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UFSM

Tese de Doutorado



PROJETO DE CONVERSORES ESTTICOS FAZENDO USO
DE UMA METODOLOGIA DE MINIMIZAO DE
VOLUME/PERDAS/CUSTO




Hamiltom Confortin Sartori





PPGEE





Santa Maria, RS, Brasil




2013


PROJETO DE CONVERSORES ESTTICOS FAZENDO USO
DE UMA METODOLOGIA DE MINIMIZAO DE
VOLUME/PERDAS/CUSTO











Hamiltom Confortin Sartori



Tese de doutorado apresentada ao curso de doutorado do Programa de Ps
Graduao em Engenharia Eltrica, rea de Eletrnica de Potencia e
Processamento de Energia, da Universidade Federal de Santa Maria,(UFSM,
RS), como requisito parcial para obteno de grau de
Doutor em Engenharia Eltrica





Orientador: Prof. Jos Renes Pinheiro






Santa Maria, RS, Brasil.
2004


























__________________________________________________________________________
2013
Todos os direitos autorais reservados a Hamiltom Confortin Sartori. A reproduo de partes
ou do todo deste trabalho s poder ser com autorizao por escrito do autor.
Endereo: Rua Baro do Triunfo, n 1670/304, Santa Maria, RS, 97070-015
Fone (0xx)55 3220.8463; Endereo eletrnico: hamiltomsar@gmail.com
___________________________________________________________________________



































Para Antnio Carlos e Norma, meus pais,
para Carla e Luis Filipe, meus irmos e
para os familiares e amigos que sempre me apoiaram.



Suba o primeiro degrau com f. No necessrio que
voc veja toda a escada. Apenas d o primeiro passo.
Martin Luther King




A mente que se abre a uma nova idia jamais voltar
ao seu tamanho original.
Albert Einstein

A coisa mais indispensvel a um homem
reconhecer o uso que deve fazer do seu prprio
conhecimento.
Plato

Agradecimentos
Ao professor Jos Renes Pinheiro, por sua amizade, colaborao e por me conceder a
oportunidade de realizar este trabalho sob sua orientao.
Aos professores Hlio Lees Hey, Humberto Pinheiro, Hilton Ablio Grundling, Jos
Eduardo Baggio, Luciano Schuch, Jumar Russi e Mario Lcio da Silva Martins pela amizade,
conhecimento e experincia transmitidos no decorrer do Doutorado, contribuindo de forma
relevante na elaborao deste trabalho.
Aos colegas e ex colegas do GEPOC, Cleber Zanatta, Diorge Bo Zambra, Paulo
Canuto Ficagna, Fernando Beltrame, Jonatan Zientarsky, Braian Kaiser Zaninni, Thiago
Rampelotto, Everton Cocco Cancian e Henrique Figueira que de alguma forma colaboraram
com o desenvolvimento deste trabalho e pelos fortes laos de amizade criados entre ns.
Aos amigos do NUPEDEE e da PPGEE que colaboraram na realizao desse trabalho.
Universidade Federal de Santa Maria, a CAPES e ao CNPq pelo apoio financeiro
indispensvel para a realizao de uma pesquisa de qualidade.
Aos meus pais, Antnio Carlos e Norma, a os meus irmos Luis Filipe e Carla e a
toda minha famlia, pelos ensinamentos que carregarei por toda a vida, pela confiana,
incentivo e pelo amor em mim depositado.
minha namorada Giane Arajo Tonial pelo apoio, confiana e amor mim
dedicados.
A Deus.


RESUMO

Tese de Doutorado
Programa de Ps-Graduao em Engenharia Eltrica
Universidade Federal de Santa Maria

PROJETO DE CONVERSORES ESTTICOS FAZENDO USO DE UMA
METODOLOGIA DE MINIMIZAO DE VOLUME/PERDAS/CUSTO

Autor: Hamiltom Confortin Sartori
Orientador: Professor Dr. Jos Renes Pinheiro
Local e Data da Defesa: Santa Maria, agosto de 2013.


Esta tese apresenta uma nova metodologia de projetos para conversores eletrnicos de
potncia, com otimizao de volume, custo e rendimento. A metodologia de otimizao,
desenvolvida atravs de interaes matemticas, baseada no conceito de projeto integrado do
conversor, em outras palavras, os principais componentes do sistema so projetados
simultaneamente em funo de uma varivel comum. O projeto integrado disponibiliza reduo
de tempo e custo do projeto fornecendo uma soluo completa de acordo com o objetivo de
otimizao. A metodologia proposta ilustrada com a ajuda do estudo de caso do conversor Boost
com correo do fator de potncia (do ingls power factor corrector - PFC), com a incluso de
um filtro de EMI. Para este estudo de caso, trs diferentes tecnologias de materiais magnticos so
utilizadas nos projetos do indutor Boost e dos indutores de filtro, diferentes tecnologias de
semicondutores e perfis de dissipadores tambm so analisadas, objetivando avaliar o impacto de
cada diferente tecnologia no volume, custo e rendimento do conversor. Alm disso, circuitos de
auxlio comutao (snubber e ZVT) so projetados e os resultados de seu volume, custo e
rendimento comparados aos do conversor com comutao forada. Para validar os modelos
adotados e as analises tericas, medidas eltricas, trmicas e mecnicas so obtidas
experimentalmente.

Palavras-Chave: Metodologia de projetos, otimizao, volume, custo, rendimento.

ABSTRACT

Ph.D. Thesis
Postgraduate Program in Electrical Engineering
Federal University of Santa Maria, RS, Brazil

ANALYSIS OF THE DESIGN OF STATIC CONVERTERS MAKING
USE OF A METHODOLOGY FOR MINIMISING VOLUME
/LOSSES/COST

Author: Hamiltom Confortin Sartori
Research Supervisor: Professor Dr. Jos Renes Pinheiro
August 2013 Santa Maria.

This thesis presents a new optimization design methodology for power electronics
converters with volume, cost and efficiency objectives. The optimization methodology,
achieved by mathematical interactions, is based on the concept of the converter integrated
design. In other words, the main physical converter components are designed simultaneously
in the function of a common variable. The integrated design provides for the reduction of cost
and time of the system design and also gives complete and matched solutions with the
objective of the proposed optimization. The proposed methodology is illustrated with the help
of a case study of a Boost Power Factor Correction converter (PFC) including an input EMI
filter. In this case study, three different magnetic materials are used in both inductors designs
(Boost and EMI filter), different semiconductors technologies and heat sink profile are also
analyzed, aiming to demonstrate how technology affects the volume, cost and efficiency of
the converter. Furthermore, switching auxiliary circuits (snubber and ZVT) are designed and its
volume, cost and efficiency results are compared to the converter with hard switching. To
confirm the models and theoretical analysis that was carried out, the experimental mechanical,
electrical and thermal measurements are presented.

Keywords Design methodology, optimization, volume, cost and efficiency.

LISTA DE FIGURAS
Figura 1.1: Conversor Boost PFC, definio dos principais componentes. ...........................................27
Figura 1.2: Comportamento do volume/perdas dos principais componentes do conversor Boost, (a)
considerando frequncia de comutao constante e (b) considerando ripple constante. .......................28
Figura 1.3: Conversor Buck. ..................................................................................................................32
Figura 1.4: Comportamento da corrente do indutor. ..............................................................................33
Figura 2.1: Fluxograma da metodologia de projetos..............................................................................40
Figura 2.2: Simulao da corrente de entrada para frequncia de comutao de 14kHz. ......................44
Figura 2.3: Simulao da corrente de entrada para frequncia de comutao de 29kHz. ......................44
Figura 2.4: Simulao da corrente de entrada para frequncia de comutao de 74kHz. ......................44
Figura 2.5: Variao da resistncia srie equivalente do capacitor (ESR). ............................................46
Figura 2.6: Perdas no capacitor de sada em funo do ponto de operao. ..........................................46
Figura 3.1: Efeito fringing flux em ncleos com entreferro a ar. ...........................................................50
Figura 3.2: Efeito fringing flux em ncleos powder...............................................................................50
Figura 3.3: Curva para seleo de ncleos para o material MPP. ..........................................................52
Figura 3.4: Curva para seleo de ncleos para o material High Flux...................................................52
Figura 3.5: Curva para seleo de ncleos para o material KoolM. ....................................................53
Figura 3.6: Comportamento do volume do indutor para o material magntico MPP em funo da
varredura em (i @ fs). ..........................................................................................................................54
Figura 3.7: Comportamento do volume do indutor para o material magntico High Flux em funo da
varredura em (i @ fs). ..........................................................................................................................54
Figura 3.8: Comportamento do volume do indutor para o material magntico KoolM em funo da
varredura em (i @ fs). ..........................................................................................................................55
Figura 3.9: Permeabilidade em funo da fora magnetizante para o material MPP.............................57
Figura 3.10: Permeabilidade em funo da fora magnetizante para o material High Flux. .................57
Figura 3.11: Permeabilidade em funo da fora magnetizante para o material KoolM. ....................58
Figura 3.12: Variao da permeabilidade em funo da temperatura para o material MPP. .................59
Figura 3.13: Variao da permeabilidade em funo da densidade de fluxo CA para o material MPP.59
Figura 3.14:Variao da permeabilidade em funo da frequncia de operao para o material MPP.59
Figura 3.15: Corrente de entrada considerando o efeito da variao da permeabilidade para o material MPP. ... 62
Figura 3.16: Corrente de entrada considerando o efeito da variao da permeabilidade para o material
High Flux. ..............................................................................................................................................62

Figura 3.17:Correntede entrada considerando o efeito da variao da permeabilidade para o material
KoolM. .................................................................................................................................................62
Figura 3.18: Comportamento das perdas no cobre do indutor para o material magntico MPP em
funo da varredura em (i @ fs)...........................................................................................................65
Figura 3.19: Comportamento das perdas no cobre do indutor para o material magntico High Flux em
funo da varredura em (i @ fs)...........................................................................................................66
Figura 3.20: Comportamento das perdas no cobre do indutor para o material magntico KoolM em
funo da varredura em (i @ fs)...........................................................................................................66
Figura 3.21: Curva de magnetizao para o material MPP. ...................................................................68
Figura 3.22: Curva de magnetizao para o material High Flux............................................................68
Figura 3.23: Curva de magnetizao para o material KoolM. .............................................................69
Figura 3.24: Comportamento das perdas no ncleo para o material magntico MPP em funo da
varredura em (i @ fs). ..........................................................................................................................69
Figura 3.25: Comportamento das perdas no ncleo para o material magntico High Flux em funo da
varredura em (i @ fs). ..........................................................................................................................70
Figura 3.26: Comportamento das perdas no ncleo para o material magntico KoolM em funo da
varredura em (i @ fs). ..........................................................................................................................70
Figura 3.27: Comportamento das perdas no ncleo para o material magntico KoolM em funo da
varredura em (i @ fs). ..........................................................................................................................71
Figura 3.28: Comportamento das perdas no ncleo para o material magntico KoolM em funo da
varredura em (i @ fs). ..........................................................................................................................71
Figura 3.29: Comportamento das perdas no ncleo para o material magntico KoolM em funo da
varredura em (i @ fs). ..........................................................................................................................72
Figura 3.30: Fluxograma para o projeto do indutor. ..............................................................................73
Figura 4.1: Circuito para o rudo de modo diferencial. ..........................................................................76
Figura 4.2: Circuito para o rudo de modo comum. ...............................................................................77
Figura 4.3: Limites de quase-pico para interferncia conduzida segundo a norma CISPR-22. .............78
Figura 4.4: Interferncia eletromagntica de modo diferencial gerada pelo conversor para frequncia
de comutao de 14kHz. ........................................................................................................................79
Figura 4.5: Interferncia eletromagntica de modo diferencial gerada pelo conversor para frequncia
de comutao de 78kHz. ........................................................................................................................80
Figura 4.6: Estrutura da topologia duplo .............................................................................................81
Figura 4.7: Volume do filtro de EMI em funo do ponto de operao para a topologia duplo e para
o material magntico MPP. ....................................................................................................................84
Figura 4.8: Volume do filtro de EMI em funo do ponto de operao para a topologia duplo e para
o material magntico High Flux.............................................................................................................84

Figura 4.9: Volume do filtro de EMI em funo do ponto de operao para a topologia duplo e para
o material magntico KoolM. ..............................................................................................................84
Figura 4.10: Perdas no filtro de EMI em funo do ponto de operao para a topologia duplo e para
o material magntico MPP. ....................................................................................................................85
Figura 4.11: Perdas no filtro de EMI em funo do ponto de operao para a topologia duplo e para
o material magntico High Flux.............................................................................................................86
Figura 4.12: Perdas no filtro de EMI em funo do ponto de operao para a topologia duplo e para
o material magntico KoolM. ..............................................................................................................86
Figura 4.13: Fluxograma para o projeto do filtro de EMI. .....................................................................87
Figura 5.1: Demonstrao da corrente de recuperao reversa. .............................................................92
Figura 5.2: Comportamento da carga de recuperao reversa para o diodo 15ETH06..........................93
Figura 5.3: Comportamento do tempo de recuperao reversa para o diodo 15ETH06. .......................94
Figura 5.4: Perdas totais para o diodo SI 15ETH06...............................................................................95
Figura 5.5: Entrada em conduo do MOSFET. ....................................................................................96
Figura 5.6: Perdas totais para o MOSFET IRF450A. ............................................................................99
Figura 5.7: Perdas totais para o CoolMOS IPP60R299CP. .................................................................100
Figura 5.8: Perdas totais para o CoolMOS SPP17N80C3....................................................................100
Figura 5.9: Perdas totais para o IGBT IRG4BC20UD. ........................................................................101
Figura 5.10: Modelo Unidimensional para Resistncia Trmica. ........................................................102
Figura 5.11: Comportamento da resistncia trmica em relao variao da temperatura de juno e a
temperatura ambiente. ..........................................................................................................................103
Figura 5.12: Fator de Correo de Comprimento.................................................................................104
Figura 5.13: Dimenses do dissipador para o perfil HS 12132 em (mm). ...........................................105
Figura 5.14: Dimenses do dissipador para o perfil HS 7624 em (mm). .............................................105
Figura 5.15: Dimenses do dissipador para o perfil HS 11450 em (mm). ...........................................105
Figura 5.16: Dimenses do dissipador para o perfil HS 6524 em (mm). .............................................106
Figura 5.17: Volume do dissipador trmico para o perfil HS 12132. ..................................................106
Figura 5.18: Volume do dissipador trmico para o perfil HS 7624. ....................................................107
Figura 5.19: Volume do dissipador trmico para o perfil HS 11450. ..................................................107
Figura 5.20: Volume do dissipador trmico para o perfil HS 6524. ....................................................107
Figura 5.21: Fluxograma para seleo dos semicondutores e projeto dos dissipadores.......................108
Figura 6.1: Volume e perdas do conversor em funo do ponto de operao para o par (diodo SI
15ETH06 e MOSFET IRFP450A) e material magntico MPP............................................................111
Figura 6.2: Volume e perdas do conversor em funo do ponto de operao para o par (diodo SI
15ETH06 e MOSFET IRFP450A) e material magntico High Flux. ..................................................111
Figura 6.3: Volume e perdas do conversor em funo do ponto de operao para o par (diodo SI
15ETH06 e MOSFET IRFP450A) e material magntico KoolM. .....................................................112

Figura 6.4: Volume e perdas do conversor em funo do ponto de operao para o par (diodo SI
15ETH06 e CoolMOS SPP17N80C3) e material magntico MPP. .....................................................113
Figura 6.5: Volume e perdas do conversor em funo do ponto de operao para o par (diodo SI
15ETH06 e CoolMOS SPP17N80C3) e material magntico High Flux..............................................113
Figura 6.6: Volume e perdas do conversor em funo do ponto de operao para o par (diodo SI
15ETH06 e CoolMOS SPP17N80C3) e material magntico KoolM. ...............................................113
Figura 6.7: Volume e perdas do conversor em funo do ponto de operao para o par (diodo SI
15ETH06 e CoolMOS IPP60R299CP) e material magntico MPP. ....................................................114
Figura 6.8: Volume e perdas do conversor em funo do ponto de operao para o par (diodo SI
15ETH06 e CoolMOS IPP60R299CP) e material magntico High Flux.............................................115
Figura 6.9: Volume e perdas do conversor em funo do ponto de operao para o par (diodo SI
15ETH06 e CoolMOS IPP60R299CP) e material magntico KoolM. ..............................................115
Figura 6.10: Formas de ondas da tenso de entrada do retificador (120Hz) e corrente no indutor Boost......... 117
Figura 6.11: Dados de entrada e sada do conversor. Eficincia (1) e fator de potncia (1). ...........118
Figura 6.12: Compotamento da temperatura do ncleo do indutor Boost em funo do ponto de
operao para o material magntico KoolM. .....................................................................................119
Figura 6.13: Compotamento da temperatura de case do MOSFET em funo do ponto de operao.119
Figura 6.14: Compotamento da temperatura de case do diodo em funo do ponto de operao. ......119
Figura 6.15: Imagens trmicas: (a) indutor Boost (b) case do MOSFET; (c) case do diodo...............120
Figura 6.16: Comparao entre o rudo medido e o estimado, limite da norma CISPR-22, Class B...120
Figura 6.17: Comparao entre rudos do conversor: (a) sem filtro; (b) com filtro. ............................121
Figura 6.18: Diferena de volume entre o ponto de mnimo volume e o segundo ponto.....................122
Figura 6.19: Diferena das perdas entre o ponto de mnimo volume e o segundo ponto.....................122
Figura 6.20: Formas de ondas da tenso de entrada do retificador (120Hz) e corrente no indutor Boost. .... 123
Figura 6.21: Dados de entrada e sada do conversor para o segundo ponto. Eficincia (1) e fator de
potncia (1).........................................................................................................................................123
Figura 6.22: Comportamento da temperatura do indutor Boost para o ponto de timo volume e para o
segundo ponto. .....................................................................................................................................124
Figura 6.23: Comportamento da temperatura de case do MOSFET para o ponto de timo volume e
para o segundo ponto. ..........................................................................................................................124
Figura 6.24: Comportamento da temperatura de case do diodo para o ponto de timo volume e para o
segundo ponto. .....................................................................................................................................125
Figura 6.25: Imagens trmicas: (a) indutor Boost (b) case do MOSFET; (c) case do diodo...............125
Figura 6.26: Comparao entre rudos do conversor (projetado para o segndo ponto de operao): (a)
sem filtro; (b) com filtro.......................................................................................................................126
Figura 7.1: Conversor Boost com snubber passivo de capacitor flutuante [78]...................................129
Figura 7.2: Estgios topolgicos para o circuito com snubber de capacitor flutuante [78]..............131

Figura 7.3: Formas de ondas para o snubber com capacitor flutuante [78]......................................131
Figura 7.4: Volume e perdas do conversor (com snubber) em funo do ponto de operao para o par
(diodo SI 15ETH06 e MOSFET IRFP450A) e material magntico MPP............................................132
Figura 7.5: Volume e perdas do conversor (com snubber) em funo do ponto de operao para o par
(diodo SI 15ETH06 e MOSFET IRFP450A) e material magntico High Flux. ..................................132
Figura 7.6: Volume e perdas do conversor (com snubber) em funo do ponto de operao para o par
(diodo SI 15ETH06 e MOSFET IRFP450A) e material magntico KoolM. .....................................133
Figura 7.7: Volume e perdas do conversor (com snubber) em funo do ponto de operao para o par
(diodo SI 15ETH06 e CoolMOS SPP17N80C3) e material magntico MPP. .....................................134
Figura 7.8: Volume e perdas do conversor (com snubber) em funo do ponto de operao para o par
(diodo SI 15ETH06 e CoolMOS SPP17N80C3) e material magntico High Flux..............................134
Figura 7.9: Volume e perdas do conversor (com snubber) em funo do ponto de operao para o par
(diodo SI 15ETH06 e CoolMOS SPP17N80C3) e material magntico KoolM. ...............................134
Figura 7.10: Volume e perdas do conversor (com snubber) em funo do ponto de operao para o par
(diodo SI 15ETH06 e CoolMOS IPP60R299CP) e material magntico MPP. ....................................135
Figura 7.11: Volume e perdas do conversor (com snubber) em funo do ponto de operao para o par
(diodo SI 15ETH06 e CoolMOS IPP60R299CP) e material magntico High Flux.............................136
Figura 7.12: Volume e perdas do conversor (com snubber) em funo do ponto de operao para o par
(diodo SI 15ETH06 e CoolMOS IPP60R299CP) e material magntico KoolM. ..............................136
Figura 7.13: Conversor boost com circuito ZVT. ................................................................................138
Figura 7.14: Formas de ondas para o circuito ZVT [86]. .....................................................................138
Figura 7.15: Volume e perdas do conversor (com circuito ZVT) em funo do ponto de operao para
o par (diodo SI 15ETH06 e MOSFET IRFP450A) e material magntico MPP...................................139
Figura 7.16: Volume e perdas do conversor (com circuito ZVT) em funo do ponto de operao para
o par (diodo SI 15ETH06 e MOSFET IRFP450A) e material magntico High Flux. .........................139
Figura 7.17: Volume e perdas do conversor (com circuito ZVT) em funo do ponto de operao para
o par (diodo SI 15ETH06 e MOSFET IRFP450A) e material magntico KoolM.............................140
Figura 7.18: Volume e perdas do conversor (com circuito ZVT) em funo do ponto de operao para
o par (diodo SI 15ETH06 e CoolMOS SPP17N80C3) e material magntico MPP. ............................141
Figura 7.19: Volume e perdas do conversor (com circuito ZVT) em funo do ponto de operao para
o par (diodo SI 15ETH06 e CoolMOS SPP17N80C3) e material magntico High Flux.....................141
Figura 7.20: Volume e perdas do conversor (com circuito ZVT) em funo do ponto de operao para
o par (diodo SI 15ETH06 e CoolMOS SPP17N80C3) e material magntico KoolM. ......................142
Figura 7.21: Volume e perdas do conversor (com circuito ZVT) em funo do ponto de operao para
o par (diodo SI 15ETH06 e CoolMOS IPP60R299CP) e material magntico MPP. ...........................143
Figura 7.22: Volume e perdas do conversor (com circuito ZVT) em funo do ponto de operao para
o par (diodo SI 15ETH06 e CoolMOS IPP60R299CP) e material magntico High Flux....................143

Figura 7.23: Volume e perdas do conversor (com circuito ZVT) em funo do ponto de operao para
o par (diodo SI 15ETH06 e CoolMOS IPP60R299CP) e material magntico KoolM. .....................143
Figura 7.24: Volume mnimo e mxima eficincia do conversor considerando diferentes tecnologias
de materiais magnticos e circuitos de auxilio comutao para os semicondutores MOSFET
IRF450A e diodo 15ETH06. ................................................................................................................145
Figura 7.25: Volume mnimo e mxima eficincia do conversor considerando diferentes tecnologias
de materiais magnticos e circuitos de auxilio comutao para os semicondutores CoolMOS
IPP60R299CP e diodo 15ETH06. ........................................................................................................145
Figura 7.26: Volume mnimo e mxima eficincia do conversor considerando diferentes tecnologias
de materiais magnticos e circuitos de auxilio comutao para os semicondutores CoolMOS
SPP17N80C3 e diodo 15ETH06. .........................................................................................................146
Figura 7.27: Custo do conversor considerando diferentes tecnologias de materiais magnticos e
ciruitos de auxilio comutao para os semicondutores MOSFET IRF450A e diodo 15ETH06. ......146
Figura 7.28: Custo do conversor considerando diferentes tecnologias de materiais magnticos e ciruitos de
auxilio comutao para os semicondutores CoolMOS IPP60R299CP e diodo 15ETH06........................147
Figura 7.29: Custo do conversor considerando diferentes tecnologias de materiais magnticos e ciruitos de
auxilio comutao para os semicondutores CoolMOS SPP17N80C3 e diodo 15ETH06.........................147







LISTA DE TABELAS
Tabela I. - Parmetros de entrada para o conversor implementado. ......................................................91
Tabela II. - Parmetros para o ponto de operao de menor volume do conversor, para o MOSFET.112
Tabela III. - Parmetros para o ponto de operao de mxima eficincia do conversor, para o
MOSFET. .....................................................................................................................................112
Tabela IV. - Parmetros para o ponto de operao de menor volume do conversor, para o CooMOS
C3. ................................................................................................................................................114
Tabela V. - Parmetros para o ponto de operao de mxima eficincia do conversor, para o CooMOS C3.
......................................................................................................................................................114
Tabela VI. - Parmetros para o ponto de operao de menor volume do conversor, para o CooMOS
CP. ................................................................................................................................................115
Tabela VII. - Parmetros para o ponto de operao de mxima eficincia do conversor, para o CooMOS
CP. ................................................................................................................................................116
Tabela VIII. - Parmetros de entrada para o conversor implementado. ...............................................117
Tabela IX. - Anlise trmica comparativa entre resultados experimental e simulaes. .....................120
Tabela X. - Parmetros do indutor Boost para o projeto do segundo ponto. .......................................122
Tabela XI. - Anlise trmica comparativa entre resultados experimental e simulaes para o segundo
ponto. ............................................................................................................................................125
Tabela XII. - Parmetros para o ponto de operao de menor volume do conversor (com a incluso do
circuito de snubber), para o MOSFET. ........................................................................................133
Tabela XIII. - Parmetros para o ponto de operao de mxima eficincia do conversor (com a
incluso do circuito de snubber), para o MOSFET. .....................................................................133
Tabela XIV. - Parmetros para o ponto de operao de menor volume do conversor (com a incluso do
circuito de snubber), para o CoolMOSC3. ...................................................................................135
Tabela XV. - Parmetros para o ponto de operao de mxima eficincia do conversor (com a incluso
do circuito de snubber), para o CoolMOSC3. ..............................................................................135
Tabela XVI. - Parmetros para o ponto de operao de menor volume do conversor (com a incluso do
circuito de snubber), para o CoolMOSCP....................................................................................136
Tabela XVII. - P Parmetros para o ponto de operao de mxima eficincia do conversor (com a
incluso do circuito de snubber), para o CoolMOSCP.................................................................137
Tabela XVIII. - Parmetros para o ponto de operao de menor volume do conversor (com a incluso
do circuito de ZVT), para o MOSFET. ........................................................................................140

Tabela XIX. - Parmetros para o ponto de operao de mxima eficincia do conversor (com a
incluso do circuito de snubber), para o MOSFET. .....................................................................141
Tabela XX. - Parmetros para o ponto de operao de menor volume do conversor (com a incluso do
circuito de ZVT), para o CoolMOSC3. ........................................................................................142
Tabela XXI. - Parmetros para o ponto de operao de mxima eficincia do conversor (com a
incluso do circuito de ZVT), para o CoolMOSC3......................................................................142
Tabela XXII. - Parmetros para o ponto de operao de menor volume do conversor (com a incluso
do circuito de ZVT), para o CoolMOSCP. ...................................................................................144
Tabela XXIII. - Parmetros para o ponto de operao de mxima eficincia do conversor (com a
incluso do circuito de ZVT), para o CoolMOSCP......................................................................144


SIMBOLOGIAS E ABREVIATURAS
FP Fator de potncia
THD Total harmonic distortion

Defasagem angular entre tenso e corrente de entrada
V
in
Tenso RMS de entrada
fs Frequncia de comutao
i

Ondulao da corrente de entrada de pico a pico
P
out
Potncia de sada
V
0
Tenso de sada
f
rede
Frequncia da rede
CA Corrente alternada
CC Corrente contnua
Tj Temperatura de juno
T
amb
Temperatura ambiente
L
B
Indutncia do indutor Boost
T
a
Perodo de amostragem da discretizao
K
P
Ganho proporcional
K
I
Ganho integral
G
C
Ganho do controlador

Z
Frequncia de ganho unitrio da funo de transferncia de malha aberta
Z
C
Zero da funo de transferncia do compensador
C
0
Capacitncia do capacitor de barramento
D

Razo cclica
B Amplitude da variao de fluxo magntico
B
Mx
Mxima densidade de fluxo
E
LB
Energia armazenada no indutor
F
B
Frequncia onde ocorre a variao de fluxo magntico
Aw rea interna do ncleo (rea de janela)
Ae

rea de seo transversal do ncleo

R
CA
Resistncia CA em funo da frequncia do harmnico de corrente
l
T
Comprimento mdio de uma espira do enrolamento

