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ELETRNICA

EMBARCADA 2

Curso Tcnico
SENAI - PR, 2003

CDIGO DE CATLOGO : 0010XA0106202

Elaborao Tcnica
Reviso Tcnica

Joacir Gomes
Joacir Gomes

Equipe de editorao

Coordenao
Diagramao
Ilustrao
Capa

Mrcia Doneg Ferreira Leandro


Sandra Schulz Caron
Sandra Schulz Caron
Ricardo Mueller de Oliveira

Ficha Catalogrfica
NIT - Ncleo de Informao Tecnolgica
Diretoria de Tecnologia SENAI - DR/PR
S474m

SENAI. PR
Eletrnica embarcada 2 / SENAI. PR. -Curitiba, 2003.
124 p.
1. Eletrnica embarcada.
I. Ttulo.
CDU: 629.3.06

Direitos reservados ao
SENAI Servio Nacional de Aprendizagem Industrial
Departamento Regional do Paran
Avenida Cndido de Abreu, 200 - Centro Cvico
Telefone: (41) 350-7000
Telefax: (41) 350-7101
E-mail:
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CEP 80530-902 Curitiba - PR

SUMRIO

Eletro-eletrnica bsica ................................................................................................. 05


Resistores e potencimetros ........................................................................................ 19
Introduo aos semi-condutores ................................................................................... 23
Diodo semicondutor ...................................................................................................... 34
Transistores .................................................................................................................. 55
Transformadores ........................................................................................................... 63
Retificao de meia onda .............................................................................................. 78
Retificao de onda completa com diodos semicondutores ........................................ 83
Capacitores ................................................................................................................... 93
Filtros ............................................................................................................................ 95
Circuitos Integrados / Mmorias eletrnicas ................................................................. 97
Montagem de circuitos elementares ........................................................................... 124

0010XA0106202 - E LETRNICA E MBARCADA 2

ELETRO-ELETRNICA BSICA

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LEI DE OHM

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Um Circuito Eltrico simples consiste de uma resistncia


conectada a uma diferena de tenso por intermdio de
condutores.

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O resistor pode ser uma lmpada ou qualquer outro tipo


de elemento que tenha resistncia. O fornecedor de tenso
pode ser uma bateria ou um gerador e os condutores
geralmente so fios de cobre.

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A lei de Ohm descreve a relao entre a corrente (I), a


tenso (V) e a resistncia (R) num circuito .

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Pode ser expressa de trs formas diferentes:

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Sempre que dois fatores forem conhecidos, o terceiro


fator, desconhecido, pode ser calculado pela lei de Ohm.

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CIRCUITO EM SRIE, PARALELO E MISTO

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Circuito Eltrico - quando um gerador ligado a um ou

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mais dispositivos, provocando o fluxo de corrente eltrica. O

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circuito mais simples que podemos construir consiste de uma

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pilha (gerador) ligada a uma lmpada de filamento.

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Os resistores so os dispositivos mais utilizados nos

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Circuitos Eltricos. A funo bsica de um resistor diminuir

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a tenso eltrica de um Circuito atravs de sua resistncia

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eltrica.

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Resistores em Srie

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A figura abaixo mostra um circuito onde trs resistores


aparecem ligados em srie.

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A caracterstica bsica de uma ligao em srie que


todos os componentes ligados esto submetidos a mesma
corrente eltrica. Portanto, a tenso do componente varia de
acordo com sua resistncia.

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Resistncia Equivalente em Srie

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A resistncia afeta o circuito inteiro porque existe apenas


um caminho a ser percorrido pela corrente.

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Se for acrescentada resistncia ou se uma resistncia


aumentar, a corrente eltrica do circuito inteiro diminuir, desde
que a tenso no mude.

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O clculo da resistncia total de um circuito em srie


realizado calculando-se todas as resistncias individuais.
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Exemplo de calculo total da resistncia de um circuito

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em srie.

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Resistores Paralelos

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A figura abaixo mostra dois resistores em paralelo. A

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caracterstica bsica de uma ligao em paralelo que todos

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os componentes esto submetidos a mesma tenso eltrica.

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No caso deste circuito a tenso eltrica no dois resistores


de 12V, que a tenso fornecida pelo gerador.

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Neste caso, a corrente divide-se entre dois resistores,


de acordo com seus valores.

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Se no variarmos a tenso, quanto maior o valor da


resistncia, menor a corrente que passa por ela.

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0010XA0106202 - ELETRNICA E MBARCADA 2

Resistncia Equivalente em Paralelo

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O clculo da resistncia total de um circuito em paralelo

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realizado conforme a ilustrao abaixo.

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Circuitos Mistos (Srie-paralelo)

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Nos circuitos mistos, ou srie-paralelo, sempre podemos


identificar um caminho do circuito onde os resistores esto
ligados em srie, e outros onde os resistores esto ligados
em paralelo.

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MULTMETRO FLUKE
Os termos e smbolos seguintes aparecem na face do multmetro Digital Fluke 87, e so
usados em sua operao. Suas funes so semelhantes a maioria dos multmetros
automotivos avanados. Seus significados so explicados abaixo.

MOSTRADOR DIGITAL
REGISTRO DE
MN./MX.
ESCALA
MANUAL

CONGELAMENTO
DO MOSTRADOR

ESCALA ANALGICA
DO MOSTRADOR
MOSTRADOR ANALGICO (SIMULADOR DA
AGULHA ANALGICA)

TECLA DE MUDANA
DE FUNO
LUZ DE FUNDO DO MOSTRADOR

CONTINUIDADE DO SINAL
SONORO E EXTREMOS MN./MX.

ZERO RELATIVO

SMBOLOS DA FUNO DE
DIAL ROTATIVO

FREQNCIA DO
CICLO DE SERVIO
INTERRUPTOR DE DISCO
ROTATIVO DE FUNO SELETORA

VOLTS AC
VOLTS DC
AMP DE ENTRADA
MILLIVOLTS DC
SINAL SONORO
ENTRADA
OHMS (RESISTNCIA)
MILLIAMP/MICROAMP
CAPACITNCIA EM MICROFARADS
MILLIAMP DC
AMPS DS
MICROAMP
O MESMO DOS 3 LTIMOS, MAS AC

ENTRADA
COMUM

ENTRADA DO
DIODO VOLT/OHM

MULTMETRO DIGITAL
FLUKE
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Input Alert TM

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O multmetro estala (faz soar um click) continuamente

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se o fio de teste estiver conectado s entradas mA, mA ou A

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do multmetro e a funo mA, mA ou A no estiver selecionada.

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Boto Azul

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Pressione para mudar as funes de AC ~ ou DC

in

A, mA, ou A. Pressione para alterar entre as funes (ohm)


(capacitncia).

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Hold

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Pressione Hold e o multmetro mantm automaticamente


toda nova leitura: o multmetro d um sinal eletrnico quando

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a leitura estvel (Touch Hold ). Em Hz, % ciclo de atividade

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e MIN MAX, o multmetro pra com todas as atualizaes de

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leitura. Pressione HOLD de novo para sair da funo.

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Range

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O multmetro seleciona automaticamente as faixas.

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Pressione RANGE para seleo manual de faixas (AUTO muda

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para OFF no mostrador).

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Quando se muda de faixa, desabilitam-se os mdulos


Touch Hold , MIN MAX < e REL (ativo). Pressione RANGE
por dois segundos para retornar seleo automtica de
faixas.

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MIN MAX

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Pressione MIN MAX para registrar as leituras mxima,

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mnima e mdia na memria.

