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1 . Descreva as quatro estruturas possíveis das bandas eletrônicas para os materiais sólidos. R:

1. Descreva as quatro estruturas possíveis das bandas eletrônicas para os materiais sólidos.

R: Um material sólido possui um grande número de átomos que se encontram inicialmente separados e que posteriormente são agrupados e ligados para formar o arranjo eletrônico ordenado encontrado no material cristalino. Conforme os átomos ficam mais próximos uns dos outros, os elétrons são influenciados ou pertubados pelos núcleos de átomos adjacentes, essa influência é tal que cada estado atômico distinto pode se dividir em uma série de estados eletrônicos espaçados e próximos uns dos outros, para formar a banda de energia eletrônica. São possíveis quatro tipos diferentes de estruturas de bandas a 0K.

quatro tipos diferentes de estruturas de bandas a 0K. A 1ª banda(a) é condutora, uma banda

A 1ª banda(a) é condutora, uma banda mais externa está parcialmente preenchida com

elétrons. A energia que corresponde ao estado preenchido mais alto a 0K é chamado de energia Fermi(Ef). Essa estrutura de banda é característica de alguns metais com um único elétron de valência, como por exemplo o cobre. A 2ª banda(b) é um isolante, também encontrada nos metais, existe uma superposição de uma banda vazia com uma banda preenchida, um exemplo é magnésio. Cada átomo de Mg possui dois

elétrons 3s. Contudo, quando um sólido é formado, as bandas 3s, 3p se superpõem.

As duas últimas estruturas de banda(c) um condutor e (d) um semicondutor, são semelhantes,

uma banda (de valência) está completamente preenchida com elétrons e está separada de uma banda de condução vazia, e existe um espaçamento entre bandas de energia entre elas. A diferença entre as duas bandas reside na magnitude do espaçamento, nos condutor (c) este espaçamento é amplo nos semicondutores (d) o espaçamento é estreito.

2. Descreva suscintamente os eventos de excitação eletrônica que produzem elétrons

livres/buracos nos:

(a) metais; Nos metais que possuem qualquer uma das estruturas de bandas, existem estados de energia vazios adjacentes ao estado preenchido mais elevado, dessa forma é necessária muita pouca energia para levar os elétrons para os estados mais baixos que estão vazios.

(b) semicondutores (intrínsecos e extrínsecos);

Os estados vazios adjacentes ao topo da banda de valência estão disponíveis. Para se tornarem livres, portanto, os elétrons devem ser levados através do espaçamento entre as bandas de energia, para estados vazios na parte inferior. Isso só é possível dando ao elétron a diferença de energia entre esses dois estados, que é aproximadamente a energia do espaçamento entre as bandas. Geralmente a energia de excitação vem de uma fonte não elétrica, como o calor, ou a luz. Intrínseca - São caracterizados pela estrutura da banda eletrônica . A banda de valência completamente preenchida está separada de uma banda de condução vazia por uma zona proibida de espaçamento entre bandas. Os semicondutores básicos são o silício e o germânio, mas existe uma outra gama de materiais que apresenta esse comportamento intrínseco, como o arseneto de gálio e o antimoneto de índio.

Extrínseco - Todos os semicondutores comerciais virtualmente são extrínsecos, o comportamento elétrico é determinado pelas impurezas que quando presentes introduzem um excesso de elétrons, ou de buracos. Tipo N:

Um átomo de impureza tal como o fósforo , que possui 5 elétrons na camada de valência é adicionada ao silício, que possui 4 elétrons, ficando assim um elétron livre. Neste caso , os elétrons são os portadores majoritários, e as lacunas portadores minoritários. Tipo P:

O efeito oposto é produzido pela adição de materiais trivalentes (três elétrons na camada de valência) como o alumínio, o boro e o gálio, quando adicionados ao silício, formam uma lacuna na ligação covalente. (c) isolantes. Já no caso do isolante a banda de valência está preenchida e a região de energia proibida é suficientemente larga de modo que dificilmente um elétron consegue passar para algum nível permitido de energia. A mobilidade dos elétrons fica inibida o que resulta no comportamento dos materiais isolantes de eletricidade. Nos materiais isolantes, como os polímeros e a maioria dos materiais cerâmicos, a banda proibida é muito larga e difícil de ser suplantada. Por esta razão, a condutividade elétrica destes materiais é muito baixa.

