Historia de los primeros computadores

INTRODUCCION
INTRODUCCION
Quien por primera vez se encuentra con el computador queda impresionado con su capacidad intelectual. Aquellos clculos o aquella informacin difcil de procesar son obtenidos en forma rpida, eficiente y automtica. Tal vez nos hayamos preguntado ms de una vez !" #mo es posible que un aparato carente de vida logre realizar labores que hasta hace poco eran pertenencia $nica y e%clusiva del lento y poco confiable cerebro humano &' Aquellos, que han tenido la oportunidad de observar internamente el computador, quizs queden sorprendidos al ver solamente unos cuantos cables y otras tantas tar(etas impresas sobre las cuales se encuentran condensadores, resistencias, circuitos integrados y otros elementos. )l avance de la T*cnica de #omputacin +,ard-are. ha sido tan vertiginoso, que de los antiguos #entros de #mputo atestados de grandes ca(ones en amplias reas, se ha pasado a la diminuta oficina donde se atienden ms problemas y en forma ms eficiente. /os computadores han ingresado a todas las esferas de la labor humana, hoy es com$n verlos en las empresas en todas sus reas desde las de produccin controlando procesos tecnolgicos, hasta las administrativas procesando todo tipo de informacin y presentando informes oportunos, e%actos y confiables. )studiadas las operaciones llevadas a cabo por el cerebro humano para procesar informacin, se lleg a la conclusin que estas se reducan a un n$mero muy limitado de funciones lgicas. 0artiendo de este principio, #harles 1abbage 2, dise3 la primera mquina automtica capaz de realizar las mismas funciones desarrolladas por el cerebro humano y conocida en nuestros das como computador. )ste cerebro artificial, igual que el humano, est compuesto de c*lulas que tienen todas la misma estructura, sin importar el tipo de computador o su generacin. #ualquiera que sea la parte del computador que tomemos, ya sea la memoria o su unidad central de procesamiento o sus puertos de entrada4salida todos estn compuestos por estas c*lulas artificiales que en la mayora de los casos realizan la funcin lgica A56758T o 89758T. )s interesante anotar que al intercambiar c*lulas de diferentes partes del computador, su funcionamiento no es alterado y el cambio pasa inadvertido. )sta operacin era posible en las primeras generaciones, ya que cada compuerta lgica se realizaba en forma discreta +tubos al vaco. y permitan su intercambio. /o anterior indica que la funcin de cada parte del computador est dada por la forma
1
(1792 - 1871) Profesor de Matemticas de a U!i"ersidad de Cam#rid$e(%ra! &reta'a)( )I%R
INTRODUCCION * )O+ +I+T,M*+ DI%IT*),+
como se interconectan sus c*lulas, y no por la composicin de *stas o su principio de funcionamiento. )l ob(etivo de *ste curso es estudiar la c*lula artificial desde su aparicin y metamorfosis hasta su estado actual #onsumo de energa, composicin, principio de traba(o, velocidad de respuesta, tama3o, etc. Introduccin a los Sistemas Digitales dar las bases necesarias para futuras materias del Area como 6ise3o lgico, Teora y #onstruccin de Autmatas, :icroprocesadores, 6ise3o de ;nterfaces. )ste con(unto de materias proporcionar las bases para interconectar c*lulas y lleguar a formar cerebros completos, dotados de inteligencia por los algoritmos que les ense3emos. <in embargo, no es nuestro ob(etivo traba(ar con el computador de 6esignacin =eneral, fabricado a muy ba(os costos y en una gran variedad de marcas. :s aplicable es dise3ar tanto el hard-are, como el soft-are para aquel que se dedica a resolver alg$n tipo de problema en particular, ya sea en los procesos industriales, en la qumica, en la fsica, etc. y conocido como de 6esignacin )special. )sto no quiere decir que los conocimientos e%puestos no aclaren las dudas sobre los de 6esignacin =eneral. /os m*todos de dise3o son los mismos para los dos tipo de computadores, como tambi*n se emplea la misma base tecnolgica para su realizacin.
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-I+TORI* D, )* T,CNIC* D, COMPUT*CION
HISTORIA DE LA TECNICA DE COMPUTACION

Todo mi tiempo, salud y posicin econmica he sacrificado al deseo de realizar la creacin de estas mquinas para los clculos. Yo dej a un lado incluso propuestas, que me daran grandes ganancias personales. in em!argo, y a pesar de mi negati"a a estas propuestas para poder perfeccionar la #quina con casi potencial intelectual, y despus de ha!er gastado de mis propias pertenencias ms dinero que el asignado por el go!ierno $ngls para esta #quina %y solo en el comienzo del tra!ajo&, no he reci!ido ni las gracias por mi esfuerzo, ni incluso aquellos honores o premios, con los que por lo general, se reconoce la la!or a aquellas personas dedicadas a las in"estigaciones cientficas... i el tra!ajo, en el cual he gastado tanto tiempo y esfuerzo moral, fuera solamente el triunfo so!re las dificultades tcnicas comunes o simplemente una curiosidad, o si hu!iesen dudas en la con"eniencia o utilidad de estas mquinas, entonces se podra hasta cierto punto entender y justificar este proceder' pero yo me permito afirmar, que ni un solo #atemtico de reconocido respeto nunca se atre"era p(!licamente a dar su opinin, que una #quina de estas si fuera realizada sera in(til, y que ni una sola persona, reconocida como $ngeniero talentoso, se atre"era a declarar estas mquinas no con"enientes e irrealiza!les. Yo entiendo, que cuando los grandes "ol(menes de tra!ajo intelectual y manual se con"ierten en una dificultad seria para el su!siguiente a"ance, la #quina )naltica est destinada a facilitar esta la!or, el uso de las mquinas como ayudantes en la ejecucin de los ms complejos y tediosos clculos no se puede tomar como un pro!lema que no merece la atencin del *as. Y realmente, no e+iste ninguna razn por la cual no se de!a ahorrar esfuerzo intelectual, igual que se ahorra el fsico, gracias al empleo de las mquinas., CHARLES BABBAGE Fragmento del libro La vida del Filsofo [ ]
/a historia de la aparicin de los computadores est dividida en dos periodos claramente demarcados por la aparicin de la electrnica. )l primer periodo se prolonga hasta 2>?@. <u inicio no puede definirse e%actamente, as como es imposible hacerlo para la rueda o el molino. A pesar de esto, se podra decir que los bacos y dems instrumentos antiguos, as como los primeros tratados de lgica fueron los primeros pasos del desarrollo de la computacin. )n 2@?A, 0ascal construy una mquina con capacidad para sumar y restar. Bue empleada para el clculos de los impuestos en Brancia. :s tarde /eibnitz me(or la mquina de 0ascal pudiendo realizar las cuatro operaciones bsicas, elevar a una potencia y sacar raz cuadrada. )l hecho ms importante, no solo del primer periodo de desarrollo, sino en general de la computacin, ocurri en 2CDD cuando el :atemtico y Bilsofo #harles 1abbage lleg a la conclusin que se poda construir una mquina capaz de e(ecutar cualquier operacin dada por el operador y no una sola como suceda con las anteriores. A esta mquina 1abbage la llam !:quina Analtica' y se compona de dos partes !)l :olino y !)l 6epsito', que no son ms que el prototipo de lo que hoy conocemos, en los modernos computadores digitales, como el 0rocesador y la :emoria. !)l :olino' era el encargado de realizar las operaciones aritm*ticas sobre los n$meros +las cuatro operaciones bsicas.. !)l 6epsito' serva para guardar los n$meros y seg$n el proyecto de 1abbage contena EFFFF ruedas digitales, es decir,
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ruedas que podan estar en dos posiciones Gna de las cuales representaba el uno y otra, con alg$n giro, el cero lgicos. 0ara la entrada de los n$meros y el control de la operaciones se supona utilizar una tira larga con la informacin codificada con perforaciones. Algo parecido a las tar(etas perforadas. H I )l gran avance de la :quina Analtica, fue el de ser una mquina de propsito generalJ lea las instrucciones de las tar(etas perforadas y las e(ecutaba. #on la :quina Analtica, era posible realizar diferentes clculos, perforando distintos programas en las tar(etas de entrada, algo que las :quinas anteriores no podan realizar. 1abbage contrat a Ada Augusta /ovelace para producir este soft-are, haciendo de )lla la 0rimera 0rogramadora de #omputadores y en cuyo honor recibi el nombre el moderno lengua(e de programacin Ada. H I Kale la pena anotar que a pesar de que 1abbage dedic toda su vida, esfuerzo y bienestar econmico a esta mquina, nunca encontr apoyo en el gobierno ;ngl*s, ni de sus contemporneos pues no vean en la mquina de 1abbage sino el e%otismo de un proyecto irrealizable. Tal vez algunas de las causas ob(etivas del fracaso del proyecto de 1abbage son /a comple(idad t*cnica para realizar la mquina y la lentitud de procesamiento mostrada por aquellas partes que fueron montadas. )sto era debido al principio mecnico con el que traba(aban sus c*lulas #ompuertas A56758T realizadas con ruedas dentada. /a posibilidad de realizacin la aportara los avances en los conocimientos de los fenmenos el*ctricos y la velocidad la dara la electrnica cien a3os despu*s. /a poca dinmica y poca cantidad de datos de los rudimentarios <istemas de ;nformacin e%istentes en esa *poca, as como el lento desarrollo de las #iencias 5aturales. #ondiciones dadas tambi*n en los a3os cincuenta de *ste siglo. A pesar de que durante su vida nunca fue realizada la :quina, 1abbage de( sentado los principios de dise3o de los procesadores y memorias de los computadores modernos. /os m*todos empleados por 1abbage, basados en las matemticas lgicas, se emplearan cien a3os ms tarde cuando apareci la electrnica, que realmente lo $nico que ha aportado es dotar de gran velocidad la mquina dise3ada en 2CDD. 0ara terminar no est de ms agregar que la #iencia :oderna hizo (usticia y le di el ttulo pstumo y muy merecido de Padre del Control Programa!le" que prcticamente equivale a 0adre de los autmatas, computadores, robots y, en general, del !revolcn' +palabra muy de moda en nuestros das. en el desarrollo del mundo moderno. L no cabe duda de que si a alguien debemos nuestro sueldo los ;ngenieros de <istemas y #omputadores es a este persona(e, que se adelant en cien a3os con su invento.
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-I+TORI* D, )* T,CNIC* D, COMPUT*CION
A comienzos de nuestro siglo, fue llevado a cabo parte del !:olino' dise3ado por 1abbage. <e emple para un clculo ms e%acto del n$mero 0i + .. 0ero solamente hasta 2>?? AiMen construy en ,ardvar un computador totalmente automtico basado en la mquina de 1abbage y que utiliz como principio de funcionamiento de sus c*lulas al relevador +rel* 7 fenmeno electromecnico.. H I )ste computador recibi el nombre de :A9# 2. )l segundo periodo de la t*cnica de computacin comienza a partir de 2>?@ cuando fue dise3ado el computador )5;A# en 0ensilvania por :auchly y )cMert. <u base era una compuerta A56758T realizada con tubos electrnicos. #ontena @FFF interruptores y 2CFFF tubos, consuma grandes cantidades de energa y su volumen era inmenso. <in embargo, su velocidad de procesamiento super miles de veces la de :A9# 2. 6esde *ste momento la t*cnica de computacin se ha desarrollado ligadamente a los avances en la electrnica. )l segundo periodo se ha dividido en generaciones, que se siguen unas a otras con intervalos de C a 2F a3os, y que van acompa3adas de considerables disminuciones del tama3o de sus elementos y del consumo de energa. A la 0rimera =eneracin +2>EF 7 2>EC. pertenecen los computadores construidos con tubos electrnicos y elementos discretos tales como resistencias, condensadores, etc. que eran montados superficialmente sobre las tar(etas. )n las mquinas de <egunda =eneracin +2>E> 7 2>@N. los tubos fueron reemplazados por los transistores y las intercone%iones entre los elementos se hacan utilizando el monta(e impreso sobre las tar(etas. )n la Tercera =eneracin +2>@C 7 2>NC., con la aparicin de la microelectrnica, los computadores se construyeron en base a los circuitos de ba(a y media escala de integracin, que reemplazaron casi en su totalidad los elementos discretos. /os circuitos de ba(a escala son aquellos que contienen menos de 2D compuertas en la lmina de silicio, los de media contienen entre 2? y 2FF. Todas la intercone%iones se realizaron utilizando el monta(e impreso sobre tar(etas de varias capas. A partir de 2>N> se inici la #uarta =eneracin que tiene como caracterstica especial la utilizacin de circuitos de alta escala de integracin +entre 2FF y 2FFF compuertas en cada pastilla.. )sta generacin se prolonga hasta finales de los a3os CF. A partir de esta fecha se inici la Quinta =eneracin, que utiliza muy alta escala de integracin +ms de 2FFF compuertas en la pastilla.. 5o se descarta que en un futuro no muy le(ano la c*lula artificial funcione ba(o un principio diferente al del electrn +electrnica. pues la velocidad de respuesta de las compuertas actuales se est acercando a la velocidad del electrn, punto a partir del cual ser imposible aumentar la rapidez de procesamiento de los computadores. )ste nuevo principio tal vez puede emplear la velocidad de la luz +fotn. o probablemente la superconductividad lograda a ba(as temperaturas. H I
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PARTE I
1.
CONCEPTOS #ASICOS
INTRODUCCION
$%$% CAR&A' CORRIENTE' TENSI(N ) POTENCIA Carga* 5ormalmente, cada cuerpo contiene igual n$mero de electrones y protones, pero es posible separar electrones de un cuerpo o agregrselos. 6e un cuerpo que contiene n$meros distintos de electrones y protones se dice que est cargado el*ctricamente. )l electrn es el portador mnimo de carga el*ctrica negativa y *sta es igual a 2.@FA2% 2F72> #ulombios. <e representa a trav*s de la letra !q'. Corriente* =eneralmente se conoce la corriente el*ctrica como el movimiento de carga a trav*s de un material. Gn flu(o de electrones mviles constituye una corriente el*ctrica. /a corriente se representa a trav*s de i, y es igual
i . d/ dt
/a unidad de corriente es el amperio.

1 *m0 . 1 C1 +e$
Potencia* )s la razn de variacin a la cual se realiza un traba(o o se consume energa. /a potencia es proporcional al n$mero de #ulombios transferidos por segundos +corriente. y a la energa necesaria para transferir un culombio a trav*s del elemento +tensin.. H I H I /a potencia se representa con la letra 0 y es igual 0OK%i /a unidad de potencia es el vatio 2 P O 2 K % A O 1 C1 3 +e$ . 1 +e$
2 C1 2
$%+% TIPOS DE CORRIENTES ) DE ELEMENTOS DE CIRCUITOS

