Semiconductores-EI dodo

s.* lftr/frflllfrtrt .!.t.!l uu!rLL.

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"

EI sector electrnico lta conseguiclo ltot sn tla unas cotus cle imtortanciu en el sector productivo y tle bienes tle consunto tlue purecun inimuginubles hace unos uos. Ltt Electrtticct y los contponentes electrnicos comiettzon su uttdcttlut'u a /nules del siglo XIX cott el clesstollo elel diodo ' del triodo tle vuco. Con estos elementos J:tt eru posible Iu antpli/cucin cle seales ' multitucl tle uplicuciones. Cott lu invencin o .finales cle 1940 del trunsistor bitolar ct base tle componentes de estado slielo, se produ.jo unu verduclers re,volucin en el sector elecfrnico. EI siguienfe paso Jfue la aparicin en 1959 elel primer circuito integraelo. Destle ese nu)ntento lus posibilidades cle miniuturiutcin tle los circuitos 4rucias ul uutnento de lus posibilicludes en la densiiad de integrucin ltun crecido exponenciulntente, tlctttdo lugur a un nuevo concepto: la microelectrnica.
Se puede decir que con los semicontluctores se comienzct el estutlio propio de la Electrnicu. Con el uso tle los senicontluctores es posible lu elaborucin de dioelos, trunsistores, tiristores y circuitos integrudos en generul.

En esla Unidud tle Conteniclo vettlos (t estudiur los tliotlos puru posteriormente oplicurlos en circuitos tle recfificucin (circuitos tue convierten lu corriente ultentu en
continuu).

L{J33 tvs3sjs;
Los semiutndttcores. El diodo de unin. DistosiI ivos optoele(:tt'n t'os : diodos LED t' /brododo.s

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Analizut' lu tipologtt .t' c'aruccrsiccrs -/iutc'ir,tnoles cle los tlicdos. Dest'ribir ltts c'ttrvcts cLtt'oLtct',\ticLts ntLis rtpt't',tentalivcts de lts diodos, explicondo lu relacitt exi,stene enfre las mugnitucles.finclatttenales cltre los c(trLktet':Lttt. InterTtrefat'kts turcintetros.funclttntenfales tlue apLlrecen en lus hofcr.s lc'ttic:us cle
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ttte.s le d i odos.

Anali:cu' lu tipologa y cut'acter.slic'as./irnciouole.s tle los tlistositit'os o'tfoelec'rnicos.

0.1. Los semiconductores

10.2. El diodo como

Los semiconductores han revolucionado el mundo de la electrnica. Con ellos han aparecido los diodos, transistores, tiristores y dems componentes electrnicos construidos gracias a los semiconductores que han sustituido a las vlvulas electrnicas. Por otro lado, con la aparicin de los circuitos integrados, que suplen la funcin de grandes cantidades de diodos, transistores, resistencias, condensadores y cualquier tipo de componente electrnico, se ha dado el gran paso hicia el futuro de la electrnica. La ventaja que poseen los semiconductores es que son de reducido tamao, pequeo consumo y bajo precio. En la Figura 10.1 se muestra los smbolos elctricos de los semiconductores ms comunes y en la Figura 10.2 el aspecto de los mismos.

semiconductor
El diodo es un elemento semiconductor que slo permite la circulacin de corriente en un sentido nico (Figura 10.3).

Figura f 0.3.

++
Diodo Diodo zener

Its
iodo Led

Fotodiodo

\\(
Transistor NPN

)F *F
JFET

Su aplicacin es especialmente interesante en aquellos dispositivos en que sea necesario esta cualidad, como, por ejemplo, en los rectificadores, que son capaces de convertir la C.A. en C.C.

Antes de pasar a estudiar los diodos de unin, conviene tener una idea muy clara de lo que es un semiconductor. Existen ciertos cuerpos como, por ejemplo, el selenio, el germanio y el silicio que en condiciones normales son aislantes, pero con cieftas modificaciones de su organizacin molecular se pueden convertir en conductores. Esto es debido a que su estructura cristalina no dispone de electrones libres capaces de establecer una corriente elctrica; sin embargo, los electrones de sus ltimas rbitas pueden ser liberados artificialmente, por lo que se convierten en cuerpos conductores. El procedimiento ms habitual para conseguirlo consiste en introducir en el interior de estos materiales sustancias con una
estructura airmica determinada.

