Electrnica TRANSISTORES EN CONMUTACIN El transistor de potencia: El funcionamiento y utilizacin de los transistores de potencia es idntico al de los transistores normales, teniendo

como caractersticas especiales las altas tensiones e intensidades que tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar. Existen tres tipos de transistores de potencia:

bipolar. unipolar o FET (Transistor de Efecto de ampo!. "#$T. MOS Bipolar

Parmetros "mpedancia de entrada #anancia en corriente -esistencia ./ (saturacin! -esistencia .FF (corte! 2olta1e aplicable

%lta (&'&' o(mios! )edia (&'* o(mios! %lta (&'+! )edia 0 alta %lta %lto (&''' 2! )edia (&',&''! $a1a %lta %lto (&3'' 2! )edia (&6'5 !

)4xima temperatura de operacin %lta (3''5 ! Frecuencia de traba1o oste

%lta (&'',6'' 7(z! $a1a (&',8' 7(z! %lto )edio

El "#$T ofrece a los usuarios las 9enta1as de entrada ).:, m4s la capacidad de car;a en corriente de los transistores bipolares:

Traba1a con tensin. Tiempos de conmutacin ba1os. <isipacin muc(o mayor (como los bipolares!. /os interesa que el transistor se parezca, lo m4s posible, a un elemento ideal:

=eque>as fu;as. %lta potencia. $a1os tiempos de respuesta (ton , toff!, para conse;uir una alta frecuencia de funcionamiento. %lta concentracin de intensidad por unidad de superficie del semiconductor. ?ue el efecto a9alanc(a se produzca a un 9alor ele9ado (2 E m4xima ele9ada!. ?ue no se produzcan puntos calientes (;randes di0dt !.

@na limitacin importante de todos los dispositi9os de potencia y concretamente de los transistores bipolares, es que el paso de bloqueo a conduccin y 9ice9ersa no se

A3

Transistores en conmutacin

Electrnica (ace instant4neamente, sino que siempre (ay un retardo (ton, toff!. Bas causas fundamentales de estos retardos son las capacidades asociadas a las uniones colector,base y base,emisor y los tiempos de difusin y recombinacin de los portadores. 1 Principios !sicos de "#ncionamiento: Ba diferencia entre un transistor bipolar y un transistor unipolar o FET es el modo de actuacin sobre el terminal de control. En el transistor bipolar (ay que inyectar una corriente de base para re;ular corriente de colector, mientras que en el FET el control se (ace mediante la aplicacin de una tensin entre puerta y fuente. Esta diferencia 9ienen determinada por la estructura interna de ambos dispositi9os, que son substancialmente distintas. Es una caracterstica comCn, sin embar;o, el (ec(o de que la potencia que consume el terminal de control (base o puerta! es siempre m4s peque>a que la potencia mane1ada en los otros dos terminales. En resumen, destacamos tres cosas fundamentales:

la

En un transistor bipolar "$ controla la ma;nitud de " . En un FET, la tensin 2#: controla la corriente "<. En ambos casos, con una potencia peque>a puede controlarse otra bastante mayor.

a$ TIEMPOS %E CONMUTACIN

uando el transistor est4 en saturacin o en corte las prdidas son despreciables. =ero si tenemos en cuenta los efectos de retardo de conmutacin, al cambiar de un

AD

Transistores en conmutacin

Electrnica estado a otro se produce un pico de potencia disipada, ya que en esos instantes el producto " x 2 E 9a a tener un 9alor apreciable, por lo que la potencia media de prdidas en el transistor 9a a ser mayor. Estas prdidas aumentan con la frecuencia de traba1o, debido a que al aumentar sta, tambin lo (ace el nCmero de 9eces que se produce el paso de un estado a otro. =odremos distin;uir entre tiempo de excitacin o encendido (ton! y tiempo de apa;ado (toff!. % su 9ez, cada uno de estos tiempos se puede di9idir en otros dos. Tiempo de retardo (Delay Time, td) : Es el tiempo que transcurre desde el instante en que se aplica la se>al de entrada en el dispositi9o conmutador, (asta que la se>al de salida alcanza el &'E de su 9alor final. Tiempo de subida (Rise time, tr): Tiempo que emplea la se>al de salida en e9olucionar entre el &'E y el F'E de su 9alor final. Tiempo de almacenamiento (Storage time, ts): Tiempo que transcurre desde que se quita la excitacin de entrada y el instante en que la se>al de salida ba1a al F'E de su 9alor final. Tiempo de cada (Fall time, tf): Tiempo que emplea la se>al de salida en e9olucionar entre el F'E y el &'E de su 9alor final. =or tanto, se pueden definir las si;uientes relaciones:

