivos devem ser colocados em srie para repartir a tenso. No funcionamento em srie de tiristores deve-se verificar que as tenses a que esto sujeitos seja compatvel com as caractersticas. A tenso deve ser repartida igualmente entre os dispositivos. Isso constitui um problema difcil da associao em srie de semicondutores, pois as sobretenses em jogo so muito altas. Ser tomado como exemplo o tiristor nas duas condies de funcionamento: regime e transitrio. As precaues a serem tomadas esto relacionadas com estas duas condies.

2.13.2.1 Equilbrio das Tenses em Regime

Por regime subentende-se que o tiristor esta em estado de bloqueio (direto ou inverso) ou em estado de conduo . Durante a conduo, no existe problema de repartio de tenso visto que todos os tiristores conduzem. Durante o bloqueio, direto ou inverso, o tiristor apresenta uma impedncia bastante elevada (da ordem de M), e suficiente repartir a tenso colocando uma resistncia (de alguns k) em paralelo com cada elemento para obter um divisor potenciomtrico, a corrente que circula pela resistncia maior do que a corrente de fuga dos tiristores. A repartio da tenso ser, ento, independente da corrente de fuga.

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2.13.2.2 Equilbrio de Tenses no Transitrio

A condio de transitrio significa que o tiristor est conduzindo ou bloqueando. Para se obter o equilbrio dinmico das tenses, uma pequena resistncia (no indutiva) e um capacitor, ligados em srie, so colocados em paralelo com tiristor. Quando um tiristor comea a conduzir (ou entra em extino), isso constitui um degrau de tenso que se repercute sobre os outros elementos em srie, mas com variao atenuada pelos circuitos RC. A tenso nos terminais dos elementos no disparados sobe com certa inclinao, em funo da tenso e dos valores de RS e CS. A resistncia RS deve limitar a descarga do capacitor CS atravs do tiristor quando este entra em conduo.

Equilbrio de tenses na conexo em srie de tiristores

Todos os tiristores devem ser disparados ao mesmo tempo quando os sinais de gate so aplicados simultaneamente. Para isso, a amplitude dos sinais de gate deve ser a mxima permitida. E, tambm, uma indutncia colocada em srie com o circuito para atrasar a subida da corrente de nodo at que todas as unidades conduzam.

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Finalmente, uma triagem precedente dos elementos junto ao fabricante deve garantir tempos de disparo, bem como de extino, muito prximos.

2.14 SOBRECARGA EM TIRISTORES

O tiristor pode sofrer dois tipos de sobre-cargas quando em uma lmpada Incandescente a carga controlada, alm do efeito d i / d t e dos efeitos destrutivos j estudados.

2.14.1 Corrente Inrush (Corrente de Pico)

A corrente inrush acontece pelo fato da resistncia a frio do filamento da lmpada ser muito menor que a resistncia a quente, por exemplo, se o TRIAC disparado no instante da mxima tenso da rede, a corrente INRUSH pode atingir de 10 a 15 vezes a corrente normal de operao. Fig.4. Porm se o disparo for feito no instante em que a tenso prximo de zero esta corrente atinge no mximo 5 vezes a corrente normal.

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2.14.2 Flashover (Disparo)

Ocorre quando o filamento da lmpada se rompe. Devido a ionizao existir um arco voltaico entre os dois terminais do filamento que se rompeu e a corrente limitada pela impedncia da rede. Fig.5.

hxl nominal

Para amenizarmos efeitos INRUSH e FLASHOVER algumas j vem com resistores e fusveis.

3 TRIAC (TRIODE ALTERNATING CURRENT)

TRIAC

(TRIODE

ALTERNATING

CURRENT),

um

dispositivo

semicondutor bidirecional, construdo de trs terminais (TRI), para corrente Alternada (A.C.). Sendo dos trs terminais dois de potncia (A1 e A2) e um de controle (GATE), que pode receber tanto pulsos positivos como pulsos negativos para o tiristor entrar em conduo. O Triac utilizado como comutador de corrente alternada sendo que com maior eficincia nos controladores de onda completa, tanto em controle de potncia por ciclo integral como por fase. O princpio de funcionamento do Triodo para Atuao em Corrente Alternada o mesmo do SCR.

