4.1.2.

- FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR BIPOLAR BJT

Una vez polarizado el transistor en su zona de funcionamiento se pueden producir variaciones no deseadas de las corrientes en el mismo debidas a variaciones en la tensin colector-base. Estas variaciones de corriente son consecuencia de la modulacin de la anchura de la base , tambin conocida como Efecto Early .En un transistor bipolar, un incremento en la tensin colector-base lleva asociado un incremento en la anchura de la zona de carga espacial de dicha unin. Este aumento provoca una disminucin de la anchura efectiva de la base, tal y como se observa en la figura 12 (la anchura efectiva de la base pasa de WBa WB ). Debido a esto, la corriente de colector aumenta, pues existe menos camino para la recombinacin en base. La pendiente positiva de las curvas caractersticas del transistor en zona activa es debida a este efecto.

Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado, as como el esquema de identificacin de los terminales. Tambin tendremos que conocer una serie de valores mximos de tensiones, corrientes y potencias que no debemos soprepasar para no destruir el dispositivo. El parametro de la potencia disipada por el transistor es especialmente crtico con la temperatura, de modo que esta potencia disminuye a medida que crece el valor de la temperatura, siendo a veces necesario la instalacion de un radiador o aleta refrigeradora. Todos estos valores crticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de caractersticas de los distintos dispositivos. Una forma de identificar un transistor NPN o PNP es mediante un polmetro: Este dispone de dos orificios para insertar el transistor, uno para un NPN y otro para el

PNP. Para obtener la medida de la ganancia es necesario insertarlo en su orificio apropiado, con lo que queda determinado si es un NPN o un PNP.

Zonas de funcionamiento del transistor bipolar: 1. ACTIVA DIRECTA: El transistor slo amplifica en esta zona, y se comporta como una fuente de corriente constante controlada por la intensidad de base (ganancia de corriente).Este parmetro lo suele proporcionar el fabricante dandonos un mximo y un mnimo para una corriente de colector dada (Ic); adems de esto, suele presentar una variacin acusada con la temperatura y con la corriente de colector, por lo que en principio no podemos conocer su valor. Algunos polmetros son capaces de medir este parmetro pero esta medida hay que tomarla solamente como una indicacin, ya que el polmetro mide este parmetro para un valor de corriente de colector distinta a la que circular por el BJT una vez en el circuito. 2. SATURACIN: En esta zona el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos digitales, etc.), y lo podemos considerar como un cortocircuito entre el colector y el emisor. 3. CORTE: el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos digitales, etc.), y podemos considerar las corrientes que lo atraviesan practicamente nulas (y en especial Ic). 4. ACTIVA INVERSA: Esta zona se puede considerar como carente de inters.

El transistor PNP es complemento del NPN de forma que todos los voltajes y corrientes son opuestos a los del transistor NPN.

Para encontrar el circuito PNP complementario: 1. Se sustituye el transistor NPN por un PNP. 2. Se invierten todos los voltajes y corrientes.

4.1.3.- CURVAS CARACTERSTICAS Y REGIONES DE OPERACIN DEL TRANSISTOR BIPOLAR

CURVAS CARACTERSTICAS DE LOS TRANSISTORES Para representar en un plano, en un sistema de dos coordenadas, los valores de las tres magnitudes del transistor, es necesario mantener una de ellas constante, pues si variasen las tres, nicamente podran representarse en el espacio, con un sistema de tres coordenadas. Para lograr varios puntos de las curvas es preciso conectar el transistor de forma que se puedan alterar las polarizaciones de base y de colector, al mismo tiempo

que se miden las corrientes que pasan por dichos electrodos. Aunque los fabricantes de transistores y los manuales de caractersticas proporcionan las curvas de funcionamiento de cada modelo de transistor es recomendable experimentar personalmente con un circuito bsico para as poder sacar conclusiones personales y entender mejor el funcionamiento de este tipo de semiconductores. Curva caracterstica segn la intensidad de base Relaciona la intensidad de base que circula por la entrada del transistor, con la tensin que se le aplica en el mismo circuito entre la base y el emisor, para una tensin constante entre colector y emisor. En realidad estas dos magnitudes que relacionan la curva son proporcionales, pues forman el circuito de una unin NP polarizada directamente. Por este motivo, tanto los valores de tensin entre la base y el emisor como los de la intensidad de base son muy bajos. Curva caracterstica segn la intensidad de colector Esta curva caracterstica sirve para relacionar la intensidad de salida del transistor con la tensin que se le aplica a su entrada, manteniendo constante la polarizacin del colector. Esta curva se utiliza para calcular el valor de amplificacin en circuitos amplificadores. En esta curva se observa que con variaciones pequeas de la tensin de entrada entre la base y el emisor se consiguen incrementos importantes en la intensidad de salida del colector. ARTCULOS RELACIONADOS Anlisis del circuito de un transistor y su resistencia de carga Fabricacin, nomenclatura y aplicaciones de los transistores Aplicaciones de las fuentes de alimentacin estabilizadas.