Transistor PNP

Fototransistor

-*E
JFET P

r1
Mosfet P

_-tr
UJT P

Mosfet N

-tr

UJTN

SCR

+
DIAC

+
TRIAC
FOTODIODO

Experiencia 10.1
Consigue un diodo y conctalo intercalado en el circuito de una pila y una lamparita (Figura I 0.4). S conectas el ctodo del diodo (terminal negativo indicado por unq raya en el componenfe) en el polo negativo de la pila, observars que dicha lamparita se enciende. Sin embargo, si inviertes las conexiones del diodo la lamparita no se encender.

tiguta 10.1. Smbolos elctricos de los semiconductores.

-=+
DIODO

sr
DIODO LED

ffie{d
TRANSPIRADORES

ffi
W
SCR

TRIAC

ffi

CIRCUITO INTEGRADO

W
RE GULADOR DE TENSION

Figwa 10.4. Figura'10.2. Aspecto de los semiconductores.

En definitiva, el diodo acta como un interruptor que estar cerado en caso de estar bien polarizado y abierto cuando la

En estas condiciones, el tomo de silicio es completamen-

te aislante, ya que no existen en su seno electrones libres

capaces de establecer una corriente elctrica.

polarizacin est invertida.

Esta propiedad es muy interesante y est motivada por la estructura interna del diodo. En ef-ecto, este componente est constituido por la unin de dos cristales semiconductores, uno de tipo P y otro de tipo N (Figura 10.5).

Silicio tipo N: Existen elementos, como el antimonio,

el

arsnico, etc., que poseen 5 electrones de valencia. Si uno de estos elementos los unimos con el silicio, se producirn enlaces covalentes incompletos, ya que uno de los electrones de estos elementos quedar libre por estar las rbitas completas. E,l resultado de la combinacin del silicio con la impureza de

+++++ +++++ +++++ +++++

Figura 10.5. Unin de dos cristales de tipo
P

antimonio es un cristal denominado silicio tipo N, ya que existen cargas negativas libres (Figura 10.7).

y N.

o
a

''l

Estos cristales son de silicio o de germanio con la adicin de algn otro elemento que les confiere una cierta polaridad ya sea P (exceso de cargas positivas) o N (exceso
de negativas). Cmo se forman estos cristales'7 Estudiemos el caso del silicio como cuerpo semiconductor,

por ser el rns utilizado.

o
1

0.3. Caractersticas atm icas

re

del silicio
Es un cuerpo cristalino cuyas molculas tienen formas geomtricas regulares. Por otro lado, posee 4 electrones de valencia, es decir, que en su rbita exterior slo existen cuatro electrones (Figura 10.6). Como se sabe, todo cuerpo precisa de 8 electrones de valencia para que mantenga una esta-

Figura 10.7, Enlaces covalentes incompletos de un cristal de silicio tipo N.

bilidad normal. El silicio es un cuerpo estable con slo 4

electrones de valencia, ya que se complementa con cuatro electrones de los tomos vecinos (enlace covalente) y as suma los 8 electrones precisos para su estabilidad.

Silicio tipo P: De la misma forma que en el caso anterior, si al silicio en estado puro se le introducen impurezas que, en vez de tener cinco electrones de valencia, slo dispongan de tres, como el indio, el aluminio, galio, boro, etc., el enlace covalente ser, otra vez, incompleto (Figura 10.8).

o
a

@
'o
a

6)

o
h

.h
0'
o.

@
'a

@
,

o
i

o
a

o
o.

@
..

t) \7
P.

Figura'10.6. [nlaces covalentes en el silicio.

Figura 10.8. Enlaces covalentes incompleto en un cristal

El tomo de impureza, al tener sio tres electrones, no llega a rellenar todos los huecos, pues slo satisface las necesidades de tres de los cuatro tomos de silicio. Se necesita pues un electrn ms para rellenar ese hueco. Estos huecos representan una f'alta de electrones y produ-

cen una naturaleza positiva al cristal, que en este caso denomir.ra silicio tipo P.

se

10.4. El diodo de unin

Figura f0.11. Polarizacin inversa del diodo de unin.

El diodo de unin se forma al juntar un cristal tipo P con otro tipo N (Figura 10.9). Da la irrpresin de que al juntar estos dos cristales de cargas opuestas, en la unin AB se producir una neutralizacin de cargas, pero no es as, ya que en dicha unin aparece una pequea barrera por efecto de la repulsin que evita este fenmeno.

Los electrones libres del cristal N se sentirn atrados por el polo positivo de la batera y los huecos por el polo negativo de la misma, cleudose en la unin AB una especie de vaco que evita la circtrlacin de corriente a travs del diodo. En este caso se ha conectado el diodo en sentido inverso. A pesar de ello siempre existe una pequea corriente de firga qr-re recibe el nonrbre de corriente inver.sa del diodo (ll.
Para que el diodo conduzca polarizado en sentido directo
necesita ser sometido a una tensin minima de polarizaciu, que en el caso del germanio es de 0.2 V y de 0,6 V para el silicio.

