1.

LNEAS ACOPLADAS

1.1 El acoplador ideal

Cuando dos lneas no apantalladas estn suficientemente cercanas, la potencia puede acoplarse debido a la interaccin de los campos electromagnticos en cada una de ellas.

Fig. 1 Ejemplo de lneas acopladas con implementacin en tecnologa microstrip y stripline.

En su caso ms general la matriz de parmetros S del circuito, considerando simetra y reciprocidad, tendr el siguiente aspecto:

s11 s 12 [S ] = s13 s14

s12 s11 s14 s13

s13 s14 s11 s12

s14 s13 s12 s11

(1.1)

Como tenemos una estructura simtrica, tal como indica el plano de simetra (PS), podemos aplicar las propiedades de simetra para calcular [S]. La solucin la calcularemos descomponiendo el problema en dos: el clculo de la matriz de parmetros S de una lnea de transmisin en presencia de una pared magntica (modo par o even) y de una pared elctrica (modo impar u odd) situadas en el plano de simetra. Si las dos lneas se encuentran suficientemente separadas, no existe interaccin entre ellas y cada una presenta una impedancia caracterstica Z0 y una constante de fase . Modo Par (pared magntica o circuito abierto) Cortamos el circuito por el plano de simetra y dejamos el corte en circuito abierto, equivalente a colocar una pared magntica (forzamos que no tengamos lneas de campo magntico tangenciales al plano de simetra o, de forma equivalente, que las lneas de campo elctrico no tengan componente normal al plano de simetra).

Fig. 2 La lnea de transmisin en presencia de un pared magntica, que se comporta como un circuito abierto, y que permite calcular los modos pares.

La pared magntica equivale a una alimentacin simtrica de las dos lneas de transmisin. Puede demostrarse que la matriz de parmetros [Se], referida a la impedancia caracterstica Z0, de una lnea de transmisin de longitud , impedancia Z0e y constante de fase e vale

e e s11 = s22 =

jke sin e 1 k cos e + j sin e

2 e

= { e = e } =

jke sin e 1 k cos e + j sin e

2 e

s =s =
e 12 e 21

1 ke2 1 ke2 cos e + j sin e

Z 2 Z 02 ke = oe 2 Z oe + Z 02

(1.2)

Es importante notar que, en el caso ms general, la impedancia en presencia de la pared magntica, Z0e, es distinta de la impedancia de la lnea aislada, Z0. De la misma manera, la constante de fase, e, tambin es distinta de la que tiene la lnea aislada, . Modo Impar (pared elctrica o cortocircuito) Cortamos el circuito por el plano de simetra y dejamos el corte en cortocircuito, equivalente a colocar una pared elctrica (forzamos que no tengamos lneas de campo elctrico tangenciales al plano de simetra).

Fig. 3 La lnea de trasmisin en presencia de una pared elctrica, que se comporta como un cortocircuito, que permite calcular los modos impares.

Este caso equivale a una alimentacin antisimtrica de las dos lneas de transmisin. De forma parecida, la matriz [S]o, referida a la impedancia caracterstica Z0, de la lnea en presencia de una pared elctrica vale
o o s11 = s22 =

jko sin o 1 k cos o + j sin o

2 o

= { o = o } =

jko sin o 1 k cos o + j sin o

2 o

s =s =
o 12 o 21

1 ko2 1 ko2 cos o + j sin o

Z 2 Z 02 ko = oo 2 Z oo + Z 02

(1.3)

Siendo Z0o la impedancia y o la constante de fase de la lnea en presencia de la pared elctrica.

Como se ha visto, cada modo tiene en principio impedancia y constante de fase distintos. En una lnea homognea, como en el caso de stripline, la constante de fase depende nicamente del dielctrico y no variar segn el modo. En el caso microstrip s que la constante de fase es distinta para cada modo. Para simplificar el anlisis, se suele considerar que los modos son TEM, aunque en el caso particular de microstrip son cuasi-TEM, de manera que con esta aproximacin las constantes de fase pueden considerarse iguales para ambos modos.

e = o

e = o

(1.4)

Es interesante comprobar de forma intuitiva el comportamiento de las impedancias de cada modo. Siempre se cumple que Z0e > Z0 > Z0o. Si se asume propagacin en modo TEM (todas las componentes de campo se encuentran contenidas en un plano transversal de la lnea y no existe ninguna componente en la direccin de propagacin de las ondas) las caractersticas elctricas de las lneas acopladas se pueden caracterizar a travs de las capacidades efectivas entre lneas y la velocidad de propagacin de la lnea (independiente del modo por ser propagacin TEM). La Fig. 4 muestra el modelo simplificado con capacidades.

Fig. 4 Acoplador mediante lneas de transmisin microstrip y su modelo equivalente como red de capacidades .

C12 representa la capacidad existente entre las dos metalizaciones en ausencia del conductor del plano de masa, mientras que C11 y C22 representan la capacidad entre cada uno de los dos conductores que forman las dos lneas y el plano de masa. Una vez colocadas las paredes magntica y elctrica para simular las excitaciones en modo par e impar, las redes de capacidades quedaran como indica la Fig. 5. Para el modo par, las corrientes y tensiones en las dos lneas son iguales por lo que el campo elctrico tiene simetra par respecto el plano central y no hay lneas de campo que lo crucen. Por otro lado con la simetra impar las corrientes y tensiones en las dos lneas estn opuestas, entonces el campo elctrico presenta una simetra impar.

