Marcos TESE Diagnostico de Para Raios 2013-12-12 Corrigida Biblioteca

UNIVERSIDADE DE SO PAULO
PROGRAMA DE PS-GRADUAO EM ENERGIA

EP-FEA-IEE-IF

MARCOS EDUARDO GUERRA ALVES

METODOLOGIA PARA O DIAGNSTICO EM TEMPO REAL
DE PARA-RAIOS EM SISTEMAS DE DISTRIBUIO E
TRANSMISSO DE ENERGIA ELTRICA

SO PAULO
2013


METODOLOGIA PARA O DIAGNSTICO EM TEMPO REAL DE PARA-
RAIOS EM SISTEMAS DE DISTRIBUIO E TRANSMISSO DE
ENERGIA ELTRICA

Tese apresentada ao Programa de Ps-
Graduao em Energia da Universidade
de So Paulo (Escola Politcnica /
Faculdade de Economia e Administrao /
Instituto de Energia e Ambiente / Instituto
de Fsica) para obteno do ttulo de
Doutor em Cincias.

Orientador: Prof. Dr. Hedio Tatizawa

Verso Corrigida
(verso original disponvel na Biblioteca da Unidade que aloja o Programa e na Biblioteca Digital de Teses e Dissertaes da USP)

SO PAULO
2013

AUTORIZO A DIVULGAO E REPRODUO TOTAL OU PARCIAL DESTE
TRABALHO, POR QUALQUER MEIO CONVENCIONAL OU ELETRNICO,
PARA FINS DE ESTUDO E PESQUISA, DESDE QUE CITADA A FONTE.

FICHA CATALOGRFICA

Alves, Marcos Eduardo Guerra.
Metodologia para o diagnstico em tempo real de para-
raios em sistemas de distribuio e transmisso de energia
eltrica./ Marcos Eduardo Guerra; orientador : Hedio
Tatizawa. So Paulo, 2013.
129f.: il.; 30 cm.

Tese (Doutorado Programa de Ps-Graduao em
Energia) EP/FEA/IEE/IF da Universidade de So Paulo

1. Para-raios. 2. Sistemas eltricos de potncia.
3. Monitorao on-line I. Ttulo

UNIVERSIDADE DE SO PAULO
PROGRAMA DE PS-GRADUAO EM ENERGIA
EP/FEA/IEE/IF


Metodologia para o Diagnstico em Tempo Real de Para-Raios em Sistemas
de Distribuio e Transmisso de Energia Eltrica

Tese defendida e aprovada pela Comisso Julgadora:

Prof. Dr. Hedio Tatizawa PPGE/USP
Orientador e Presidente da Comisso Julgadora

Prof. Dr. Geraldo Francisco Burani PPGE/USP

Prof. Dr. Arnaldo Gakiya Kanashiro PPGE/USP

Prof. Dr. Ruy Alberto Corra Altafim EESC/USP

Prof. Dr. Josemir Coelho Santos EP/USP

Se fizssemos todas aquelas coisas de que somos
capazes, ns nos surpreenderamos a ns mesmos.
Thomas Alva Edison

AGRADECIMENTOS

Agradeo ao Prof. Dr. Hedio Tatizawa pela orientao, suporte e sugestes na
elaborao e reviso do trabalho.

Ao Prof. Dr. Arnaldo G. Kanashiro pelos dados de ensaios que contriburam para o
refinamento deste trabalho e pelas sugestes no exame de qualificao.

Ao Prof. Dr. Geraldo F. Burani pelas sugestes no exame de qualificao.

Ao Instituto de Energia e Ambiente da Universidade de So Paulo por fornecer a
estrutura e condies para a realizao desse trabalho.

Ao meu tio Eduardo Pedrosa pelo incentivo, orientao e condies proporcionadas
ao longo de muitos anos.

Treetech Sistemas Digitais por propiciar as condies e o tempo para cursar as
disciplinas, realizar as pesquisas e elaborar esse trabalho.

RESUMO

ALVES, M. E G. Metodologia para o Diagnstico em Tempo Real de Para-raios
em Sistemas de Distribuio e Transmisso de Energia Eltrica. 2013. 129f. Tese
de Doutorado Programa de Ps-Graduao em Energia da Universidade de So
Paulo. So Paulo, 2013.

Dada a importncia dos para-raios para a proteo dos diversos equipamentos e
instalaes nos sistemas de distribuio e transmisso de energia eltrica contra
danos provocados por sobretenses transitrias, quer sejam originadas por descargas
atmosfricas, quer por estabelecimento e interrupo de cargas reativas (sobretenses
de manobra), apresentada uma nova metodologia de diagnstico de seu estado. So
apresentadas tambm as formas construtivas dos para-raios com tecnologias de
carboneto de silcio (SiC) e xido de zinco (ZnO), as quais so associadas a modelos
eltricos de representao completos e simplificados, de forma a facilitar a anlise
dos mtodos de diagnstico. Os mtodos atualmente empregados para o diagnstico
dos para-raios, tanto fora de servio quanto durante a operao, bem como suas
potencialidades e pontos falhos so explanados, para os equipamentos de SiC e de
ZnO. O novo mtodo de diagnstico proposto nesse trabalho introduzido a seguir,
baseado na monitorao da capacitncia equivalente e resistncia equivalente do
para-raio, juntamente com simulaes dos diversos tipos de defeitos passveis de
ocorrncia em equipamentos de SiC e ZnO, verificando-se os parmetros de medio
afetados por cada um deles, de forma a estabelecer a efetividade do novo mtodo de
monitorao para a deteco dos defeitos. Tambm apresentado um mtodo para
viabilizao da monitorao em tempo real de capacitncia e de resistncia
equivalentes, atravs da tcnica de soma vetorial das correntes de fuga, atualmente j
empregada para monitorao de buchas capacitivas de transformadores e outros
equipamentos. Por fim, so apresentados os resultados esperados com o novo mtodo
de monitorao e as sugestes de novas etapas para trabalhos futuros.

Palavras-chave: Para-raios, Diagnstico em tempo real, Monitorao contnua, Soma
vetorial de correntes.