OOi+ + + OOi+ + + OOi+ + +

i
,
Barr"ra

potencial

de

i
:

Figura 10.9. Barrera de potencial en una unin PN.

Las caractersticas de los diodos semiconductores varan grandemente con la temperatllra. De tal fbnna que, cuanto mayor sea la temperatura de la unin, mayor ser el nmero de electrones libres y, por tanto, aumentar la corriente de conduccin. En el germanio estas variaciones son excesivas. por encima de los 75 "C se hace diflcil su utilizacin, mientras que el silicio puede emplearse hasta los 200'C aproximadamente. En la actualidad la gran mayora de semiconductores son de silicio.

Ahora bien, si conectamos una batera al diodo (Figura

10.10), de tal forma que el polo positivo de ste coincida con el cristal tipo P y el negativo con el cristal tipo N, las cargas negativas sern repelidas hacia la superficie de la unin con gran fuerza y vencern de este modo la barrera AB. Por lo tanto, se producir una corriente elctrica /. a travs del diodo, neutralizndose los electrones con los huecos.

10,4,1. Caractersticas en polarizacin

directa de un diodo
Obtener las caractersticas de poiarizacin de un diodo significa determinar la relacin existente entre los dif-erentes valores de la tensin de polarizacin (Vo) V la corriente directa (In).

r+

OF-+ F-> .--@ --.@ ---@

OF">

Cr+ O-+
A

.--O.--@

=--@

F-+ F-+ F--> .--@ --O.-O Or+ Ol+ F--> <-@ <-@ <-o

Para obtener experimentalmente esta relacin habra que realizar el ensayo que se muestra en la Figura 10.12. En la misma, la lectura de Vn indica la tensin de polarizacin directa en voltios y la lectura de la coniente directa lo.

--+

Ir

4-O <-O <-O <-O <-O

Corriente de electrones

<-O
Figuta 10.12. Circuito para obtener la curva de polarizacin directa de un diodo.

Figuta 10.10. Polarizacin directa de un diodo de unin.

Veamos ahora qu pasara si conectsemos la batera sentido contrario (Figura 10.1 1).

En la Figura 10.13 se puede apreciar la curva caracterstica de polarizacin del diodo ensayado. La cuna tiene forma exponencial en las proximidades del cero y se acerca al valor de la

intensidad de coriente mxima admisible a medida que aumenta la tensin. Esto indica que la resistencia del diodo es de muy bajo valor y que disminuye rpidamente al aumentar la tensin.
10
8

Los fabricantes de diodos expresan el valor de la coniente inversa en sus hojas de especificaciones tcnicas. As, por

ejemplo,

la

serie de diodos con

la referencia tN4001
l0 rA cuando

1N4007 establece una coriente inversa de polarizados inversamente.

1o

son

In6
(mA) 4
2
0

Observa que, segn se aumenta la tensin inversa, tambin hace la corriente, hasta que se llega a un valor Vr, llamado tensin de ruptura del diodo. En este momento aparece un efecto de avalancha y aumenta bruscamente la intensidad de corriente inversa, lo que provoca la destruccin del diodo por la excesiva disipacin de calor.

0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,1 0,8 V tv)

0,9

Para que esto no ocurra, es necesario disear las condicio-

nes de trabajo del diodo con Llna tensin inversa siempre

menor a su tensin de ruptura. Los fabricantes de diodos especifican los valores delaten-

Figura 10.13. Curva de polarizacin directa de un diodo.

Cuando nosotros polarizamos directamente un diodo, ste no comienza a conducir de una lorma apreciable hasta que le apliquemos la mnima diferencia potencial de barera, conocida por el nombre de tensin umbral. En el caso del germanio esta tensin es de 0,2 V y en el del silicio 0,6 V. por

sin inversa pico en sus hojas de especificaciones tcnicas.

As, por ejen-rplo, mientras el diodo con la referencia lN400l soporta una tensin mxima inversa de 50 V el 1N4007 llega soportar 1.000 V.
En la Figura 10.16 se muestra la curva caracterstica completa de un diodo de unin.

debajo de esta tensin la corriente es muy pequea

encima aumenta considerablemente.

por

10,4,2, Caractersticas en polarizacin inversa de un diodo

Para obtener la curua caracterstica inversa bastar con inverlir la corriente del diodo, de tal lorma que el cristal N est
conectado al positivo de la pila y el P al negativo (Figura 1 0. I 4).

30 mA

20 mA

l0 mA In Vr

1pA
2 ILA

3FA
Figun 10.14. Circuito para obtener la caracterstica inversa de un diodo.