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3.1 ESTRUTURA INTERNA E SMBOLO DO TRIAC

Assim como no SCR, emprega-se aqui uma pastilha mono cristalina de silcio, na qual se difundem quantidade de outros elementos a fim de se criar vrias regies de tipos P e N. Observando-se a figura abaixo, nota-se a primeira vista que entre A1 e A2, existe um elemento PNPN em paralelo com um PNPN e ainda uma ilha de material tipo N prximo ao GATE.

Pela estrutura interna, podemos observar que o terminal de gate est prximo de A, que considerado o terminal de referncia para qualquer tipo de ligao. Os terminais A1 e A2 esto conectados nas duas regies P e N ao mesmo tempo, da bidirecionalidade.

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3.2 CIRCUITO EQUIVALENTE DO TRIAC USANDO SCR

Como podemos observar na figura 2 o triac pode ser representado por dois SCRs em antiparalelo. Quando um SCR encontra-se cortado o outro encontra-se em conduo e viceversa. Logo ele conduzir nos dois semiciclos da corrente alternada. A vantagem do uso do triac em relao a dois SCRs em anti-paralelo a simplicidade do circuito de disparo. A substituio imediata de um triac por dois SCRs conforme a figura A no possvel pois este modelo apresenta duas falhas: 1 - No temos como explicar o disparo por pulsos negativo; 2 - Como nos SCRs a referncia o catado, teramos que curto cicuit-los para termos uma nica referncia. Porm de acordo com a figura B utilizam-se transformador de pulso para isolarmos eletricamente os gate do SCR possvel a substituio de um triac por 2 SCRs.

Fig. A

Fig. B Circuito Equivalente Do Triac Usando Scr

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3.3 CURVA CARACTERSTICA E FUNCIONAMENTO

Independentemente do quadrante de operao 1 ou 3 o TRIAC pode ser disparado por pulsos positivos ou negativos no seu gatilho de controle. Em quanto no houver sinal no gate, o triac permanece em estado de bloqueio desde que a tenso entre seus terminais de potncia no ultrapasse a tenso de disparo discreto (VBO). Ao ser ultrapassada a VBO, este entra em conduo sendo a corrente atravs dele limitada somente pela impedncia do circuito. Variando-se a corrente de gate pode-se variar VBO, isto , a tenso de disparo do triac e desta maneira modular a sua conduo.

IL IH VA VBO

1H IL

CURVA CARACTERSTICA DO TRIAC

Quando a polarizao, costuma se dizer que o triac opera nos quatro quadrantes. Tomando como referncia o terminal A1. Os quatro quadrantes so definidos pela polaridade de A2 e do gate conforme fig.3.

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QUADRANTE I II III IV

A2 V >0 V>0 V<0 V<0

G V>0 V<0 V<0 V>0

OBS: Comportamento em relao a A1 (terminal ref.) Os quadrantes nos quais o TRIAC mais sensvel, so aqueles que o A2 e gate apresentam mesma polaridade.

3.4 TIPOS DE TRIAC

A TRIACS que admitem tanto pulsos positivos como negativos no seu gate (em relao a A1). B TRIACS que s admitem no gate pulsos de mesma polaridade que A2 (em relao a A1).

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3.5 POTNCIA

O TRIAC quando em conduo apresenta uma tenso entre seus terminais em torno de 2v. Esta tenso multiplicada pela corrente conduzida nos d, a quantidade de calor que o mesmo est dissipando.