CU
Resistividade do cobre

C
Permeabilidade do cobre
fh Frequncia do harmnico
d Dimetro do condutor
t Distncia entre centros de dois condutores adjacentes
N
W
Nmero de camadas de enrolamentos
i
L
(rms) Corrente RMS no indutor Boost
i
L
(f) Harmnico de corrente para cada frequncia de interesse
R
CC
Resistncia hmica do enrolamento.
P
CU
Perdas no cobre
C, m e n Coeficientes de Steinmetz
t
on
Tempo de conduo do transistor por perodo de chaveamento
t
off
Tempo de conduo do diodo por perodo de chaveamento
le

Comprimento mdio do ncleo
Permeabilidade magntica
i

Permeabilidade magntica inicial
o

Permeabilidade do ar
eff Permeabilidade magntica efetiva

eff_mn
Mnima permeabilidade efetiva
L
inicial
Indutncia Boost inicial
L
real
Indutncia Boost real
H
Mx
Mxima induo magntica por semiciclo

pu
Valor por unidade da permeabilidade inicial
N
inicial
Nmero de espiras inicial para o indutor Boost
N
final
Nmero de espiras final para o indutor Boost
FT Transformada de Fourier
FFT Transformada rpida de Fourier
Fc Frequncia de corte
L
CM
Indutncia de filtro para o rudo de modo comum
L
DM
Indutncia de disperso
Cx Capacitncia de filtro de modo diferencial

Cy

Capacitncia de filtro de modo comum
V
int
Tenso interferente
N
filtro
Nmero de espiras para o indutor de filtro
d
til
Dimetro til do fio
J Densidade de corrente
PFC Corretor do fator de potncia
I
F
Corrente mdia de conduo para os diodos
V
F
Tenso direta nos diodos
nTs Nmero de perodos de comutao
Pcond Perdas em conduo para os diodos
I
R
Corrente de recuperao reversa
t
RR
Tempo de recuperao reversa
Q
RR
Carga de recuperao reversa
P
SW
Perdas nas comutaes
P
ON
Perdas em conduo para os interruptores
R
ON
Resistncia de conduo
C
GD
Capacitncia entre gate e dreno
C
GS
Capacitncia entre gate e source
C
DS
Capacitncia entre dreno e source
V
G
Tenso de gate
Q
GD
Carga do capacitor C
GD

Q
GS
Carga do capacitor C
GS

C
ISS
Capacitncia total na entrada em conduo
C
OSS
Capacitncia total na sada de conduo
C
RSS
Capacitncia de transferncia reversa
I
G
Corrente de gate
I
SW
Corrente mdia no interruptor
V
SW
Tenso mdia no interruptor
P
SW
Potncia mdia dissipada no interruptor por perodo de comutao
I
C
Corrente de coletor
V
CE
Tenso entre coletor e emissor
R
JC
Resistncia trmica entre juno e case (cpsula)
R
CD
Resistncia trmica entre case (cpsula) e dissipador

R
SA
Resistncia trmica entre dissipador e ambiente
T
amb
Temperatura ambiente
T
D
Temperatura do dissipador
F
Ctemp
Fator de correo de temperatura
L Indutor Boost e comprimento do dissipador
F
CC
Fator de correo de comprimento
R
TP
Resistncia trmica do dissipador para quatro polegadas





















SUMRIO
LISTA DE FIGURAS ................................................................................................................... 10
LISTA DE TABELAS .................................................................................................................. 16
SIMBOLOGIAS E ABREVIATURAS........................................................................................ 18
CAPTULO 1 - INTRODUO............................................................................................... 21
1.1 - Introduo ............................................................................................................. 21
1.2 - Otimizao de conversores................................................................................... 24
1.3 - Estado da arte........................................................................................................ 28
1.4 - Anlise do ponto de operao dos conversores ................................................... 32
1.5 - Contribuies ........................................................................................................ 35
1.6 - Organizao do trabalho....................................................................................... 36
CAPTULO 2 METODOLOGIA DE PROJETOS............................................................. 38
2.1 - Introduo.............................................................................................................. 38
2.2 - Estudo de caso conversor Boost PFC ............................................................... 38
2.3 - Etapas de projeto para o estudo de caso............................................................... 41
Primeira etapa........................................................................................................ 41
Segunda etapa........................................................................................................ 41
Terceira etapa ........................................................................................................ 41
Quarta etapa........................................................................................................... 43
Quinta etapa........................................................................................................... 45
Sexta etapa............................................................................................................. 45
Stima etapa .......................................................................................................... 45
Etapa final.............................................................................................................. 47
2.4 - Concluso.............................................................................................................. 47
CAPTULO 3 PROJETO DO INDUTOR PARA O ESTUDO DE CASO ..................... 48
3.1 - Introduo ............................................................................................................. 48
3.2 - Indutores e transformadores materiais magnticos........................................... 48
3.3 - Mtodo de seleo dos ncleos ............................................................................ 51
3.4 - Modelagem da variao da permeabilidade efetiva ............................................ 55
3.5 - Anlise do rendimento.......................................................................................... 63
3.6 - Perdas no cobre..................................................................................................... 63
3.7 - Perdas no ncleo................................................................................................... 67

3.8 - Perdas totais no indutor ........................................................................................ 71
3.9 - Concluso.............................................................................................................. 74
CAPTULO 4 - ANLISE DA INTERFERNCIA ELETROMAGNTICA E PROJETO
DO FILTRO DE EMI ................................................................................................................. 75
4.1 - Introduo ............................................................................................................. 75
4.2 - Anlise da interferncia eletromagntica............................................................. 75
4.3 - Conversor Boost PFC interferncia eletromagntica ....................................... 78
4.4 - Projeto do filtro de EMI ....................................................................................... 80
4.5 - Anlise do rendimento.......................................................................................... 85
4.6 - Concluso.............................................................................................................. 88
CAPTULO 5 - SELEO DOS SEMICONDUTORES E PROJETO DO SISTEMA DE
TRANSFERNCIA DE CALOR (DISSIPADORES)............................................................ 89
5.1 - Introduo ............................................................................................................. 89
5.2 - Semicondutores..................................................................................................... 89
5.3 - Anlise e clculo de perdas .................................................................................. 91
5.4 - Projeto do sistema de transferncia de calor - dissipadores .............................. 101
5.5 - Concluso............................................................................................................ 109
CAPTULO 6 - RESULTADOS DE SIMULAES E EXPERIMENTAIS.................. 110
6.1 - Introduo ........................................................................................................... 110
6.2 - Resultados de simulaes................................................................................... 110
6.3 - Resultados experimentais ................................................................................... 116
6.4 - Anlise trmica ................................................................................................... 118
6.5 - Anlise da interferncia eletromagntica conduzida......................................... 120
6.6 - Segundo ponto .................................................................................................... 121
6.7 - Anlise trmica ................................................................................................... 123
6.8 - Anlise da interferncia eletromagntica conduzida......................................... 126
6.9 - Concluses .......................................................................................................... 126
CAPTULO 7 - CIRCUITOS DE AUXLIO COMUTAO........................................ 128
7.1 - Introduo ........................................................................................................... 128
7.2 - Snubber passivo com capacitor flutuante....................................................... 129
7.3 - Comutao em zero de tenso (ZVT) ................................................................ 137
7.4 - Comparao dos Resultados............................................................................... 144
7.5 - Concluses .......................................................................................................... 147
CAPTULO 8 - CONCLUSES GERAIS, PROPOSTAS FUTURAS E PUBLICAES....149
8.1 - Concluses gerais ............................................................................................... 149
8.2 - Propostas, projetos e investigaes futuras........................................................ 152

8.3 - Publicaes.......................................................................................................... 153
REFERNCIAS .......................................................................................................................... 155












































Captulo 1
INTRODUO
1.1 Introduo
Com o atual crescente desenvolvimento das mais diversas reas da engenharia como
microeletrnica, telecomunicaes, processamento de sinais, fontes de energias renovveis,
entre outras, h a iminncia de um maior nmero de aplicaes para a eletrnica de potncia.
Esta rea trata do condicionamento da energia entregue pela fonte para os sistemas eletrnicos
em geral, transformando de corrente contnua em corrente alternada (inversores) ou em
corrente contnua com amplitude diferente (choppers). Da mesma forma, corrente alternada
pode ser transformada em corrente contnua (retificadores e PFCs) ou para corrente alternada
com diferentes amplitudes e frequncias.
O processo de converso de energia pode ser realizado atravs de conversores
estticos. Estes conversores operam atravs da comutao de interruptores semicondutores e
cargas e descargas de elementos armazenadores de energia como capacitores e indutores.
Estes dispositivos podem converter energia tanto de fontes estticas, como banco de baterias,
quanto de fontes dinmicas como geradores. A sada de energia pode ser em alta ou em baixa
tenso (CC ou CA) e em diferentes frequncias (CA).
Existe a tendncia na indstria de uma forma geral em reduzir volume e custos dos
equipamentos e sistemas com mximo rendimento. Em reas como telecomunicaes,
eletrnica e processamento de sinais um novo equipamento com melhor desempenho, volume
otimizado e mais barato grande diferencial de mercado. Desta forma, muitos recursos
financeiros e tcnicos so destinados a pesquisas.
Com o objetivo de diminuir o volume dos elementos magnticos (armazenadores),
existe a tendncia do aumento da frequncia de operao dos conversores. Entretanto, este
22
aumento acarreta em maiores perdas nos semicondutores, que so proporcionais a frequncia
e ao nvel de potncia envolvido. Maiores perdas nos semicondutores resultam em menor
rendimento global e em volumosos dissipadores trmicos para garantir sua ideal operao e
razovel vida til. Portanto, o aumento da frequncia de operao em conversores estticos de
potncia limitado devido s perdas de comutao de seus dispositivos semicondutores. Os
principais fatores limitadores dos nveis de frequncia que contribuem para o aumento das
perdas nas comutaes dos conversores estticos so:
Os semicondutores possuem tempos de comutaes no nulos. Durante estes
intervalos existe significante sobreposio entre tenso e corrente (tanto na
entrada de conduo quanto no bloqueio), isto resulta em uma grande
quantidade de energia a qual dissipada em forma de calor por estes
dispositivos.
Em altas frequncias grandes taxas de variao de tenso dv/dt e de corrente
di/dt provocam oscilaes de tenso e corrente nas capacitncias e
indutncias parasitas do circuito durante os intervalos de comutaes. Estas
oscilaes provocam picos de tenso e corrente atravs dos dispositivos,
aumentando as perdas nas comutaes. Alm de ser uma fonte de
interferncia eletromagntica conduzida de modo comum.
A maioria dos dispositivos semicondutores habilitada em tenso. Nestes
dispositivos a energia armazenada nas capacitncias parasitas de seus
terminais (C
GD
, C
GS
e C
DS
) e diretamente dissipada sobre o dispositivo.
Estas perdas so conhecidas como turn-on capacitive losses.

Desta forma, identifica-se limitao no aumento da densidade de potncia causada
pelo elevado volume do sistema de transferncia de calor (dissipadores trmicos). Tendo em
vista que o aumento da frequncia de comutao o primeiro passo para a diminuio do
volume global de conversores, a indstria tem disponibilizado esforos em pesquisas
buscando a diminuio de perdas nos semicondutores. Recentes avanos em tecnologias de
semicondutores tm colaborado com a reduo de perdas e mostrado ganhos significativos no
que tange a densidade de potncia em conversores estticos. A utilizao da famlia de
MOSFETs do tipo CoolMOS e dos diodos de Silicon Carbide (SiC) tm propiciado uma
significativa elevao na frequncia de operao dos sistemas estticos de potncia,
favorecendo ganhos importantes em termos de densidade volumtrica de potncia e
23
eficincia, mantendo as perdas de comutao dos dispositivos semicondutores dentro de
nveis aceitveis [1] - [5].
As correntes de recuperao reversa dos diodos so responsveis em grande parte
pelas perdas de comutao que ocorrem em conversores. Os diodos Silicon Carbide (SiC)
apresentam uma grande vantagem em relao aos diodos shottky comuns, eles englobam a
adio das ligas silicon carbide aos diodos shottky, essa tecnologia faz com que a corrente
de recuperao reversa seja to baixa que sua influncia pode ser desprezada [6] e [7].
Quanto a tecnologias de transistores, os novos CoolMOS tem se sobressado. Esta
uma tecnologia relativamente nova, foi desenvolvida a partir do MOSFET, com o objetivo de
reduzir a resistncia srie deste componente. Criado em 2001 pela Infineon, a primeira
gerao, o CoolMOS C3, apresenta uma reduo bastante significativa em sua resistncia de
conduo, atingindo valores at cinco vezes menores que os MOSFETs comuns. Isto
possvel atravs do aumento da rea interna de juno p-n, chamada de super juno, o que
cria um caminho de menor resistncia corrente [8]. Esta propriedade faz com que as perdas
durante a conduo tornem-se atrativamente baixas, o que indica a utilizao deste
semicondutor em aplicaes com baixos nveis de tenso de entrada, onde o conversor opera
com valores mais altos de corrente.
A tecnologia CP uma nova gerao de CoolMOS. Lanada em 2005 pela infineon,
tem como principal vantagem as muito baixas capacitncias de gate C
GD
e C
GS
e uma baixa
capacitncia entre dreno e fonte C
DS
. Este semicondutor consegue aliar reduzidas perdas de
conduo com baixssimas perdas nas comutaes. Os tempos em que ocorrem as transies
so muito pequenos, na ordem de dezenas de nano segundos [9].
Para operaes em frequncias e nveis de potncias mais elevados sem comprometer
o volume e a eficincia do conversor, outra conhecida alternativa pode ser empregada. Trata-
se de circuitos de auxilio comutao, ou tcnicas de comutao suave [10] e [11]. Estes
circuitos podem ser dissipativos ou regenerativos; ativos ou passivos (os circuitos ativos
necessitam de acionamento e comando); snubber ou comutao suave (circuitos de snubber
so atenuadores, fazendo com que as grandezas tenso ou corrente, variem de forma mais
suave reduzindo as sobreposies, enquanto que circuitos com comutao suave propiciam
zero de tenso e/ou corrente nos instantes de comutao). O objetivo principal atenuar ou
reduzir por completo as sobreposies das formas de onda de tenso e corrente durante as
comutaes dos dispositivos semicondutores.
A incluso de circuitos de auxlio comutao pode diminuir consideravelmente as
perdas nos intervalos de comutaes, de acordo com as tecnologias envolvidas nos projetos.
24
Entretanto, h o acrscimo de um maior nmero de elementos passivos e, algumas vezes
ativos o que resulta em maiores custos e complexidade de projeto.
Outro aspecto diretamente influenciado pelo aumento da frequncia de comutao e
pela ondulao de tenso ou corrente de entrada a interferncia eletromagntica gerada pelos
conversores comutados (Electromagnetic Interference ou EMI). Este um termo aplicado aos
distrbios provocados intencionalmente ou de forma no intencional pelos circuitos internos
dos equipamentos eletro-eletrnicos ou por eventos naturais (descargas atmosfricas) os quais
podem causar resposta indesejada, mau funcionamento ou degradao de desempenho de
outros equipamentos. Esta interferncia pode ser danosa a outros equipamentos conectados a
mesma rede eltrica ou prximos fisicamente [5].
A EMI pode ser responsvel por diversos problemas em equipamentos eletrnicos.
Dentre eles pode-se citar falhas nas comunicaes entre dispositivos (como em uma rede de
computadores), alarmes acionados sem motivos aparentes, falhas espordicas e que no
seguem uma lgica, queima de circuitos eletrnicos, entre outros problemas. Os efeitos destas
interferncias so particularmente preocupantes quando ocorrem em equipamentos
eletromdicos, em ambiente hospitalar, sobretudo em caso de monitoramento ou suporte
vida de um paciente. Para limitar a insero deste rudo eletromagntico na rede, normas,
como a CISPR-22 foram criadas, e devem ser respeitadas.
1.2 Otimizao de conversores
A busca por tcnicas matemticas de otimizao em projetos de circuitos eletrnicos
no nova em Eletrnica de Potncia. Na dcada de 1970, mtodos para circuitos
automticos comearam a aparecer e, nas ltimas dcadas, diferentes mtodos com este
propsito tem sido propostos [12] - [16]. Entretanto, desenvolver um projeto otimizado de um
conversor no uma tarefa fcil. As especificaes eltricas para determinadas tecnologias de
componentes e materiais, projetos trmicos, normatizaes, modos de operao, entre outras
anlises devem ser levadas em considerao no projeto de todos os componentes de um
conversor esttico.
De uma maneira geral, existem dois mtodos principais de otimizao. O primeiro
conhecido como mtodo derivativo (algoritmos heursticos como algoritmo gentico, otimizao
em colnia de formiga, entre outros) e o segundo como mtodo no derivativo [16] e [17]. No
primeiro mtodo, uma analtica relao entre a funo objetivo da otimizao e os parmetros
25
do conversor precisa ser realizada. Assim, a informao derivativa usada para encontrar os
valores mximos e mnimos da funo objetivo. No segundo, o desempenho de cada parmetro
individual precisa ser avaliado e operar de acordo com o algoritmo para obter os parmetros
otimizados. No que tange a projetos de conversores, existem trs principais objetivos de
otimizao: minimizao de volume e peso, minimizao de custo e maximizao de
rendimento. O projeto de otimizao para cada um destes objetivos separadamente pode ser
similar, mas no o mesmo, e tambm, otimizao de custo pode conflitar com a otimizao de
volume e o rendimento.
O mais difundido objetivo de otimizao o custo [18] e [19]. A otimizao do custo
muito importante e pode solucionar um grande problema industrial de competio de mercado.
Entretanto, os custos dos componentes do conversor envolvem muitas variveis no
determinsticas que dependem das tecnologias, fabricantes, localizao geogrfica do pas,
disponibilidade, competio de mercado, entre outros. Por esta razo, os resultados obtidos para
o objetivo de otimizao custo podem variar muito dependendo de onde e quando os projetos
so realizados, tornando isto muito pontual e com dificuldade de ser conclusivo para outros
projetos e situaes.
Por outro lado, ter o volume e o rendimento como objetivos de otimizao pode ser
mais usual e aplicado em diferentes situaes. Estes objetivos de otimizao apontam para
uma forte relao entre eles e com o comportamento eltrico, trmico e mecnico do
conversor. Ao contrrio da otimizao do custo, as otimizaes do volume e do rendimento
dependem apenas de variveis fsicas do sistema conversor e das tecnologias dos
componentes e materiais envolvidos nos projetos e, tambm, o projeto otimizado destes dois
ltimos objetivos vai sofrer menor influncia de variveis externas. Desta forma, a otimizao
do volume e do rendimento um simples e efetivo caminho para se obter um projeto
otimizado. O objetivo de otimizao custo, ser sempre um compromisso para os outros
objetivos, uma vez que, com a reduo do volume haver a diminuio de material envolvido
no projeto e, consequentemente, menor custo (quando as mesmas tecnologias so utilizadas
nos projetos).
Como mencionado na seo anterior, existe uma crescente tendncia mundial na
utilizao de conversores estticos. Conversores retificadores que podem operar como
corretores de fator de potncia tm aplicao garantida em fontes de alimentao. Entre eles
pode-se citar os no isolados Boost, Buck, Buck-Boost, Sepic e os isolados Full Bridge, Half
Bridge, Flyback, entre outros. A exigncia da otimizao de matria prima (volume) e custo
26
(maior quantidade de matria prima resulta em um maior custo) destes conversores tem feito
com que engenheiros e projetistas dispendam esforos para buscar estes objetivos.
Os conversores isolados so largamente empregados em fontes de alimentao de
computadores, equipamentos para telecomunicaes, equipamentos mdicos, aparelhos
eletrodomsticos e vrios outros equipamentos de uso residencial, comercial e industrial. Isto
ocorre fundamentalmente por operar com elevado rendimento e permitir o isolamento galvnico
com transformadores de alta frequncia. No entanto, a incluso do transformador pode tornar o
conversor mais volumoso e caro a partir de determinados nveis de potncias. Para estas
aplicaes os conversores no isolados so mais atrativos em termos de volume e custo.
Cada topologia de conversor esttico tem suas diferenas e particularidades. De
maneira geral, os semicondutores, elementos magnticos (como indutores e transformadores),
capacitores, filtros, drivers e sistemas de transferncia de calor so responsveis por maior
impacto quando se busca otimizar volume, rendimento ou custo de conversores. O sistema de
transferncia de calor definido por dissipadores e, quando necessrio, sistema de
resfriamento forado (fluxo de ar, gua ou leo). Neste sentido, muitos esforos em pesquisas
tm sido dispendidos para otimizar estes subsistemas e componentes individuais dos
conversores [20] - [23]. Esta anlise e projeto de conversores por partes, para otimizao
individual de componentes e sistemas pode efetivamente resultar na otimizao de um
parmetro ou componente do conversor, mas no garante que todo o sistema conversor seja
otimizado.
Para desenvolver um projeto global otimizado de conversores estticos necessrio
relacionar os projetos individuais de todos os principais componentes fsicos do sistema em
um nico parmetro, transformando o sistema conversor em um nico componente. Esta
relao encontrada atravs do ponto de operao (ondulao da corrente de entrada e
frequncia de comutao, (i @ f
S
)). O par (i @ f
S
) tem influncia direta nos nveis de tenses
e correntes (RMS, mdia e de pico) envolvidas em todo sistema dos conversores de potncia. A
partir destes nveis de tenses e correntes e das tecnologias envolvidas nos projetos, os
componentes fsicos dos conversores, seu volume, perdas e custo podem ser definidos de acordo
com os modelos em restries de projeto.
Para identificar a importncia do projeto integrado dos conversores, utiliza-se como
exemplo o conversor elevador Boost PFC com incluso de um filtro de EMI. A Figura 1.1
mostra a topologia do conversor e a identificao dos principais componentes do sistema, ou
seja, os componentes de maior influncia no volume, rendimento e no custo do conversor. Para
o conversor Boost, os principais componentes so o indutor Boost (L
BOOST
), o filtro de EMI, os
27
semicondutores, transistor (S
W
) e diodo (D) e seu sistema de transferncia de calor
(dissipadores), alm do capacitor de sada. Entretanto, a influncia da variao do ponto de
operao no projeto do capacitor de sada muito pequena. Este componente pode ser
projetado, no melhor caso, apenas para limitar a ondulao da tenso de sada em duas vezes a
frequncia da rede. Alm disso, em muitos casos este capacitor deve operar como armazenador
de energia para garantir certo tempo de operao para a carga. Este tempo normatizado e
normalmente chamado de hold up time. Desta forma, de acordo com os parmetros de
entrada e sada pr-definidos, o volume do capacitor de sada permanecer constante para
qualquer variao do ponto de operao. Assim, o volume deste componente no ser
considerado no projeto otimizado do volume do conversor. Entretanto, o volume do capacitor
dever ser acrescentado aos resultados finais apresentados.
Os capacitores eletrolticos no so capacitores ideais e apresentam considervel ERS
(resistncia srie equivalente). A ondulao de corrente presente em conversores PFCs, tambm
circula pelo capacitor de sada, resultando em perdas (devido a resistncia srie equivalente) e
consequente elevao da temperatura. Desta forma, estas perdas sero analisadas para o projeto
otimizados do rendimento.

D
+
+
-
-
D D
D D
Sw
C
R
Vin Vout
1 2
4 3
+
+
+
+
-
-
Filtro
de EMI
LBOOST
D
+
+
-
-
D D
D D
Sw
C
R
Vin Vout
1 2
4 3
+
+
+
+
-
-
Filtro
de EMI
LBOOST

Figura 1.1: Conversor Boost PFC, definio dos principais componentes.
De uma maneira geral, com o aumento da frequncia de comutao ocorre a reduo da
indutncia do indutor Boost e consequentemente seu volume, custo e rendimento. Com esse
aumento da frequncia h o aumento de perdas nas comutaes dos semicondutores, e assim, o
aumento do volume e custo do sistema de transferncia de calor. O volume do filtro de EMI
tambm funo da frequncia de comutao apresentando picos e vales em seu
comportamento de acordo com a frequncia de comutao e seus mltiplos. Comportamento
similar ocorre para a variao da ondulao (ripple) da corrente de entrada. Com o aumento do
ripple ocorre a reduo da indutncia do indutor Boost, em contrapartida h o aumento do
volume do filtro de EMI. As perdas nos semicondutores sofrem pequena influncia em funo
da variao do ripple. A Figura 1.2 (a) e (b) exemplificam o comportamento do volume e
28
perdas nos principais componentes do sistema, para as mesmas variveis de entrada, (a)
considerando frequncia de comutao constante e (b) considerando ripple constante.
Atravs dos grficos ilustrativos da Figura 1.2 possvel definir que o ponto de
operao para a otimizao de um nico componente do conversor pode resultar em um projeto
inadequado de outro. Assim, identificado que o projeto integrado a forma ideal de realizar
um projeto otimizado de um conversor esttico.