ABSTRACT

ALVES, M. E G. Methodology for Real Time Diagnostic of Surge Arresters in
Electric Energy Distribution and Transmission Systems. 2013. 129f. Doctorate
Thesis Graduate Program in Energy of Universidade de So Paulo. So Paulo,
2013.

Given the importance of surge arresters for the protection of several devices and
installations in electric energy distribution and transmission systems from damages
caused by transitory overvoltages, either originated from atmospheric discharges or
by closing or opening of reactive loads (switching overvoltages), a new methodology
for diagnosing their condition is presented. The constructive forms of surge arresters
with silicon carbide (SiC) and zinc oxide (ZnO) technologies are presented, as well
as their associated electric representation models, complete and simplified, so as to
facilitate the analysis of diagnostic methods. Surge arrester diagnostic methods are
presented, both off-line and on-line, together with their potentialities and weak
points, for SiC and ZnO arresters. The new diagnostic method proposed in this work
is introduced next, based on monitoring of the arrester equivalent capacitance and
equivalent resistance, followed by simulations of the several possible defect types in
SiC and ZnO devices. The measured parameters affected by each defect type are
checked in order to establish the effectiveness of the new monitoring method for the
detection of arrester problems. A method for making the monitoring of equivalent
capacitance and resistance is also presented, by using the vector sum of leakage
currents technique, largely used for monitoring of capacitive bushings in power
transformers and other equipment. Finally, the results expected with the new
monitoring method and suggestions for future work are presented.

Keywords: Surge arresters, Real time diagnostic, On-line monitoring, Vector sum of
currents.

LISTA DE FIGURAS
Figura 1 Representao esquemtica da construo de um para-raio de SiC. Fonte:
(6) ....................................................................................................................... 25
Figura 2 Representao esquemtica da construo de um para-raio de ZnO. Fonte:
(8), adaptada ....................................................................................................... 28
Figura 3 Curva tenso-corrente resistiva tpica de um para-raio de ZnO de 420 kV.
Fonte: (8), adaptada ............................................................................................ 28
Figura 4 Modelo eltrico representando um para-raio de SiC em regime
permanente ......................................................................................................... 31
Figura 5 Modelo eltrico simplificado de um para-raio de SiC em regime
permanente ......................................................................................................... 32
Figura 6 Modelo eltrico reduzido de um para-raio de SiC em regime permanente
............................................................................................................................ 32
Figura 7 Modelo eltrico representando um para-raio de ZnO em regime
permanente ......................................................................................................... 35
Figura 8 Modelo eltrico reduzido de um para-raio de ZnO em regime permanente
............................................................................................................................ 36
Figura 9 Princpio de operao do sensor de temperatura passivo. Fonte: (35),
adaptada ............................................................................................................. 41
Figura 10 Corrente de fuga resistiva em relao tenso nos terminais de um para-
raio. Fonte: (13), adaptada. ................................................................................ 43
Figura 11 Erro na avaliao da corrente de fuga resistiva devido a harmnicos na
tenso do sistema. Fonte: (13), adaptada. .......................................................... 46
Figura 12 Modelos eltricos de um para-raio de SiC em regime permanente. (a)
Modelo simplificado; (b) Modelo reduzido. ...................................................... 56
Figura 13 Configurao interna dos para-raios do fabricante B. (a) Conjuntos de
centelhadores e blocos de SiC em srie; (b) Detalhe de um conjunto de
centelhadores. Fonte: (6) .................................................................................... 58
Figura 14 Modelo eltrico dos para-raios de SiC do fabricante B ensaiados na
referncia (6). ..................................................................................................... 59

Figura 15 Suporte do resistor de equalizao quebrado encontrado durante inspeo
interna do para-raio B3. Fonte: (6) ..................................................................... 60
Figura 16 Conjuntos de centelhadores quebrados encontrado durante inspeo
interna do para-raio B5. Fonte: (6) ..................................................................... 60
Figura 17 Para-raio de SiC do fabricante B (6) com um resistor de equalizao
desconectado ...................................................................................................... 61
Figura 18 Curva V-I dos resistores de equalizao 1, 5 e 6 do para-raio B5. Fonte:
(6) ....................................................................................................................... 63
Figura 19 Modelos eltricos de um para-raio de ZnO em regime permanente. (a)
Modelo completo; (b) Modelo reduzido. ........................................................... 70
Figura 20 Alterao da curva V-I de para-raios de ZnO. Fonte: (27) ..................... 71
Figura 21 Tangente Delta dos blocos de ZnO ......................................................... 74
Figura 22 Alterao na regio linear da curva V-I de para-raios de ZnO aps
estresse. Fonte: (37) ........................................................................................... 79
Figura 23 Correntes de fuga capacitiva e resistiva em um para-raio energizado .... 83
Figura 24 Correntes de fuga de trs para-raios em um sistema trifsico e sua
somatria. (a) Para uma dada condio inicial; (b) com alterao na capacitncia
e resistncia equivalentes do para-raio da fase A............................................... 84
Figura 25 Correntes de fuga totais e corrente somatria para a condio inicial
(vermelho) e aps reduo da resistncia equivalente do para-raio da fase C ... 92
Figura 26 Detalhe ampliado da variao na corrente somatria devido reduo da
resistncia equivalente do para-raio da fase C ................................................... 93
Figura 27 Tenses fase-terra, correntes de fuga totais e somatria para a condio
inicial (vermelho) e aps desconexo de um, dois ou trs resistores de
equalizao na fase A ....................................................................................... 101
Figura 28 Detalhes da variao na corrente somatria devido s alteraes da
resistncia equivalente do para-raio da fase A ................................................. 101
Figura 29 Tenses fase-terra, correntes de fuga totais e corrente somatria para a
condio inicial (vermelho) e aps alterao de 40 % e 80 % em um resistor de
equalizao no para-raio da fase C .................................................................. 106