P = 2v . 1

3.6 APLICAES

O TRIAC assim como o SCR so eficientes controladores de potncia no acionamento de cargas resistivas como lmpadas incandescentes, resistncias de fornos, ebulidores e outras, como tambm em cargas indutivas como motores universais, de induo, sistemas de proteo, alarmes, etc. O controle pode ser por fase ou por ciclo integral, a diferena est na simplificao e custo reduzido no uso do TRIAC. Apesar da bidirecionalidade do TRIAC , o mesmo no compete com o SCR quando se trata de controle de grandes correntes.

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CONTROLE DE POTNCIA POR FASE

3.7 VANTAGENS DO TRIAC SOBRE O SCR

Relao custo benefcio, bidirecionalidade.

3.8 DESVANTAGEM DO TRIAC SOBRE SCR

Apesar da bidirecionalidade do triac, o mesmo no complete com o SCR quando se trata do controle de grandes correntes pois h SCR para quase 10KA em quanto os triacs no ultrapassam poucas centenas de Ampre.

4 DIAC (DIODE ALTERNATING CURRENT)

Possui dois terminais de funcionamento T1 e T2 funcionando como um diodo avalanche bidirecional passando do bloqueio conduo com qualquer polaridade de tenso aplicada a seus terminais. Possui trs camadas semicondutoras, mas no tem o comportamento do transistor devido a sua dopagem.

4.1 CURVA CARACTERSTICA E FUNCIONAMENTO

O DIAC atua como uma chave que liga quando a tenso de seus terminais alcana a tenso de disparo VBO, sendo que depois de disparado a tenso em seus terminais cai para um determinado valor, pois o DIAC entra na regio de resistncia negativa e tente a se estabilizar. O DIAC possui sua tenso de disparo (VBO) situa-se entre 27 a 42 volts podendo variar 10% destes valores.

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Curvas caractersticas do DIAC e Zener

4.2 EQUIVALENTE A DIODO ZENER

O DIAC pode ser considerado como dois diodos zener em oposio conectadas em srie. Se a tenso for aplicada ao DIAC, por exemplo o sentido direto do diodo D1, a corrente ser a pequena corrente de fuga inversa do diodo D2 Quando a tenso aumenta haver somente um ligeiro aumento na corrente at que a tenso de ruptura do diodo D2 seja alcanada. A corrente aumenta rapidamente e a tenso cai ao valor de trabalho (Vw). Nesta condio o DIAC esta conduzindo e a corrente s ser limitada pelo circuito externo. Quando a tenso aplicada for removida o DIAC retorna ao estado de no conduo. Se a tenso do DIAC for no sentido direto do diodo D2, uma ao semelhante ocorre, porm, com sentido contrrio.

Circuito Equivalente do Diac a Diodo Zener

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4.3 APLICAES

O DIAC geralmente utilizado para disparo tiristores, para proteo de instrumentos contra sobre tenso e gerao de dente de serra. Veja na figura a disposio de um Triac com um DIAC. tambm chamado de quadrac.

O Diac serve como elemento de disparo do Triac por apresentar uma tenso fixa de conduo, permitindo dessa forma maior preciso no ngulo de disparo do TRIAC. O circuito abaixo apresenta, dupla rede defasadora, isto , duas constantes de tempo permitindo maior faixa de atuao no controle de potncia por fase.

Fig. 7 Controle de Potncia por Fase com o Diac

As vantagens de se utilizar dupla rede defasadora RC consiste na possibilidade de se atingir ngulos de disparo maiores e desta maneira operar com baixssimas

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tenses sobre a carga. A diminuio do fenmeno de histerese tambm se faz notar aumentando a estabilidade no disparo do tiristor. Quando a rede defasadora RC simples a histerese notada mais nitidamente para grandes ngulos de disparo. Em cada disparo do TRIAC o capacitor da rede RC (deslocador de fase) se descarrega numa dada proporo. Por ele no se obtm um deslocamento de fase completo pois em cada semi-ciclo soma-se o efeito de cruzamento do ngulo de disparo at chegar a um equilbrio no circuito, portanto, no se pode chegar a ngulos de disparo prximos de 180 , ou seja, no se pode diminuir a potncia sobre a carga a um valor menor do que um mnimo determinado. Em um circuito com dupla rede defasadora podese teoricamente chegar a ngulos de disparo de 270 , isto , 90 no semi-ciclo segui nte e portanto o fenmeno da histerese muito menos notado.