Ya se dijo anteriormente que cuando el diodo queda sometido a una tensin inversa V*, aparece una pequea corriente de fuga I^, a la cual denominbamos corriente inversa. Esta corriente es del orden de unos "tA o nA, tal como se puede apreciar en la curva de la Figura 10.15 correspondiente a la caracterstica inversa del diodo^
Vn (v)
100

Figura 10.16. Curva caracterstica de un diodo de unin.

10.4.3. Potencia y corrente nominal

40 20
0

80

60

10

nA nA ln

Un diodo se disea parafrabajar ptimamente en unas condiciones nominales deteninadas. Existen dos formas de provocar la destruccin de un diodo:
Exceder la tensin inversa de ruptura. Exceder la potencia mxima nominal.

100

rpA
10

pA
FA

lOO

1mA
Figuta 10.'t5. Caracterstica inversa de un diodo.

Como ocurra con las resistencias, los diodos poseen una cierta capacidad de disipar el calor que se produce en su unin. Este calor depende de la potencia a la que trabaja el diodo, que depende, a su vez! del producto de la corriente por la tensin del mismo.

Si la potencia que se produce en el diodo es superior a la capacidad de disipacin del mismo, ste aumentar excesivamente su temperatura y acabar deteriorndose.

Observa cmo aparece una relacin Iineal entre la corriente y la tensin.

Para realizar una representacin grfica de esta ecuacin

basta con dar valores a

Existen algunos fabricantes que especifican la potencia

nominal de sus diodos en las hojas de informacin tcnica. No obstante, lo normal es que en estas informaciones nicamente aparezca la corriente mxima de polarizacin directa. Bastar con no sobrepasar este valor para que en ningn caso se supere la potencia mxima nominal.

V,

y obtener diferentes puntos de la lnea.

En el caso de que Ve

:0

V,

1.2-0 : Ir: ' .175

0,007 A = 7 mA.

En el caso de que

VF:

1.2

As, por ejemplo, la gama de diodos con la referencia

1N4001 a 1N4007 permite una corriente directa nominal de I A, mientras que el diodo 1N418 permite una corriente directa de 150 mA y una disipacin de potencia & Tu.b:25 "C de 500 mW.

V tr: )2)? t/)

o.

10,4,4, lnea de carga de un diodo

Mediante el conocimiento de la lnea de carga podremos encontrar el valor exacto de la coniente y tensin del diodo para ona carga determinada.
En el circuito de la Figura 1 0. 1 7 se puede apreciar una fuente de tensin V que suministra energa a una resistencia R, en serie con un diodo. La tensin que aparecer en l es Vo. La tensin que aparece en los bomes de R, ser igual a la tensin total V menos Ia cada de tensin V, que provoca el diodo.

En el caso de que la curva caracterstica del diodo sea la que se representa en la figura 10.19, la lnea de carga ser una recta que corte los puntos de 1,2 Y y 7 mA. El punto de interseccin de estas dos curvas nos indica los valores de la tensin y corriente del diodo para una tensin de 1,2 V y una resistencia limitadora de 175 O.
l0
8

Ir6
(mA) 4
2 0

0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8

0,9

1,1 1,2

V (v)
Figuta 10.19. Recta de carga del diodo.

Rs

En nuestro ejemplo se obtiene una corriente de 3,6 mA y

una tensin de polarizacin directa en el diodo de 0,62 V. A este punto se le denomina punto de funcionamiento del diodo.

1
Figuta 10.17. Circuito para trazar la lnea de carga de un diodo.

0.4.5. Caracterstica aproxmada

de un diodo
Al estudiar
las resistencias y condensadores, hemos tenido

Aplicando la ley de Ohm obtenemos la corriente del circuito:

,-t _ tF

V-VRs

Esta corriente se puede representar mediante una recta que nos va ayudar a determinar el punto de trabajo del diodo para unos valores determinados de tensin V y resistencia Rr. Para entender esto mejor presentamos un ejemplo sencillo de aplicacin:

oportunidad de comprobar que los valores de resistencia y la capacidad de estos dispositivos poseen un cierto margen de tolerancia. Lo mismo ocurre con los valores caractersticos de un diodo, de los cuales no se puede afirmar que sean exactos. Por esta razn, se puede enconfrar Ltna curva caracterstica aproximada de trabajo de un diodo sin cometer, por nuestra parte, grandes errores. Adems, este hecho simplifica notablemente la resolucin de circuitos con diodos. En la Figura 10.20 se muestra dicha curva aproximada. Se supone que cuando el diodo est polarizado con una tensin inversa, ste se comporta como un intemrptor abierto y no deja pasar ninguna corriente elctrica.