Figura 30 Detalhes da variao na corrente somatria devido s alteraes no
resistor de equalizao do para-raio da fase C ................................................. 107
condio inicial (vermelho) e aps curto-circuito de um e dois centelhadores e
alterao nos resistores de equalizao no para-raio da fase B ........................ 113
Figura 32 Detalhes da variao na corrente somatria devido s alteraes da
capacitncia e resistncia equivalentes do para-raio da fase B ........................ 114
condio inicial (vermelho) e aps reduo de 20% na resistncia equivalente
do para-raio da fase C ...................................................................................... 118
Figura 34 Detalhes da variao na corrente somatria devido reduo de 20% na
resistncia equivalente do para-raio da fase C ................................................. 119

LISTA DE TABELAS
Tabela 1 Parmetros eltricos equivalentes para os para-raios de SiC ensaiados na
referncia (6) ...................................................................................................... 34
Tabela 2 Parmetros eltricos equivalentes para o para-raio de ZnO ensaiado na
referncia (12) .................................................................................................... 37
Tabela 3 Resultados de ensaios realizados nos para-raios de SiC de tenso nominal
85 kV, amostras A1 a A6. Fonte: (6) ................................................................. 50
Tabela 4 Tcnicas atuais de diagnstico de para-raios de SiC e suas desvantagens
............................................................................................................................ 52
Tabela 5 Tcnicas atuais de diagnstico de para-raios de ZnO e suas desvantagens
............................................................................................................................ 53
Tabela 6 Parmetros eltricos do modelo reduzido para os para-raios de SiC do
fabricante B, amostras B1 a B6, ensaiados na referncia (6) ............................. 57
Tabela 7 Parmetros eltricos de para-raio de SiC do fabricante B (6) com
simulao de desconexo de um, dois ou trs resistores de equalizao ........... 62
Tabela 8 Constantes para ajuste da equao (10) aos resistores no-lineares do
para-raio B5 (6) .................................................................................................. 64
simulao de alteraes em um dos resistores de equalizao .......................... 65
simulao de curto-circuito de um ou dois conjuntos de centelhadores ............ 66
simulao de curto-circuito de dois conjuntos de centelhadores e trs resistores
de equalizao alterados ..................................................................................... 66
simulao de entrada de umidade ...................................................................... 67
Tabela 13 Parmetros eltricos equivalentes para o para-raio de ZnO ensaiado na
referncia (12) .................................................................................................... 70
Tabela 14 Parmetros eltricos de para-raio de ZnO com simulaes de alteraes
nos blocos no-lineares ...................................................................................... 72

Tabela 15 Caractersticas dos blocos de ZnO usados nos ensaios da referncia (37)
............................................................................................................................ 72
Tabela 16 Estresses de degradao aplicados aos blocos de ZnO da referncia (37)
............................................................................................................................ 73
Tabela 17 Variao de capacitncia e tangente delta do bloco 5 antes e aps
descarga na sua lateral (37). ............................................................................... 74
Tabela 21 Variaes de capacitncia dos blocos 6, 11, 13, 20, 29 e 30 aps
estresses (37). ..................................................................................................... 77
Tabela 22 Variaes de tangente delta dos blocos 6, 11, 13, 20, 29 e 30 aps
estresses (37). ..................................................................................................... 78
Tabela 23 Variaes na tenso residual dos blocos antes e aps estresses (37). .... 80
Tabela 24 Parmetros eltricos de para-raio de ZnO com simulao de entrada de
umidade .............................................................................................................. 81
Tabela 25 Parmetros eltricos iniciais de para-raio de ZnO em bom estado
utilizados para simulao ................................................................................... 87
Tabela 26 Caractersticas do sistema eltrico ao qual esto conectados os para-raios
de ZnO para simulao ...................................................................................... 87
Tabela 27 Correntes de fuga e ngulos de defasagem resultantes das condies
iniciais de simulao .......................................................................................... 89
Tabela 28 Parmetros eltricos dos para-raios considerando reduo de 20% na
resistncia equivalente do para-raio da fase C ................................................... 90
Tabela 29 Correntes de fuga e ngulos de defasagem resultantes da simulao de
reduo de 20% na resistncia do para-raio da fase C ....................................... 91

Tabela 30 Parmetros eltricos iniciais de para-raio de SiC em bom estado
utilizados para simulao ................................................................................... 95
Tabela 31 Caractersticas do sistema eltrico ao qual esto conectados os para-raios
de SiC para simulao ........................................................................................ 96
Tabela 32 Correntes de fuga e ngulos de defasagem resultantes das condies
iniciais de simulao .......................................................................................... 96
Tabela 33 Parmetros eltricos dos para-raios considerando desconexo de um,
dois ou trs resistores de equalizao no para-raio da fase A ............................ 98
desconexo de um resistor de equalizao no para-raio da fase A .................... 98
desconexo de dois resistores de equalizao no para-raio da fase A ............... 99
desconexo de trs resistores de equalizao no para-raio da fase A ................ 99
Tabela 37 Resultados das simulaes de monitorao pela somatria de correntes
para desconexo de um, dois ou trs resistores de equalizao no para-raio da
fase A ............................................................................................................... 102
Tabela 38 Parmetros eltricos dos para-raios considerando alteraes de 40% e
80% em um resistor de equalizao no para-raio da fase C ............................. 103
alterao de 40% em um resistor de equalizao no para-raio da fase C ........ 104
alterao de 80% em um resistor de equalizao no para-raio da fase C ........ 104
Tabela 41 Resultados das simulaes de monitorao de capacitncia e resistncia
equivalentes pela somatria de correntes para alteraes de 40% e 80% em um
resistor de equalizao no para-raio da fase C ................................................. 108
Tabela 42 Parmetros eltricos dos para-raios considerando curto-circuito de um e
dois centelhadores e alterao de trs resistores de equalizao no para-raio da
fase B ................................................................................................................ 110
curto-circuito de um centelhador no para-raio da fase B ................................. 111

curto-circuito de dois centelhadores no para-raio da fase B ............................ 111
curto-circuito de dois centelhadores e alterao de trs resistores de equalizao
no para-raio da fase B ...................................................................................... 112
Tabela 46 Resultados das simulaes de monitorao pela somatria de correntes
para curto-circuito de um e dois centelhadores e alterao nos resistores de
equalizao no para-raio da fase B .................................................................. 115
Tabela 47 Parmetros eltricos dos para-raios considerando reduo de 20% na
resistncia equivalente do para-raio da fase C devido entrada de umidade .. 116
reduo de 20% na resistncia equivalente do para-raio da fase C ................. 117
equivalentes pela somatria de correntes para reduo de 20% na resistncia
equivalente do para-raio da fase C ................................................................... 119
Tabela 50 Tipos de defeitos em para-raios de SiC detectveis pela tcnica de
monitorao proposta ....................................................................................... 121
Tabela 51 Tipos de defeitos em para-raios de ZnO detectveis pela tcnica de
monitorao proposta ....................................................................................... 122