3. Diferencie os materiais semicondutores intrínsecos e extrínsecos. R: Em semicondutores intrínsecos, para cada elétron excitado para a banda de condução fica uma lacuna em uma ligação covalente ou, no conceito de bandas, um estado é deixado livre. Sob influência de um campo elétrico há um movimento do elétron livre e de elétrons de valência em direções contrárias. O movimento dos elétrons nas ligações covalentes pode ser visto como um movimento da lacuna. A lacuna tem a mesma carga de um elétron, mas de sinal contrário. Em semicondutores extrínsecos seu comportamento é determinado por impurezas, as quais, mesmo em pequenas concentrações, introduzem excesso de elétrons ou lacunas. Por exemplo, uma concentração da impurezas da ordem de um átomo por 1012 é suficiente para tornar o silício extrínseco à temperatura ambiente.

4. Em um gráfico do logaritmo da concentração do portador (elétron, buraco) em função da temperatura absoluta, trace curvas esquemáticas para materiais semicondutores tanto intrínsecos como extrínsecos. R: o seguinte gráfico foi retirado do Callister 5ºedição Cap. 18, o gráfico demonstra a condutibilidade elétrica como uma função do logaritmo da temperatura absoluta para silício intrínseco e também para silício que foi dopado com 0,0013 e 0,0052 at% de boro, boro age como um aceitador no silício. é que em temperaturas abaixo de cerca de 800K (527 o C), os materiais dopados com boro são extrinsecamente do tipo-p ; isto é, virtualmente todos os buracos portadores

resultam de excitações extrínsecas - transições de elétron a partir da banda valência para o nível do aceitador boro, que deixa para trás buracos na banda de valência.

boro, que deixa para trás buracos na banda de valência. 5. Defina a constante dielétrica em

5. Defina a constante dielétrica em termos das permissividades. R: como o vácuo é um meio linear, homogêneo e isotrópico, e suas constantes elétricas são

designadas por Ɛ 0 é a permissividade de um vácuo. Ou seja, existem também a Ɛ. Que é a permissidade elétrica do meio:

Ɛ r = Ɛ/Ɛ 0 Sendo que Ɛ r é a constante dielétrica ou permissividade relativa. Constante dielétrica (ε) é uma propriedade do material isolante utilizado em capacitores que influi na capacitância total do dispositivo. No vácuo ela vale: 1, ou seja, a permissividade do vácuo, é a na verdade, uma constante da constante dielétrica que vale 1 proporcionalmente, quando equiparada com o meio.

6. Descreva sucintamente os fenômenos da ferroeletricidade e piezoeletricidade.

R: O grupo de materiais dielétricos denominado ferroelétricos exibem polarização espontânea, isto é, polarização na ausência de um campo elétrico. Eles são análogos dielétricos dos materiais

ferromagnéticos, que pode exibir comportamento magnético permanente. A polarização espontânea é uma consequência do posicionamento de íons Ba 2+ , Ti 4+ e O 2- dentro da célula unitária.

O fenômeno da piezoeletricidade se dá por uma propriedade incomum exibida por uns poucos materiais cerâmicos, ou, literalmente, eletricidade sob pressão; polarização é induzida e um campo elétrico é estabelecido através de uma amostra pela aplicação de forças externas. Reversão do sinal de uma força externa (isto é, passando de tração para compressão) reverte o sentido do campo. Materiais piezoelétricos são utilizados em transdutores, dispositivos que convertem energia elétrica em deformação mecânica, ou vice versa.