1.

-TEMA:

Circuito de polarizacin fija y autopolarizacin para analizar el comportamiento del transistor efecto de campo
2.-RESUMEN En sta prctica vamos a armar un circuito de polarizacin fija utilizando un fet con una fuente variable de voltaje, la cual nos permitir analizar su respectiva forma de onda de salida. De la misma manera vamos a armar un circuito utilizando la configuracin por autopolarizacin. 3.-ABSTRACT In this practice we come to do a circuit of secure polarize using a FET with a variable surce of voltage, with this we can analyze their respective way of the out wave. The same form we come to do a circuit using configuration by autipolarize. 4.-OBJETIVOS Objetivo General Implementar un Circuito de polarizacin fija y autopolarizacin para analizar el comportamiento del transistor efecto de campo Objetivos Especficos Disear un circuito de polarizacin fija y autopolarizacin. Armar los circuitos. Verificar mediante la variacin de voltaje el comportamiento del transistor de efecto de campo.

5.-MARCO TERICO TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO El transistor de efecto de campo (FET) es un transistor que se basa en un campo elctrico para controlar la forma y por lo tanto, la conductividad de un canal de un tipo de portador de carga en un semiconductor material. Los FETs son a veces llamados transistores unipolares para contrastar su nico portador tipo de operacin con la operacin de doble portadora del tipo de trastorno bipolar (salida) de transistores (BJT). El concepto de la FET es anterior a la BJT, aunque no se llev a cabo fsicamente hasta despus de los BJT debido a las limitaciones de los materiales semiconductores y la relativa facilidad de los BJT de fabricacin en comparacin con FET en el momento. [1]

CURVAS CARACTERSTICAS DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO. Son solo dos las curvas que se manejan habitualmente para caracterizar los transistores JFET. En primer lugar, en la representacin ID v/s VGS para un VDS dado, se aprecia claramente el paso de la regin de corte a la regin de saturacin. En la prctica slo se opera en el segundo cuadrante de la grfica, puesto que en el primero, VGS positiva hace crecer rpidamente a IG como se muestra en el grafico 1. [2]

Grafico 1: Caractersticas del JFET; Caracterstica de Transferencia y Caractersticas I D v/s VGS.

En la caracterstica VDS v/s ID del JFET canal N, se observa la diferencia entre las regiones lineal y de saturacin. En la regin lineal, para un determinado valor de VGS, la corriente crece proporcionalmente a la tensin V DS. Sin embargo este crecimiento se atena hasta llegar a ser nulo. Se alcanza el valor de saturacin cuando ID slo depende de VGS [3]. ECUACIONES DEL FET El desempeo del Transistor de Efecto de Campo (FET) fue propuesto por W. Shockley, en 1952. De ah el nombre que rige la ecuacin de este tipo de transistores; la llamada "ECUACIN DE SHOCKLEY". [4] Esta expresin dice lo siguiente:

DONDE: ID = IDSS = VGS = VP = Corriente de Drenaje Corriente de Drenaje de Saturacin Voltaje Puerta-Fuente Voltaje de ruptura o Pinch Voltage.

El FET se divide en JFET y MOSFET.

EL JFET El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en espaol transistor de efecto de campo de juntura o unin) es un dispositivo electrnico, esto es, un circuito que, segn unos valores elctricos de entrada, reacciona dando unos valores de salida. En el caso de los JFET, al ser transistores de efecto de campo elctrico, estos valores de entrada son las tensiones elctricas, en concreto la tensin entre los terminales S (fuente) y G (puerta), V GS. Segn este valor, la salida del transistor presentar una curva caracterstica que se simplifica definiendo en ella tres zonas con ecuaciones definidas: corte, hmica y saturacin como se muestra en el grafico 2. [5]

Grafico 2: representa las partes de un FET y sus zonas

Existen 2 tipos de JFET: de "canal N" y "de canal P", como se muestra en el grfico 3.

Grafico 3: Smbolos de los transistores JFET, canal N y canal P.

En ambos tipos de JFET, la corriente ID de salida se controla por medio de un voltaje entre la compuerta y el surtidor como se muestra en el grafico 4.

Grafico 4: Esquema de un JFET.

Al comparar el JFET con el BJT se aprecia que el drenaje (D) es anlogo al colector, en tanto que el surtidor (S) es anlogo al emisor y la compuerta (G), es anlogo a la base.

PRINCIPIO DE OPERACIN DEL JFET (CANAL N) El FET tiene tres regiones de operacin. Estas regiones son: Zona Lineal. Zona de Saturacin. Zona de Corte.

