Laboratorio N5 Amplificador Emisor Comn.

I. Introduccin En este informe se detallan los pasos y resultados obtenidos al determinar experimentalmente y tericamente, el punto de operacin Q del transistor BJT de emisor comn, as como su caracterstica inversora. Esta configuracin es la ms usada ya que amplifica tanto corriente como voltaje, tambin es la ms usada para circuitos de baja frecuencia por su alta impedancia de entrada. Entre sus aplicaciones estn los amplificadores de audio y de altas frecuencias de radio. A fin de comprobar la exactitud de cada uno de los valores obtenidos experimentalmente, se simular cada circuito tomando las medidas correspondientes, para posteriormente comparar los datos obtenidos en la simulacin con los datos experimentales. Este informe consta de tres partes fundamentales. La primera parte del informe muestra los resultados obtenidos experimentalmente una vez se arm el circuito correspondiente, tanto Ic como Vce fueron hallados con el multmetro. En la segunda parte, se utilizar un generador de funciones y un osciloscopio para observar la amplificacin de la seal senoidal con el amplificador comn. Por ltimo, en la tercera parte se simularn los circuitos comparando los datos prcticos y tericos. II. Materiales y equipos Los materiales utilizados en esta experiencia se enlistan a continuacin Multmetro Digital. Placa de Prueba. Cables de Conexin. 1 Transistor BJT 2N2222. 1 Resistencia de 10K, 100, 2K. 2 Resistencia de 1K. 1 Potencimetro de 5 o 10K. 2 Capacitores Electrolticos de 3.3F. 4. 2. 1 Capacitor Electroltico de 22F. 1 Fuentes de Voltaje DC Variable. 1 Osciloscopio. 1 Generador de Funciones. III. Procedimiento y resultados A. Punto de Operacin del Amplificador Emisor Comn. 1. Arme el circuito de la figura 1 tal y como aparece en la figura.

Fig. 1 Amplificador Emisor Comn

3.

Mida el voltaje VCE del transistor con su respectiva corriente IC y encuentre su punto de operacin, Q = (7.79V, 7.9mA). Reemplace la resistencia R3 por el potencimetro y encuentre el valor de resistencia en el potencimetro que haga que el punto de operacin est en el medio de la recta de carga. El valor de resistencia en el potencimetro fue: 1.0k, y el punto de operacin fue, Q = (7.5V, 7.93mA). Grafique la recta de carga para los puntos 2, 3, y marque en la misma los puntos de operacin con sus valores de ICMax y VCEMax.

B.

Amplificacin

de

una

seal

senoidal

con

un

Amplificador Emisor Comn. 1. Agregue al ltimo circuito armado los siguientes componentes, sin el capacitor C3.

Grfica 1. Recta de Carga con puntos de operacin

5. 6.

7.

8.

Remplace nuevamente la resistencia R3 por la resistencia de 1k. Reemplace la resistencia R4 por una resistencia de 2k y mida el voltaje VCE del transistor con su respectiva corriente IC y encuentre su punto de operacin, Q = (0.03966V, 15.08mA). Reemplace la resistencia R3 por el potencimetro y encuentre el valor de resistencia en el potencimetro que haga que el punto de operacin este en el medio de la recta de carga. El valor de resistencia en el potencimetro fue: 0.243k, y el punto de operacin fue, Q = (7.5V, 23.74mA). Grafique la recta de carga para los puntos 6, 7, y marque en la misma los puntos de operacin con sus valores de ICMax y VCEMax.

Fig. 2 Operacin en corte del transistor BJT.

2.

3.

Configure el generador de funciones tal que su salida sea una seal senoidal de 100Hz y de amplitud pico de 0V. Aumente poco a poco el voltaje del generador hasta que el la seal de salida sea recortada e indique el valor pico mximo de entrada. VPico Max=2.56V.

Grfica 3. Amplificacin de la onda senoidal

4.

Agregue el capacitor C3 a su circuito y repita el inciso 12. VPico Max=1.44V.

