Electrnica de Potencia Interruptores semiconductores de potencia

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Indice

Diodos

Tiristores

Interruptores Controlables

MOSFET

IGBT
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Dispositivos semiconductores de potencia

Se clasifican en tres grupos: Diodos. Tiristores. Interruptores controlables: BJT, MOSFET, tiristores desactivables por puerta (GTO), y transistores bipolares de puerta aislada (IGBT). Diodos:

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Diodos
Diodos: en el apagado presenta una corriente inversa.

Existen tres tipos de diodos: Diodos Schottky. Baja cada de tensin (normalmente 0.3v). Pueden manejar entre 50100v

Diodos de recuperacin rpida. Uso de circuitos de alta frecuencia con un tiempo corto de recuperacin inversa (ms). Varios cientos de amperios y voltios.
Diodos de frecuencia de lnea. Trr es mas alto. Maneja varios Kv y KA.
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Tiristores
Tiristor: es un diodo controlado Puede dispararse para entrar en el estado activo por medio de una aplicacin de un pulso de corriente de puerta positiva durante un periodo breve (el dispositivo debe estar en bloqueo directo) La cada de tensin es de 1-3v El tiristor no puede apagarse por la puerta

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Tiristores

Tambin debe tomarse en cuenta la di en la conexin

dt

y la dv en la desconexin
dt

tq: tiempo de recuperacin del tiristor conmutado por circuito

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Tiristores
Existen tres tipos de tiristores: Tiristor de control de fase (SCR). Se utiliza para rectificadores controlados por fase (control de motores DC y AC) y en transmisin de energa de alta tensin. Gran capacidad de manejo de I (4000A) y V (5-7Kv) y baja cada de tensin (1.5v 3v )

Tiristores de grado de inversor. Tienen tq pequeos (ms 100us) bajas cadas de tensin (2500v-1500A) Tiristores activados por luz. Su aplicacin es para HVDC y llegan a manejar hasta 4kv y 3KA.
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Interruptores Controlables
Dentro de esta gama tenemos BJT, MOSFET, GTO y IGBT. Un interruptor controlable ideal debe cumplir: Bloquear de forma arbitraria grandes tensiones directas e inversas con flujo de corriente cero. Conduce en forma arbitraria grandes corrientes con cadas de tensin cero cuando esta encendido. Conmuta de encendido a apagado o viceversa en forma instantnea cuando se dispara. Se requiere una cantidad de energa insignificante de la fuente de control para disparar el interruptor.

Los dispositivos reales no cumple con estas condiciones

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Disipacin de energa en interruptores controlables

inductancia El promedio de perdida de energa por conmutacin viene dada por:

1 Ps Vd I o Fs (tc ( enc) tc ( apag ) ) 2

El promedio de perdida de energa en estado activo viene dada por:

Penc Venc I o

tenc Ts

PT Ps Penc
Energa disipada durante la transicin de encendido Energa disipada durante la transicin de encendido
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Disipacin de energa en interruptores controlables

Las consideraciones deseables de los interruptores controlables deben ser 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. Corriente de fuga insignificante Voltaje de estado activo pequeo. Tiempos cortos de conexin de desconexin Capacidad de bloqueo de tensin directa e inversa. Corriente nominal alta del estado activo. Coeficiente positivo de temperatura. Pequea cantidad de energa para conmutar el dispositivo Capacidad de soportar tensin y corriente nominal durante la conmutacin Grandes capacidades de dv y di
dt dt

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MOSFET

Es un dispositivo controlado por tensin y sus tiempos de conmutacin son muy cortos Requiere la aplicacin continua de tensin puerta-fuente No hay flujo de corriente de puerta, excepto durante las transiciones capacitancia de la puerta se esta cargando o descargando)
2.52.7 rDS (enc) kBVDSS
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(cuando la

MOSFET

Son favorables para altas frecuencias de conmutacin Pueden manejar voltajes entre 300-400v con perdidas de energa pequeas a frecuencias de conmutacin entre 30 a 100KHz

Manejan poca corriente (hasta 100 A con voltajes pequeos), o alto voltaje (1000v a baja corriente)
El voltaje de disparo (puerta - fuente) varia entre +/- 20v hasta 5v

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IGBT
Requiere la aplicacin continua de una pequea tensin (puerta de alta impedancia)

Puede manejar grandes cantidades de voltaje as como de corriente.

Voltaje de estado activo pequeo (2-3v en dispositivos de 1000 v)

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