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2 Materiales semiconductores: Ge, Si, y GaAs Semiconductor: son una clase especial de elementos cuya conductividad se encuentra entre lo de un buen conductor y la de un aislante. Los semiconductores se dividen en dos clases: Cristal: germanio y silicio Compuesto: galio, sulfuro de cadmio, nitruro de cadmio, nitruro de galio, fosfuro de galio y arsenico.

Semiconductores ms utilizados: Ge, Si, y GaAs. 1954 se present el primer transistor de Silicio 1970 el primer transistor de GaAs.

1.3 Enlace Covalente y materiales intrnsecos Silicio tiene 14 electrones en rbita y 4 electrones de valencia. Germanio 32 electrones y 4 electrones de valencia. Galio 31 electrones y 3 electrones de valencia Arsnico 33 electrones y 5 electrones de valencia

Si los electrones de valencia de suficiente energa cintica proveniente de causas externas para romper el enlace covalente y asumir el estado libre. El trmino libre aplica a cualquier electrn que se halla separado de la estructura entrelazada. El termino intrnseco se aplica a cualquier material que haya sido cuidadosamente refinado para reducir el nmero de impureza a un nivel muy bajo; en esencia, lo ms pura posible. Los electrones libres presentes en un material debido a solo causas externas se conocen como portadores intrnsecos. Portadores Intrnsecos semiconductor GaAs Si Ge Portadores intrnsecos (

Factor de Movilidad relativa a Semiconductor Si Ge GaAs ( 1500 3900 8500 * S)

La capacidad de cambiar las caractersticas de un material mediante este proceso se llama impurificacin o dopado. Una importante e interesante diferencia entre semiconductores y conductores en su reaccin ante la aplicacin de calor. Esto se debe a que el nmero de portadores en un conductor no se incrementan de manera significativa con la temperatura. Se dice que los materiales que reaccionan de esta manera tienen un coeficiente de temperatura positivo. Los materiales semiconductores, presenta un nivel incrementado de conductividad con la aplicacin de calor.

1.4 Niveles de Energa Dentro de la estructura atmica de cada tomo aislado hay niveles especficos de energa asociados con cada capa y electrn en rbita. Los niveles de energa asociados con cada capa son diferentes segn el elemento de que se trate. Sin embargo en general. Cuando ms alejado esta un electrn del ncleo, mayor es su estado de energa y cualquier electrn que haya abandonado a su tomo padre tiene un estado de energa mayor que todo electrn que permanezca en la estructura atmica.

1.5 Materiales Extrnsecos: Materiales Tipo n y Tipo p Un material semiconductor que ha sido sometido a un proceso de dopado se conoce como un material extrnseco. Hay dos materiales extrnsecos de mucha importancia en la fabricacin de dispositivos semiconductores: materiales tipo n y tipo p. Material tipo n: Un material tipo n se crea introduciendo elementos de impureza que contienen cinco electrones de valencia, como el antimonio, el arsnico y fosforo.

Las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se conocen como tomos donadores. Material tipo p Se forma dopando un cristal de germanio o silicio puro con tomos de impureza que tienen tres electrones de valencia. Los elementos ms utilizados para este propsito son boro, galio e indio. Las impurezas difundidas con tres electrones de valencia se llaman tomos aceptores. Los materiales tipo p es elctricamente neutro por las mismas razones descritas para el material tipo n.

Flujo de electrones contra Flujo de Huecos Si un electrn de valencia adquiere suficiente energa cintica para romper su enlace covalente y llenar el vaco creado por un hueco entonces se creara un vaco o un hueco en la banda covalente que cedi el electrn. Existe por consiguiente, una transferencia de huecos hacia la izquierda y de electrones hacia la derecha. Se usara flujo convencional. Portadores mayoritarios y minoritarios En el estado intrnseco el nmero de electrones libre en Ge o Si se debe solo a los electrones en la banda de valencia que adquirieron suficiente energa de fuentes trmicas o luminosas para romper la banda covalente a o a las impurezas que no pudieron ser eliminadas. Los vacos que quedan en la estructura de enlace covalente representan una fuente muy limitada de huecos. En el material tipo n, el nmero de huecos no cambia significativamente con respecto a este nivel intrnseco. E n un material tipo, el hueco es el portador mayoritario y el electrn el minoritario. Cuando el quinto electrn de un tomo donador abandona el tomo padre, el tomo que queda adquiere una carga positiva neta. Los materiales tipo n y p representan los bloques de construccin bsicos de los dispositivos semiconductores.

1.6 Diodo Semiconductor El diodo semiconductor se crea uniendo un material tipo n a un material tipo p. Sin polarizacin aplicada V= 0 V En el momento en que los dos materiales se unen, los electrones y los huecos en la regin de la unin se combinan y provocan una carencia de portadores libres en la regin prxima a la unin. Distribucin de carga interna: VD= 0 V (sin polarizacin) Smbolo de diodo con polarizacin definida y la direccin de la corriente:

Demonstracin de que el flujo de portadores neto es cero en la terminal externa del dispositivo cuando VD= 0 V.