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CONC,PTO+ &*+ICO+ INTRODUCCION
Continua* #orriente cuyo valor es siempre constante +no vara con el tiempo.. <e denota como c.c.
i
Alterna* #orriente que vara sinusoidalmente en el tiempo. <e denota como c.a.
i
F t
8tros tipos son la corriente e%ponencial y la sinusoidal amortiguadas. Elementos de circuito* )n general un elemento de circuito es aquel que posee dos terminales con los cuales pueden hacerse cone%iones con otros elementos. )%isten dos tipos de elementos 0asivos y activos. Elementos ,asi-os* <on aquellos que solo estn en capacidad de disipar energa, o bien, en capacidad de almacenarla temporalmente. )llos son las resistencias, las bobinas y los condensadores.
Resistencias* #uando la tensin entre los terminales de un elemento es directamente proporcional a la corriente que pasa por *l, se dice que este elemento es una resistencia.
+ V + R i V =R x i
6onde 9 es la constante de resistencia. /a unidad de resistencia es el ohmio. <e representa mediante la letra . 2 O 2 K4A
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#o!inas* #uando la tensin entre los terminales del elemento es proporcional a la derivada con respecto al tiempo de la corriente, entonces este elemento se llama bobina.
K+t.
i+t.
4(t) . ) 3
di dt
6onde / es la constante de autoinductancia.
Condensadores* #uando la tensin entre los terminales del elemento es proporcional a la integral con respecto al tiempo de la corriente, este elemento recibe el nombre de condensador. v ( t )= i / cx id t 1
C 3
V ( t )
i ( t )
4(t) .
i dt
6onde # es la constante de capacidad. Elementos acti-os* <on aquellos que estn en capacidad de entregar energa a otros elementos. <e les conoce como fuentes. )%isten dos tipos de fuentes
.uente ideal de tensin* )s aquella que tiene una tensin entre sus terminales completamente independiente de la corriente a trav*s de la carga.
.uente ideal de corriente* )n este caso la corriente que genera a trav*s suyo es independiente a la tensin entre los terminales de la carga.
$%/% LE)ES DE 0IRCHHO.. /as leyes enunciadas por Qirchhoff sern las ms empleadas en el anlisis de los circuitos que realizan las funciones lgicas, ellas son H I H I
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Le1 de las corrientes* )stablece que la suma algebraica de todas las corrientes que llegan a un nudo es cero. 5udo es el punto en el cual dos o ms elementos tienen una cone%in com$n. )(emplo i2 iD i? iA
i1 + i2 i5 i6 = 7
i
n =1
=7
Le1 de la tensiones* )stablece que la suma algebraica de la tensiones alrededor de cualquier camino cerrado de un circuito es igual a cero. )(emplo
A 2 K2 KA KD D
K27KARKDOF
V
n =1
=7
$%2% RESISTORES /as dos principales caractersticas de un resistor son su resistencia dada en ohmios y su disipacin nominal de potencia en vatios. )n el mercado se encuentran en una gran variedad, desde unos cuantos ohmios hasta varios megaohmios. H I /a disipacin nominal de potencia indica la m%ima cantidad de potencia que un resistor puede disipar sin un calentamiento e%cesivo, que pueda llegar a da3arlo o a alterar sus parmetros. )%isten dos tipos de resistores 6e alambre devanado, que se emplean cuando la potencia a disipar es de E vatios o ms. 6e carbn, cuando la potencia a disipar es menor o igual a A vatios. 0ara potencias entre A y E vatios se emplean redes de resistencias de carbn. )l tama3o de los resistores depende de su valor nominal de potencia, a mayor valor ms tama3o.
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/os resistores empleados en la electrnica digital son los de carbn con disipacin de 2 P y menos. )stos resistores se encuentran en el mercado con valores de resistencia desde 2 hasta AF : y con disipacin nominal de potencia de 242F, 24C, 24?, 24A, 2 y A vatios. )l costo comercial de estos resistores depende de su tolerancia, a menor tolerancia ms alto es su precio. 6ebido a su reducido tama3o el valor de 9 se da utilizando el cdigo de colores
A primera cifra. 1 segunda cifra. 9 O A1 % 2F# 6S # potencia decimal. 6 tolerancia. /a codificacin de colores es como sigue H I Color 5egro #af* 9o(o 5aran(a Amarillo Kerde Azul Kioleta =ris 1lanco 8ro 0lata <in color )(emplo Ci3ra F 2 A D ? E @ N C > Multi,licador 2FF 2F2 2FA 2FD 2F? 2FE 2F@ 2FN 2FC 2F> F.2 F.F2 Tolerancia 4 AF 2 A D ? E @ N C > E 2F AF
Rojo
Verde
Rojo
Oro
9 O AE % 2FA ES 9 O A.E Q ES
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Resistores -aria!les* los potencimetros.
)%isten dos tipos de resistores variables
/os restatos y
)l restato tiene dos terminales que se conectan en serie con la carga, su funcin es regular la cantidad de corriente a trav*s de ella. )(emplo
RC
1
/os potencimetros tienen tres terminales. /a resistencia fi(a m%ima se conecta entre los terminales de la fuente de volta(es. )l brazo se utiliza para variar el volta(e entre el terminal central y los de los e%tremos. )(emplos
3
+ 2 1
)l potencimetro se puede implementar como restato.
$%5% CAPACITANCIAS /os materiales diel*ctricos, tales como el aire o el papel, estn en capacidad de almacenar carga debido a que los electrones en sus superficies no pueden fluir a trav*s de ellos. )sta carga debe ser aplicada por una fuente. H I
A Placa met lica Diel!ctrico B Placa met lica + B A Co"ce"traci#" de electro"e$
)n este caso los electrones se acumularn en la placa A del capacitor que est conectada al terminal negativo de la fuente. #omo resultado de la concentracin de electrones en la placa A, aparece una carga negativa que genera lneas de fuerza el*ctrica. )stas repelen los electrones de la placa 1 y harn que se cargue con un valor de igual magnitud pero de signo contrario a la placa A. )l proceso de acumulacin de electrones se le conoce como carga y al caso contrario descarga.
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/a carga +o descarga. se prolonga hasta que la tensin entre los terminales del condensador sea igual al volta(e aplicado. <i no e%iste ninguna resistencia en serie con el condensador el proceso de carga o descarga es instantneo. )n la prctica siempre e%iste una resistencia en serie que da origen a una corriente temporal de carga +o de descarga., y que desaparecer solo hasta que el capacitor este totalmente cargado +o descargado. al valor del volta(e aplicado.
%i& ' r aA %i& ' r aB %i& ' r aC
( V
+
i )*)
R
+ +
( V
+
i= 0 R V
+ +
R V
V= 0
) )* )C+ )* ( ,
=V /R
) %)* 0 A - =
IINIC(
IN+T
4 R
I8IN*) . 7
<uponiendo que cerramos el interruptor < y que el condensador se encuentra totalmente descargado, figura A, entonces aparece una diferencia de potencial entre los terminales de 9 igual al valor del volta(e aplicado, es decir, K. 6ebido a que el capacitor se encuentra descargado aparece una corriente m%ima instantnea igual a K49. )n la medida en que los electrones fluyen a trav*s de 9 y que se van concentrando en la placa del condensador, la tensin entre los terminales de *ste aumenta y la diferencia de potencial en 9 se hace menor. )sto trae como consecuencia que la corriente de carga vaya disminuyendo con el tiempo y que sea igual a cero al cabo de cierto tiempo, figura 1, cuando el condensador est cargado al valor de la fuente K. <i despu*s de esto abrimos el interruptor <, los electrones, acumulados en el capacitor, no encontrarn por donde fluir y esta energa se conservar. /as corrientes mostradas en las figuras anteriores corresponden al flu(o de electrones, las convencionales +que son del positivo al negativo. tienen las mismas magnitudes en los mismos instantes de tiempo pero con sentido contrario. )l capacitor se descarga cuando e%iste una trayectoria de conduccin entre sus placas o cuando el volta(e aplicado es inferior al del capacitor. L se carga cuando el aplicado es superior al de este.H I i car&a
.V + + +
i de$car&a
3V 3V + +
i de$car&a
3V
.V
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Bsicamente una capacitancia solo consta de dos conductores separados por un aislador. )ste aislador puede ser aire, papel, cermica o mica. Ca,acitancia C* )s la medida de la cantidad de carga almacenada. )ntre ms carga se almacene para determinado valor de volta(e, mayor ser la capacitancia. Gn volta(e mayor entre los terminales de una capacitancia almacena ms carga. H I V C 6onde Q carga que almacena la capacitancia. K volta(e aplicado entre los terminales de la capacitancia. # constante fsica que indica la capacitancia en t*rminos de la cantidad de carga que puede almacenarse para un determinado valor de volta(e aplicado. /a unidad de capacitancia es el Barad. Gna capacitancia es de un Barad si almacena una carga de un #ulombio para un volta(e aplicado de un Koltio. 1V 1 C'l 1% )l Barad es un valor muy alto de capacitancia, por eso en la prctica se emplean el B, nB y pB. Circuitos RC en c%c%* )l comportamiento de la corriente y la tensin lo observaremos en el siguiente e(emplo H I i (1 10 V
+
/ = C xV
1 % =1 C'l / V
R (2
+
200 Vc
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<2 cerrado <A abierto <2 y <A abiertos <2 abierto <A cerrado
i
24AF A
724AF A
Kc
2F K
t2 tiempo de carga tD tiempo de descarga
t2
tA
tD
<uponiendo que el condensador est descargado inicialmente, entonces durante t2, estando <2 cerrado y <A abierto, circular una corriente de carga cuyo valor inicial ser de 24AF A. )sta corriente disminuir e%ponencialmente hasta que se hace igual a cero, en el instante en que la diferencia de potencial entre los terminales del condensador sea igual a 2F K. 6urante tA, <2 y <A permanecen abiertos y el condensador continuar cargado a 2F K. )n tD, <2 est abierto y <A cerrado, se establece una trayectoria de descarga entre las placas y aparece una corriente de descarga igual inicialmente a K49, o sea, 24AF A. )sta corriente por ser de sentido contrario a la de carga se considera negativa y disminuir e%ponencialmente, hasta que al cabo de cierto tiempo sea igual a cero. Constante de tiem,o* )n circuitos no sinusoidales, por e(emplo de c.c., la respuesta transitoria de un circuito 9# se mide en t*rminos del producto 9#. H I TO 9%# 6onde T es la constante de tiempo. <i 9 est en 8hmios y # en Barads, entonces T estar en segundos. )sto es debido a
C . 9 , 4
Q O ;%t ,
K O ;%9
I3t T . R 3 I 3R
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TO t
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/a constante de tiempo indica la rapidez de carga o descarga. 6urante el proceso de carga, 9# indica el tiempo necesario para que la capacitancia se cargue en un @D.AS de la variacin de volta(e ocurrida entre sus terminales. 6urante el proceso de descarga, 9# indica el tiempo necesario para que la capacitancia se descargue en un @D.AS de la variacin de volta(e ocurrida entre sus terminales. )(emplo 30 (1 100 V
+
R (2 Vc
+
C =1
RC 2352 V
(1 cerrado+ (2 a4ierto+
(1 a4+ (2 a4+
(1 a4ierto+ (2 cerrado+
100 30 20 10 20 0
0 3 2 6 12 1. 13 t, seg. 21 21 27 30 33 3253 V
T O D % 2F@ % 2 % 2F@ O D seg. 6urante los tres primeros segundos +2 T. el condensador se carga a @D.A K y despu*s de E T, para un total de 2E segundos, estar cargado a 2FF K. )n tO2E los interruptores se encuentran abiertos y tericamente el condensador estar cargado indefinidamente. )n t O 2C el condensador se comienza a descargar, al cabo de una constante de tiempo T se encontrar a D@.C K y en 2A segundos ms quedar totalmente descargado. Gna de las caractersticas ms importantes de las capacitancias es su oposicin a los cambios de volta(e entre los terminales de ellas mismas. )sto debido a que su diferencia de potencial no puede variar sino hasta que la corriente de carga no haya depositado una carga suficiente en el capacitor, o bien, la de descarga se haya llevado la cantidad de carga necesaria. Par6metros 1 nomenclatura*
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<e utilizan esencialmente dos parmetros para definir una capacitancia en concreto <u capacidad en pB o B. <u volta(e nominal en Koltios. )l volta(e nominal es aquel que se le puede aplicar a un condensador sin da3ar o alterar el diel*ctrico. )ste valor es vlido para temperaturas hasta de @F #. H I Gn volta(e nominal mayor que el aplicado realmente es un factor de seguridad, que le permite a los condensadores una vida $til prolongada. /os capacitores comerciales se clasifican seg$n el diel*ctrico que utilizan Aire* #on capacitancias entre 2F y ?FF pB y volta(es de ruptura +nominal. de ?FF K. Cer6mica* #on volta(e nominal entre EFF y AFFFF K. )%isten dos tipos 6e cilindro )ntre F.E y 2@FF pB y con tolerancias entre AS y AFS. 6e disco )ntre F.FFA y F.2 B con tolerancia del AFS.
)(emplos
DD 2FS FA 2F?
2F ?
2F FFFF pB
DD B R 2FS
A B
Electrol7ticos* Tienen polaridad. )l terminal negativo se identifica con un ! 7 !. 0ara este tipo de condensadores se recomienda que el volta(e aplicado est* cercano al nominal. 0resentan una peque3a corriente en fuga entre sus placas de F.2 a F.E mA por B. )%isten dos tipos 6e aluminio )ntre E y 2FFFF B y con un volta(e de ruptura entre 2F y ?EF K. 6e tantalio # entre F.F2 y DFF B y volta(e nominal entre @ y EF K. Mica* #on # entre 2F y EFFF pB. Kolta(e nominal de EFF a AFFFF K. Tolerancias hasta del 2S. <u valor viene dado por el cdigo de colores para capacitancias. Pa,el* #on capacitancias entre F.FF2 y 2 B. Kolta(e de ruptura entre AFF y 2@FF K. Tolerancia de 2FS.
F,F@C B @FF K6#
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$%8% EL PROTO#OARD )s un tablero plstico con una serie de orificios o puntos metlicos de contacto alineados horizontal o verticalmente. )n cada orificio se alo(a un terminal de un componente, un pin de un circuito integrado o el e%tremo de un cable. H I B'$e$ %ila Ca"al Ce"tral
-ami"a$ 0et lica$ /as ocho filas horizontales se denominan buses y se utilizan para distribuir el volta(e de alimentacin a lo largo del circuito que se va a ensamblar. Todos los puntos de un bus o de una fila vertical estn conectados el*ctricamente entre si, pero aislados de todos los dems. )n el rea central se insertan y conectan los componentes del circuito como integrados, resistencias, condensadores, transistores, /)6s, puentes, etc. A lo largo del canal central se instalan circuitos integrados, reles miniatura y otros componentes que vienen en presentacin tipo 6;0 o doble hilera. /as pesta3as, situadas en los cuatro costados del protoboard permiten acoplar mecnicamente entre s varias unidades similares, esto se hace cuando un solo protoboard es insuficiente para soportar los componentes de un determinado proyecto.
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2.
CIRCUITOS DIGITALES Y COMPUERTAS
LOGICAS
+%$% .UNCIONES ) COMPUERTAS LO&ICAS <e ha denominado compuerta lgica a aquel dispositivo que ba(o alg$n principio, ya sea el*ctrico, mecnico, hidrulico, neumtico, electrnico o cualquier otro, permite realizar las funciones lgicas del Algebra de 1oolean. /as funciones lgicas ms importantes y su representacin simblica son H I .UNCION AND B toma el valor de uno solamente cuando A, 1 L # estn en uno.
A 0 0 + + 1 1 B 0 0 + + 1 1 C 0 1 + + 0 1 % 0 0 + + 0 1
A B C
% =ABC =A+B+C =A B C
.UNCION OR B toma el valor de uno cuando por lo menos una de las entradas A, 1 8 # toman el valor de uno.
A 0 0 + + 1 1 B 0 0 + + 1 1 C 0 1 + + 0 1 % 0 1 + + 1 1
A B C
% = A+B+C = AVBVC
.UNCION NOT B toma el valor inverso de A.

A 0 1 % 1 0 A 1 % =A
.UNCION )ES B toma el mismo valor de A.

A 0 1 % 0 1 A 1 % =A
.UNCION AND9NOT
)I%R
CIRCUITO+ DI%IT*),+ : COMPU,RT*+ )O%IC*+

A 0 0 + 1 1 B 0 0 + 1 1 C 0 1 + 0 1 % 1 1 + 1 0
19
A B C
% =A B C
.UNCION OR9NOT
A 0 0 + 1 1 B 0 0 + 1 1 C 0 1 + 0 1 % 1 0 + 0 0
A B C
% = A +B + C
.UNCION OR9E:CLUSI;O entradas est en uno.

A 0 0 1 1 B 0 1 0 1 % 0 1 1 0
B toma el valor de uno solamente cuando una de las
A B
=1
% =B A +B A
.UNCION DE E<UI;ALENCIA B toma el valor de uno solamente cuando A, 1 L # son iguales.

A 0 0 + 1 1 B 0 0 + 1 1 C 0 1 + 0 1 % 1 0 + 0 1
A B C
% = ABC + ABC
.UNCION UM#RAL LO&ICO B toma el valor de uno cuando dos o ms se3ales de entrada toman el valor de uno. )l ! A ' se tom como e(emplo.
A 0 0 0 0 + + 1 B 0 0 1 1 + + 1 C 0 1 0 1 + + 1 % 0 0 0 1 + + 1
A B C
% =ABC + ABC +ABC +ABC
)I%R
20
.UNCION PAR B toma el valor de uno solamente cuando un n$mero par de entradas estn en uno.
A B C D 29 %
.UNCION IMPAR B toma el valor de uno solamente cuando un n$mero impar de entradas est en uno.
A B C D 29 +1 %
.UNCION MA)ORIA B toma el valor de uno solamente cuando ms de la mitad de las se3ales de entrada estn en uno.
A B C D : */2 %
.UNCION / DE 2 "* B toma el valor de uno solamente cuando tres se3ales de entrada son iguales a uno. ! D de ? ' se tom como e(emplo.
A B C D =3 %
6e todas las funciones anteriores solamente una tiene un n$mero fi(o de entradas )sta funcin es la 58T, las dems pueden tener cualquier n$mero de entradas. <olamente las compuertas A56758T y 89758T son sencillas, las dems funciones se obtienen combinando estas $ltimas. +%+ CIRCUITOS DI&ITALES /a )lectrnica 6igital representa el liderazgo tecnolgico de la vida moderna. <u aparicin hizo posible la realizacin de las compuertas lgicas que dieron paso a la
)I%R
21
fabricacin de calculadores, relo(es, computadores, autmatas de uso dom*stico, comercial, industrial, cientfico, m*dico, etc. /os circuitos de la electrnica digital traba(an solamente con se3ales que pueden tomar uno de dos valores de volta(e. )stos valores son conocidos como 5ivel Alto y 5ivel 1a(o, en lo sucesivo los llamaremos ! 5A ' o ! ,! y ! 51 ! o ! / !. A cada nivel corresponde un rango de volta(e que vara de acuerdo a la familia a la cual pertenece el dispositivo. /os circuitos anlogos, en cambio, pueden adoptar una amplia gama de valores de volta(e que por lo general varan en forma continua. )ncuentran su mayor aplicacin en la radio, televisin, sonido y comunicaciones.
V 10 V .V *B *B *B t t .V V *A *A *A
(e;al A" lo&a
(e;al Di&ital
<eg$n la interpretacin que se de en el dise3o a los dispositivos digitales e%isten dos tipos de lgica 0ositiva o aquella que codifica el nivel ms positivo de volta(e como el uno lgico y el nivel menos positivo como el cero lgicoJ y negativa en el caso contrario.
+%/% CIRCUITOS DI&ITALES INTE&RADOS Antiguamente los circuitos digitales se implementaban utilizando tubos al vaco y elementos discretos tales como resistencias y condensadores, entonces los computadores eran grandes con(untos de tubos que consuman demasiada energa, ocupaban grandes espacios y su confiabilidad era mnima. #on la aparicin, inicialmente de los transistores, y despu*s de la microelectrnica los circuitos +tanto anlogos como digitales. fueron reducidos a peque3os encapsulados llamados chips, que son cada vez ms peque3os, ms rpidos, ms econmicos y consumen menos energa. )l estudio de los circuitos actuales usados en los computadores digitales, desde los 0# hasta los grandes mainframe, est centrado en la tecnologa de realizacin de los circuitos integrados +tecnologas de integracin.. Actualmente en un solo chip pueden ser ensamblados desde unas cuantas compuertas sencillas hasta todo un microcomputador. /os circuitos integrados + #; . estn provistos de terminales o conectores de entrada4salida llamados pines o patas, que luego se interconectan en las tar(etas impresas usando cintas conductoras, alambres, caminos impresos sobre las tar(etas u otros medios.
)I%R
22
)n la medida que avanzan las tecnologas de integracin se hizo necesario emplear chips de C, 2?, 2@, AF, AC, ?F, EF, @? y ms pines. )l cuerpo +cpsula. que recubre los #; tiene diferentes formas y su composicin tambi*n vara. /os cuerpos ms empleados son 0lanos, 6;0, chip7carrier y metlicos. 0lanos /os primeros #; tenan *sta forma y ya eran totalmente herm*ticos. <e realizaban de cermica o de metal. /os pines se ubican en forma paralela al cuerpo y esto haca difcil su monta(e.
,o
+ +
++
+ +
0et lico$
Pla"o$
D)P
C<i=>Carrier
6;0 +6ual ;n7/ine 0acMage.. 0aquete de doble hilera. 0ueden ser de plstico o de cermica. )l cuerpo de cermica se utiliza para monta(es donde e%iste considerable consumo de potencia. <on conocidos tambi*n como cer6;0. )l de plstico es ms econmico. /os 6;0s fueron dise3ados para soldarse por la parte inversa de la tar(eta sobre la cual se encuentran. #hip7carrier <e diferencia de los 6;0s en que su monta(e es superficial. D)P
++++
C<i=>Carrier
++++
(oldad'ra
,arjeta )m=re$a
:etlicos /a cpsula metlica T8 se emplea sobre todo en aplicaciones militares. <obre las cpsulas se encuentra informacin concerniente al fabricante y a las caractersticas del integrado. H I )(emplo
)I%R

11 13 12 11 10 6 3
23
03223 (e;al (*71-(03*

1 2 3 1 . 2 7
CA AC <5 N?/< FC 5
A3o de fabricacin. <emana o da del a3o. <iglas del fabricante en este caso Te%as ;nstruments. Bamilia TT/ <hottMy de ba(a potencia. Buncin. )n este caso ? compuertas de A entradas A56. ;ndica que la cpsula es de plstico. T o B se emplean para cermica. T y P se emplean en los #; planos T7metlico, P7de cermica.
0or estas normas se rige la firma Te%as ;nstruments y gran parte de los fabricantes con ciertas modificaciones. 0or conveniencia se ha decidido numerar los pines en el sentido contrario a las manecillas del relo( a partir de una se3al hecha sobre el encapsulado.
11 13 12
Vcc
11 10 6
,a4la de Verdad 13 12 11 - - - @ @ - @ @ @
8 8 8
(e;al
?*D
3 1
/a funcin e%acta de los #; est dada por la tabla de verdad que se encuentra en los manuales de circuitos integrados digitales del fabricante.
+%2% .AMILIAS DE CI DI&ITALES /os #; se clasifican en dos grandes grupos de acuerdo al tipo de transistor que utilicen en su realizacin H I 1ipolares conocidos como 050 o 505. 6e efecto de campo o conocidos como B)T7:8<.
)I%R
24
6entro de cada grupo se han desarrollado diferentes familias de #;, cada una de las cuales tiene su propio dise3o que vara de fabricante a fabricante.
B)PO-AR:( %:,0O(
R,-
D,-
:C-
) -
,,-
*0O(
P0O(
C0O(
0O( (O(
9T/ 6T/ )#/ ;A/ TT/ 5:8< 0:8< #:8< :8< <8<
/gica de 9esistencia a Transistor. /gica de 6iodo a Transistor. /gica Acoplada por )misor. /gica de ;nyeccin ;ntegrada. /gica de Transistor a Transistor. /gica de :etal78%ido <emiconductor canal 5. /gica de :etal78%ido <emiconductor canal 0. /gica de :etal78%ido <emiconductor #omplementaria. /gica de :etal78%ido <emiconductor sobre substrato de Uafiro.
+%5% CARACTERISTICAS DE LOS CI DI&ITALES )ntre los parmetros ms importantes estn 6isipacin de potencia, niveles lgicos de volta(es de salida y de entrada, tiempo de retardo en la propagacin de se3ales +m%ima frecuencia de conmutacin., corrientes de entrada y de salida, inmunidad al ruido, fan7out o abanico de salida y confiabilidad. H I 0or lo general los parmetros bsicos dependen entre s funcionalmente, y las variaciones en uno trae consigo cambios en otros. 0or e(emplo, al disminuir los tiempos de conmutacin +retardo de propagacin. aumenta la disipacin de potencia. Disi,acin de ,otencia <e toma el promedio de la potencia media disipada durante un intervalo de tiempo largo. )n los #; realizados con transistores bipolares el tiempo de conmutacin es solo una peque3a parte del total de tiempo de traba(o, por esto la potencia media para estos circuitos se define teniendo en cuenta solo las disipaciones en r*gimen esttico +es decir, cuando la salida de la compuerta esta en 5A o en 51,pero no conmutando.. <in embargo la disipacin aumenta con la frecuencia de conmutacin. 0 O F.E + 0, R 0/. 6onde 0, 6isipacin de potencia cuando la compuerta est en 5A. 0/ 6isipacin cuando est en 51.
)I%R
25
)n los #;, realizados con transistores B)T:8<, la disipacin de potencia en r*gimen esttico es diez o ms veces menor que en r*gimen dinmico +o sea, la disipacin se presenta en los tiempos de conmutacin.. 0or esto para ellos se toma la potencia media para la m%ima frecuencia de conmutacin. Ni-eles de -olta=e de salida 1 de entrada dos estados lgicos. )llos son K:;58 , K:AV8 / K:;5; , K:AV; / 6efine los rangos de volta(e para los
Kolta(e mnimo de salida para 5A. Kolta(e m%imo de salida para 51. Kolta(e mnimo de entrada para 5A. Kolta(e m%imo de entrada para 51.
Tiem,o de retardo de ,ro,agacin 6etermina la velocidad del #; y se define como el intervalo de tiempo necesario para que la salida refle(e los cambios sucedidos en las se3ales de entrada. Corrientes de entrada 1 de salida )ste parmetro define la capacidad de carga de las salidas de los #;. )n determinados momentos las entradas o salidas de los #; reciben corrientes, en otros ellas suministran. )stas corrientes se conocen como ;8, #orriente de salida para el 5A. ;8/ #orriente de salida para el 51. ;; , #orriente de entrada para el 5A. ;; / #orriente de entrada para el 51. Proteccin contra el ruido :ide el grado de inmunidad de un #; contra el ruido electromagn*tico ambiental. )n concreto es el intervalo de volta(es que puede tomar una salida en un nivel lgico y dentro del cual puede variar, sin que las entradas conectadas a ella lo tomen como un cambio de estado lgico. .an9out )s la capacidad que tiene una salida para conectarse a un determinado n$mero de entradas de circuitos de un mismo tipo. )l fan7out es un parmetro ms comparativo que prctico. Con3ia!ilidad 0or lo general se da como la frecuencia de da3o, seg$n la siguiente frmula O n 4 +5T. 6onde T Tiempo de prueba. 5 5$mero total de #;. n 5$mero de #; da3ados durante la prueba.
/as posibilidades de traba(o sin da3os de #; en el tiempo t se calcula as

P(t) . e30
( - t )
)I%R
26
Criterios de com,aracin entre CI /os parmetros ms empleados para comparar #; son el retardo de propagacin y la disipacin de potencia. A menor retardo ms velocidad de conmutacin y por esto a mayor frecuencia podrn procesar informacin las compuertas. :enor disipacin de potencia conlleva a un mayor coeficiente de integracin y menor consumo de energa. 0ero toda disminucin en el tiempo de retardo conlleva un aumento de la disipacin de potencia. 0or esto se ha tomado el producto 0 % t como valor comparativo. <e conoce como el Traba(o :edio de #onmutacin y sus unidades son el Tulio. AO0%t 6onde A Traba(o :edio de #onmutacin. 0 6isipacin media de potencia. t Tiempo medio de retardo de propagacin.
Gn valor ba(o de A indica un muy corto tiempo de propagacin con una ba(a disipacin de potencia. Gn valor de cero indicara tiempos de propagacin igual a cero +cualquier programa correra en tiempo cero. sin consumo de energa, que sera lo ideal. +%8% ESCALAS DE INTE&RACION 6e acuerdo a la cantidad de elementos que contenga un chip, los #; se clasifican en la siguiente forma H I <.<.;. 1a(a )scala de ;ntegracin. #hips que contienen menos de 2D compuertas, se realizan con tecnologas TT/, #:8< L )#/. )(emplos #ompuertas y Blips7Blops. :.<.;. :edia )scala de ;ntegracin. #ontienen entre 2D y 2FF compuertas, se realizan con tecnologas #:8<, TT/ L )#/. )(emplos #odificadores, registros, multiple%ores, contadores, etc.
/.<.;. /arga )scala de ;ntegracin. #ontienen entre 2FF y 2FFF compuertas, se realizan con tecnologas ;A/, 5:8< L #:8<. )(emplos :emorias, A/Gs, micro7procesadores de C y 2@ bits. K./.<.;. :uy /arga )scala de ;ntegracin. #ontienen ms de 2FFF A compuertas, se realizan con tecnologas ; /, 5:8< L #:8<. )(emplos :icroprocesadores de DA bits, microcontroladores, memorias de gran capacidad, etc.
)I%R
)O%IC* D, DIODO+
27
PARTE II
3.
TECNOLO&IAS DE INTE&RACION
LOGICA DE DIODOS
/%$% EL DIODO SEMI9CONDUCTOR 6e acuerdo a su capacidad para conducir corriente los elementos se dividen en conductores, aisladores y semi7conductores. /os conductores son aquellos que tienen valencias de R2 y RA o 7N y 7@, es decir, el n$mero de electrones que tiene en su capa ms e%terna o que le hacen falta para completar ocho. )(emplo )l oro, plata y cobre tienen una valencia de R2 o 7N. H I /os elementos aisladores son aquellos que tienen ocho electrones en su capa e%terna. )llos son los gases inertes como el helio y el nen. /os semi7conductores son aquellos que tienen valencia R? o 7?. )(emplo #arbono, silicio, germanio. 0or lo general ellos comparten de a un electrn con sus vecinos formando enlaces covalentes que conllevan a estructuras monocristalinas y aisladoras cuando se encuentran en alto estado de pureza. 0ara lograr que un semi7 conductor conduzca, por e(emplo el silicio, se le agrega al <i impurezas de fsforo que tiene una valencia de RE. 6e esta manera, los enlaces covalentes de las mol*culas de silicio tienen ahora un electrn de ms por cada tomo de impureza de fsforo. )l resultado es un semi7conductor que tiene electrones libres o Tipo 5. #uando el <i se contamina con aluminio, que tiene una valencia de RD, la mol*cula de <i queda con siete electrones en su capa ms e%terna. )l electrn faltante se conoce como ! hueco ! y el semi7conductor recibe el nombre de Tipo 0 o con huecos. Gn diodo est formado por la unin de dos piezas de diferente tipo de materiales semi7conductores Gno tipo 0 y otro Tipo 5. /os materiales Tipo 5 tienen e%ceso de portadores de corriente negativa +electrones., mientras que los materiales Tipo 0 tienen e%ceso de portadores de corriente positiva +huecos.. H I H I H I )l material tipo 0 recibe el nombre de nodo y el tipo 5 de ctodo del diodo.
)I%R
28