Es de (acer notar el (ec(o de que el tiempo de apa;ado (toff! ser4 siempre mayor que el tiempo de encendido (ton!. Bos tiempos de encendido (ton! y apa;ado (toff! limitan la frecuencia m4xima a la cual puede conmutar el transistor:

!$ OTROS PAR&METROS IMPORTANTES

A*

Transistores en conmutacin

Electrnica

Corriente media: es el 9alor medio de la corriente que puede circular por un terminal (e1. " %2, corriente media por el colector!. Corriente mxima: es la m4xima corriente admisible de colector (" )! o de drenador ("<)!. on este 9alor se determina la m4xima disipacin de potencia del dispositi9o.
C!": tensin entre los terminales colector y base cuando el emisor est4 en circuito abierto. VEBO: tensin entre los terminales emisor y base con el colector en circuito abierto.

Tensi#n mxima: es la m4xima tensin aplicable entre dos terminales del dispositi9o (colector y emisor con la base abierta en los bipolares, drenador y fuente en los FET!. $stado de saturaci#n: queda determinado por una cada de tensin pr4cticamente constante. 2 Esat entre colector y emisor en el bipolar y resistencia de conduccin - <:on en el FET. Este 9alor, 1unto con el de corriente m4xima, determina la potencia m4xima de disipacin en saturacin. Relaci#n corriente de salida % control de entrada : (FE para el transistor bipolar (;anancia est4tica de corriente! y ;ds para el FET (transconductancia en directa!. c$ MO%OS %E TRABA'O Existen cuatro condiciones de polarizacin posibles. <ependiendo del sentido o si;no de los 9olta1es de polarizacin en cada una de las uniones del transistor pueden ser:

A6

Transistores en conmutacin

Electrnica

Regi#n acti&a directa: orresponde a una polarizacin directa de la unin emisor , base y a una polarizacin in9ersa de la unin colector , base. Esta es la re;in de operacin normal del transistor para amplificacin. Regi#n acti&a in&ersa: orresponde a una polarizacin in9ersa de la unin emisor , base y a una polarizacin directa de la unin colector , base. Esta re;in es usada raramente. Regi#n de corte: orresponde a una polarizacin in9ersa de ambas uniones. Ba operacin en sta re;in corresponde a aplicaciones de conmutacin en el modo apa;ado, pues el transistor actCa como un interruptor abierto (" '!. Regi#n de saturaci#n: orresponde a una polarizacin directa de ambas uniones. Ba operacin en esta re;in corresponde a aplicaciones de conmutacin en el modo encendido, pues el transistor actCa como un interruptor cerrado (2 E '!.