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Registra as mdias verdadeiras por at 36horas.

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O multmetro seleciona manualmente as faixas e emite

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sinais sonoros quando um novo valor mnimo ou mximo

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registrado (MIN MAX Alert ). Pressione MIN MAX para mover

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entre as leituras mxima, mnima, mdia e atual. Pressione

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MIN MAX por dois segundos para apagar as leituras.

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Extremos MIN MAX

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. Os valores de

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transientes (>1ms) ou senoidal (<400Hz) so armazenados.

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Pressione MIN MAX para ver ambas as leituras. Pressione

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duas vezes para restabelecer os valores sem sair do MIN MAX.

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Pressione MIN MAX, depois

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Hz, % Duty

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Pressione Hz para entrar no mdulo contador de


freqncia, pressione-o de novo para selecionar % do ciclo
de atividade. Pressione Hz de novo para sair do mdulo.
Pressione

para alterar. Para medir o ciclo de atividade de

sinais lgicos, selecione 4VDC

Range.

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Selecione e pressione

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para testes de continuidade

auditveis (o multmetro seleciona a faixa de 400Z). O limiar


-10% de cada faixa.

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REL

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Pressione REL para zerar o mostrador e armazenar a


leitura como uma referncia relativa. O multmetro seleciona
manualmente as faixas e d um zoom (amplia no mostrador)
do mdulo de grfico de barras (modelos 83 e 85).

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As leituras subseqentes so a diferena entre as leituras


de referncia entre as leituras de referncia e a atual.

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Pressione REL de novo para sair.

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Mostra a queda de voltagem do diodo at 3.000 V1mA


de corrente nominal em circuito fechado < 3,9 teste de
voltagem em circuito fechado. Use Touch Hold para testes
audveis de diodo.

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Voltagem de escala completa <450mV para faixas de


400 4M . Voltagem de escala completa < 1,3V para 40M
e nS< 500A corrente de circuito fechado.

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Resistor teste

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Resistor de teste com 1k de preciso. Selecione e


conecte o fio de teste de entrada V at a entrada A m A. O
mostrador deve ser de 1.000k 0,005.

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Nanosiemens. Medida de condutncia para resistncia


>40M. Selecione e a faixa manualmente at que seja
mostrado o nS. Para converter a leitura em mega ohms, divida
o nmero mostrado por 1000 (leitura de 100nS = M).
Selecione e pressione o boto azul. O multmetro
seleciona automaticamente faixas de 5,00F, 0,0500F,
0,500F ou 5,00F Rauge.

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A resposta ao acionamento das teclas diminui a


capacitncia.

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Para capacitores < 5nF, pressione REL para zerar e


entrada ou capacitncia dos fios de teste.
Para capacitores > 5F, use a escala de mostrada
abaixo e mea o tempo de carga do mostrador analgico de
zero at escala completa (OL):

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Range =
F/segundos =

400 4k 400k 400k 4Mz


3000 300 30
3
0,3

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Ainda existem pelo menor 8 horas de vida da bateria


quando este smbolo mostrado. 1000 V rms de proteo em
ohms, teste diodo e volts. Fusvel de 600V, 1A em A e mA ;
15A fusvel de 600 V em A.

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Para testar fusveis remova os fios de testes de qualquer


fonte de alimentao; selecione V
ou V~. Conecte o fio de
teste em uma entrada MA mA.

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O multmetro dar sinais sonoros clics se o fusvel estiver


bom (input Alert ). Mova o fio de teste para a entrada A. O

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multmetro dar sinais sonoros clics se o fusvel estiver bom.

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FUNES BSICAS DO MULTMETRO

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1. Volts

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Esta funo utilizada para medir volts DC (tenso

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contnua); geralmente tem uma escala que varia de 0 a 1000V.

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2. Volts ~ V

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Esta funo utilizada para medir volts AC (tenso

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alternada); geralmente tem uma escala que varia de 0 a 750V.

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3. Ohms ()

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Esta funo utilizada para medir resistncia eltrica;

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geralmente tem uma escala que varia de 0,1 a 200 M e medir

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teste de continuidade (beep).

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4. Teste de diodos

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Esta funo utilizada para saber se o diodo est em


perfeito estado.

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5. Corrente

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Esta funo utilizada para medir corrente DC (corrente

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Contnua) ou AC (Corrente Alternada) em Ampre; geralmente

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tem uma escala que varia de 0 at a mxima corrente

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suportada pelo equipamento.

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6. Sada para as pontas de prova

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- COM

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A ponta de prova preta deve estar sempre conectada

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nesta sada.

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- V

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Com a ponta de prova vermelha nesta sada possvel

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medir volts, ohms e teste de continuidade, dependendo da

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posio do boto seletor.

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-A

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A ponta de prova vermelha conectada nesta posio

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permite medir corrente DC ou AC de 0A at a corrente

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mxima medida pelo equipamento no mximo. O boto giratrio

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dever estar na posio de mxima corrente.

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- mA

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Com a ponta de prova nesta posio possvel medir

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mA, DC, ou AC.

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O multmetro pode identificar a polaridade do

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circuito, basta observar o sinal de (-) que aparece

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no visor quando as pontas de prova estiverem

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invertidas.

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TESTANDO CONTINUIDADE

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Continuidade um teste rpido para determinar se o
circuito est aberto ou fechado.

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O multmetro far um beep quando o circuito estiver


fechado ou em curto. Com este beep no necessrio voc
olhar para o mostrador ou fazer medies. Continuidade
normalmente utilizado para determinar fusveis queimados,
operaes com interruptores e fios rompidos, curto circuito, etc.
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Para medir continuidade:

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1. Coloque a ponta de prova preta na sada COM do

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multmetro.

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2. Coloque a ponta de prova vermelha na sada VW do

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multmetro.

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3. Selecione o boto giratrio para a posio mostrada acima.

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4. Toque as pontas de prova entre si, para testar a continuidade

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dos cabos do multmetro.

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5. Pressione a tecla ALERT para ouvir o beep.

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6. Conecte as pontas de prova entre os terminais:

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- Se ouvir o beep : O circuito est fechado ou com curto.

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- Se no ouvir o beep : O circuito est aberto.

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MEDINDO RESISTNCIA

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1. A alimentao deve ser DESLIGADA.

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2. Coloque os cabos do medidor das entradas COM e V.

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3. Coloque o interruptor rotativo na posio , obedecendo

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a escala mais apropriada.

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4. Os cabos do medidor so colocados ao longo do com-

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ponente.

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5. Certifique-se de que seus dedos no estejam tocando

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nos cabos do medidor (a medio resultante incluir a

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resistncia do corpo).

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O multmetro mede a resistncia aplicando uma pequena

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tenso ao circuito, por isso no devemos utiliz-lo em circuitos

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ou componentes energizados.

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O ohmmetro (parte do multmetro que mede a resistncia

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eltrica) deve ser sempre ligado em paralelo ao componente

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ou circuito desligado.

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MEDINDO TENSO

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1. Alimente o circuito.

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2. Coloque os cabos de medidor nas entradas COM e V.

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3. Coloque o interruptor seletor na posio ~V (AC) ou - V (DC).

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4. Os cabos do medidor so colocados ao longo de um

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componente (queda de tenso).

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O voltmetro (parte do multmetro que mede a tenso
eltrica) deve ser sempre ligado em paralelo ao circuito.

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MEDINDO CORRENTE

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1. Coloque os cabos do medidor nas entradas A e COM.

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2. Coloque o interruptor seletor na posio mA/A

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3. Abra o circuito a ser analisado.