LISTA DE ABREVIATURAS E SIGLAS

SEP - Sistema Eltrico de Potncia
SiC - Carboneto de Silcio
ZnO - xido de Zinco
FRP - Fiber Glass Reinforced Fiber
MCOV - Maximum Continuous Operating Voltage
IEC - International Electrotechnical Commission
IEEE - The Institute of Electrical and Electronic Engineers
V-I - Tenso-corrente
SAW - Surface Acoustic Wave
NCO - Numerically Controlled Oscillator
DSP - Digital Signal Processor
PC - Personal Computer
RIV - Radio Interference Voltage
EM - Eletromagntico (a)
TP - Transformador de Potencial
RMS - Root Mean Square

LISTA DE SMBOLOS

U
r
- Tenso nominal de pico de um para-raio, conforme a IEC 60099-4,
suportada pelo mesmo por tempo limitado, geralmente 10 segundos
U
c
- Mxima tenso de operao contnua de um para-raio, conforme a IEC
60099-4
U
pico
- Tenso de pico
C
SGi
- Capacitncia do conjunto de centelhadores i, com i de 1 a n;
R
EQi
- Resistor de equalizao do conjunto de centelhadores i, i de 1 a n;
L
AUX
- Bobina auxiliar de interrupo de arco;
C
SGaux
- Capacitncia do centelhador auxiliar em paralelo com a bobina auxiliar
de interrupo de arco;
R
Bj
- Resistncia do bloco de SiC ou ZnO j
C
Bj
- Capacitncia do bloco de SiC ou ZnO j
C
SG
- Capacitncia equivalente do para-raio de SiC
R
EQ
- Resistncia equivalente do para-raio de SiC
C
B
- Capacitncia equivalente do para-raio de ZnO
R
B
- Resistncia equivalente do para-raio de ZnO
I
F
- Corrente de fuga do para-raio
- ngulo de defasagem medido da corrente de fuga I
F
em relao tenso
V
- Freqncia angular
k - constante, determinada pela geometria (comprimento e rea) do resistor
de equalizao
n - constante que expressa o grau de no linearidade do resistor de
equalizao, determinada pelas caractersticas do seu material
I
R
- Componente resistiva da corrente de fuga I
F

I
C
- Componente capacitiva da corrente de fuga I
F
I
a
- Corrente de fuga do para-raio da fase A
I
b
- Corrente de fuga do para-raio da fase B
I
c
- Corrente de fuga do para-raio da fase C
I
soma
- Somatria das correntes de fuga dos para-raios das fases A, B e C

SUMRIO

RESUMO ........................................................................................................................ 6
ABSTRACT .................................................................................................................... 7
LISTA DE FIGURAS ..................................................................................................... 8
LISTA DE TABELAS .................................................................................................. 11
LISTA DE ABREVIATURAS E SIGLAS ................................................................... 15
LISTA DE SMBOLOS ................................................................................................ 16
SUMRIO .................................................................................................................... 17
1. INTRODUO ............................................................................................... 20
1.1. O SISTEMA ELTRICO DE POTNCIA (SEP) ............................................ 20
1.2. OS PARA-RAIOS NO SEP .............................................................................. 21
1.3. DIAGNSTICO DE ESTADO DOS PARA-RAIOS ...................................... 21
1.4. OBJETIVO E ESTRUTURA DO TRABALHO .............................................. 22
2. FORMA CONSTRUTIVA DOS PARA-RAIOS .......................................... 24
2.1. PARA-RAIOS DE CARBONETO DE SILCIO .............................................. 24
2.2. PARA-RAIOS DE XIDO DE ZINCO ........................................................... 26
3. MODELOS ELTRICOS DOS PARA-RAIOS ........................................... 30
4. MTODOS DE DIAGNSTICO ATUAIS .................................................. 37
4.3. CARACTERSTICAS DOS MTODOS DE DIAGNSTICO ATUAIS ....... 38
4.3.1. TCNICAS NO APLICVEIS DURANTE A OPERAO NORMAL .... 38
4.3.2. TENSO DE RDIO-INTERFERNCIA E DESCARGAS PARCIAIS ....... 39
4.3.3. MEDIO DE TEMPERATURA POR TERMOVISO ............................... 39
4.3.4. MEDIO DE TEMPERATURA INTERNA POR SENSORES
PASSIVOS ........................................................................................................ 40
4.3.5. CORRENTE DE FUGA TOTAL ..................................................................... 41
4.3.6. CORRENTE DE FUGA RESISTIVA .............................................................. 42
4.3.6.1. MTODO DE MEDIO A1 .................................................................. 42

