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UERGS - UNIVERSIDADE DO ESTADO DO RIO GRANDE DO SUL

Diodo Semicondutor
Angrigo Neves Bruna Boneberg

Novo Hamburgo, junho de 2013

1. OBJETIVO

Estudar o comportamento do diodo retificador.

2. INTRODUO 2.1 Diodo semicondutor

Materiais semicondutores so a base de todos os dispositivos eletrnicos. Um semicondutor pode ter sua condutividade controlada por meio da adio de tomos de outros materiais, em um processo chamado de dopagem. Em geral, os dopantes so inseridos em camadas no cristal semicondutor e, assim, diferentes dispositivos podem ser construdos dispondo-se adequadamente as camadas com os diferentes dopantes. Um diodo semicondutor consiste numa juno de uma camada de semicondutor tipo n com outra de semicondutor tipo p. Num semicondutor tipo n, os portadores de carga ou seja, as partculas que participam da conduo eltrica so eltrons livres, enquanto, num semicondutor tipo p, so buracos livres, de carga positiva. Em semicondutores dopados, os eltrons e os buracos so provenientes dos tomos dopantes. Na juno de um material tipo n com um tipo p, os eltrons prximos juno difundem da regio n para a p, enquanto os buracos difundem no sentido oposto. Quando esses eltrons e buracos se encontram, eles recombinam-se, deixando, na interface, uma regio com os ons positivos e negativos dos dopantes. Essa regio desprovida de portadores de carga e chamada regio de depleo. Os ons criam um campo eltrico, nessa regio, que impede a continuidade da difuso de eltrons e de buracos. Essa situao est representada na Figura 1.

Fig. 1 Dopagem de semicondutores

Ao ser conectada a uma fonte de fora eletromotriz, uma juno p-n permite o fluxo de corrente apenas em um sentido da regio p para a regio n. Considere a situao em que um diodo est conectado a uma fonte de forma que a regio tipo p est em um potencial mais alto que a tipo n. Essa configurao chamada de polarizao direta. A fonte, continuamente, injeta eltrons na regio n, ao mesmo tempo em que remove outros eltrons ou, equivalentemente, injeta buracos na regio p. Nessa situao, o campo eltrico da fonte tem sentido oposto ao campo dos ons na regio de depleo. Essa regio, ento, estreita-se, facilitando o fluxo de cargas atravs da interface. Por outro lado, diz-se que um diodo est com polarizao reversa quando a regio tipo p est em um potencial menor que a tipo n. Nesse caso, a regio de depleo alarga-se, reduzindo, ento, a corrente atravs do diodo. A parte (a) da Figura 2 ilustra a situao em que o diodo polarizado diretamente (anodo positivo em relao ao catodo). Na polarizao direta com uma tenso superior tenso VF, chamada de tenso de corte, haver corrente no circuito. Quando polarizado reversamente, como ilustrado na parte (b) da Figura 2, (anodo negativo em relao ao catodo), o diodo no permite a circulao de cargas, comportando-se como uma chave aberta.

Fig. 2 Polarizao do diodo

3. EXPERIMENTO

Para a realizao do experimento, foram utilizados os seguintes itens: Uma protoboard; Dois multmetros; Um resistor de 10k; Um diodo; Uma fonte DC varivel. O experimento foi montado conforme a figura 3, com o multmetro da esquerda ajustado para a medida de tenso e o da direita ajustado para a medida de corrente.

Fig.3 Montagem do experimento

4. RESULTADOS

A tabela 1 mostra os valores de corrente no diodo em funo da tenso aplicada ao mesmo.


I(A) U(V) 7,00E-05 1,25 1,40E-04 2 3,30E-04 3,98 5,30E-04 6 7,30E-04 7,99 9,30E-04 10 1,13E-03 12 Tabela 1

A figura 4 mostra um grfico da corrente em funo da tenso no diodo, onde o coeficiente angular da reta representa a resistncia do circuito.

14 12 y = 10121x + 0,5934 10 8 6 4 2 0 0,00E+00

U(V)

2,00E-04

4,00E-04

6,00E-04 I(A)

8,00E-04

1,00E-03

1,20E-03

Fig. 4 Grfico U x I do diodo

5. CONCLUSO

O experimento ajudou na compreenso do comportamento do diodo semicondutor. 6. BIBLIOGRAFIA

Halliday, D., Resnick, R., Walker, J. Fundamentos de Fsica, volume 4, 8 Ed. Rio de Janeiro: LTC, 2009. Malvino, A. P. Eletrnica, volume 1, 4 Ed. So Paulo: PEARSON, 1996.