El valor de la corriente en el circuito de la Figura 10.18 es:

lr

rr

1,2 - v" - ---l-lt/)

Ir
(mA)

L
Figura 10.18.

Vr

0,7
Figwa
10.211.

Ve

(v) .-* 'e

Caracterstica aproximada de un diodo.

Por otro lado, se considera que se necesitan aproximadamente unos 0,7 Y para que un diodo de silicio conduzca como un interruptor cerrado. Se supone que, hasta que no se alcance esa tensin, la corriente directa es nula. De esta explicacin se podran sacar los esquemas equivalentes de las Figuras 10.21 ay b. Cuando el diodo es polarizado directamente se comporta como un interruptor cerrado en serie con una fuente de tensin de 0,7 V. De tal forma que, si la tensin de polarizacin es superior a0,7 Y, el interruptor se ciera (Figura 10.21 a). Si se invierte la tensin de polarizacin del diodo, ste comporta como un interruptor abierto (Figura 10.21 b).
se

10.5.1. Diodos luminiscentes (tED)

Seguro que ya conoces este tipo de dispositivo electrnico, ya que poseen gran aplicacin como elementos sealizadores del encendido de cualquier equipo electrnico, como puede ser: un equipo de sonido, un ordenador, etc. Haciendo combi-

lizar nmeros y letras en pequeos indicadores luminosos (displays), con los cuales se pueden presentar resultados en equipos de medida, calculadoras, etc.
En la Figura 10.23 a se muestra el aspecto de un diodo led y en la Figura 10.23 b su representacin esquemtica.

naciones con ellos, tambin pueden ser empleados para visua-

(")

@)

Figura 10.21. a) Diodo polarizado directamente. b) Diodo polarizado inversamente.

*
(a) (b)

Ejemplo 10.1
Cul ser la corriente directa del diodo del circuito de

Figura 10.22?

Figura 10.23. Diodo l-ED. a) Aspecto fsico. b) Smbolo.

Experiencu 10.2
Consigue un diodo LED, estudia su aspecto y concta-

lo a travs de una resistencia serie de unos 430 d) a una

fuente de almentacin de

l0 1, tal como se muestra

Figura

en la

10.24.

Figura 10.21.

t0v

Solucin:
Para resolver este ejercicio, basta con tener en cuenta la

curva caracterstica aproximada. Aplicando

C)hm:

la ley de

lp:

8V-0,7V
8000

f)

:0,00091 :0,91 mA

Figwa 10.24.

Habrs podido comprobar que para que el diodo LED se ilumine hay que coneclarlo de tal forma que quede polarizado directamente. El terminal que representa al
nodo suele aparecer en el componente indicado con una marca (este terminal suele tener una longitud mayor que el del ctodo). (Por si fuera poco, se aade un pequeo aplanamiento en la cpsula en las inmediaciones del terminal del ctodo). En el cctso de no esfar seguro cul es cada uno de los terminales, se puede verificar el estado de conduccin con un polmetro, lal como se haca con los diodos de unin PN.
Se enciende el diodo

0,5. Dispgsitivos optoelectrn igos

Dentro de la denominacin de dispositivos optoelectrnicos se incluyen todos aquellos elementos semiconductores capaces de producir una radiacin luminosa comprendida dentro del espectro visible o fuera del mismo (infrarrojos), como lo son los diodos LED. Tambin se incluyen los componentes sensibles a la luz, como, por ejemplo, los fotodiodos.

LED al polarizarlo direcfamente?

Los diodos LED se fabrican mediante la unin de dos cristales semiconductores PN, a los que se les ha contaminado de una forma especial. Cuando una unin de este tipo se polariza con una tensin directa, al igual que ocurra con los diodos convencionales, los electrones de valencia del cristal tipo N atraviesan la unin y se recombinan con los huecos del cristal tipo P. Dado que dichos electrones se trasladan de un nivel de energa ms alto a uno ms bajo, se produce una liberacin de energa, que en este tipo de diodos se manifiesta en forrna de radiaciones electromagnticas dentro del espectro luminoso.

Ejemplo 10,2
Se quiere deteminar la resistencia que hay que conectar en serie con un diodo LED para una tensin de fuente de 12 V. Para ello tendremos en cuenta que su tensin directa es de 2 V y que con 20 mA de corriente directa se consiguen una emisin luminosa aceptable.