:- D)ODO (:0)CO*DCC,OR %i&'ra A %i&'ra B A"odo
A"odo C todo
(i co" im='reAa$ de
al'mi"io
(i co" im='reAa$ de
B#$Boro
C todo
%i&'ra A D :$tr'ct'ra i"ter"a %i&'ra B D (Em4olo e$F'em tico <upongamos que aplicamos un volta(e, posiblemente a trav*s de una resistencia, de tal forma que el nodo sea positivo con respecto al ctodo, se dice que el diodo est polarizado directamente + 06 .. R + R
= "
)n este caso el positivo de la fuente atraer los electrones del conductor y de la resistencia creando una gran cantidad de huecos. )stos se concentrarn en el nodo del diodo y repelern los huecos del material Tipo 0 hacia la unin, debido a que son cargas iguales. R V
+
As mismo, los electrones provenientes del negativo de la fuente se agruparn en el ctodo del diodo y repelern los electrones del material Tipo 5 hacia la unin. 6e esta forma, los electrones pasarn prcticamente sin ninguna resistencia a los huecos del material Tipo 0 y luego al conductor generndose una corriente el*ctrica. Gn diodo polarizado directamente conducir corriente sin dificultad.
)I%R
)O%IC* D, DIODO+
29
I
2m A
?erm a" io (ilicio

PolariAaci#" direct a PD 0 53 V 0 57 V
(ilicio
1m A
?erm a" io
PolariAaci#" i"v er$a P)
1m A 2m A
8bs*rvese que cuando el diodo de silicio est polarizado directamente + 06 . la cada de tensin es F,N Koltios +siempre y cuando haya una corriente superior a un miliamperio 2mA.. #uando el ctodo del diodo es positivo con respecto al nodo, se dice que el diodo est polarizado inversamente + 0;.. R V
+
))*V
+
))*V
= "
/os electrones provenientes del negativo de la fuente se agrupan en el nodo atrayendo los huecos del semi7conductor Tipo 0. )stos huecos son ocupados por los electrones y el material se convertir en aislador debido a que sus mol*culas habrn alcanzado ocho electrones en su enlace covalente. R V
+ = "
)l positivo de la fuente atraer los electrones del conductor formando as una concentracin de huecos en el ctodo. /os huecos atraern los electrones del material 5 y sern ocupados por estos. 6e esta forma el material 5 pierde los portadores negativos y se convierte en aislador. Gn diodo polarizado inversamente + 0; . presentar una muy alta resistencia al flu(o de corriente, esta resistencia va desde diez hasta cientos de :egahomios. A la corriente que fluye cuando el diodo est 0; se conoce como corriente inversa y est en t*rminos de nanoamperios + nA ..
)I%R
30
Gn diodo real 06 no presenta una resistencia igual a cero ohmios, as como 0; una resistencia infinita. #85#/G<;85 )l diodo puede ser empleado como un tipo de interruptor electrnico, es decir, que est cerrado +paso libre de electrones. cuando se 06 y abierto +no hay paso de corriente. cuando se 0;. <i consideramos el diodo como un elemento ideal podemos decir que Gn diodo 06 equivale a un corto circuito. PD Gn diodo 0; equivale a un circuito abierto. P) NOMENCLATURA ) PARAMETROS DE DIODOS /as especificaciones de los diodos se dan, en ocasiones, de acuerdo con su uso. Algunos diodos, por e(emplo, reciben nombre de rectificadores debido a que se emplean con frecuencia para convertir volta(es de c.a. en volta(es de c.d. 8tros diodos ms peque3os reciben el nombre de diodos para se3al, ya que se utilizan para procesar se3ales, como las de radio A:. H I /as caractersticas ms importantes de un diodo rectificador o de potencia son su 0;K y su ;f . )l 0;K es el m%imo volta(e que el diodo puede tolerar cuando se polariza inversamente. /a ;f es la m%ima corriente que puede circular por el diodo sin da3arlo o alterar sus parmetros cuando *ste est polarizado directamente. <eg$n las normas de )lectronics ;ndustries Association +);A., la letra 5 indica un semiconductor con un prefi(o num*rico que se3ala el n$mero de uniones que tiene el dispositivo. /os diodos se numeran como 25, los transistores bipolares como A5 y los B)T como D5. /os dgitos que siguen indican tipos especficos. )(emplo, el 25FF?, que corresponde a un diodo de <ilicio. /%+% COMPUERTA AND CON DIODOS H I /a /6 utiliza dos niveles de volta(e para codificar los estados lgicos D K y F K. #A<8< 2. A. D. ?. V 51 51 5A 5A L 51 5A 51 5A U 51 51 51 5A
)I%R
)O%IC* D, DIODO+
D 1 G :"t rada$ H D 2 (alida 1 .J
31
+. V
Analicemos cada caso 2. )n este caso 62 y 6A estarn en 06 y la salida se mantendr en 51 por medio de 62 y 6A. /a cada de volta(e en 06 del diodo de silicio es realmente de F,N K, seg$n lo visto en el tema anterior, esto indica que la cada de volta(e entre los terminales de la resistencia de ?,D K y la salida entonces estar a F,N K.
D 1 0 +7 1 53 V + +. V
+
0 +7 V
1 .J
G K H e" *B I
D 2 0 +7
(alida
2(
62 estar 06 y mantendr la salida a F,N K, o sea, 51. 8bs*rvese que el volta(e de F,N K impuesto por la 06 de 62 forza a 6A a pasar a 0;. 0ara el anlisis debemos suponer un momento inicial +instante en el cual se energiza el circuito. cuando aun no circulan corrientes a trav*s de los diodos. /a salida se encontrar a REK, ya que la cada de potencial en 9 ser igual a cero +; O F.. )ntre los terminales de 62 habr EK y de 6A AK en este instante. Tuntos diodos empiezan a conducir por estar 06. )l potencial en U comienza a decaer +; F., y al cabo de unos instantes estar, por e(emplo, en DK. )n este momento en 6A no habr diferencia de potencial y por esto ya no podr circular corriente a trav*s de *l. )n 62 habr aun DK indicando que 62 puede continuar el proceso de 06. #uando 62 se 06 totalmente +en realidad este proceso tarda nanosegundos., U se encontrar a F.NK, y entonces en 6A aparecer un volta(e de A.DK en 0;.
D. )n este caso sucede lo contrario 6A estar en 06 y forzar a 62 a pasar a 0;. /a salida es 51. ?. 62 y 6A estarn en 06. 6ebido a la cada de potencial en los diodos 06, la salida estar a D,N K, o sea, 5A. #ompuerta A56 para la lgica positiva.
G 0 0 1 1 H 0 1 0 1 I 0 0 0 1 G H 8
)I%R
32
#ompuerta 89 para la lgica negativa.

G 1 1 0 0 H 1 0 1 0 I 1 1 1 0 G H 1
/%/% COMPUERTA OR CON DIODOS
#A<8< 2. A. D. ?.
V 51 51 5A 5A
L 51 5A 51 5A
U 51 5A 5A 5A
D 1
R 1 .J
.V
G :"t rada $ H D 2
I (alida
Analicemos cada caso 2. )n este caso 62 y 6A estarn 06 y la salida se mantendr en 51. /a cada de volta(e entre los terminales de los diodos es de F,N K, entonces la salida estar a 7F,N K. A. 6A est en 06 y mantendr la salida en 5A. 8bs*rvese que el volta(e impuesto por la entrada L + D K . forza a 62 a pasar a 0;. /a salida estar entonces a A,D K. D. 62 estar en 06 y 6A en 0;. /a salida estar nuevamente en 5A es decir A,D K. ?. )n este caso 62 y 6A estn en 06. /a salida estar a A,D K. #ompuerta 89 para la lgica positiva.
)I%R
)O%IC* D, DIODO+
G 0 0 1 1 H 0 1 0 1 I 0 1 1 1
33
G H
#ompuerta A56 para la lgica negativa.

G 1 1 0 0 H 1 0 1 0 I 1 0 0 0 G H 8
)I%R
34
4.
LOGICA DE RESISTENCIA A TRANSISTOR
2%$% EL TRANSISTOR #IPOLAR )s un elemento que se compone de un semiconductor tipo 0 entre dos tipo 5 + 505 . o de un tipo 5 entre dos tipo 0 + 050 .. H I H I H I
BA(: BA(:
P
CO-:C,OR
P
:0)(OR
*
CO-:C,OR
*
:0)(OR
c 4 e P*P *P* 4
/as caractersticas de operacin del transistor se estudian generalmente conectndolo a un circuito donde se varan las corrientes y los volta(es de entrada, y representando grficamente los volta(es y corrientes de salida. /a tecnologa bipolar ha dado una mayor aplicacin a los transistores 505 en el dise3o de los circuitos que realizan las compuertas lgicas. )stos transistores pueden traba(ar en tres configuraciones 6e emisor com$n, colector com$n y base com$n. <iendo la primera aquella que se adapta me(or para hacer del transistor un interruptor electrnico con muy buenas caractersticas. CON.I&URACION DE EMISOR COMUN
)c )4 Vce V4e )e
)l circuito tiene un transistor 505 con el emisor a tierra.

)I%R
)O%IC* D, TR*N+I+TOR * TR*N+I+TOR
35
;b ;c ;e Kce Kbe
#orriente en la base #orriente en el colector #orriente en el emisor Kolta(e en el colector Kolta(e en la base
)n esta configuracin el transistor puede operarse en tres modos

1(
A#T;K8 #uando la corriente ;b fluye hacia la base, es decir, ;b es positivo y Kce es ms positivo que Kbe. ;b > Fy Kce > Kbe
A. <ATG9A68 ;b es positiva y Kce es igual o menor que Kbe. ;b > Fy D. #89T) ;b O Fo negativa. Kce Kbe
RE&ION ACTI;A * #uando los transistores 505 se usan en los circuitos de radio y televisin, ellos se operan com$nmente en la regin activa, ya que a variaciones peque3as de ;b se suceden grandes variaciones en la corriente de colector haciendo posible amplificar la entrada. H I )%aminemos el transistor A5NF@
)4 )c V4e Vce
)I%R
36

2 0
1 +.
)4 = 1 51 m A 1 53 1 52 1 50 0 57
1 0
0 53 . 0 51 . 0 53 ) 4=0 +2 .m A 0m A
2 0
1 2
2 1
Vc 5 V <i observamos para Kce O C K y ;b O F,?E mA ;c O 2E mA ;b O F,CE mA ;c O DF mA. 8 sea, que a una variacin de corriente ;b igual a F,? mA corresponder un cambio de corriente ;c igual a 2E mA. )n la regin activa la unin base7emisor est 06 y la unin base colector 0;. )sto quiere decir que la corriente circular libremente de base a emisor y que no lo har de colector a base. <in embargo, el comportamiento real es diferente. 5o es nuestro ob(etivo investigar los fenmenos fsicos que ocurren dentro del transistor, sino que estudiaremos su comportamiento como un elemento electrnico.H I <upongamos que el transistor se encuentra en la regin activa y que circula una corriente ;b peque3a. )sta corriente pasar de base a emisor libremente + 06 . y estimula el flu(o de electrones a trav*s de la base de el colector a el emisor ; ce + ;ce es la misma ;c .. /a magnitud de ;ce puede superar muchas veces la de ;b. <i empezamos a aumentar ;b + aumentando Kbe ., la corriente ;ce se estimular a$n ms y se aumenta en un valor proporcional a ;b. 6e lo anterior deducimos que ;be + ;be es la misma ;b . controla a ;ce. )n la regin activa se cumple ;ce O Q % ;be 6onde Q O coeficiente de amplificacin. <ATG9A68 ;b > F y Kce Kbe. /as uniones base7emisor y base7 colector estn polarizadas directamente. <in embargo las corrientes que fluyen libremente son ;be y ;ce. )n saturacin se considera que la resistencia de colector a emisor es igual a cero, en la realidad hay una cada cercana a F,? K.
)I%R
e
37
#89T) ;b O F o menor que cero. )n este caso las uniones estarn polarizadas inversamente y ;ce O F. )n esta regin se considera que la resistencia de colector a emisor es infinita, en la realidad va de decenas de :hasta cientos de ellos. CONCLUSIONES 0odemos considerar el transistor como un interruptor electrnico que 2. )st cerrado cuando se encuentra en saturacin. A. )st abierto cuando se encuentra en corte.
c 4 e (at'raci#" 4 e c Corte
)%aminemos el siguiente circuito

.V .00 R2 (alida :"trada R1 29
.V :"t rada .V (alida V 4= 0 +7 V Cort e A (at 'raci#" B C D Cort e
t t
/a entrada parte de cero voltios, o sea, no fluye corriente de base hacia el emisor y el transistor est en corte. 6ado que no hay corriente de colector a emisor la cada de potencial entre los terminales de 9A es igual a cero + 9 % ; O FK . y el volta(e aplicado a 9A se refle(ar en la salida. )s decir estar a E K.
)I%R
38

+. V ) =0
+
V =R) =0
)4 =0 4
c e
A medida que la entrada se hace positiva, en el instante A, comenzar a fluir corriente hacia la base y el transistor empieza a cruzar la regin activa. )sto hace que circule corriente del colector al emisor por 9A. )n la medida que esta aumenta + ;ce . caer a$n ms el volta(e en la salida. )n alg$n punto el volta(e en el colector caer por deba(o del volta(e de la base + F.NK en el instante 1 . y el transistor se saturar, entonces la salida quedar prcticamente a tierra. H I )n el instante #, ;b comienza a decaer debido a que el volta(e en la entrada est disminuyendo, esto hace que la corriente de colector a emisor tambi*n disminuya y el potencial en la salida comienza a aumentar debido a que la cada entre los terminales de 9A + 9; . se hace menor. Gna vez ms el transistor cruzar la regin activa y cuando la entrada este a cero voltios + 6 . desaparecer la corriente de base, entonces el transistor pasar a corte y la salida estar en nivel alto. TIEMPOS DE CONMUTACION La habamos dicho que la corriente de base controla el paso de electrones de colector a emisor y por lo tanto poda bloquear + llevar a corte . o disparar + llevar a saturacin . al transistor. ;dealmente el transistor debe conducir en el mismo instante en que aparece la corriente de base o pasar a circuito abierto en el mismo instante en que esta desaparece. 0ero en la realidad la tensin en el colector tarda un determinado tiempo en cambiar su valor. H I
+Vcc R
Ve"tr+
+
Vce
)I%R

V Ve"tr Corte Vce Vcc (at'raci#"
39
t
60 L 10 L
60 L 10 L
td
tB
t$
t
tr
to"
toBB
td retardo de conmutacin + delay time .. )s el intervalo de tiempo entre la tensin de entrada en t y el instante en que la tensin de colector Kce disminuye al >FS de K##. )ste retardo se debe a Al tiempo que necesitan los portadores de carga para via(ar del colector al emisor. Al tiempo necesario para cargar la capacidad base7emisor del transistor. Al tiempo que necesita la tensin del colector para disminuir un 2F S. t3 retardo de !a=ada* + fall time .. )s el tiempo que necesita la tensin de colector para ba(ar de >F al 2F S de K##. 9efle(a el tiempo que necesita la corriente de colector para atravesar la regin activa y es debida a la capacidad del colector. )l retardo total a la conduccin es ton O td R tf
ts
retardo de almacenamiento )s el tiempo que transcurre entre la ba(ada a cero de la tensin de entrada y el instante en que la tensin de colector sube al 2F S de su valor final K##. )ste retardo se debe al tiempo necesario para eliminar el e%ceso de carga almacenado en la unin de base cuando el transistor estaba saturado. tr retardo de su!ida )s el tiempo necesario para que la tensin de colector suba del 2F al >F S de su valor final K##. 9efle(a el tiempo que necesita la corriente de colector para atravesar la regin activa. )l retardo total al bloqueo es toff O ts R tr
PARAMETROS ) NOMENCLATURA DE TRANSISTORES A los transistores bipolares por tener dos uniones semiconductoras se les ha asignado en su nomenclatura el prefi(o A5 seguido de un n$mero que determina un transistor en concreto. )(emplo el A5D>F? que corresponde a un transistor de silicio 505. 5o todos los fabricantes utilizan estas convenciones. H I /as caractersticas el*ctricas de los transistores se encuentran en los manuales editados por los fabricantes. /as ms importantes son
)I%R
40
Kolta(e de colector7emisor Kceo Kalor del m%imo volta(e que puede aplicarse entre las terminales colector7emisor cuando la base esta en circuito abierto. Kolta(e de colector7base Kcbo Kalor del m%imo volta(e que puede aplicarse entre las terminales colector7base cuando el emisor est en circuito abierto. =anancia de corriente hfe o coeficiente de amplificacin. )s el valor del cociente de la corriente de colector y la corriente de base par un determinado volta(e colector7emisor. 0roducto corriente7ganancia7ancho de banda ft ;ndica la frecuencia m%ima a la que un transistor puede operar como amplificador.
8tras caractersticas son :aterial + silicio o germanio ., aplicacin + propsito general, conmutacin, amplificador de potencia ., disipacin nominal de potencia, m%ima corriente de colector, etc.
2%+% CARACTERISTICAS DE LA .AMILIA RTL <e caracterizaban por tener una resistencia en la entrada seguida de un transistor. Bue la primera lgica empleada para realizar #.;. )l tiempo de conmutacin por compuerta era superior a ?F n<, considerndosele como lgica de velocidad media. /a potencia que consuman por compuerta era superior a AF mP, lo cual los haca difciles de enfriar. H I H I )stos circuitos eran sencillos y fciles de fabricar, por esto econmicos, pero eran sensibles al ruido, su capacidad de salida + fan7out . y su densidad de componentes ba(a. )l 51 se representaba con se3ales entre F y F,E K y el 5A por se3ales entre F,C y D,E K.
2%/% COMPUERTA NOT
)I%R

35. V 210 H =G G G 1.0 1 H =G G *B *A H *A *B
41
<i en la entrada hay un 51 + entre F y F,E K . el transistor se encontrar en corte, entonces la salida estar a D,E K + 5A .. Gn 5A + entre F,C y D,E K . en la entrada satura el transistor y la salida estar cercana a tierra + F,? K debido a la cada real de volta(e de colector a emisor ..
2%2% DETERMINACION DE .AN9OUT PARA RTL Analizaremos la salida, inicialmente en 51, de un inversor 9T/ cuando est conectada a una sola entrada
1 V2 1
)n t*rminos el*ctricos esto equivaldra a

35. V 35. V 210 )ce V2 1.0 *A )4 , 1 (at 1.0 R1 , 2 Corte 210
KA F,? K )n este caso, el transistor T2 se encontrar en saturacin y toda la corriente de colector tomar hacia el emisor debido a la resistencia 92. /a salida estar apro%imadamente a F,? K.
)I%R
42
#uando hay un 5A, la corriente de colector de T2 tomar hacia la base de TA debido a que T2 est en corte. )n este caso
35. V 35. V 210 V2 1.0 *B )4 =0 , 1 Corte 1.0 ) R1 , 2 (at+ 210 )ce
D,E 7 @?F; 7 ?EF; 7 F,E O F ; O A,NEA mA KA O D,E 7 @?F; O 2,ND K /a salida estar a 2,ND K, o sea, un 5A. Analicemos una salida conectada a dos inversores, inicialmente en 51
1 V2 1
)I%R

35. V 35. V 210 V2 1.0 *A )4 R2 ,3 1.0 , 1 (at 1.0 ) R1 ,2 35. V 210 210
43
)stando la salida en 51, T2 se encontrar en saturacin y por esto la resistencia de colector a emisor ser prcticamente igual a cero. /a corriente de colector T2 fluir al emisor y la salida est a F,? K. 0ara un 5A + ver figura siguiente . T2 estar en corte y la corriente tomar hacia TA y TD saturndolos. )n este caso la salida ser
35. V 35. V 210 V2 1.0 *B )4 =0 R2 , 3 (at+ 1.0 , 1 Corte 1.0 210
)ce
R1 , 2 (at+ 35. V
210
)ce
)I%R
44