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4. Coloque os cabos do medidor para completar o circuito

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na ruptura (a corrente deve passar atravs do medidor),

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observando a polaridade correta.

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5. Alimente o circuito.

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O ampermetro (parte do multmetro que mede a corrente

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eltrica) deve ser instalado sempre sem srie ao componente

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ou ao circuito a ser analisado.

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RESISTORES E POTENCIMETROS

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No final dos anos 50 os transistores passaram a

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substituir as vlvulas nos circuitos de aparelhos usados nas


telecomunicaes.

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A principal vantagem dos transistores com relao s


vlvulas o tamanho muito reduzido.

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A partir da introduo desses componentes a


miniaturizao de circuitos torno-se um dos principais

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aspectos do desenvolvimento da tecnologia.

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Com a miniaturizao surgiu uma srie de novos
componentes que utilizam basicamente o movimento dos

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eltrons para realizar suas funes; da o nome eletrnica dado


a essa rea da tecnologia.

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Transistores,

chips,

circuitos

integrados,

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microprocessadores e computadores so todos produtos da


eletrnica moderna.

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Muitos desses produtos esto sendo utilizados pela

...............................................
...............................................

indstria automobilstica. So eles que possibilitam e injeo


eletrnica de combustvel, a ignio eletrnica, o controle

...............................................

automtico de funcionamento de componentes mecnicos,


os freios com sistema antiderrapagem, etc.

...............................................

...............................................
...............................................
...............................................

Iniciaremos nossos estudos definindo alguns

...............................................

componentes dos circuitos eletrnicos: resistores,


potencimetros e capacitores.

...............................................

Os resistores so componentes que oferecem oposio


passagem de corrente eltrica, aumentando a resistncia
eltrica de um circuito ou trecho de circuitos.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

A presena de um resistor est sempre relacionada com

...............................................

o controle da intensidade da corrente eltrica, j que o aumento


da resistncia em circuito faz com que a corrente eltrica

...............................................

diminuda.

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...............................................

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0010XA0106202 - ELETRNICA E MBARCADA 2

Resistores tambm podem ser utilizados para alterar a

...............................................

tenso eltrica (voltagem) aplicada a outros componentes do

...............................................

circuito. Neste caso dizemos que o resistor est provocando

...............................................

uma queda de tenso.

...............................................
...............................................

Os resistores podem ser construdos com metais,

...............................................

cermica ou pelcula de carbono. A quantidade de resistncia

...............................................

que um resistor oferece passagem da corrente eltrica

...............................................

medida em ohms ().

...............................................
...............................................

Existem resistores desde 0,1 at mais de 20 000 000

...............................................

usam-se tambm mltiplos do ohm, como o quilohm (k) que

...............................................

vale mil ohms, e o megohm (M) que vale 1 milho de ohms.

...............................................

Assim, por exemplo, um resistor de 5 K, possui uma

...............................................

resistncia de 5 000 ohms; j um resistor de 1,5 M possui

...............................................

uma resistncia de 1 500 000 .

...............................................
...............................................

Alm da resistncia eltrica, os resistores so

...............................................

caracterizados tambm pela potncia com que podem

...............................................

transferir calor para o ambiente.

...............................................
...............................................

Quanto maior for o tamanho de um resistor, maior ser

...............................................

a sua potncia; ou seja, mais calor ele consegue dissipar sem

...............................................

ser destrudo. Os menores resistores que existem possuem

...............................................

potncia de 1/8 ou 1/4 de watt (); os maiores resistores

...............................................

chegam a uma potncia de 20 watts.

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...............................................
...............................................

IDENTIFICAO DE UM RESISTOR

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...............................................

Para sabermos o valor da resistncia eltrica de um


resistor podemos utilizar duas formas:

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...............................................
...............................................

Na leitura direta o valor da resistncia vem anotado no

...............................................

prprio resistor. Por exemplo: se num resistor estiver gravado

...............................................

4,7 ou 4K7, isso significa que sua resistncia de 4 700; se

...............................................

estiver gravado 2,5M ou 2M5, isso significa uma resistncia

...............................................

de 2 500 000.

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O cdigo de cores utilizado na identificao de

...............................................

resistores funciona da seguinte maneira: o valor da resistncia

...............................................

marcada atravs de anis coloridos pintados no corpo de

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resistor.

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...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
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...............................................
...............................................
...............................................
o

O 1 e o 2 anis indicam 2 algarismos; o 3 anel indica

...............................................

um fator de multiplicao, ou seja, o nmero de zeros que se

...............................................

seguem aos 2 primeiros algarismos, e o 4 anel indica a

...............................................

tolerncia do resistor. A tolerncia correspondente diferena

...............................................

entre o valor nominal (gravado no resistor) e o valor real da

...............................................

resistncia. Quando o 4

anel no gravado indica uma

tolerncia de 20%.

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...............................................
...............................................

A tabela a seguir mostra o significado de cada anel.

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...............................................

COR
1 anel
preto
marron
1
vermelho
2
laranja
3
amarelo
4
verde
5
azul
6
violeta
7
cinza
8
branco
9
prata
dourado

2 anel
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9

3 anel
4 anel
x1
x10
1%
x100
2%
x1 000
3%
x10 000
4%
x1000 000
x1 000 000

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

x0.01
x0.1

10%
5%

...............................................
...............................................
...............................................

Vamos imaginar que temos em mos um resistor como


o da figura abaixo, como o 1o anel vermelho, o 2o anel amarelo,
o 3o anel laranja e o 4o anel dourado. Qual o valor da
resistncia desse componente e a sua tolerncia?

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0 1 O e o 2 o anis fornecem os 2 algarismos da

...............................................

resistncia: vermelho= 2 e amarelo=4. Formamos, por

...............................................

enquanto, 24.

...............................................
...............................................

O 3o anel fornece o fator de multiplicao: Laranja x1000.


Portanto, o valor da resistncia de 24x1000 ou 24000.

...............................................
...............................................
...............................................

O 4o anel define a tolerncia: dourado= 5%. Portanto, a

...............................................

diferena entre o valor real do resistor e o valor marcado de

...............................................

24000 ohms pode chegar at a 5% desse mesmo valor, para

...............................................

mais ou para menos.

...............................................
...............................................
...............................................

POTENCIMETRO

...............................................

Potencimetros so resistores variveis, isto , nos quais


o valor da resistncia eltrica pode mudar. Os potencimetros
possuem uma lingeta metlica (cujo nome cursor) ligada a
um eixo que pode moviment-la. Dependendo da posio do
cursor, o valor da resistncia do potencimetro varia.

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INTRODUO AOS SEMI-CONDUTORES

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MATERIAIS SEMI-CONDUTORES

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...............................................

So materiais que podem apresentar caractersticas de

...............................................

isolante ou de condutor, dependendo da forma como se

...............................................

apresenta a sua estrutura qumica.

...............................................
...............................................

Um exemplo tpico de material semicondutor o

...............................................

carbono. Dependendo da forma como os tomos do carbono

...............................................

se interligam, o material formado pode se tornar condutor ou

...............................................

isolante.

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...............................................

Duas formas bastante conhecidas de matria formada


por tomos de carbono so:

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...............................................
...............................................

- O diamante

...............................................
...............................................

- O grafite

...............................................
...............................................
...............................................

Diamante

...............................................
...............................................

Material de grande dureza que se forma pelo arranjo de

...............................................

tomos de carbono em forma de estrutura cristalina.

...............................................

eletricamente isolante.

...............................................
...............................................
...............................................