d$ A(A)ANC*A SECUN%ARIA+ CUR(AS SOA ,&rea de "#ncionamiento se-#ro$

AA

Transistores en conmutacin

Electrnica :i se sobrepasa la m4xima tensin permitida entre colector y base con el emisor abierto (2 $.!, o la tensin m4xima permitida entre colector y emisor con la base abierta (2 E.!, la unin colector , base polarizada en in9erso entra en un proceso de ruptura similar al de cualquier diodo, denominado a9alanc(a primaria. :in embar;o, puede darse un caso de a9alanc(a cuando estemos traba1ando con tensiones por deba1o de los lmites anteriores debido a la aparicin de puntos calientes (focalizacin de la intensidad de base!, que se produce cuando tenemos polarizada la unin base , emisor en directo. En efecto, con dic(a polarizacin se crea un campo ma;ntico trans9ersal en la zona de base que reduce el paso de portadores minoritarios a una peque>a zona del dispositi9o (anillo circular!.Ba densidad de potencia que se concentra en dic(a zona es proporcional al ;rado de polarizacin de la base, a la corriente de colector y a la 2 E, y alcanzando cierto 9alor, se produce en los puntos calientes un fenmeno de;enerati9o con el consi;uiente aumento de las prdidas y de la temperatura. % este fenmeno, con efectos catastrficos en la mayor parte de los casos, se le conoce con el nombre de a9alanc(a secundaria (o tambin se;unda ruptura!. El efecto que produce la a9alanc(a secundaria sobre las cur9as de salida del transistor es producir unos codos bruscos que des9an la cur9a de la situacin pre9ista (9er ;r4fica anterior!. El transistor puede funcionar por encima de la zona lmite de la a9alanc(a secundaria durante cortos inter9alos de tiempo sin que se destruya. =ara ello el fabricante suministra unas cur9as lmites en la zona acti9a con los tiempos lmites de traba1o, conocidas como cur9as F$:.%.

=odemos 9er como existe una cur9a para corriente continua y una serie de cur9as para corriente pulsante, cada una de las cuales es para un ciclo concreto. Todo lo descrito anteriormente se produce para el ton del dispositi9o. <urante el toff, con polarizacin in9ersa de la unin base , emisor se produce la focalizacin de la corriente en el centro de la pastilla de :i, en un 4rea m4s peque>a que en polarizacin directa, por lo que la a9alanc(a puede producirse con ni9eles m4s ba1os de ener;a. Bos lmites de " y 2 E durante el toff 9ienen refle1ado en las cur9as -$:.% dadas por el fabricante.

A+

Transistores en conmutacin

Electrnica . %isipaci/n de potencia 0 protecciones: a$ E1ECTO PRO%UCI%O POR CAR2A IN%UCTI(A+ PROTECCIONES Bas car;as inducti9as someten a los transistores a las condiciones de traba1o m4s desfa9orables dentro de la zona acti9a.

En el dia;rama superior se (an representado los diferentes puntos idealizados de funcionamiento del transistor en corte y saturacin. =ara una car;a resisti9a, el transistor pasar4 de corte a saturacin. =ara una car;a resisti9a, el transistor pasar4 de corte a saturacin por la recta que 9a desde % (asta , y de saturacin a corte desde a %. :in embar;o, con una car;a inducti9a como en el circuito anterior el transistor pasa a saturacin recorriendo la cur9a %$ , mientras que el paso a corte lo (ace por el tramo <%. =uede 9erse que este Cltimo paso lo (ace despus de una profunda incursin en la zona acti9a que podra f4cilmente sobrepasar el lmite de a9alanc(a secundaria, con 9alor 2 E muy superior al 9alor de la fuente (2cc!. =ara prote;er al transistor y e9itar su de;radacin se utilizan en la pr4ctica 9arios circuitos, que se muestran a continuacin:

a! <iodo Gner en paralelo con el transistor (la tensin nominal zner (a de ser superior a la tensin de la fuente 2cc!. b! <iodo en antiparalelo con la car;a -B.

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Transistores en conmutacin

Electrnica c! -ed - polarizada en paralelo con el transistor (red snubber!. Bas dos primeras limitan la tensin en el transistor durante el paso de saturacin a corte, proporcionando a tra9s de los diodos un camino para la circulacin de la intensidad inducti9a de la car;a. En la tercera proteccin, al cortarse el transistor la intensidad inducti9a si;ue pasando por el diodo y por el condensador :, el cual tiende a car;arse a una tensin 2cc. <ise>ando adecuadamente la red - se consi;ue que la tensin en el transistor durante la conmutacin sea inferior a la de la fuente, ale14ndose su funcionamiento de los lmites por disipacin y por a9alanc(a secundaria. uando el transistor pasa a saturacin el condensador se descar;a a tra9s de -:.