Figura 1.2: Comportamento do volume/perdas dos principais componentes do conversor Boost, (a)
considerando frequncia de comutao constante e (b) considerando ripple constante.
A partir do descrito at aqui, neste trabalho apresentada uma nova metodologia de
projetos baseada no projeto eltrico, trmico, magntico e mecnico dos conversores de forma
integrada, transformando todo o sistema conversor em um componente projetado em funo do
par (i @ f
S
), e assim, encontrando o ponto de operao em que o conversor encontra o menor
volume, e/ou rendimento e/ou custo.
1.3 Estado da arte
A literatura apresenta muitos trabalhos que visam otimizar de diferentes maneiras o
projeto de componentes individualmente. Estes trabalhos so importantes em uma forma
pontual, mas em um mbito geral, o projeto pode ser prejudicado.
Em [24] desenvolvido o projeto otimizado de um filtro de EMI para o inversor
PWM. Este projeto realizado para um conversor operando com uma frequncia fixa de
94kHz. Nesse trabalho so utilizadas tcnicas de interaes computacionais para a definio
do melhor projeto do filtro de EMI. Para o projeto do filtro, so modeladas as capacitncias
parasitas do conversor, definindo os pontos de baixa impedncia para o rudo, otimizando
assim o projeto do filtro. Operar com frequncia de 94kHz pode resultar na otimizao do
filtro, e reduzir volume de componentes magnticos, entretanto, desconsidera as perdas nos
29
semicondutores e no realiza projeto de dissipadores, o que pode reduzir o rendimento e
aumentar o volume e o custo de todo o sistema.
Em [25] o projeto do filtro realizado a partir de uma anlise de todas as fontes
geradoras de rudo no conversor, analisando ressonncias e parasitas. As anlises so
realizadas para o conversor operando com ponto de operao (i @ f
S
) fixo. Quando se
trabalha com otimizao, e esta realizada atravs de varredura de projetos, torna-se invivel
modelar todos os elementos parasitas do sistema, uma vez que estes variam para cada
diferente ponto de operao de projeto e para cada diferente tecnologia aplicada resultando
em inmeras interaes matemticas, aumentando muito o tempo de processamento e
consequentemente o custo de projeto.
J em [23] analisado o impacto do layout do indutor Boost na interferncia
eletromagntica conduzida. A anlise realizada para seis diferentes frequncias de
comutao mltiplas de 70kHz. Porm a ondulao da corrente de entrada fixa e o impacto
destes pontos de operao no projeto dos dissipadores no considerado.
Em [26] foi desenvolvida uma metodologia de projetos para indutores. Um modelo foi
adotado para representar o comportamento do conversor em simulaes. A partir deste
modelo foi possvel aproximar a interferncia eletromagntica de modo comum gerada
atravs de capacitncias parasitas do indutor. Para que a interferncia gerada fosse
minimizada, o indutor foi desenvolvido em uma nica camada de enrolamento, tornando o
indutor volumoso. Alm disso, com o objetivo de reduzir o nmero de espiras, a frequncia de
comutao e a ondulao da corrente de entrada foram aumentadas, majorando
significativamente perdas nos semicondutores, resultando em volumosos dissipadores. Como
alternativa s perdas, foram utilizados semicondutores ultra-rpidos, com baixas perdas, no
entanto, com custo elevado.
Em [27] analisado o impacto das comutaes do interruptor principal (dv/dt e di/dt),
na interferncia eletromagntica conduzida gerada pelo conversor. Foi identificado que com o
aumento da resistncia de gate ocorre significativa reduo na interferncia eletromagntica
gerada pelo conversor. Apesar de reduzir EMI, o aumento da resistncia de gate resulta em
significativo aumento nas perdas durante as comutaes, aumentando volume e custo do
sistema de transferncia de calor e reduzindo rendimento, isto no foi considerado nos
projetos. Esta anlise tambm foi realizada para um conversor operando com frequncia fixa
de 50kHz e tambm no foi verificado o impacto do ponto de operao no projeto do indutor
Boost.
30
Em [28] verificado o impacto da frequncia de comutao no volume final dos
dissipadores, modelando as perdas nos semicondutores e mostrando as vantagens da
utilizao da tecnologia de MOSFETs de potncia CoolMOS C3, que apresentam baixas
perdas de conduo e relativamente baixas perdas nas comutaes. analisado tambm o
impacto da frequncia na variao da permeabilidade efetiva do indutor para o conversor
Boost.
J em [18] em um trabalho mais detalhado, foi desenvolvida uma ferramenta
computacional que realiza uma profunda modelagem trmica e eletromagntica do conversor
Boost, com o objetivo de minimizar parasitas e consequentes diminuies da interferncia
eletromagntica gerada, sempre levando em considerao a eficincia do sistema. O trabalho
foi desenvolvido para um conversor operando com potncia de sada fixa, utilizando a mesma
tecnologia de semicondutores e de materiais magnticos e para diferentes faixas de
frequncias.
Destaca-se tambm o trabalho [29], onde foi analisado o impacto da frequncia de
comutao na otimizao do custo final do conversor Boost, mostrando que o conversor
operando com frequncia prxima a 24kHz, pode ter seu custo diminudo em at 60% em
comparao com o conversor operando a 100kHz, de acordo com as tecnologias envolvidas
nas anlises pontuais. Porm, a ondulao da corrente de entrada foi mantida fixa.
J em [30] e [31] o impacto da ondulao da corrente de entrada no projeto do indutor
e na interferncia eletromagntica tambm considerada, mas para casos muito prximos e
com frequncia fixa. Alm disso, o enfoque do trabalho a seleo dos elementos magnticos
(indutor Boost e indutores de filtro), desconsiderando o projeto dos dissipadores, podendo
aumentar o volume e custo e diminuir o rendimento.
Em [32] foi realizada a verificao do impacto da frequncia de comutao na
interferncia eletromagntica gerada e no volume do indutor Boost. Esse estudo foi realizado
para a topologia Boost, Boost PFC trs nveis e para o dual Boost. Porm, mais uma vez, o
impacto da ondulao da corrente de entrada no foi levado em considerao.
Esta mesma caracterstica de projeto tambm se expande a outras topologias de
conversores. Em [33] desenvolvida uma metodologia de controle para o conversor flyback
operando como corretor de fator de potncia. O conversor opera em modo de conduo
descontnuo permitindo assim um aumento na frequncia com baixas perdas diminuindo
volume e custo do transformador. No entanto, no considerada a ondulao da corrente de
entrada e a interferncia eletromagntica gerada por este conversor. O conversor opera com
frequncia fixa de 50kHz.
31
Em [34] realizada uma anlise comparativa entre os modos de conduo dos
interruptores, tendo como concluso que o modo de operao descontnuo (DCM) apresenta
maior rendimento para o conversor full bridge. O conversor foi implementado para uma
frequncia de 100kHz objetivando diminuir o volume dos elementos magnticos. Entretanto,
a influncia da ondulao da corrente de entrada e da interferncia eletromagntica gerada no
foi considerada.
A partir dos trabalhos encontrados, pde-se identificar que os projetos de conversores
tm sido desenvolvidos de maneira incompleta. Para um adequado projeto otimizado
necessrio levar em considerao de forma integrada o impacto do volume, da eficincia e do
custo de cada elemento do conversor. A relao direta entre o ponto de operao (i @ f
S
) e o
projeto destes elementos torna possvel realizar o desejvel projeto integrado. Esta uma das
grandes contribuies desta metodologia. A maior parte dos trabalhos estuda o efeito da
frequncia de comutao no projeto de um ou dois componentes dos sistemas conversores
negligenciando a ondulao da corrente de entrada. Os que consideram o impacto dos dois
efeitos (i @ f
S
) negligenciam o impacto no volume dos dissipadores, que dependendo do
projeto e das tecnologias envolvidas, podem chegar a 80% do volume final do conversor [35].
Sabendo da importncia do ponto de operao no desenvolvimento dos conversores e,
sabendo que cada componente individual apresenta um par (i @ f
S
) de projeto timo
diferente, surge a necessidade de encontrar o ponto em que o conversor como um todo atinja
seu nvel de projeto otimizado, ou seja, seu par (i @ f
S
) ideal de projeto.
De posse destas informaes, desenvolvida neste trabalho uma metodologia de
projeto para encontrar o ponto de operao (i @ f
S
) otimizado para cada conversor, partindo
das variveis de entrada e normas vigentes. Estes resultados so obtidos atravs da
interpolao de uma ferramenta computacional que simula o conversor fazendo uma
varredura entre vrios pontos de operaes diferentes. Para cada ponto de operao simulado
calculado o volume de todos os elementos individualmente. Estes volumes so somados
para que se encontre o volume total para aquele ponto. Atravs desta varredura possvel
encontrar o ponto de operao em que o conversor realmente atinja o volume final mnimo.
Com o objetivo de atender as mais diversas aplicaes, novas tecnologias de materiais
magnticos, semicondutores e perfis de dissipadores aparecem com frequncia no meio
industrial. Essas tecnologias apresentam diferenas entre si, o que inviabiliza a escolha de um
ponto de operao nico para o menor volume de qualquer conversor. Assim, necessrio
que o programa computacional que realiza o projeto considere de forma rpida e interativa as
mais novas tecnologias.
32
Com ampla difuso literria, circuitos de auxilio a comutao tambm so
considerados nos projetos. A adio destes circuitos pode permitir operaes em altas
frequncias, com significativa reduo do volume de magnticos e dissipadores trmicos,
entretanto h o aumento no nmero de componentes, que devem ser considerados no clculo
do volume, da eficincia e do custo dos conversores. Estas anlises so realizadas no captulo
7 desta tese.
1.4 Anlise do ponto de operao dos conversores
Com o objetivo de definir o conceito de ponto de operao, o conversor Buck, Figura
1.3 utilizado. Para simplificar a anlise do circuito, assumido que o capacitor de sada (C
0
)
grande o suficiente para que a tenso de sada possa ser considerada constante durante um
perodo de comutao (T). Assim, a corrente atravs do indutor (L) pode ser definida de
acordo com a equao (1.1).

Figura 1.3: Conversor Buck.
( ) ( )
0
L
L L
v
i t t i t
L
= +
(1.1)
Uma vez que a tenso v
L
=V
i
V
o
, a corrente pode ser expressa como (1.2).
( ) ( )
0
i o
L L
V V
i t t i t
L

= +
(1.2)
Onde t varia continuamente a partir de t = t
0
atravs de t = t
on
, Figura 1.4.
33

Figura 1.4: Comportamento da corrente do indutor.

Por isso, de (2) pode ser definido que a corrente atravs do indutor L a diferena
entre os valores de corrente em t=t
0
e t=t
on
, equao (1.3):
( ) ( ) ( ) ( )
0 0 0
i o
L L on L on L L
V V
i i t i t t i t i t
L

| |
= = +
|
\
(1.3)
Simplificando a equao 1.3 chega-se na equao 1.4:
i o i o
L on
S
V V V V D
i t
L L f

= =
(1.4)
Onde, t
on
=D/f
S
, e D a razo cclica.
A equao de projeto para a indutncia L pode ser encontrada resolvendo a equao
(1.4), chegando equao (1.5).
( )
i o c
L s L s
V V D K
L
i f i f

= =

(1.5)
Onde K
c
=(V
i
V
o
)D e uma constante que depende apenas das especificaes do
conversor V
i
e V
o
, e da ao do controle na razo cclica. Isto significa que a indutncia L
uma funo do ponto de operao definido pelo par (i @ f
S
).
Alm disso, a partir das formas de onda da Figura 1.4, pode ser dito que os valores
mdio, RMS e de pico da corrente atravs do indutor dependem do valor de L e
34
consequentemente, do ponto de operao, como pode ser visto nas equaes (1.6), (1.7), e
(1.8), respectivamente.

( )
( )
2
L
L AVG L o
i
I i t

= +
(1.6)
2
( ) ( )
( )
1 2i
1+
3
L RMS L AVG
L AVG
I I
I
| |
=
|
|
\
(1.7)
( ) ( )
2
L
L PK L AVG
i
I i

= +
(1.8)
Uma vez que todos os outros projetos dos componentes do conversor so dependentes
do valor mdio, RMS e de pico da corrente, fica estabelecida a direta relao entre os projetos
individuais dos componentes do conversor, com o ponto de operao de projeto dos mesmos.
Para o caso de conversores que realizam a correo do fator de potncia (PFCs),
inversores PWM e outras aplicaes, uma baixa frequncia est sobreposta a forma de onda
na frequncia de comutao. Assim, para definir o mximo valor da corrente do ponto de
operao necessrio o uso da equao (1.9), para obter o mximo valor de corrente em baixa
frequncia a partir do valor RMS da tenso.
Para os conversores PFCs, uma tenso de entrada senoidal fornecida. Neste sentido,
a forma de onda da corrente deve ser prxima a senoidal e em fase com a tenso de entrada.
Neste caso, a mxima corrente RMS e de pico so representadas pela equao (1.9) e (1.10)
respectivamente.

1_
2
in
MAX
in
P
I
V
=
(1.9)

1_
I I
2
PK MAX
i
= + (1.10)
35
1.5 Contribuies
As principais contribuies deste trabalho teoria de projeto de conversores estticos
so apresentadas como segue:
1 Proposio, desenvolvimento e avaliao de uma nova metodologia de projetos de
conversores estticos que leva em considerao e integra o que segue:
Modelos matemticos dos principais componentes e dispositivos que processam a
energia eltrica entre a entrada e a sada do conversor esttico de potncia.
Desenvolvimento de uma ferramenta computacional (MATLAB) que processa de
forma rpida e iterativa, segundo regras e inferncias, um algoritmo matemtico.
Definio de um conjunto de variveis independentes de projeto comuns a todos os
principais componentes do conversor esttico de potncia.
Integrao de projetos de componentes do sistema conversor, de acordo com modelos
matemticos de componentes individuais, processados simultaneamente atravs de interaes
computacionais.
Plataforma grfica demonstrativa de inmeros projetos, definidos pelo projetista, que
dentro do cenrio estudado apresenta o timo ponto de operao segundo critrios objetivos
de deciso.
2 Anlise comparativa para tomada de deciso, realizada atravs da ferramenta
computacional desenvolvida, entre diferentes tecnologias de materiais magnticos (High Flux,
Molypermalloy e KoolM) para aplicaes em ncleos magnticos de indutores de circuitos
de potncia e de filtros.
3 Anlise comparativa para tomada de deciso, realizada atravs da ferramenta
computacional, entre tecnologias de semicondutores (transistores e diodos), para aplicaes
em conversores estticos de potncia.
4 Anlise comparativa entre diferentes perfis de dissipadores trmicos aplicados a
semicondutores (transistores e diodos), abrangendo volume e/ou custo.
5 Anlise comparativa, realizada atravs da ferramenta computacional desenvolvida,
entre diferentes associaes de tecnologias (materiais magnticos, semicondutores e perfis de
36
dissipadores) aplicadas aos projetos de componentes e dispositivos, utilizados em conversores
estticos de potncia.
6 Anlise comparativa, realizada atravs da ferramenta computacional, entre
diferentes associaes de tecnologias (materiais magnticos, semicondutores e perfis de
dissipadores) aplicadas aos projetos dos componentes e dispositivos, do conversor Boost PFC,
com a incluso de circuitos de auxlio comutao (snubber e ZVT).
7 Anlise comparativa entre os circuitos de auxlio comutao (snubber e ZVT) e o
conversor Boost PFC operando com comutao forada, para cada diferente associao de
tecnologias utilizadas nos projetos.
1.6 Organizao do trabalho
O captulo 1 apresentou uma breve introduo, indicando a motivao do trabalho, os
objetivos principais, e uma reviso bibliogrfica referente ao estado da arte em projetos
otimizados de componentes dos conversores estticos. Foi demonstrada a inter-relao entre
os projetos dos componentes dos conversores e o ponto de operao, bem como a importncia
dos projetos integrados destes componentes em funo deste par de variveis, alm das
contribuies do trabalho.
No Captulo 2 demonstrada a metodologia de projetos para otimizao de
conversores, proposta deste trabalho. Os passos de projeto so enumerados e a sequncia da
metodologia demonstrada. Equaes, matrizes, simulaes e um fluxograma so
apresentados para melhor entendimento da metodologia.
No Captulo 3 apresentado o projeto do indutor para o estudo de caso, conversor
Boost PFC. Diferentes tecnologias e geometrias de materiais magnticos so testadas e
comparadas, seus modelos so apresentados. Os projetos eltrico, eletromagntico e trmico
so detalhados. Resultados de simulao indicam o comportamento do volume e das perdas
do indutor Boost em funo do ponto de operao.
No Captulo 4 realizada uma aprofundada anlise da interferncia eletromagntica
gerada pelo conversor do estudo de caso. Atravs dos modelos matemticos adotados,
simulaes apontam a influncia do ponto de operao na interferncia eletromagntica
gerada pelo conversor. Uma normatizao para limitar esse efeito apresentada e o projeto do
37
filtro realizado. Da mesma forma que o projeto do indutor Boost, diferentes tecnologias de
materiais magnticos so utilizadas nos projetos dos indutores de filtro, com o objetivo de
avaliar a relao custo benefcio de cada tecnologia. Resultados de simulao mostram o
comportamento do volume e das perdas do filtro em funo do ponto de operao.
No Captulo 5 detalhada a modelagem das perdas de conduo e comutao nos
semicondutores (transistores e diodos). Diferentes tecnologias de semicondutores so testadas
para verificao do impacto dos nveis de corrente e da frequncia de comutao nas perdas
destes dispositivos. Um circuito trmico equivalente apresentado, com isso, o projeto dos
dissipadores trmicos realizado e, mais uma vez, diferentes perfis de dissipadores so
testados para avaliao da sua relao custo benefcios. Resultados de simulao mostram a
influncia do ponto de operao nas perdas e no volume destes subsistemas.
No Captulo 6 so apresentados os resultados de simulaes, realizando o projeto do
conversor Boost atravs da metodologia desenvolvida. Os resultados apontam o ponto de
operao para o menor volume ou menores perdas para o conversor, projetado de acordo com
as especificaes e tecnologias escolhidas. Resultados experimentais so apresentados, com o
conversor projetado para o ponto timo de menor volume definido pela metodologia.
Resultados eltricos, mecnicos, trmicos e eletromagnticos so apresentados para a
validao dos modelos matemticos utilizados.
O Captulo 7 apresenta o impacto dos circuitos de auxilio comutao no volume,
rendimento e custo do conversor. Duas topologias de circuitos auxiliares so projetados. Um
circuito de snubber passivo regenerativo com capacitor flutuante e um circuito de
comutao em zero de tenso (ZVT). Resultados de simulaes so realizados indicando o
impacto dos circuitos de auxlio comutao no volume, rendimento e custo do conversor.
Uma comparao entre o conversor operando com comutao forada e com cada uma das
topologias de circuitos auxiliares apresentada.
O Captulo 8 composto pelas concluses gerais, trabalhos futuros e publicaes.
38

Captulo 2
METODOLOGIA DE PROJETOS
2.1 Introduo
Como demonstrado no captulo anterior, os elementos de maior influncia no volume
total dos conversores esto diretamente relacionados ao ponto de operao (i @ fs). Atravs
dos projetos individuais dos indutores, transformadores, filtros, capacitores, controladores,
sistemas de transferncia de calor, entre outros possvel encontrar o ponto de operao de
menor volume, ou mximo rendimento ou menor custo para cada elemento. A realizao do
projeto integrado e a ideal escolha do ponto de operao so os nicos caminhos para que se
possa chegar ao projeto otimizado dos conversores. Neste captulo ser apresentado um
estudo de caso para o conversor Boost PFC e demonstrada a metodologia de projetos atravs
de um fluxograma e das etapas de projeto para este conversor.

2.2 Estudo de caso conversor Boost PFC
Com o objetivo de demonstrar a metodologia de projetos para otimizao de
conversores estticos proposta, um estudo de caso para o conversor Boost PFC (Figura 1.1)
operando em modo de conduo contnua foi desenvolvido. Devido a sua simplicidade e
baixo custo, este conversor tem sido amplamente difundido para aplicaes em baixas e
mdias potncias, em circuitos monofsicos, com o objetivo de atender as limitaes
estabelecidas por normas e regulamentaes para distoro harmnica de baixa ordem [36].

39
Para a realizao do projeto integrado, alguns parmetros do conversor devem ser pr-
definidos. Por exemplo, potncia de entrada (P
in
), tenso de entrada (V
in
), tenso de sada (V
o
),
frequncia da rede (fr), temperatura ambiente (T
amb
) e temperatura de juno dos
semicondutores (T
j
), alm das normatizaes envolvidas no projeto. A partir destes parmetros
iniciais, possvel determinar todas as correntes e tenses envolvidas no projeto e, a partir
destas informaes, todos os componentes fsicos do sistema conversor podem ser projetados.
Para o conversor Boost PFC, como descrito na seo anterior, os componentes com
maior influncia no volume, custo e rendimento so o indutor Boost, o filtro de EMI, os
semicondutores e seu sistema de transferncia de calor, alm do capacitor de sada (no
considerado nas anlises). O projeto integrado destes componentes em funo do par de
variveis (i @ f
S
) comuns a todos eles a forma proposta para o projeto otimizado. Assim, a
metodologia consiste em uma matriz de projetos, realizando uma grande varredura para
diferentes pontos de operao, encontrando assim, o ponto de operao do conversor para o
mnimo volume, ou o ponto para as menores perdas, ou menor custo. Para atingir este
objetivo, um algoritmo baseado em interaes computacionais mutliobjetivas foi
desenvolvido. O clculo do volume e das perdas totais do conversor para cada ponto de
operao realizado, atravs do software desenvolvido, de acordo com as equaes (2.1) e
(2.2), respectivamente.
( @ ) ( @ ) ( @ ) ( @ )
_ _ _
i fs i fs i fs i fs
Vol Vol L Vol Diss Vol EMI

= + +
(2.1)
( @ ) ( @ ) ( @ ) ( @ )
_ _ _
i fs i fs i fs i fs
Perdas P L P semicond P EMI

= + +
(2.2)

Onde Vol volume do conversor em funo do ponto de operao; Vol_L volume do
indutor Boost; Vol_Diss soma dos volumes de dissipadores, transistor e diodo; Vol_EMI
volume do filtro de EMI. A partir das equaes (2.1) e (2.2) matrizes de projetos so
realizadas atravs da ferramenta computacional desenvolvida. As matrizes abaixo mostram
uma varredura completa para definir o ponto de operao para o menor volume (2.3) e para as
menores perdas (2.4). Um fluxograma mostrando os passos de projeto da metodologia
apresentado na Figura 2.1.

40
(1@1) (1@2) (1@ )
(2@1) (2@2) (2@ )
( @ )
( @1) ( @2) ( @ )
.............
.............
. . . .
.............
n
n
i fs
n n n n
Vol Vol Vol
Vol Vol Vol
Vol
Vol Vol Vol

(
(
(
(
=
(
(
(

& & & &
& & & &
& & & &
& & & &
& & & &
& & & &
& & & &
& & & &
& & & &
& & & &
& & & &
(2.3)

(1@1) (1@2) (1@ )
(2@1) (2@2) (2@ )
( @ )
( @1) ( @2) ( @ )
.............
.............
. . . .
.............
n
n
i fs
n n n n
P P P
P P P
P
P P P

(
(
(
(
=
(
(
(

& & & &
& & & &
& & & &
& & & &
& & & &
& & & &
& & & &
& & & &
& & & &
& & & &
& & & &
(2.4)



Figura 2.1: Fluxograma da metodologia de projetos.
41
2.3 Etapas de projeto para o estudo de caso
Primeira etapa
Inicialmente so definidas as especificaes de projeto. Os valores de potncia de
entrada, tenso de entrada e tenso de barramento devem ser fixados. A temperatura ambiente
e a temperatura de juno dos semicondutores tambm precisam ser pr-determinadas. A
partir da definio destes parmetros so calculados os valores de tenses e correntes mnimas
e mximas envolvidas no sistema. As tecnologias de materiais magnticos, semicondutores e
perfis de dissipadores envolvidas nos projetos tambm devem ser definidas.
Definir a aplicao do conversor tambm de suma importncia, a partir desta
definio sero escolhidas as normas regulamentadoras, que tambm fazem parte das
variveis de entrada e influenciam no resultado final.
Segunda etapa
Nesta etapa realizada a seleo do ncleo magntico do indutor em funo das
definies paramtricas e tecnolgicas definidas na etapa anterior. Atravs da varredura em
diferentes pontos de operao, os valores de indutncias so encontrados, e os ncleos so
escolhidos em funo de energia, de acordo com os catlogos do fabricante. Aps a seleo
do ncleo realizado o clculo do nmero de espiras. Para tecnologias de materiais
magnticos do tipo powder (p de ligas metlicas), deve ser determinada a indutncia mnima
atravs da anlise da variao da permeabilidade efetiva. A indutncia ser mnima quando a
corrente de entrada for mxima, que ocorre no pico da senoide para cada semiciclo de 120Hz.
Nestes casos, para o total controle da ondulao da corrente de entrada, o projeto deve ser
realizado para sua mxima amplitude, desta forma, o nmero de espiras reajustado para que
a ondulao da corrente no exceda os limites de amplitude mximos.
Terceira etapa
Na terceira etapa realizado o projeto do controlador. O controlador no tem
influencia na funo otimizao. Esta etapa apresentada para possveis reprodues dos
resultados aqui apresentados. A discretizao do conversor realizada atravs da
transformada Z. As duas etapas de operao do conversor, diodo conduzindo ou transistor
42
conduzindo, so modeladas. A anlise da malha para o diodo conduzindo representada pela
equao (2.5). A equao (2.6) representa a equao (2.5) na forma discreta.

1
( ) ( ( ) )
L
i t Vin t Vo dt
L
=

(2.5)

( ) ( ( 1) ) ( 1)
a
L
T
i k Vin k Vo i k
L
= +

(2.6)

Onde T
a
o perodo de amostragem da discretizao. A equao (2.7) equivalente ao
circuito com o transistor conduzindo e a equao (2.8) representa a discretizao atravs da
transformada Z desta equao.
1
( ) ( )
L
i t Vin t dt
L
=

(2.7)
( ) ( 1) ( 1)
a
L
T
i k Vin k i k
L
= +

(2.8)

Para esta modelagem as resistncias sries do indutor e dos semicondutores so
desconsideradas por no apresentarem influncia significativa na forma de onda da corrente
de entrada. O capacitor da sada tambm considerado ideal, sendo desconsiderada qualquer
ondulao de tenso sobre ele, pois ela sofre pequena variao dentro do intervalo de tempo
de um ciclo de rede [5].
Para a realizao do controle foi utilizado um compensador proporcional integral (PI).
Este controlador j tem ampla difuso para aplicaes do conversor Boost PFC [5], [36], [37],
[38], [39]. A equao (2.9) a funo de transferncia do compensador PI, onde kp o ganho
proporcional e ki o ganho integral.

/
.
I P
C P
s K K
G K
s
+
= (2.9)

Para os clculos dos ganhos do compensador foi utilizado o mesmo mtodo
apresentado em [40]. Nesse mtodo os valores dos ganhos do compensador proporcional e
integral, so calculados segundo as equaes (2.10) e (2.11), as quais consideram a funo de
43
transferncia simplificada da malha de corrente do conversor Boost, equao (2.12). Este
mtodo estabelece que a frequncia de ganho unitrio de malha aberta do sistema e o zero do
compensador devem ter uma frequncia pelo menos dez vezes menor que a frequncia de
comutao, equao (2.13) .
( ) 1
( ) .
( )
L
i s Vo
T s
d s L s
= (2.10)
2
10
I
C Z
P
K fs
Z
K


= = = (2.11)
2
2 2
Z
P
Z C
K
Vo
Z
L

=
+
(2.12)
I C P
K Z K = (2.13)

Atravs das equaes possvel identificar que o controlador influenciado pela
indutncia e, esta funo do ponto de operao. Desta forma, o controlador precisa ser
sintonizado de acordo com a varredura para os diferentes pontos de operao (i @ fs).
Quarta etapa
Nesta etapa realizada a simulao da corrente de entrada do conversor, isso ocorre
inicialmente atravs da seleo do estado topolgico do conversor, ou seja, se o interruptor
est em conduo ou o diodo. A razo cclica ajustada de acordo com a equao (2.14), que
representa a equao discreta do compensador PI. A partir desta etapa a corrente de entrada j
pode ser simulada e o clculo das perdas nos semicondutores, o projeto dos dissipadores alm
do projeto do filtro de EMI j podem ser realizados.

( 1) ( ) [ ] ( ) [ ] ( 1)
2 2
I a I a
P P
K T K T
D k D k K e k K e k = + + (2.14)


A Figura 2.2, Figura 2.3 e Figura 2.4 exemplificam os resultados de simulaes para o
comportamento da corrente de entrada em funo do nmero de pontos de amostragem
(tempo discreto), realizadas com o algoritmo elaborado para alguns diferentes pontos de
44
operao. Os parmetros de entrada para estas simulaes foram: Potncia de entrada de 1kW,
tenses de entrada de 220V
CA
e tenso de sada de 400V
CC
.



(i = 20%, f
S
= 14kHz) (i = 40%, f
S
= 14kHz)
Figura 2.2: Simulao da corrente de entrada para frequncia de comutao de 14kHz.


(i = 20%, f
S
= 29kHz) (i = 40%, f
S
= 29kHz)
Figura 2.3: Simulao da corrente de entrada para frequncia de comutao de 29kHz.

(i = 20%, f
S
= 74kHz) (i = 40%, f
S
= 74kHz)
Figura 2.4: Simulao da corrente de entrada para frequncia de comutao de 74kHz.
45
Quinta etapa
A partir da corrente de entrada simulada na etapa anterior, os valores mdios, RMS e
de pico de corrente nos semicondutores j podem ser determinados. Atravs destes valores e
das tecnologias envolvidas nos projetos, as perdas nos dispositivos semicondutores podem ser
determinadas. A partir das perdas nos semicondutores (conduo + comutao), o sistema de
transferncia de calor (dissipadores) responsvel por manter a temperatura de juno dentro
dos limites pr-estabelecidos projetado.
Sexta etapa
Nesta etapa realizada a Fast Fourier Transfomer (FFT) da corrente de entrada para a
identificao do harmnico crtico e posterior projeto do filtro de EMI.
Segundo Nyquist [40], para uma adequada preciso nos resultados encontrados, a FFT
necessita estimar uma frequncia dez a vinte vezes maior que a frequncia de comutao.
Como a maior frequncia de comutao utilizada neste trabalho de 200kHz, desta forma,
objetivando uma adequada preciso nos resultados, foi utilizada uma frequncia estimada de
4MHz, que significa um tempo de amostragem (T
a
) de 250ns.
A partir da FFT da corrente de entrada so encontrados o espectro harmnico de alta
frequncia e o harmnico crtico ponto inicial para o projeto do filtro de EMI.
Stima etapa
Aqui realizado o projeto do capacitor de sada, que baseado nas especificaes do
hold-up time e a ondulao da tenso de sada, equao (2.15). O volume do capacitor de
sada independente do ponto de operao, sendo determinado apenas em funo da energia
armazenada. Desta forma, o volume deste componente considerado constante e no incluso
nas anlises e simulaes apresentadas nesta tese.
0
2 2
0 0min
2
out
P t
C
V V

=

(2.15)

Onde t o tempo de hold up, ou seja, o tempo em que o capacitor deve manter a
tenso de sada constante. Para este estudo de caso, foi definido um t de 10ms, sendo
46
utilizado um capacitor eletroltico de alumnio de 470F e 450 Volts. O volume deste
componente de aproximadamente 48 cm
3
.
As perdas no capacitor de sada ocorrem em funo da corrente que circula por ele, e
da resistncia srie equivalente deste componente (ERS). Esta varia de acordo com a
frequncia da ondulao de corrente sobre o capacitor e a temperatura (segundo
especificaes do fabricante, Figura 2.5).