4.3.6.2. MTODO DE MEDIO A2 .................................................................. 43
4.3.6.3. MTODO DE MEDIO A3 .................................................................. 43
4.3.6.4. MTODO DE MEDIO B3 .................................................................. 44
4.3.6.5. MTODO DE MEDIO C .................................................................... 44
4.3.7. TERCEIRA HARMNICA DA CORRENTE DE FUGA ............................... 44
4.3.7.1. MTODO DE MEDIO B1 .................................................................. 45
4.3.7.2. MTODO DE MEDIO B2 .................................................................. 46
4.3.7.3. MTODO DE MEDIO A4 .................................................................. 46
4.3.7.4. LIMITAES DA MONITORAO POR MEDIO DE 3
HARMNICO .................................................................................................. 47
5. NOVO MTODO DE DIAGNSTICO PROPOSTO ................................ 51
5.1. LIMITAES DOS MTODOS DE DIAGNSTICO ATUAIS ................... 51
5.2. CARACTERSTICAS DESEJVEIS DO NOVO MTODO ......................... 54
5.3. MONITORAO DE CAPACITNCIA E RESISTNCIA
EQUIVALENTES ............................................................................................. 54
5.3.1. CAPACITNCIA E RESISTNCIA EQUIVALENTES DE PARA-
RAIOS DE SIC ................................................................................................. 55
5.3.1.1. DESCONEXO DE RESISTORES DE EQUALIZAO ..................... 60
5.3.1.2. RESISTORES DE EQUALIZAO ALTERADOS .............................. 62
5.3.1.3. MDULO CENTELHADOR EM CURTO-CIRCUITO ......................... 65
5.3.1.4. ENTRADA DE UMIDADE ..................................................................... 67
5.3.1.5. BLOCOS DE SIC OU OUTROS COMPONENTES
DESCONECTADOS ........................................................................................ 68
5.3.1.6. ALTERAES NOS BLOCOS DE SIC ................................................. 68
5.3.2. CAPACITNCIA E RESISTNCIA EQUIVALENTES DE PARA-
RAIOS DE ZNO ............................................................................................... 69
5.3.2.1. BLOCOS DE ZNO ALTERADOS ........................................................... 71
5.3.2.2. ENTRADA DE UMIDADE ..................................................................... 80
5.3.2.3. BLOCOS DE ZNO OU OUTROS COMPONENTES
DESCONECTADOS ........................................................................................ 81
6. MTODO DE MONITORAO EM TEMPO REAL .............................. 82
6.1. LIMITAES PARA MEDIO DE TENSO ............................................ 82

6.2. SOMA VETORIAL DAS CORRENTES DE FUGA ....................................... 83
6.3. SIMULAES DE MEDIES POR SOMA VETORIAL EM PARA-
RAIOS ZNO ...................................................................................................... 86
6.3.1. CONDIES INICIAIS DA SIMULAO ................................................... 86
6.3.2. SIMULAO 1 BLOCOS DE ZNO ALTERADOS OU ENTRADA DE
UMIDADE ........................................................................................................ 90
6.4. SIMULAES DE MEDIES POR SOMA VETORIAL EM PARA-
RAIOS SIC ........................................................................................................ 94
6.4.1. CONDIES INICIAIS DA SIMULAO ................................................... 94
6.4.2. SIMULAO 1 DESCONEXO DE RESISTORES DE
EQUALIZAO .............................................................................................. 97
6.4.3. SIMULAO 2 RESISTORES DE EQUALIZAO ALTERADOS ...... 102
6.4.4. SIMULAO 3 MDULO CENTELHADOR EM CURTO-
CIRCUITO ...................................................................................................... 109
6.4.5. SIMULAO 4 ENTRADA DE UMIDADE ............................................. 116
7. RESULTADOS ESPERADOS COM O NOVO MTODO ...................... 121
8. CONCLUSES ............................................................................................. 123
9. TRABALHOS FUTUROS ............................................................................ 124
REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS ........................................................................ 125

20

1. INTRODUO

1.1. O Sistema Eltrico de Potncia (SEP)

Na sociedade atual, o uso da energia eltrica tornou-se universal para o desempenho das
mais variadas tarefas, muitas de grande importncia e responsabilidade, como hospitais,
sinalizao de trnsito e outras, incorporando-se e moldando o estilo de vida de praticamente
todas as pessoas. Com isso, o fornecimento de energia eltrica tornou-se um servio essencial,
para o qual exigida cada vez maior confiabilidade e continuidade.
A importncia desse papel desempenhado pelo fornecimento de energia eltrica tende a
aumentar ainda mais com a evoluo da tecnologia, com a ampla tendncia de incorporao
de equipamentos eletrnicos ao dia a dia de todas as atividades humanas e, talvez o fator mais
preponderante, a chegada ao mercado dos veculos eltricos, considerada por muitos
inevitvel devido necessidade de reduo das emisses de gases de efeito estufa para
mitigao do aquecimento global, em grande parte de responsabilidade dos motores de
combusto interna.
Dessa forma, antevista a migrao de uma poro substancial da energia utilizada nos
transportes da fonte primria (petrleo) para a secundria (eletricidade), causando aumento
substancial no consumo de energia eltrica, acompanhado de importantes benefcios para a
sociedade.
Para possibilitar o fornecimento de energia eltrica, toda uma cadeia de instalaes e
equipamentos necessria, denominada Sistema Eltrico de Potncia (SEP), que pode ser
subdividida nas etapas de Gerao, Transmisso e Distribuio de energia. Em cada uma
dessas etapas, diversos equipamentos eltricos de alta tenso so necessrios, tais como
geradores, transformadores de potncia, disjuntores, seccionadores, transformadores de
medio e para-raios, cuja confiabilidade impacta diretamente na confiabilidade do SEP e na
continuidade do fornecimento de energia eltrica.
No contexto apresentado acima, a confiabilidade e continuidade do Sistema Eltrico de
Potncia, que j extremamente necessria atualmente, dever aumentar ainda mais,
demandando com isso a maior confiabilidade dos equipamentos de alta tenso que o compe.
Assim, os benefcios esperados do aumento no uso da energia eltrica trazem consigo,
como natural, novos desafios, dentre os quais est o aumento da confiabilidade dos
equipamentos.

21

1.2. Os Para-raios no SEP

Os Para-raios figuram dentre os principais equipamentos de alta tenso empregados no
Sistema Eltrico de Potncia, com a funo de proteger os demais equipamentos das
sobretenses do sistema (1), que podem ser ocasionadas por descargas atmosfricas ou pelas
prprias manobras realizadas no sistema por exemplo, energizao e desenergizao de
transformadores e reatores.
Sem os para-raios, as sobretenses que ultrapassassem os limites de suportabilidade dos
equipamentos causariam o rompimento de seus dieltricos, levando perda de equipamentos
de alto custo e essenciais para o fornecimento de energia (1), alm de trazer os riscos de
ferimentos e morte, de contaminao ambiental e de danos s instalaes quando da falha da
isolao dos equipamentos, freqentemente seguida de exploso e incndio.
Portanto, apesar de desempenhar uma funo que poderia ser considerada auxiliar para o
SEP, a correta operao dos para-raios mostra-se essencial para a segurana e confiabilidade
deste (2).
Por outro lado, justamente por absorverem e dissiparem o excesso de energia das
sobretenses, os para-raios esto sujeitos a degradao ao longo dos anos, alm da ao de
fatores ambientais como sol, chuva e poluio, que podem levar a contaminaes internas (3).
Com isso, seu desempenho pode reduzir-se gradualmente ao longo do tempo, at o ponto
em que no seja mais capaz de absorver a energia de uma sobretenso, chegando a explodir,
ou ainda pior, deixando de proteger os demais equipamentos e a instalao.