ZONA LINEAL Si en la estructura del grafico 4 se aplica una tensin VDS mayor que cero, aparecer una corriente circulando en el sentido del drenaje al surtidor, corriente que llamaremos ID. El valor de dicha corriente estar limitado por la resistencia del canal N de conduccin. En este caso pueden distinguirse dos situaciones, segn sea VDS grande o pequea en comparacin con VDS. [6] Es decir el FET se comporta como una resistencia cuyo valor depende de la tensin, ya sea para valores pequeos como se muestra en el grafico 5 y para valores grandes como se muestra en el grafico 6.

Grafico 5: Esquema del transistor de canal N con VGS menor que cero (valores pequeos).

Grafico 6: Esquema del transistor de canal N con VGS = -2V y VDS = 5V (valores grandes).

ZONA DE SATURACIN Si VDS se incrementa ms, se llegar a un punto en donde el espesor del canal en el extremo del drenaje se acerque a cero. A partir de ese momento, la corriente se mantiene independiente de VDS, puesto que los incrementos de

tensin provocan un mayor estrechamiento del canal con lo que la resistencia global aumenta como se muestra en el grafico 7. [7]

Grafico 7: Esquema del transistor de canal N en la regin de corriente constante.

ZONA DE CORTE Fijemos nuestra atencin en el Grafico 8. La zona de tipo P, conectada a la puerta forma un diodo con el canal, que es de tipo N. Como se recordar, cuando se forma una unin PN aparecen en los bordes de la misma zona de deplexin en la que no hay portadores de carga libres. La anchura de dicha zona depende de la polarizacin aplicada. Si esta es inversa, la zona se hace ms ancha, proporcionalmente a la tensin aplicada. Aplicando una tensin V GS negativa aumentamos la anchura de la zona de deplexin, con lo que disminuye la anchura del canal N de conduccin. [8]

Grafico 8: Esquema del transistor JFET de canal N polarizado con tensin de bloqueo.

MOSFET MOSFET son las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS. Es el transistor ms utilizado en la industria microelectrnica. Prcticamente la totalidad de los procesadores comerciales estn basados en transistores MOSFET. [9] Existen cuatro tipos de transistores MOSFET, como se muestra en la figura 9:

Enriquecimiento de canal N Enriquecimiento de canal P Empobrecimiento de canal N Empobrecimiento de canal P

Grafico 9: Tipos de transistores MOSFET

CURVAS CARACTERSTICAS Con los transistores MOSFET se manejan dos tipos de grficas: la caracterstica VGS - ID, con VDS constante, y la VDS - ID con VGS constante. A continuacin se muestra las curvas caractersticas de los MOSFET de enriquecimiento tipo N (grafico 11) y tipo P (grafico 12), y de empobrecimiento tipo N (grafico 13) y tipo P (grafico 14).

Grafico 11: Caracterstica VGS - ID del transistor NMOSFET de enriquecimiento

Grafico 12: Caracterstica VDS - ID del transistor NMOSFET de enriquecimiento

Grafico 13: Caracterstica VGS - ID del transistor NMOSFET de enriquecimiento

Grafico 14: Caracterstica VDS - ID del transistor NMOSFET de empobrecimiento

PRINCIPIO DE OPERACIN DEL MOSFET (CANAL N) El FET tiene tres regiones de operacin. Estas regiones son: Zona Lineal. Zona de Saturacin. Zona de Corte. ZONA LINEAL Al polarizarse la puerta con una tensin con una puerta negativa (nMOS) o positiva (pMOS), se crea una regin de deplexin en la regin que separa la fuente y el drenador. Si esta tensin crece lo suficiente, aparecern los portadores minoritarios (electrones en pMOS, huecos en nMOS) en la regin de deplexin que darn lugar a un canal de conduccin, de modo que una diferencia de potencial entre la fuente y drenador dar lugar a una corriente. El transistor se comporta como una resistencia controlada por la tensin de puerta. [10] ZONA DE SATURACIN Cuando la tensin entre drenador y fuente supera cierto lmite, el canal de conduccin bajo la puerta sufre un estrangulamiento en las cercanas del drenador y desaparece. La corriente entre fuente y drenador no se interrumpe, ya que debido al campo elctrico entre ambos, pero se hace independiente de la diferencia de potencial entre ambos terminales. [11] ZONA DE CORTE Cuando la tensin de la puerta es idntica a la del sustrato, el MOSFET est en estado de no conduccin: ninguna corriente entre fuente y drenador. Tambin se llama MOSFET a los aislados de juntura de dos componentes. [12]

CONFIGURACIN DE POLARIZACIN FIJA Es una de las pocas configuraciones que pueden resolverse directamente tanto con un mtodo matemtico como uno grfico. El grafico 15 muestra la configuracin respectiva del circuito. [13]

Grafico 15: Configuracin de polarizacin fija.