Solucin:

Los diodos LED se fabrican con elementos

Aplicando la ley de Ohm al circuito, tendremos que:

especiales,

como Arseniuro de Galio (GaAs) y Fsforo. Para conseguir rnodificar la longitud de onda de la radiacin de la onda luminosa, y as conseguir diodos con emisiones de diferentes colores (rojo, naranja, verde, amarilla, azul, o infianoja), se contaminan Ios cristales de una forma adecuada. As por ejemplo,

R.:

t2-2
0.020

If

-500o

los diodos luminiscentes fabricados con Galio

y Fsforo

Las ventajas que poseen los diodos LED para aplicaciones de sefializacin lrente a las pequeas lmparas incandescentes son innllmerables, tal como pueden ser: gran duracin, elevada resistencia mecnica fi'ente a irnpactos y vibraciones, tamao reducido y pequeo consumo, que les hace ideales para aplicaciones en combinacin con otros semiconductores.

(GaP) erniten h-rz roja cuando se les aade xido de cinc, y emiten luz verde con la adicin de nitrgeno.

70,5,7,1, Caractersficas de los LED

Apafte del color de los diodos luminiscentes, las caractersticas ms reievantes de los mismos son similares a los
d

Una de las aplicaciones que se pr-rede hacer de los diodos

LED. es la fabricacin de indicadores numricos de siete segmentos (displays). Mediante 7 diodos luminiscentes dispuestos corro se indica en la Figura 10.26, se pueden representar dgitos del 0 al 9, Para ello se excitan simultneamente las combinaciones de diodos que se correspondan en cada caso.

iodos convencionales:

La tensin drecta (V,.) es la cada de tensin que se prodlrce entre los extremos del diodo LE,D cuando por l fluye la corriente directa. Esta tensin suele ser del orderr de 1,5 a 2,2Y parala mayor parte de los modelos. Cuando se desconoce la tensin directa exacta, bastar con tomar cono valor aproximado 2 V.

La corriente de excitacin directa (In) es la corriente que debe circular por el diodo LED para alcanzar la intensidad luminosa esperada. Para la mayora de los modelos esta corriente esta comprendida entre l0 y 50 mA.
La cowiene inversct (I^) es la mxima corriente que puede fluir por el diodo luminiscente cuando a ste se le aplica una tensin de polarizacin inversa. Este valor suele estar en torno a los l0 rA. La disipacin de potencia es aquella parle de la potencia que el diodo h,uniniscente no convierte en luz y que acaba degradndose en calor, teniendo que evacuarla al exterior. Por esta razn, los diodos LED se conectan en serie con Llna resistencia" con el fin de limitar la coruiente que flLrye por 1. Para calcular dicha resistencia se aplica la ley de Ohm al circuito de la Figura 10.25:

oobo_ Codo_ 9ofe6r

Figura 10.26. lndicador de siete segmentos con diodos

__l

b
c

d
e

f o
b

[[D.

,Qu dodos habr que excifar snultneamente en el indic'ador de siete segmentos de la Figura 10,26 pctra cpre se i/nmine el nmero 5?

En la actualidad los indicadores de cristal lquido (LCD)

estn desplazando a los indicadores con diodos luminiscentes a campos de aplicacin ms reducidos.

V-V. "R, V-VR: ' 'Irr

I

10,5,2, Fotodiodos
Este dispositivo es un diodo especialmente diseado pua que
sea sensible a las radiaciones luminosas que en 1 incidan, de tal fbrma que al aumentar stas, tan'rbin lo haga la corriente inver-

sa que fluya por el fotodiodo. Una de las aplicaciones frndamentales de este dispositivo es como fotodetector, elemento capaz de translonnar una magnitud luminosa en elctrica. Veamos corro funciona este dispositivo: recuerda cmo cuando a un diodo Lrnin PN se le aplicaba energa trmica se rompan un nmero determinado de enlaces covalentes y, por tanto, apareca en arnbos cristales un nnrero determinado de portadores de carga minoritarios. Pues bier.r, en este tipo de diodos adems aparece un aumento de portadores minoritarios cuando se aplica

Vr
tigura 10.25. Conexin de un diodo [ED.

energa en forma de radiaciones luminosas. De esta forma, si conectalros un fotodiodo con una tensin de polarizacin inversa, fluir una pequea corriente inversa por el mismo. Los fotodiodos se fabrican de tal forma que la luz pueda incidir en ellos, de tal fbrma que cuando la intensidad de la radiacin luminosa se hace ms grande, aumentan los portadores minoritarios. y con ellos la corriente inversa. As se consigue que exista una relacin determinada entre la luz y la corriente.

gada por la seal. Esta radiacin luminosa incide en el fotodiodo, el cual generar una corriente en la salida proporcional a la entregada a la entrada del optoacoplador. Con el uso de optoacopladores se eliminan todos los riesgos que pueden surgir al conectar circuitos que trabajan con seales de muy pequeas tensiones, con otros circuitos que lo hacen con tensiones elevadas. Por ejemplo, se utiiizan para aislar la salida de un ordenador con circuitos exteriores que estn alimentados con tensiorles

En la Figura 10.27 se muestra el circuito de un fotodiodo polarizado inversamente. Las flechas, que apuntan hacia el componente, indican que el diodo aprovecha ia incidencia de la luz en l para funcionar.

peligrosas. Tambin se utilizan en electromedicina para aislar los circuitos de los electrodos que se han de aplicar al cuerpo humano, y en otras muchas aplicaciones.