35. V 210 ) 1.0
+ V4e
V2 1.0
05. V
D.E 7 @?F; 7 AAE; 7 F.E O F ; O D.?@ mA KA O 2.D K, o sea, un 5A. 0ara tres inversores KA O 2.2 K. 6e los anteriores clculos deducimos 2. Que un 51 en una salida de un circuito 9T/ no se ve afectada por la cone%in de este a otras entradas. A. Que a medida que conectamos entradas a la salida en 5A de un 9T/, este nivel si ser afectado y pasar de D.E a 2.N, 2.D, 2.2 K y as sucesivamente. #omo el 5A en 9T/ est representado por valores entre F.C y D.E K, no podemos permitir que en un momento dado *ste nivel est* por deba(o de F.C K, dado que es el volta(e mnimo suficiente para saturar el transistor de las entradas conectadas. <i este volta(e al conectar varias entradas queda por deba(o, entonces los transistores + algunos . no se saturarn + se encontrarn en regin activa . y darn valores errneos en sus salidas +no estaran ni en 51, ni en 5A.. 2%5% COMPUERTA #ASE RTL
35. V 210 I = G+H 1.0 G ,1 H 1.0
,2
)I%R
45
G * B * B * A * A
H * B * A * B * A
I * A * B * B * B
G H
G H
-# & ica = o $itiv a
-#& ica " e& ativ a
G 0 0 1 1
H 0 1 0 1
I 1 0 0 0
G 1 1 0 0
H 1 0 1 0
I 0 1 1 1
-#&ica =o$itiva Com='erta OR>*O,
-#&ica "e&ativa Com='erta A*D>*O,
<i alguna de la entradas V o L est en 5A, el transistor conectado a esta entrada se saturar. )sto significa que el colector quedar a tierra y sin importar el estado del segundo transistor la salida estar en 51. <i las dos entradas estn en 51 entonces tanto T2 como TA estarn en corte y ;ce O F, luego tenemos un 5A en la salida.
5.
LOGICA DE DIODO A TRANSISTOR DTL
5%$% CARACTERISTICAS <e caracterizan por las entradas con diodos + realizando una compuerta A56 . seguidos por un inversor con transistores. )sta intercone%in lleva a formar compuertas A56758T + #ircuito 1ase .. H I <u tiempo de conmutacin y disipacin de potencia por compuerta son de AF n< y C.E mP respectivamente. ;ENTA>AS )conmicos, con buena proteccin contra el ruido, fcil de usar e interconectar. PRO#LEMAS 9elativa ba(a velocidad, ba(a densidad de componentes. 6ebido a su buena proteccin contra el ruido e%iste una lgica llamada ,/6T/ + 6T/ de alto nivel.. H I <e utiliza donde hay maquinaria que causa grandes transitorios + fluctuaciones . en las lneas de conduccin y ruido electromagn*tico.
)I%R
46
5%+% PROTECCION CONTRA EL RUIDO 6T/ ha sido dise3ada para funcionar con una fuente regulada de E K. Gtiliza los siguientes rangos de volta(e para los niveles lgicos. 0ara una salida 5A entre 51 entre 0ara una entrada 5A entre 51 entre )s decir Que el valor mnimo para un 5A de salida es ? K, pero que bastan D,@ K para que una entrada lo tome como 5A. Que el valor m%imo para un 51 de salida es de F,? K, pero que hasta F,C K ser tomado como un 51 por una entrada. )stas diferencias son conocidas como la proteccin contra el ruido, producto de los fenmenos electromagn*ticos en los cables de conduccin de alta potencia.
V (A-)DA .V Cam=o 1V 352 V :*,RADA
0)*
?,F y E,F K F y F,? K D,@ y E,F K F y F,C K
VO@
Cam=o
0)* )@ 0AG
V)@
Prot+ co"tra r'ido Cam=o "o DeBi"ido
O@
053 V 051 V
V )Prot+ co"tra r'ido Cam=o V

0AG O-
Cam=o "o DeBi"ido
VO-
Cam=o
V)-
" MIN OM*; " O) " MIN I" M*; I)
Kolta(e mnimo de salida para el 5A. Kolta(e m%imo de salida para el 51. Kolta(e mnimo de entrada para el 5A. Kolta(e m%imo de entrada para el 51.
5%/% CIRCUITO IN;ERSOR
)I%R

Vcc Vcc R1 R1 A D1 R2 R3 D2 D3 ,2 (alida H
47
A *A *B
H *B *A
<i en la entrada A hay un 5A +D.@K en el peor de los casos. y suponiendo que la corriente tome de K##, 92 y hacia A, entonces entre los diodos de 62 y 6A aparece un volta(e de ?.DK +debido a la cada de F.NK en 62.. <i la corriente toma de K ##, 92, 6A, 6D, base7emisor TA a tierra, entonces entre los diodos 62 y 6A aparece un volta(e de A,2K +cadas de F.NK en 6A, 6D y base7emisor TA.. 6e aqu deducimos que la corriente realmente toma haca el transistor +circuito de menor resistencia. y que TA se satura colocando un 51 en la salida. 62 queda 0; ya que entre sus terminales habr D.@K en A y A.2K en el e%tremo contrario. <i en A hay un 51 +F.CK en el peor de los casos. y si la corriente toma haca A , entonces entre los diodos de 62 y 6A aparece un volta(e de 2.EK +debido a la cada de F.NK en 62.. Ahora, si toma haca TA, entonces aparecen A.2K como se e%plic en el prrafo anterior. 6e esto deducimos que 62 se 06 y que la corriente circular de Kcc a trav*s de 92, 62 y hacia fuera del circuito. )n la base de TA aparecer un potencial cercano a tierra fi(ado a trav*s de 9D +ya que no circula ninguna corriente., que mantendr a TA en corte y colocando, de esta forma, un 5A en la salida. 5%2% .AN 9 OUT
)I%R
48

.V
.V
R1 *B
R1
) O) ()*9
) )A
) )) )-
,1
<i conectamos la salida de un 6T/ en 51 + T2 saturado . a una entrada, entonces la corriente pasar de Kcc a trav*s de 92, del diodo de entrada y de la unin colector7emisor T2 a tierra. )sta corriente es conocida como ;si n M. /a cada de potencial a trav*s del colector emisor de T2 es realmente cercana a F,? K, es decir 51 O F,? K. <i conectamos ms entrada a esta salida, cada una aportar una corriente conocida como ;;/. /a salida entonces recibir una corriente ;8/ igual a ;8/ O ;;/ + <eg$n Qirchhoff para el nudo A . ;8/ ;;/ #orriente de salida 51. #orriente de entrada 51.
6ebido a que T2 no puede permitir el paso de una corriente infinita ;ce, los fabricantes determinan un valor m%imo ;8/, por encima del cual el circuito se puede da3ar, seg$n esto, el fan7out para el 51 se determina ;;/ ;8/
Tanto ;8/ como ;;/ son especificados por los fabricantes en los manuales de #;. #uando se conecta una salida en 5A + T2 en corte ., este valor se ver disminuido por las corrientes inversas a trav*s de los diodos de entrada. )sta corriente se conoce como ;so u r c e. <i conectamos ms entrada a esta salida, cada entrada permitir el paso de una corriente inversa igual a 2F A, esta corriente es conocida como ;;,. /a corriente a trav*s de la salida se conoce como ;8,.
)I%R

.V
49
.V
R1 *A
) $o'rce
A
R1
) )@ ) )@ ) )@
Corte
) O@
)ntonces ;8, O ;;, + <eg$n Qirchhoff para el nudo A . ;8, ;;, #orriente de salida 5A #orriente de entrada 5A
<i el menor valor de volta(e para el 5A de salida es de ?K y 9? O 2F Q entonces podemos hallar el m%imo de corriente permitida ;8, ? O E 7 ;8, % 9?
I O- . 1 . 7(1 m* 17 3 17 5
/os valores de ;8, y ;;, los especifican los fabricantes en los manuales de circuitos integrados. 0ara el 5A se debe cumplir ;;, ;8,
<uponiendo que ;;, O 2F A y ;8, O F,2 mA, entonces BA578GT5A O

I O- 7(1 ; 17 -5 . . 17 II ) 17 ; 17 -<
)l fan7out final ser el menor de cualquiera de los niveles. 5%5% CIRCUITO #ASE DTL <i alguna+s. de las entrada A, 1 o # est+n. en 51, entonces el diodo conectado a ella+s. se polariza directamente, permitiendo as el paso de la corriente a trav*s de *l +ellos.. )n la base de TA aparece un volta(e cercano a tierra y har que este se bloquee + ;b O F ., teniendo un 5A de salida.
)I%R
50

V cc V cc R1 R1 A B C 19
D2 ,2 20 9
(alida H
D1
R3
A *B *B *B + + *A *A
B *B *B *A + + *A *A
C *B *A *B + + *B *A
% *A *A *A + + *A *B
A B C
Com='erta A*D>*O, -#&ica =o$itiva
<i todas las entradas A, 1 L # estn en 5A, entonces los diodos se polarizan inversamente y pasar una corriente de Kc c a trav*s de 92, 62, 6A, unin base emisor a tierra. )sto har que TA se sature y tendremos un 51 en la salida. )l circuito realiza una compuerta 5A56 de D entradas para la lgica positiva. 6. LOGICA DE TRANSISTOR A TRANSISTOR
8%$% SERIES ) SU#.AMILIAS <e caracterizan por tener en las entradas un transistor de emisor m$ltiple formando una compuerta A56, seguido de transistores conectados en cascada, que realizan un inversor. H I /a mayor parte de los circuitos <<; y :<; se realizan utilizando esta tecnologa. )n la actualidad son fabricados por Te%as ;nstruments, 5ational <emiconductor, 5)#, <ignetics, <iemens, etc. TT/ esta disponible en dos versiones <erie E? 0ara aplicaciones militares. Tienen rangos de operacin entre 7EE hasta 2AE o#. 2( <erie N? 6e propsito general. 9ango de operacin entre F y NF o#.
1( )I%R
51
TT/ se subdivide en las siguientes subfamilias lgicas

1(
TTL est6ndar #omprende principalmente los dispositivos que se designan como N?%%, N?%%%, C%%% y >@%%. /os N?%% y N?%%% son los ms utilizados en los circuitos modernos. )(emplos N?FA, N?C@, N?2DC, N?2EN, CDNF, CEEA, >@F2, >@2E, etc. TTL de !a=a ,otencia #omprende los dispositivos designados como N?/%% y N?/%%%. 0or e(emplo N?/FC, N?/CD, etc. #onsumen diez veces menos potencia que los dispositivos TT/ estndares correspondientes, pero son cuatro veces ms lentos. TTL de alta -elocidad #omprende los dispositivos designados como N?,%% y N?,%%%. 0or e(emplo N?,FE, N?,2AD, etc. #onsumen A,E veces ms potencia que los TT/ estndares correspondientes pero son dos veces ms rpidos. TTL S?ott@1 #omprende los dispositivos designados como N?<%% y N?<%%%. 0or e(emplo N?<2C2, N?<22, etc. #onsumen 2,C veces ms potencia que los TT/ estndares correspondientes pero son ? veces ms rpidos. TTL S?ott@1 de !a=a ,otencia #omprende los dispositivos designados como N?/<%% y N?/<%%%. 0or e(emplo N?/<CD, N?/<AA2, etc. #onsumen E veces menos potencia y son igual de rpidos a los TT/ estndares correspondientes. )sta es la subfamilia ms empleada entre los TT/. TTL S?ott@1 a-anAada #omprende los dispositivos designados como N?A<%% y N?A<%%%. 0or e(emplo N?A<FF, N?A<ND, etc. Tiene los tiempos de conmutacin ms cortos de todas las subfamilias TT/ y su consumo de potencia es intermedio entre TT/ estndar y /<. TTL S?ott@1 a-anAada de !a=a -elocidad #omprende los dispositivos designados como N?A/<%% y N?A/<%%%. 0or e(emplo N?A/<FF, N?A/<ND, etc. #onsumen la mitad de la potencia requerida por los /< correspondientes y son el doble de rpidas.
2(
5(
6(
=(
<(
7(
8%+% NI;ELES LO&ICOS ) PROTECCION CONTRA RUIDO TTL ESTANDAR 0ara TT/ estndar los rangos de volta(e para el 5A y el 51 son los siguientes
)I%R
52

V (A-)DA .V Cam=o 251 V 2V Prot+ co"tra r'ido Cam=o "o DeBi"ido 053 V 051 V Prot+ co"tra r'ido Cam=o :*,RADA
0)*
VO@
Cam=o
0)* )@
V)@
O@
0AG V )-
Cam=o "o DeBi"ido
0AG O-
VO-
Cam=o
V)-
" MIN OM*; " O) " MIN I" M*; I)
Kolta(e mnimo de salida para el 5A. Kolta(e m%imo de salida para el 51. Kolta(e mnimo de entrada para el 5A. Kolta(e m%imo de entrada para el 51.
)s decir, e%iste un rango de F,? K de inmunidad al ruido tanto para el 5A, como para el 51. H I
8%/% CIRCUITO #ASE TTL ESTANDAR )n la figura siguiente se muestra el circuito base de los dispositivos TT/ estndar. Tiene dos entradas lgicas A y 1 y una salida lgica L. )l circuito puede subdividirse en tres etapas de entrada, e%citador y de salida. H I 0ara las tensiones normales de entradas + 5A y 51 ., positivas, los diodos de fi(acin 62 y 6A tienen polarizacin inversa y presentan una impedancia muy elevada, por lo que puede considerar como circuito abierto. /as conmutaciones de 51 a 5A o de 5A a 51 a altas frecuencias, pueden conducir a la aparicin de volta(es negativos en las entradas que seran anuladas por la 06 de los diodos de fi(acin 62 y 6A. Todas las compuertas TT/ con ms de una entrada lgica utilizan un transistor de emisor m$ltiple, como el de entrada en el circuito base. )ste transistor con dos emisores es equivalente a dos transistores con las bases y los colectores, respectivamente unidos y funcionan de la siguiente forma
)I%R

Vcc 130 152 9 19 R1 ,1 R2
53
R1
,1 ,2 A B
D3 H
,3 D1 D2 19 R3
?*D
<i A est en 51, 1 en 5A y la base a E K a trav*s de una resistencia + observar la siguiente figura ., entonces la unin base7emisor de T2A esta en 0; + en esta caso T2A estar en corte .. /a unin base7emisor de T22 esta en 06, por lo que T22 se comporta como un interruptor cerrado. )l colector del transistor con emisor m$ltiple estar ms o menos a F,2 K. /os transistores multi7emisor tienen A, D, ?, C y 2D emisores.
.V ) 19 R
,1 e" $at'raci#"
*B A >> , 11 051 V
051 V co" re$=ecto +++ al *B de A
*A B
,12 Corte
)I%R
54
/os elementos TT/ estn dise3ados con salida en cascada, o tambi*n conocida como de totem pole, que consiste en conectar la salida de un transistor a la base del siguiente, en la forma como se encuentran los transistores T? y TD con respecto a TA. /a salida en cascada tiene como caracterstica especial que conmuta a altas velocidades, obteniendo se3ales digitales casi perfectas + ondas cuadradas . y permitiendo el uso en aplicaciones de alta frecuencia. 6espu*s de e%plicar el funcionamiento de los transistores multi7emisor y las salidas en cascada ya estamos en capacidad de e%plicar el funcionamiento del circuito base 2. <uponiendo que A est en 51 y 1 en 5A, el diodo base7emisor de A estar 06. 92 esta calculada de tal forma que fluya por T2 una corriente de base suficiente para saturar el transistor cuando por lo menos una de las entradas este en 51. )sta corriente ser apro%imadamente +en 92.
II) . (4cc - ( 4#e* > 4I)TIP ) ) . R1
(=
- 7(7 - 7(6 ) 6?
;;/ O F,>N mA ;;/ circula por 92, el emisor, terminal de entrada A y hacia fuera del circuito a la salida que controla esta entrada. /a entrada 1 se encontrar mnimo a A K + K ;, .. /a tensin en la base de T2 ser igual al volta(e de 51 en A + K;/ . ms la cada del diodo base7emisor. K12 O " M*; R K1)2 I) F,C R F,N O 2,E K
0uesto que 1 est mnimo a A K y la base del transistor esta m%imo a 2,E K, entonces la unin base7emisor de la entrada 1 est en 0;. <i TA estuviera en saturacin, entonces TD tambi*n lo estara y en la base de TA aparecera una tensin K1A O K1)D R K1)A O F,N R F,N O 2,? K 2,? K es el volta(e mnimo que necesita en la base el transistor TA para pasar a saturacin. 0ero la tensin en la base de TA es la misma de colector T2. )stando T2 saturado esta tensin ser igual K1A O K#2 O " M*; R K#)2 O F,C R F,2 O F,> K I) #omo en la base de TA solo hay F,> K, entonces TA se encuentra en corte. )stando TA en corte el flu(o de corriente hacia TD ser prcticamente nula y a trav*s de 9D se fi(ar en la base un potencial de tierra, que mantendr a TD en corte. 9A esta calculado de tal forma que cuando TA este en corte, circule hacia T? la corriente suficiente para saturarlo.
)I%R
55
#on TD en corte la salida quedar en circuito abierto con el potencial de tierra. T? estar saturado y conectar la salida a la fuente de alimentacin. /a corriente fluir de Kcc a 9?, colector7emisor T?, 6D y hacia la+s. entrada+s. conectada+s.. )sta corriente se denomina ;8,. A. <uponiendo que A y 1 est*n en 5A, (untas uniones se encontrarn en 0; +ya que para que se 06 se requiere un potencial mnimo en la base T2 de A.NK, mientras que para que la corriente circule hacia la base de TA se necesitan solo de A.2K. #ircularn las corrientes inversas ;;, por cada emisor. /a unin base7colector T2 esta en 06 por lo que circula una corriente
IR1 .
( 4CC 4&C1 4&,2 4&,5 )

R1
= - 2(1 6777
;92 O F,NA mA )sta corriente pasa por 92, base7colector T2, base7emisor TA que lo hace conducir y base7emisor TD que lo forza tambi*n a conducir. /a salida estar en 51 K8/ + T; 0 . O K#)+ s a t.
D
O F,A K
#omo TD est conduciendo, su base se encontrar F,N K por encima del emisor. TA tambi*n esta saturado por lo que su colector esta a F,2 K con respecto al emisor. <eg$n esto la tensin en la base de T? ser igual a K1? > K1D R K#)A O F,N R F,2 O F,C K /a tensin en el emisor de T? ser K)? K8/ : ; 5 R K6D O F,A R F,N O F,> K
6ebido a que el emisor se encuentra a mnimo F,2 K por encima de la base en T? este se encontrar en corte. 6D permite asegurar el bloqueo de T? produciendo una cada de F,N K. #omo T? est en corte, entonces la salida quedar en circuito abierto con la fuente de alimentacin. )n este caso la+s. corriente+s. de carga fluirn de la+s. entrada+s. conectada+s. a trav*s del colector7emisor TD y a tierra. /a m%ima corriente admisible sin que la tensin de salida suba por encima de K8/+ : A V . O F,? K es ;8/ O 2@ mA. /as corrientes superiores a este nivel pueden sacar a TD de saturacin y elevar a K8/ por encima de la m%ima tensin ba(a. /a tabla de verdad as obtenida es la siguiente
)I%R
56