5 ETAPAS DE ACOPLAMENTO

De acordo com os pargrafos anteriores, o sinal de gate deve possuir uma caracterstica VG x IG que no passe pela zona de disparo incerto. A corrente de gate deve ser suficiente para que a corrente no tiristor atinja o valor da corrente de latching. No necessrio manter a corrente de gate no seu valor de pico por toda a durao do sinal. Essa corrente pode decrescer, sem inconvenientes, alguns s depois de seu incio, desde que o ponto de funcionamento no entre na zona de disparo incerto (IG < IGmin). O perfil tpico de corrente de gate ilustrado no grfico abaixo:
IG/IG min 5

1 t (us) 0,1 0,5

Perfil tpico da corrente de gate

Em geral, o sinal de gate obtido a partir de uma tenso quadrada cuja elaborao estudaremos durante o curso. O circuito de gerao do sinal de comando deve ser isolado do circuito do tiristor atravs de um transformador de pulso ou de um opto-acoplador. Na figura abaixo, temos o primeiro caso. O diodo D1 protege o tiristor, permitindo um caminho de desmagnetizao do transformador e impedindo a aplicao de tenso reversa no gate. A resistncia R2 compe a caracterstica VGxIG.

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5.1 TRANSFORMADOR DE PULSO

Componente utilizado na transferncia de sinal eltrico, atravs do acoplamento magntico, sempre que haja necessidade de isolamento eltrico entre os circuitos acoplados.

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5.1.1 Caractersticas e Funcionamento

Um dos requisitos mais importantes o acoplamento entre os enrolamentos primrio e secundrio. necessrio que o tempo de subida do pulso eltrico de sada no seja diminudo pelo transformador assim como o tempo de descida.

Relao de transformao de tenses no transformador de pulso

Existem, portanto, duas constantes de tempo. A primeira corresponde subida de potencial e vale L2R2, sendo L2 a indutncia de disperso refletida no primrio e R2 a resistncia total do circuito secundrio. importante reduzir ao mximo a indutncia de disperso para que di/dt seja mximo. A segunda constante de tempo corresponde a descida de potncia, vale LM/R1, sendo LM a indutncia do primrio e R1, sua resistncia. Essa constante de tempo caracteriza a capacidade de transmitir sinais de longa durao.

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FRMULAS PARA DIMENSIONAR O TRAFO DE PULSO

V.t = n1.
Sendo: V = TENSO DO PRIMRIO T = TENSO DE DISPOSIO DO SINAL N1 = N DE ESPIRAS DO PRIMRIO = FLUXO MAGNTICO Para aumentar a durao do sinal a transmitir diminuindo-se a tenso do primrio. Isto , pode ser feito colocando-se um resistor no primrio. Se a montagem necessita de sinais de longa durao ( 1ms), n1. grande, o que acarreta um valor elevado de LM (indutncia prpria do primrio), aumenta tambm L2 (indutncia de disperso total). Logo, o transformador para sinais longos ser maior e ter um tempo de subida menos apropriado. Para um T.P. dado (n1 e fixos), pode-se aumentar a durao do sinal a transmitir diminuindo-se a tenso V do primrio. Isto pode ser feito colocando-se um resistor no primrio em vez de no secundrio. Os T.P. usuais tem produtos V.t que raramente ultrapassam 1000Vs. Nestas condies, difcil conseguir sinais com durao maior de 1ms. Para sinais longos, outra alternativa dada na prxima figura, o capacitor na base do transistor amortece as bordas do pulso de entrada de tal maneira que o pico de tenso na sada menos agudo porm mais largo.