En la Figura 10.27 se muestra la curva de polarizacin

inversa de un tbtodiodo.

Direcciones tles en lnternet

Observa cmo al aumentar la intensidad de la radiacin luminosa (su unidad de medida es el lux), tanrbin lo hace la corriente inversa.

Manual de electrnica bsrca: http ://eca. rede)a. com/cursos. html Apuntes sobre semiconductores Apuntes sobre diodos:
http ://www.mrboo. com.arlinformaci orVDiodos/info.htm
:

http ://www. i fent. org/lecc i ones/semiconductor/defau lt.htm

Figura 10.27. Circuito con fotodiodo.

y optoacopladores; estudio de las hojas caractersticas de diodos: http ://eca. rede)ra.com/semicon d uctores. htm I
Apuntes sobre diodos de potencia
Documentacin sobre el display de 7 segmentos: http ://eca.rede)ra. com/tutorial es/7se g/7se g.htm Apuntes sobre diodos Led:
http ://www.cienc iasmisticas.com.arlelectron
i

0,4

.a:lr,

0t
In
(mA)

calsemi/led/

index.html
Apuntes muy completos sobre optoelectrnica:
http ://www. cienci asmisti cas. com. arle I ectronica/semi/opto

o)

electronica/index.html Informacin sobre las pantallas de cristal lquido LCD:

http ://www. mrboo. com. arlinformac ion/Lcd/infb.htm

0,1

0 10 20 30 40 s0 60 '70
Vn (V)
-i:..

ndice de componentes electrnicos y sus caractersticas ms relevantes: http ://electronred. iespana.es/electronred/lN DICOMPONEN.htm Aqu podrs consultar cualquier smbolo de la electrnica: http //www. anaki s. es/-fbn/simbol ogia/ htto://www. oabl in.com.arlelectron/cursos/simbolos/index. htm
:

Figun 10.28. Curvas caractersticas de un fotodiodo.

Una de las aplicaciones que se puede hacer del fotodiodo, en combinacin con el diodo luminiscente, es la fabricacin de un optoacoplador, tal como se muestra en la Figura I 0.29. Estos dos elementos se integran en un solo elemento.

"ff
R.

Informacin sobre cdigos normalizados para identificar

semiconductores:

htto://www.cienciasmi sticas.com.arlelectronica/semi/nom
enclatura/

Directorio muy completo y ordenado alfabticarnente de empresas de electrnica. Aqu podrs encontrar las caractersticas que necesites de cualquier componente electrnico (diodos, transistores, CI, etc.) httn://www.cornunidadelectrcnicos.com/dirA-D.htm
http ://www.datasheetlocator. com/es/

Figura f 0.29. Optoacoplador.

Con un optoacoplador se puede aisiar elctricamente dos circuitos entre los que hay que intercambiar una deterninada serial. La seal de entrada se aplica al diodo LED, generando ste una intensidad luminosa que estar en funcin de la corriente entre-

Programas para diseo y simulacin de circuitos: htto ://serv erd ie. alc. uov. es/alum no/software/Electronica/S i

muladElectron.htm
Podrs encontrar ms direcciones ordenadas por temas en el Anexo I de este texto.

los semiciclos negativos de la red de C.A.

quedan

por lo que sta se enciende a media luz. Si ahora

cerramos el interruptor Ir, el diodo queda puenteado

anulados parala lrnpara. De esta forma, ia tensin que aparece en ella ser igual al valor medio de los semiciclos positivos. Esta tensin viene a ser un poco menor de la mitad del valor eflcaz de Ia tensin alterna original. Con este circuito podemos conseguir reducir aproxin.radamente a la mitad la tensin a que sometemos a la lmpara y con ello reducir la potencia y luminosidad que sta produce.

y anulado, con 1o que en la lrnpara aparece toda tensin y lunciona a plena potencia.

la

Monta el circuito propuesto en la Figura 10.33 y

comprueba su funcionamiento, midiendo las diferentes tensiones que aparecen en l para las dos posibilidades de iluminacin.

M, lf-^
___l
Figuta 1032. El diodo hace que la lmpara slo

El diodo que se utilizar para este montaje deber ser capaz de soportar la corriente nominal del circuito, as como tener una tensin inversa de ruptura superior a la tensin rnxima que bloquea (en este caso tendr qr-re ser mayor a 3l1 V). De los diodos que se exponen en la Tabla 10.1, cul se podra ufilizar para esta aplicacin?