Fig. 5 Excitaciones de modo par ((a) even, con pared magntica) e impar ( (b) odd, con pared elctrica) para la lnea acoplada.

Con la pared magntica (H-Wall), la impedancia del modo vale

Z 0e =

L = Ce

LCe Ce

1 ve Ce

; Ce = C11 = C22

(1.5)

Mientras que con la pared elctrica (E-Wall), la impedancia del modo vale

Z 0o =

L = Co

LCo Co

1 vo Co

; Co = C11 + 2 C12 = C22 + 2 C12

(1.6)

Claramente se cumple que

Z 0e > Z 0o

(1.7)

Asumiendo la aproximacin de que las velocidades de propagacin son las mismas para cada modo, ya podemos calcular la matriz de parmetros S del acoplador

[ S ] [ S2 ] [S ] = 1 [ S 2 ] [ S1 ]
Donde cada una de las submatrices se obtiene con

(1.8)

ke ko j sin s1 + 2 1 k 2 cos + j sin 21 + k j 1 cos sin 1 1 e o (1.9) [ S1 ] = ([ Se ] + [ So ]) = 2 2 2 2 1 ke 1 ko 1 + s11 2 2 + + k j k j 1 cos sin 1 cos sin e o
y

 ke ko 2 j sin s21 2 2 + + k j k j 1 cos sin 1 cos sin 1 1 e o (1.10) [ S 2 ] = ([ S e ] [ S o ] ) = 2 2 1 ke2 1 ko2 2 s11 2 2 1 cos sin 1 cos sin k + j k + j e o
Como es habitual en este tipo de diseos, intentaremos tener adaptacin a la entrada, es decir que los elementos de la diagonal de [S] valgan cero.

s11 = s22 = s33 = s44 = 0

Para que esto se cumpla es necesario que

(1.11)

ke = ko
Desarrollando llegamos a la siguiente condicin
2 Z oe Z 02 2 + Z 02 Z oe 2 Z 02 Z oo ko = 2 Z oo + Z 02

(1.12)

ke =

2 2 Z 02 Z 02 Z oe Z oo = 2 2 Z oe Z oo + Z 02 + Z 02

Z 0 = Z oe Z oo

(1.13)

Si se cumple esta condicin el circuito tendr adaptacin a la entrada. Generalmente se suele llamar

= k e = ko
Finalmente, la matriz de parmetros S del acoplador direccional ser
[S ] =
0 1
2 2

(1.14)

1
2

2 2

j sin 1 cos + j sin 0

1 cos + j sin 0

0 j sin 1 cos +
2

1 cos + j sin j sin 1 cos + j sin

2

0 j sin 1 cos + j sin

2 2

0 1
2

1
2

1 cos + 0

1 cos + j sin

j sin (1.15) j sin

Como puede observarse en (1.15) el acoplamiento, | s31 | , depender de la longitud elctrica del acoplador. Lo mismo sucede con el camino directo, | s21 | . Si representamos el acoplamiento y el camino directo en funcin de la longitud elctrica de la lnea observamos el siguiente comportamiento.

Camino directo, |s21|2, y camino acoplado, |s31|2. = 0.4 1 |s21|2 0.8

0.6 (lineal)

0.4

0.2 |s31|2 0 0 pi/2 pi ()

Fig. 6 Evolucin de los parmetros S del acoplador ideal en funcin de su longitud elctrica.

3pi/2

2pi

Claramente el comportamiento se va repitiendo cada semilongitud de onda, de manera que en contra de lo que uno podra imaginar el acoplamiento no es mayor si las lneas acopladas son de mayor longitud. Si estamos interesados en conseguir el mximo acoplamiento, ste se produce cuando el desfase introducido por la lnea (o su longitud elctrica) valen

= (2n + 1) / 2

= (2n + 1) / 4

n = 0,1, 2...

(1.16)

La condicin habitual de diseo de acopladores direccionales ser conseguir el mximo acoplamiento con la menor longitud de lnea, es decir escogeremos = / 4 . En todo el desarrollo hemos considerado que las lneas de transmisin no tienen prdidas. La conservacin de potencia que ello implica se observa claramente en la siguiente relacin,

[ S ][ S ]+ = [ I ]

| s21 |2 + | s31 |2 = 1

(1.17)

Al no tener prdidas, la potencia que entra por el acceso 1 se distribuye entre los accesos 2 (camino directo) y 3 (camino acoplado).