Figura 2.5: Variao da resistncia srie equivalente do capacitor (ESR).
A partir da Figura 2.5, (disponibilizada pelo fabricante) as perdas no capacitor so
calculadas. A Figura 2.6 apresenta o comportamento das perdas no capacitor em funo da
variao do ponto de operao. Simulaes para potncia de entrada de 1kW, tenses de
entrada de 220V
CA
e tenso de sada de 400V
CC
.

Figura 2.6: Perdas no capacitor de sada em funo do ponto de operao.
47
Atravs da figura 2.6 identificado que o aumento das perdas est relacionado com o
aumento do ripple de corrente no capacitor. Entretanto, para o pior caso, as perdas no
ultrapassam 550mW, menos de 0.1% do total, tornando estas perdas pouco significativas
neste estudo de caso. Por este motivo, as perdas no capacitor de sada no sero consideradas
nas anlises de rendimento apresentadas nesta tese. Lembrando que o estudo de caso aqui
apresentado uma avaliao pontual, para outras aplicaes ou topologias as perdas no
capacitor de sada devem ser consideradas.
Etapa final
Nesta etapa realizado o agrupamento dos resultados dos projetos do indutor Boost,
filtro de EMI e dissipadores trmicos em funo do ponto de operao, desta forma possvel
encontrar o ponto de operao em que o conversor encontra o volume mnimo ou mximo
rendimento.
2.4 Concluso
Neste captulo foi apresentada a metodologia de projetos para otimizao de
conversores estticos, objetivo principal deste trabalho. Esta metodologia, baseada na
integrao de projetos e modelos matemticos, realizadas atravs de iteraes computacionais
um caminho eficiente e rpido para se obter um verdadeiro projeto otimizado (de acordo
com o objetivo de otimizao, volume, rendimento e/ou custo) de um conversor esttico de
potncia.
48

Captulo 3
PROJETO DO INDUTOR PARA O ESTUDO
DE CASO
3.1 Introduo
Este captulo apresenta uma anlise terica comparativa entre diferentes geometrias e
tecnologias de materiais magnticos aplicadas nos projetos de indutores e transformadores
aplicados a conversores estticos. Um projeto para o estudo de caso, conversor Boost PFC,
realizado utilizando trs tecnologias de materiais magnticos. Uma detalhada modelagem de
perdas realizada. Resultados de simulaes apresentam o comportamento do volume do
indutor e das perdas no indutor em funo do ponto de operao para cada tecnologia de
material magntico analisada.

3.2 Indutores e transformadores materiais magnticos
A reduo de volume dos indutores normalmente est atribuda mxima densidade
de fluxo (Bmx) que o material magntico pode suportar sem apresentar os efeitos da
saturao. Isso significa que um material magntico com maior densidade de fluxo pode
apresentar um menor volume para uma mesma fora magnetizante (H). Entretanto,
normalmente quanto maior a densidade de fluxo de um material, maiores so as suas perdas
causadas pelos efeitos da histerese e das correntes de Foucault. Essas perdas magnticas
reduzem o rendimento do conversor e podem causar sobre aquecimento no ncleo magntico,
49
por isso, as perdas devem ser limitadas para que a temperatura no exceda os limites
projetados.
Em aplicaes em que se utilizam elementos magnticos operando em altas
frequncias e elevados valores de variao de densidade de fluxo magntico (B), como os
transformadores dos conversores Half-Bridge, Full-Bridge e Push-Pull. A caracterizao da
operao no primeiro e terceiro quadrante da curva de magnetizao exige que as perdas
magnticas sejam baixas, mas no requer altos valores de densidade de fluxo magntico.
Neste caso, os ncleos com baixas perdas magnticas como o ferrite podem ser os mais
indicados.
Os ferrites so materiais cermicos compostos principalmente de xido de ferro, zinco
e cobalto ou magnsio que foram desenvolvidos na dcada de 1930 no Japo. Entre as suas
principais caractersticas esto suas baixas perdas em altas frequncias de operao e baixo
custo de fabricao. Apesar de serem materiais muito indicados para conversores comutados,
eles possuem uma reduzida densidade mxima de fluxo magntico (de no mximo 0,5 Tesla),
podendo resultar em volumosos ncleos para indutores em comparao a outras tecnologias.
No entanto, podem ser utilizados com bons resultados em filtros supressores de rudo, uma
vez que para estas aplicaes no h variao de fluxo magntico no interior do ncleo
(indutores acoplados, com enrolamentos iguais e em sentidos opostos).
Os materiais magnticos escolhidos para aplicaes em conversores no isolados
operando em conduo contnua, devem suportar um alto nvel de corrente constante, o que
mantm a curva de magnetizao (B-H) sempre no primeiro quadrante. Os ncleos do tipo
Powder (p de ligas metlicas) se destacam para estas aplicaes devido a caractersticas
como altas densidades de fluxos e baixas perdas [41]. Estes materiais so formados por p de
ligas metlicas misturadas com um material amorfo e inerte magneticamente, que so
aderentes e isolantes eltricos, objetivando isolar as partculas metlicas entre si. O material
ento prensado para adquirir o formato desejado. A presena de partculas isolantes em sua
composio d a eles a caracterstica de entreferro distribudo, significando que o entreferro
fixo e a permeabilidade inicial depende do percentual de partculas isolantes, e fixada em
alguns valores padronizados pelos fabricantes. Essa caracterstica tem se tornado muito
apreciada, pois sem a utilizao do entreferro de ar, ocorre a diminuio do efeito
franjeamento (fringing flux), diminuindo consideravelmente as perdas por corrente de
Foucault (eddy current) e h a minimizao da interferncia eletromagntica irradiada
produzida por este efeito [42], Figura 3.1e Figura 3.2.
50
Ncleo
Ncleo

Ncleo
Ncleo

(a) Entreferro pequeno (b) Entreferro grande
Figura 3.1: Efeito fringing flux em ncleos com entreferro a ar.


(a) Enrolamento incompleto (b) Enrolamento total
Figura 3.2: Efeito fringing flux em ncleos powder.
possvel identificar um pequeno efeito franjeamento ao longo do ncleo powder,
isso pelo fato de o entreferro estar distribudo em toda extenso do ncleo, Figura 3.2 (a).
Entretanto, com um completo enrolamento, as espiras criam um caminho para este campo
eletromagntico, acabando por completo com este indesejvel problema, Figura 3.2 (b),
diminuindo as perdas por corrente de Foucault e, acabando com a interferncia
eletromagntica irradiada [42]. Assim, com objetivo de limitar essa interferncia irradiada,
este trabalho utilizar apenas o total enrolamento dos ncleos em indutores.
Dentre as diferentes tecnologias de materiais magnticos do tipo powder, a
MAGNETICS, fabricante dos materiais utilizados nos projetos dos indutores do estudo de
caso neste trabalho, divide seus ncleos em trs classes, que utilizam ligas diferentes e so
destinados a diversas aplicaes [43] e [44]. So elas:
51
Molypermalloy (MPP): Este ncleo toroidal constitudo de 81% nquel, 17% ao e
2% molibdnio, apresentando os mais altos nveis de permeabilidade do que qualquer outro
material do tipo powder. Apresenta densidade de fluxo mxima de 0.75T, e apresenta baixas
perdas. Suas aplicaes so geralmente para comparativas altas frequncias e altas densidades
de fluxo. Pela grande quantidade de nquel em sua composio este material apresenta um
custo relativamente alto.
High Flux: De geometria toroidal, composto por 50% nquel e 50% ao. Apresenta
densidade de fluxo mxima mais alta do que qualquer outro ncleo do tipo powder, chegando
at a 1.5T, e tem relativamente altas perdas. Suas aplicaes so para comparativas baixas
frequncias e altas densidades de fluxo. um material de mdio custo.
KoolM: Tambm de geometria toroidal, composto por 85% ferro, 9% silcio e 6%
alumnio [44]. Apresenta densidade de fluxo mxima de at 1T e baixas perdas. Por no
possuir nquel tem baixo custo. Suas principais aplicaes so para comparativas mdias
frequncias e alta densidade de fluxo [45].
3.3 Mtodo de seleo dos ncleos
A escolha do material magntico baseada na anlise de trs variveis: Amplitude da
variao de fluxo (B); mxima densidade de fluxo (B
Mx
); frequncia de operao na qual
ocorre a variao de fluxo (F
B
). Entretanto, a anlise aprofundada destas trs variveis pode
levar muito tempo e vrias interaes computacionais, tornando a ferramenta de projetos
muito pesada e os resultados poderiam demorar muito tempo para serem encontrados. Assim,
a seleo dos ncleos magnticos realizada atravs da energia magntica armazenada pelo
indutor.
Para a escolha do ncleo magntico em funo da energia armazenada, equao (3.1),
apenas dois parmetros precisam ser conhecidos: a indutncia do indutor Boost, que funo
do ponto de operao, equao (3.2) e o valor da corrente de pico (tambm funo do ponto
de operao, conforme equao (1.10)). Este mtodo para seleo dos ncleos garantido
pela fabricante MAGNETICS [44], que disponibiliza grficos em seus catlogos, mostrados
na Figura 3.3, Figura 3.4 e Figura 3.5, indicando o ncleo adequado a ser utilizado para cada
diferente tecnologia de material magntico, em funo da energia armazenada. A medida que
a energia aumenta, o volume do ncleo magntico tambm aumenta. Com a determinao da
52
energia, encontra-se o ncleo na curva central dos bacos e o part number (identificao do
material presente nos catlogos da fabricante) que est identificado nos eixos das ordenadas.
2
1
2
LB B pico
E L I =
(3.1)
B
Vin D
L
i fs

=

(3.2)

Figura 3.3: Curva para seleo de ncleos para o material MPP [44].

Figura 3.4: Curva para seleo de ncleos para o material High Flux [44].

53

Figura 3.5: Curva para seleo de ncleos para o material KoolM [44].
Com o auxlio das curvas pode-se rapidamente identificar a permeabilidade magntica
e o menor ncleo possvel para a determinada aplicao (de acordo com as definies do
fabricante), em funo da energia.
Se o ncleo for utilizado em aplicaes com elevados nveis de corrente alternada,
como em conversores, full-bridge e half-bridge, o ncleo selecionado deve ser dois nveis
acima do indicado nas curvas. Isso vai assegurar uma reduo na densidade de fluxo
magntico volumtrica, diminuindo as perdas no ncleo. Para os casos em que o valor de
energia maior que o encontrado nas curvas, ou seja, o maior ncleo tabelado no suporta o
determinado nvel de energia, necessrio que se empilhem ncleos.
Com os valores de indutncias definidos em funo da varredura em (i @ f
S
) e,
determinado o valor da corrente de pico, possvel selecionar o ncleo. A influncia
quadrtica da corrente indica que para altos nveis da mesma, como em conversores com
entrada universal, os ncleos para os indutores podem se tornar muito volumosos e muitas
vezes ser necessrio o empilhamento para suportar estes altos nveis de corrente.
A adequada seleo do ncleo o primeiro passo para o projeto do indutor, pois todas
as outras variveis como, dimenses fsicas, permeabilidade, densidade de fluxo mxima,
entre outras, so determinadas a partir dele. A Figura 3.6, Figura 3.7 e Figura 3.8 mostram o
comportamento do volume dos ncleos selecionados para o indutor Boost, em funo da
varredura em diferentes pontos de operao.
O conversor foi projetado para uma potncia de entrada de 1kW, tenses de entrada e
sada 220V
CA
e 400V
CC
respectivamente (todos os resultados de simulaes apresentados
54
neste captulo utilizaro estes parmetros de entrada).

Os resultados so apresentados para as
trs tecnologias de ncleos magnticos mencionadas, utilizando ncleos catalogados e com
valores comerciais.


Figura 3.6: Comportamento do volume do indutor para o material magntico MPP em funo da
varredura em (i @ fs).

Figura 3.7: Comportamento do volume do indutor para o material magntico High Flux em funo da
varredura em (i @ fs).

55

Figura 3.8: Comportamento do volume do indutor para o material magntico KoolM em funo da
varredura em (i @ fs).
Atravs das simulaes possvel identificar que para baixos valores de frequncias
de comutao e ondulao da corrente de entrada, o indutor se torna volumoso, sendo
necessrio o empilhamento de ncleos no caso o material magntico KoolM.
A partir da seleo do ncleo magntico, so encontradas as dimenses para cada
diferente ponto de operao. Parmetros como: rea da janela (Aw), rea de seo transversal
(Ae), comprimento magntico mdio (le), permeabilidade inicial (i) e volume, so
necessrios para os prximos passos do projeto do indutor, como no clculo do nmero inicial
de espiras, equao (3.3).
3
10
0, 4
B
L le
Ni
i Ae

=

(3.3)
3.4 Modelagem da variao da permeabilidade efetiva
A permeabilidade magntica o grau de magnetizao de um material em resposta a
uma intensidade de campo magntico produzida por uma corrente eltrica. Ela nos permite
quantificar o valor magntico de uma substncia. Ela tipicamente representada pela letra
grega . Este termo foi adotado em setembro de 1885 por Oliver Heaviside.
Em unidades do sistema internacional (SI), a permeabilidade medida em H/m
(Henries por metro) ou N/A
2
(Newton por Ampere
2
).
56
A corrente eltrica passando por uma bobina cria um campo magntico com valor
dado pela excitao magntica ou intensidade do campo magntico (H). Esta excitao
magntica origina uma induo magntica (B) com um valor dado pela equao (3.4).
B H = (3.4)
Permeabilidades elevadas implicam na saturao do ncleo com menores nveis de
corrente. Assim, a utilizao de ferrites com geometrias toroidais, que apresentam
permeabilidades iniciais de at 1000
0
tornam-se praticamente inviveis para aplicaes como
o indutor Boost, pois estes indutores seriam muito volumosos. Essa mais uma vantagem da
utilizao de ncleos powder, que apresentam permeabilidades iniciais mximas para esta
aplicao de 90
0
, podendo chegar at 14
0
aumentando os nveis de corrente at a saturao.
A variao da permeabilidade dos ncleos do tipo powder ocorre devido sua
caracterstica de saturao suave. Essa caracterstica provm do fato destes materiais
possurem entreferro distribudo e no concentrado em um nico ponto, como os de ferrite,
onde se tem controle da permeabilidade. Com o aumento da corrente, aumenta tambm a
induo magntica, de acordo com e equao (3.5), fazendo com que a permeabilidade
decresa gradativamente at a saturao. A permeabilidade efetiva do material dada pela
relao apresentada na equao (3.6).

3
4.10 . . .
( )
Inicial Pico
MX
N I
H
le m

= (3.5)

eff
dB
dH
= (3.6)

A induo magntica (H) diretamente proporcional corrente e, em um semi-ciclo
da rede, esta corrente sofre grande variao, sendo que o seu mximo ocorre aos 90 graus de
V
in
. Esta variao da corrente faz com que a induo magntica se comporte de acordo com a
equao (3.5), fazendo com que a permeabilidade tambm mude.
A variao da permeabilidade implica na mudana da indutncia, com isso, para cada
perodo de amostragem computacional a indutncia varia. Essa variao causar modificaes
considerveis na forma de onda da corrente de entrada. A indutncia foi calculada
anteriormente para nveis de corrente prximos a zero. Desta forma, com o aumento de (H)
57
ocorre a diminuio da indutncia inicial, fazendo com que a amplitude da ondulao da
corrente de entrada no seja constante e aumente gradativamente, at que atinja seu valor
mximo, em 90 graus da rede, para depois voltar a seu estado inicial prximo a passagem por
zero.
Cada diferente tecnologia de material magntico reage de forma diferente ao efeito da
corrente. A fabricante dos ncleos magnticos disponibiliza em seus catlogos curvas que
definem o comportamento da permeabilidade efetiva em funo da fora magnetizante e da
permeabilidade inicial, para os diferentes materiais magnticos utilizados neste trabalho,
conforme mostrados na Figura 3.9, Figura 3.10 e Figura 3.11. As figuras demonstrativas
referentes aos projetos dos indutores (volume, variao da permeabilidade e perdas foram
retiradas dos catlogos da fabricante do material magntico, Magnetics [44]).


Figura 3.9: Permeabilidade em funo da fora magnetizante para o material MPP [44].

Figura 3.10: Permeabilidade em funo da fora magnetizante para o material High Flux [44].
58

Figura 3.11: Permeabilidade em funo da fora magnetizante para o material KoolM [44].
A partir das curvas possvel encontrar a permeabilidade efetiva para cada perodo de
amostragem. De posse destes dados a indutncia instantnea real calculada, de acordo com a
equao (3.7).
i
real inicial
eff
L L

= (3.7)

Onde, L
real
representa a indutncia real, L
inicial
a indutncia inicial,
i
representa a
permeabilidade inicial e
eff
a permeabilidade efetiva.
Para os materiais do tipo powder, outros parmetros tambm influenciam na variao
da permeabilidade, tais como:
Variao da Temperatura
Densidade do Fluxo AC
Frequncia de Operao
Entretanto, a influncia destes parmetros muito pequena para ncleos com baixa
permeabilidade (aplicados nos projetos de indutores Boost, menores de 125
0
) e pode ser
desconsiderada nos projetos [5] e [44], a Figura 3.12, Figura 3.13 e Figura 3.14 mostram estes
comportamentos para o material magntico MPP, os outros materiais apresentam
comportamento similar.

59

Figura 3.12: Variao da permeabilidade em funo da temperatura para o material MPP [44].

Figura 3.13: Variao da permeabilidade em funo da densidade de fluxo CA para o material MPP [44].

Figura 3.14:Variao da permeabilidade em funo da frequncia de operao para o material MPP [44].
60
A adequada anlise da variao da permeabilidade de suma importncia para o
decorrer do trabalho, pois a partir dela obtido o valor da indutncia real ao longo do perodo
da rede. Essa indutncia varivel afeta um aspecto muito importante no projeto dos
conversores, que a amplitude da ondulao da corrente de entrada. a partir desta corrente
que o projeto dos outros parmetros de maior influncia no volume e perdas dos conversores
se baseia. Alm disso, a amplitude da ondulao de corrente diretamente proporcional
interferncia eletromagntica produzida pelos conversores. Ela influencia na amplitude da
harmnica crtica utilizada no projeto do filtro de EMI. A elevada ondulao de corrente
tambm influencia diretamente nas perdas dos semicondutores (corrente RMS), influenciando
diretamente no volume dos dissipadores trmicos.
Surge assim um problema, pois se a ondulao da corrente de entrada proporcional
indutncia, e esta varivel, como proceder para realizar a correta escolha do ponto de
operao (i @ f
S
) uma vez que i no constante?
A soluo est em determinar a mxima ondulao da corrente de entrada, pois para
este ponto que se deve garantir a amplitude da ondulao. Assim, necessrio projetar o
indutor para indutncia maior que a calculada inicialmente. O clculo da indutncia real
realizado atravs de um acrscimo no nmero inicial de espiras. Com o valor da corrente de
pico possvel determinar a mxima induo magntica (H) para os determinados dados de
entrada. Com este H
mximo
, possvel calcular a mxima variao da permeabilidade para cada
uma das trs tecnologias de materiais magnticos, atravs das equaes (3.8), (3.9) e (3.10).
Estas equaes definem o comportamento das curvas da Figura 3.9, Figura 3.10 e Figura 3.11,
em funo da mxima fora magnetizante e da permeabilidade inicial.
2 4 3 9 4 2
_ 4 8 2 2
1, 505.10 . . 6,1.10 . .
1 1, 277.10 . . 2, 74.10 . .
i i Mx i Mx
eff MPP
i Mx i Mx
H H
H H




+
=
+
(3.8)

2 5 3 9 4 2
_ 6 8 2 2
6, 3.10 . . 1, 069.10 . .
1 4, 345.10 . . 1, 922.10 . .
i i Mx i Mx
eff HF
i Mx i Mx
H H
H H




+
=
+
(3.9)

2 5 3 10 4 2
_ 5 8 2 2
5, 618.10 . . 1, 043.10 . .
1 6, 742.10 . . 6, 21.10 . .
i i Mx i Mx
eff KoolM
i Mx i Mx
H H
H H




+
=
+
(3.10)
61
O valor da indutncia diferente em cada perodo de amostragem, porm, o
importante a amplitude da ondulao da corrente de entrada, ou seja, a magnitude desta
amplitude para cada perodo de comutao. Com o objetivo de diminuir o tempo das
simulaes, a indutncia calculada para cada perodo de comutao e no para um simples
perodo de amostragem, reduzindo o nmero de iteraes matemticas, diminuindo
significativamente o tempo das simulaes mantendo a mesma preciso nos resultados.
A relao entre a permeabilidade inicial (
i
) e a mnima permeabilidade efetiva
(
eff_mn
) chamada de valor por unidade da permeabilidade inicial (
pu
), e representada pela
equao (3.11).
_ eff mn
pu
i

= (3.11)

Este valor por unidade da permeabilidade utilizado para reajustar o nmero de
espiras a fim de garantir a mxima ondulao da corrente de entrada, equao (3.12),
aumentando assim o valor da indutncia inicial.

inicial
final
pu
N
N

= (3.12)

A modelagem da dependncia da permeabilidade em relao corrente suficiente
para estimar o comportamento real da corrente nos indutores com desejvel preciso. A partir
da corrente real simulada, com ondulao de corrente varivel, as perdas magnticas so
determinadas de acordo com a variao de fluxo magntico em cada perodo de comutao. A
Figura 3.15, Figura 3.16 e Figura 3.17 mostram o comportamento real da corrente de entrada
do conversor Boost PFC para as trs tecnologias de materiais magnticos analisados. As
correntes reais esto sobrepostas sob as correntes de referncias, estas com ondulao
constante e igual a mxima ondulao da corrente real. Desta forma, esperado que a
ondulao da corrente de referncia seja igual a ondulao da corrente real somente no pico
da senide de entrada (90 da rede), onde a permeabilidade mxima.

62

Figura 3.15: Corrente de entrada considerando o efeito da variao da permeabilidade para o material
MPP.

Figura 3.16: Corrente de entrada considerando o efeito da variao da permeabilidade para o material
High Flux.

Figura 3.17:Correntede entrada considerando o efeito da variao da permeabilidade para o material
KoolM.
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
0
5
10
15
4.2 4.22 4.24 4.26 4.28 4.3 4.32 4.34
11
11.5
12
12.5
13
13.5
14
14.5
8 9 10 11
3.5
4
4.5
5
5.5
Corrente koolmu
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
0
5
10
15
2.4
2.6
2.8
3
3.2
3.4
3.6
3.8
Corrente HF
C
o
rre
n
te
(A
)
4 4.02 4.04 4.06 4.08 4.1 4.12
11
11.5
12
12.5
13
13.5
14
14.5
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
0
5
10
15
time(ms)
1.8
2
2.2
2.4
2.6
2.8
3
3.2
3.4
3.6
3.8
4.2 4.22 4.24 4.26 4.28 4. 3 4.32 4.34
-3
10.5
11
11.5
12
12.5
13
13.5
14
14.5
Corrente MPP
time(ms)
63
3.5 Anlise do rendimento
O aumento da temperatura do ncleo do indutor durante a operao do conversor
uma danosa consequncia das perdas no indutor. O controle da mxima temperatura de
operao do ncleo indispensvel para garantir sua confiabilidade e vida til. Entretanto,
estimar a elevao de temperatura no ncleo com exatido uma tarefa com alto grau de
complexidade. A elevao de temperatura depender, alm das perdas produzidas no indutor,
de uma srie de outras variveis, como: rea total de contato do ncleo com o ar que contribui
para a dissipao do calor, resistividade trmica dos materiais empregados, velocidade e
orientao do fluxo de ar e temperatura do ar. Alm disso, a distribuio de temperatura no
indutor no uniforme, e depender muito de como as perdas se distribuem entre o ncleo e o
cobre. Em geral, as perdas no cobre so mais facilmente dissipadas, principalmente em
enrolamentos que cobrem totalmente o ncleo.
A temperatura no ncleo do indutor pode ser estimada pela equao emprica (3.13).
Esta equao utilizada com resultados satisfatrios para ncleos do tipo powder e indicada
pelo fabricante dos ncleos utilizados neste trabalho [5], [42] e [44].
ncleo cobre
INDUTOR amb
P P
T T
Ae
+
| |
= +
|
\
(3.13)
Onde Ae a rea de seo transversal do ncleo.
3.6 Perdas no cobre
As perdas no cobre do indutor podem ser divididas em: perdas de conduo (CC),
perdas por efeito skin e efeito proximidade. Em todos os casos a perda de conduo,
entretanto, no caso dos efeitos skin e de proximidade existe a dependncia da frequncia do
harmnico de corrente que circula pelo enrolamento [46]. Nos dois casos existir uma
reduo na rea til da seco transversal do condutor para a conduo de harmnicos de
corrente de frequncia elevada. A modelagem desses efeitos feita atravs do clculo do
aumento da resistncia do condutor em funo da frequncia do harmnico. A resistncia
efetiva para uma determinada frequncia chamada de resistncia CA (R
CA
) e que pode ser
relacionada com a resistncia CC atravs de um fator, o qual estimado segundo a
diminuio da rea de conduo esperada na frequncia em questo.
64
Um modelo que contempla ambos os efeitos proposto em [47] para aplicaes em
ncleos do tipo Powder, com geometrias toroidais, de acordo com a equao (3.14).

1 1
2
2 4
2( 1) 4
( ) 1
3
CU C w
CA eff T
fh N
R f N l
d t

( | | | |
= +
( | |

\ \

(3.14)

Onde: l
T
o comprimento mdio de uma espira do enrolamento;
CU
a resistividade
do cobre;
C
a permeabilidade do cobre; fh a frequncia do harmnico; d o dimetro do
condutor; t a distncia entre centros de dois condutores adjacentes e N
w
o nmero de
camadas de enrolamentos.
Alm disso, para o clculo das perdas no cobre necessrio definir a bitola do fio a ser
utilizado para cada ponto de operao. Para isto, deve se considerar o efeito pelicular ou efeito
skin, que a tendncia das componentes de altas frequncias de corrente em circularem
prximas superfcie dos condutores, assim a densidade de corrente no se distribui
uniformemente pela seo transversal do fio, diminuindo consideravelmente sua rea til.
Assim, o dimetro do fio determinado diretamente em funo da frequncia [46], e definido
pela equao (3.15) dada em centmetros.
7, 5
til
d
fs
= (3.15)

Para definir a seo transversal do fio, necessrio inicialmente escolher um valor
adequado para densidade de corrente (J) (quantidade de carga eltrica atravs de uma seo
condutora). Em [48], utilizou-se um valor para densidade de corrente de 500A/cm
2
. Neste
trabalho, com o objetivo de manter a temperatura dos condutores e diminuir as perdas
hmicas, uma densidade de corrente de 450 A/cm
2
foi utilizada. Com este valor, e com o valor
da corrente de RMS mxima, encontra-se a rea necessria para a determinada corrente,
atravs da equao (3.16).
. 2
RMS
Necessria
I
A
J
= (3.16)

65
Se a rea necessria for maior que a rea til determinada pelo efeito skin, necessrio
calcular o nmero de fios em paralelo a ser utilizado no projeto, de acordo com (3.17).

necessria
paralelo
til
A
N
A
=
(3.17)

As perdas de conduo no indutor so calculadas atravs da soma das perdas CA e
CC, de acordo com a equao (3.18), onde i
L
(rms) a corrente RMS no indutor Boost, i
L
(f)
o harmnico de corrente para cada frequncia de interesse e R
CC
a resistncia hmica do
enrolamento.
2 2
( )
0
. ( ( ). ( ) )
cu CC L rms CA L
f
P R i R f i f

=
= +
(3.18)

A partir das equaes apresentadas, a Figura 3.18, Figura 3.19 e Figura 3.20
apresentam os resultados de simulaes para o comportamento das perdas no cobre em funo
da variao do ponto de operao. Os resultados foram obtidos para as trs tecnologias de
materiais magnticos e para os mesmos parmetros de entrada.


