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Estrutura Eletrnica em Slidos

LIGAO METLICA

QFL-4010 Prof. Gianluca C. Azzellini

Algumas Propriedades dos Metais:

Condutividade Eltrica Condutividade Trmica Maleabilidade Brilho

Mobilidade dos eltrons de valncia na estrutura.

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Teoria de Bandas: Formao de Orbitais Moleculares envolvendo todos os orbitais atmicos dos tomos no slido.

a) Li2
Anti-Ligante

2s

2s

Ligante

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b) Li3

Anti-Ligante

2s

2s

2s
No Ligante

Ligante

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c) Li4

Anti-Ligantes

2s

2s

2s

2s

Ligantes

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d) Lin

2s

2s

n tomos

Banda de Energia: Conjunto de OM com pequenas diferenas de energia entre orbitais (nveis) sucessivos.

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Conduo Eletrnica e Distribuio Eletrnica :


a) Orbitais Atmicos Semi-Preenchidos

N OM
2s

n tomos 2s1

N/2 OM Completamente Preenchidos

n eltrons

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Camada Vazia

2s

Banda de Valncia n tomos 2s1

banda s

Camada Preenchida

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Estmulo Externo

Promoo de eltrons para a camada vazia

Nveis de Conduo (Banda Conduo)


2s

n tomos 2s1

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b) Orbitais Atmicos Preenchidos, Ex: Be

N OM
n 2s

n tomos 2s2

N OM Completamente Preenchidos

2n eltrons

banda s

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banda p (vazia)

n 2p

Banda Conduo (BC)

Sobreposio bandas s e p
n 2s

Banda Valncia (BV)

banda s
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Nveis de Fermi: Nveis eletrnicos de maior energia ocupados em um slido T=0K.


Nvel de Fermi

n 2s1

n 2s2

Nvel de Fermi

HOMO

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Formao de lacunas (buracos positivos)

T>0K

Nvel de Fermi +

Movimentao de eltrons e lacunas

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Condutores, Semi-Condutores, Isolantes


1eV~ 96,5 kJ.mol-1

BC

BC
E~5 eV E 0,6 1,1 eV

gap

gap

BV Condutor Semi-Condutor
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BV

Isolante

TEMPERATURA E CONDUTIVIDADE

A) Condutores:

Temperatura

Condutividade

>T > vibraes atmicas

T1 T2>T1
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T2

TEMPERATURA E CONDUTIVIDADE
B) Semi-Condutores:

Temperatura

Condutividade

C) Isolantes: Quando condutividade mensurvel Temperatura Condutividade

Processo Excitao Trmica: BC BV

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SEMI-CONDUTORES INTRNSECOS

Ex: Si e Ge

BC

BC

BV
Excitao Trmica ou Luminosa

BV

Fluxo de eltrons

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SEMI-CONDUTORES EXTRNSECOS

i- Tipo p (positivo)
Dopagem com elementos deficientes de eltrons em relao matriz

Si Si B+

Si Si Si

Si B+ Si

Si Si Si

Si Si Si

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i- Tipo p (positivo)

BC

Nvel Aceptor
+

~0,1 eV

BV

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SEMI-CONDUTORES EXTRNSECOS

ii- Tipo n (negativo)


Dopagem com elementos com mais eltrons em relao matriz

Si Si P-

Si Si Si

Si PSi

Si Si Si

Si Si Si

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ii- Tipo n (negativo)

Nvel Doador

BC
~0,1 eV

BV

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JUNES p-n
+ + + + + + + + + + + + -

p
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Conexo com um Gerador Externo de Corrente

+
p

- +
n

Passagem Corrente

- +
n

Bloqueio Corrente
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