TRABAJO COLABORATIVO 2

JUSY MARA NARANJO ARTUNDUAGA C.C. 1.032.402.812 JHONNHY STIVEN BUSTOS

UNIVERSIDA NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA CEAD JOS ACEVEDO GMEZ BOGOT BOGOTA DC 2012

TRABAJO COLABORATIVO 2

!"#$% E&'$()*+#$%

TUTOR REDDY TELLEZ

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA CEAD JOS ACEVEDO GMEZ BOGOT BOGOTA DC 2012 INTRODUCCIN

Hoy en da la electrnica desarrolla en la actualidad una gran variedad de tareas. Los principales usos de los circuitos electrnicos son el control, el procesado, la distribucin de informacin, la conversin y la distribucin de la energa elctrica. Estos son usos que implican la creacin o la deteccin de campos electromagnticos y corrientes elctricas. Por tal motivo en este trabajo daremos a conocer los conceptos b sicos que aplica la fsica electrnica an loga y digital. Esto se reali!ara a travs de un soft"are llamado Electronics #or$benc% y a travs de c lculos matem ticos

OBJETIVOS

O,-'(#./ G'+')%& &ise'ar a travs del soft"are Electronics #or$benc% circuitos en serie y en paralelo reali!ar los respectivos c lculos.

O,-'(#./" E"0'$!1#$/" (imulacin de )ircuitos Elctricos *plicacin del &iodo como rectificador *plicacin del transistor como *mplificador

DESARROLLO DEL TRABAJO COLABORATIVO 2 ASE 1 S/&2$#/+' &/" "#32#'+('" $2'"(#/+%4#'+(/" )'&%$#/+%5/" $/+ &/" S'4#$/+52$(/)'". 6/) 1%./) $/+"2&(' /()%" 12'+('" %5#$#/+%&'" %& M*52&/ 5'& $2)"/ 5' !"#$% E&'$()*+#$%.

1. E+2+$#' &%" 0)#+$#0%&'" $%)%$(')!"(#$%" 7 5#1')'+$#%" '8#"('+('" '+()' 2+ 4%(')#%& %#"&%+('9 2+ $/+52$(/) 7 2+ "'4#$/+52$(/). D' %&32+/" '-'40&/" 5' $%5% 3)20/. C/+52$(/)'": Para los conductores la banda de conduccin y la de valencia se traslapan, en este caso, el traslape favorece ya que as los electrones se mueven por toda la banda de conduccin.

E-'40&/ 5' C/+52$(/)'" N/. + . 2 6 0 3 6)/0#'5%5 ,o metal /etal /etal /etal /etal /etal N/4,)' Hidrogeno Plata )obre 7ro *luminio 9erilio R'"#"(#.#5%59 10;8 4 ---------+.01 +.3425 ..20 ..3068 6.5

A#"&%+('": En este caso las bandas de valencia y conduccin se encuentran muy bien separadas lo cual casi impide que los electrones se muevan con mayor libertad y facilidad. /aterial que conduce mal el calor o la electricidad y que se emplea para suprimir su flujo, es decir, que las cargas se mueven con muc%a dificultad. (on aquellos materiales en los cuales los electrones no se desprenden f cilmente, a;n aplicando una diferencia de potencial, es decir, una presin elctrica elevada. Las dos clases de aislantes m s importantes que e<isten son: *islantes Elctricos. *islantes =rmicos.

S'4#$/+52$(/)'": En el caso de los semiconductores estas dos bandas se encuentran separadas por una brec%a muy estrec%a y esta peque'a separacin %ace que sea relativamente f cil moverse, no con una gran libertad pero no les %ace imposible el movimiento. /aterial ya sea slido o lquido con una resistividad intermedia entre la de un conductor y la de un aislador. >racias a los semiconductores la tecnologa del estado slido a sido reempla!ada por completo a los tubos al vaci, estos materiales est n formados por electrones e<ternos de un tomo, y los cuales son conocidos como electrones de valencia. E<isten dos tipos de semiconductores los de tipo , y los de tipo P y la unin de estos dos formando as un tercero llamado unin P,.