Figura 3.18: Comportamento das perdas no cobre do indutor para o material magntico MPP em funo
da varredura em (i @ fs).

66

Figura 3.19: Comportamento das perdas no cobre do indutor para o material magntico High Flux em
funo da varredura em (i @ fs).

Figura 3.20: Comportamento das perdas no cobre do indutor para o material magntico KoolM em
funo da varredura em (i @ fs).
As perdas no cobre aumentam com a reduo da frequncia de comutao e da
ondulao da corrente de entrada, isto devido ao aumento do comprimento mdio da espira
em funo de um mais volumoso ncleo magntico. As perdas hmicas so significantemente
mais acentuadas que as causadas pelo efeito pelicular e de proximidade. O material magntico
High Flux, quando observado comparativamente, apresenta menor volume entre as
tecnologias de materiais analisadas e, como consequncia, menor comprimento mdio de
espira para a mesma aplicao, resultando em menores perdas no cobre.
67
3.7 Perdas no ncleo
A maneira tradicional para determinar as perdas no ncleo magntico consiste em
analisar a curva de magnetizao do material magntico [42] segundo o ponto de operao
definido pela amplitude de variao de fluxo (funo de i) e pela frequncia. As curvas de
magnetizao, fornecidas pelos fabricantes, so normalmente levantadas com o ncleo
excitado com uma tenso senoidal, onde a perda por unidade de volume do ncleo
registrada para cada valor de amplitude e frequncia da tenso de excitao (senoidal). As
curvas de magnetizao podem ser aproximadas pela equao de Steinmetz (3.19) [46], a qual
evidencia que as perdas tm uma dependncia exponencial tanto da amplitude da variao do
fluxo quanto da frequncia.
. . .
m n
nucleo nucleo
P V C B fs = (3.19)

Onde C, m e n so os coeficientes de Steinmetz e so fornecidos pelos fabricantes.
Estes valores so diferentes para cada tecnologia de material magntico. Este mtodo
eficiente e simples, entretanto apresenta algumas imperfeies para aplicaes em
conversores comutados, tais como:
Como as curvas de magnetizao fornecidas pelos fabricantes so levantadas para uma
excitao senoidal, ser introduzido um erro no clculo das perdas em aplicaes
como em conversores de potncia comutados, uma vez que nos mesmos ocorre a
aplicao de uma tenso quadrada no indutor, e no senoidal;
Em conversores que trabalham no modo de conduo descontinua tambm um erro
adicional introduzido, devido a ocorrncia de intervalos de tempo em que no h
variao de fluxo no interior do ncleo magntico. Ao mesmo tempo, a faixa em que a
variao de fluxo ocorre se d em um tempo menor do que o perodo da frequncia de
comutao utilizada;
Alm da variao da frequncia de comutao, alguns conversores operam com razo
cclica varivel. Esse o caso do conversor Boost PFC, estudo de caso deste trabalho.
Alm do mtodo tradicional no se aplicar onde ocorre variao da razo cclica, o
mesmo tambm no produz resultados coerentes em casos de razo cclica fixa
diferente de 50%;
68
Por isso, com o objetivo de determinar as perdas no ncleo, o mtodo apresentado em
[49] foi utilizado. Na metodologia apresentada neste trabalho, as variaes de frequncia e
razo cclica so consideradas. Alm disso, a tcnica proposta continua baseada na equao de
Steinmetz, apenas com uma modificao na mesma. Seguindo essa idia, a equao (3.20)
proposta. Neste mtodo, a variao da razo cclica automaticamente considerada. A variao
do fluxo magntico determinada pela variao da fora magnetizante (H
MX
- H
MIN
) para cada
perodo de comutao, ou seja, as perdas no ncleo so calculadas para cada perodo de
comutao, sendo determinadas atravs do somatrio das perdas em cada perodo. As curvas de
magnetizao para determinao da variao de fluxo magntico (B) em funo da variao da
fora magnetizante, para as trs tecnologias de materiais magnticos so disponibilizadas pela
fabricante (Figura 3.21, Figura 3.22 e Figura 3.23). A anlise destas curvas primordial para
uma precisa determinao das perdas no ncleo.


Figura 3.21: Curva de magnetizao para o material MPP [44].

Figura 3.22: Curva de magnetizao para o material High Flux [44].
69

Figura 3.23: Curva de magnetizao para o material KoolM [44].
/120
1
.
(2 ) (2 )
m m T fs
off
nucleo on
n n
T
nucleo on off
t
P t B B
C
V t Ts t Ts
=
=
| |

= +
|
|
\

(3.20)

Onde t
on
o tempo de conduo do transistor por perodo de chaveamento e t
off

tempo de conduo do diodo por perodo de comutao. Estes tempos variam de acordo com
a razo cclica. A Figura 3.24, a Figura 3.25 e a Figura 3.26 mostram o comportamento das
perdas no ncleo em funo da variao ponto de operao para os trs materiais magnticos.


Figura 3.24: Comportamento das perdas no ncleo para o material magntico MPP em funo da
varredura em (i @ fs).
70

Figura 3.25: Comportamento das perdas no ncleo para o material magntico High Flux em funo da
varredura em (i @ fs).

Figura 3.26: Comportamento das perdas no ncleo para o material magntico KoolM em funo da
varredura em (i @ fs).
A partir dos resultados, identificado que com o aumento da frequncia de comutao
e da ondulao da corrente de entrada ocorre o aumento das perdas no ncleo para as trs
tecnologias de materiais magnticos. Os degraus identificados nas curvas ocorrem quando h
mudana na permeabilidade magntica do ncleo selecionado. O material High Flux por
suportar maior densidade de fluxo magntico antes da saturao apresenta maiores perdas no
ncleo que as outras tecnologias analisadas.
71
3.8 Perdas totais no indutor
A partir da definio das perdas no cobre e no ncleo do indutor Boost, descritas nas
sees anteriores, as perdas totais do indutor podem ser definidas de acordo com a equao
(3.21). A Figura 3.27, Figura 3.28 e Figura 3.29 apresentam o comportamento das perdas no
indutor Boost em funo da variao do ponto de operao para as trs tecnologias de
materiais magnticos.
INDUTOR ncleo cobre
P P P = + ( 3.21)


Figura 3.27: Comportamento das perdas no ncleo para o material magntico KoolM em funo da
varredura em (i @ fs).

Figura 3.28: Comportamento das perdas no ncleo para o material magntico KoolM em funo da
varredura em (i @ fs).
72

Figura 3.29: Comportamento das perdas no ncleo para o material magntico KoolM em funo da
varredura em (i @ fs).
Os resultados apresentados para as perdas totais no indutor mostram um
comportamento similar para materiais magnticos MPP e KoolM. Para estas tecnologias, as
perdas no cobre so fortemente mais acentuadas que as perdas no ncleo, assim, com a
reduo da frequncia de comutao e da amplitude do ripple, onde o valor da indutncia
maior, as perdas no indutor so mais significativas. Para a tecnologia High Flux, as perdas no
cobre seguem o mesmo comportamento das outras tecnologias, entretanto, com o aumento da
frequncia de comutao e da amplitude do ripple, as perdas no ncleo tm forte influncia no
valor das perdas totais do indutor. Figura 3.30 apresenta um fluxograma contendo as etapas de
projeto do indutor Boost.

73

Figura 3.30: Fluxograma para o projeto do indutor.
74
3.9 Concluso
Neste captulo foi abordado o projeto do indutor para o estudo de caso, conversor
Boost PFC. Uma anlise comparativa entre geometrias e tecnologias de materiais magnticos
foi desenvolvida. Os materiais do tipo powder, com geometria toroidal foram escolhidos para
a realizao dos projetos. Dentre estes, trs tecnologias, com diferentes ligas, foram
comparadas tanto no projeto eltrico (indutncia), quanto mecnico (volume) e trmico
(perdas), mostrando diferenas entre si. O material magntico High Flux, por permitir uma
maior densidade de fluxo magntico em comparao s outras, apresentou melhor densidade
volumtrica de potncia, ou seja, menor volume. A caracterstica de suportar maior densidade
de fluxo faz com que este material apresente maiores perdas no ncleo, principalmente em
altas frequncias e maiores ondulaes de corrente. Entretanto, para o estudo de caso em
questo, onde a variao de fluxo magntico no grande, como em transformadores e
inversores, as perdas hmicas (perdas no cobre) so mais significativas que as perdas no
ncleo. Desta forma, em frequncias de 5kHz at 40kHz, o material magntico High Flux,
pelo menor volume apresentado e consequente menor comprimento de fio em seu
enrolamento (menores perdas hmicas) apontou as menores perdas totais entre as tecnologias
testadas. Em frequncias acima de 40kHz e at 100kHz, o material magntico MPP
apresentou os melhores resultados em termos de rendimento, isto devido a suas baixas perdas
no ncleo.
75

Captulo 4
ANLISE DA INTERFERNCIA
ELETROMAGNTICA E PROJETO DO
FILTRO DE EMI
4.1 Introduo
Este captulo apresenta uma anlise da interferncia eletromagntica gerada por
conversores estticos e que pode ser danosa a equipamentos conectados mesma rede ou
prximos fisicamente. Simulaes da interferncia eletromagntica gerada pelo estudo de
caso, conversor Boost PFC, so apresentadas. Uma metodologia para o projeto do filtro de
EMI demonstrada, bem como resultados de simulaes para o comportamento do volume e
do rendimento deste filtro.
4.2 Anlise da interferncia eletromagntica
dita interferncia eletromagntica qualquer emisso ou sinal irradiado no espao
livre ou conduzido por cabos de alimentao, que coloca em risco o funcionamento de outros
equipamentos que esto prximos ou conectados mesma rede de alimentao. Essa
interferncia afeta de forma diferente cada equipamento de acordo com sua compatibilidade
eletromagntica, que a capacidade que os equipamentos eletrnicos tm de funcionar
adequadamente no ambiente eletromagntico [50].
Com a evoluo dos circuitos eletrnicos para as mais diversas aplicaes e a
disseminao de sistemas de telecomunicaes, tem-se uma grande variedade de fontes de
interferncia eletromagntica. A seguir so indicadas as principais fontes:
76
Transitrios de comutao: produzidos por dispositivos de comutao como
interruptores, rels e contatoras.
Comutao: Sinais aleatrios produzidos por dispositivos eletrnicos, motores
e geradores.
Descargas gasosas: Descargas produzidas por lmpadas fluorescentes, neon e
outros.
Fontes senoidais e no senoidais: Fontes senoidais com distoro e no
senoidais geram harmnicas com frequncias mltiplas da fundamental.
Descargas atmosfricas: Rudos de curta durao e de grande alcance.
Pulso eletromagntico: Campo eletromagntico produzido por exploso
nuclear.
Devido presena de dispositivos semicondutores, comutveis, que produzem
variaes abruptas de tenses e correntes, altos nveis de interferncia eletromagntica
conduzida so gerados pelos conversores. Como essas variaes bruscas em tenses e
correntes devem estar acopladas aos terminais de alimentao dos conversores, um rudo
conduzido estar sendo injetado na rede de alimentao, o que poder causar algum tipo de
dano a outro equipamento que seja alimentado pela mesma rede. O rudo conduzido
produzido nos conversores se divide em modo comum e modo diferencial.

Modo Diferencial: A interferncia eletromagntica de modo diferencial ou
simtrica tem origem na forma de onda triangular de alta frequncia da corrente comutada, e
circula sobreposta prpria corrente de alimentao dos conversores nos terminais de entrada.
Essa interferncia circula entre as fases com uma frequncia muito mais alta que a
fundamental. A Figura 4.1 ilustra o caminho percorrido por este tipo de rudo.

Circuito
Equipamento
Rede Rudo de modo diferencial
Fase
Neutro
Aterramento
Chassi

Figura 4.1: Circuito para o rudo de modo diferencial.
77
Modo Comum: A interferncia de modo comum atravessa o circuito atravs
do aterramento. oriundo da linha de alimentao, ou seja, est presente tanto na fase como
no neutro, como mostrado na Figura 4.2. Em conversores comutados, este rudo tem fonte
principal em capacitncias parasitas presentes nos elementos do circuito e, entre o mesmo e o
chassi, que deve ser aterrado por medida de segurana. Como a dependncia deste rudo de
ordem aleatria, ou seja, depende de alguns fatores que no podem ser previamente
estimados, a nica forma de determinar este tipo de rudo atravs de ensaios prticos. Em
[51] realizada uma anlise atravs de medies, das posies dos elementos passivos do
conversor, particularmente os componentes do filtro de EMI que so os mais afetados por
campos magnticos, diminuindo o desempenho do filtro. Os resultados mostram que a
perpendicularidade na alocao dos componentes diminui de maneira significativa o rudo de
modo comum, melhorando o desempenho do filtro. Existem trabalhos que realizam de forma
satisfatria a estimativa deste tipo de rudo, em [24], [28], [52], [53] e [54]. Esta estimativa
realizada para o conversor Boost PFC operando com ponto de operao e todos os outros
parmetros fixos. Com todos os nveis de tenses, correntes e frequncias definidos, as
capacitncias parasitas existentes no circuito so modeladas definindo os elementos parasitas
presentes em todo o sistema conversor.
Quando trata-se de interatividade, realizando os projetos para vrios pontos de
operao, diferentes tecnologias de materiais magnticos, semicondutores, dissipadores e
topologias de filtro, torna-se muito difcil realizar esta estimativa de maneira satisfatria.
Desta forma, o projeto do filtro ser realizado a partir do rudo de modo diferencial, que
adequadamente estimado atravs das simulaes.

Circuito
Equipamento
Rede
Rudo de modo comum
Fase
Neutro
Aterramento
Chassi
Prasitas

Figura 4.2: Circuito para o rudo de modo comum.

78
4.3 Conversor Boost PFC interferncia eletromagntica
A corrente de entrada dos conversores comutados que operam como pr-reguladores
para correo de fator de potncia composta por uma componente senoidal em 60Hz e uma
componente triangular de alta frequncia sobreposta a esta. Essa componente triangular gera
harmnicos de ordem elevada, mltiplas da frequncia de comutao, que circulam por
condutores em forma de interferncia eletromagntica conduzida de modo diferencial.
Regulamentaes internacionais como a CISPR-11, CISPR-16 e CISPR-22 so as
mais comuns para aplicaes em conversores estticos. A norma CISPR-22 a mais utilizada,
esta norma aplicada para irradiaes eletromagnticas em equipamentos da Classe B, que
so equipamentos de uso domstico, apesar de poderem ser utilizados na indstria. Os limites
para equipamentos da Classe B so mais severos que os limites da Classe A (aplicvel em
equipamentos de uso comercial, industrial ou de negcios), por se considerar que no ambiente
residencial h menor condio de utilizao de tcnicas de proteo irradiao
eletromagntica. Para o estudo de caso aplicado neste trabalho, a norma CISPR-22 classe B
foi utilizada como referncia para regulao da interferncia gerada pelo conversor. A Figura
4.3 mostra os limites recomendados por esta norma para a classe A e B.


Figura 4.3: Limites de quase-pico para interferncia conduzida segundo a norma CISPR-22.

O nvel de dano causado por esta interferncia proporcional amplitude dos
harmnicos de alta frequncia que excedem o limite estabelecido pela norma aplicada. A
norma (CISPR-22), faz restrio para harmnicos de frequncias entre 150kHz e 30Mhz e
para esta faixa de frequncias que o filtro deve atuar. Para estimar a interferncia
79
eletromagntica gerada pelo conversor, o mtodo derivado em [55] utilizado. Este mtodo
analisa o espectro da corrente de entrada, escrevendo a expresso analtica da ondulao da
corrente de entrada, ento, baseado na transformada de Fourier (FT) e na transformada rpida
de Fourier (FFT), a partir destas transformadas, a magnitude de cada harmnico de alta
frequncia determinado. A Figura 4.4 e a Figura 4.5 mostram o comportamento dos
harmnicos de alta frequncia para diferentes pontos de operao. Estes harmnicos so
obtidos a partir da FFT da corrente de entrada.


(i = 20%, f
S
= 14kHz)

(i = 40%, f
S
= 14kHz)
Figura 4.4: Interferncia eletromagntica de modo diferencial gerada pelo conversor para frequncia de
comutao de 14kHz.

80


(i = 20%, f
S
= 78kHz)


(i = 40%, f
S
= 78kHz)
Figura 4.5: Interferncia eletromagntica de modo diferencial gerada pelo conversor para frequncia de
comutao de 78kHz.
4.4 Projeto do filtro de EMI
Para o projeto do filtro de EMI, o mtodo derivado em [56] e [57] utilizado. Este
mtodo considera a magnitude do harmnico crtico, que mltiplo da frequncia de
comutao e o primeiro que excede os limites da norma (acima de 150kHz Limite da
CISPR-22). Tipicamente, o harmnico crtico est alocado entre 150kHz e 500kHz, esta
uma faixa onde o limite da norma apresenta um declive de 20dB/dec. Por isso, quanto mais
elevada a frequncia de comutao, menor ser a ordem do harmnico crtico (maior
81
amplitude). Por exemplo, em fs = 50kHz, o terceiro harmnico, em 150kHz, dever ser
limitado. Neste sentido, maiores amplitudes de ondulao de corrente, utilizadas para reduzir
volumes dos indutores, resultam em um aumento da amplitude do harmnico crtico e por
consequncia o volume do filtro de EMI.
Existem inmeras topologias de filtros de EMI, como a , a L, a T, a duplo ,
entre outras. Cada topologia apresenta vantagens e desvantagens em relao s outras [58].
Entretanto, as topologias mais difundidas no meio acadmico e industrial so a [24], [56],
[59] e [60] e a duplo [25], [23] e [61]. Em [62] demonstrado que a topologia duplo ,
Figura 4.6, apresenta melhores resultados em termos de volume do filtro para o estudo de
caso. Assim, esta topologia ser aplicada ao projeto desenvolvido neste trabalho.


Figura 4.6: Estrutura da topologia duplo .
A interferncia eletromagntica se propaga em forma de corrente. Entretanto, os
limites da norma (CISPR-22) so estabelecidos em dB/V. Desta forma, para avaliar a
interferncia gerada de forma adequada deve-se realizar a converso dos valores dos
harmnicos de corrente em tenso. A converso realizada atravs da multiplicao do valor
da corrente do harmnico por 50, estabelecido pela norma CISPR-22 (50 representa a
impedncia da rede) [5]. A partir deste valor de tenso, chamado de V
int
possvel encontrar o
valor em dB/V (VdB/V) atravs da equao (4.1).

int
( / ) 20log
1
V
V dB V
V

= (4.1)
A partir do valor de tenso interferente de cada harmnico de corrente, podem-se
verificar quanto os nveis de rudo excedem os limites estabelecidos pelas normas. O projeto
do filtro de EMI parte do valor do pico de tenso do harmnico crtico, e de acordo com a
atenuao do filtro (100dB/dec para a topologia duplo ), a frequncia de corte do filtro
Entrada
Conversor
82
determinada. Existe uma relao inversa entre a frequncia de corte e a indutncia de modo
diferencial dos indutores de filtro, equao (4.2). A indutncia de disperso de valor L
MD
=
0.002*L
MC
assumida para o projeto do indutor de modo comum (projeto fsico do filtro)
[18]. Assim, quanto mais alta a frequncia de corte menor ser o volume do filtro de EMI.


2
1 1
2
MD
corte X
L
f C
| |
=
|
\
(4.2)

Os capacitores utilizados no projeto do filtro de modo diferencial so os capacitores da
classe X, e so divididos em suas subclasses de acordo com o nvel da tenso aplicada.
A subclasse X1 deve suportar picos de tenso acima de 1,2 kV;
A subclasse X2 deve suportar picos de tenso abaixo de 1,2 kV.
Os valores tpicos para capacitncias da classe X1 esto entre 10nF e 0,2F enquanto
que para os da classe X2 esto entre 10nF e 1F para aplicaes com tenso de 250V. Os
dieltricos mais utilizados so os filmes plsticos como, por exemplo, polister e
polipropileno.
J para o filtro de modo comum, os capacitores utilizados so os da classe Y. Os
capacitores dessa classe so utilizados em situaes onde sua falha pode propiciar perigo de
choque eltrico. Esses capacitores tm altas margens de segurana aumentando a
confiabilidade e prevenindo curto-circuito. Com suas capacitncias limitadas restringe
qualquer corrente AC circulante no capacitor de forma a reduzir a energia armazenada a
nveis seguros. Valores tpicos para a capacitncia esto entre 2,5nF e 35nF. Os materiais
comumente utilizados como dieltricos so os filmes plsticos, metalizados ou no, e
dieltricos de papel.
Os capacitores de filtro tm importante influncia na atenuao do rudo, entretanto,
necessrio tomar cuidados na escolha desses elementos. As capacitncias devem ser limitadas
de maneira a no influenciar no fator de potncia capacitivo da entrada, medido quando o
conversor estiver com carga mnima [63]. Atravs da equao (4.3) pode-se estimar a mxima
capacitncia equivalente de entrada.


2
( )
tan(arccos( ))
2 ( )
MIN
MIN MX
rede fase RMS
P
C FP
f V
= (4.3)

83
Como os elementos que mais influenciam no volume e custo do filtro so os ncleos
magnticos, neste trabalho se optou por utilizar os valores mximos de capacitncia, sempre
levando em considerao o FP mnimo de 0,92 estipulados pela ANEEL. Desta forma, os
valores das capacitncias de filtro so previamente determinados e, a partir da equao (4.2)
encontra-se o valor da indutncia necessria para supresso do rudo de modo diferencial.
Devido ao acoplamento dos indutores de filtro, no ocorre variao de fluxo
magntico no interior do ncleo. Esta ausncia permite aos indutores de filtro trabalhar em
qualquer faixa de corrente sem que haja saturao do ncleo magntico. Desta forma, o
ncleo selecionado independe da corrente de entrada, sendo determinado em funo do
nmero de espiras e da rea interna por elas ocupada.
O nmero de espiras calculado para cada ncleo magntico catalogado pela
fabricante (MAGNETICS), e proporcional rea de seo transversal (Ae), ao comprimento
mdio (le) e permeabilidade do ncleo (), como apresentado na equao (3.3). Calculado o
nmero de espiras para cada ncleo, realizado um teste para verificar se este suporta em seu
interior a rea representada por este enrolamento, considerando um fator de enrolamento de
40%. Neste ponto necessrio saber qual o dimetro do fio a ser utilizado para cada ponto de
operao. Para isto, deve se considerar o efeito pelicular ou efeito skin, conforme apresentado
nas equaes (3.15 3.17).
Uma vez que os projetos dos componentes do filtro de EMI so funes da frequncia
de corte, e esta varia de acordo com a ordem, frequncia e amplitude do harmnico crtico, a
indutncia de filtro de modo diferencial e consequentemente seu volume no apresentam um
comportamento linear. As trs tecnologias de materiais magnticos utilizadas no projeto do
indutor Boost foram testadas nos projetos dos indutores do filtro de EMI. O comportamento
do volume do filtro em funo do ponto de operao para o conversor Boost PFC com
potncia de entrada de 1kW, tenses de entrada 220V
CA
e de sada 400V
CC
so apresentados
na Figura 4.7, Figura 4.8 e Figura 4.9.

84

Figura 4.7: Volume do filtro de EMI em funo do ponto de operao para a topologia duplo e para o
material magntico MPP.

Figura 4.8: Volume do filtro de EMI em funo do ponto de operao para a topologia duplo e para o
material magntico High Flux.

Figura 4.9: Volume do filtro de EMI em funo do ponto de operao para a topologia duplo e para o
material magntico KoolM.
85
A partir das figuras acima, identificado que o material magntico MPP apresenta os
melhores resultados quando o objetivo de otimizao o volume do filtro de EMI.
4.5 Anlise do rendimento
Os indutores acoplados utilizados nos projetos do filtro so projetados com o mesmo
nmero de espiras e com enrolamentos opostos, resultando em fluxos magnticos opostos no
interior do ncleo. Estes fluxos, de mesma magnitude e sentidos opostos, fazem com que no
haja significativa variao de fluxo magntico no interior do ncleo. Desta forma, as perdas
nos ncleos magnticos do filtro de EMI podem ser desconsideradas. A partir do descrito, as
perdas no filtro so basicamente geradas a partir das perdas no cobre. Estas so determinadas
de acordo com o subcaptulo 3.6 do captulo anterior. A Figura 4.10, Figura 4.11 e Figura
4.12 mostram o comportamento das perdas no filtro de EMI em funo do ponto de operao
para as trs tecnologias de materiais magnticos analisadas e para os mesmos parmetros de
entrada da simulao anterior.


Figura 4.10: Perdas no filtro de EMI em funo do ponto de operao para a topologia duplo e para o
material magntico MPP.

86

Figura 4.11: Perdas no filtro de EMI em funo do ponto de operao para a topologia duplo e para o
material magntico High Flux.


Figura 4.12: Perdas no filtro de EMI em funo do ponto de operao para a topologia duplo e para o
material magntico KoolM.
O material magntico MPP, apresenta menor volume para o filtro de EMI em
comparao com as outras duas tecnologias. Como consequncia, as menores perdas (perdas
hmicas) so encontradas para esta tecnologia de material. Um fluxograma contendo as etapas
detalhadas do projeto do filtro de EMI apresentado, Figura 4.13.