1.2 No idealidades de los acopladores

En la prctica los acopladores reales nunca presentan un comportamiento tan ideal como el que hemos visto. Dependiendo de la tecnologa utilizada las no idealidades cambian; por ejemplo si utilizamos lneas microstrip la limitacin ms importante viene dada por las distintas velocidades de propagacin de los modos par e impar; ya que este tipo de lnea soporta modos casi-TEM. En otras palabras, no se cumple la condicin impuesta en (1.4).

e o e o

(1.18)

La consecuencia de las distintas velocidades de propagacin de los modos es que la matriz de parmetros S tendr la siguiente expresin, donde todos los elementos en su caso ms general pueden ser complejos,

 s11 s 12 = S [ ] s13 s14

s12 s11 s14 s13

s13 s14 s11 s12

s14 0 s13 s12 s11

0 0

(1.19)

Aunque no sea estrictamente cierto suponemos que el circuito est adaptado, esta aproximacin es realista en la mayora de los casos. Si observamos atentamente (1.19) vemos que existen tres caminos claramente diferenciados: el camino directo, el acoplado y el aislado.

ENTRADA

DIRECTO

ACOPLADO

AISLADO

Fig. 7 Caminos en un acoplador direccional no ideal.

Tal como vimos con el acoplador ideal, el camino directo est afectado por el acoplado y cuanto mayor sea el acoplamiento, ms potencia perder el camino directo. En este apartado destacaremos el nuevo acoplamiento no deseado que hemos llamado el camino aislado. Al ser no deseado, intentaremos por diseo que sea lo menor posible. Los parmetros que caracterizan a un acoplador son los siguientes. El acoplamiento (en ingls coupling) indica la fraccin de la potencia de entrada que se acopla al puerto de salida.

Acoplamiento (dB) C ( dB ) = 20log | |

(1.20)

Y el aislamiento (en ingls isolation) indica la fraccin de potencia de entrada que se acopla al puerto aislado.

Aislamiento (dB ) I (dB) = 20log | |

(1.21)

El aislamiento por s mismo no nos proporciona una idea de la calidad del acoplador. No son iguales dos acopladores ambos con un asilamiento de 30 dB, pero uno con un acoplamiento de 10 dB y el otro de 30 dB. ste ltimo ser muy malo. Para indicar de forma sencilla la calidad del acoplador se define la directividad (en ingls directivity), que nos mide la capacidad del acoplador de aislar ondas incidentes y reflejadas. Este punto quedar ms claro en el siguiente apartado en que veremos como utilizar un acoplador en la medida de coeficientes de reflexin.

Directividad (dB) D(dB ) = I (dB ) C (dB) = 20log

| | | |

(1.22)

Por ejemplo, un acoplador con un acoplamiento de 25 dB y un aislamiento de 35 dB, tendr una directividad de 10 dB.

1.3 Construccin de acopladores utilizacin prctica

con

lnea

microstrip

A continuacin se presenta un ejemplo de acoplador direccional de dos etapas implementado con tecnologa microstrip. Las dos etapas permiten mejorar el comportamiento frecuencial del acoplador y conseguir un mayor ancho de banda.

Fig. 8 Acoplador direccional de dos etapas implementado con lnea mircrostrip. La etapa de mayor acoplamiento es la central, en la que las dos lneas estn ms cercanas.

En general es muy difcil conseguir buenos acopladores con lneas microstrip ya que siempre presentan directividades muy pobres. Se recomienda simular con Puff 1 un acoplador direccional con lnea microstrip y con lnea stripline. El primero presenta directividades muy pobres que empeoran mucho a medida que aumenta la longitud elctrica de las lneas. El segundo tipo de lnea, al tener dielctrico homogneo, cumple con la condicin de que las velocidades de propagacin de los modos par e impar sean iguales y el diseo es perfecto. Una de las aplicaciones tpicas de los acopladores direccionales es la medida de coeficientes de reflexin. No entraremos en detalles de cmo se construyen y calibran este tipo de instrumentos, pero s daremos unas pinceladas acerca de su funcionamiento. Suponiendo un acoplador ideal, el siguiente montaje permite caracterizar cargas complejas.

La instruccin en Puff para simular una lnea acoplada es clines 60 90. El primer nmero indica la impedancia par o impar (no importa cual indiquemos) y nos permite definir el acoplamiento (cuanto ms cercana a Z0 menor ser el acoplamiento), el segundo indica la longitud elctrica de la lnea a la frecuencia de diseo.
1

b2 ENTRADA a1 1 2 a2 ZL

INCIDENTE

REFLEJADA

Fig. 9 Caminos en un acoplador direccional no ideal

Como se puede observar de aplicar la matriz de parmetros S al problema, por 3 obtendremos una seal proporcional a la onda incidente, a1, y por 4 otra seal proporcional a la onda reflejada, a2, dependiendo sta ltima del coeficiente de reflexin de la carga. Claramente la prdida de aislamiento del acoplador har que la medida de onda reflejada en la carga se vea contaminada por la onda incidente y la medida de onda incidente por la reflejada. Si deseamos medir la impedancia de carga es necesario medir el coeficiente de reflexin en mdulo y fase. Para ello es necesario calibrar el circuito, generalmente con tres cargas conocidas (circuito abierto, cortocircuito y carga adaptada), y as poder relacionar las tensiones complejas medidas en 3 y 4 con el coeficiente de reflexin. Con la calibracin tambin pueden compensarse las no idealidades del acoplador.