Grafite

...............................................
...............................................

Material que se forma pelo arranjo de tomos de carbono


em forma triangular. condutor de eletricidade.

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ESTRUTURA QUMICA

...............................................
Os materiais semicondutores se caracterizam por

...............................................

serem constitudos de tomos que tem 4 eltrons na camada

...............................................

de valncia (TETRAVALENTES).

...............................................
...............................................

A figura 1 apresenta a configurao de dois tomos que


do origem a materiais semicondutores.

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...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
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...............................................

SILCIO
14 Protns
14 Eltrons

...............................................
GERMNIO

4 Eltrons na
ltima camada

...............................................
32 Prtons
32 Eltrons
...............................................

...............................................
...............................................
Os tomos que tm quatro eltrons na ltima camada
tm tendncia a se agruparem segundo uma formao
cristalina.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Neste tipo de ligao cada tomo se combina com quatro


outros, fazendo com que cada eltrons pertena
simultaneamente a dois tomos (figura abaixo).

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...............................................
...............................................
...............................................
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...............................................
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LIGAO COVALENTE

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...............................................
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...............................................
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Este tipo de ligao qumica denominada de ligao

...............................................

covalente, e representada simbolicamente por dois traos

...............................................

que interligam os dois ncleos.

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...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Quando um tomo tetravalente se associa por ligaes


covalentes a quatro outros a ligao representada conforme
mostra a figura abaixo.

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...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

As ligaes covalentes se caracterizam por manter os


eltrons fortemente ligados aos dois ncleos associados.

...............................................
...............................................
...............................................

Por esta razo as estruturas cristalinas puras,

...............................................

compostas unicamente por ligaes covalentes, adquirem

...............................................

caractersticas de isolao eltrica.

...............................................
...............................................

As estruturas cristalinas puras de elementos

...............................................
...............................................

tetravalentes so eletricamente isolantes.

...............................................
...............................................

O silcio e o germnio puros so materiais

...............................................

semicondutores com caractersticas isolante quando

...............................................

agrupados em forma de cristal.

...............................................
...............................................

A figura a seguir mostra a configurao cristalina do silcio

...............................................
...............................................

de forma planificada.

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...............................................
...............................................
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...............................................

REPRESENTAO PLANIFICADA

...............................................

Observa-se que cada tomo realiza quatro ligaes


covalentes com os tomos vizinhos.

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...............................................
...............................................

O aspecto real de ligaes dos tomos de uma estrutura

...............................................

cristalina de germnio ou silcio est apresentado na figura

...............................................

abaixo.

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...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
ESTRUTURA TETRADRICA

...............................................
...............................................

DOPAGEM

...............................................
...............................................

A dopagem um processo qumico que tem por finalidade


introduzir tomos estanhos a uma substncia na sua estrutura
cristalina.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

A prpria natureza executa um processo de dopagem


propiciando a existncia de impurezas na estrutura qumica
dos cristais que se instalam durante a sua formao.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

A dopagem pode tambm ser realizada em laboratrios,


com o objetivo mais especfico.

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...............................................
...............................................

Colocar no interior da estrutura de uma quantidade


correta de uma determinada impureza, para que o cristal de
comporte conforme as condies necessrias em termos
eltricos.

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...............................................

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Nos cristais semicondutores (germnio e silcio,

...............................................

principalmente) a dopagem realizada por atribuir ao material

...............................................

certa condutividade eltrica.

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...............................................

A forma como o cristal ir conduzir a corrente eltrica e

...............................................

a sua condutibilidade depende do tipo de impureza utilizada e

...............................................

da quantidade de impureza aplicada.

...............................................
...............................................

CRISTAL N

...............................................
...............................................

Quando o processo de dopagem introduz na estrutura

...............................................

cristalina uma quantidade de tomos com mais de quatro

...............................................

eltrons na ltima camada forma-se uma nova estrutura

...............................................

cristalina, denominada de cristal N.

...............................................
...............................................

Tomando-se como exemplo a introduo de tomos de

...............................................

fsforo que possuem cinco eltrons na ltima camada no

...............................................

cristal.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Dos cinco eltrons externos do fsforo apenas quatro

...............................................

encontram um par no cristal que possibilite a formao

...............................................

covalente.

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...............................................
...............................................
ELTRON LIVRE

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

O quinto eltron do fsforo no forma ligao covalente

...............................................

porque no encontra um eltron na estrutura que possibilite

...............................................

esta formao.

...............................................
...............................................

Este eltron isolado tem a caracterstica de se libertar

...............................................

facilmente do tomo, passando a vagar livremente dentro de

...............................................

estrutura do cristal, constituindo-se portador livre de carga

...............................................

eltrica.

...............................................
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Cada tomo de impureza fornece um eltron livre da

...............................................
...............................................

estrutura do cristal semicondutor.

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...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
Com a adio de uma determinada quantidade de
impurezas o cristal que era puro e isolante passa a ser
condutor de corrente eltrica, atravs dos portadores livres
(eltrons) que podem circular na banda de conduo.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

importante observar que o nmero total de eltrons e


prtons igual, de forma que o material continua eletricamente
neutro.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

O cristal semicondutor dopado com impurezas de maior


nmero de eltrons (como o fsforo) denominado de cristal
N porque a corrente eltrica conduzida no seu interior por
cargas negativas.

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...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
CORRENTE
DE ELTRONS

CORRENTE DE ELTRONS

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
CRISTAL N

CRISTAL N

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Observa-se que o cristal N conduz a corrente eltrica,


independentemente da polaridade da bateria.

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...............................................

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CRISTAL P

...............................................
...............................................

A utilizao de tomos com menos de quatro eltrons

...............................................

na ltima camada para o processo de dopagem d origem a

...............................................

um tipo de estrutura chamada de cristal P.

...............................................
...............................................

O tomo de ndio, por exemplo, que tem trs eltrons na

...............................................

ltima camada, d origem a um cristal P quando utilizado na

...............................................

dopagem.

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...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Quando os tomos de ndios so colocados na estrutura

...............................................

do cristal puro verifica-se a falta de um eltron para que os

...............................................

elementos tetravalentes se combinem de forma covalente.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

FALTA 1
ELTRON

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Esta ausncia no interior do cristal denominada de

...............................................

lacuna, sendo representada por uma carga eltrica positiva

...............................................

na estrutura qumica.

...............................................
LACUNA

...............................................
...............................................

Si

Si

In

Si

Si

...............................................
...............................................
...............................................

In

Si

Si

In

Si

...............................................
...............................................

Si

Si

In

Si

Si

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

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A lacuna no propriamente uma carga positiva, mas

...............................................
...............................................

sim, a ausncia de uma carga negativa.

...............................................
Os cristais dopados com tomos de menos de quatro

...............................................

eltrons na camada externa so denominados de cristais P

...............................................

porque a conduo de corrente eltrica no seu interior se d

...............................................

pela movimentao das lacunas.

...............................................
...............................................

O movimento de lacunas no cristal P pode ser facilmente

...............................................

observado, quando se analisa a conduo de corrente passo

...............................................

a passo.

...............................................
...............................................

Quando se aplica uma diferena de potencial aos

...............................................

extremos de um cristal P uma lacuna ocupada por um eltron

...............................................

que se movimenta deixando uma lacuna em seu lugar.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Esta lacuna preenchida pelo eltron seguinte , que torna

...............................................
...............................................

a criar outra lacuna atrs de si.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
Assim, a lacuna ser preenchida por outro eltron

...............................................

gerando nova lacuna, at que esta lacuna seja preenchida por

...............................................

um eltron proveniente da fonte.