87

Figura 4.13: Fluxograma para o projeto do filtro de EMI.
88
4.6 Concluso
Neste captulo foi abordado o indesejvel efeito da interferncia eletromagntica
gerada por conversores chaveados, bem como os danos causados por ela equipamentos e
sistemas conectados mesma rede. Para limitar este efeito e, atender as restries
estabelecidas por normas, o projeto do filtro supressor desta interferncia (filtro de EMI), para
o estudo de caso, foi apresentado. Anlises eletromagnticas, mecnicas (volume) e trmicas
(perdas) foram realizadas para trs diferentes tecnologias de materiais magnticos aplicados
aos indutores de filtro. Dentre estas, a tecnologia MPP, por alcanar permeabilidades
magnticas mais altas em comparao s outras tecnologias, apresentou os melhores
resultados em termos de volume e consequentemente rendimento (volumes reduzidos
resultam em menores comprimentos de fio para os enrolamentos e menores perdas hmicas).
Entretanto, esta tecnologia de material magntico apresenta o custo mais elevado.
89

Captulo 5
SELEO DOS SEMICONDUTORES E
PROJETO DO SISTEMA DE
TRANSFERNCIA DE CALOR
(DISSIPADORES)
5.1 Introduo
Este captulo apresenta uma detalhada anlise das perdas de conduo e comutao em
semicondutores (transistor e diodo). desenvolvido um estudo comparativo entre diferentes
tecnologias de semicondutores, indicando a tecnologia que apresenta menores perdas para a
mesma aplicao (estudo de caso, conversor Boost PFC). O projeto do volume do sistema de
transferncia de calor (dissipador) tambm demonstrado e os resultados indicam,
comparativamente, a tecnologia que apresenta a melhor densidade volumtrica de potncia.
5.2 Semicondutores
Desde a inveno do primeiro tiristor de juno PNPN, pelos laboratrios Bell em
1957, houve um grande avano nos dispositivos semicondutores de potncia.
A serem aplicados em sistemas de elevada potncia e substiturem as rudimentares
vlvulas os dispositivos semicondutores devem ser capazes de suportar grandes correntes e
elevadas tenses reversas em sua comutao. Alm disso, em vrias aplicaes de eletrnica
de potncia, h necessidade de uma operao em elevadas frequncias de comutao dos
dispositivos semicondutores, como, por exemplo, os conversores estticos. Dessa forma, os

90
dispositivos semicondutores devem possuir preferencialmente baixas perdas de potncia nos
perodos de comutao e conduo.
At 1970, os tiristores convencionais foram exclusivamente usados para o controle de
potncia em aplicaes industriais. Desde 1970, vrios tipos de dispositivos semicondutores
de potncia foram desenvolvidos e se tornaram disponveis comercialmente. Estes
dispositivos so amplamente difundidos com maior destaque para: os diodos de potncia, os
tiristores, os transistores bipolares de juno de potncia, o MOSFET de potncia, o SIT
(Static Induction Transistor) e o IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor).
Dentre as tecnologias mencionadas, os diodos merecem ateno especial. A
recombinao dos portadores minoritrios (eltrons) que ocorre durante o bloqueio produz
uma corrente reversa, conhecida como corrente de recuperao reversa, que percorre o
circuito conversor gerando interferncia eletromagntica, aumentando as perdas e, em alguns
casos, danificando outros componentes. Para minimizar este efeito, tecnologias de diodos,
como hiperfast rectifier 15ETH06 da IR (International Rectifier) que apresenta valores muito
baixos para a corrente de recuperao reversa [64] e a tecnologia Silicon Carbide Schotky da
CREE que no possui corrente de recuperao reversa [65] e [66] aparecem como boas
solues em aplicaes a serem utilizadas em conversores. Desta forma, essas duas
tecnologias de diodos foram empregadas neste trabalho.
Facilidade de acionamento, elevada impedncia de entrada, alta capacidade de
corrente, baixas perdas, robustez, entre outras, so caractersticas dos IGBTs e MOSFETs.
Isto fez com que estas tecnologias de transistores se tornassem largamente difundas em
projetos de conversores estticos. Os IGBTs apresentam baixas perdas de conduo, e
considerveis perdas nas comutaes devido sua corrente de cauda, que ocorre na sada de
conduo deste dispositivo pela recombinao de portadores minoritrios devido ao
comportamento similar ao TJB. J para os MOSFETs, as perdas de conduo so mais
significativas, pelo fato deste dispositivo ser unipolar, ou seja, cuja corrente depende
exclusivamente dos portadores majoritrios (eltrons). Em contrapartida, o bloqueio do
MOSFET ocorre de forma mais rpida e com menos perdas que o IGBT. Como neste trabalho
o projeto do conversor realizado atravs de uma ampla varredura entre inmeros pontos de
operao (i @ fs), torna-se necessria a incluso de diferentes tecnologias de
semicondutores, objetivando encontrar o menor volume do conversor para cada tecnologia.
Outras tecnologias de semicondutores como os novos CoolMOS C3 e CoolMOS CP que
apresentam significativas vantagens em determinadas aplicaes tambm sero analisadas. A
91
Tabela I apresenta os nveis de corrente e a temperatura de juno para cada tecnologia
avaliada.
Tabela I. Parmetros de entrada para o conversor implementado.
Tecnologia\Parmetro Corrente (RMS) (A) T
J
(C)
MOSFET IRF450A 14 125
CoolMOS IPP60R299CP 11 125
CoolMOS SPP17N80C3 17 125
Diodo 15ETH06 15 150

5.3 Anlise e clculo de perdas
Diodos - Uma parte significativa das perdas produzidas pelos diodos ocorre
durante a conduo, principalmente para potncias mais elevadas quando a corrente mais
alta. A corrente mdia instantnea de conduo (I
F
) influencia diretamente nas perdas. O
produto entre esta corrente e a queda de tenso direta define as perdas de conduo. A queda
de tenso direta (V
F
) tambm proporcional temperatura de juno (Tj) e cresce com o
aumento da corrente mdia de conduo conforme curvas disponibilizadas pelos fabricantes.
A partir do valor de tenso direta em funo de Tj e I
F
possvel definir as perdas de
conduo dos diodos aplicados em conversores comutados de acordo com a equao (5.1).

0
1
.
nTs
Cond F F
P I V
nTs
=

(5.1)

Onde nTs o nmero de perodos de comutao.
Durante a sada de conduo dos diodos, a carga de portadores minoritrios deve ser
removida, isso ocorre atravs da recombinao dos eltrons livres no interior do dispositivo.
Os diodos permanecem diretamente polarizados enquanto a carga de portadores minoritrios
ainda estiver presente. A sada de conduo ocorre at quando todas as cargas minoritrias
sejam retiradas. As perdas ocasionadas s comutaes do diodo so totalmente geradas
atravs desta recombinao de portadores minoritrios (corrente de recuperao reversa),
desta forma, estas perdas ocorrem somente durante a sada de conduo. Quanto maior for a
92
corrente de recuperao reversa, maiores sero as perdas oriundas das comutaes, a Figura
5.1 ilustra o comportamento desta corrente na sada de conduo do diodo.

Figura 5.1: Demonstrao da corrente de recuperao reversa.
O tempo em que a corrente de recuperao reversa est sobreposta derivada de
subida da tenso de barramento aplicada sobre o diodo (t
r
t
2
) caracteriza as perdas totais nas
comutaes. Durante o intervalo de tempo (t
2
t
0
) a queda de tenso no diodo muito baixa e
pode ser desconsiderada.
Para calcular essa potncia dissipada, necessrio determinar a corrente de
recuperao reversa (I
R
), de acordo com a equao (5.2).

2 1 2 1
_ ( ) ( )
( . )
sw diodo R t t D t t
P i V fs

=
(5.2)

Para a determinao dos valores dos tempos t
r
,

t
2
e Q
rr
so necessrios encontrar
equaes para as curvas de tempo de recuperao reversa (t
rr
) (este tempo varia para cada
tecnologia) e carga de recuperao reversa (Q
rr
) em funo da derivada da corrente (di
F
/dt).
Estas curvas so disponibilizadas pelos fabricantes. Como demonstrao, a determinao de
(t
rr
) e (Q
rr
) para o diodo hiperfast rectifier 15ETH0 definida como segue:
A Figura 5.2 indica o comportamento da carga de recuperao reversa para diferentes
nveis de correntes, temperaturas de juno (25C e 125C), em funo da taxa de
decrescimento da corrente (di
F
/dt). As equaes (5.3) e (5.4) representam as curvas da carga
93
de recuperao reversa, em funo da corrente direta para as temperaturas de juno de 125
o
C
e 25
o
C para uma corrente de 15A.


Figura 5.2: Comportamento da carga de recuperao reversa para o diodo 15ETH06.
_125
354, 5.
5, 45
F
RR
F
I
Q
I
=
+
(5.3)

_ 25
173, 3.
35
F
RR
F
I
Q
I
=
+
(5.4)

Para temperaturas de juno intermedirias (a critrio do projetista), necessria a
utilizao de tcnicas de interpolao de curvas, de acordo com a equao (5.5).

_125 _125 _ 25 _ 25
(Tj I )
( .Tj - .25) + ( .150 - .Tj)
=
125 - 25
F
RR RR RR RR
RR
Q Q Q Q
Q (5.5)

O tempo em que a corrente de recuperao reversa permanece presente tambm
disponibilizado pelo fabricante em funo dos mesmos parmetros apresentados por (Q
rr
),
como mostrado na Figura 5.3. A equao (5.6) relaciona os tempos apresentados na Figura
5.1 com o tempo de recuperao reversa (t
RR
) disponibilizado pelo fabricante (datasheet).

2 RR r
t t t = (5.6)

94

Figura 5.3: Comportamento do tempo de recuperao reversa para o diodo 15ETH06.
As equaes (5.7) e (5.8) representam as curvas do tempo de recuperao reversa em
funo da corrente direta para as temperaturas de juno de 125
o
C e 25
o
C respectivamente.

_125
82,12.
2, 81
F
RR
F
I
t
I
=
+
(5.7)

_ 25
32, 3.
2, 31
F
RR
F
I
t
I
=
+
(5.8)

Da mesma forma como para (Q
rr
), necessria a interpolao de curvas para escolha
da temperatura de juno, conforme equao (5.9).


_125 _125 _ 25 _ 25
(Tj I )
( .Tj - .25) + ( .150 - .Tj)
=
125 - 25
F
RR RR RR RR
RR
t Q t t
t (5.9)

Uma forma simplifica de determinar as perdas nas comutaes dos diodos e, que
apresenta resultados satisfatrios [61], foi desenvolvida em [67], equao (5.10).

0 SW RR
P V Q = (5.10)


95
Simulaes para as perdas em funo do ponto de operao para o estudo de caso,
conversor Boost PFC, operando com potncia de entrada de 1kW, tenso de entrada 220V
CA
e
tenso de sada 400V
CC
, foram realizadas (estes parmetros de entrada sero utilizados para
todos os resultados apresentados neste captulo). A Figura 5.4 mostra o comportamento das
perdas para o diodo de silcio hiperfast rectifier 15ETH06. A tecnologia de diodo com Silicon
Carbide, o Schotky CSD06060A tem carga de portadores minoritrios muito baixa, tornando
nulas as perdas nas comutaes para esta tecnologia.


Figura 5.4: Perdas totais para o diodo SI 15ETH06.

MOSFET - As perdas de conduo no MOSFET so bastante significativas,
isso se deve ao fato de o semicondutor possuir um comportamento resistivo quando em
conduo. Sendo assim, para determinados valores de corrente torna-se invivel a utilizao
deste tipo de dispositivo, pois a potncia dissipada durante a conduo atingiria valores muito
altos. Alternativas para utilizao em aplicaes de altas correntes so o paralelismo de
MOSFETs, ou a aplicao de clulas em paralelo [67] - [69]. As perdas durante a conduo
do MOSFET so determinadas a partir da equao (5.11).

2
.
ON ON RMS
P R I = (5.11)

A maior parte da potncia dissipada durante as comutaes de MOSFETs ocorre por
sobreposies entre tenses e correntes na entrada e na sada de conduo (Overlap) [61],
96
Figura 5.5. Os tempos em que ocorrem estas sobreposies so determinantes para o clculo
das perdas. Esses tempos so proporcionais a cargas e descargas de capacitncias parasitas
presentes neste semicondutor (C
DG
, C
GS
e C
GD
). Para o clculo das perdas nas comutaes
necessrio determinar os tempos em que ocorrem a entrada e sada de conduo do MOSFET.


Figura 5.5: Entrada em conduo do MOSFET.
O termo tenso de threshold (Vth), ou tenso limiar usado para definir a mnima
polarizao de porta necessria para formar o canal de conduo entre fonte e dreno. A tenso Vth
usualmente medida para correntes de dreno de 250A. Valores comuns situam-se entre 2V e 4V
para transistores de mais alta tenso e 1V a 2V para transistores de mais baixa tenso [67].
A corrente s comear a circular pelo dreno quando a tenso de gate atingir o valor
da tenso limiar e, permanece crescendo at que o capacitor presente entre gate e fonte se
carregue completamente, isso ocorre no instante de tempo t
2
. Neste ponto, a tenso aplicada
sobre o interruptor V
D
comea a diminuir. A excurso da tenso V
D
no intervalo de tempo t
2
at t
3
relativamente grande, assim a carga total do circuito de acionamento tipicamente
mais elevada para a capacitncia C
DG
do que para a capacitncia C
GS
. No instante de tempo t
3

a tenso cai a um valor igual ao produto de I
D
por R
ON
, e o semicondutor entra em conduo.
O intervalo de tempo entre t
0
e t
2
representa a carga Q
GS
consumida pela capacitncia
C
GS
. O perodo de tempo entre t
2
e t
3
representa a carga Q
GD
consumida pela capacitncia
C
GD
. As cargas das capacitncias parasitas so funes do produto entre a corrente e o tempo.
Quanto maior for a corrente de gate, menor ser o tempo de carga destas capacitncias, isso
indica uma relao direta entre a corrente de gate e os tempos de comutaes. Para uma
correta anlise comparativa, as simulaes realizadas para as diferentes tecnologias de
97
semicondutores utilizaram a mesma corrente de gate. Os intervalos de tempo nas comutaes
assim como os valores das cargas so encontrados a partir de curvas disponibilizadas pelos
fabricantes. A sada de conduo similar entrada. As perdas foram determinadas de acordo
com [70] - [72]. A capacitncia de entrada (C
ISS
), capacitncia de sada (C
OSS
) e capacitncia
de transferncia reversa (C
RSS
) so disponibilizadas pelo fabricante e podem ser utilizadas
como ponto de partida para o calculo das capacitncia parasitas (C
DS
, C
GD
e C
GS
) de acordo
com as equaes (5.12), (5.13) e (5.14).

ISS GS GD
C C C = + (5.12)


OSS DS GD
C C C = + (5.13)


RSS GD
C C = (5.14)

A capacitncia gate-dreno, C
GD
, definida como uma funo no linear da tenso e
o parmetro mais importante porque fornece uma realimentao entre a sada e a entrada do
circuito. C
GD
tambm chamada de capacitncia Miller, porque ela faz com que a
capacitncia de entrada dinmica total fique maior que a soma das capacitncias estticas. De
posse destas informaes possvel determinar os tempos em que ocorrem as comutaes,
equaes (5.15), (5.16) e (5.17).
GS Plateau ISS
Q V C = (5.15)

2
GS
G
Q
t
I
= (5.16)

1 2
Threshold
Plateau
V
t t
V
= (5.17)

Durante o intervalo de tempo entre t
2
e t
3
ocorre a carga de C
GD
. A partir de t
2
e de
Q
GD
possvel determinar o intervalo de tempo t
3
, equao 5.18.

3 2
t t
GD
G
Q
I
= + (5.18)
98
A potncia dissipada nas comutaes, oriunda de sobreposies entre tenses e
correntes, pode ser dividida em seis etapas distintas de acordo com seus respectivos tempos de
atuao.
1. Durante o intervalo de tempo entre t
1
e t
2
.

( ). ( )
SW SW SW
P i t V t = (5.19)

1 2 1
( )
SW
P P t t fs = (5.20)

2. Durante o intervalo de tempo entre t
2
e t
3
.

.
2
D D
SW
I V
P = (5.21)

2 3 2
( )
SW
P P t t fs = (5.22)

3. Durante o intervalo de tempo entre t
5
e t
6
.

3 6 5
( )
SW
P P t t fs = (5.23)

4. Durante o intervalo de tempo entre t
6
e t
7
.


4 7 6
( )
SW
P P t t fs = (5.24)

5. Perdas por entrada em conduo capacitiva.

2
0
5
.
2
DS
V C
P = (5.25)

6. Perdas por corrente de recuperao reversa do diodo.

99
As perdas provenientes da recuperao reversa, ocorrem durante o intervalo de tempo
entre t
2
e t
RR
,
,
equao (5.26).
0 ( , )
( . )
F
RR RR Tj I RR D
P V Q t I = + (5.26)

Desta forma, a potncia total dissipada pelo MOSFET durante as comutaes pode ser
definida como o somatrio das perdas produzidas em cada uma das etapas relacionadas,
equao (5.27).
_ 1 2 3 4 5 SW TOTAL RR
P P P P P P P = + + + + + (5.27)

A Figura 5.6 mostra o comportamento das perdas em funo do ponto de operao
para o MOSFET IRF450A aplicado ao conversor Boost PFC.


Figura 5.6: Perdas totais para o MOSFET IRF450A.
Por ter sido criada a partir do MOSFET e utilizar praticamente a mesma tecnologia, os
CoolMOS seguem o mesmo principio para o clculo das perdas. A diferena est na super
juno, que torna a tecnologia CoolMOS C3 atrativa quando se busca baixas perdas de
conduo e a tecnologia CoolMOS CP atrativa quando o objetivo so as baixas perdas nas
comutaes. A Figura 5.7 e Figura 5.8 mostram o comportamento das perdas em funo do
ponto de operao.

100

Figura 5.7: Perdas totais para o CoolMOS IPP60R299CP.


Figura 5.8: Perdas totais para o CoolMOS SPP17N80C3.

IGBT Durante o perodo de conduo, as perdas no IGBT so determinadas
pelo produto da tenso direta V
CE
e pela corrente que flui pelo dispositivo, I
C
. As curvas que
relacionam a tenso direta com a corrente direta em funo da temperatura de juno so
disponibilizadas pelos fabricantes.
As perdas na entrada em conduo do dispositivo IGBT podem ser determinadas da
mesma forma que para o MOSFET, mas com capacitncias de gate ligeiramente inferiores e
com perdas capacitivas desprezveis. A principal diferena est na sada de conduo, o IGBT
101
apresenta uma corrente devido recombinao de portadores minoritrios, da mesma forma
que os diodos, a corrente de cauda, que causa o aumento das perdas nesta etapa da comutao.
A existncia desta corrente de cauda limita a utilizao deste tipo de semicondutor para
aplicaes em mais altas frequncias.
A Figura 5.9 mostra o comportamento das perdas nas comutaes para o IGBT
IRG4BC20UD em funo do ponto de operao para uma temperatura de juno de 100
o
C.
possvel identificar atravs das simulaes que as perdas durante as comutaes para o IGBT
so significantemente maiores que para MOSFETs e CoolMOS, isto se deve justamente
mencionada corrente de cauda apresentada na sada de conduo. Desta forma, para
frequncias de comutao mais altas seriam necessrios volumosos dissipadores trmicos,
limitando a frequncia de utilizao deste dispositivo.


Figura 5.9: Perdas totais para o IGBT IRG4BC20UD.
5.4 Projeto do sistema de transferncia de calor - dissipadores
A energia perdida nos semicondutores dissipada em forma de calor. A
funcionalidade e vida til dos dispositivos esto diretamente relacionadas a temperatura de
juno dos mesmos. Desta forma, uma detalhada anlise trmica torna-se necessria. Um
modelo simples e suficientemente adequado o unidimensional, representado pela Figura
5.10, que dado em termos de resistncias trmicas. Com base nesta figura possvel calcular
102
a resistncia trmica que o dissipador deve possuir para manter um nvel funcional de
temperatura [73].


Figura 5.10: Modelo Unidimensional para Resistncia Trmica.
As resistncias R
JC
, R
CD
e R
SA
so respectivamente: Resistncia de juno
encapsulamento, encapsulamento dissipador e dissipador ambiente. Estas resistncias
trmicas so integrantes do sistema semicondutor - dissipador - ambiente e suas
caractersticas variam para cada semicondutor em funo de seu encapsulamento. Neste
sistema desconsiderada a resistncia do isolamento. No caso da insero de um isolante, sua
resistncia dever ser considerada.
As perdas totais nos semicondutores, equao (5.28), esto representadas no modelo
em forma de fonte de corrente e esto representadas pela letra P.


total comutao Conduo
P P P = + (5.28)

Atravs do circuito equivalente da Figura 5.9 possvel determinar a temperatura do
dissipador atravs da equao (5.29). A partir desta equao, encontra-se o valor de R
SA

definida entre o dissipador e o ambiente, equao (5.30), com o valor de RSA calculado,
definido o comprimento do dissipador para o perfil desejado atravs do catlogo do fabricante
[74].

- ( )
D J Totais JC CD
T T P R R = +
(5.29)

-
D Amb
SA
Totais
T T
R
P
=
(5.30)
Aps o clculo da resistncia trmica, outros dois ajustes devem ser realizados para o
adequado projeto dos dissipadores trmicos. Os dissipadores so mais eficientes quando a
temperatura ambiente baixa e a medida que a temperatura ambiente aumenta, diminui a
103
eficincia da troca trmica entre o dissipador e o ambiente, assim ocorre a diminuio da
resistncia trmica em funo da menor diferena de temperatura entre o dissipador e o
ambiente. Este comportamento representado na Figura 5.11. Esta curva disponibilizada
pela fabricante de dissipadores [74], e d um fator de correo de temperatura que
representado pela equao (5.31).


Figura 5.11: Comportamento da resistncia trmica em relao variao da temperatura de juno e a
temperatura ambiente.
0, 6555 exp(-0, 04587 ) 1,174 exp(-0, 002419 )
temp
Fc t t = + (5.31)

O outro aspecto importante que deve ser considerado nos projetos o ajuste do
comprimento dos dissipadores. O fabricante disponibiliza a resistncia trmica para cada
perfil em um comprimento de 4 polegadas. Assim, necessrio ajustar a resistncia trmica
atravs de um fator de correo, disponibilizado pelo fabricante, Figura 5.12, e representada
pela equao (5.32).

104

Figura 5.12: Fator de Correo de Comprimento.
2
3
(8, 239 1, 74)
0, 6121 0, 2681 0, 056
CC
CC CC
CC
F
L F F
F

= + (5.32)

Onde L o comprimento necessrio para que o perfil do dissipador mantenha a
temperatura de juno na temperatura previamente escolhida. Entretanto, para calcular o
comprimento do perfil, necessrio determinar o valor de F
CC
, que o fator de correo de
comprimento e dado a partir da resistncia trmica para quatro polegadas. Este valor de
resistncia para quatro polegadas disponibilizado pelo fabricante e representado por R
TP

[75]. O fator de correo de comprimento encontrado a partir da equao (5.33).

.
SA
CC
TP temp
R
F
R Fc
= (5.33)

Com o objetivo de encontrar menores volumes e custos do conversor Boost PFC,
foram utilizados neste trabalho quatro diferentes perfis de dissipadores, cada um com um
valor diferente de R
TP
, e com layouts diferentes entre si. Para nenhum dos casos foi utilizada
ventilao forada. Os perfis utilizados foram:
HS 12132: Este perfil apresenta R
SA
de 1,92 C/W/4" e suas dimenses so
apresentadas na Figura 5.13.

105

Figura 5.13: Dimenses do dissipador para o perfil HS 12132 em (mm).

HS 7324: Este perfil apresenta R
SA
de 2,9C/W/4" e as dimenses so
mostradas na Figura 5.14.


Figura 5.14: Dimenses do dissipador para o perfil HS 7624 em (mm).

HS 11450: Este perfil apresenta R
SA
de 1,42C/W/4" e tem as dimenses de
acordo com a Figura 5.15.

Figura 5.15: Dimenses do dissipador para o perfil HS 11450 em (mm).
106
HS 6524: Este perfil apresenta R
SA
de 3,72C/W/4" e suas dimenses so
apresentadas na Figura 5.16.


Figura 5.16: Dimenses do dissipador para o perfil HS 6524 em (mm).
Os perfis analisados apresentam um volume diferente para cada ponto de operao. A
partir das perdas determinadas anteriormente para o conversor Boost PFC, a Figura 5.17,
Figura 5.18, Figura 5.19 e Figura 5.20 mostram, atravs de simulaes, o comportamento do
volume dos dissipadores trmicos para o transistor em funo do ponto de operao para cada
perfil. Os resultados foram obtidos para o par semicondutor MOSFET IRF450A e diodo
15ETH06. A Figura 5.21 apresenta um fluxograma com as etapas de seleo dos
semicondutores e projeto dos dissipadores.


Figura 5.17: Volume do dissipador trmico para o perfil HS 12132.

107

Figura 5.18: Volume do dissipador trmico para o perfil HS 7624.

Figura 5.19: Volume do dissipador trmico para o perfil HS 11450.

Figura 5.20: Volume do dissipador trmico para o perfil HS 6524.
108

Figura 5.21: Fluxograma para seleo dos semicondutores e projeto dos dissipadores.




109
5.5 Concluso
Neste captulo foi apresentada uma detalhada anlise das perdas nos semicondutores
(conduo e comutao). Neste sentido, uma anlise comparativa entre diferentes tecnologias
de transistores foi realizada, aplicadas ao estudo de caso, conversor Boost PFC. Esta anlise
mostra significativa reduo de perdas nos semicondutores com tecnologia CoolMOS em
relao ao MOSFET tradicional. A tecnologia CoolMOSC3, com reduzidas perdas de
conduo mais indicada para aplicaes em mais altas correntes. J a tecnologia
CoolMOSCP, com valores mais baixos de capacitncias parasitas (gate, entrada e sada)
resulta em menores perdas nas comutaes, permitindo operaes em mais altas frequncias.
110

Captulo 6
RESULTADOS DE SIMULAES E
EXPERIMENTAIS
6.1 Introduo
Neste captulo sero apresentados os resultados de simulaes e experimentais para o
estudo de caso. Os resultados de simulaes foram obtidos para diferentes tecnologias de
materiais magnticos e tecnologias de semicondutores e, indicam um ponto timo diferente
para cada associao de tecnologias empregadas no projeto. Os resultados apresentados nesta
seo foram obtidos para o conversor operando com potncia de entrada de 1kW com V
in
de
220V
CA
, V
o
de 400V
CC
e f
red
de 60Hz. A temperatura ambiente (t
a
) utilizada neste projeto foi
de 245C, a temperatura de juno para o MOSFET (T
JMOS
) foi de 125C e a temperatura de
juno para o diodo (T
JD
) foi de 150C. O perfil de dissipador adotado foi o HS 7624 por
questes de disponibilidade.
6.2 Resultados de simulaes
A metodologia de projetos para otimizao de conversores desenvolvida e aplicada
atravs de uma ferramenta computacional, permite a utilizao de quaisquer tecnologias nos
projetos. Tecnologias de semicondutores como: IGBTs, MOSFETs e diodos SiC (silicon
carbide), entre outras, podem se aplicadas nos projetos para a definio do ponto timo de
cada conversor. Outras tecnologias de materiais magnticos como ferrites e Xflux, e at
diferentes topologias de filtros tambm podem ser utilizadas de acordo com critrios do
111
projetista. Com o objetivo de demonstrar a eficcia da metodologia e reduzir o nmero de
figuras, os resultados de simulaes foram obtidos para as trs tecnologias de materiais
magnticos (MPP, High Flux e KoolM). Trs tecnologias de transistores foram comparadas,
so elas: MOSFET IRF450A, CoolMOSC3 SPP17N80C3, CoolMOSCP IPP60R299CP. O
diodo utilizado foi SI15ETH06. As figuras Figura 6.1 a Figura 6.9 apresentam o
comportamento do volume e das perdas do conversor em funo do ponto de operao. Os
resultados foram obtidos de acordo com as equaes (2.1), (2.2), (2.3) e (2.4).



Figura 6.1: Volume e perdas do conversor em funo do ponto de operao para o par (diodo SI 15ETH06
e MOSFET IRFP450A) e material magntico MPP.

Figura 6.2: Volume e perdas do conversor em funo do ponto de operao para o par (diodo SI 15ETH06
e MOSFET IRFP450A) e material magntico High Flux.


112

Figura 6.3: Volume e perdas do conversor em funo do ponto de operao para o par (diodo SI 15ETH06
e MOSFET IRFP450A) e material magntico KoolM.
A partir dos resultados, identificado um comportamento similar entre os objetivos de
otimizao volume e perdas, mostrando uma importante relao entre elas. Para a definio
das perdas totais do estudo de caso, a queda de tenso na ponte retificadora tambm
considerada. A Tabela II mostra o mnimo volume do conversor, o ponto de operao para
este volume e a eficincia do conversor para este ponto otimizado. A Tabela III mostra a
mxima eficincia do conversor, o ponto de operao para a mxima eficincia e o volume do
conversor para este ponto timo. Os resultados apresentados nas tabelas Tabela II e Tabela
III so referentes s figuras Figura 6.1, Figura 6.2 e Figura 6.3, para o MOSFET.

Tabela II. Parmetros para o ponto de operao de menor volume do conversor, para o MOSFET.
Tecnologia do Ncleo High Flux MPP KoolM
(i @ f
S
) (20% @ 9kHz) (30% @ 9,5kHz) (30% @ 14kHz)
Volume 91 cm
3
97 cm
3
122 cm
3

Eficincia 97.65% 97.8% 97.5%

Tabela III. Parmetros para o ponto de operao de mxima eficincia do conversor, para o MOSFET.
Tecnologia do Ncleo High Flux MPP KoolM
(i @ f
S
) (30% @ 8.5kHz) (30% @ 9kHz) (30% @ 8.5kHz)
Eficincia 98.1% 98% 97.9%
Volume 104 cm
3
95 cm
3
136 cm
3




113

Figura 6.4: Volume e perdas do conversor em funo do ponto de operao para o par (diodo SI 15ETH06
e CoolMOS SPP17N80C3) e material magntico MPP.


Figura 6.5: Volume e perdas do conversor em funo do ponto de operao para o par (diodo SI 15ETH06
e CoolMOS SPP17N80C3) e material magntico High Flux.


Figura 6.6: Volume e perdas do conversor em funo do ponto de operao para o par (diodo SI 15ETH06
e CoolMOS SPP17N80C3) e material magntico KoolM.
114
A Tabela IV mostra o mnimo volume do conversor, o ponto de operao para este
volume e a eficincia do conversor para este ponto otimizado. A Tabela V mostra a mxima
eficincia do conversor, o ponto de operao para a mxima eficincia e o volume do
conversor para este ponto timo. Os resultados apresentados nas tabelas IV e V so referentes
s figuras 6.4, 6.5 e 6.6, para o CoolMOSC3.