A *B *B *A *A B *B *A *B *A H *A *A *A *B
A B
que corresponde a una compuerta A56758T para la lgica positiva.
8%2% CARACTERISTICAS DE LOS TTL ESTANDAR A. Corriente de corto circuito de salida )s la corriente ;8< que circula hacia afuera de una salida en 5A, cuando esta $ltima esta conectada directamente a tierra. )ste parmetro se utiliza para conocer la rapidez con que carga en 5A los condensadores e%ternos conectados a la salida. 0ara la compuerta N?FF ;8< O EE mA. /a cone%in a tierra acarreara el recalentamiento del integrado y su posterior, a corto plazo, da3o total. )sto debido a la relativa alta disipacin de potencia. 1. .uente de alimentacin 1 ,icos de corriente /os dispositivos TT/ vienen dise3ados para traba(ar con una alimentacin de E K con variaciones no superiores al E S, es decir entre ?,NE y E,AE K. 0or esto es necesario emplear fuentes reguladas de volta(e de E K con capacidad de mane(ar corriente de acuerdo al n$mero de integrados. )l dise3o de fuentes de alimentacin se tratar en el captulo final de esta conferencia. /os circuitos TT/ presentan problemas al conmutar, ya que generan grandes picos de corriente debido a la organizacin en cascada de sus salidas, como se puede ver en la siguiente grfica V (AV O@ V O) CC5
1. 10 . *B
*A
*A
*B
*B
t
mA
Pico$
) CC) CC@ t
)I%R
57
#uando la salida est en 5A el integrado consume una corriente de alimentacin constante ;##,. <imilarmente, cuando est en 51 fluye una corriente constante ;# # /. 0ara el N?FF estos valores son ;# # , O ? m A y ;# # / O 2A mA por circuito integrado. #uando la salida de la compuerta cambia de estado pasa por un instante en que ambos transistores TD y T? conducen simultneamente, debido a que (untos pasan por la regin activa antes de llegar a saturacin o corte. 6urante estos peque3os intervalos de tiempo fluye una corriente relativamente alta, debido a la trayectoria de ba(a resistencia entre la tensin de alimentacin y tierra. )l resultado es la presencia de picos de corriente en la lnea de alimentacin, como lo muestra la figura. )l fenmeno es ms per(udicial cuando la compuerta pasa de 51 a 5A, debido a que T? no se satura normalmente y entra en conduccin mucho antes de que TD se bloquee. Adems al pasar de 51 a 5A hay que cargar las capacidades e%ternas lo que provoca corrientes de hasta ;8< por la salida. 0ara evitar que estos picos se propaguen por la alimentacin y la tierra, adems del corto circuito a la fuente, se deben conectar condensadores con capacitancias entre F,F2 y F,2 B por cada E a 2F circuitos integrados. )llos deben conectarse entre el positivo y la tierra. )n la prctica por cada #.;. se conecta uno lo ms cerca posible a los pines =56 y K# #. #. Disi,acin de ,otencia /a disipacin de potencia se mide en r*gimen esttico +no conmutaciones . y se obtiene del promedio para el 5A y 51. /a disipacin esttica es el producto del volta(e de alimentacin K ## y la corriente de alimentacin esttica ;##. 06 O K## % ;## /a corriente de alimentacin no incluye aquellas que son drenadas por circuitos e%ternos. <i la salida de determinado elemento se encuentra en 51 la mitad del tiempo y en 5A durante la otra mitad de tiempo, entonces la corriente de alimentacin ser
IPROM . (I CC- > I CC) ) 2
0ara el N?FF, por e(emplo, la disipacin de potencia promedio ser 0d p r o m + t i p . . = 4
( 6 m*
> 12 m* ) 2
0d p r o m + t i p . O ?F mP por integrado 0ara cada compuerta este valor ser igual a 2F mP.
)I%R
58
/a disipacin de potencia vara con la frecuencia de las conmutaciones en unos F,D mP 4 :,z. )s prcticamente constante para cargas capacitivas hasta de AF pB con frecuencias inferiores a 2 :,z. 6. Im,edancia /a impedancia de salida de las compuertas TT/ son ba(as debido a la configuracin en cascada de los transistores TA, TD y T?. )n 5A el transistor T? esta saturado y prcticamente no ofrece ninguna resistencia al flu(o de corriente. )n 51 TD esta en saturacin y permite el flu(o casi libre de electrones. U8/ O 2F U8, O NF
/as impedancias apro%imadas de entrada son U;, O ?FF Q U;/ O ? Q
Gna alta impedancia de entrada solicita menos corriente a la salida que controla, mientras que una ba(a impedancia de salida permite mayor velocidad de conmutacin debido a la relativa alta magnitud de corriente, que hace menor el producto 9#. ).Retardos de ,ro,agacin /os retardos en las conmutaciones se miden para un volta(e de referencia, que para el caso de los TT/ estndar es de 2,E K. #onsiderando una vez ms el N?FF tenemos
V e"tr
8
V $al
V e"tr V reB t V $al t P@t P@V reB t #uando las entradas pasan a 5A la salida pasa a 51 en un tiempo determinado llamado retardo de activacin t 0 , /, o tambi*n conocido como retarde de ba(ada. #uando las entradas pasan a 51 la salida tardar un tiempo determinado llamado retardo de desactivacin o de subida t 0 / ,.
)I%R
59
0ara los N?FF estos valores son t 0 , / O N n< t 0 / , O 22 n<
/a diferencia se debe a que el transistor T? no se satura completamente y su tiempo de recuperacin inverso es inferior al TD, que si se satura completamente. )l retardo promedio es de > n<, sin embargo para los TT/ estndar se ha tomado de 2F n<. /a frecuencia m%ima a la cual puede conmutar una compuerta TT/ estndar ser
fma3 . tP)1 > t P-)
/os dispositivos TT/ )standar pueden operar a EE :,z. 8%5% CUR;AS DE TRANS.ERENCIAS /a curva de transferencia es un grfico que muestra la forma que vara la tensin de salida con respecto a la de entrada. <u venta(a consiste en que muestra simultneamente K8, y K8/ y la regin de transicin cuando el dispositivo conmuta. Gniendo las entradas de una compuerta A56758T de un N?FF, como se muestra en la figura anterior, entonces la curva de transferencia para este dispositivo ser V $al
1 3 2 1 0 ,ra"$ici#" ,1 K ,1 $at+ ,2 K ,3 corte Alto
,2 ,1 co"d'ce" ,2 ,3 ,1 co"d'ce"
,2 ,3 $at+ ,1 corte
V , = 151 V
Bajo 051 053 152 152 250
V e"tr
KT se conoce como la tensin promedio de umbral de un determinado dispositivo y es aquella para la cual la tensin de entrada es igual a la de salida. 0ara el N?FF este valor es ms o menos de 2,? K. <in embargo en la prctica K T vara considerablemente de elemento a elemento e incluso con la temperatura y la fuente de alimentacin.
)I%R
60
8%8% COMPUERTAS ) ENTRADAS NO UTILIBADAS )n el dise3o de alg$n proyecto puede sucederse que la cantidad de entradas de alguna compuerta supere el n$mero de ellas requerido, o bien, que sobren algunas compuertas de alg$n circuito integrado. )n el primer caso, y aunque una !entrada flotando' se comporta como un 5A, es necesario conectar la+s. entrada+s. a alg$n nivel lgico ya que bastan algunos milivoltios negativos de ruido en el medio ambiente para hacer que la entrada pase a 51. H I H I 0ara las compuertas A56 y A56758T las entradas libres deben conectarse al resto de las entradas, siempre y cuando no se e%ceda la capacidad de mane(o m%imo de la+s. entrada+s.. <i esto no se puede, entonces se debe conectar bien a la salida de una compuerta no utilizada y que este constantemente en 5A, o bien al positivo de la fuente de alimentacin a trav*s de una resistencia de 2 Q .
.V
A B
19
/as entradas no utilizadas de las compuertas 89 y 89758T deben ser conectadas al resto de las entradas si esto no recarga las salidas, en caso contrario deben ser conectadas a tierra + =56 .. /as salidas de las compuertas no utilizadas deben ser forzadas a 5A mediante la adecuada cone%in de sus entradas, con el fin de reducir la disipacin de potencia ya que ;# # , es menor que ;# # /.
8%C% CIRCUITOS OR9NOT
AND9OR9NOT
)I%R

+ .V R. R2 R1 ,. %1 A ,1 ,2 , 12 , 11 B
61
R1
D1
D2 %2
D3 ,2
% =A +B
R3
?*D
<i en A hay un 51, entonces el diodo base7emisor T2 se 06 y aparecer un 51 en la base de TA, lo cual har que TA quede en corte. <in embargo los valores de los volta(es tanto en B2 como en BA no se pueden definir debido a que tambi*n dependen de T2A. <i adems en la entrada 1 tambi*n hay un 51, entonces T2A tampoco conducir y de esta forma la corriente circular a trav*s de 9A a la base de TE saturndolo. H I 6ebido a que TA y T2A estn en corte en la base de T@ aparece el potencial de tierra, que har que T@ se encuentre en corte. #on TE saturado y T@ en corte la salida se encontrar en 5A. <i por lo menos una de las entradas est en 5A bien TA o T2A o ambos se saturan y la corriente fluir de 9A a trav*s de la unin colector7emisor de TA o T2A o de ambos y a la base de T@ saturndolo. )n B2 aparecer un volta(e ba(o no suficiente para llevar a regin activa a TE y este se encontrar en corte. #on T@ saturado y TE en corte la salida estar en 51. /a tabla de verdad as obtenida ser como sigue
A *B *B *A *A B *B *A *B *A % *A *B *B *B A B 1 % =A +B
)I%R
62
0ara la lgica positiva es una compuerta 89758T. <i a el anterior circuito en lugar de un transistor convencional de entrada colocamos uno de emisor m$ltiple, entonces para la lgica positiva obtendremos una compuerta A56789758T. 8%D% .AN9OUT ) E.ECTO DE CAR&A Analizaremos el fan7out inicialmente para una salida en 5A
+ .V +
VR1 = R x )O@
R1
, 1 (at'rado
)O@
D3 *A A
))@ ))@ ))@ + + + + + +
, 3 Corte
?*D
;8, ;;,
#orriente de salida para el 5A. #orriente de entrada para el 5A.
#ada diodo base7emisor de entrada en 0; permite el paso de una corriente inversa m%ima llamada ;;,. As mismo la salida aporta una corriente llamada ; 8,. <i aplicamos la /ey de las #orrientes en el nudo A, entonces obtenemos ;8, O ;;, #ada nueva entrada conectada consumir una determinada corriente ;;,, que aumentar en ese mismo valor a ;8,. 0ero al aumentar ;8, aumentar la cada de potencial entre los terminales de 9? y en la medida que conectemos ms entradas caer el 5A en la salida. <in embargo, seg$n lo estudiado anteriormente, un 5A de salida no puede estar por deba(o de A,? K por eso los fabricantes de #.;. determinan una corriente m%ima de salida para el 5A ;8,.
)I%R
63
0ara el 5A de salida se debe cumplir ;;, ;8,
<i todas las entradas son del mismo tipo, entonces Ban7out 5A O 0ara el 51 tendremos
+ .V R1
IO II-
, 1 Corte
))D3 A *B
))))+ + + + + +
)O, 3 (at'rado
?*D
;8/ ;;/
#orriente de salida para el 51. #orriente de entrada para el 51.
#uando en la salida hay un 51 todas las uniones base7emisor de las entradas estarn en 06 y por cada una de ellas fluir una corriente m%ima denominada ;;/ hacia el transistor TD. /a corriente que circula por TD se conoce como ;8/. Aplicando la /ey de la #orrientes para el nudo A tenemos ;8/ O ;;/ #ada entrada conectada aportar una corriente ;;/ que aumentar en ese mismo valor a ;8/. 0ero al hacerse demasiado grande ; 8/ el volta(e en el colector de TD puede elevarse y sacarlo de saturacin, aumentando as la tensin de 51 en la salida +que no puede ser superior a F.?K.. 0or esto los fabricantes de #.;.
)I%R
64
determinan una corriente m%ima de salida para el 51 ;8/ con la cual se garantiza que la salida estar m%imo a F,? K +es decir K8/ .. 0ara el 51 de salida se debe cumplir ;8/ ;;/
<i todas las entradas son del mismo tipo, entonces Ban7out 51 O
IO ) II)
)l fan7out final ser el menor obtenido para cualquiera de los niveles. Ahora analizaremos el comportamiento de una salida cuando es conectada inicialmente a una carga capacitiva y despu*s a una resistiva. Carga ca,aciti-a <i la carga conectada tiene una componente capacitiva + por e(emplo el mismo cableado, ciertos elementos lgicos, un osciloscopio, etc. . o es netamente capacitiva + un condensador . el tiempo de conmutacin de salida puede verse seriamente afectado, y que se requerir ciertos tiempos para que la capacitancia cargue y descargue + 9# .. /os retardos de propagacin dados en los manuales de #.;. se deben a los retardos en la conmutacin de los transistores y para una carga capacitiva e%terna de #/ O 2E pB y una carga resistiva tambi*n dada 9/ O ?FF , que es la resistencia total de salida en estado alto ms la resistencia de la carga +condiciones de /aboratorio.. <upongamos que una salida esta conectada a una carga de ?N B con 9/ de ?FF , adems que se encuentra inicialmente en 51.
)I%R

+ .V R1
65
,1
D3
)O@ = )car&a )O- = )de$car&a

,3 C1
?*D
#omo TD esta conduciendo, es prcticamente un corto circuito a el potencial de tierra. 0or esta razn #2 se encontrar completamente descargado. #uando pasa a 5A aparece la corriente de carga a trav*s de 9?, T?, y 6D, en este caso el tiempo de conmutacin total ser igual t t o t a l O t 0/, R t 9# t 9# O ?N % 2F@ % ?FF O t t o t a l O 22 n< R 2C,C m< O 2C,C m<. )n realidad no es e%actamente una constante de tiempo el que se requiere para llegar al 5A. )n conclusin podemos decir que el efecto de una carga capacitiva es aumentar los retardos y reducir la frecuencia m%ima a la cual puede traba(ar el dispositivo. Carga resisti-a <i la salida est en 5A, el dispositivo puede dar una corriente ; 8, m%ima por encima de la cual el volta(e de salida sera inferior a el 5A. <i la resistencia es de ba(o valor la corriente puede ser bastante intensa y provocar un error lgico +cada del potencial por deba(o del nivel permitido., o tambi*n, un recalentamiento del dispositivo.
)I%R
66

+ .V R1
, 1 (at'rado
D3
)O@
*A
, 3 Corte
?*D
)n este caso para el 51 no se presentar ning$n problema.
8%E DISPOSITI;OS TTL DE COLECTOR A#IERTO )n la t*cnica digital es muy com$n el uso de las funciones ! 89 alambrada ! o ! A56 alambrada ! gracias a la venta(as que ellas proporcionan y a la sencillez de su realizacin. H I H I )sta funcin consiste en unir las salidas de varias compuertas sobre la tar(eta impresa con el fin de Aumentar la cargabilidad de salida. 9ealizar cierta funcin lgica. #rear una lnea com$n de salida + bus .. <upongamos que se unen las salidas de varias compuertas con terminacin en cascada +como las estudiadas hasta el momento. para realizar una funcin lgica en forma implcita sobre una tar(eta impresa, entonces tendremos lo siguiente si una de ellas se encuentra en 51 y las dems en 5A, observar la siguiente figura <i por lo menos una de las compuertas est en 51, esta salida presentara una muy ba(a resistencia a tierra y apareceran corrientes ;8< con valores cercanos EE mA provenientes de las salidas en 5A.
)I%R

+ .V R1 + .V R1
67
, 11 Corte
, 12 (at'rado
D31 *B
D32 *A
, 31 (at'rado + + + ?*D
, 32 Corte
?*D
/a suma de las corrientes fluir a trav*s de TD2, que solo est en capacidad de mane(ar 2@ mA como m%imo. #omo este valor es muy inferior la compuerta en 51 no soportar largo tiempo la sobrecarga y saldr de funcionamiento +adems de colocar prcticamente en corto circuito la fuente de alimentacn., trayendo consigo la operacin errtica del sistema. 0ara la realizacin de las funciones alambradas la familia TT/ cuenta con los dispositivos de colector abierto, a los cuales se debe conectar una resistencia e%terna. )l circuito y su representacin simblica se presentan en la siguiente figura #omo se podr observar estos dispositivos carecen del transistor T?, en cuyo reemplazo se debe conectar una resistencia e%terna en la salida. )n todo lo dems son similares a los circuitos vistos con anterioridad. 90 se denomina com$nmente resistencia de arrastre o de pull7up y su funcin es permitir que la salida quede en 5A o 51 en un momento dado. )l valor de 90 debe elegirse de tal forma que la corriente de colector a emisor en TD no e%ceda la m%ima admisible cuando est en saturacin, es decir 2@ mA. Bluct$a entre 2EF y 2 Q . #uanto menor sea su valor mayor ser la velocidad de conmutacin y la disipacin de potencia. /as anteriores anotaciones son para el caso de que se deseen conectar cargas entre la alimentacin y la salida, pero si a la funcin alambrada se desean conectar
)I%R
68
Vcc
R2 R1 19
152 9
A B
(Em4olo -#&ico
,1 ,2 A B ,3 D1 D2 R3 19 R= H
Vcc
?*D
+ .V R= 8 8
A B C
H =ABC V D:%
D : %
entradas de otras compuertas, entonces 90 se debe calcular seg$n las siguientes frmulas
RP(M*;) .
( N- I O-(M*;)
( 4CC(MIN)
- 4 O-(MIN)
> N ) II-(M*;)
)I%R
69
RP(MIN)
( 4CC(M*;)
I O)(M*;)
- 4 O)(M*;) ) - N ) II)(M*;)
6onde
5, 5/
)s el n$mero total de salidas colector abierto interconectadas. 5$mero de entradas conectadas.
/as desventa(as de los componentes de colector abierto con respecto a los de salida en cascada son /a necesidad de un resistor discreto e%terno. :ayor lentitud. :enor inmunidad al ruido. :enor aptitud para cargas capacitivas.
)(emplos de dispositivos de colector abierto son N?FD, N?FN, N?2A, N?F@, etc. Algunos de estos dispositivos aceptan corrientes de salida de ?F mA y tensiones altas de hasta DF K como el N?F@.
8%$F%LO&ICA DE TRES ESTADOS <e utiliza en aquellos sistemas destinados al procesamiento de datos, donde e%iste un constante intercambio de informacin entre sus mdulos. 0or lo general se emplean para formar lneas comunes de comunicacin a trav*s de las cuales via(a la informacin en cualquier sentido. )stas lneas reciben el nombre de bus, y en este caso concreto de bus de datos. H I
CPC
++++ + +
0:0OR)A P R)*C)PA++++
PC:R,O( :/(
++++ +
BC( D: DA,O(
)n un momento dado solo puede haber intercambio entre dos mdulos y no es permitido que las salidas, de los mdulos que no intervienen, conecten el bus a tierra, o sea, que est*n en 51 o a la alimentacin, o sea, que est*n en 5A. 0ara estas aplicaciones se han desarrollado circuitos especiales que aparte de poder estar en 5A y 51 + estados de ba(a impedancia ., tienen un estado ms, llamado de alta impedancia. )n *ste estado se encontrarn todos aquellos mdulos que no han sido escogidos para transmitir o recibir datos por el bus. )l circuito base se muestra en la siguiente figura
)I%R
70
<i la entrada de control = est en 51, T@ y TN se encontrarn en corte y no conducirn. A trav*s del emisor de T2 y del diodo 6A no podrn circular corrientes y la salida L depender del estado de la entrada A.
+ .V 152 9 R2 R1 19
D2
, 11 ,1 R. ,2 H
,1 A
,3 D1 19
?*D + .V
R3
,. ? ,2 ,7
<i = est en 5A, T@ y TN se saturan conectando una de las entradas a tierra + 51 .. /a corriente circular a trav*s de este emisor, la unin colector7emisor de TN a tierra y har que TA pase a corte, sin importar el estado de A.
)I%R
71
)l volta(e en la base de T?2 aumentar y har que 6A se 06, de esta forma la corriente fluir de K## a trav*s de 9A, 6A y de colector7emisor TN a tierraJ fi(ando un volta(e ba(o en la base de T?2 que lo mantendr en corte. #omo no e%isten corrientes en la base de T?, aparecer un potencial de tierra a trav*s de 9E que mantendr en corte a T?. #omo TA no conduce, en la base de TD se fi(a un potencial de tierra, que coloca en corte a TD. 6e esta forma tanto TD como T? se encuentran en corte y en la salida tenemos el tercer estado o estado de alta impedancia, en el cual la salida simplemente se comporta como un circuito abierto. /a tabla de verdad para este circuito es como sigue
? *B *B *A *A A *B *A *B *A H *A *B GG GG 1
A ?
(im4olo -#&ico
)(emplos de compuertas con tercer estado son N?A?2, etc.
N?2AE, N?2A@, N?2D?, N?A?F,
8%$$% #U..ERES /os bufferes son compuertas con una alta capacidad de corriente de salida. )sto les permite mane(ar directamente /)6s, rel*s de estado slido, rel*s electromecnicos y otras cargas que no pueden ser impulsadas por compuertas comunes. H I /os transistores de salida estn dise3ados de tal forma que permiten corrientes de ;8/ y ;8, altas, pudiendo conectarsen a una cantidad mayor de entradas. 0ueden ser inversores + 58T ., o no inversores + L)< ., y pueden tener o no tercer estado
)I%R
72

H:( 1 A H A *O, 1 H
A ?
A ?
)(emplos de compuertas bufferes son N?AC, N?DN, N??F, N?2AE, N?2A@, etc. Tambi*n e%isten bufferes de colector abierto.
8%$+%COMPUERTAS SCHMITT TRI&&ER <on compuertas realizadas para obtener en la salida se3ales digitales perfectas, por esto se emplean para convertir se3ales imperfectas, de conmutacin lenta o con ruido, en se3ales digitales bien definidas y de conmutacin rpida. H I <e representan con el siguiente smbolo lgico
1 8
/as compuertas <chmitt operan como compuertas convencionales, con e%cepcin solo que poseen dos valores lmite de volta(e en sus entradas llamadas umbrales. 0ara TT/ estndar el umbral para ir al 5A es de 2,@ K y para ir al 51 es de F,C K. )(emplos de compuertas <chmitt son N?2?, N?2D, N?2DA, etc. Gn e(emplo de aplicacin con una compuerta L)< tipo <chmitt trigger es el siguiente
)I%R

:"trada 152 V 053 V t
73
(alida
#omo se podr observar el dispositivo acepta en su entrada volta(es analgicos, pero solo reacciona a dos valores. #uando la entrada se hace igual o superior a 2.@K la salida de la compuerta cambia de estado y pasa a 5A. #uando se hace igual o inferior a F.CK conmuta y pasa a 51. 8%$/% SU#.AMILIAS TTL
*(
#a=a ,otencia /os valores de las resistencias son aumentados considerablemente, disminuyendo el flu(o de corrientes. )sto trae consigo las reacciones ms lentas de los transistores y por esto un aumento de los retardos. Alta -elocidad /os nominales de las resistencias son disminuidos aumentando el flu(o de corrientes dentro de las compuertas y haciendo, con esto, ms rpidas las conmutaciones. <e incrementa considerablemente la disipacin de potencia. Sc?ott@1 )l retardo en la conmutacin est directamente relacionado con el tiempo para llevar los transistores de saturacin a corte. 0or eso, con el fin de evitar la saturacin completa y a s hacer ms rpidas las conmutaciones se utiliza un diodo para fi(ar el volta(e entre la base y el colector. H I H I 0ero el diodo utilizado con este fin no es convencional, sino que est compuesto por la unin de un metal y un semiconductor, que lo hace mucho ms rpido que los diodos de silicio. /os tiempos de recuperacin inverso y directo para los diodos <chottMy estn en el orden de los pico y nanosegundos. )ntran en conduccin + en 06 . cuando entre sus terminales hay una diferencia de solamente F,? K, a diferencia de los de silicio que necesitan F,N K. )l transistor <chottMy se representa de la siguiente forma
&(
C(
)I%R
74

