Designacin, tensin de salida (V), Rango de entrada (v). LM7805- (7-25) LM7812- (14.5-30) LM7905- (5-7.3) LM7912- (12-14.

6) Los reguladores de voltaje 7805 son uno de los modelos ms usados en circuitos electrnicos porque tienen una salida ideal para alimentar otros circuitos y microcomponentes. Este recibe un voltaje de hasta 20V de un lado y te entrega 5V del otro, siempre. Puede trabajar con 1A pero puedes hacerlo funcionar con un poco ms que eso(solo ten cuidado con la disipacin de calor). El regulador de voltaje 7805 tiene 3 pines. El de en medio va a tierra (GND), el de la izquierda (IN) recibe el voltaje que deseas regular, puede ir desde 7V hasta 20V y el pin restante te entrega 5V. Habrs notado que en la parte superior tienen un agujero, es porque este microcomponente hierve con facilidad en especial cuando se le lleva al lmite de su funcionamiento (y eso es algo que se quiere evitar). Puedes emplear un tornillo y/o hacer contacto con una superficie metlica para ayudar a disipar el calor. Tambin puedes encontrar unos disipadores especiales para el 7805 en tu tienda de electrnica preferida. El circuito integrado 7812 es un circuito regulador de voltaje que a menudo constituye una porcin de una fuente de alimentacin. Una fuente de alimentacin de corriente convierte la corriente alterna en corriente continua. Despus de una rectificacin inicial, la corriente continua se filtra para reducir el ruido y suavizar la corriente para que no flucte. Un regulador de voltaje impide que la tensin se exceda de la salida nominal superior del regulador. El LM7812 es un regulador de voltaje positivo de 12 voltios, lo que significa que la salida se mantiene en un mximo de 12 voltios. El LM317 Para las aplicaciones en las que se requiere disear especficamente una fuente regulable de amplio margen de salida, es altamente recomendable utilizar otro regulador el LM317. En principio sus caractersticas son similares a cualquier 78XX, es decir un regulador positivo. Sin embargo, posee una diferencia fundamental que lo hace ideal para fuentes regulables: su tensin de referencia(la XX de la expresin anterior) es de slo 1,25V, con lo ofrece la posibilidad de un

amplio rango de tensiones de salida. Un diseo estimativo de una fuente de laboratorio, con las excelentes caractersticas de regulacin y rechazo de rizado ya comentadas, capaz de proveer una tensin de salida entre 1,25V y 25V es el siguiente:

Se observa que fueron agregados dos diodos y un capacitor con respecto al ltimo circuito. Tanto D2 como D3 evitan que se descargue el nuevo capacitor incluido a travs del integrado. A su vez dicho capacitor (C4 en este caso) mejora el rechazo al rizado elevndolo hasta los 80dB. Para obtener el rango de salida indicado en la figura R1 debe ser de 220 ohm, R2 un potencimetro de 5 kohm y D1 y D2 cualquier diodo pequeo como, por ejemplo, 1N4001. En cuanto a la corriente de salida, es de 1,5 amperios si se utiliza un disipador adecuado. El MOSFET es el transistor ms utilizado en la industria microelectrnica y consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el que, mediante tcnicas de difusin de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto separadas por un rea sobre la cual se hace crecer una capa de dielctrico culminada por una capa de conductor. MOSFET son las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS. Bsicamente, la estructura MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) consiste en un condensador, en el cual una de sus armaduras es metlica y llamaremos "puerta"; el dielctrico se forma con un xido del semiconductor del sustrato, y la otra armadura es un semiconductor, que llamaremos sustrato. En un condensador de capacidad C, aparece una carga Q, dada por la expresin: Q=CV, donde V es la tensin entre armaduras. En el condensador MOS, la tensin entre la puerta y el sustrato hace que adquiera la carga Q, que aparece a ambos lados del xido. Pero en el caso del semiconductor esto significa que la

concentracin de portadores bajo la puerta vara en funcin de la tensin aplicada a sta. El MOSFET es el transistor ms utilizado en la industria microelectrnica y consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el que, mediante tcnicas de difusin de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto separadas por un rea sobre la cual se hace crecer una capa de dielctrico culminada por una capa de conductor. Los transistores MOSFET se dividen en dos tipos fundamentales dependiendo de cmo se haya realizado el dopaje:

Tiene tres estados de funcionamiento: El Estado de Corte es cuando la tensin de la puerta es idntica a la del sustrato, el MOSFET est en estado de no conduccin: ninguna corriente fluye entre fuente y drenador aunque se aplique una diferencia de potencial entre ambos.

MET 2E. ngel de Jess Vera Paramo Gerardo Javier Ledesma Pantoja Francisco Javier Martnez Fuentes Pedro Saldaa Figueroa.