Tabela IV. Parmetros para o ponto de operao de menor volume do conversor, para o CooMOS C3.
Tecnologia do Ncleo High Flux MPP KoolM
(i @ f
S
) (40% @ 9kHz) (70% @ 14kHz) (70% @ 16kHz)
Volume 24 cm
3
23 cm
3
36 cm
3

Eficincia 98.2% 97.9% 97.8%

Tabela V. Parmetros para o ponto de operao de mxima eficincia do conversor, para o CooMOS C3.
Tecnologia do Ncleo High Flux MPP KoolM
(i @ f
S
) (50% @ 9kHz) (60% @ 7kHz) (70% @ 7kHz)
Eficincia 98.4% 98.5% 98.2%
Volume 36 cm
3
28 cm
3
67 cm
3




Figura 6.7: Volume e perdas do conversor em funo do ponto de operao para o par (diodo SI 15ETH06
e CoolMOS IPP60R299CP) e material magntico MPP.

115

Figura 6.8: Volume e perdas do conversor em funo do ponto de operao para o par (diodo SI 15ETH06
e CoolMOS IPP60R299CP) e material magntico High Flux.


Figura 6.9: Volume e perdas do conversor em funo do ponto de operao para o par (diodo SI 15ETH06
e CoolMOS IPP60R299CP) e material magntico KoolM.
A Tabela VI mostra o mnimo volume do conversor, o ponto de operao para este
volume e a eficincia do conversor para este ponto otimizado. A Tabela VII mostra a mxima
eficincia do conversor, o ponto de operao para a mxima eficincia e o volume do
conversor para este ponto timo. Os resultados apresentados nas tabelas VI e VII so
referentes s figuras 6.7, 6.8 e 6.9, para o CoolMOSCP.

Tabela VI. Parmetros para o ponto de operao de menor volume do conversor, para o CooMOS CP.
Tecnologia do Ncleo High Flux MPP KoolM
(i @ f
S
) (60% @ 16kHz) (40% @ 24kHz) (70% @ 14kHz)
Volume 23 cm
3
22 cm
3
35 cm
3

Eficincia 98% 98.2% 98%

116
Tabela VII. Parmetros para o ponto de operao de mxima eficincia do conversor, para o CooMOS CP.
Tecnologia do Ncleo High Flux MPP KoolM
(i @ f
S
) (50% @ 9kHz) (60% @ 7kHz) (70% @ 7kHz)
Eficincia 98.4% 98.4% 98.3%
Volume 37 cm
3
30 cm
3
51 cm
3


6.3 Resultados experimentais
Para a validao dos modelos adotados nos projetos do indutor, do filtro de EMI, no
clculo das perdas e projeto dos dissipadores trmicos, dois conversores Boost operando
como PFC em modo de conduo contnua foram implementados. Como os projetos dos
componentes individuais so realizados de forma anloga para cada diferente tecnologia, a
implememtao destes conversores ser representativa. Assim, os parmetros de entrada
utilizados no projeto prtico foram os mesmos utilizados nas simulaes e so apresentados
na Tabela VIII. Os resultados experimentais foram obtidos para o ponto de operao de menor
volume indicado pela metodologia desenvolvida e para um ponto de mesma frequncia e
ripple diferente (10%). Por questes de disponibilidade, a tecnologia de material magntico
utilizada nos projetos do indutor Boost e dos indutores do filtro de EMI (topologia duplo )
foi a KoolM. Tambm por este motivo, os semicondutores utilizados nos projetos foram o
MOSFET IRF450A e diodo 15ETH06. O fio utilizado foi o AWG 17. O ponto de operao,
volume e eficincia para o conversor implementado esto de acordo com a Tabela II
(KoolM). Uma vez que a metodologia de otimizao baseada em anlises eltricas,
eletromagnticas, trmicas e mecnicas, para validar os modelos utilizados na metodologia,
alm das formas de ondas (Figura 6.10), as imagens trmicas dos semicondutores e do indutor
Boost so apresentadas (Figura 6.15: I15). Alm disso, para consolidar os resultados, os
parmetros de entrada e sada do conversor, bem como a eficincia (1) e o fator de potncia
(1), obtidos com o analisador de potncia de preciso so mostrados na Figura 6.11. As
especificaes de projeto, como: part number e nmero de espiras dos indutores Boost e de
filtro, volume dos dissipadores (MOSFET e diodo) e temperaturas de operao em regime
permanente, tambm so apresentados na tabela VIII.



117

Tabela VIII. Parmetros de entrada para o conversor implementado.
(i @ f
S
) = (30% @ 14kHz)
P
in
= 1kW V
in
=220V
CA
V
out
=400V
CC
Ta= 24.5C
T
JMOS
=125C
T
JD
=150C
Rg = 15 fr= 60Hz
Normas utilizadas: IEC61000-3-2: Class A CISPR-22: Class B
Indutor
Boost
Part Number
77868
Espiras
228
Volume
34cm
3

Temperatura
47.6C
Perdas
11.3W
Filtro de
EMI
Part Number
2 x 77585
Espiras
2 x 46
Volume
2 x 4.06cm
3

Temperatura
42.2C
Perdas
2.1W
MOSFET
Part Number
IRF450A
Volume Dissipador
83.6cm
3
Temperatura de Case
78.7C
Diodo
Part Number
15ETH06
Volume Dissipador
1.3cm
3
Temperatura de Case
112.2C



Figura 6.10: Formas de ondas da tenso de entrada do retificador (120Hz) e corrente no indutor Boost.

118


Figura 6.11: Dados de entrada e sada do conversor. Eficincia (1) e fator de potncia (1).
6.4 Anlise trmica
Cada componente dos conversores tem seus limites trmicos. Estes so estabelecidos
para garantir sua ideal operao e vida til. Os limites so estabelecidos pelos fabricantes de
acordo com as tecnologias individuais. Para manter os limites trmicos dos componentes
dentro de uma faixa trmica adequada para os mesmos parmetros de entrada, trs alternativas
podem ser adotadas: a incluso de um sistema de transferncia de calor (ventilao forada,
dissipador, entre outros), o aumento do volume de elementos magnticos e dissipadores ou a
reduo das perdas. No caso dos semicondutores (transistores e diodos), um dissipador
trmico foi includo para manter a temperatura de juno destes dispositivos dentro de uma
faixa adequada, sugerida pelos fabricantes. Para os indutores (indutor Boost e indutores de
filtro) o volume mnimo para manter a adequada temperatura (de acordo com o mtodo de
seleo disponibilizado pelo fabricante) o parmetro para a escolha. A partir destas
informaes e, de acordo com os limites trmicos de projeto, os valores trmicos estimados
atravs das simulaes para o indutor Boost, Figura 6.12 (material magntico KoolM), para
o encapsulamento (case) do MOSFET (T
CMOS
), Figura 6.13 e encapsulamento (case) do diodo
(T
CD
), Figura 6.14, bem como os valores experimentais e o erro entre eles, esto indicados na
Tabela IX. As imagens trmicas dos componentes supracitados so apresentadas na Figura
6.15: I15.

119

Figura 6.12: Compotamento da temperatura do ncleo do indutor Boost em funo do ponto de operao
para o material magntico KoolM.

Figura 6.13: Compotamento da temperatura de case do MOSFET em funo do ponto de operao.

Figura 6.14: Compotamento da temperatura de case do diodo em funo do ponto de operao.
(30% @ 14kHz)
47.6C
(30% @ 14kHz)
76.3C
(30% @ 14kHz)
112.2C
120
Tabela IX. Anlise trmica comparativa entre resultados experimental e simulaes.
Indutor Boost MOSFET - IRF450A Diodo - 15ETH06
Simulado 47.6C 78.7C 112.2C
Experimental 49.4C 76.3C 115.3C
Erro 3.64% - 3.05% 2.69%

(a) (b) (c)
Figura 6.15: Imagens trmicas: (a) indutor Boost (b) case do MOSFET; (c) case do diodo.
6.5 Anlise da interferncia eletromagntica conduzida
Na Figura 6.16, os resultados de simulaes e os experimentais para ambos os rudos,
modo comum e modo diferencial (medidos entre 150kHz e 2MHz) so apresentados.
possvel identificar que o modelo adotado para estimar o rudo de modo diferencial define
com preciso a amplitude do primeiro grupo de harmnicos acima de 150kHz, entre estes est
o harmnico crtico, de onde parte o projeto do filtro de EMI, conforme descrito no captulo 4.


Figura 6.16: Comparao entre o rudo medido e o estimado, limite da norma CISPR-22, Class B.
121
Algumas consideraes com o objetivo de reduzir o rudo de modo comum,
apresentadas em [23] e [51] foram aplicadas no conversor desenvolvido. Como a reduo do
acoplamento magntico entre componentes do circuito, alcanado atravs da disposio dos
componentes na placa de potncia. A Figura 6.17: C17 (a) mostra os resultados experimentais
para o rudo conduzido gerado pelo conversor Boost PFC implementado, sem o filtro de EMI
(medido atravs do equipamento E7405A EMC Analyzer). Com a incluso do filtro de EMI,
Figura 6.17: C17 (b), o rudo gerado atende os limites estabelecidos pela norma CISPR-22,
Classe B, utilizada no projeto.


(a) (b)
Figura 6.17: Comparao entre rudos do conversor: (a) sem filtro; (b) com filtro.
6.6 Segundo ponto
O ponto de operao para o mnimo volume do conversor definido em (30% @
14kHz). Para a verificao dos comportamentos do volume e do rendimento do conversor,
outro ponto de operao, com mesma frequncia e diferente ripple foi implementado (10% @
14kHz). No projeto deste segundo ponto, os mesmos semicondutores com os mesmos
comprimentos de dissipadores e o mesmo filtro de EMI do ponto de timo volume foram
utilizados. A reduo do ripple foi alcanada com o aumento da indutncia e
consequentemente do volume do indutor Boost. A Tabela X apresenta os parmetros do
indutor Boost para o segundo projeto. Figura 6.18 mostra a diferena entre os volumes do
ponto de mnimo volume e do segundo ponto. Figura 6.19 mostra a diferena entre as perdas
do ponto de mnimo volume e do segundo ponto.
122
Tabela X. Parmetros do indutor Boost para o projeto do segundo ponto.
Material Part Number Espiras Volume Temperatura Perdas
KoolM 2 x 77908 258 90.6 cm
3
44.4C 18.4 W



Figura 6.18: Diferena de volume entre o ponto de mnimo volume e o segundo ponto.



Figura 6.19: Diferena das perdas entre o ponto de mnimo volume e o segundo ponto.

Como supracitado, a metodologia de otimizao baseada em anlises eltricas,
eletromagnticas, trmicas e mecnicas. Neste sentido, as formas de onda (tenso e corrente
de entrada) para este segundo ponto so apresentadas na Figura 6.20. Alm disso, os
(10% @ 14kHz)
(181cm
3
)
(30% @ 14kHz)
(122cm
3
)
(10% @ 14kHz)
(29.7W)
(30% @ 14kHz)
(25W)
123
parmetros de entrada e sada do conversor, de forma anloga a Figura 6.11 so demonstrados
na Figura 6.21.


Figura 6.20: Formas de ondas da tenso de entrada do retificador (120Hz) e corrente no indutor Boost.

Figura 6.21: Dados de entrada e sada do conversor para o segundo ponto. Eficincia (1) e fator de
potncia (1).
6.7 Anlise trmica
Para validar os modelos trmicos, da mesma forma que para o ponto de timo volume
(mostrado anteriormente), as imagens trmicas dos semicondutores e do indutor Boost so
apresentadas (Figura 6.15: I25). Os valores trmicos comparativos entre os dois pontos
testados, estimados atravs de simulaes so apresentados. Estes resultados foram obtidos
124
para o indutor Boost, Figura 6.22, para o encapsulamento (case) do MOSFET (T
CMOS
), Figura
6.23 e encapsulamento (case) do diodo (T
CD
), Figura 6.24. Os valores trmicos experimentais
para o segundo ponto e a relao simulado/experimental, esto indicados na Tabela XI.



Figura 6.22: Comportamento da temperatura do indutor Boost para o ponto de timo volume e para o
segundo ponto.





Figura 6.23: Comportamento da temperatura de case do MOSFET para o ponto de timo volume e para o
segundo ponto.

(30% @ 14kHz)
(47.6C)
(10% @ 14kHz)
(44.4C)
(30% @ 14kHz)
(78.7C)
(10% @ 14kHz)
(79.6C)
125




Figura 6.24: Comportamento da temperatura de case do diodo para o ponto de timo volume e para o segundo
ponto.


Tabela XI. Anlise trmica comparativa entre resultados experimental e simulaes para o segundo ponto.
Indutor Boost MOSFET - IRF450A Diodo - 15ETH06
Simulado 44.4C 79.6C 115.1C
Experimental 43.7C 82C 118.3C
Erro - 1.56% 2.93% 2.71%

(a) (b) (c)
Figura 6.25: Imagens trmicas: (a) indutor Boost (b) case do MOSFET; (c) case do diodo.
(30% @ 14kHz)
(112.2C)
(10% @ 14kHz)
(115.1C)
126
6.8 Anlise da interferncia eletromagntica conduzida
A Figura 6.17: C26 (a) mostra os resultados experimentais para o rudo conduzido
gerado pelo conversor Boost PFC projetado com o segundo ponto de operao (10% @
14kHz), sem o filtro de EMI. Com a incluso do filtro de EMI (este projetado para o ponto de
timo volume (30% @ 14kHz)), a interferncia eletromagntica gerada pelo conversor entra
em conformidade com os limites estabelecidos pela norma CISPR-22, com a exceo de
alguns pequenos spikes no rudo de modo diferencial (Figura 6.26 (b)), estes podem ser
suprimidos com o aumento de algumas espiras nos enrolamentos dos indutores, ou com um
pequeno aumento nos valores dos capacitores supressores de rudo de modo diferencial (C
X
).



(a) (b)
Figura 6.26: Comparao entre rudos do conversor (projetado para o segndo ponto de operao): (a) sem
filtro; (b) com filtro.
6.9 Concluses
Este captulo apresentou os resultados de simulao para a definio dos pontos de
operao de menor volume e menores perdas (mximo rendimento) para o conversor Boost
PFC (P
in
1kW, V
in
220V
CA
e V
out
400V
CC
) aplicadas a diversas associaes de tecnologias
(semicondutores e materiais magnticos). Estes resultados foram encontrados atravs da
matriz de projetos (equaes (2.3) e (2.4)) definidas pela metodologia proposta. Como a
metodologia baseada em anlises eltricas, eletromagnticas, trmicas e mecnicas
127
(volumes) dos componentes individuais, para a validao dos modelos adotados nos projetos,
dois conversores Boost PFC foram avaliados experimentalmente. O primeiro para o ponto de
operao de mnimo volume definido pela metodologia proposta (30% @ 14kHz), e o
segundo para um ponto de mesma frequncia e menor ripple (10% @ 14kHz). Atravs desta
avaliao, foi possvel validar experimentalmente o aumento no volume e a reduo do
rendimento apresentados pelo conversor projetado para o segundo ponto, em comparao ao
ponto timo. Os resultados eltricos, eletromagnticos, trmicos e mecnicos foram
apresentados e, os pequenos erros encontrados (Tabela IX e Tabela XI) validam a
metodologia proposta bem como os modelos adotados.
128

Captulo 7
CIRCUITOS DE AUXLIO COMUTAO
7.1 Introduo
Como citado anteriormente, nos ltimos anos, os avanos nas tecnologias de
semicondutores, com maior capacidade de potncia e menores tempos de entradas e sadas de
conduo tem resultado na diminuio dos tempos de comutao destes dispositivos. Isto
proporciona uma srie de vantagens tais como: melhora na resposta dinmica, reduo dos
elementos de filtragem, aumento de rendimento, diminuio de volume de dissipadores,
aumento da vida til, entre outros. Este conjunto de fatores resulta em uma melhora
significativa de desempenho dos conversores estticos. Ainda assim, para a maioria dos
semicondutores disponveis no mercado operaes em altas frequncias so limitadas devido
s perdas. Desta forma, objetivando evitar degradao do sistema e dos dispositivos, os nveis
de potncias devem ser reduzidos [76].
A busca por tcnicas capazes de reduzir as perdas nas comutaes e permitir que os
conversores operem em elevados nveis de potncias e frequncias fazem com que surjam
vrias propostas de circuitos no intuito de atenuar este problema. Apesar de reduzirem as
perdas nos semicondutores os circuitos auxiliares utilizados para esta reduo agregam outros
tipos de perdas ao conversor. Assim, para ocorrer um aumento na eficincia do sistema
necessrio que as perdas adicionais, introduzidas pelos componentes dos circuitos auxiliares,
sejam menores que as perdas resultantes da comutao dissipativa dos semicondutores. O
impacto destes circuitos no ponto timo, bem como suas perdas, volume e custo foram
considerados para a ideal comparao. Duas topologias de circuitos auxiliares empregadas no
129
projetado conversor Boost PFC foram analisadas e comparadas. Resultados de simulaes
sero apresentados para cada topologia.
7.2 Snubber passivo com capacitor flutuante
Engenheiros e pesquisadores tm desenvolvido uma srie de topologias de snubbers
para as mais diversas aplicaes. Snubbers passivos, que utilizam apenas indutores,
capacitores, resistores e diodos vm sendo mais difundidos por apresentar bons resultados
com menores volumes, perdas, custos e complexidade que os ativos (que incluem transistores
e outros elementos ativos). Outra tendncia, em tempos de aproveitamento de energia, a
utilizao dos snubbers regenerativos (a energia armazenada transferida para a entrada ou
para a sada do sistema) em relao aos dissipativos (energia dissipada em resistores) [77].
Geralmente, o snubber consiste de um pequeno indutor que reduz o di/dt e uma rede
(passiva ou ativa) que recupera a energia armazenada no indutor em antecipao ao ciclo de
comutao seguinte. Em um conversor Boost PFC a comutao suave utilizando snubber
passivo pode ser alcanada com menor nmero de componentes que em um snubber ativo. O
que torna esta topologia ainda mais atraente quando se busca projetos otimizados. Desta
forma, um snubber passivo regenerativo com capacitor flutuante foi projetado.
O snubber aplicado ao conversor Boost PFC mostrado na Figura 7.1. Ele utiliza um
indutor L
S
como snubber de corrente de turn on, um capacitor flutuante C
S
e dois diodos D
1
e D
2
para recompor a malha. A corrente de recuperao reversa inicialmente armazenada no
indutor L
S
durante a entrada em conduo do interruptor principal e entregue ao capacitor C
S

no bloqueio do diodo D.

Figura 7.1: Conversor Boost com snubber passivo de capacitor flutuante [78].
130
Para facilitar o entendimento do circuito de snubber utilizado, a Figura 7.2 mostra os
estados topolgicos do circuito durante o perodo de comutao, enquanto a Figura 7.3 mostra
as formas de ondas para o mesmo perodo.
Inicialmente, em t = t
0
, o interruptor principal S est bloqueada e o diodo D esta
conduzindo. A corrente em D (I
D
) igual a corrente de entrada (I
IN
), enquanto isso, a corrente
no indutor de snubber (I
LS
) zero, os diodos D
1
e D
2
esto abertos e a tenso em C
S
(V
CS
)
tambm zero o que significa que o snubber foi reiniciado.
Quando o interruptor S acionado, a tenso V
LS
igual a V
0
e a corrente de entrada I
IN

comea a se transferir do diodo D para o interruptor S a uma taxa de V
0
/L
S
. O diodo D no
bloqueia at que sua carga de recuperao reversa (Q
RR
) esteja totalmente esgotada. Como
resultado a corrente de recuperao reversa circula pelo interruptor principal at atingir o
valor de pico de I
RR
em t = t
1
.
Em t = t
1
o diodo D bloqueia no pico da corrente de recuperao reversa I
RR
e a
corrente no interruptor igual I
IN
+ I
RR
. O diodo D
1
entra em conduo e a capacitncia de
juno (C
J
) do diodo D esta efetivamente em paralelo com o capacitor de snubber C
S
. Durante
t
1
< t < t
2
a energia de recuperao reversa armazenada no indutor L
S
ressona com os
capacitores C
S
e C
J
, fazendo com que a tenso em V
CS
aumente. Assumindo que C << C
S
, a
maioria da corrente ressonante circula pelo capacitor C
S
.
Em t = t
2
, a tenso V
CS
atravs do capacitor de snubber C
S
alcana seu valor de pico. O
diodo D
1
bloqueia e a corrente I
LS
= I
S
= I
IN
. Durante t
2
< t < t
3
o diodo retificador D e os
diodos de snubber D
1
e D
2
, permanecem bloqueados e a carga armazenada em C
S
. Em t = t
3
,
o interruptor principal bloqueia, e durante t
3
< t < t
4
, o indutor L
S
ressona com a capacitncia
de sada do interruptor principal (C
OSS
) causando o aumento da tenso de dreno (V
DS
). Em t =
t
4
, a tenso de dreno V
DS
= V
0
e os diodos de snubber D
1
e D
2
conduzem.
Em t = t
5
, a corrente I
D1
chega a zero e o diodo de snubber D
1
bloqueia. A corrente de
entrada descarrega os capacitores C
J
e C
S
na mesma taxa (desde que eles estejam em
paralelo). Em t = t
6
, o diodo D
2
deixa de conduzir e o diodo retificador D entra em conduo.
A carga foi completamente removida do capacitor C
S
, os diodos de snubber D
1
e D
2
esto
bloqueados e no h energia armazenada no indutor L
S
. Como resultado, a corrente de entrada
I
IN
circula atravs do diodo D at que recomece o prximo perodo de comutao [78].




131

Figura 7.2: Estgios topolgicos para o circuito com snubber de capacitor flutuante [78].

Figura 7.3: Formas de ondas para o snubber com capacitor flutuante [78].
132
A reduo na taxa de variao da corrente (di/dt) no interruptor principal S causada
por L
S
e a entrada em conduo do diodo D
1
, reduzindo as perdas por recuperao reversa,
fazem com que a dissipao de energia na entrada em conduo de S seja reduzida. Em
comparao aos resultados obtidos para o conversor Boost PFC operando com comutao
forada, as figuras 7.4 a 7.12 mostram o volume e as perdas do conversor e do circuito
snubber em funo do ponto de operao para as mesmas variveis de entrada e tecnologias
utilizadas no captulo anterior. A definio dos pontos timos para o conversor mais o
respectivo circuito de auxlio comutao (snubber ou ZVT) foram obtidas de acordo com as
etapas da metodologia descritas at o captulo 5.


Figura 7.4: Volume e perdas do conversor (com snubber) em funo do ponto de operao para o par
(diodo SI 15ETH06 e MOSFET IRFP450A) e material magntico MPP.

Figura 7.5: Volume e perdas do conversor (com snubber) em funo do ponto de operao para o par
(diodo SI 15ETH06 e MOSFET IRFP450A) e material magntico High Flux.
133

Figura 7.6: Volume e perdas do conversor (com snubber) em funo do ponto de operao para o par
(diodo SI 15ETH06 e MOSFET IRFP450A) e material magntico KoolM.

A incluso do circuito de snubber resulta em uma pequena reduo no volume e nas
perdas do conversor quando a tecnologia de transistor utilizada o MOSFET (o mesmo
acontece para a tecnologia CoolMOS). Esta reduo acontece pela diminuio das perdas na
entrada de conduo da chave principal. Para a definio das perdas do conversor (incluindo o
circuito de snubber), a queda de tenso na ponte retificadora tambm considerada. A Tabela
XII mostra o mnimo volume do conversor, o ponto de operao para este volume e a
eficincia do conversor para este ponto otimizado. A Tabela XIII mostra a mxima eficincia
do conversor, o ponto de operao para a mxima eficincia e o volume do conversor para
este ponto timo. Os resultados apresentados nas tabelas XII e XIII so referentes s figuras
7.4, 7.5 e 7.6, para o MOSFET.

Tabela XII. Parmetros para o ponto de operao de menor volume do conversor (com a incluso do circuito de
snubber), para o MOSFET.
Tecnologia do Ncleo High Flux MPP KoolM
(i @ f
S
) (20% @ 9kHz) (20% @ 9,5kHz) (20% @ 14kHz)
Volume 88 cm
3
94 cm
3
118 cm
3

Eficincia 97.7% 97.8% 97.6%
Tabela XIII. . Parmetros para o ponto de operao de mxima eficincia do conversor (com a incluso do
circuito de snubber), para o MOSFET.
Tecnologia do Ncleo High Flux MPP KoolM
(i @ f
S
) (30% @ 8.5kHz) (30% @ 7.5kHz) (30% @ 8.5kHz)
Eficincia 98.2% 98.1% 97.9%
Volume 106 cm
3
98 cm
3
139 cm
3

134



Figura 7.7: Volume e perdas do conversor (com snubber) em funo do ponto de operao para o par
(diodo SI 15ETH06 e CoolMOS SPP17N80C3) e material magntico MPP.


Figura 7.8: Volume e perdas do conversor (com snubber) em funo do ponto de operao para o par
(diodo SI 15ETH06 e CoolMOS SPP17N80C3) e material magntico High Flux.


Figura 7.9: Volume e perdas do conversor (com snubber) em funo do ponto de operao para o par
(diodo SI 15ETH06 e CoolMOS SPP17N80C3) e material magntico KoolM.
135
A Tabela XIV mostra o mnimo volume do conversor, o ponto de operao para este
volume e a eficincia do conversor para este ponto otimizado. A Tabela XV mostra a mxima
eficincia do conversor, o ponto de operao para a mxima eficincia e o volume do
conversor para este ponto timo. Os resultados apresentados nas tabelas XIV e XV so
referentes s figuras 7.7, 7.8 e 7.9, para o CoolMOS C3.

Tabela XIV. Parmetros para o ponto de operao de menor volume do conversor (com a incluso do circuito de
snubber), para o CoolMOSC3.
Tecnologia do Ncleo High Flux MPP KoolM
(i @ f
S
) (40% @ 9kHz) (70% @ 14kHz) (70% @ 16kHz)
Volume 25 cm
3
24 cm
3
37 cm
3

Eficincia 98% 97.8% 97.75%

Tabela XV. Parmetros para o ponto de operao de mxima eficincia do conversor (com a incluso do circuito
de snubber), para o CoolMOSC3.
Tecnologia do Ncleo High Flux MPP KoolM
(i @ f
S
) (30% @ 8.5kHz) (30% @ 7.5kHz) (30% @ 8.5kHz)
Eficincia 98.13% 98.16% 98.03%
Volume 37 cm
3
31.7 cm
3
68 cm
3




Figura 7.10: Volume e perdas do conversor (com snubber) em funo do ponto de operao para o par
(diodo SI 15ETH06 e CoolMOS IPP60R299CP) e material magntico MPP.

136

Figura 7.11: Volume e perdas do conversor (com snubber) em funo do ponto de operao para o par
(diodo SI 15ETH06 e CoolMOS IPP60R299CP) e material magntico High Flux.


Figura 7.12: Volume e perdas do conversor (com snubber) em funo do ponto de operao para o par
(diodo SI 15ETH06 e CoolMOS IPP60R299CP) e material magntico KoolM.

A Tabela XVI mostra o mnimo volume do conversor, o ponto de operao para este
volume e a eficincia do conversor para este ponto otimizado. A Tabela XVII mostra a
mxima eficincia do conversor, o ponto de operao para a mxima eficincia e o volume do
conversor para este ponto timo. Os resultados apresentados nas tabelas XVI e XVII so
referentes s figuras 7.10, 7.11 e 7.12, para o CoolMOSCP.