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Circuito para disparo de longa durao e formas de onda.

O disparo por pulsos muitas vezes mais conveniente que por disparo CC, pois h reduo na potncia dissipada na juno gate- catodo e, a possibilidade de obter isolao entre o circuito de disparo e a etapa de potncia. Os tiristores normalmente so especificados em termos de valores CC de tenso e corrente que provocaro o disparo dos mesmos. Para pulsos longos, com durao mnima de 100s, os valores CC so aplicveis, para pulsos curtos, os valores de IGT e VGT aumentam. Outra caracterstica desejada que a isolao entre enrolamentos seja elevada (na ordem de Kv), para evitar que as tenses envolvidas causem danos ao prprio transformador. Este requisito conflitante com o forte acoplamento necessrio transmisso de sinais.

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5.2 ACOPLADORES PTICOS

NC = NO CONECTADO

Duas so as vantagens dos opto- acopladores em relao ao transformador de pulso: O isolamento entre a entrada e sada do componente de dezenas a centenas de megaohms; A transmisso do sinal unidirecional, no necessitando de componentes externos de proteo como ocorre com o T.P. quando se usa diodos. O inconveniente dos acopladores pticos a necessidade de uma fonte extra ligada ao gate para prover, por exemplo, a corrente do transistor como ilustra a figura:

Acoplamento optico no disparo do SCR

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5.3 ACOPLAMENTO PARA ONDA QUADRADA

Nos casos em que no necessrio o isolamento entre o circuito de disparo e a etapa de potncia e, o sinal de disparo de forma quadrada, conveniente fazer o interfaceamento como mostra a figura.

Interface de acoplamento e formas de onda de entrada sobre o gate.

O pico de corrente no gate determinado pelo valor de R1 pois inicialmente o capacitor encontra-se descarregado. O tempo de descida da corrente at a estabilizao em torno de IG min dependente da constante de tempo do circuito R1C e o valor estvel de corrente dado pela soma de R1 e R2 pois neste instante o capacitor encontra-se carregado. O tempo de descarga do capacitor determinado por R2,, que normalmente desprezvel visto que largura do pulso de disparo (Ton) da ordem de 100s, isto , bem menor que o intervalo de tempo entre dois pulsos que da ordem de 8,3ms no pior dos casos.

Para calcular o circuito parte- se de R1, que dado por:

R1 =

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A soma de R1 com R2 : R1 + R2 =

O tempo de carga do capacitor deve ser de 4 a 5 constantes de tempo R1C: 5R1C 0,5. 10-6

C=

6 TCA 785

O TCA 785 um circuito integrado dedicado a circuitos de disparo de tiristores. Quando h necessidades de preciso no disparo, sincronismo com a rede de alimentao, simplificao do projeto e outras vantagens, o uso deste C.I. mostrase bastante vantajoso.

6.1 CARACTERSTICAS PRINCIPAIS DO TCA 785

Largo campo de aplicao devido possibilidade de controle externo; Operao em circuitos trifsicos utilizando-se 3 CIs; Compatvel com LSL, TTL, MOS, CMOS; Duas sadas com correntes de 55mA e duas sadas complementares; Durao de pulso de disparo determinado por capacitor externo; Deteco de passagem de tenso por zero volts; Indicado tambm como chave de ponto zero e conversor tenso-freqncia; Possibilidade de inibio dos pulsos de disparo; Faixa de tenso de alimentao de 8V a 18V; Consumo interno de corrente de 5 mA.

6.2 DESCRIO E FUNCIONAMENTO DO TCA 785

O diagrama em bloco representado na figura abaixo. O circuito alimentado por fonte de tenso interna de 3,1 V, assegurando independncia dos parmetros essenciais das variaes de tenso de alimentao VS (8 a 18V). O consumo de corrente (cerca de 5 mA) aproximadamente constante para toda a faixa de tenso de alimentao. A tenso regulada levada ao pino 8

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atravs de uma resistncia interna possibilitando nos circuitos trifsicos iguais condies para o controle de todas fases, atravs da ligao paralela dos CIs, para melhorar a supresso de RF um capacitor pode ser colocado entre o pino 8 e terra.