...............................................
...............................................
...............................................

MOVIMENTO DA LACUNA

...............................................
...............................................
MOVIMENTO DOS ELTRONS

...............................................

As lacunas se movimentam na banda de valncia dos


tomos e os eltrons que as preenchem, na banda de

...............................................
...............................................
...............................................

conduo.

...............................................
A conduo de corrente por lacunas no cristal P

...............................................
...............................................

independe da polaridade da fonte de tenso.

...............................................
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...............................................
CORRENTE
DE LACUNAS

CORRENTE DE LACUNAS

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

CRISTAL P

CRISTAL P

...............................................
...............................................

Conclui-se que os cristais P e N, isoladamente,


conduzem a corrente eltrica que seja a polaridade de tenso
aplicada aos seus extremos.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Os cristais P e N so a matria-prima para fabricao

...............................................

dos componentes eletrnicos modernos tais como: diodos,

...............................................

transistores, circuitos integrados.

...............................................
...............................................

INFLUNCIA DA INTENSIDADE DE DOPAGEM NO


COMPORTAMENTO DOS MATERIAIS SEMICONDUTORES

...............................................
...............................................
...............................................

A conduo de corrente eltrica nos materiais

...............................................

semicondutores depende dos portadores livres de carga na

...............................................

estrutura qumica.

...............................................
...............................................

Os cristais dopados mais intensamente se caracterizam


por apresentar maior condutibilidade, porque sua estrutura
apresenta um maior nmero de portadores livres.

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...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

MATERIAL N

MATERIAL N

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
DOPAGEM FRACO
E
NT
E
RR
CO

R
IO
A
M

DOPAGEM FORTE
...............................................

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

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Controlando a quantidade de impurezas introduzidas na

...............................................

estrutura cristalina, a faixa proibida, localizada entre as faixas

...............................................

de valncia e conduo, pode ser reduzida a uma largura

...............................................

desejada.

...............................................
...............................................
...............................................
LARGURA DA FAIXA
PROIBIDA

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

MATERIAL ISOLANTE

...............................................
...............................................
LARGURA DA FAIXA
PROIBIDA

...............................................
...............................................
...............................................

MATERIAL SEMICONDUTOR
FRACAMENTE DOPADO

...............................................
...............................................
LARGURA DA FAIXA
PROIBIDA

...............................................
...............................................
...............................................

MATERIAL SEMICONDUTOR
FORTEMENTE DOPADO

...............................................
...............................................

Observando-se a quantidade de energia necessria para


tomar os materiais condutores, nos grficos acima, verificase que com o aumento da dopagem o material levado
conduo mais facilmente.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

INFLUNCIA DA TEMPERATURA NA CONDUTIBILIDADE


DOS MATERIAIS SEMICONDUTORES

...............................................
...............................................
...............................................

A temperatura exerce influncia direta sobre o

...............................................

comportamento dos materiais semicondutores no que diz

...............................................

respeito a condutibilidade eltrica.

...............................................
...............................................

Quando a temperatura de um material semicondutor

...............................................

aumenta, a energia trmica adicional faz com que algumas

...............................................

ligaes covalentes da estrutura se desfaam.

...............................................
...............................................

Cada ligao covalente que se desfaz pelo acrscimo

...............................................

de temperatura propicia a existncia de dois portadores livres

...............................................

de energia a mais na estrutura do cristal.

...............................................
...............................................
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AQUECIMENTO

PORTADORES ADICIONAIS

LIGAO COVALENTE
DESFEITA PELA
ENERGIA TRMICA

A existncia de um nmero de portadores aumenta a permitindo a circulao de correntes


maiores no cristal.

AQUECIMENTO

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DIODO SEMICONDUTOR

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

O diodo semicondutor um componente que apresenta

...............................................

a caracterstica de se comportar como condutor ou isolante

...............................................

eltrico dependendo da forma como a tenso aplicada aos

...............................................

seus terminais.

...............................................
...............................................

Uma das aplicaes do diodo na de transformao de

...............................................

corrente alternada em corrente contnua utilizada, por exemplo,

...............................................

nos eliminadores de pilhas.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

SIMBOLOGIA E ASPECTO REAL

...............................................
O diodo semicondutor representado nos esquemas

...............................................
...............................................

pelo smbolo apresentado na figura.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
O terminal da seta representa o material P, denominado

...............................................

de ANODO do diodo, enquanto o terminal da barra representa

...............................................

o material N, denominado de CATODO do diodo.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

SETA

BARRA

ANODO

CATODO

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
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0010XA0106202 - E LETRNICA E MBARCADA 2

A identificao dos terminais (anodo e catodo) no

...............................................
...............................................

componente real pode aparecer de duas formas:

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Smbolo impresso sobre o corpo do componente.

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CATODO
ANODO

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Uma barra impressa sobre o corpo do componente, que

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...............................................

indica o ctodo.

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...............................................

ANODO

...............................................
CATODO

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Observa-se que o comportamento de qualquer


componente

eletrnico

fabricado

com

materiais

semicondutores depende diretamente da sua temperatura de


trabalho.

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...............................................
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Esta dependncia denominada de DEPENDNCIA


TRMICA, constituindo um fator importante, e que deve ser
considerado quando se projeta ou monta com estes
componentes.

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0010XA0106202 - ELETRNICA E MBARCADA 2

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DIODOS ESPECIAIS

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A figura abaixo apresenta alguns tipos construtivos de
diodos, utilizados em circuitos eletrnicos.

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Formao do diodo - Juno PN

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O diodo se constitui na juno de duas pastilhas de material


semicondutor: uma de material N e uma de material P.

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ZONA DE

...............................................
FUSO
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JUNO PN

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CALOR

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Comportamento dos cristais aps a juno

...............................................
...............................................

Aps a juno das pastilhas que formam o diodo ocorre


um processo de acomodamento qumico entre os cristais.

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...............................................
...............................................

Na regio da juno alguns eltrons livres saem do


material N e passam para o material P, recombinando-se com
as lacunas das proximidades.

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O mesmo ocorre com algumas lacunas que passam do

...............................................

material P para o material N e se recombinam com os eltrons

...............................................

livres.

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...............................................

Forma-se na juno uma regio onde no existem

...............................................

portadores de carga, porque esto todos recombinados,

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neutralizando-se. Esta regio denominada regio de

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DEPLEXO.

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...............................................
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REGIO DE DEPLEXO - SEM PORTADORES

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...............................................

Como consequncia de passar as cargas de um cristal

...............................................

para outro cria-se um desequilbrio eltrico na regio de juno.

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...............................................

Os eltrons que se movimentaram do material N para o


P geram um pequeno potencial eltrico negativo.

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ZONA DE POTENCIAL NEGATIVO GERADO PELOS


ELTRONS QUE NO PERTECIAM AO MATERIAL P

As lacunas que se movimentaram para o material N


geram um pequeno potencial eltrico positivo.

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...............................................
...............................................
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...............................................

ZONA DE POTENCIAL POSITIVO GERADA PELAS


LACUNAS QUE NA PERTECIAM AO MATERIAL N.

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SENAI-PR

0010XA0106202 - ELETRNICA E MBARCADA 2

Verifica-se que na regio da juno existe um diferena

...............................................

de potencial, proporcionada pelo movimento dos portadores

...............................................

de um cristal para o outro.

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...............................................

Este desequilbrio eltrico denominado de barreira de

...............................................
...............................................

potencial.