2. <C*4/ "' /,(#'+' 2+ "'4#$/+52$(/) (#0/ N 7 2+/ (#0/ 6= <>2? $2%&#5%5'" / $%)%$(')!"(#$%" %5@2#')' '"(' 4%(')#%& $/+ )'"0'$(/ %& "'4#$/+52$(/) 02)/= SEMICONDUCTOR TI6O N:

Este tipo de semiconductor trata de emparejar los materiales con respecto a sus cargas y lo reali!a con enlace de impure!as a ambos materiales. Por lo tanto, la impure!a puede donar cargas con carga negativa al cristal, lo cual nos e<plica el nombre de tipo , ?por negativo@. El material semiconductor de tipo , comercial se fabrica a'adiendo a un cristal de silicio peque'as cantidades controladas de una impure!a seleccionada. * estas impure!as tambin se les llama contaminantes, claro as se le llaman a las impure!as que se agregan intencionalmente. Los contaminantes de tipo , m s comunes son el fsforo, arsnico y antimonio. * estos semiconductores se les conoce tambin como donadores, y como este nombre lo indican estos semiconductores pasan cargas a el material que le %ace falta para as poder emparejar este material, y es por eso que se les conoce mayormente como donadores. SEMICONDUCTOR TI6O 6:

El semiconductor tipo P se produce tambin comercialmente por el proceso de contaminacin, en este caso el contaminante tiene una carga menos que el semiconductor tipo ,, entre los m s

comunes podemos encontrar el aluminio, boro, galio y el indio. )onocidos como aceptores el cual contiene espacios y necesita que sean llenados para emparejar el material.

3. C/+"2&(' "/,)' /()/" (#0/" 5' 5#/5/"9 5#1')'+('" %& )'$(#1#$%5/)9 '& LED9 '& A?+') 7 '& 1/(/5#/5/.

TI6OS DE DIODOS Los diodos pn, son uniones de dos materiales semiconductores e<trnsecos tipos p y n, por lo que tambin reciben la denominacin desunin pn. Hay que destacar que ninguno de los dos cristales por separado tiene carga elctrica, ya que en cada cristal, el n;mero de electrones y protones es el mismo, de lo que podemos decir que los dos cristales, tanto el p como el n, son neutros. ?(ucarga neta es 5@ D#/5/" 5' 0)/('$$#*+ (?)4#$% Estos son capaces de proteger cables. * ?p@) A ?n@ Bepresentacin simblica del diodo pn cuando se somete al diodo a una diferencia de tensin e<terna, se dice que el diodo est polari!ado, pudiendo ser la polari!acin directa o inversa.

D#/5/ %.%&%+$B%

Es un diodo semiconductor dise'ado especialmente para trabajar en tensin inversa. En estos diodos, poco dopados, cuando la tensin en polari!acin inversa alcan!a el valor de la tensin de ruptura, los electrones que %an saltado a la banda de conduccin por efecto de la temperatura se aceleran debido al campo elctrico incrementando su energa cintica, de forma que al colisionar con electrones de valencia los liberanC stos a su ve!, se aceleran y colisionan con otros electrones de valencia liber ndolos tambin, producindose una avalanc%a de electrones cuyo efecto es incrementar la corriente conducida por el diodo sin apenas incremento de la tensin. D#/5/ G2++

Es una forma de diodo usado en la electrnica de alta frecuencia. * diferencia de los diodos ordinarios construidos con regiones de dopaje P o ,, sola mente tiene regiones del tipo ,, ra!n por lo que impropiamente se le conoce como diodo. E<isten en este dispositivo tres regionesC dos de ellas tienen regiones tipo , fuertemente dopadas y una delgada regin intermedia de material ligeramente dopado. )uando se aplica un voltaje determinado a travs de sus terminales, en la !ona intermedia el gradiente elctrico es mayor que en los e<tremos. Eventualmente esta !ona empie!a a conducir esto significa que este diodo presenta una !ona de resistencia negativa. D#/5/ 6;I;N

(e llama diodo PD, a una estructura de tres capas, siendo la intermedia semiconductor intrnseco, y las e<ternas, una de tipo P y la otra tipo ,?estructura P-D-, que da nombre al diodo@. (in embargo, en la pr ctica, la capa intrnseca se sustituye bien por una capa tipo P de alta resistividad?E@ o bien por una capa n de alta resistividad ?F@.El diodo PD, puede ejercer, entre otras cosas, como: )onmutador de BG Besistencia variable Protector de sobretensiones Gotodetector