CONFIGURACIN DE AUTOPOLARIZACIN La configuracin de autopolarizacin elimina la necesidad de dos fuentes de dc. El volteje de control de la compuerta a la fuente ahora lo determina el volteje a travs del Resistor R, que se conecta en la terminal de la fuente de configuracin como se muestra en el grafico 16. [14]

Grafico 16: Configuracin de aupolarizacin

6.-MATERIALES 1protoboard 1 fuente variable de voltaje 1 Multmetro 1 MOSFET 1 resistencia de 2k, 3,3k y 1k

7.-PROCEDIMIENTO O DESARROLLO Revisar los transistores con el probador de diodos que stos funcionen correctamente. Armar los circuitos de las figuras 15 y 16. Dar un valor al voltaje VDD para analizar la forma de onda resultante de dicho circuito. Repetir el procedimiento para cuando vara VDD. 8.-ANLISIS DE RESULTADOS Se ha logrado analizar de manera eficaz el comportamiento del transistor de efecto de campo (NMOSFET) en su configuracin de polarizacin fija como se muestra en el grafico 17 y se obtuvo los valores que se detalla en la tabla 1.

Grafico 17: Configuracin de polarizacin fija Tabla 1.-Valores obtenidos al analizar un circuito de polarizacin fija ELEMENTOS

VALORES MEDIDOS
CORRIENTE VOLTAJE

RD RG

2K 1M

ID= 5.6Ma IG=0A VD VG

106.36V

7.43mV 4.8V -2V -2V -6.8V 4.8V 0V

MOSFET CANAL N

VGS VGD VDS VS

 Se ha logrado analizar de manera eficaz el comportamiento del transistor de efecto de campo (NMOSFET) en su configuracin de autopolarizacin como se muestra en el grafico 18 y se obtuvo los valores que se detalla en la tabla 2.

Grafico 18: configuracin por autopolarizacin con un MOSFET Tabla 2: .-Valores obtenidos al analizar un circuito por autopolarizacin con un MOSFET

ELEMENTOS

VALORES MEDIDOS CORRIENTE VOLTAJE

RD

3,3k

ID= 2,6mA VD VG 3,42V 0V -2,6V -6,02V 0,82V 2,6V

MOSFET CANAL N

VGS VGD VDS VS

9.-CONCLUSIONES Al variar el valor de la fuente VDD la curva del circuito ya sea de polarizacin fija y autopolarizacin la curva de transferencia cambia. En el circuito de autopolarizacin el voltaje V G=0 [v] debido a que la impedancia es extremadamente alta. En el circuito de polarizacin fija el voltaje VS=0 [v].

10.-RECOMENDACIONES En el circuito de polarizacin fija la resistencia de la gate debe ser extremadamente alta ya que as la corriente ID va ser tan pequea que no va a existir voltaje en la gate VG=0.

Verificar muy bien en los pines del transistor de efecto de campo cual es el drenaje, fuente y surtidor, utilizando un hmetro, ya que si conectamos de forma errnea el transistor se puede quemar. No llegar tarde para poder ingresar al Laboratorio y de esta manera no interrumpir la prctica. Presentarnos a la prctica todos los estudiantes ya que si falta por lo menos uno todo el curso obtendr un cero en la prctica.

11.-BIBLIOGRAFA ELECTRNICA TEORA DE CIRCUITOS Boylestad Robert, sexta edicin, Traductor: Juan Puron mier y Tern, Editorial Prentice TRANSISTOR FET Y POLARIZACIN, Autor: Jhom Gmez, slideshare.net/Jhomgomez/transistor-fet-y-polarizacion/download 12.-REFERENCIAS
[1] FET, link:

LINK:

es.wikipedia.org/wiki/FET

[2] ,[3],[4], [6], [7] y [8]

TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, Autor: Carlos Daz link: slideshare.net/Carlosdiaztransistor-fet/download

[5] JFET

link= es.wikipedia.org/wiki/JFET link: es.wikipedia.org/wiki/MOSFET

[9] MOSFET, [10], [11], [12] [13], [14]

MOSFET, LINK: .es.rincondelvago/trans_campo

ELECTRNICA TEORA DE CIRCUITOS Boylestad Robert, sexta edicin, Traductor: Juan Puron mier y Tern, Editorial Prentice