El efecto producido al incorporar la red snubber es la que se puede apreciar en la fi;ura ad1unta, donde 9emos que con esta red, el paso de saturacin (punto %! a corte (punto $! se produce de forma m4s directa y sin alcanzar 9alores de 2 E superiores a la fuente 2cc. =ara el c4lculo de : podemos suponer, despreciando las prdidas, que la ener;a almacenada en la bobina B antes del bloqueo debe (aberse transferido a : cuando la intensidad de colector se anule. =or tanto:

de donde :

=ara calcular el 9alor de -: (emos de tener en cuenta que el condensador (a de estar descar;ado totalmente en el si;uiente proceso de bloqueo, por lo que la constante de tiempo de -: y : (a de ser menor (por e1emplo una quinta parte! que el tiempo que permanece en saturacin el transistor:

AF

Transistores en conmutacin

Electrnica !$ C&)CU)O %E POTENCIAS %ISIPA%AS EN CONMUTACIN CON CAR2A RESISTI(A

Ba ;r4fica superior muestra las se>ales idealizadas de los tiempos de conmutacin (ton y toff! para el caso de una car;a resisti9a. :upon;amos el momento ori;en en el comienzo del tiempo de subida (tr! de la corriente de colector. En estas condiciones (' t tr! tendremos:

donde " m4s 9ale :

Tambin tenemos que la tensin colector , emisor 9iene dada como:

:ustituyendo, tendremos que:

/osotros asumiremos que la 2 E en saturacin es despreciable en comparacin con 2cc. %s, la potencia instant4nea por el transistor durante este inter9alo 9iene dada por:

Ba ener;a, Hr, disipada en el transistor durante el tiempo de subida est4 dada por la inte;ral de la potencia durante el inter9alo del tiempo de cada, con el resultado: +' Transistores en conmutacin

Electrnica

<e forma similar, la ener;a (Hf! disipada en el transistor durante el tiempo de cada, 9iene dado como:

Ba potencia media resultante depender4 de la frecuencia con que se efectCe la conmutacin:

@n Cltimo paso es considerar tr despreciable frente a tf, con lo que no cometeramos un error apreciable si finalmente de1amos la potencia media, tras sustituir, como:

c$ C&)CU)O %E POTENCIAS %ISIPA%AS EN CONMUTACIN CON CAR2A IN%UCTI(A

%rriba podemos 9er la ;r4fica de la i (t!, 2 E(t! y p(t! para car;a inducti9a. Ba ener;a perdida durante en ton 9iene dada por la ecuacin:

<urante el tiempo de conduccin (t6! la ener;a perdida es despreciable, puesto que 2 E es de un 9alor nfimo durante este tramo. <urante el toff, la ener;a de prdidas en el transistor 9endr4 dada por la ecuacin:

+&

Transistores en conmutacin

Electrnica

Ba potencia media de prdidas durante la conmutacin ser4 por tanto:

:i lo que queremos es la potencia media total disipada por el transistor en todo el periodo debemos multiplicar la frecuencia con la sumatoria de prdidas a lo lar;o del periodo (conmutacin I conduccin!. Ba ener;a de prdidas en conduccin 9iene como:

d$ ATA3UE 4 PROTECCIN %E) TRANSISTOR %E POTENCIA omo (emos 9isto anteriormente, los tiempos de conmutacin limitan el funcionamiento del transistor, por lo que nos interesara reducir su efecto en la medida de lo posible.

Bos tiempos de conmutacin pueden ser reducidos mediante una modificacin en la se>al de base, tal y como se muestra en la fi;ura anterior. =uede 9erse como el semiciclo positi9o est4 formado por un tramo de mayor amplitud que ayude al transistor a pasar a saturacin (y por tanto reduce el ton! y uno de amplitud suficiente para mantener saturado el transistor (de este modo la potencia disipada no ser4 excesi9a y el tiempo de almacenamiento no aumentar4!. El otro semiciclo comienza con un 9alor ne;ati9o que disminuye el toff, y una 9ez que el transistor est4 en corte, se (ace cero para e9itar prdidas de potencia. En consecuencia, si queremos que un transistor que actCa en conmutacin lo (a;a lo m4s r4pidamente posible y con menores prdidas, lo ideal sera atacar la base del dispositi9o con una se>al como el de la fi;ura anterior. =ara esto se puede emplear el circuito de la fi;ura si;uiente.