Diodo (c<ottJK ,ra"$i$tor (c<ottJK
#uando el transistor se acerca a saturacin, es decir, el volta(e en la base comienza a superar al del colector, el diodo <chottMy se 06 y la corriente tomar a trav*s de *l y no de la unin base7emisor, evitando as la saturacin completa +concentracin de portadores negativos en la base .. )l circuito base de la serie <chottMy es como sigue +observar en la figura que sigue. Todos los transistores que se saturan normalmente han sido reemplazados por <chottMys + a e%cepcin de T? ., disminuyendo de *sta forma los tiempos de conmutacin.
+.V .0 R2 R1 253 9 600
,. ,1
,1 ,2 A B
35. 9
R.
,3 D1 D2 .00 2.0
,2
?*D
)I%R
75
62 y 6A han sido reemplazados tambi*n, haciendo ms eficaz la supresin de tensiones negativas de entrada. 9D ha sido reemplazado por una carga activa, el transistor T@. )sto permite a TD bloquearse ms rpidamente gracias a la ba(a resistencia colector7emisor de T@. )l transistor superior de salida es ahora un 6arlington conformado por T? y TE. /a configuracin 6arlington se logra de modo que el emisor del primer transistor est* unido a la base del segundo y los dos colectores unidos entre s. )l monta(e 6arlington tienen una elevada ganancia de corriente lo que permite alcanzar velocidades de conmutacin ms altas. )stas son algunas de las caractersticas del #.;. N?<FF ;8, O 2 mA, ;8/ O AF mA, ;;, O EF A, ;;/ O A mA, ;8< O 2FF mA. :argen de inmunidad al ruido 5A F,N K :argen de inmunidad al ruido 51 F,D K 9etardo promedio de D n< y disipacin de 2> mP por compuerta. /a intercone%in de elementos TT/ <chottMy requiere de mayores cuidados debido a que tienen tiempos de subida y ba(ada muy cortos que redundan en ruidos inducidos. 6. Sc?ott@1 de !a=a ,otencia )l circuito base es el siguiente
+.V
200 R2 R1 2. 9 39
,. ,1
A B
D3 D1 ,2 19
R.
D2
D1
,3 39 15. 9
,2
?*D
)I%R
76
/as compuertas <chottMy de ba(a potencia tienen una disipacin de A mP y un retardo promedio de E n< por compuerta. )l transistor de entrada ha sido reemplazado por dos diodos <chottMy que hacen que el circuito en realidad pertenezca a la 6T/. Algunas caractersticas del #.;. N?/<FF ;8, O ?FF A, ;8/ O C mA, ;;, O AF A, ;;/ O F,D@ mA, ;8< O ?A mA. :argen de inmunidad al ruido 5A F,NK. :argen de inmunidad al ruido 51 F,D K. /a ba(a disipacin de potencia implica menor costo de la fuente de alimentacin, alta densidad de componentes sobre la tar(eta impresa, eliminacin de ventilador de refrigeracin. /a serie /< conmuta con picos de corriente un AE S menores que los estndares, lo cual redunda en menor generacin de ruido. <e necesitan menos condensadores y con menores capacitancias para suprimir los picos de conmutacin. /as entradas no utilizadas pueden ser conectadas directamente al positivo de la fuente.
)I%R
)O%IC* M,T*) - O;IDO - +,MICONDUCTOR C*N*) N
77
7. LOGICA METAL-OXIDO SEMI-CONDUCTOR CANAL N C%$% EL TRANSISTOR DE E.ECTO DE CAMPO .ETMOS /a relativa alta disipacin de potencia de los transistores bipolares haca imposible aumentar el coeficiente de integracin, por esto los fabricantes de #.;. recurrieron a los Transistores de )fecto de #ampo B)T para lograr arreglos /<; y K/<;. H I H I Aunque algunas caractersticas de los B)Ts no se consideran deseables para ciertas aplicaciones + a causa de su poca velocidad, delicadez y su falta de capacidad de mane(o de corriente ., su facilidad de fabricacin, reducido tama3o y ba(a disipacin de potencia han desplazado los factores negativos y han colocado a los B)Ts, realizados con metal o%ido semiconductor :8<, como la tecnologa principal para usar en grandes arreglos. )%isten dos tipos de B)Ts 2. B)Ts de enriquecimiento #anal 0 y #anal 5. A. B)Ts de empobrecimiento #anal 0 y #anal 5. )l transistor de empobrecimiento conduce cuando no e%iste ning$n volta(e aplicado al graduador + el graduador corresponde a la base de los transistores bipolares ., en cambio, el de enriquecimiento solo lo hace hasta que la tensin en el graduador no alcance cierto valor. )l B)T de enriquecimiento por su funcionamiento tienen mayor inmunidad al ruido, y por esto es el que se emplea para la realizacin de las compuertas lgicas. )%isten dos tipos de estructuras de los :8< B)T 6e enriquecimiento #anal 5 y de enriquecimiento #anal 0. 0ara (untos tipos de transistores e%iste una tensin definida graduador surtidor K=< + el surtidor corresponde al emisor . para el cual el B)T comienza a conducir, este volta(e es conocido como tensin de umbral KT. .ET Canal N 0ara su fabricacin primero se forma un sustrato tipo 0, figura A, y se difunden en este sustrato dos regiones separadas de ba(a resistencia + alta contaminacin . tipo 5, figura 1.
('rtidor ( " ('$trato P %i&'ra A ('$trato P %i&'ra B Dre"ador D "
/uego, la superficie se cubre con una capa aislante de %ido <i8 A que tiene un espesor apro%imado de 2F72E cm, figura #.
)I%R
78
<e realizan orificios sobre el %ido y se hacen dos contactos de metal + aluminio . sobre las zonas de material tipo 5, se coloca una pieza delgada de metal llamada la compuerta o graduador sobre lo que ser el canal, figura 6. H I H I
?rad'ador D
(i O2
Al (i O2
" ('$trato P %i&'ra C
" B
" ('$trato P %i&'ra D
" B
<in volta(e aplicado, la anterior estructura forma dos diodos, en oposicin y si tratamos de forzar el paso de corriente de drena(e al surtidor, la unin np seguida por una unin pn no permitir el flu(o de electrones en ninguna direccin.
(
" = = "
)l smbolo esquemtico de esta estructura es

D B ? ( Ca"al *
)l graduador se utiliza para originar el paso de corriente de drenador a surtidor de la siguiente manera )l rea de metal del graduador, en unin con la capa aislante de %ido y el semiconductor forman un condensadorJ donde el graduador sera la placa superior, el sustrato tipo 0 la placa inferior y el %ido sera el diel*ctrico. <i se aplica una tensin positiva al graduador se inducen cargas negativas en el lado del semiconductor, ya que al cargarse positivamente el metal, se generan lneas de fuerza que forman una carga de signo contrario en el semiconductor. A medida que aumenta la carga positiva en el graduador, aumenta tambi*n la carga negativa inducida en el semiconductor, hasta que se alcanza la tensin de umbral y la regin cercana al graduador se convierte en un semiconductor tipo 5.
)I%R

?rad'ador
+ + + +
79
Al (i O2
" ('$trato P
" B
Ca"al *
<i se aplica una tensin positiva al drenador 6 con respecto al surtidor < circular una corriente de drenador a surtidor a trav*s de este canal inducido. )l B)T :8< se encuentra en saturacin cuando circula por el canal toda la corriente de drenador que *ste es capaz de conducir para una tensin de graduador dada. /a curva caracterstica de los :8<B)T #anal 5 es )D5 mA
2. 20 1. 10 . 0 25. .
*o $at'rado
$at'rado V?( =1. V

10 V
.V 75. 10 125. 1.
VD(5V
6onde
;6 K=< K6<
#orriente de 6renador Tensin =raduador7<urtidor Tensin 6renador7<urtidor
8bs*rvese, por e(emplo, para K=< O 2F K, la corriente de drenador aumenta casi linealmente al aumentar la tensin de drenador surtidor K 6<. A los 2A mA de corriente de drenador, el canal se satura y la curva se hace plana. )l sustrato 1 debe conectarse al potencial ms negativo del circuito. .ET Canal P /a estructura y el smbolo esquemtico del :8<B)T #anal 0 es como sigue
)I%R
80

?
Al (i O2
D D
= =
= = ('$trato P ('$trato *
B B ? (
Ca"al P
Ca"al P
)l #anal 0 se induce aplicando un volta(e negativo al graduador, es decir, enriqueciendo el canal con cargas positivas inducidas. /a curva del #anal 0 se muestra en la siguiente figura )D5 mA
> 1. > 10 >.V > 10 V >. 0 > 25. >. > 75. > 10 > 125.
VD(5V
V?( => 1. V
$at'rado
*o $at'rado
8bs*rvese, que para una K=< O 7 2F K y ;6 O 7N mA el transistor se satura. )l sustrato del B)T #anal 0 debe conectarse al potencial ms positivo del circuito. Caracter7sticas de los .ETMOS )n la zona de saturacin los B)T:8<, tanto #anal 5 como 0, se comportan como fuentes de corriente constante ya que la corriente de drenador es constante e independiente de la tensin K6<. #uando no estn saturados, se comportan como resistores debido a que la curva caracterstica K 7 ; es una lnea recta. 0or esto, conectando el graduador a una tensin fi(a puede usarse como resistencia de carga. /a impedancia de salida + drenador7surtidor . es del orden de los Q . /a 2? impedancia de entrada, por ser capacitiva es muy alta apro%imadamente 2F . /os B)T #anal 5 pueden operar A,E veces ms rpido debido a que los electrones se desplazan ms rpido que las cargas positivas + huecos ..
)I%R
81
/a tensin de umbral KT de un #anal 0 es alrededor de A K, mientras que en los 5 es apro%imadamente de 2 K. )l #anal 5 comienza a conducir cuando K= )l canal 0 conduce cuando K= K< 7 KT K< R KT
/a tensin de umbral disminuye A mP por cada grado centgrado de aumento, por esto KT, se dice, es poco sensible a los cambios de temperatura. /as venta(as de utilizar B)T:8< son :enor tama3o, menor consumo de energa, facilidad y economa de fabricacin y elevada impedancia de entrada. <us desventa(as son :enor velocidad y susceptibilidad a la rotura del %ido por efecto de campos el*ctricos fuertes. C%+% COMPUERTA NOT CON NMOS*
+ 12 V
,1
(
*O, H G 1 H G *B *A H *A *B
D B (
T2 traba(a como una resistencia debido a que su graduador est conectado aun volta(e constante, siendo esta una de las venta(as de utilizar B)Ts, ya que no es necesario la realizacin de resistencias en forma integrada. <i en la entrada V tenemos un 51 + entre F y 2 K ., entonces TA no conducir y la salida estar a trav*s de T2 a un 5A + apro%imadamente 2A K .. TA ha sido dise3ado de tal forma que cuando en la entrada haya un 5A + entre 2,E K y 2A K ., entonces se induzca el canal 5 en el transistor TA y *ste comience a
)I%R
82
conducir colocando la salida a tierra, o sea, a 51. /a compuerta as obtenida es una 58T. C%/% COMPUERTA OR9NOT CON NMOS
+ 12 V
,1
B (
H
D
,1
(
B
B
,2
(
,3
(
A *B *B *B + + + *A
B *B *B *A + + + *A
C *B *A *B + + + *A
H *A *B *B + + + *B
<i cualquiera de las entradas A, 1 o # est+n. en 5A, el +los. transistor+es. correspondiente+s. conducir+n. y la salida estar prcticamente a tierra 51 +m%imo a F,C K .. <olamente cuando las tres entradas est*n en 51, T2, TA y TD no conducirn y la salida estar mnimo a R2F K, o sea, un 5A. C%2% COMPUERTA AND9NOT CON NMOS
)n la siguiente figura se muestra el circuito de la compuerta A56758T lgica positiva realizada con 5:8<
)I%R
83
+ 12 V
,1
(
,1
(
,2
(
,3
(
)n la actualidad 5:8< se emplea para realizar #.;. /<; :emorias 9A:, microprocesadores, microcontroladores, etc.
K/<;
como
)I%R
84
8. LOGICA METAL-OXIDO SEMI-CONDUCTOR COMPLEMENTARIA CMOS
D%$% SERIES ) SU#.AMILIAS CMOS /os #.;. fabricados con tecnologas subfamilias H I H I #:8< #:8< #:8< #:8< #:8< se agrupan en las siguientes
estndar. de Alta Kelocidad ,#. Alta Kelocidad compatible con TT/ ,#T. equivalente a TT/ #.
CMOS est6ndar #omprende principalmente los dispositivos que se designan como ?F%% + ?F2A, ?FA>, etc. . y ?E%% + ?EAC, ?EED, etc. .. )%isten dos series dentro de los dispositivos estndar designados como la serie A y la serie 1. 5o todos los dispositivos de la serie A traen el sufi(o en su denominacin, por e(emplo ?F22A, ?FAF, ?FACA, etc. /os de la serie 1 siempre llevan el sufi(o, por e(emplo ?FA>1, ?F@>1, etc. /a diferencia entre las series radica en que los #:8< 1 contienen una circuitera interna de proteccin que reduce el riesgo de da3o del dispositivo por el fenmeno de descarga electroesttica. Adems los 1 tienen frecuencias de operacin ms altas, tiempos de propagacin mas cortos y mayor capacidad de salida + fan7out .. /as caractersticas generales ms importantes de los #:8< son 1a(a velocidad de operacin. 0ueden operar a frecuencias hasta de 2F :,z con tiempos de propagacin hasta de @F n< por compuerta. Amplias mrgenes de tensin de alimentacin. /os de la serie A traba(an con tensiones de alimentacin entre RD y R2E K y los de la serie 1 entre RD y R2C K. 6ebido a estos amplios rangos se pueden usar fuentes de alimentacin no reguladas.
5iveles de volta(e desde F K hasta F,D K66 para el 51, y de F,N K66 a K66 para el 5A. 0or e(emplo, para un K66 de 2F K, el 5A estara entre N y 2FK y el 51 entre F y DK.
Alta inmunidad al ruido. CMOS eGui-alente a TTL #omprende los dispositivos designados como N?#%% y N?#%%%. <on pin por pin y funcin por funcin equivalentes a los dispositivos TT/ correspondientes, en especial a los N?/. #onservan todas las caractersticas comunes a los #:8< estndares 1a(a disipacin de potencia, amplios mrgenes de volta(e + como la serie 1 ., alta inmunidad al ruido, etc.
)I%R
)O%IC* M,T*) - O;IDO - +,MICONDUCTOR COMP),M,NT*RI*
85
)s un EFS mas rpido que las series ?F y ?E, pero disipan un EFS ms de potencia. CMOS alta -elocidad #omprende los dispositivos designados como N?,#%% y N?,#%%%. Tienen las mismas caractersticas de entrada de los #:8< estndares y son pin por pin compatibles con los dispositivos TT/ /< correspondientes. )mplea fuente de alimentacin entre A y @ K. /a serie ,# ofrece velocidades de operacin comparables a los de la serie N?/< y superiores a los de las series ?F, ?E y N?#. )n los dems aspectos siguen siendo similares a los ?F y ?E, igual que sensibles al da3o por electricidad esttica. CMOS de alta -elocidad com,ati!le con TTL #omprende los dispositivos designados como N?,#T%% y N?,#T%%%. 0oseen las mismas caractersticas de los ,#, e%cepto que sus entradas son compatibles con los niveles lgicos de TT/. Tienen la misma configuracin de pines de los N?/<. 8peran a partir de una fuente de E K.
D%+% NI;ELES LO&ICOS ) PROTECCION CONTRA EL RUIDO K8, O K8/ O K;, O K;/ O K66 7 F,F2 K66 F,F2 K F K F,N % K66 F,D % K66 K66
6onde K66 es el valor de la fuente de alimentacin conectada entre los pines K 66 y K<<. )ste $ltimo correspondera al pin =56 de los TT/. 8bs*rvese que el volta(e mnimo del nivel alto de salida es prcticamente igual al valor de la fuente. 6e la misma forma el volta(e m%imo de nivel ba(o de salida es casi igual a F K. )n el siguiente grfico se ilustra la inmunidad al ruido H I #omo se puede observar del grfico, para un volta(e de alimentacin K66 de 2FK #:8< estndar tiene una inmunidad cercana a los D K tanto para el 5A como para el 51. /a proteccin contra el ruido de los #:8< es muy superior a la de los TT/, esto los hace e%celentes para aplicaciones industriales donde son comunes los altos niveles de ruido. Al hacer mas alto K66, tambi*n aumenta la zona de inmunidad al ruido.
)I%R
86

VDD VDD >> 0+01 = VO@ Protecci#" co"tra R'ido *A 10 V 7V 30L VDD = V)Protecci#" co"tra R'ido *B 0+01 V = VO3V .V 10 V 1. V 70L VDD = V)@
1. V
3V 0V
D%/% COMPUERTA NOT /os circuitos #:8< utilizan los dos tipos de B)Ts para realizar las compuertas lgicas. /os graduadores de los B)Ts se unen para formar la entrada y los dos drena(es forman la salida H I
VDD = 10 V
( D B
P H G
*O, 1 H G *B *A H *A *B
G
? D B (
V(( = 0 V
<i aplicamos un 51 +F K . a V , el transistor canal 5 estar bloqueado porque K =< es inferior a KT. )n cambio el canal 0 est conduciendo porque su graduador es ms negativo que KT. /a salida estar unida a K66 a trav*s del canal 0. Gn B)T :8< en conduccin presenta una cada apro%imada de F,F2 K entre drenador y surtidor, es decir la salida estar prcticamente a 2F K. #anal 5 F K F K R 2 K #anal 0 FK 2F K 7 A K 5o conduce. #onduce.
#uando la entrada est en 5A +2F K . el canal 5 conduce porque K=< es mayor que KT. )l canal 0 estar bloqueado porque K=< es menor que KT. 0or tanto la
)I%R
87
salida se encuentra a tierra + K<< . y estar en 51. )ste 51 debido de a la cada de drenador a surtidor ser de F,F2 K. #anal 5 2F K F K R 2 K #onduce. #anal 0 2FK 2F K 7 A K 5o conduce D%2% COMPUERTA OR9NOT <i hay por lo menos un 5A en las entradas, entonces el canal 0 conectado a *sta+s. se bloquear y el 5 conducir, de *sta forma la salida quedar conectada a tierra y tendremos un 51 +8bservar la figura siguiente.. H I <olamente si las dos entradas estn en 51 los transistores canal 5 se bloquearn y los canal 0 conducirn conectando la salida a K66. )l anterior circuito pertenece al ?FF21 de :otorola +2?FF2. y realiza para la lgica positiva una compuerta 589. /os diodos 62 y 6A constituyen uno de los m*todos usados para proteger a los #:8< de las descargas el*ctricas.
VDD
D2 A
D1
B D
,1
( B D
,2 H
B
D D B ( B
A *B *B *A *A
B *B *A *B *A
H *A *B *B *B
,1
(
,3
V(( = 0 V
D%5% COMPUERTA AND9NOT
)I%R
88
VDD D2
(
,1
B
( B D D B (
,2 H
D1 B
A *B *B *A *A
B *B *A *B *A
H *A *A *A *B
,3
D B (
,1
V(( = 0 V
D%8% CARACTERISTICAS DE LOS CMOS H I H I A. Corriente de corto circuito de salida* )l corto circuito de salida de un :8< a K66 o a K<< puede hacer que la disipacin e%ceda el lmite de seguridad de AFF mP en algunos elementos de alta corriente como el ?FFN. /as salidas de los dispositivos pueden conectarsen directamente a K66 o K<< siempre y cuando K66 7 K<< E K 1. .uentes de alimentacin 1 ,icos de corriente* La habamos dicho que los #:8< estndar podan funcionar con fuentes de alimentacin para la serie A entre D y 2E K y para la serie 1 entre D y 2C K, conectada entre los pines K66 y K<<. )n realidad no importa los valores de volta(es que empleemos, siempre y cuando K66 sea mas positivo que K<< y que la diferencia de potencial est* entre D y 2E o D y 2C K seg$n sea la serie. 6ebido a *stas amplias mrgenes y a la ba(a disipacin de potencia los #:8< pueden utilizar fuentes de volta(es no reguladas y bateras. 0or esto es la tecnologa empleada para la realizacin de calculadores, relo(es, y dems instrumentos porttiles. /os picos de corriente se producen durante la conmutacin debido a que (untos transistores, el 5 y el 0 se encuentran conduciendo durante un breve instante en la transicin entre los niveles lgicos.
)I%R
89
0ara frecuencias altas de conmutacin hay que emplear condensadores de desacoplo. )n la prctica se instala uno por cada #.;. de F,F2 B lo ms cerca posible a los pines de alimentacin. #. Disi,acin de ,otencia )n r*gimen esttico + no conmutacin . la disipacin de potencia es muy ba(a debido a que las entradas #:8< son en realidad un condensador. Gna vez cargado o descargado las entradas solo permiten una mnima corriente de fuga. H I 0ara el caso del 2?FF2 esta corriente es igual a E nA con K 66 O E K. /a disipacin de potencia del 2?FF2 en *stas condiciones + r*gimen esttico . solo es de AE nP por #.;. )n la medida que aumenta la frecuencia, la disipacin dinmica 06 conmutacin . va predominando como se muestra en el siguiente grfico
,em =erat 'ra Am 4ie"t e (, 10 10 10 10 10
2
+ en
2. A) =
MC
VDD =1. V 10 V .V .V 35. V
10 1
Ca=acita"cia de car&a C- =.0 =% C- =1. =%
10
10
10
10
10
10
10
%rec'e"cia de e"trada ( B ) 5 @A
#uando la frecuencia se hace superior a 2 :,z predomina la disipacin dinmica. )sta disipacin es debida a la carga y descarga de la capacidad e%terna de carga #/ + entradas #:8< por e(emplo . y de la capacidad interna del circuito. /a disipacin en r*gimen dinmico se calcula de la siguiente forma 06 O K % ; O K % Q4T, pero Q O K % #/ entonces y f O 24T
06 O #/ % KA % f por integrado. 6onde #/ 7 n$mero total de )ntradas conectadas al integrado.
)I%R
90
0or e(emplo, si K66 O E K, #/ O 2F pB y f O 2F :,z, entonces 06 O A,E mP. 6. Im,edancias /a impedancia de entrada en cualquier estado es apro%imadamente de 2F2A en valor tpico. /a capacidad de cada entrada es de E pB. /as impedancias de salida varan de un dispositivo a otro, normalmente son iguales en (untos estados y de 2 Qo menos.
). Tiem,os de ,ro,agacin 6ebido a la alta impedancia de salida *stos tiempos son largos. 0ara el 2?FF2 t0/, O t0,/ O @F n< con K66 O E K y 2E n< con K66 O 2F K y una carga de 2E pB para (untos casos. Al aumentar la tensin de alimentacin aumenta la velocidad de conmutacin, debido a que las salidas cargarn ms rpido los condensadores de las entradas haciendo ms rpidas las conmutaciones. /a aparicin de dispositivos #:8< sobre sustrato de zafiro <8< ha aumentado la frecuencia de funcionamiento hasta DF :,z. /a frecuencia de operacin m%ima se haya de la misma forma que para los dispositivos TT/. D%C% CUR;AS DE TRANS.ERENCIA
,em =erat 'ra Am 4ie"te5 , 12 11 12 10 3 2 1 2 0 2 1 2 3 10 12 11 12
VDD =. V VDD =10 V VDD =1. V
A
a 4
4 a 4 , A =+ 12. MC , A = > .. MC
V:*,R 5 V
5tese que en la regin de transicin las curvas son prcticamente verticales, esto redunda en una alta inmunidad al ruido debido a que no se pierde un rango largo de valores de volta(e para la conmutacin. D%D% COMPUERTAS ) ENTRADAS NO UTILIBADAS
)I%R
91
Todas las entradas no utilizadas, incluyendo las de las compuertas sobrantes, deben ser llevadas a K66 o K<< seg$n convenga desde el punto de vista lgico. 6ebido a la alta impedancia de las entradas no se garantiza ning$n nivel lgico en aquellas que se de(en ! flotando ! + sin cone%in el*ctrica .. )n ellas pueden aparecer volta(es altos que inducen ruido y no permitirn el funcionamiento normal del dispositivo. D%E% E.ECTO DE CAR&A ) .AN9OUT 6ebido a que las entradas #:8< son en realidad un condensador, en r*gimen esttico + no conmutaciones . ellas solo permiten una peque3a corriente de fuga igual a F,F2 nA tanto para el 5A, como para el 51. 0ara efectos prcticos se toma 2 A. H I H I 0or esto el fan7out de los #:8< no est limitado por la capacidad de corriente de salida, sino por el deterioro de los tiempos de conmutacin.
VDD
)O@ =0
( D
))@ =0
*A H *B
G
? D
))- =0
)O- =0
V((
))@ =0 ))- =0
R!&ime" :$t tico )n r*gimen dinmico + en conmutacin . la carga y descarga de los condensadores de entrada requiere de tiempos relativamente largos debido a la alta impedancia de salida que reduce las corrientes de carga y descarga. 8bservar la siguiente grfica. #ada entrada #:8< representa una capacitancia tpica de E pB que al conectarsen a una salida quedan en paralelo +por esto el valor de # / final para una <alida es la suma de la capacitancia de cada )ntrada conectada a )lla., aumentando de *sta forma los tiempos de conmutacin. )sto se debe a que el producto 9# se hace mayor. 0or e(emplo, para el 2?FF2 los retardos de propagacin se hallan seg$n la siguiente frmula tomada del :anual de #.;. #:8< de :otorola con K66 O E K t0/, O t0,/ O 2.C n<4pB % #/ R DD n<
)I%R
92
con K66 O 2F K con K66 O 2E K 6onde #/
t0/, O t0,/ O F.ND n<4pB % #/ R 2? n< t0/, O t0,/ O F.@ n<4pB % #/ R 2F n<
Kalor de la capacitancia de carga.