Curva caracterstica segn la tensin entre colector y emisor Son sin duda las ms utilizadas para la determinacin de los puntos de trabajo del transistor, y sirven para relacionar la intensidad y la tensin del circuito de salida, manteniendo constante la intensidad de base o la tensin entre la base y el emisor. Como el diseo de estas curvas caractersticas es totalmente terico, y en la prctica se precisan datos de comportamiento real del transistor, hay que tener en cuenta otros cuatro parmetros universales que lo definen, como son: 1. La resistencia dinmica de entrada con salida en corto, y tensin entre colector y emisor constante. 2. Relacin entre la tensin de salida y la de entrada, con intensidad de base constante. 3. Conductancia de salida, con tensin entre la base y el emisor constante. 4. Relacin entre la corriente de salida y la de entrada, con tensin entre el colector y el emisor constante. En muchas ocasiones el conjunto de las curvas caractersticas de los transistores suele venir en un solo grfico y es necesario conocerlas para poder disear circuitos como son etapas amplificadoras de sonido. REGIONES DE OPERACIN DEL TRANSISTOR BIPOLAR 1 REGION ACTIVA: en donde el transistor esta en el punto Q, es cuando no esta ni en saturacin ni en corte pero esta conectado con todos su voltajes de polarizacin. 2 REGION INVERSA: el transistor esta polarizado inversamente, lo que hace que la ganancia disminuya. 3 REGION DE CORTE: el transistor no conduce. Por lo tanto la corriente colectoremisor es igual a (0) el voltaje entre emisor y colector es igual al de la fuente de

alimentacin. Con la respectiva perdida de las resistencias que se encuentran polarizando,

No conduce, pero si esta polarizado y con sus fuente de voltaje, deacuerdo al diseo que se desee. 4 REGION DE SATURACION: el transistor ha recibido un voltaje en su entrada, y ha entrado al modo de conduccion entre emisor y colector, en donde la corriente en esos puntos es la misma que la de la fuente deacuerdo a las resistencias de polarizacion utilizando la ley de ohm, el voltaje entre emisor y colector es igual a (0).

TRANSISTOR BIPOLAR

1.- muestra el smbolo de un transistor bipolar o BJT (Bipolar Junction Transistor), con la nomenclatura habitual de sus terminales.

Figura 1: Smbolo y tipos de transistor BJT Internamente, el BJT se compone de tres capas de silicio, segn la configuracin mostrada en la Figura 2.

Figura 2: Estructura interna del transistor bipolar Como puede apreciarse, la flecha que indica el tipo de transistor, apunta al sentido de la corriente en polarizacin directa del diodo BE. En principio, parece una estructura simtrica, en la que es imposible distinguir el emisor del colector. Sin embargo la funcin que cumple cada uno es completamente distinta, y en consecuencia, se fabrican con diferentes caractersticas. Por lo tanto no es un componente simtrico. Un transistor tiene dos formas principales de operacin: como un interruptor o como una resistencia variable. 1.1 TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR La funcin del transistor como interruptor es exactamente igual que la de un dispositivo mecnico: o bien deja pasar la corriente, o bien la corta. La diferencia est en que mientras en el primero es necesario que haya algn tipo de control mecnico, en el BJT la seal de control es electrnica. En la Figura 3 se muestra la aplicacin al encendido de una bombilla.

Figura 3: El transistor bipolar como interruptor de corriente En el primer caso, bajo la seal de control adecuada, que es introducida a travs de la base, el transistor se comporta como un circuito abierto entre el emisor y el colector, no existe corriente y la bombilla estar apagada. En el segundo caso, cambiando la seal de control, se cierra el circuito entre C y E, y los 12 V se aplican a la bombilla, que se enciende. Este funcionamiento entre los estados de corte y conduccin se denomina operacin en conmutacin. Las aplicaciones tpicas de este modo de operacin son la electrnica de potencia y la electrnica digital, en la que los circuitos operan con dos niveles de tensin fijos equivalentes al y lgicos.

1.2 TRANSISTOR COMO RESISTENCIA VARIABLE En la Figura 4 se presenta la comparacin entre un potencimetro y un transistor colocados en un circuito.

Figura 4: Transistor bipolar operando como resistencia variable Si el valor de la resistencia del potencimetro se fija en 5 kW, la tensin de salida VOUT ser de 5 V. Al aumentar esta resistencia, la salida tambin aumentar de valor. Por ejemplo, con 20 kW VOUT resulta ser 8 V. Modificando el valor del potencimetro se puede obtener cualquier valor en la salida comprendido entre 0 V y 10 V, ya que:

Al igual que en el potencimetro, en el transistor se puede ajustar su resistencia entre colector y emisor, con la diferencia de que la seal de mando no es mecnica, sino elctrica a travs de la base. Como se ver ms adelante, con una pequea seal aplicada en la base puede gobernarse el BJT, con lo que aparece un concepto nuevo: la amplificacin de seales. Esta funcin es la base de la electrnica analgica, aquella en la que se procesan seales de tensin respetando su forma de onda temporal