.,obao
1 1 1

,,

.-.vi;t", .,"

l*o
1A 1A

funcione durante la mitad del ciclo.

N4003 N4004 N5406

Para conseguir que la lmpara trabaje a dos niveles dil'erentes de ilurninacin se propone el circuito de la

v 400 v 600 v
200
Tabla 10.1.

3A

Figura 10.33.

El diodo conectado en serie como reductor de la tensin en circuitos de C.A. para cargas resistivas tambin se puede utilizar para adaptar receptores de 125 V a redes de 220 V. Tambin se suelen usar para conseguir dos niveles de potencia en un calefactor elctrico.

f----

Lmpara

,,0 v

220Y
100

10.6 Identificacin de componentes optoelectrnicos.

Consigue los esquemas de algn circuito electrnico donde aparezca diodos LED, fotodiodos y optoacopladores. Reconoce su ubicacin en el circuito, com-

Figura 10.33. Circuito para conseguir dos niveles de iluminacin.

prueba su polarizacin
dicho circuito.

exanrina su funcin en

Su funcionarniento es como sigue: estando el interruptor I, cerrado y el [, abierto, toda la corriente debe fluir por el diodo, por lo que, teniendo en cuenta que el valor eficaz de la C.A. es 220 V, la tensin que aparece en la lmpara es igual a:

Al finalizar

cada una de estas actividades debers ela-

\/

rnccro n

-,..

v.,,.^- .

\Z

220 .

{t

l
Ir

borar un informe-memoria sobre la actividad desarrollada, indicando los resultados obtenidos y estruclurndolos en los apartados necesarios para una
adecuada documentacin de las mismas (descripcin del proceso seguido, medios utilizados, esquemas y planos utilizados, clculos, medidas, etc.).

rr

Tr

Frutoeu\uac\6n
10.1 A qu tensin de polarizacin comienzan a conducir los diodos de silicio?

10.6 En la Tabla 10.2 se muestran algunas de las especificaciones de una serie de diodos. Cul de
estos diodos trabajara en ptimas condiciones en el circuito de la Figura 10.35?

A B

0,3 V.

IV.
0,7 v.

10.2

,A qu se debe una

corriente inversa elevada por

rN914
1N5404 1N4003

el diodo?

A B C

75V
400

200 mA

A la aplicacin de una tensin directa tambin elevada. A la aplicacin de una tensin inversa tambin elevada. A la elevacin de la corriente por el diodo.

v 200 v

3A
1A

Tabla 102.

10.3 Cul es la disipacin de potencia en un diodo de silicio polarizado directamente, si la tensin del diodo es de 0,7 V y la corriente es 500 mA?

10.4 Determinar la corriente que se establece por un diodo de silicio que se conecta en serie con una
resistencia de I Kfl al ser polarizado directamente por una fuente de tensin de l0 V.

10.5 En la Figura 4.42 est representada

la

curva
Figura t0.35.

caracterstica del diodo comercial 1N4007. En el caso de que alimentemos a este diodo con una fuente de tensin de 5 V y a travs de una resis-

tencia limitadora de 5 C), determinar la lnea de carga, los valores de V y de I, en e[ punto de traoC, y bajo del diodo, para una temperatura de 25 la disipacin de potencia del mismo.

10.7 Qu valor deber tener la resistencia R, en el circuito de la Figura 10.35 para poder utilizar el diodo 1N914. 10.8 En el circuito de la Figura 10.35 se mide con un
voltmetro una tensin de 0 V entre los terminales del diodo y 50 V entre los terminales de la fuente de alimentacin. Cul es la posible causa de esta
anomala?

;.

,
I
(A)

t'u
11

A B C

La unin del diodo est en cortocircuito. La unin del diodo ha quedado abierta. Ninguna anomala. El funcionamiento es el
adecuado.

0,8

10.9 En el circuito de la Figura 10.35 se mide con un

voltmetro una tensin de 50 V entre los terminales del diodo. Cul es larazn de esta anomala?

0,4

A B C

La unin del diodo est en cortocircuito. La unin del diodo ha quedado abierta. Ninguna anomala. El funcionamiento es el
adecuado.

0,2 0,4 0,6 0,8

Vr

1,2

10.f0

(v)

a,,-

un diodo LED para que ste trabaje con una corriente directa de unos 18 mA si se le conecta
a una tensin de 50 V?

,Qu resistencia

comercial habr que conectar a

Figura 10.34. Curva caracterstica del diodo 1N4007.