D#/5/ S$B/((C7

El diodo (c%ott$y o diodo de barrera (c%ott$y, llamado as en %onor del fsico alem n #alter H. (c%ott$y, es un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy r pidas entre los estados de conduccin directa e inversa?menos de +nsen dispositivos peque'os de 0 mm de di metro@ y muy bajas tensiones umbral ?tambin conocidas como tensiones de codo, aunque en ingls se refieren a ella como H$neeH, o sea, de rodilla@. La tensin de codo es la diferencia de potencial mnima necesaria para que el diodo act;e como conductor en lugar de circuito abiertoC esto, claro, dejando de lado la regin Iener, que es cuando m s bien e<iste una diferencia de potencial lo suficientemente negativa para que -a pesar de estar polari!ado en contra del flujo de corriente- ste opere de igual forma como lo %ara regularmente.

D#/5/ (D+'&

El &iodo t;nel es un diodo semiconductor que tiene una unin pn, en la cual se produce el efecto t;nel que da origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de la caracterstica corriente-tensin.

D#/5/ V%)#$%0

El diodo de capacidad variable o Jaractor ?Jaricap@ es un tipo de diodo que basa su funcionamiento en el fenmeno que %ace que la anc%ura de la barrera de potencial en una unin P, vare en funcin de la tensin inversa aplicada entre sus e<tremos. *l aumentar dic%a tensin, aumenta la anc%ura de esa barrera, disminuyendo as la capacidad del diodo. &e este modo se obtiene un condensador variable controlado por tensin. Los valores de capacidad obtenidos van desde + a 055pG.La tensin inversa mnima tiene que ser de +J. 4. <C2E&'" "/+ &%" 0)#+$#0%&'" $%)%$(')!"(#$%" 7 5#1')'+$#%" '8#"('+('" '+()' 2+ ()%+"#"(/) N6N 7 2+/ 6N6= TRANSISTORES BI6OLARES N6N Y 6N6

Es

un

componente

semiconductor

que

tiene

tres

terminales

9*(E ?b@, E/D(7B ?e@, )7LE)=7B ?c@.

Dnternamente est formado por un cristal que contiene una regin P entre dos , ?transistor ,P,@.

7 una regin , entre dos regiones P, ?transistor P,P@. La diferencia que %ay entre un transistor ,P, y otro P,P radica en la polaridad de sus electrodos.

F. <C2E& '" &% #40/)(%+$#% 5' &/" '&'4'+(/" "'4#$/+52$(/)'" '+ '& %$(2%& 5'"%))/&&/ ('$+/&*3#$/= Hoy en da una gran cantidad de aparatos con aplicaciones en investigacin, ciruga o posicionamiento llevan dentro un semiconductor. Dgual que los LE&s, esas bombillitas que ya tenemos en todos lados que consumen poco e iluminan muc%o y que se encuentran desde en los sem foros de la calle %asta en los ratones pticos de sobremesa. Los semiconductores no slo estaban por doquier, sino que eran parte de aparatos muy

