69 TRANSPORTE DE PORTADORES.

PROPIEDADES DE LOS SEMICONDUCTORES MOVILIDAD

MOVILIDAD

CONCENTRACIN DE IMPUREZAS (cm-3) Movilidad de arrastre del Ge, Si y GaAs para 300K en funcin de laMalaguera concentracin de impurezas. Prof. Jos

jgmalaguera@gmail.com

70 TRANSPORTE DE PORTADORES. PROPIEDADES DE LOS SEMICONDUCTORES MOVILIDAD

MOVILIDAD

Si (CAMPO BAJO)

TEMPERATURA (K) Movilidad de electrones y huecos para el Si en funcin de Prof. Josla Malaguera Temperatura.

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71 TRANSPORTE DE PORTADORES. PROPIEDADES DE LOS SEMICONDUCTORES RESISTIVIDAD Y EFECTO HALL

(/cuadrado)

CF =Factor de correccin

Factor de correccin CF
Prof. Jos Malaguera usando una muestra de cuatro puntos jgmalaguera@gmail.com
Factor de correccin para mediciones de la resistividad

72 TRANSPORTE DE PORTADORES. PROPIEDADES DE LOS SEMICONDUCTORES RESISTIVIDAD Y EFECTO HALL

SILICIO 300K

TIPO P (BORO)

RESISTIVIDAD

TIPO n (FSFORO)

CONCENTRACIN DE IMPUREZAS (cm-3)

Resistividad en funcin de la concentracin de impurezas del silicio Prof. Jos Malaguera para 300K jgmalaguera@gmail.com

73 TRANSPORTE DE PORTADORES. PROPIEDADES DE LOS SEMICONDUCTORES RESISTIVIDAD Y EFECTO HALL

T=300K _____ TIPO n - - - - - TIPO P

CONCENTRACIN DE IMPUREZAS (cm-3) Prof. Jos Malaguera Resistividad en funcin de la concentracin de impurezas del Ge, GaAs y GaP para 300K jgmalaguera@gmail.com

RESISTIVIDAD

74 TRANSPORTE DE PORTADORES. PROPIEDADES DE LOS SEMICONDUCTORES RESISTIVIDAD Y EFECTO HALL

Configuracin bsica para medir la concentracin de portadores a travs del Efecto Hall. Prof. Jos Malaguera
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75 TRANSPORTE DE PORTADORES. PROPIEDADES DE LOS SEMICONDUCTORES RESISTIVIDAD Y EFECTO HALL

La Funcin Gamma

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76 TRANSPORTE DE PORTADORES. PROPIEDADES DE LOS SEMICONDUCTORES PROCESOS DE RECOMBINACIN

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77 TRANSPORTE DE PORTADORES. PROPIEDADES DE LOS SEMICONDUCTORES PROCESOS DE RECOMBINACIN

(PROCESO DE AUGER) ENERGA TRANSFERIDA AL ELECTRN LIBRE O HUECO.

EMISIN RADIACTIVA DEL FOTN

Recombinacin Banda a Banda (Radiactiva o Proceso de Auger)

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78 TRANSPORTE DE PORTADORES. PROPIEDADES DE LOS SEMICONDUCTORES PROCESOS DE RECOMBINACIN

ANTES

Proceso de recombinacin de un solo nivel

DESPUS

CAPTURA DE ELECTRN

EMISIN DE ELECTRN

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CAPTURA DE UN HUECO

EMISIN DE UN HUECO

79 TRANSPORTE DE PORTADORES. PROPIEDADES DE LOS SEMICONDUCTORES PROCESOS DE RECOMBINACIN

Procesos de recombinacin de mltiple niveles

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80 PROPIEDADES DE LOS SEMICONDUCTORES PROPIEDADES PTICAS

FRECUENCIA (1012 Hz)

NMERO DE ONDA REDUCIDO q/qMAX

Espectros de Fonones medidos en Ge, Si y GaAs, donde TO significa modos pticos transversales, LO significa modos pticos longitudinales. TA significa modos acsticos transversalesProf. y LA modos acsticos longitudinales. Jos Malaguera
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Energa ()eV

81 PROPIEDADES DE LOS SEMICONDUCTORES PROPIEDADES PTICAS

BANDA DE CONDUCCIN

Eg (directo)
Eg (indirecto)

Banda de Valencia

Transiciones pticas: a- y b- Transicin directa, c- Fonones involucrados en una transicin indirecta.

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82 PROPIEDADES DE LOS SEMICONDUCTORES PROPIEDADES TRMICAS

COEFICIENTE DE ABSORCIN (cm-1)

Coeficientes de absorcin medidos cerca y por encima del borde de absorcin fundamental para Ge, Si y GaAs puros
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83 PROPIEDADES DE LOS SEMICONDUCTORES. PROPIEDADES TRMICAS

DIAMANTE (TIPO II)

Conductividad trmica en funcin de la temperatura medida para Ge, Si, GaAs, Cu, Diamante tipo II y SiO2.

CONDUCTIVIDAD TRMICA (VATIO/cm-K)

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DIAMANTE (TIPO II)

84 PROPIEDADES DE LOS SEMICONDUCTORES CAMPOS DE ALTA INTENSIDAD

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85 ECUACIONES BSICAS DE OPERACIN DE LOS COMPONENTES SEMICONDUCTORES. ECUACIONES DE MAXWELL PARA UN MEDIO ISTROPO HOMOGNEO

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86 ECUACIONES BSICAS DE OPERACIN DE LOS COMPONENTES SEMICONDUCTORES. ECUACIONES DE DENSIDAD DE CORRIENTE

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87 ECUACIONES BSICAS DE OPERACIN DE LOS COMPONENTES SEMICONDUCTORES. ECUACIONES DE CONTINUIDAD

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