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No funcionamento do diodo esta barreira de potencial se

...............................................

comporta como uma pequena bateria dentro do componente.

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EFEITO SIMILAR A UMA BATERIA PROVOCADO


PELA BARREIRA DE POTENCIAL

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...............................................

importante observar que a barreira de potencial


NEGATIVA NO CRISTAL P e POSITIVA NO CRISTAL N.

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...............................................

A tenso proporcionada pela barreira de potencial no


interior do diodo depende do material utilizado na sua
fabricao.

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Nos diodos de germnio a barreira de potencial tem


aproximadamente 0,2 V e nos diodos de silcio
aproximadamente 0,7 V.

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No possvel medir a tenso da barreira de potencial,

...............................................

aplicando um voltmetro aos terminais de um diodo, porque

...............................................

esta tenso existe apenas internacionalmente no componente.

...............................................
...............................................

No todo, o componente continua neutro, uma vez que

...............................................

no foram acrescentadas nem retirados portadores dos

...............................................

cristais.

...............................................
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0010XA0106202 - E LETRNICA E MBARCADA 2

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Aplicao de tenso sobre o diodo

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A aplicao de tenso sobre o diodo estabelece a forma
como o componente se comporta eletricamente.

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...............................................

A tenso pode ser aplicada ao diodo de duas formas

...............................................
...............................................

diferentes, denominadas tecnicamente de:

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...............................................

a) polarizao direta

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...............................................

b) polarizao inversa

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...............................................
...............................................

Polarizao Direta

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A polarizao do diodo denominada de polarizao

...............................................

direta quando a tenso POSITIVA aplicada ao MATERIAL P e

...............................................

a tenso NEGATIVA ao MATERIAL N.

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...............................................

O plo positivo da fonte repele as lacunas do material P

...............................................

em direo ao plo negativo, enquanto os eltrons livres so

...............................................

repelidos pelo plo negativo em direo ao plo positivo.

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Se a tenso da bateria externa maior que a tenso da


barreira de potencial, as foras de atrao e repulso
provocadas pela bateria externa permitem aos portadores
adquirir velocidade suficiente para atravessar a regio onde
h ausncia de portadores.

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Observa-se que nesta condio existe um fluxo de
portadores livres dentro do diodo atravs da juno.

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ELTRONS

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...............................................

LACUNAS

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...............................................

A polarizao direta faz com que o diodo permita a

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circulao de corrente eltrica no circuito, atravs do

...............................................

movimento dos portadores livres.

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...............................................

A LMPADA LIMITA A
CORRENTE NO CIRCUITO

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...............................................

Quando o diodo est polarizado diretamente, conduzindo


corrente eltrica, diz-se que:

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...............................................
...............................................

O DIODO EST EM CONDUO

...............................................
...............................................

Um diodo semicondutor polarizado diretamente


(

) entra em CONDUO, permitindo a passagem

...............................................
...............................................
...............................................

de corrente eltrica.

...............................................
importante observar que a seta do smbolo do diodo
indica o sentido de circulao convencional da corrente.

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SENAI-PR

0010XA0106202 - E LETRNICA E MBARCADA 2

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Polarizao Inversa

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A polarizao inversa de um diodo consiste na aplicao
de tenso positiva no material N e negativa no material P.

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Nesta situao os portadores livres de cada cristal so


atrados pelos potenciais da bateria para os extremos do diodo.

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Observa-se que a polarizao inversa provoca um

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alargamento da regio de deplexo, porque os portadores so

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afastados da juno.

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REGIO DE DEPLEXO

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No existe fluxo de portadores atravs da juno quando


o diodo polarizado inversamente.

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...............................................

Portanto, conclui-se que a polarizao inversa faz com


que o diodo impea a circulao de corrente no circuito eltrico.
Quando o diodo est polarizado inversamente, impedindo
a circulao de corrente, diz-se que:

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O DIODO EST EM BLOQUEIO

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Um diodo semicondutor polarizado inversamente

...............................................
...............................................

) entra em bloqueio, no permitindo a passagem

de corrente eltrica.

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FOTODIODOS

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...............................................

Quando um diodo est ligado com polarizao em


sentido inverso no h corrente eltrica atravessando-o.

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...............................................
...............................................

Existem, porm, diodos que, mesmo ligados com


polarizao inversa, quando incide luz sobre eles aparece uma
corrente eltrica (que depende da intensidade da luz que est
iluminando o diodo).

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...............................................
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...............................................
...............................................

A corrente eltrica surge devido a alguns portadores de


carga da juno que so liberados pela incidncia da luz. Por
isso, esses componentes so chamados fotodiodos.

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...............................................
...............................................
...............................................

Os fotodiodos so utilizados como sensores, podendo


indicar uma queda ou um aumento na iluminao de um lugar;
ou, ainda, permitir a leitura de cdigos de barras e cartes
perfurados.

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...............................................
...............................................
...............................................

DIODOS EMISSORES DE LUZ (LEDS)


Alguns diodos so feitos com materiais que emitem luz
quando h passagem de corrente eltrica por eles. Essa luz

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...............................................
...............................................
...............................................

produzida na juno.

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Alguns leds emitem luz laranja, outros vermelha ou
amarela. A cor da luz uma caracterstica do led, e depende

...............................................
...............................................
...............................................

do material de que o diodo feito.

...............................................
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0010XA0106202 - E LETRNICA E MBARCADA 2

Num led vermelho, por exemplo, a barreira de potencial

...............................................

de 1,8 volts, o que significa que a tenso deve ser no mnimo

...............................................

essa para que o led acenda. No entanto, a tenso mxima

...............................................

que um diodo desse tipo suporta de 5,0 volts.

...............................................
...............................................

O diodo LED utilizado principalmente em substituio

...............................................

s lmpadas incandescentes de sinalizao, devido a uma

...............................................

srie de vantagens que apresenta, tais como:

...............................................
...............................................

Baixo consumo

...............................................

Alta resistncia a vibraes

...............................................

Nenhum aquecimento

...............................................

Grande durabilidade

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...............................................

A identificao dos terminais anodo e catodo do LED

...............................................

tambm podem ser feitos com o multmetro, da mesma forma

...............................................

que um diodo comum.

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...............................................
...............................................

Funcionamento

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Quando o diodo LED polarizado diretamente entra em
conduo, permitindo a circulao de corrente.
RESISTOR PARA LIMITAO DA
CORRENTE

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...............................................
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...............................................

A circulao da corrente se processa pela liberao de

...............................................
...............................................

portadores livres na estrutura dos cristais.

...............................................
O deslocamento de portadores da banda de conduo
provoca a liberao de energia (emisso de ftons) em forma

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...............................................
...............................................

de luz.

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CARACTERSTICAS DOS DIODOS LED

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...............................................

As caractersticas importantes do diodo LED so:

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...............................................

Corrente direta mxima (IFM)

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...............................................

Especificao que define a corrente mxima de


conduo do diodo LED sem prejuzo para sua estrutura.

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...............................................
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Corrente direta nominal (IF)

...............................................
...............................................

E um valor de corrente de conduo indicado pelo

...............................................

fabricante no qual o diodo LED apresenta um rendimento

...............................................

luminoso timo (normalmente 20 mA).

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...............................................

Tenso direta nominal (VF)

...............................................
...............................................

Especificao que define a queda da tenso tpica do

...............................................

diodo no sentido de conduo. A queda de tenso nominal (VF)

...............................................

ocorre no componente quando a corrente direta tem valor

...............................................

nominal (IF).