+3

Transistores en conmutacin

Electrnica

En estas condiciones, la intensidad de base aplicada tendr4 la forma indicada a continuacin:

<urante el semiperiodo t&, la tensin de entrada (2e! se mantiene a un 9alor 2e (m4x!. En estas condiciones la 2$E es de unos '.+ 9 y el condensador se car;a a una tensin 2 de 9alor:

debido a que las resistencias -& y -3 actCan como un di9isor de tensin. Ba cte. de tiempo con que se car;ar4 el condensador ser4 aproximadamente de:

on el condensador ya car;ado a 2 , la intensidad de base se estabiliza a un 9alor "$ que 9ale:

En el instante en que la tensin de entrada pasa a 9aler ,2e(min!, tenemos el condensador car;ado a 2 , y la 2$EJ'.+ 9. %mbos 9alores se suman a la tensin de entrada, lo que produce el pico ne;ati9o de intensidad "$ (mn!:

+D

Transistores en conmutacin

Electrnica % partir de ese instante el condensador se descar;a a tra9s de -3 con una constante de tiempo de 9alor -3 . =ara que todo lo anterior sea realmente efecti9o, debe cumplirse que:

con esto nos ase;uramos que el condensador est4 car;ado cuando apliquemos la se>al ne;ati9a. %s, obtendremos finalmente una frecuencia m4xima de funcionamiento:

@n circuito m4s serio es el de ontrol %ntisaturacin:

El tiempo de saturacin (t:!ser4 proporcional a la intensidad de base, y mediante una sua9e saturacin lo;raremos reducir t: :

"nicialmente tenemos que:

En estas condiciones conduce <3, con lo que la intensidad de colector pasa a tener un 9alor:

:i imponemos como condicin que la tensin de codo del diodo <& se mayor que la del diodo <3, obtendremos que " sea mayor que "B:

En lo que respecta a la proteccin por red snubber, ya se (a 9isto anteriormente.

+*

Transistores en conmutacin

Electrnica 5 6 Circ#itos de aplicaci/n prctica: )uc(as 9eces se presenta la difcil situacin de mane1ar corrientes o tensiones m4s ;randes que las que entre;a un circuito di;ital, y entonces nos disponemos al uso de transistores, el tema es (acer que estos traba1en en modo corte y saturacin. Bos transistores a utilizar en estos casos deben tener la suficiente ;anancia para que la onda cuadrada, aplicada en su entrada ($ase!, no sufra nin;una deformacin en la salida ( olector o Emisor!, o sea que conser9e perfecta simetra y sus flancos ascendente y descendente se manten;an bien 9erticales. Ba corriente m4xima que puede circular de colector a emisor est4 limitada por la tensin de polarizacin de $ase y el -esistor o la car;a del colector. Polari7aci/n de #n transistor NPN como Emisor Com8n En este caso el emisor est4 conectado a masa, se dice que este terminal es comCn a la se>al de base y de colector. El utilizado en este caso un BC9:; y estos son al;unos de sus datos:

Tensin $ase, olector (2 $.! J 6' 2 orriente de olector ("c! J &''m% J ',& %

uando la base de ?& se polariza positi9amente, ste conduce la m4xima corriente, que le permite -c. Rc es la resistencia de car;a, que bien podra ser un BE<, un rel, etc. Ic J E0- J &32 0 33''K J ',''6* % J 9<: mA I! J E0- J &32 0 &''''K J ',''&3 % J 1<. mA Es decir la corriente total olector,Emisor es A,A m%. Cone=i/n como se-#idor de emisor: En esta situacin se toma la se>al de salida desde el Emisor donde se encuentra la -esistencia de car;a, obser9a que este esquema comparado al anterior tiene la misma fase de salida que la de entrada.