VDD
( D
*B )CAR?A
*A
G
? D
H )D:(CAR?A *A *B
V((
R!&ime" Di" mico Tericamente se ha tomado un fan7out de EF, que tiene carcter ms comparativo que prctico. )n la realidad la cargabilidad de salida se determina de acuerdo a la frecuencia a la cual vaya a traba(ar el dise3o. )n general, los #:8< son 2F veces ms sensibles a las cargas capacitivas que los elementos TT/ por cuanto su impedancia de salida es apro%imadamente 2F veces mayor. D%$F% COMPUERTAS CON TERCER ESTADO <i en = tenemos un 51 +observar el siguiente grfico., entonces se crea el canal 0 en T2 y *ste conducir. )l nivel aplicado a = se invierte y llega al graduador de T? un 5A, que crea el canal 5 necesario para que *ste conduzca. #omo T2 y T? conducen, el valor de volta(e en la salida depende de la entrada V. <i en = tenemos un 5A tanto T2 como T? se bloquearn y sin importar el estado de la entrada A en la salida tenemos un tercer estado o estado de alta impedancia. /a compuerta 58T utilizada en el circuito tambi*n es realizada con #:8<.
)I%R
93
VDD
( B D ( B D
,1
,2 H
? *B *B *A *A
G *B *A *B *A
H *A *B GG GG
G
D B (
,3
G ?
D B (
,1 V((
(im4olo -#&ico
D%$$% #U..ERES ) COMPUERTAS SCHMITT TRI&&ERS Sc?mitt Triggers 0ara las series ?F, ?E y N?# con una tensin de alimentacin de > K los umbrales de conmutacin tienen los siguientes valores

Gmbral para ir al 5A KT, Gmbral para ir al 51 KT/
E,C K D,C K
)(emplos de compuertas <chmitt Triggers son ?F>D1, ?F2F@, N?#2?, etc. /os bufferes son compuertas con mayor mane(o de corriente. )(emplos son ?F?>1, ?FEF1, ..... estos dispositivos presentan las siguientes caractersticas K66 ;8,, mA ;8/, mA EK A,E @ 2E K 2F ?F
D%$+% CARACTERISTICAS DE LAS SU#.AMILIAS CMOS /os valores de volta(e para los niveles lgicos se muestran en el siguiente grfico. /os dispositivos de la serie N?,# operan con tensiones de A a @ K y los rangos de volta(e para el 5A y el 51 se definen en forma similar a las series ?F y N?#. /as series ?F tipo 1 y N?# operan con fuente de alimentacin entre D y 2CK. <G1BA:. K66 K;, K;/ K8,
)I%R
K8/
94
?F1, N?# 2F N,F D,F >,>E N?,# E D,E 2,F ?,> N?,#T E A,F F,C ?,D Todos los valores se encuentran en voltios.
F,FE F,2 F,D
/os dispositivos de la serie N?,#T operan a partir de una fuente de E K. /os 5A y 51 de entrada de esta subfamilia se definen de la misma manera que para TT/, y los 5A y 51 de salida son similares a los de las dems dispositivos #:8<. /a aplicacin ms importante de los ,#T es proporcionar una interface directa entre los TT/ y los #:8<. /as caractersticas de corriente con K66 O E K son <G1BA:. ?F, N?# N?,# ;8, ?FF A ? mA ;;, 2 A 2 A ;8/ ?FF A ? mA ;;/ 2 A 2 A
Descargas electromagnHticas /a serie 1 contiene circuitera de proteccin contra las descargas electromagn*ticas. )sta circuitera est compuesta esencialmente por redes de diodos. )l fenmeno de las descargas electromagn*ticas consiste en la creacin de altos volta(es en las superficies de los materiales aislantes por efecto de friccin o frotamiento. /a sensibilidad de los :8< a este fenmeno se debe a la alta impedancia de entrada que los caracteriza. )sta alta impedancia permite que se desarrollen volta(es elevado, capaces de destruir la delgada capa de %ido aislante de los graduadores. /a idea bsica para proteger *stos dispositivos es mantener los pines a un mismo potencial y evitar la manipulacin ms de lo necesario. /os :8< vienen, generalmente, en espumas y fundas antiestticas o espumas recubiertas de papel aluminio.
)I%R
)O%IC* *COP)*D* POR ,MI+OR : D, IN:,CCION INT,%R*D*
95
9. LOGICA ACOPLADA POR EMISOR Y DE INYECCION INTEGRADA E%$% LO&ICA ACOPLADA POR EMISOR 0osee otros nombres tales como /gica en :odo de #orriente #ontrol de #orriente + #</ . y /gica no saturada. + #:/ ., /gica de
)mplea para su realizacin transistores bipolares que traba(an solamente en regin activa y de corte, evitando la saturacin y haciendo, de *sta forma, ms rpidas las conmutaciones debido a que no se presentan los retardos por almacenamiento de carga. /a lgica )#/ es la ms rpida de las disponibles actualmente, alcanzando tiempos de conmutacin de menos de 2 n< por compuerta, sin embargo la )#/ no se ha acreditado popularmente como la TT/ o la #:8< debido a que es ms costosa, ms difcil de enfriar e interconectar, adems siempre se ha considerado que tiene menos inmunidad al ruido. <e han desarrollado varias generaciones de )#/, llegando a ser ms rpidos con cada generacin, pero aumentando el consumo de energa. /a primeras generaciones requeran de tres volta(es para su funcionamiento. )sta lgica utiliza una fuente de alimentacin tpica de K)) 7 K## O 7E,AE K <iendo normalmente K## el terminal a tierra + F K .. /os niveles lgicos son apro%imadamente K, O 7F,> K )n contraste con los negativas. TT/ y los #:8< K/ O 72,NE K estos dispositivos utilizan tensiones
)l principal productor de )#/ es :otorola, aunque e%isten otros fabricantes importantes como Bairchild. /a siguiente tabla hace un resumen general, con las caractersticas ms importantes de las series 2FFFF, 2FFFFF, :)#/ ;;;. 2F Q Tiempos de propagacin por compuerta, n<. Kelocidad de conm. para el flip7 flop 6, :,z. 6isipacin de potencia por compuerta, mP. A 2AE AE
)I%R
2FF Q F,NE EFF @E
:)#/ ;;; 2 EFF @F
96
Actualmente se utilizan para realizar dispositivos /<; y :<; de alta velocidad. )l dise3o y la intercone%in de ellos es bastante comple(o y requiere de un estudio muy detallado, ya que tan solo la longitud del cableado puede provocar problemas de sincronismo entre los dispositivos, sin hablar de la ba(a inmunidad al ruido.
E%+% LO&ICA DE IN)ECCION INTE&RADA /a ;A/ representa un esfuerzo en la utilizacin de la tecnologa bipolar para mantener los niveles de integracin y consumo de potencia de los :8< conservando la alta velocidad de los transistores bipolares. #omparados con los :8<, la tecnologa bipolar permite mayor velocidad, pero requiere de resistencias, el tama3o del transistor es mayor y ocupa ms espacio en el semiconductor para su realizacin, adems su disipacin de potencia es alta. 0ara solucionar *ste problema se han realizado varios dise3os tendientes a usar el mismo espacio de un transistor para dos o ms elementos. /a ;A/ no est concebida para realizar intercone%iones entre compuertas como por e(emplo TT/, pero se utiliza en grandes arreglos /<; y K/<;.
)I%R
CIRCUITO+ D, PU)+O+
97
PARTE III
SINCRONIBACION E INTER.ACES
10.
CIRCUITOS DE PULSOS
$F%$% PULSOS )%isten dos tipos de dispositivos lgicos Aquellos en los cuales los estados lgicos de las salidas dependen e%clusivamente de los estados en las entradas, es decir, ante determinada combinacin en las entradas siempre habr los mismos valores en las salidas. /a lgica de este tipo de dispositivos no vara con el tiempo y recibe el nombre de lgica combinacional. )(emplos de dispositivos combinacionales son /os codificadores, decodificadores, multiple%ores, etc., que sern estudiados en cursos ms avanzados. L aquellos donde el estado de las salidas no solo dependen del estado de sus entradas, sino que adems dependen de los estados anteriores. /a lgica de este tipo de dispositivos vara con el tiempo y por esto recibe el nombre de lgica secuencial. )(emplos de este tipo de dispositivos son Blip7flops, contadores, registros, autmatas, microprocesadores, etc., que tambi*n sern estudiados ms adelante. /os dispositivos secuenciales para su funcionamiento necesitan de una se3al que les permita la sincronizacin y cambio de estado a su debido tiempo en las salidas. )sta se3al recibe el nombre de se3al de pulsos. Gn pulso es una se3al que realiza una transicin de un estado al otro y regresa al estado inicial despu*s de cierto tiempo.
V *A *B *B %la"co de 4ajada *A *B P'l$o activo e" 4ajo *A
P'l$o activo e" alto
<i los cambios se producen en forma continua entonces recibe el nombre de tren de pulsos. Al instante en que la se3al pasa de 5A a 51 se le conoce como flanco de ba(ada y al caso contrario + 51 a 5A . como flanco de subida. A los dispositivos generadores de pulsos se le llama multivibradores. )%isten cuatro tipos /os semi7monoestables o multivibradores de flancos, los monoestables o one7 shot, los astables o relo(es y los osciladores controlados por volta(e. )n este curso solo estudiaremos los monoestables y los astables. ;nformacin concerniente a los
)I%R
98
semi7monoestables y a los osciladores controlados por volta(e se puede obtener de las revistas de electrnica digital de la #)Q;T.
10.2. CARACTERISTICAS DE LOS PULSOS 6ebido a que los dispositivos digitales reales no cambian de estado en tiempo igual a cero, se hace imposible obtener se3ales lgicas ideales. 0or esto los pulsos tienen en realidad la siguiente forma
V 60 L
10 L
t$ 6onde t< tb tiempo de subida tiempo de ba(ada
t4
/as caractersticas de los pulsos son A. Brecuencia, f ;ndica la cantidad de veces que se repite la onda bsica en la unidad de tiempo. 1. 0eriodo, T )s el tiempo que dura un ciclo de la onda. #. #iclo $til, 6 <e e%presa en porcenta(e y es la relacin entre el ancho del pulso y el periodo.
D . *!c@o de 0 1 so 177 T
6. Amplitud, K )s el valor de volta(e que toma la onda en 5A.
10.3. MULTIVI RADORES ASTA LES )s un dispositivo que tiene dos estados en la salida + 5A y 51 . no estables. /a salida oscila contantemente de nivel a nivel a una determinada frecuencia, produciendo apro%imadamente una onda cuadrada + ciclo $til de EFS .. /os astables en #.;. estn disponibles en )#/, #:8< y TT/. )(emplos de ellos son el EEE, NEEE, ?F?N, ?F@F, etc. )l smbolo lgico es
)I%R
CIRCUITO+ D, PU)+O+
99
/os multivibradores astables reciben tambi*n el nombre de relo(es. )llos pueden ser realizados adems con compuertas lgicas, con cristales de cuarzo, o implementados con otros m*todos. )l #.;. EEE se emplea muy frecuentemente en los dise3os debido a su alta estabilidad, ba(o costo y facilidad de adquisicin en el mercado, por esto lo estudiaremos detenidamente cuando funciona como astable y como monoestable. /as caractersticas el*ctricas del /:EEE de 5ational <emiconductor son 9ango de volta(e de alimentacin entre ?,E a 2C K :%ima disipacin de potencia N@F mP #onsumo de corriente sin carga y K O E K D a E mA K8/ O F,AE K con K O E K K8, O D K con K O E K :%ima corriente de salida. AFF mA /a distribucin de pines y bloques del EEE es la siguiente
+V 3 Ra ,@R C*, 2 . R4 ( ,R? 2 C2 R(, / C1 R R( / B1 3 OC,
Rc 1 D(C 7 ,1 R(,
?*D
)I%R
100
;nternamente el EEE se compone de los siguientes elementos 6os comparadores #2 y #A, un flip7flop 9<, un buffer 12, un transistor T2 y tres resistencias 9a, 9b y 9c. 0ara que el EEE traba(e como astable es necesario agregar un 9# e%terno que permita este funcionamiento, como se muestra en el siguiente esquema
+V
3 R1 2 . R2 R4 ( 2 C2 R(, / C1 R Ra R( / B1 3 OC,
Rc 1 7 C ,1 +V
)l tiempo de carga se eval$a seg$n Tc O F,@>D + 92 R 9A . # )l proceso de descarga se realiza a trav*s solo de 9A y durante este tiempo la salida Q permanece en 51. Td O F,@>D % 9A % #
)I%R
CIRCUITO+ D, PU)+O+
,c
101
V(A-)DA
2/3 de + V 1/3 de + V
Vc
T O Tc R Td f O 2 4 T
$F%2% MULTI;I#RADORES MONOESTA#LES Gn monoestable o one7shot genera un pulso de salida de corta duracin en respuesta al flanco de subida o de ba(ada de una se3al de disparo aplicada a la entrada. /os multivibradores monoestables tambi*n son conocidos como temporizadores. ;gual que los astables, necesitan un circuito 9# para su funcionamiento. )%isten dos tipos de monoestables 5o redisparables y redisparables. )l funcionamiento de ellos es el mismo, fu diferencia consiste en la forma en que se comportan ante un nuevo flanco de disparo en su entrada. /os no redisparables una vez activados, y mientras est*n en ese estado, no reaccionan a nuevos flancos de disparo en su entrada. /os redisparables inician un nuevo ciclo cada vez que aparece una nueva se3al de activacin, sin importar el estado en que se encuentre. 0ueden ser realizados con compuertas lgicas y con #.;. especializados. )ntre los #.;. ms utilizados estn 5o redisparables N?2A2, N?AA2, N?#AA2. 9edisparables N?2AA, N?2AD, >@F2, ?F>C, ?F?N, ?EAC. 0ara que el EEE traba(e en r*gimen monoestable se requiere adicionar un 9# e%terno que se muestra en la siguiente figura
)I%R
102

+V 3
R2
R1 Ra 2 . R4 ( 2 C2 R(, / C1 R R( / B1 3 OC,
Rc 1 7 ,1 +V
)l tiempo que tarda el monoestable en regresar a su estado inicial se calcula seg$n la siguiente frmula T O 2,2 % 92 % #
)I%R
INT,R8*C,+
103
11.
INTER!ACES
<e entiende por interface la cone%in correcta de dos dispositivos no compatibles entre s. <i estos dispositivos tienen naturaleza electrnica, entonces una interface entre ellos har compatibles sus volta(es y corrientes de entrada y de salida. )n general las interfaces se dividen en lgicas y reales. /as primeras se refieren a aquellos circuitos necesarios para poder hacer cone%iones entre #.;. con dispositivos tipo interruptores, /)6s, displays, relevadores, zumbadores, sensores, etc.
$$%$% INTER.ACES ENTRE .AMILIAS LO&ICAS A. TTL a CMOS con 3uente de 5 ; )n este caso deben hacerse compatibles solo los niveles lgicos, esto se logra conectando una resistencia entre RE K y la salida TT/. )(emplo
.V Vcc 1 ,,e$t "dar R 19
VDD C0O( 10B5 71C
?*D5 V
9 O DDF ... 2E Q 0ara interfasar TT/ /< con #:8< la resistencia 9 vara entre 2,A Q y 2E Q , siendo tpicamente igual a A,A Q . 8tra forma es utilizando una compuerta de alta velocidad N?,#T, que han sido dise3adas con este fin. /as entradas de los dispositivos ,#T tienen los mismos niveles de volta(e de salida de los TT/ y los mismos de salida de los #:8<. )(emplo
Vcc 1 ,,715 71-( 71@C,31 1 .V VDD 1 VDD C0O( 10B5 71C
)I%R
104
1. TTL a CMOS con -olta=e de alimentacin di3erente <e puede emplear un dispositivo TT/ de colector abierto de alto volta(e, o tambi*n, puede ser un transistor en configuracin de emisor com$n.
.V Vcc 1 ,,715 71-( 7102 VDD 1 10 9 1 VDD C0O( 10B5 71C 6V
#on transistor
6V
.V R1
10 9
R2 1
1 ,,715 71-(
2*3601 19
C0O( 10B5 71C
)l transistor y las resistencias 92 y 9A desplazan los niveles de volta(e de la salida TT/ a los necesarios para la entrada #:8<. #. CMOS a TTL con 3uente de 5 ; Gna salida #:8< + ?F, N?# . puede operar directamente una entrada N?/< o N?/, ya que las corrientes requeridas son suministradas o recibidas por los #:8<. <in embargo se pueden emplear otros m*todos ms confiables para organizar estas interfaces. 6ebido a su ba(o mane(o de corriente las salidas #:8< no son capaces de mane(ar entradas TT/ estndar N?<, N?,. Gn m*todo ms eficiente consiste en utilizar los #.;. ?FF21 y ?FFA1 controlan una entrada TT/ estndar, esto quiere decir que la cone%in se puede hacer en forma directa. /os bufferes ?F?> y ?FEF pueden mane(ar en forma directa mnimo una entrada N?, una N?,, 2? N?/, N N?/<, 2 N?<.
)I%R
INT,R8*C,+
105
)s necesario aclarar que en la prctica la capacidad de mane(o de las salidas de los #.;. anteriores se debe determinar por las corrientes de salida y de entrada para los 5A y 51 de los dispositivos que se deseen interfasar. 6. CMOS a TTL con -olta=e de alimentacin di3erente empleando un diodo
6V 23 9 1 C0O( 105 71C
<e puede realizar

.V
1 ,,71-(
1*270
)l diodo bloquea el volta(e de la salida #:8< cuando este est en 5A y 9 coloca la entrada TT/ en 5A. /a forma ms empleada por su sencillez consiste en emplear los bufferes ?F?> o ?FEF. Gn e(emplo con el ?FEF se puede observar en la siguiente figura )stos dispositivos en sus entradas pueden aceptar volta(es superiores a los de la alimentacin. #omo se puede ver e en el circuito el ?FEF recibe volta(es de entrada hasta de > K y suministra entre F y E K en su salida.
6V .V 1 C0O( 105 71C 10.0 1 1 ,,715 71-(
$$%+% INTER.ACES REALES 9 Con diodos LEDs /os diodos emisores de luz, /)6s, se utilizan ante todo con el fin de monitorear se3ales digitales o para transmitir informacin. /)6
)I%R
106
C todo
A"odo
(Em4olo -#&ico
0ara su cone%in se deben tener en cuenta los siguientes parmetros suministrados por los fabricantes KB L ;B. KB es la cada de volta(e entre los terminales del /)6 en 06 y ; B es la m%ima corriente que puede circular por *l en 06, conocida tambi*n como corriente nominal. /a cantidad de luz es proporcional a la corriente circulante, pero esta no puede e%ceder ;B, por esto casi siempre se hace necesario conectarlos en serie con una resistencia limitadora. )l valor de esta resistencia se halla seg$n la siguiente frmula
R+ .
( 4CC
- 4 8) I8
Gn valor mnimo de 9< es AAF y tpico 2 Q . )(emplos

%i&'ra A + .V C0O( %i&'ra B + .V C0O(
;nterface de /)6 con salidas #:8< y K66 O E K. )n A el /)6 enciende cuando la salida est en 5A, en el caso de 1 sucede lo contrario, es decir enciende cuando la salida est en 51.
)I%R
INT,R8*C,+
%i&'ra A + 6V C0O( 19 %i&'ra B + 6V
107
C0O(
19
;nterface de /)6 con salida #:8< y fuente de alimentacin de > K.

%i&'ra A + .V 19 1 ,,%i&'ra B + .V
,,-
19
;nterface de /)6 con salida TT/. )n A el /)6 enciende cuando la salida est en 5A, y en 1 cuando est en 51. <i aparte de monitorear la salida se hace necesaria la cone%in de esta a entradas de compuertas, entonces se debe aumentar el valor de 9 para limitar el consumo de corriente, o bien si no es posible, entonces emplear un transistor como amplificador. )(emplo
)I%R
108

%i&'ra A + .V 220
(alida
C0O( o ,,:"tr 1 33 9 2*3601
%i&'ra A + .V 220
(alida
C0O( o ,,:"tr 1 2*3602 33 9
)n A el transistor 505 conduce cuando la entrada + )ntr . est en 51. )n este caso la salida estar en 51 y la corriente circula de RE K, por 9, /)6, base7emisor y a tierra. )l /)6 encender. #uando la entrada est en 5A el transistor pasa a corte, por la salida circula una corriente de poca magnitud y el /)6 permanece apagado. )n este momento habr un 5A en la salida. )n 1 el transistor 050 conduce cuando la entrada est en 5A. )n la salida tenemos entonces un 51 y el /)6 encender. 7 Dis,la1s C segmentos Gno de los cdigos ms empleados para la visualizacin de cantidades num*ricas es el 1#6 + 1inary #oded 6ecimal 7 #odificacin 1inaria de 6ecimales .. )ste cdigo asigna a cada dgito decimal una combinacin binaria de ? cifras.
)I%R
INT,R8*C,+
109
1inario FFFF FFF2 FF2F . . 2FF2
6ecimal F 2 A . . >
0ara la entrada de este tipo de informacin se emplea generalmente un codificador de 2F4?, tambi*n conocido como 6)#41#6, debido a que convierte de decimal a 1#6.
+ .V .9 0 +++1 +++2 +++3 +++1
D:C / BCD D C B A + + +
+++6
0ara la visualizacin se emplean displays N segmentos controlados por decodificadores 1#64N7segmentos.