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Para valores de corrente direta diferentes do valor

...............................................

nominal (IF) a tenso direta de conduo sofre pequenas

...............................................

modificaes de valor.

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...............................................

Tenso inversa mxima (VR)

...............................................
...............................................

Especificao que determina o valor de tenso mxima

...............................................

que o diodo LED suporta no sentido inverso sem sofrer ruptura.

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...............................................

A tenso inversa mxima dos diodos LED pequena

...............................................

(da ordem de 5V) uma vez que estes componentes no tm

...............................................

por finalidade a retificao.

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0010XA0106202 - E LETRNICA E MBARCADA 2

A tabela apresenta as caractersticas de alguns diodos

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LED.

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Teste do diodo LED

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Os diodos LED podem ser testados como um diodo
comum, usando um multmetro na escala de resistncia.

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...............................................
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Em um sentido o teste deve indicar baixa resistncia e,

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...............................................

em outro, alta resistncia.

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Observao

...............................................

Em alguns casos, dependendo do multmetro utilizado


para o teste, o LED acende durante o teste com polarizao
direta.

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LED bicolor

...............................................

O LED bicolor consiste, na verdade, de dois LEDs


colocados dentro de uma mesma cpsula.

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Estes LEDs tem trs terminais.

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LIGAO INTERNA

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TESTE DE DIODOS SEMICONDUTORES

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As condies de funcionamento de um diodo podem ser

...............................................

verificadas pela medio de resistncia atravs do multmetro.

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...............................................

Os testes realizados para determinar as condies de

...............................................

um diodo se resumem a uma verificao da resistncia do

...............................................

componente nos sentidos de conduo e bloqueio, utilizando

...............................................

a tenso fornecida pelas baterias do ohmmetro.

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...............................................

CONDUO

BAIXA RESISTNCIA INTERNA


(AT 500 )

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BLOQUEIO

ALTSSIMA RESISTNCIA INTERNA


(VRIOS K)

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Entretanto, existe um aspecto importante, com relao

...............................................

ao multmetro, que deve ser considerado ao testar

...............................................

componentes semicondutores:

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...............................................

Existem alguns multmetros que, quando usados como

...............................................

ohmmetro tm a polaridade real das pontas de prova invertida

...............................................

com relao a cor. Isto :

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...............................................

Em alguns multmetros na escala de resistncia

...............................................
...............................................

ponta de prova preta - positiva

...............................................

ponta de prova vermelha - negativa

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...............................................

Para realizar o teste com segurana deve-se utilizar um

...............................................

multmetro conhecido (cuja polaridade real das pontas de prova

...............................................

seja conhecida) ao consultar o esquema do multmetro para

...............................................

determinar as polaridades reais.

...............................................
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0010XA0106202 - E LETRNICA E MBARCADA 2

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Execuo do teste

...............................................
Para determinar se o diodo est defeituoso no

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...............................................

necessrio identificar os terminais anodo e ctodo.

...............................................
Basta apenas colocar as pontas de prova do multiteste

...............................................
...............................................

sobre o diodo nos dois sentidos possveis.

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DIODO

DIODO

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PRETO

VERMELHO

VERMELHO

PRETO

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Diodo em boas condies

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Em uma das medidas o ohmmetro (em escala R x 10)

...............................................

deve indicar baixa resistncia e em outra medida alta

...............................................

resistncia.

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BAIXA RESISTNCIA

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ALTA RESISTNCIA

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Observao

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No multmetro usado como ilustrao neste material


instrucional a polaridade real das pontas de prova invertida
com relao a cor, na escala de medida de resistncia.

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Diodo em curto

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Se as duas leituras indicarem baixa resistncia o diodo

...............................................

est em curto, conduzindo corrente eltrica nos dois sentidos.

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...............................................

As figuras abaixo mostram as medidas em um diodo

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em curto.

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BAIXA RESISTNCIA

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...............................................

BAIXA RESISTNCIA

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Diodo aberto (Interrompido Eletricamente)

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Se as duas leituras indicarem alta resistncia o diodo

...............................................

est aberto, bloqueando a passagem de corrente eltrica nos

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dois sentidos.

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ALTA RESISTNCIA

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ALTA RESISTNCIA

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Identificao da Anodo e Catado de um diodo

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Em muitas ocasies a barra de identificao do catado


no corpo de um diodo se apaga.

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...............................................

Nestas ocasies os terminais do diodo podero ser


identificados com auxlio do multmetro.

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O diodo conduz (baixa resistncia) quando a ponta de


prova com a polaridade real positiva conectada ao anodo.

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ANODO

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Tornando-se o diodo com identificao apagada testase as pontas de prova nas duas posies possveis. Quando
o multmetro indicar baixa resistncia o seu anodo estar
conectado a ponta de prova com polaridade real positiva.

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DIODO ZENER

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O diodo zener um tipo especial de diodo utilizado como

...............................................

regulador de tenso. A sua capacidade de regulao de tenso

...............................................

empregada principalmente nas fontes de alimentao,

...............................................

visando a obteno de uma tenso de sada fixa.

...............................................
...............................................

O diodo zener essencialmente um regulador de tenso.

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O diodo zener representado nos diagramas pelo


smbolo mostrado na figura abaixo.

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Comportamento do diodo zener

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...............................................

O comportamento do diodo zener depende


fundamentalmente da forma como polarizado.

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...............................................
...............................................

Polarizao direta

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...............................................

Com polarizao direta o diodo zener se comporta da


mesma forma que um diodo retificador, entrando em conduo
e assumindo uma queda de tenso tpica.

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A primeira figura, a seguir, mostra um diodo zener


polarizado diretamente e a segunda figura mostra a curva
caracterstica de conduo.

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Polarizado diretamente o diodo zener se comporta como
um diodo retificador convencional.

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Normalmente o diodo zener no utilizado com


polarizao direta nos circuitos eletrnicos.

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Polarizao Inversa

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At um determinado valor de tenso inversa o diodo zener


se comporta como um diodo comum, ou seja, ficando em
bloqueio.

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No bloqueio circula no diodo zener uma pequena corrente

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de fuga, conforme mostra a figura abaixo.

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O sinal negativo de IZ (- IZ) na figura acima indica que
esta corrente circula no sentido inverso pelo diodo.

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Em um determinado valor de tenso inversa o diodo

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zener entra subitamente em conduo, apesar de polarizado

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inversamente.

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A corrente inversa aumenta rapidamente e a tenso sobe

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o zener se mantm praticamente constante.

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O valor de tenso inversa que faz com que o diodo zener
entre em conduo denominado de TENSO ZENER.

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Tenso zener (VZ) a tenso que aplicada inversamente


a um diodo zener provoca a sua conduo.

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0010XA0106202 - E LETRNICA E MBARCADA 2

Enquanto houver corrente inversa circulando no diodo

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zener a tenso sobre seus terminais se mantm praticamente

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no valor de tenso zener.

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O funcionamento tpico do diodo zener com corrente

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inversa o que estabelece uma tenso fixa sobre seus terminais.

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importante observar que, no sentido reverso, o diodo


zener difere do diodo retificador convencional.

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Um diodo retificador nunca chega a conduzir

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intensamente no sentido reverso e se isto acontecer o diodo

...............................................

estar em curto, danificado permanentemente.

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O diodo zener levado propositalmente a conduzir no

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sentido reverso, visando obter a tenso zener constante sobre

...............................................

seus terminais, sem que isto danifique o componente.

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Uso de um diodo zener em uma fonte de alimentao

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Uma fonte de alimentao com tenso de sada regulada

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a diodo zener se compem basicamente dos trs blocos

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apresentados na figura abaixo.