+6

Transistores en conmutacin

Electrnica

Tambin (ay casos en que necesitas que el transistor est conduciendo permanentemente (estado de saturacin! y que pase al corte ante la presencia de un pulso elctrico, esto sera lo in9erso de lo 9isto anteriormente, para lo;rar esto, los circuitos anteriores quedan como est4n y slo se reemplazan los transistores por los complementarios, o sea donde (ay un /=/ se conecta un =/=. C#ando la se>al es ne-ati?a En ocasiones se da el caso en que las se>ales l;icas recibidas son ne;ati9as o de ni9el ba1o, para entonces se puede utilizar un transistor =/=, por e1emplo: el $ 66+, que es complementario del $ 6*+, para conse;uir los mismos resultados. En la si;uiente fi;ura se representa esta condicin, es decir, un acoplamiento con transistor =/=.

Anlisis para la cone=i/n de #n RE)E El diodo en paralelo con la bobina del rel cumple la funcin de absorber las tensiones que se ;eneran en todos los circuitos inducti9os. :i la bobina del rel tiene 6'K de resistencia y funciona a &3 2, puedes calcular el consumo de corriente que tiene el rel, para as saber que transistor utilizar: Ic J E0- J &32 0 6'K J ',3* % J .:@ mA

+A

Transistores en conmutacin

Electrnica on este resultado no se puede utilizar el $ 6*+, cuya corriente m4xima es de &''m%, pero si lo puede (acer un $ DD+, es con9eniente no superar el 6'E de la corriente que entre;an los transistores. %(ora bien, si la se>al que se aplique a la base del transistor tiene la suficiente amplitud (tensin! y suficiente intensidad (amper!, no (abr4 dificultad y la corriente de base tambin ser4 suficiente para saturar el transistor, que conmutar4 en forma efecti9a el rel. MontaAes %arlin-ton: En esta conexin se utiliza un $ DD+ (/=/! el cual si soporta los 3*'m% que se necesitaba anteriormente, pero adem4s un transistor de ba1a potencia como el $ 6*+ (/=/!. En este tipo de monta1es, (ay que lo;rar pre9iamente una ;anancia en corriente y esta corriente aplicarla a la base del $ DD+, esta es la finalidad del monta1e en <arlin;ton.

En este circuito el Transistor $ DD+ es el que rcibe la car;a del rel y el $ 6*+ solamene soporta la corriente de base del $ DD+, adem4s la ;anancia se multiplica sin car;ar la salida del componente que entre;a la se>al, ya que a(ora la corriente que drena el 6*+ es tomada de la misma fuente y aplicada a la base del DD+. <e este modo la resisencia de base del 6*+ puede ser ele9ada ya que necesitamos una corriente muc(o menor en la misma. En el si;uiente ;r4fico se describe como lo;rar la conmutacin de un rel con un transistor de salida /=/ incluso utilizando tensiones diferentes.

++

Transistores en conmutacin

Electrnica En esta situacin como 9emos es necesario a;re;ar un transistor de ba1a potencia, ya que la corriene que debe mane1ar es la de base. Con la entrada en B1B: El $ 6*+ conduce y en9a a masa la base del $ DD+ de este modo se mantiene el corte. Con la entrada en B@B: El 6*+ pasa al corte y su colector queda LabiertoL, a(ora s se polariza la base del DD+ y conmutando el rel. Otro caso de conm#taci/n con di"erentes tensiones+ :uponiendo que el consumo de un rel sea 3''m%. =ara los c4lculos de polarizacin siempre se debe tomar el menor $eta,$,((fe! que indiquen los manuales de los transistores, o sea que si dice &'' a D'', tomamos &''. 2eamos que corriente de base se necesita de acuerdo a estos datos: I! J "c 0 Mfe J 3''m% 0 &'' J .mA <onde:

I! J "ntensidad de $ase (en m%! Ic J "ntensidad de olector *"e J #anancia

%(ora 9eamos que 9alor de resistencia de base es necesario para lo;rar 3m% con una fuente de 62, que es la salida que entre;a el separador del e1emplo R J E 0 " J 62 0 ',''3% J .9@@ oCm (un 9alor normalizado es 3N3! May circuitos m4s comple1os toda9a, pero creo que puede ser9ir de al;o tener un poco de conocimiento de estas formas de conexin.

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Transistores en conmutacin