Grfica 2. Recta de Carga con puntos de operacin

Grfica 4. Con capacitor adicionado

III Circuitos Simulados A. Punto de operacin del Amplificador de Emisor Comn 1. 2. Armar el circuito de la figura 1 tal y como aparece. Mida el voltaje VCE del transistor con su respectiva corriente IC y encuentre su punto de operacin, Q = (7.69V, 6.64mA). 5. 6. Remplace nuevamente la resistencia R3 por la resistencia de 1K. Reemplace la resistencia R4 por una resistencia de 2K y mida el voltaje VCE del transistor con su respectiva corriente IC y encuentre su punto de operacin, Q = (0.13V, 13.49mA).

Fig. 5 Medicin del punto de operacin

7.
Fig. 3 Medicin del punto de operacin

3.

Reemplace la resistencia R3 por el potencimetro y encuentre el valor de resistencia en el potencimetro que haga que el punto de operacin est en el medio de la recta de carga. El potencimetro fue: 1.05k, y el punto de operacin fue, Q = (7.5V, 6.63mA).

Reemplace la resistencia R3 por el potencimetro y encuentre el valor de resistencia en el potencimetro que haga que el punto de operacin este en el medio de la recta de carga. El valor de resistencia en el potencimetro fue: 0.35k, y el punto de operacin fue, Q = (7.53V, 16.588mA).

Fig. 6 Medicin del punto de operacin

8.

Grafique la recta de carga para los puntos 6, 7, y marque en la misma los puntos de operacin con sus valores de ICMax y VCEMax.

Fig. 4 Medicin del punto de operacin con potencimetro

4.

Grafique la recta de carga para los puntos 2, 3, y marque en la misma los puntos de operacin con sus valores de ICMax y VCEMax.

Grfica 6. Recta de carga con puntos de operacin simulados

Grfica 5. Recta de carga con puntos de operacin simulados

Amplificacin de una seal senoidal con un Amplificador Emisor Comn. 1. Agregue al ltimo circuito armado los siguientes componentes, sin el capacitor C3.

Grfica 8. Con capacitor adicionado

IV Conclusiones Luego de realizar la experiencia utilizando un transistor de emisor comn, podemos resumir lo aprendido destacando
Fig. 7 Operacin en corte del transistor BJT simulado.

los siguientes puntos: Se trabaj con un circuito con polarizacin universal capaz de compensar los desequilibrios producidos por la ICB0, y VBE. El circuito est constituido por un divisor de tensin, formado por R1 y R2, conectado a la base del transistor, y por una resistencia de emisor RE. Las variaciones de ICB0, y VBE por efecto de la temperatura se traducen en un aumento de la corriente de colector IC. Cuando IC tiende a aumentar, la cada de tensin en RE tambin aumenta, como la tensin en el divisor de tensin en el punto A es casi constante, el aumento de voltaje en RE provoca que disminuya el voltaje entre base-emisor y esto a su vez disminuye la IB lo que provoca una reduccin de IC y esto compensa su subida, en consecuencia mantenindola estable. La ecuacin de la recta de carga est dada por:

2.

Configure el generador de funciones tal que su salida sea una seal senoidal de 100Hz y de amplitud pico de 0V.

Fig. 8 Configurando el generador de funciones

3.

Aumente poco a poco el voltaje del generador hasta que el la seal de salida sea recortada e indique el valor pico mximo de entrada. VPico Max=3.28V.

El punto de corte con el eje de ordenadas I C, es decir cuando VCE=0, tendr el valor:

Grfica 7. Amplificacin de onda senoidal con emisor comn

4.

Agregue el capacitor C3 a su circuito y repita el inciso 12. VPico Max=1V.

El amplificador en Emisor Comn se caracteriza por amplificar la seal, tanto en voltaje como en corriente, adems el voltaje de salida es invertido con respecto al de entrada. Su impedancia de entrada y de salida son altas.

V Referencias [1] Adel S. Sedra y Kenneth C. Smith. Circuitos microelectrnicos. 5 edicin, editorial McGraw-Hill. [2] Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky. Electrnica Teora de Circuitos. 6 edicin, editorial Pearson Educacin. [3] Albert Paul Malvino, Principios de electrnica, 6 edicin, editorial McGraw-Hill.