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RETIFICAO

FILTRO

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REGULAO
COM ZENER
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TENSO
REGULADA
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A retificao transforma a CA em CC pulsante, podendo

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ser meia onda ou onda completa.

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A filtragem aproxima a forma de tenso de sada CC.

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A regulao recebe a tenso filtrada, que contm uma

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ondulao e que varia em funo da carga e da CA de

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entrada, entregando na sada uma tenso constante.

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REGULAO
+10%
NORMAL
-10%

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SADA...............................................

ENTRADA

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A figura abaixo mostra o chapeado de uma placa de

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circuito impresso para uma fonte de CC com tenso de sada

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regulada zener, identificando os diodos do circuito.

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RETIFICAO

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FILTRAGEM

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ESTABILIZAO

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Observao

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No aparecem no circuito a chave liga-desliga, o fusvel,


a chave seletora 110 V/220 V e o transformador porque esto
fora da placa de circuito impresso.

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TRANSISTORES

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TRANSISTOR BIPOLAR ESTRUTURA BSICA

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O transistor bipolar um componente eletrnico

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constitudo por materiais semi condutores, capaz de atuar

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como controlador da corrente, o que possibilita o seu uso como

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amplificador de sinais ou como interruptor eletrnico.

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Em qualquer uma das duas funes o transistor encontra


ampla aplicao:

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Amplificador de sinais = equipamentos de som e imagem

e controles industriais

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Interruptor eletrnico = controles industriais, calculadoras

e computadores eletrnicos.

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O transistor bipolar proporcionou um grande

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desenvolvimento eletrnica, devido a sua versatilidade de

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aplicao, constituindo-se em elemento chave de grande parte

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dos equipamentos eletrnicos.

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Estrutura bsica

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A estrutura bsica ao transistor se compe de duas

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pastilhas de material semicondutor, de mesmo tipo, entre as

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quais colocada uma terceira pastilha, bastante mais fina, de

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material semicondutor com tipo diferente de dopagem,

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formando uma configurao semelhante a um sanduche.

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Material com
dopagem
diferente

MESMA
DOPAGEM

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Tipos de transistores

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A configurao da estrutura, em forma de sanduche,
permite que se obtenha dois tipos distintos de transistores.

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Um com pastilhas externas de material N e pastilha

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central de material P.

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Este tipo de transistor denominado de transistor bipolar NPN.

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Outro com pastilhas externas de material P e pastilha

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central de material N, denominado de transistor bipolar

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PNF.

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Os dois tipos de transistores podem cumprir as mesmas


funes diferindo apenas na forma como as fontes de
alimentao so ligadas ao circuito eletrnico.
Existem dois tipos de transistores bipolares: NPN e PNP.

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Terminais do transistor

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Cada uma das pastilhas formadoras do transistor


conectada a um material que permite a interligaco da estrutura
do componente aos circuitos eletrnicos.

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Os terminais recebem uma designao que permite

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distinguir cada uma das pastilhas.

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A pastilha central denominada de BASE, representada

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pela letra B.

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Uma das pastilhas externas denominada de

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COLETOR, representada pela letra C.

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A outra pastilha externa denominada de Emissor,

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representada pela letra E.

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A figura abaixo apresenta os dois tipos de transistores,

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com a identificao, dos terminais.

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O transistor possui trs terminais: coletor, base e
emissor

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Embora as pastilhas do coletor e do emissor tenham o

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mesmo tipo de material semi-condutor, no possvel trocar

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as ligaes de um terminal com o outro nos circuitos

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eletrnicos, porque existe diferena de volume de material

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semicondutor e de intensidade de dopagem ente as pastilhas.

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Simbologia

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A figura abaixo apresenta o smbolo dos transistores NPN
e PNP, indicando a designao dos terminais.

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A diferena entre os smbolos dos dois transistores


apenas o sentido da seta no terminal emissor.

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Alguns transistores, fabricados para aplicaes

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especificadas, so dotados de blindagem.

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Esta blindagem consiste em um invlucro metlico ao
redor das pastilhas semicondutoras, que tem por finalidade
evitar que o funcionamento do transistor seja afetado por
campos eltricos ou magnticos do ambiente.

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Estes transistores apresentam um quarto terminal ligado

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blindagem, para que esta possa ser ligada ao terra do circuito

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eletrnico.

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O smbolo destes transistores mostra a existncia do

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quarto terminal.

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BLIDAGEM

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Aspecto real dos transistores

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Os transistores podem se apresentar nos mais diversos

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formatos (encapsulados).

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Os seus formatos geralmente variam em funo:

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do fabricante

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da funo da montagem

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do tipo de montagem

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da capacidade de dissipar calor

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A figura abaixo apresenta alguns tipos construtivos de

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transistores.

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Por esta razo, a identificao dos terminais do transistor

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deve sempre ser feita com auxlio de um manual de transistores

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ou folheto tcnico especfico do fabricante ao transistor.

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A figura abaixo parte de um folheto tcnico de um


transistor, mostrando a posio dos seus terminais.

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TESTE DE TRANSISTORES

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Existem equipamentos destinados especificamente ao

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teste de transistores, que fazem os mais diversos testes no

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componente.

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Entretanto, pode-se realizar um teste nos transistores,

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usando um multmetro, que permite detectar os seus defeitos

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mais comuns.

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Da mesma forma que em um diodo, o teste nos

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transistores com multmetro no definitivo. Um diodo pode

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passar no teste com o multmetro e mesmo assim apresentar

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fuga quando funcionando com tenses elevadas.

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O teste com o multmetro detecta apenas os defeitos


mais comuns nos transistores e diodos:

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curto em uma juno PN

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abertura de uma juno P

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Relembrando o teste dos diodos

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Para testar um diodo com o multmetro primeiro realiza-

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se a identificao da polaridade real das pontas de prova do

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multmetro.

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Apos a identificao da polaridade das pontas de prova


se realiza o teste do diodo.

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BAIXA RESISTNCIA

ALTA RESISTNCIA

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Se a juno PN (diodo) em teste estiver em curto ou

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aberta as leituras indicaro.

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Uma juno PN em curto ou aberta pode ser detectada

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usando-se um multmetro.

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Teste entre os terminais de um transistor

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Analisando-se a estrutura dos transistores observa-se

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que entre a base e o coletor forma-se uma juno PN que

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para fins de teste pode ser tratada como um diodo.

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N
B

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Da mesma forma, entre a base e emissor torna-se outra

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juno PN, que para fins de teste pode ser tratada como diodo.

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P ...............................................

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B

N ...............................................
B
P

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E

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E...............................................

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Desta forma verifica-se que o transistor para fins de teste

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com o multmetro pode ser tratado como dois diodos ligados

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em oposio.

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NPN

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PNP

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Entre base coletor de um transistor existe uma juno

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PN que pode ser testada da mesma forma que um diodo.

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Entre base e emissor de um transistor existe uma juno

...............................................

PN que pode ser testada da mesma forma que um diodo.

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A partir desta concluso pode-se afirmar:

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Testar um transistor e verificar se existe curto circuito ou

abertura entre cada par de terminais (BC.BE.CE).

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Teste das junes base-coletor e base emissor

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Atravs deste teste pode-se verificar se h curto circuito

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ou abertura das junes PN entre base emissor e base coletor.

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Observao

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A polaridade apresenta nas pontas de prova das figuras

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que seguem corresponde a sua polaridade real. (Ponta de

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prova preta - - ponta de prova vermelha (+ +) ).

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