Esta regin de iones positivos y negativos revelados se llaman regin de empobrecimiento, debido a la disminucin de portadores libres en la regin. Si se conectan cables conductores a los extremos de cada material se produce un dispositivo de dos terminales. Se dispone entonces tres opciones: sin polarizacin, polarizacin en directa y polarizacin en inversa. Polarizacin se refiere a la aplicacin de voltaje externo a travs de las dos terminales del dispositivo para extraer una respuesta. La ausencia de voltaje a travs de un resistor produce una corriente cero a travs de el. Es importante sealar la polaridad del voltaje a travs del diodo y la direccin dada a la corriente. Esas polaridades sern reconocidas como las polaridades definidas del diodo semiconductor. Sin ninguna polarizacin aplicada a travs de un diodo semiconductor el flujo neto de carga en una direccin es cero. La corriente en condiciones sin polarizacin es cero.

Condicin de polarizacin en inversa (VD < 0 V) El efecto neto por consiguiente, es una mayor apertura de la regin de empobrecimiento, la cual crea una barrera demasiado grande para que los portadores mayoritarios lo puedan superar, por lo que el flujo de portadores mayoritarios se reduce efectivamente a cero. La corriente en condiciones se polarizacin en inversa se llama corriente de saturacin en inversa y est representada por Is. Polaridad de polarizacin en inversa y direccin de la corriente de saturacin en inversa

Saturacin se deriva del hecho de que alcanza su nivel mximo con rapidez y que no cambia de manera significativa con los incrementos en el potencial de polarizacin en inversa. Condicin de polarizacin en directa (VD = 0 V) La condicin de polarizacin en directa o encendido se establece aplicando el potencial positivo al material tipo p y el potencial negativo al tipo n. Polarizacin directa y direccin de la corriente resultante

La aplicacin de un potencial de polarizacin en directa presionara a los electrones en el material tipo n y a los huecos en el material tipo p para que se recombinen con los iones prximos al lmite y reducir al ancho de la regin de empobrecimiento. En general el voltaje a travs de un diodo polarizado en directa tiene un mximo de 1 volt. Por consiguiente en general en voltaje a travs de un diodo polarizado en directa ser menor que un volt. Se puede demostrar por medio de la fsica de estado slido que las caractersticas generales de un diodo semiconductor se pueden definir mediante la siguiente ecuacin:

Dnde: Is es la corriente de saturacin en inversa VD voltaje de polarizacin en directa a travs del diodo n factor de idealidad (n=1) Vt voltaje trmico La direccin definida de la corriente convencional en la regin de voltaje positivo corresponde a la punta de flecha de smbolo de diodo. Por lo comn la corriente de saturacin en inversa real de un diodo comercial ser medible a un valor mayor que la que aparece como la corriente de saturacin en la inversa en la ecuacin de Shockley.

Regin de Zener Hay una regin donde la aplicacin de un voltaje demasiado negativo producir un cambio abrupto de las caractersticas. El potencial de polarizacin en inversa que produce este cambio dramtico de las caractersticas se llama potencial de Zener (Vz).

El mximo potencial de polarizacin en inversa que se puede aplicar antes de entrar a la regin Zener se llama voltaje inverso pico (PIV) o voltaje de reversa (PRV).

Ge, Si y GaAs Voltaje Vk de rodilla Semiconductor Ge Si GaAs Vk (V) 0.3 0.7 1.2

Efectos de la Temperatura La temperatura puede tener un marcado efecto en las caractersticas de un diodo semiconductor. En la regin de polarizacin en directa las caractersticas de un diodo de silicio se desplaza a la izquierda a razn de 2.5 mV por grado centgrado de incremento de temperatura. En la regin de polarizacin en inverso la corriente de saturacin en inversa de un diodo de silicio se duplica por cada 10 C de aumento de la temperatura. El voltaje de saturacin en inversa de un diodo semiconductor se incrementara o reducir con la temperatura segn el potencial Zener.

1.7 Lo Ideal Vs Lo Prctico El diodo est actuando como un interruptor cerrado que permite un flujo abundante de carga en la direccin indicada.

En esta figura el nivel de corriente es tan pequeo en la mayora de los casos que puede ser aproximado como 0 A y representado por un interruptor abierto.

En otras palabras: El diodo semiconductor se comporta como un interruptor mecnico en el sentido de que puede controlar el flujo de corriente entre sus dos terminales. Sin embargo es importante tener en cuenta que: El diodo semiconductor es diferente del interruptor mecnico en el sentido de que cuando este se cierra solo permite que la corriente fluya en una direccin.

1.8 Niveles de Resistencia A medida que un punto de operacin de un diodo se mueve de una regin a otra, su resistencia tambin cambia debido a la forma no lineal de la curva de caractersticas. Resistencia de CD o Esttica La aplicacin de un voltaje de cd a un circuito que contiene un diodo semiconductor produce un punto de operacin en la curva de caractersticas que no cambian con el tiempo.

Cuanto mayor sea la corriente a travs de un diodo, menor ser el nivel de resistencia de cd.

Resistencia del CA o dinmica

Cuanto ms bajo este el punto de operacin, ms alta es la resistencia del ca.

Resistencia del ca Promedio

1.9 Circuitos equivalentes del Diodo Un circuito equivalente es una combinacin de elementos apropiadamente seleccionados para que representen mejor las caractersticas terminales reales de un dispositivo o sistema en una regin de operacin particular.

1.10 Capacitancias de Difusin y Transicin Es de suma importancia tener en cuenta que: Todo dispositivo electrnico o elctrico es sensible a la frecuencia. Es decir las caractersticas terminales de cualquier dispositivo cambian con la frecuencia. Incluso la resistencia de un resistor bsico, como el de cualquier construccin, es sensible a la frecuencia aplicada.

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