Tabela XVI. Parmetros para o ponto de operao de menor volume do conversor (com a incluso do circuito de
snubber), para o CoolMOSCP.
Tecnologia do Ncleo High Flux MPP KoolM
(i @ f
S
) (60% @ 16kHz) (60% @ 16kHz) (70% @ 17kHz)
Volume 25 cm
3
25 cm
3
38 cm
3

Eficincia 97.82% 97.85% 97.8%
137
Tabela XVII. P Parmetros para o ponto de operao de mxima eficincia do conversor (com a incluso do
circuito de snubber), para o CoolMOSCP.
Tecnologia do Ncleo High Flux MPP KoolM
(i @ f
S
) (30% @ 8.5kHz) (30% @ 7.5kHz) (30% @ 8.5kHz)
Eficincia 98.33% 98.35% 98.13%
Volume 38.3 cm
3
38.6 cm
3
58.7 cm
3


A reduo das perdas a partir da incluso do circuito de snubber ao conversor varia de
acordo com cada diferente associao de tecnologias envolvidas no projeto. Entretanto, estas
variaes no so significativas, uma vez que os ganhos com a reduo das perdas na entrada
de conduo da chave principal podem ser compensados pelas perdas originadas no prprio
circuito de snubber (as perdas por corrente de recuperao reversa do diodo no so
suprimidas pelo circuito de snubber). Como os pontos de operao para o mnimo volume, em
sua maioria, so definidos para frequncias prximas ou abaixo de 15kHz, as perdas nas
comutaes no so muito significativas, tornando a incluso deste circuito auxiliar um
critrio do projetista, uma vez que os ganhos em volume e rendimento so pequenos e para
casos especficos.
7.3 Comutao em zero de tenso (ZVT)
Outro possvel caminho para reduo das perdas nas comutaes dos conversores
baseado nas topologias de comutao em zero de tenso (ZVT). Esta tcnica combina as
vantagens dos conversores ressonantes com a tecnologia PWM, evitando suas respectivas
desvantagens [79].
As tcnicas ZVT foram inicialmente introduzidas na topologia Boost PFCs para
resolver o problema da corrente de recuperao reversa e as perdas por capacitncias parasitas
na entrada em conduo (turn on capacitive losses) [80]. Essa tcnica foi largamente
difundida nos anos noventa, tendo como principais objetivos reduzir perdas e aumentar a
densidade de potncia dos conversores [80] - [85].
Nos anos 2000, o desenvolvimento de novas tecnologias de semicondutores, com
baixssimas perdas nas comutaes e corrente de recuperao reversa praticamente nula,
permitiu o aumento da densidade de potncia dos conversores com reduzidas perdas sem
utilizao de circuitos auxiliares [1] - [9]. Desta forma, a incluso de circuitos de comutao
com zero de tenso podem no ser atrativos quando se utilizam algumas destas tecnologias,
138
uma vez que o acrscimo deste circuito agrega complexidade e custo ao sistema. Atravs da
metodologia desenvolvida possvel determinar se desejvel a utilizao deste circuito de
acordo com as prioridades do projetista (volume, rendimento ou custo). A Figura 7.13 mostra
o circuito de ZVT, apresentado em [86], aplicado ao conversor Boost PFC utilizado neste
trabalho.

Figura 7.13: Conversor boost com circuito ZVT.
O interruptor auxiliar S
1
acionada em t
0
. De t
0
a t
1
, o indutor ressonante assume a
corrente do diodo de sada D. A ressonncia seguinte entre L
S
e C
R
traz a tenso no interruptor
principal para zero. Aps t
2
, a corrente excedente alm da corrente de estrangulamento
circulam atravs do diodo do interruptor principal e esta pode ser acionada sobre condio de
tenso zero. De t
3
para t
4
a corrente no indutor ressonante linearmente transferida para o
interruptor principal. A Figura 7.14 mostra as formas de ondas para o circuito de ZVT.


Figura 7.14: Formas de ondas para o circuito ZVT [86].
139
Durante o bloqueio, devido ao adicional capacitor ressonante C
R
, a tenso no
interruptor principal no pode aumentar rapidamente como quando em comutao forada.
Isto tambm pode ajudar na reduo das perdas na sada de conduo.
Em comparao aos resultados obtidos para o conversor Boost PFC operando com
comutao forada, e com snubber, a Figura 7.15, Figura 7.16 e Figura 7.17 mostram o
comportamento do volume e das perdas do conversor e do circuito ZVT em funo do ponto
de operao para as mesmas variveis de entrada e tecnologias apresentadas anteriormente.
Para a determinao das perdas, a tecnologia do transistor S
1
foi considerada a mesma que a
tecnologia da chave principal.


Figura 7.15: Volume e perdas do conversor (com circuito ZVT) em funo do ponto de operao para o
par (diodo SI 15ETH06 e MOSFET IRFP450A) e material magntico MPP.


Figura 7.16: Volume e perdas do conversor (com circuito ZVT) em funo do ponto de operao para o
par (diodo SI 15ETH06 e MOSFET IRFP450A) e material magntico High Flux.
140

Figura 7.17: Volume e perdas do conversor (com circuito ZVT) em funo do ponto de operao para o
par (diodo SI 15ETH06 e MOSFET IRFP450A) e material magntico KoolM.

Com a incluso do circuito de ZVT ocorre uma significativa reduo das perdas e
consequentemente no volume do conversor. A supresso das sobreposies entre tenses e
correntes na entrada de conduo, e a forte reduo das perdas ocasionadas pela corrente de
recuperao reversa (desviada pelo circuito de ZVT), indicam, que para os parmetros e
tecnologias adotadas nas simulaes, este circuito pode ser utilizado quando o objetivo
reduo de volume e maximizao da eficincia do conversor. A Tabela XVIII mostra o
mnimo volume do conversor, o ponto de operao para este volume e a eficincia do
conversor para este ponto otimizado. A Tabela XIX mostra a mxima eficincia do conversor
(incluindo o circuito de ZVT e a ponte retificadora), o ponto de operao para a mxima
eficincia e o volume do conversor para este ponto timo. Os resultados apresentados nas
tabelas XVIII e XIX so referentes s figuras 7.15, 7.16 e 7.17, para o MOSFET.

Tabela XVIII. Parmetros para o ponto de operao de menor volume do conversor (com a incluso do circuito
de ZVT), para o MOSFET.
Tecnologia do Ncleo High Flux MPP KoolM
(i @ f
S
) (20% @ 14kHz) (20% @ 17.5kHz) (20% @ 17.5kHz)
Volume 69 cm
3
75.4 cm
3
94.5 cm
3

Eficincia 97.9% 98% 97.8%




141
Tabela XIX. Parmetros para o ponto de operao de mxima eficincia do conversor (com a incluso do
circuito de snubber), para o MOSFET.
Tecnologia do Ncleo High Flux MPP KoolM
(i @ f
S
) (20% @ 19kHz) (30% @ 19kHz) (30% @ 21kHz)
Eficincia 98% 98.05% 97.95%
Volume 75 cm
3
76 cm
3
112.5 cm
3




Figura 7.18: Volume e perdas do conversor (com circuito ZVT) em funo do ponto de operao para o
par (diodo SI 15ETH06 e CoolMOS SPP17N80C3) e material magntico MPP.


Figura 7.19: Volume e perdas do conversor (com circuito ZVT) em funo do ponto de operao para o
par (diodo SI 15ETH06 e CoolMOS SPP17N80C3) e material magntico High Flux.

142

Figura 7.20: Volume e perdas do conversor (com circuito ZVT) em funo do ponto de operao para o
par (diodo SI 15ETH06 e CoolMOS SPP17N80C3) e material magntico KoolM.
A Tabela XX mostra o mnimo volume do conversor, o ponto de operao para este
volume e a eficincia do conversor para este ponto otimizado. A Tabela XXI mostra a
mxima eficincia do conversor, o ponto de operao para a mxima eficincia e o volume do
conversor para este ponto timo. Os resultados apresentados nas tabelas XX e XXI so
referentes s figuras 7.18, 7.19 e 7.20, para o CoolMOS C3.

Tabela XX. Parmetros para o ponto de operao de menor volume do conversor (com a incluso do circuito de
ZVT), para o CoolMOSC3.
Tecnologia do Ncleo High Flux MPP KoolM
(i @ f
S
) (70% @ 17.5kHz) (70% @ 17kHz) (70% @ 19kHz)
Volume 18.7 cm
3
19 cm
3
30 cm
3

Eficincia 98.26% 98.24% 98.03%

Tabela XXI. Parmetros para o ponto de operao de mxima eficincia do conversor (com a incluso do
circuito de ZVT), para o CoolMOSC3.
Tecnologia do Ncleo High Flux MPP KoolM
(i @ f
S
) (30% @ 19kHz) (40% @ 19kHz) (40% @ 19kHz)
Eficincia 98.5% 98.6% 98.2%
Volume 36 cm
3
23.4 cm
3
47.3 cm
3



143

Figura 7.21: Volume e perdas do conversor (com circuito ZVT) em funo do ponto de operao para o
par (diodo SI 15ETH06 e CoolMOS IPP60R299CP) e material magntico MPP.


Figura 7.22: Volume e perdas do conversor (com circuito ZVT) em funo do ponto de operao para o
par (diodo SI 15ETH06 e CoolMOS IPP60R299CP) e material magntico High Flux.


Figura 7.23: Volume e perdas do conversor (com circuito ZVT) em funo do ponto de operao para o
par (diodo SI 15ETH06 e CoolMOS IPP60R299CP) e material magntico KoolM.

144
A Tabela XXII mostra o mnimo volume do conversor, o ponto de operao para este
volume e a eficincia do conversor para este ponto otimizado. A Tabela XXIII mostra a
mxima eficincia do conversor, o ponto de operao para a mxima eficincia e o volume do
conversor para este ponto timo. Os resultados apresentados nas tabelas XXII e XXIII so
referentes s figuras 7.21, 7.22 e 7.23, para o CoolMOS CP.

Tabela XXII. Parmetros para o ponto de operao de menor volume do conversor (com a incluso do circuito
de ZVT), para o CoolMOSCP.
Tecnologia do Ncleo High Flux MPP KoolM
(i @ f
S
) (60% @ 19kHz) (60% @ 17.5kHz) (70% @ 24kHz)
Volume 22 cm
3
22.5 cm
3
35 cm
3

Eficincia 98.15% 98.13% 98.08%

Tabela XXIII. Parmetros para o ponto de operao de mxima eficincia do conversor (com a incluso do
circuito de ZVT), para o CoolMOSCP.
Tecnologia do Ncleo High Flux MPP KoolM
(i @ f
S
) (30% @ 19kHz) (40% @ 21kHz) (40% @ 19kHz)
Eficincia 98.4% 98.5% 98.3%
Volume 38 cm
3
25.7 cm
3
50 cm
3


7.4 Comparao dos Resultados
A Figura 7.24, Figura 7.25 e Figura 7.26 apresentam uma anlise comparativa entre as
tecnologias e os circuitos auxiliares, para o ponto de operao de menor volume e mxima
eficincia do conversor encontrado atravs da metodologia.

145

Hard
Snubber
ZVT
MPP
High Flux
KoolMu
0
20
40
60
80
100
120
140
V
o
l
u
m
e

(
c
m

)

Hard
Snubber
ZVT
KoolMu
High Flux
MPP
96
96,5
97
97,5
98
98,5
E
f
i
c
i

n
c
i
a

(
%
)

Figura 7.24: Volume mnimo e mxima eficincia do conversor considerando diferentes tecnologias de
materiais magnticos e circuitos de auxilio comutao para os semicondutores MOSFET IRF450A e
diodo 15ETH06.


Hard
Snubber
ZVT
MPP
High Flux
KoolMu
0
5
10
15
20
25
30
35
40
V
o
l
u
m
e

(
c
m

)

Hard
Snubber
ZVT
KoolMu
High Flux
MPP
96
96,5
97
97,5
98
98,5
99
E
f
i
c
i

n
c
i
a

(
%
)

Figura 7.25: Volume mnimo e mxima eficincia do conversor considerando diferentes tecnologias de
materiais magnticos e circuitos de auxilio comutao para os semicondutores CoolMOS IPP60R299CP
e diodo 15ETH06.

146
Hard
Snubber
ZVT
MPP
High Flux
KoolMu
0
5
10
15
20
25
30
35
40
V
o
l
u
m
e

(
c
m


)

Hard
Snubber
ZVT
KoolMu
High Flux
MPP
96
96,5
97
97,5
98
98,5
E
f
i
c
i

n
c
i
a

(
%
)

Figura 7.26: Volume mnimo e mxima eficincia do conversor considerando diferentes tecnologias de
materiais magnticos e circuitos de auxilio comutao para os semicondutores CoolMOS SPP17N80C3 e
diodo 15ETH06.
O acrscimo do nmero de componentes dos circuitos auxiliares resulta um aumento
de custo. O custo do conversor tambm deve ser considerado quando se objetiva otimizar
projetos. A Figura 7.27, Figura 7.28 e Figura 7.29 indicam o preo global (em reais) do
conversor para o ponto de operao de menor volume. Os valores dos componentes foram
disponibilizados pelos representantes das empresas fabricantes.

Hard
Snubber
ZVT
KoolMu
High Flux
MPP
60
65
70
75
80
85
90
C
u
s
t
o

(
R
$
)

Figura 7.27: Custo do conversor considerando diferentes tecnologias de materiais magnticos e ciruitos de
auxilio comutao para os semicondutores MOSFET IRF450A e diodo 15ETH06.


147
Hard
Snubber
ZVT
KoolMu
High Flux
MPP
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
C
u
s
t
o

(
R
$
)

Figura 7.28: Custo do conversor considerando diferentes tecnologias de materiais magnticos e ciruitos de
auxilio comutao para os semicondutores CoolMOS IPP60R299CP e diodo 15ETH06.
Hard
Snubber
ZVT
KoolMu
High Flux
MPP
30
35
40
45
50
55
60
C
u
s
t
o

(
R
$
)

Figura 7.29: Custo do conversor considerando diferentes tecnologias de materiais magnticos e ciruitos de
auxilio comutao para os semicondutores CoolMOS SPP17N80C3 e diodo 15ETH06.
7.5 Concluses
Este captulo apresentou uma anlise comparativa entre o conversor Boost PFC
operando com comutao de forada (hard) e dois circuitos de auxlio comutao (snubber
e ZVT). Atravs dos resultados possvel identificar que a influncia dos circuitos de auxlio
comutao no volume e na eficincia do conversor varia de acordo com a tecnologia
148
empregada no projeto. Uma reduo de volume e aumento na eficincia pde ser observada
quando so utilizadas tecnologias de semicondutores com maiores perdas nas comutaes,
caso dos MOSFETs. Quando a tecnologia de transistor utilizada da famlia CoolMOS, a
incluso de circuitos auxiliares no apresenta significativa variao no volume e eficincia do
conversor, havendo uma compensao entre os ganhos com a reduo das perdas e a potncia
dissipada nestes circuitos. Esta tecnologia pode operar facilmente sem circuito auxiliar na
faixa de potncia projetada (1kWatt). O incluso do circuito auxiliar (ZVT) apresentou uma
reduo mdia de 22% no volume otimizado do conversor Boost PFC de 1kWatt, quando o
interruptor utilizado foi o MOSFET IRF450A. O aumento mdio no rendimento para este
caso foi menor de 1%. Esta diferena tende a aumentar quando o conversor operar em
maiores potncias. Com o acrscimo do circuito de ZVT, o custo do conversor aumentou em
11% para o material magntico High Flux e 8% para o Molypermalloy. J para o material
KoolM o preo se manteve estvel, uma vez que o custo do circuito auxiliar foi compensado
com a reduo do volume do indutor e dos dissipadores trmicos. A incluso do circuito de
snubber causou reduo mdia de 3% no volume do conversor. O custo aumentou em 6%
para os materiais High Flux e Molypermalloy e reduziu em 5% para o material KoolM. Esta
reduo ocorre tambm atravs da reduo do volume do indutor e dos dissipadores, porm os
componentes do circuito de snubber tm menor custo que os do circuito de ZVT.
















149
Captulo 8
CONCLUSES GERAIS, PROPOSTAS
FUTURAS E PUBLICAES
8.1 Concluses gerais
Neste trabalho foi demonstrada a importncia da anlise conjunta dos projetos de cada
componente dos conversores. O projeto individual acarreta em um bom resultado pontual,
otimizando o componente projetado, desconsiderando o impacto dos outros parmetros no
projeto final dos conversores.
Indutores e transformadores podem se tornar volumosos e caros quando os projetos
no seguem os critrios de integrao apresentados. A frequncia de comutao
inversamente proporcional ao volume de indutores e transformadores, ou seja, quanto mais
alta a frequncia de comutao menor ser o volume destes elementos. A frequncia tambm
tem influncia no projeto do filtro de EMI. Esta influncia no se d de forma linear, afetando
a ordem e frequncia do harmnico crtico. Atravs dos resultados possvel identificar que
pequenas variaes nos valores da frequncia de comutao podem resultar em grandes
diferenas no volume e rendimento dos conversores.
As perdas durante as comutaes, que de maneira geral so as principais responsveis
pela energia dissipada nos semicondutores tambm so diretamente influenciadas pela
frequncia de comutao. Quanto maior o nmero de comutaes, maiores sero as perdas e,
mais volumosos dissipadores trmicos sero necessrios para manter a temperatura dentro dos
limites de operao pr-estabelecidos. Encontra-se a o primeiro impasse, pois com o aumento
da frequncia, ocorre a diminuio do volume de indutores e transformadores, em contra
partida h o aumento do volume dos dissipadores trmicos.
A ondulao da corrente de entrada tambm tem influncia direta no volume e
rendimento final do conversor. Da mesma forma que a frequncia, quanto maior a ondulao
da corrente, menor o volume de indutores e transformadores. A influncia da ondulao de
150
corrente no volume dos dissipadores pouco significativa, pois a maior parte dos clculos das
perdas nos semicondutores determinada atravs das correntes mdias e RMS, segundo
catlogos dos fabricantes. Apesar de ocorrer um pequeno aumento nas perdas de conduo
com o aumento da ondulao. A ondulao da corrente de entrada influencia de forma direta o
volume do filtro de EMI, ou seja, quanto maior a ondulao, maior ser a amplitude dos
harmnicos de alta frequncia e, um mais volumoso filtro de EMI precisar ser projetado para
suprimir essa interferncia. Desta forma, encontramos mais um impasse, o aumento da
ondulao da corrente de entrada resulta na diminuio do volume de indutores e
transformadores, entretanto ocorre o aumento do volume do filtro de EMI.
O ponto de operao (i @ fs) apresenta uma relao direta entre esses elementos
crticos dos conversores. A partir desta relao, a metodologia de projetos desenvolvida
realiza de forma conjunta o projeto dos conversores, exemplificada com o projeto do
conversor Boost PFC tpico. Isto realizado atravs de uma varredura de projetos para vrios
diferentes pontos de operao, encontrando no apenas um ponto de operao timo para cada
elemento, mas sim um ponto de operao timo para o sistema conversor como um todo.
Partindo de algumas variveis de entrada, a critrio do projetista.
Com o objetivo de otimizar subsistemas de conversores, novas tecnologias de
semicondutores, materiais magnticos e perfis de dissipadores tm sido desenvolvidas. Cada
tecnologia apresenta vantagens para definidas aplicaes em relao s outras. Desta forma, a
ferramenta computacional desenvolvida, analisa algumas das tecnologias de semicondutores
mais utilizadas na indstria ao longo dos anos, como MOSFETs e diodos ultrafast. Alm de
algumas das mais novas tecnologias como os CoolMOS CP e C3 e o diodo Silicon Carbide.
Atravs da metodologia foi possvel verificar uma considervel reduo no volume do
conversor quando se utiliza semicondutores da famlia CoolMOS em relao a MOSFETs.
Alm disso, em alguns casos, a tecnologia CoolMOS tem menor custo, o que torna este
semicondutor extremamente atrativo para projeto de conversores estticos.
Outras importantes tecnologias consideradas nos projetos so os trs diferentes
materiais magnticos. Como apresentado no captulo 3, esses ncleos com geometria toroidal
apresentam grandes diferenas entre si. Os materiais High Flux e MPP apresentam volumes, e
rendimentos muito prximos, com pequena vantagem para o High Flux. A principal diferena
est no custo, uma vez que o material MPP, por apresentar mais nquel em sua composio,
tem custo mais elevado. O material KoolM apresenta maior volume, menor rendimento e
menor custo. Este material apresentou os menos satisfatrios resultados em termos de volume
e rendimento. Entretanto, apresenta considervel reduo de custo. Desta forma, o critrio de
151
otimizao (volume, rendimento ou custo) dever nortear a escolha do material magntico que
melhor se adapte ao projeto. Alm das diferentes tecnologias j citadas, quatro diferentes
perfis de dissipadores foram utilizados com objetivo comparativo.
A utilizao de circuitos de auxlio comutao pode possibilitar a operao do
conversor em mais altas frequncias com reduzidas perdas, resultando em menos volumosos
indutores e transformadores. Entretanto, h um aumento no nmero de componentes podendo
aumentar custo e volume do conversor. Na maioria dos casos, a incluso do circuito de
snubber no resulta em ganhos significativos em termos de volume e rendimento do
conversor, ainda com a desvantagem do acrscimo no custo do sistema. Com a incluso do
circuito de ZVT ao sistema, os pontos de operao otimizados apresentaram melhoras em
termos de volume e rendimento. Entretanto, h o considervel acrscimo do custo do
conversor. Mais uma vez o critrio de otimizao determinante para a utilizao ou no
deste circuito. Por questes temporais, os resultados experimentais para o conversor operando
com a incluso de um ou outro circuito auxiliar no foram apresentados. Estes resultados
sero obtidos e posteriormente publicados em peridicos internacionais e/ou nacionais, da
mesma forma como ocorreu para o conversor operando com hard switching. Como a
metodologia utilizada e os modelos adotados para os projetos dos indutores e clculo das
perdas nos semicondutores dos circuitos auxiliares foi a mesma utilizada e detalhadamente
demonstrada nas sees 3, 4 e 5 desta tese, os resultados de simulaes sero validados de
forma prtica.
Atravs da metodologia para otimizao de projetos de conversores estticos de
potncia desenvolvida, possvel identificar que o ponto de operao (i @ fs) timo para
cada componente/dispositivo do sistema diferente do ponto de operao timo para o
conversor como um todo, demonstrando a importncia de uma anlise conjunta dos projetos e
ressaltando a importncia da metodologia. Outra importante anlise foi a verificao de que
para cada diferente tecnologia empregada no projeto, o ponto de operao (i @ fs) timo
muda, independemente do tipo de otimizao buscado (volume/custo/rendimento). Isto mostra
que no possvel determinar um ponto de operao timo global para os conversores.
demonstrado assim, que a integrao de projetos a nica maneira de se obter a otimizao de
conversores.
De acordo com as tecnologias avaliadas e os parmetros de entrada utilizados,
verificou-se que na maioria dos casos, o ponto de operao para o timo volume est abaixo
de 20kHz. Assim tambm, na maioria dos casos, o ponto de operao para o timo
rendimento est abaixo de 10kHz. Os resultados mostrados pela metodologia, apontam para
152
uma forte relao entre os objetivos de otimizao volume e rendimento. Os pontos de
operao para os timos volume e rendimento no so os mesmos, mas esto muito prximos.
O rendimento para o ponto de timo volume est muito prximo ao rendimento mximo,
tornando este objetivo de otimizao o mais abrangente.
Para confirmar as anlises tericas desenvolvidas, medidas eltricas, trmicas e
eletromagnticas so apresentadas. Os resultados obtidos experimentalmente esto muito
prximos dos previstos teoricamente, confirmando que a metodologia uma poderosa
ferramenta para projetistas e engenheiros otimizarem e acelerarem a elaborao de projetos.
Alm disso, este trabalho tambm um guia completo para projetos de conversores estticos
de potncia, podendo servir como ferramenta para auxiliar em projetos destes sistemas.
Os resultados (tericos e prticos) e concluses apresentados nesta tese so referentes
a um estudo de caso pontual, com variveis de entrada fixas. Entretanto, a metodologia para
otimizao de projetos desenvolvida pode ser aplicada a quaisquer topologias de conversores
estticos, nveis de tenses e correntes e normatizaes, bastando ajustar equaes e definir as
tecnologias que melhor se adaptem a cada projeto individual.
8.2 Propostas, projetos e investigaes futuras
A expanso da metodologia ser realizada atravs de sua aplicao aos projetos
otimizados dos conversores Retificadores e Inversores componentes do sistema de uma nova
tecnologia de Transformador de Estado Slido, produto final de um projeto de P&D firmado
entre o Programa de Ps-graduao em Engenharia Eltrica da Universidade Federal de Santa
Maria - PPGEE/UFSM atravs de seus grupos de pesquisas GEPOC e GEDRE e as empresas
CP Eletrnica e a Companhia Estadual de Distribuio de Energia Eltrica - CEEE-D,
CONTRATO N. CEEE-D/9948928, com incio em 04/2013 e com durao de 36 meses.
Para aplicao em questo, as variveis para o projeto otimizado a ser desenvolvido
so definidas de acordo com o estabelecido pelo projeto de P&D supracitado, que tem como
objetivo o desenvolvimento de um transformador de distribuio eletrnico (transformador de
estado slido) de 10kVA classe 25kV, para aplicao em redes rurais monofsicas, 220V
AC
.
A partir destes nveis de potncia e tenses os conversores otimizados sero projetados.
O software matemtico contendo a metodologia para otimizao de projetos
permanecer no GEPOC/UFSM e poder nortear os novos projetos, otimizando equipamentos
e sistemas, aumentando a competitividade destes equipamentos, visando um maior nmero de
153
projetos de P&D, com maior interao entre a Universidade Federal de Santa
Maria/PPGEE/GEPOC e a indstria.
8.3 Publicaes
Os trabalhos e publicados aceitos at o momento sobre o tema proposto so os
seguintes:
F. Beltrame, Sartori, H. C.; Pinheiro, J. R; Estudo Comparativo de Pr-
Reguladores para Correo do Fator de Potncia da Famlia Boost, CBA,
2008. (Publicado).
Sartori, H. C.; Hey, H. L.; Pinheiro, J. R.; An optimum design of PFC
Boost Converters EPE, 2009, Page(s): 1 10. (Publicado).
Sartori, H. C.; Beltrame F.; Pinheiro, J. R; A Static Converter Comparative
Study Taking Into Account Semiconductor Technologies and Switch
Auxiliary Circuits: Optimized Design COBEP, 2011, Pages 280 - 285.
(Publicado).
Sartori, H. C.; Baggio J. E.; Pinheiro, J. R; A Comparative Design of an
Optmized Boost Inductor Taking Into Account Three Magnetic Materials
Technologies: Volume, Cost and Efficiency Analysis INDUSCON, 2012,
Pages 1 6. (Publicado).
Hamiltom Sartori, Letcia Pivetta, Jos Renes Pinheiro Ferramenta
Computacional para Otimizao de Conversores Estticos SEPOC, 2013.
(Publicado).
Fernando Beltrame, Hamiltom Sartori, Fabrcio Dupont, Everton Cancian,
Jos Renes Pinheiro, Melhoria da Eficincia de Conversor Boost CC/CC
Aplicado a um Sistema Fotovoltaico Atravs da Escolha do Ponto de
Operao SEPOC, 2013. (Publicado).
Sartori, H. C.; Beltrame F.; Martins, M. L.; Baggio, J. E.; Pinheiro, J. R.;
Practical Evaluation of an Optimal Design for a Single-Phase Boost PFC
Converter (CCM) Considering Different Magnetic Materials Core COBEP,
2013. (Aceito).
Sartori, H. C.; Beltrame F.; Figueira, H.; Baggio, J. E.; Pinheiro, J. R.;
Volumetric Power Density Comparative Analysis Between Transistor
154
Technologies Applied To The 1kw CCM PFC Boost Converter Using
Optmization Techniques COBEP, 2013. (Aceito).
Beltrame F.; Sartori, H. C.; Dupont F.; Pinheiro, J. R.; Efficiency
Maximization of DC/DC Boost Converter Applied to the Photovoltaic
System Through Operation Point Selection COBEP, 2013. (Aceito).
Beltrame F.; Sartori, H. C.; Dupont F.; Rech, C.; Pinheiro, J. R.; Efficiency
otimization of DC/DC Boost Converter Applied to the Photovoltaic System
IECON, 2013. (Aceito).
Sartori, H. C.; Martins, M. L.; Baggio, J. E.; Pinheiro, J. R.; Optimum
Design for Power Electronic Converters IEEE Transactions on Power
Electronics, 2013. (Enviado).
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