BCD / 7 D C B A a 4 c d e B & B & e d c d 4 Di$=laK 7> $e&me"to$
)%isten dos tipos de displays N7segmentos realizados con cristal lquido /#6.
/os realizados con diodos /)6s y los
/os fabricados con /)6s pueden ser de dos tipos nodo com$n o de ctodo com$n, como se muestra en la siguiente figura. /os displays de nodo com$n requieren un decodificador con salidas en lgica inversa, es decir, un 51 enciende el segmento conectado a ella.
)I%R
110
a 4 + + + &
a 4 + + + &
a 4 + + + & + + +
a 4
&
C todo ComN"
A"odo ComN"
0ara interfasar este tipo de displays se deben tener en cuenta los mismos cuidados e%plicados para la cone%in con /)6s. /os displays /#6 operan ba(o un principio diferente al de los de /)6s. #ada segmento est construido de un fluido viscoso, que normalmente es transparente e invisible a la vista humana, pero que se opaca cuando se energiza mediante un volta(e de corriente alterna de poca magnitud y de ba(a frecuencia. )l volta(e es, generalmente, una onda cuadrada de D a 2E K de amplitud y de AE a @F ,z. <e aplica entre el pin de acceso al segmento y el llamado bacMplane, que es el com$n a todos lo segmentos. )(emplo
30 @I + 6V 1 = 1 = 1 = 1 = 1 = 1 = 1 = 1 a 4 c d e B & BP
1 1 1 0 0
10 9
)%isten otros tipos de presentadores visuales como las matrices de puntos, que tambi*n pueden ser realizados con /)6s o con cristal lquido /#6.
)I%R
INT,R8*C,+
111
7 Interru,tores electromec6nicos <e encuentran en el mercado diferentes tipos de interruptores 0ulsadores, de D posiciones, deslizantes, de codillo, dips-itch, etc. )(emplos
+ .V ( 1 R2 R1 1 + .V R1 100 9 R2
C0O( ,,-
100 9 330
10 9
<e pueden emplear tanto para #:8< como TT/. )stos e(emplos son sencillos, pero son sensibles al fenmeno conocido como rebote. 6ebido a su funcionamiento mecnico los contactos de un interruptor rebotan varias veces antes de cerrarsen definitivamente, provocando una serie de pulsos que hacen que los circuitos oscilen durante un tiempo determinado. 6ispositivos tales como flip7flops, contadores, registros, etc. susceptibles a pulsos resultan afectados y su funcionamiento ser errado debido al fenmeno de rebote. 0ara este tipo de dispositivos se deben organizar interruptores antirebote, como los e%puestos a continuacin
+ 6V + .V 10 9
8 ( (alida
157 9
100 9 (
051 '%
1063
8 10 9
+ .V
7100
)n el caso que el interruptor a conectar sea un pulsador, entonces se puede emplear un EEE en configuracin de monoestable. )%isten una gran variedad de cone%iones antirebote de interruptores de todos los tipos, para mayor informacin se pueden consultar el curso de )lectrnica 6igital de la #eMit. 7 /mparas y zumbadores de ba(a potencia /as lmparas se emplean como elementos de iluminacin y monitoreo en muchas aplicaciones como linternas, iluminacin de mensa(es en vehculos, aviones, electrodom*sticos, etc. 0ara conectar este tipo de dispositivos se pueden emplear transistores de amplificacin.
)I%R
112

+ .V .V ,,o C0O( 1 1 9 .0 mA
2*3601
/os zumbadores se utilizan como anunciadores sonoros de ba(o consumo. Tienen aplicacin en relo(es, alarmas, buscapersonas, etc. Absorben entre D y E mA cuando suena. Gna salida TT/ estndar puede mane(ar directamente un zumbador. Tienen polaridad, que debe respetarse para su normal funcionamiento.
+ .V 1*1001
,,o C0O(
1 252 9
2*3601
)l diodo evita que los picos de volta(e generados por el zumbador se rieguen en forma de ruido y afecten la operacin de los dems #.;. conectados a la misma fuente. 7 Rele-adores <on dispositivos electromecnicos muy utilizados en control para activar o desactivar cargas. /os constituyen una bobina y varios contactos, unos normalmente abiertos 5A y otros normalmente cerrados 5#.
*C ComN" *A Bo4i"a
)I%R
INT,R8*C,+
113
#uando se hace circular corriente por la bobina los contactos 5A se cierran y los 5# se abren. )n el siguiente e(emplo se e%pone una forma de interfasar relevadores a salidas lgicas TT/ o #:8<.
+ .V 1*1001 Rel! . V ,,o C0O( 1 252 9 2*3601 *C ComN" *A .00
)ste circuito se puede emplear para relevadores que necesiten menos de DF mA para energizar la bobina. 7 Par o,toaco,lador 1 tiristor )l par optoacoplador y tiristor se utiliza para interfasar se3ales de ba(a potencia en circuitos de alta, ofreciendo un completo aislamiento el*ctrico entre los dispositivos. /os tiristores pueden considerarse interruptores de estado slido con tres o ms uniones 05. /os ms empleados en control son los <#9 y los triacs. /os #<9, rectificador controlado de silicio, es un dispositivo de tres uniones semiconductoras.
C todo * P * P A"odo C todo Com='erta ? ?
/a funcin de la compuerta es controlar el inicio de la conduccin en el <#9. Gna vez aparece la corriente de nodo a ctodo puede desactivarse la compuerta y el <#9 continuar conduciendo. /os <#9 se utilizan para controlar circuitos de corriente continua.
)I%R
114
/os triacs permiten conducir sin importar la polaridad del volta(e de carga en el circuito principal, y se mantienen en este estado mientras e%ista la corriente de graduador. /a corriente de graduador puede ser positiva o negativa para activar el triac. <e emplean para controlar circuitos de corriente alterna.
,erm+ 1 Com='erta 0,1
* *
? Com='erta
P * P P
*
0,2
,erm+ 2
Gn e(emplo de triac es el T;#A@D para AE A con tensiones entre AFF y @FF K ca. de Te%as. <us datos t*cnicos son K69 : T;#A@D1 O AFF K T;#A@D6 O ?FF K T;# A@D) O EFF K T;#A@D: O @FF K ;T< : O AE A ;=T5 O EF mA corriente mnima para activar el triac.
0,1 0,2 ?
,)C 223
/os optoacopladores tambi*n son conocidos como optoaisladores o fotoacopladores. <e utilizan para acoplar se3ales de un circuito a otro por medio de un rayo de luz, proporcionando un completo aislamiento el*ctrico entre ambos. <on compatibles con las compuertas lgicas, poseen el mismo tama3o de estas y son muy confiables. )(emplos de optoacopladores son
)I%R
INT,R8*C,+
Colector A"odo 1 . 2*22 (alida co" Bototra"$i$tor C todo 2 2 Ba$e 1 :mi$or
115
A"odo 1
Colector 2*22 (alida co" Botodarli"&to"
C todo
2 2 Ba$e 1 :mi$or
A"odo 1
0,1 0OC3010 (alida co" Bototriac
C todo
1 0,2
/os parmetros el*ctricos de volta(e y corrientes se encuentran en las fichas t*cnicas de los manuales de elementos pticos. A continuacin veremos algunos e(emplos de empleo del par optoacoplador tiristor.
+ .V 252 9 21 V CC 1 1*22 10 9 .
1 ,,- o C0O(
2 2
)I%R
116
)l optoacoplador convierte un volta(e de F K en un 5A de E K, y un volta(e de A? K cc en un 51 de F K.

.2 9
1*33 1
+ .V
11. V
,,- o C0O( 3. '%
1*1001 Ba$e
170
)ste circuito convierte 22E K ca a un 5A de E K, y F K en un 51 de F K. <e pueden utilizar para monitorear una lnea de 22E K corriente alterna.
.V 19
220
2*21.1
R car&a
,, o C0O(
,R )AC 1 ?
36
11. V
0+01 '% 20 @I B'$i4le 0OC3010
9carga puede ser una lmpara de 2FF P, o cualquier otro artefacto que traba(e con 22E K ca, @F ,z y que consuma menos de 2FF P. Gn 5A TT/ o #:8< activan el circuito de 22E K ca, y un 51 har que el triac funcione como un interruptor abierto.
)I%R
DI+,AO 8U,NT, D, *)IM,NT*CION
117
PARTE I;
.UENTE DE ALIMENTACION
12.
DISE"O !UENTE DE ALIMENTACION
6ebido a que los dispositivos TT/ y algunas subfamilias #:8< traba(an $nicamente con E K E S, se hace necesario el empleo de fuentes reguladas de este valor. Gna fuente regulada de E K y 2 A ser suficiente para llevar a cabo los laboratorios y proyectos de este curso y los subsiguientes de la lnea de hard-are.
$+%$% ESTRUCTURA INTERNA )n la siguiente figura se ilustra el diagrama de bloques de la fuente de alimentacin a dise3ar
120 V 20 @I ,ra"$Bormaci#" RectiBicaci#" %iltrado Re&'laci#" Protecci#"
.V
Trans3ormacin )n esta fase la se3al de 2AF K ca utilizando un transformador es disminuida a un valor cercano al volta(e requerido. /a frecuencia sigue siendo de @F ,z. 0ara la fuente tratada aqu en concreto la se3al de salida del transformador es de 2F K ca @F ,z.
V 120 V 170 V 0 t V 110 V 0 t
:"trada al tra"$Bormador
(alida
Recti3icacin /a tensin de ca se convierte en un ondulado compuesto solo por las ondas positivas de la se3al de salida del transformador.
)I%R
118

V 10 V
t
(alida del rectiBicador
.iltrado <uaviza las ! protuberancias ! en la onda rectificada, quedando solamente un rizado en la salida.
V
VR)IADO VP)CO VC t VP)CO =VR)IADO +VC

(A-)DA D:- %)-,RO
Regulacin )ntrega en su salida un volta(e constante, sin importar las variaciones en la tensin de alimentacin + 2AF K ca ., las variaciones en la carga para un valor m%imo de corriente de salida, la frecuencia, temperatura, etc. )n nuestro caso el regulador ser de E K y 2 A de corriente.
V +V
Proteccin contra so!recarga 0rotege la fuente cuando el circuito, al cual alimenta, requiere ms corriente que aquella para la cual ella fue dise3ada. /a proteccin contra sobrecarga tambi*n evitar el da3o de la fuente por corto circuito. )sta parte no se tendr en cuenta en el dise3o, mayor informacin se encuentra en el libro ! #onstruya un computador en base al U7CF !
$+%+% DISEO /as primeras consideraciones a tener en cuenta son el volta(e y la corriente m%ima de salida. #omo se aclar anteriormente una fuente regulada de E K y 2 A son las caractersticas de la fuente a dise3ar.
)I%R
119
Regulador #omo reguladores emplearemos las series NC%% y N>%%. /os NC%% regulan volta(es positivos, por e(emplo, el NCFE y NC2A que regulan RE K y R2A K respectivamente para corrientes hasta de 2 A. /os N>%% se utilizan para volta(es negativos, por e(emplo, N>FE y N>2A que regulan 7E K y 72A K respectivamente para corrientes hasta de 2 A. )ste tipo de reguladores tiene tres terminales
730.
)*(1)
OC,(3)
)l NCFE re$ne los requisitos necesarios, para la fuente. t*cnicas son K8GT O E K ;8GT O 2 A K;5 O N a AF K Kolta(e de cada entre los terminales del regulador O A K.
<us caractersticas
)l NCFE necesita un volta(e de entrada mnimo de N K y m%imo de AF K, para regular los E K de salida. )scogemos un valor seguro, no muy alto que aumente la disipacin de potencia y no muy ba(o que altere el funcionamiento del regulador. Tomamos un K;5 O 2F K, aunque > K tambi*n podran ser suficientes. .iltro La habamos dicho que el filtro entrega un K0;#8, K9; UA 68 y K#. 8bservar grfico en 2A.2 filtrado. 6ebido a que el K;5 escogido para el NCFE es de 2F K, entonces el filtro debe abastecer un K# igual a este valor. ,allamos K0;#8 seg$n la siguiente frmula. K0;#8 O 2,AE % K# F 2A,E K K9; UA 68 O A,E K /a capacitancia del filtro la calculamos seg$n la siguiente frmula # O ; % dt4dv 6onde ; corriente m%ima de descarga. )n este caso 2 A.
)I%R
120
tiempo de carga del condensador. #omo el rectificador es de onda completa la frecuencia de carga es el doble de la de es decir, 2AF ,z. )ntonces dt O C,D m<. dv tensin de rizado admisible. dv O A,E K. dt # O 2 % C,D % 2F7D 4 A,E O DDAF B
ca,
Gn valor superior de # aportar un me(or filtrado + con menos rizado . en la se3al de salida.
Vi" 730. Vo't
330 '%
ComN"
.V 5 1A
Recti3icador )n general se emplean dos formas de rectificacin de media onda y de onda completa. /os de media onda se realizan de la siguiente forma
%a$e D Vo't Vo't 0 ComN"
t
0edia O"da
/os rectificadores de onda completa pueden utilizar dos fases. <e pueden realizar en la siguiente forma
)I%R

%i&'ra A %a$e1 D1 Vo't
121
Vo't
ComN"
0 %a$e2 D2
t
O"da Com=leta
%i&'ra B %a$e1 ca D1 Vo't
D1
D2 ca D3
Vo't 0 O"da Com=leta
ComN"
)n A 62 y 6A se 06 en forma consecutiva cuando llega la onda positiva de cada fase. La sabemos que la cada de potencial entre los terminales de cada diodo 06 es de F,N K. )ste valor debe ser considerado para realizar los clculos del transformador. 8bserve que se utiliza un total de tres lneas de salida en el secundario del transformador 6os fases y el com$n. #uando en la fase2 se encuentra la onda positiva 62 se 06 y la corriente fluye por 62, carga el filtro, por el NCFE, a la carga y regresa por el com$n. )n estos instantes 6A se encuentra en 0; debido a que en la faseA se encuentra la onda negativa de ca. #uando a la faseA llega la onda positiva, entonces 6A se 06 y 62 se 0;. /a corriente fluye por 6A y regresa por el com$n. <i se utiliza un puente, como en 1, solo se necesita una fase y el com$n, haciendo el transformador ms sencillo. #uando en la fase2 se encuentra la onda positiva de ca, entonces 62 y 6D se 06 y permiten el flu(o de corriente. /a corriente circular de la fase2, 62, cargar el filtro, por el NCFE, a la resistencia de carga y regresa por 6D al com$n. #uando en la fase2 se encuentra la onda negativa, entonces 6A y 6? se 06. 6ebido a que la corriente circula por dos diodos, el volta(e en la salida del rectificador realmente es inferior en 2,? K, que deben ser considerados en el momento de elegir el transformador. Gtilizaremos un puente para la fuente
)I%R
122

%a$e1
ca
Vi"
730.
Vo't
D1
D2 ca D3 330 '%
ComN" . V cc 5 1 A
ComN"
/os parmetros a tener en cuenta son #orriente de sobrecarga. Al encender la fuente el filtro se encuentra ;<81 totalmente descargado y como la $nica resistencia en serie con *l es la del devanado del transformador 9<, entonces aparece una corriente de carga bastante alta. <i consideramos el valor de 9< igual a F,2 , entonces ;<8< O K0;#8 4 9< O 2A,E 4 F,2 O 2AE A /a constante de tiempo ser igual a T O 9< % # O F,2 % DDFF % 2F7@ O DDF < <i ;<8< del diodo es mayor que ;<8< del circuito y T es menor que C,D m<, entonces la sobrecarga de corriente no producir ning$n da3o en los diodos rectificadores. ;B 0;K :%ima corriente continua en 06. )sta debe ser superior mnimo a A A, que es la m%ima abastecida por el NCFE en instantes de picos. Kolta(e m%imo aplicable al diodo en 0;. <on normales en las lneas de 2AF K ca transitorios con picos de ?FF K. )sto hace que K0;#8 se eleve a ?D K. <e recomienda utilizar diodos con 0;K no inferiores a EF K.
/os puentes pueden ser realizados con diodos discretos, o se pueden adquirir en forma monoltica. /as caractersticas de un puente pueden ser ;B O 2A A, Trans3ormador /a tensin siguiente frmula ;<8< O DFF A, 0;K O 2FF K se calcula seg$n la
+ Kalor cuadrtico medio .
K O + K# R K9; UA 68 R K9)#T . 4 A O + 2F R A,E R 2,? . 4 2,?2 K O >,CA K )l secundario del transformador debe tener una fase de 2F K mnimo A A de corriente. )l diagrama el*ctrico de la fuente es
)I%R
ca
y abastecer
123
%a$e1
Vi"
730.
Vo't
120 V 20 @I
D1
D2 330 '% D3
ComN" . V cc 5 1 A
ComN"
)I%R

Historia de los primeros computadores

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INTRODUCCION

(1792 - 1871) Profesor de Matemticas de a U!i"ersidad de Cam#rid$e(%ra! &reta'a)( )I%R

INTRODUCCION * )O+ +I+T,M*+ DI%IT*),+

-I+TORI* D, )* T,CNIC* D, COMPUT*CION

HISTORIA DE LA TECNICA DE COMPUTACION

INTRODUCCION * )O+ +I+T,M*+ DI%IT*),+

-I+TORI* D, )* T,CNIC* D, COMPUT*CION

INTRODUCCION * )O+ +I+T,M*+ DI%IT*),+

/a unidad de corriente es el amperio.

$%+% TIPOS DE CORRIENTES ) DE ELEMENTOS DE CIRCUITOS

CONC,PTO+ &*+ICO+ INTRODUCCION

INTRODUCCION * )O+ +I+T,M*+ DI%IT*),+

6onde / es la constante de autoinductancia.

CONC,PTO+ &*+ICO+ INTRODUCCION

INTRODUCCION * )O+ +I+T,M*+ DI%IT*),+

CONC,PTO+ &*+ICO+ INTRODUCCION

Resistores -aria!les* los potencimetros.

)%isten dos tipos de resistores variables

)l potencimetro se puede implementar como restato.

INTRODUCCION * )O+ +I+T,M*+ DI%IT*),+

CONC,PTO+ &*+ICO+ INTRODUCCION

INTRODUCCION * )O+ +I+T,M*+ DI%IT*),+

t2 tiempo de carga tD tiempo de descarga

CONC,PTO+ &*+ICO+ INTRODUCCION

INTRODUCCION * )O+ +I+T,M*+ DI%IT*),+

CONC,PTO+ &*+ICO+ INTRODUCCION

INTRODUCCION * )O+ +I+T,M*+ DI%IT*),+

CIRCUITOS DIGITALES Y COMPUERTAS

.UNCION NOT B toma el valor inverso de A.

.UNCION )ES B toma el mismo valor de A.

CIRCUITO+ DI%IT*),+ : COMPU,RT*+ )O%IC*+

.UNCION OR9E:CLUSI;O entradas est en uno.

B toma el valor de uno solamente cuando una de las

.UNCION DE E<UI;ALENCIA B toma el valor de uno solamente cuando A, 1 L # son iguales.

% =ABC + ABC +ABC +ABC

INTRODUCCION * )O+ +I+T,M*+ DI%IT*),+

CIRCUITO+ DI%IT*),+ : COMPU,RT*+ )O%IC*+

(e;al A" lo&a

INTRODUCCION * )O+ +I+T,M*+ DI%IT*),+

CIRCUITO+ DI%IT*),+ : COMPU,RT*+ )O%IC*+

03223 (e;al (*71-(03*

INTRODUCCION * )O+ +I+T,M*+ DI%IT*),+

CIRCUITO+ DI%IT*),+ : COMPU,RT*+ )O%IC*+

/as posibilidades de traba(o sin da3os de #; en el tiempo t se calcula as

INTRODUCCION * )O+ +I+T,M*+ DI%IT*),+

INTRODUCCION * )O+ +I+T,M*+ DI%IT*),+

?erm a" io (ilicio

INTRODUCCION * )O+ +I+T,M*+ DI%IT*),+

INTRODUCCION * )O+ +I+T,M*+ DI%IT*),+

#ompuerta 89 para la lgica negativa.

/%/% COMPUERTA OR CON DIODOS

#ompuerta A56 para la lgica negativa.

INTRODUCCION * )O+ +I+T,M*+ DI%IT*),+

LOGICA DE RESISTENCIA A TRANSISTOR

)l circuito tiene un transistor 505 con el emisor a tierra.

)O%IC* D, TR*N+I+TOR * TR*N+I+TOR

)n esta configuracin el transistor puede operarse en tres modos

INTRODUCCION * )O+ +I+T,M*+ DI%IT*),+

)O%IC* D, TR*N+I+TOR * TR*N+I+TOR

)%aminemos el siguiente circuito

.V :"t rada .V (alida V 4= 0 +7 V Cort e A (at 'raci#" B C D Cort e

INTRODUCCION * )O+ +I+T,M*+ DI%IT*),+

)O%IC* D, TR*N+I+TOR * TR*N+I+TOR

INTRODUCCION * )O+ +I+T,M+ DI%IT),+

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CIRCUITO+ DI%IT),+ : COMPU,RT+ )O%IC*+

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03223 (e;al (71-(03

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CIRCUITO+ DI%IT),+ : COMPU,RT+ )O%IC*+

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)O%IC* D, TRN+I+TOR TR*N+I+TOR

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)n trminos elctricos esto equivaldra a

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-#&ica "e&ativa Com='erta AD>O,

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" MIN OM; " O) " MIN I" M; I)

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INTRODUCCION * )O+ +I+T,M+ DI%IT),+

Com='erta AD>O, -#&ica =o$itiva

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INTRODUCCION * )O+ +I+T,M+ DI%IT),+

" MIN OM; " O) " MIN I" M; I)

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