1.3. Diagnstico de estado dos Para-raios

O diagnstico do estado atual dos para-raios essencial para evitar os riscos expostos, de
forma a detectar quando se aproxima o seu fim de vida til, devido aos estresses normais
durante a operao, assim como a deteriorao precoce causada por contaminaes.
Alm de evitar as falhas inesperadas de para-raios e dos equipamentos por eles protegidos,
o diagnstico dos para-raios til tambm do ponto de vista de gerenciamento dos ativos das
concessionrias de energia eltrica, dado o grande nmero de para-raios instalados nessas
empresas com muitos anos de operao. esperado que muitos deles necessitem substituio,
porm a substituio de todos invivel dos pontos de vista logstico e econmico. Nesse

22

contexto, o diagnstico preciso do estado desses equipamentos permite priorizar as
substituies mais urgentes e evitar o desperdcio de tempo e recursos em para-raios que
ainda estejam em condies de operao.
Outro fator a ser levado em considerao so as mudanas de regulamentao e ambiente
competitivo em que operam as concessionrias de energia eltrica. O uso de tcnicas de
diagnstico que requeiram o desligamento dos para-raios para realizao de ensaios torna-se
cada vez mais difcil, devido s pesadas penalidades por indisponibilidade dos equipamentos
no sistema eltrico. Ademais, a reduo da mo-de-obra nas empresas pode inviabilizar at
mesmo a aplicao de tcnicas de diagnstico que ocupe a mo-de-obra disponvel, ainda que
no exijam o desligamento dos para-raios.
Com isso, novas tcnicas de diagnstico em servio e em tempo real do estado dos para-
raios, que dispensem desligamento do equipamento e o uso de mo-de-obra, se mostram
necessrias, de forma a reduzir o risco de falhas, elevar a confiabilidade do sistema, reduzir o
risco de interrupes no fornecimento de energia, ao mesmo tempo em que se reduzam os
custos de operao e manuteno das empresas, alm de permitir o melhor gerenciamento dos
ativos at seu fim de vida til e a migrao da manuteno preventiva (baseada no tempo)
para a preditiva (baseada no estado).

1.4. Objetivo e estrutura do trabalho

Dadas as necessidades expostas para o diagnstico contnuo do estado dos para-raios no
Sistema Eltrico de Potncia, este trabalho tem por objetivo propor uma nova tcnica de
diagnstico, baseada na monitorao em tempo real da capacitncia e resistncia eltrica do
para-raios. Para tal, os seguintes tpicos sero apresentados:
Detalhamento da forma construtiva dos para-raios com tecnologias Carboneto de
Silcio (SiC) e xido de Zinco (ZnO), no captulo 2;
Modelamento eltrico dos para-raios com tecnologias SiC e ZnO, no captulo 3;
Resumo dos mtodos atuais de diagnstico, apontando suas potencialidades e
limitaes, no captulo 4;
Proposio de um novo mtodo de diagnstico e simulao de seu desempenho em
condies hipotticas de defeitos, com base nos modelos eltricos dos para-raios, bem
como comparao de resultados do mtodo com dados reais de medies obtidos na
literatura, no captulo 5;

23

Apresentao de uma tcnica para permitir a utilizao do novo mtodo de diagnstico
em tempo real e simulao de seu funcionamento usando as mesmas simulaes de
defeitos do item anterior, no captulo 6;
Apresentao dos resultados esperados com o novo mtodo e concluses, nos
captulos 7 e 8;
Propostas de trabalhos futuros, no captulo 9.

24

2. FORMA CONSTRUTIVA DOS PARA-RAIOS

No parque de para-raios instalados atualmente no Sistema Eltrico de Potncia, duas
tecnologias so encontradas: Carboneto de Silcio (SiC), que deixou de ser fabricada h vrias
dcadas, e xido de Zinco (ZnO), que responde pela totalidade dos para-raios fabricados
atualmente.
Apesar disso, uma grande quantidade de para-raios de SiC encontra-se ainda em operao,
pois sua substituio tem sido gradativa. Dessa forma, desejvel que o mtodo de
diagnstico de para-raios seja aplicvel a ambas as tecnologias, facilitando at mesmo a
definio dos para-raios de SiC que devem ter prioridade na substituio.
A seguir so descritos a forma construtiva e o princpio de operao de cada uma dessas
tecnologias.

2.1. Para-raios de Carboneto de Silcio

Os para-raios de carboneto de silcio foram criados na dcada de 1930 para substituir os
centelhadores (spark gaps) simples e centelhadores associados a elementos no lineares
eletroqumicos que vinham sendo utilizados desde os primrdios da distribuio de energia
eltrica, nos anos 1900 (4).
A construo bsica de um para-raio de carboneto de silcio (5) consiste em diversos
centelhadores conectados em srie com os blocos de carboneto de silcio (SiC), como mostra
esquematicamente a Figura 1 a seguir, obtida da referncia (6).