Diagrama interno do TCA 785

A sincronizao obtida atravs de um detector de zero (pino 5) altamente sensvel, conectado a um registrador de sincronismo. O gerador de rampa (cujo controle est na unidade lgica) consiste essencialmente de uma fonte controlada de corrente constante, que carrega linearmente um capacitor externo (pino 10, C10 0,5 nF). A corrente desta fonte determinada por uma resistncia externa (pino 9, R9 = 20 at 500 k), o tempo de subida da rampa assim determinado pela combinao RC. Operando com chave de ponto zero, a lgica do registrador de sincronismo gera a informao na sada do detector de zero, para ser fornecida ao circuito seguinte somente se o capacitor da rampa C10 estiver completamente descarregado. O comparador de controle compara a tenso da rampa com a de controle V11 (pino 11) e provoca a sada de pulsos de disparo via unidade lgica. Pulsos positivos de aproximadamente 30s, que podem ter durao alterada atravs do capacitor externo no pino 12, aparecem na sada A1 (pino 14) e A2 (pino 15). Se o pino 12

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ligado a terra, a largura de pulso pode atingir at 180 , as sadas A1 e A2 so afetadas por meia onda, onde a sada A2 fornece pulsos de disparo somente se a tenso de sincronizao for positiva e a sada A1 somente se a tenso de sincronizao for negativa. As duas sadas (A1 e A2) so seguidor de emissor e com corrente de 55 mA. As correspondentes sadas invertidas A1 e A2 so em coletor aberto com corrente mxima de 1,5 mA. Se o pino 13 for ligado terra, a largura do pulso pode atingir at 180. Algumas sadas podem ser inibidas atravs do pino 6, conectando-se este terra. Para aplicaes com TRIACs pode-se usar sada Z (pino 7) que a soma lgica NOR das funes A1 e A2. Caractersticas da Pinagem do TCA 785. PINOS FUNO - PINO 01 O V - Terra. - PINO 02 Sada complementar de A2 coletor aberto Imx. 1,5 mA.. - PINO 03 Sada U - coletor aberto. - PINO 04 Sada complementar de A1 - coletor aberto Imx. 1,5 mA. - PINO 05 Detector de zero para sincronizao. - PINO 06 Inibidor de disparo levando a 0 V. - PINO 07 Sada Z- soma lgica NOR de A1 e A2 - PINO 08 Tenso estabilizada interna 3,1 V. - PINO 09 Rp controla a corrente de carga de cp ( 20 k Rp 500K). - PINO 10 Cp capacitor de formao da rampa (Cp 500 nF). - PINO 11 Tenso de controle comparada tenso da rampa em cada cruzamento muda a sada. - PINO 12 Capacitor de controle da largura do pulso de disparo (+ 500 s/nF). - PINO 13 Comutao para pulso longo dos pinos 2 e 4 comuta com 0 V. - PINO 14 Sada A1 semi-ciclo negativo seguidor de emissor Imz. 55 mA. - PINO 15 Sada A2 semi-ciclo positivo seguidor de emissor Imx. 55 mA. - PINO 16 Alimentao 8 V Vcc 18 V.