diversos con aplicaciones muy distintas. *dem s, ya no slo conducen la electricidad, sino que tambin pueden recoger y emitir lu!. *%ora bien, el mundo sigue avan!ando imparable en su desarrollo tecnolgico, pero su objetivo primordial ya no es la miniaturi!acin de las cosas, no, porque la palabra Hminiaturi!acinH, irnicamente, se le %a quedado grande. El Kames 9ond del futuro no llevar una c mara de alta definicin en su alfiler de corbata, adem s llevar una impresora l ser y un compartimento para guardar el tic$et del par$ing. *%ora el futuro est en la nanotecnologa. El gran problema y la gran ventaja de la nanotecnologa no es que todo sea m s peque'o y difcil de manejar, tampoco la gran disipacin que se puede producir si se intenta pasar muc%a corriente por una regin tan peque'a, ni la gran friccin que sufren los materiales por el importante valor de la relacin superficie - volumen, sino que la Gsica subyacente es la Gsica )u ntica, un modelo que puede ser complicado de manejar con sistemas sencillos y que, cuando se aplica a cosas complejas, como se pretende con la nanotecnologa, da lugar a fenmenos completamente inesperados o difcilmente controlables, aunque, siempre, muy interesantes. Dvan A. (c%ullerC ?investigador de (an &iego nacido en Bumana@ H)uando se empuja a la )iencia para buscar cosas aplicadas uno se encuentra aquello que espera encontrar, pero cuando se empuja a la )iencia para apretar los lmites de la Gsica uno se encuentra lo inesperado, que es muc%o m s interesante desde el punto de vista pr ctico.H *s pues, la investigacin nanotecnolgica est sufriendo un autntico auge y una gran infinidad de proyectos de Gsica del Estado (lido %an sido rebauti!ados slo para ponerles el prefijo HnanoH en el nombre. La se %an conseguido nano l seres ?.55+@ y nano diodos superconductores ?.552@, sin embargo, todava falta muc%o para que la realidad supere a la ficcin y que podamos ser capaces de construir los tan citados nanos robots. Lo que s es seguro es que los semiconductores jugar n un papel muy importante en todo esto. (e dice muc%o que los superconductores ser n el futuro, pero lo cierto es que por el momento es imposible fabricarlos a temperatura ambiente. Por lo que los semiconductores siguen siendo un Harma de futuroH. &e esto se %an dado cuenta las grandes empresas y ya D9/ e Dntel est n trabajando en la escala del nanmetro. Por el momento est n en el lmite de los 15 nm, pero su intencin es llegar %asta los +0 nm. /irando en perspectiva, los semiconductores %an recorrido un largo camino, en lo que a sus aplicaciones se refiere. *%ora %ay un nuevo %ori!onte, el %ori!onte nanotecnolgico. ,o s a donde nos llevar , pero seguro que es muy, muy lejos.

FASE 2
S#42&%$#*+ 5' C#)$2#(/" E&'$()*+#$/": )'%&#$' &% "#42&%$#*+ 5' &/" "#32#'+('" $#)$2#(/" 7 %+%&#$' &/" )'"2&(%5/" /,('+#5/". 1. 6/&%)#A%$#*+ 5'& D#/5/ C/4D+. C/+"()27% &/" "#32#'+('" $#)$2#(/" 7 )'%&#$' "2 "#42&%$#*+ 0/) 4'5#/ 5'& "/1(G%)' H/)C,'+$B. E80&#@2' &/ "2$'5#5/.

Para el primer circuito los electrones en el semiconductor no se mueven y en consecuencia no %ay corriente Es cuando la corriente en el diodo desea circular en sentido opuesto a la flec%a ?la flec%a del diodo@, o sea del c todo al nodo. En este caso la corriente no atraviesa el diodo, y se comporta pr cticamente como un circuito abierto. Para el segundo circuito ?rojo@ la corriente atraviesa el diodo con muc%a facilidad comport ndose pr cticamente como un corto circuito. 2. A0&#$%$#*+ 5'& D#/5/ $/4/ R'$(#1#$%5/). C/+"()27% &/" "#32#'+('" $#)$2#(/" 7 )'%&#$' "2 "#42&%$#*+ 0/) 4'5#/ 5'& "/1(G%)' H/)C,'+$B. A+'8' %& #+1/)4' &%" 3)E1#$%" /,('+#5%" '+ '& /"$#&/"$/0#/. C/40%)' &% "'I%& 5' '+()%5% $/+ &% "'I%& 5' "%&#5%. E80&#@2' &/ "2$'5#5/.

a@ Bectificador de /edia 7nda

b@ Bectificador de 7nda )ompleta con Puente de >reat!

CONCLUSIONES

3. A0&#$%$#*+ 5'& T)%+"#"(/) $/4/ A40&#1#$%5/). C/+"()27% '& "#32#'+(' $#)$2#(/ 7 )'%&#$' "2 "#42&%$#*+ 0/) 4'5#/ 5'& "/1(G%)' H/)C,'+$B. A+'8' %& #+1/)4' &%" 3)E1#$%" /,('+#5%" '+ '& /"$#&/"$/0#/. C/40%)' &% "'I%& 5' '+()%5% $/+ &% "'I%& 5' "%&#5%. E80&#@2' &/ "2$'5#5/. N/(%: T'+3% '+ $2'+(% @2' &% "'I%& 5'& G'+')%5/) 5' 2+$#/+'" '" 2+% /+5% "'+/9 5' 2 4V 5' %40&#(25 7 J0 HA K .') 1#32)% %+(')#/)L

BIBLIOGRA IA

/odulo de Gsica Electrnica, Mniversidad *bierta a &istancia-M,*&