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6.3 FORMAS DE ONDA NO TCA 785

Grficos: Tenso de Entrada x Tenso de Rampa x Largura de Pulso

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6.3.1 COMPARAO: SADA Q X SADA Q

Grficos : Nveis de tenso nas sadas do TCA 785

7 RELS DE ESTADO SLIDO

So chaves semicondutoras utilizadas quando se requer confiabilidade, elevada velocidade de operao, dimenses fsicas e peso reduzidas. especialmente aconselhvel aplicar os SSRs em caso de presena de materiais inflamveis, atmosferas gasosas explosivas e outras situaes nas quais indesejvel o faiscamento dos rels convencionais, cotactoras ou chaves de comando. O disparo do SSRs normalmente se faz em tenso nula e o bloqueio quando cessa a corrente, no caso mais comum quando se trabalha em CA e desta forma se evita a emisso de RFI (RDIO FREQUENCY INTERFERENCE). Vantagens dos SSRs sobre Rels Eletromecnicos:

Inexistncia de partes mveis e nem parte metlicas sujeitas a corroso; No h aparecimento de Arco Voltaico e nem de RFI; Elevada Velocidade de Comutao; Disparo em tenso nula aumenta a vida da carga,facilmente observvel em lmpada de tungstnio;

Expectativa de vida til 20 vezes maior que as eletrnicas; Imunidade contra choques e vibraes,possibilitando instalao em qualquer posio;

Facilidade de adaptao a controle eletrnico com nveis TTL ou CMOS.

Desvantagens dos SSRs em relao aos Rels Eletromecnicos. Sujeito falhas sob condies de sobre tenso ou sobre corrente; No proporciona isolao completa (corrente de fuga) quando bloqueado e nos casos onde aparece o SNUBBER, a isolao diminui; Existe queda de tenso de cerca de 1 a 2 volts quando em conduo.

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O circuito da figura a cima mostra a configurao tpica e em blocos de aplicao deste tipo de controle de potncia. O circuito de controle que permite ou no o disparo dos tiristores, normalmente composto por sensores, amplificadores, comparadores ou mesmo temporizadores. Para dimensionar os tiristores deve-se tomar cuidado pois a corrente eficaz sobre cada SCR no metade da corrente eficaz sobre a carga mais sim dada pela equao:

IRMS(SCR) = I RMS(carga) 2

Os SSRs so tambm chamados de ZERO CROSSING SWITCH ou CONTROLE ON-OFF POR CICLO INTEGRAL. Neste tipo de controle liga-se os tiristores por vrios ciclos completos e desliga-se por alguns tambm completos. Note que a potncia sobre a carga controlada pela relao TON e TOFF. Isto , relao de trabalho. Os tiristores so sempre disparados quando a tenso passa por zero, tendose assim um crescimento da corrente proporcional ao crescimento da tenso, isto , senoidalmente. Com isso no se gera RFI e temos sempre a corrente em fase com a tenso, para o caso de cargas resistivas. Note que o controle da potncia por ciclo integral idntico a utilizao de estado slido, apresentando mesmas vantagens e desvantagens. Normalmente falase em ciclo integral quando envolve o disparo de tiristores em intervalos de tempo compatveis ao perodo da rede de CA e, em SSR quando os tempos de conduo so maiores.

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importante considerar o parmetro dI/dt neste caso, pois este parmetro mede a variao da corrente no intervalo de tempo dt, isto , a derivada da corrente. Considerando um corrente senoidal dada por:

I(t)= Ip.sen.wt A primeira derivada dado por:

dI/dt=Ip.w.cos.wt Para cada t pequeno ou prximo de zero, o cosseno vale aproximadamente I, garantindo um dI/dt muito pequeno quando comparado com dI/dt do caso da potncia ser controlada por fase.

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FORMULRIO DE ELETRNICA DE POTNCIA Tenso de disparo V( ) = Vp . sen ngulo de disparo = arc sen Corrente RMS

IRMS =

FRMULAS PARA SCR Tenso Mdia VM = Vp Tenso Eficaz VRMS = Corrente RMS IRMS = Potncia na carga PL =

FRMULAS PARA TRIAC Tenso Eficaz na carga VRMS = Tenso Eficaz na carga (indutiva) VRMS =

Dimensionamento Clculo da Potncia dissipada no SCR PSCR = VAK . IRMS (MX) VBO < Vp Clculo da Potncia dissipada no TRIAC Pdis = VA1A2 . IRMS (MX) VBO< Vp