25

Figura 1 Representao esquemtica da construo de um para-raio de SiC. Fonte: (6)

Nessa construo, os blocos de carboneto de silcio atuam como resistores no lineares,
que reduzem sua resistncia medida que aumenta a tenso. Apesar dessa caracterstica,
quando submetidos tenso nominal do sistema os blocos de SiC no tem resistncia alta o
suficiente (da ordem de milhares de ohms, segundo (6)) para suportar essa tenso
continuamente, o que causaria corrente de fuga demasiadamente elevada, destruindo os blocos
pelo aquecimento. Assim, so os centelhadores que isolam a tenso normal de operao do
sistema, atuando como um circuito aberto.
Quando da ocorrncia de uma sobretenso, a isolao dos centelhadores rompida e estes
se comportam quase como um curto-circuito (6). Com isso, os blocos de SiC so submetidos
sobretenso, o que leva reduo de sua resistncia, permitindo que corrente flua para a terra
e que se dissipe assim a energia do surto, limitando dessa forma o valor da sobretenso.
Ao cessar a sobretenso, a resistncia dos blocos de SiC tende a aumentar, reduzindo a
corrente de descarga que passa pelo para-raio, o que auxilia na extino do arco nos

26

centelhadores. Essa pode ser considerada a principal funo dos blocos de SiC nesse tipo de
para-raio (6).
Tambm contribui para o aumento da resistncia dos blocos de SiC, depois de cessada a
sobretenso, a introduo de um indutor em srie com os centelhadores, na vizinhana desses.
A passagem da corrente de descarga pelo indutor gera um campo magntico que interage com
o campo magntico gerado pela corrente no arco, causando o deslocamento do arco para
regies mais exteriores dos centelhadores, mais frias, e aumentando seu comprimento. Isso
aumenta a queda de tenso no arco, reduzindo a corrente de descarga, o que causa um
aumento adicional na resistncia dos blocos de SiC, reduzindo ainda mais a corrente de
descarga. Esse conjunto de fenmenos contribui para a extino do arco (6). Para evitar que o
indutor provoque um atraso na operao do para-raio, instalado em paralelo com este um
centelhador auxiliar, que opera durante a variao rpida da corrente na frente de onda da
sobretenso; a seguir, quando a taxa de variao da corrente diminui, essa conduzida pelo
indutor.
Em geral so utilizados diversos centelhadores em srie, com a tenso fase-terra
dividindo-se entre eles conforme determinado no projeto do para-raio. O desequilbrio dessa
diviso de tenso poderia levar disrupo de alguns dos mdulos com tenso fase-terra
menor que a esperada, causando operaes indevidas do para-raios. Esses desequilbrios
poderiam ser causados, por exemplo, por imprecises dimensionais nos mdulos de
centelhadores e pelas capacitncias parasitas de cada mdulo centelhador para a linha e para
terra. Para garantir a diviso de tenso esperada, resistores de equalizao so conectados em
paralelo com os centelhadores, principalmente nos para-raios de tenso mais elevada. Esses
resistores, cada um com resistncia da ordem de mega-ohms, formam um divisor de tenso
que, corretamente dimensionado, permite melhor controle na distribuio do campo eltrico
entre os centelhadores.

2.2. Para-raios de xido de Zinco

Os para-raios de xido de zinco (ZnO) foram introduzidos no mercado em meados da
dcada de 1970, trazendo significativas melhorias em relao gerao anterior, de carboneto
de silcio.

27

Por um lado, os para-raios de ZnO tm construo bem mais simples comparados aos de
SiC, como ilustra esquematicamente a Figura 2 a seguir, pelo fato de no possurem
centelhadores, sendo os blocos de ZnO conectados diretamente tenso fase-terra do sistema.
Os diversos blocos de ZnO so empilhados no interior do invlucro, sendo a quantidade
determinada pelas caractersticas eltricas individuais dos blocos e pelas caractersticas
desejadas para o para-raio. Espaadores metlicos podem ser inseridos entre os blocos para
completar a altura do invlucro, visto que em geral este mais alto que os blocos devido
distncia de escoamento eltrica necessria no exterior do equipamento. Os espaadores
tambm desempenham a funo auxiliar de dissipao rpida do calor gerado nos blocos aps
uma operao do para-raio.
O conjunto formado pelos blocos e espaadores mantido sob presso axial pela mola na
extremidade do conjunto. Hastes de FRP (Fiberglass Reinforced Plastic), suportadas por
placas horizontais tambm de FRP, evitam o deslocamento radial dos blocos, mantendo-os
centralizados no invlucro.
O interior do invlucro mantido livre de umidade e contaminantes por um diafragma
metlico aplicado sobre um anel de vedao, sendo a fixao do conjunto obtida com uma
junta de cimento. O diafragma possui espessura muito pequena, da ordem de dcimos de
milmetro, de forma a romper-se intencionalmente em caso de falha do para-raio, devido a
uma descarga de energia superior suportada pelos blocos de ZnO, evitando assim que se
produza uma sobrepresso interna capaz de romper a porcelana e lanar cacos que podem
causar ferimentos e danificar outros equipamentos.
O invlucro pode ser de porcelana, como mostrado na Figura 2 a seguir, ou de material
polimrico, geralmente silicone, aplicado sobre uma estrutura isolante oca de FRP que garante
sua rigidez mecnica.

28

Figura 2 Representao esquemtica da construo de um para-raio de ZnO. Fonte: (8),
adaptada

A conexo direta dos blocos tenso do sistema, sem o uso de centelhadores, possvel
devido curva tenso-corrente dos blocos de ZnO ser extremamente no linear, como pode
ser visto na figura 3, que mostra apenas a parcela resistiva da corrente de fuga, responsvel
pelo aquecimento do para-raio a parcela capacitiva, bem maior que a resistiva (13), no
mostrada na figura.

Figura 3 Curva tenso-corrente resistiva tpica de um para-raio de ZnO de 420 kV. Fonte:
(8), adaptada
Sada de ventilao
Diafragma de alvio de presso
Mola de compresso
Anel de vedao
Junta cimentada
Espaador metlico
Resistor de xido metlico
Haste de suporte (FRP)
Placa de suporte (FRP)
Invlucro de porcelana
Flange de alumnio
Tenso residual a 10 kA = nvel de proteo a impulso atmosfrico = 823 kV
Valor de pico da tenso nominal: 2 . Ur = 2 . 336 kV = 475 kV
Valor de pico da tenso de operao contnua: 2 . Uc = 2 . 268 kV = 379 kV
Valor de pico da tenso fase-terra: 2 . Us/ 3 = 2 . 242 kV = 343 kV
Corrente de fuga Ires 100 A
Corrente de descarga nominal = 10 kA
Valor de pico da corrente / A
V
a
l
o
r

d
e

p
i
c
o

d
a

t
e
n
s
o

/

k
V

29

A grande no linearidade dessa curva pode ser verificada inspecionando-se alguns de seus
pontos chave, como descrito a seguir.
tenso nominal do sistema, o pico da tenso dado por:

Quando submetido a essa tenso, a corrente de fuga resistiva do para-raio de apenas 100
A.
A mxima tenso de operao contnua do para-raio, denominada Uc pela norma IEC
60099-4 (9) e MCOV (Maximum Continuous Operating Voltage) pela norma IEEE Std
C62.11-2005 (10), a mxima tenso em freqncia industrial na qual o para-raio pode
operar continuamente sem qualquer restrio. No exemplo da Figura 3, Uc igual a 268 kV
rms ou 379 kV de pico; nesse ponto de operao, a corrente de fuga resistiva ainda inferior a
200 A.
Quando submetido sua tenso nominal Ur, no exemplo 475 kV de pico (cerca de 25%
acima da tenso de operao contnua), a corrente atinge 1mA. Por norma, o para-raio deve
suportar essa tenso por pelo menos 10 segundos, embora alguns fabricantes garantam tempos
maiores, de forma a garantir que o mesmo no se danifique por sobretenses de relativamente
longa durao freqncia industrial para as quais o para-raio no efetua funo de
proteo.
A partir desse ponto, pequenos aumentos da tenso aplicada ao para-raio causam grandes
aumentos da corrente. Na curva da Figura 3 podemos observar o Nvel de Proteo a Impulso
atmosfrico, que a mxima queda de tenso sobre o para-raio quando a corrente atinge seu
valor nominal de descarga no exemplo, um mximo de 823 kV de pico com o pico de
corrente de descarga de 10 kA.
Podemos observar que um aumento de aproximadamente 140% da tenso (de 343 kV para
823 kV) aumenta a corrente de fuga em 8 ordens de grandeza (de 100 A para 10 kA),
demonstrando claramente a no linearidade dos blocos de ZnO, que foi o que viabilizou o
desenvolvimento de para-raios sem centelhadores.

30

3. MODELOS ELTRICOS DOS PARA-RAIOS

As construes mecnicas dos para-raios de carboneto de silcio e xido de zinco,
mostradas no Captulo 2, podem ser representadas por modelos eltricos com o objetivo de
facilitar o desenvolvimento e testes de mtodos de diagnstico.
Com esse objetivo em mente, os modelos aqui propostos se limitam condio de
operao em regime permanente, freqncia industrial, que a condio em que os para-
raios operam praticamente todo o tempo e durante a qual se deseja monitor-los para
diagnosticar seu estado. Portanto, os modelos eltricos aqui propostos no levam em
considerao as condies transitrias e fenmenos de alta freqncia que ocorrem durante a
operao dos para-raios.


A construo dos para-raios de SiC, descrita no Captulo 2.1, pode ser representada
eletricamente da forma mostrada na Figura 4 a seguir, que busca contemplar inicialmente
todos os elementos constituintes do equipamento, como descrito a seguir.

Os elementos representados na Figura 4 so os seguintes, onde n o nmero total de
conjuntos de centelhadores e m o nmero total de blocos de carboneto de silcio:
C
SGi
- Capacitncia do conjunto de centelhadores i, com i de 1 a n;
R
EQi
- Resistor de equalizao do conjunto de centelhadores i, i de 1 a n;
L
AUX
- Bobina auxiliar de interrupo de arco;
C
SGaux
- Capacitncia do centelhador auxiliar em paralelo com a bobina auxiliar de
interrupo de arco;
R
Bj
- Resistncia do bloco de carboneto de silcio j, com j de 1 a m;
C
Bj
- Capacitncia do bloco de carboneto de silcio j, com j de 1 a m.

31

Figura 4 Modelo eltrico representando um para-raio de SiC em regime permanente

Algumas simplificaes podem ser adotadas para o modelo eltrico da Figura 4,
considerando os seguintes fatores:
A indutncia de L
AUX
relativamente baixa, de forma que em baixa freqncia, como
o caso da freqncia industrial, sua reatncia indutiva praticamente nula. Portanto,
a bobina L
AUX
pode ser considerada um curto-circuito, eliminando tambm a
capacitncia do centelhador auxiliar C
SGaux
;
A resistncia dos blocos de carboneto de silcio, R
Bj
, da ordem de alguns kiloohms,
muito menor, portanto, que a reatncia capacitiva desses mesmos blocos,
correspondente a C
Bj
. Portanto, as capacitncias C
Bj
podem ser desprezadas;

32

A resistncia dos blocos de carboneto de silcio, R
Bj
, da ordem de alguns kiloohms,
muito menor, portanto, que os resistores de equalizao dos centelhadores R
EQi
.
Portanto, as resistncias dos blocos de carboneto de silcio R
Bj
podem ser desprezadas.

Com esses pressupostos, o modelo eltrico simplificado mostrado na Figura 5 abaixo pode
ser adotado para os para-raios de SiC freqncia industrial em regime permanente.

Figura 5 Modelo eltrico simplificado de um para-raio de SiC em regime permanente

Simplificando ainda mais, o para-raio de SiC pode ser representado por apenas uma
capacitncia equivalente, C
SG
, em paralelo com uma resistncia equivalente, R
EQ
, como
mostra o modelo reduzido da Figura 6 abaixo.

Figura 6 Modelo eltrico reduzido de um para-raio de SiC em regime permanente

33

Esta representao, simplificada ao mximo, particularmente til quando se deseja obter
os parmetros do modelo a partir de medies realizadas, sem conhecimento prvio de
detalhes da construo do para-raio (nmero de mdulos centelhadores e resistores de
equalizao), como o caso do exemplo a seguir. A capacitncia equivalente calculada pela
equao (4), e a resistncia equivalente pela equao (6).

(4)

Onde: a capacitncia equivalente do para-raio de SiC;
a corrente de fuga medida;
o ngulo de defasagem medido da corrente de fuga em relao tenso
U;
U a tenso aplicada entre os terminais do para-raio;
a freqncia angular da tenso U.

e,

(6)

Onde: a resistncia equivalente do para-raio de SiC;
U.

Dados de ensaios em para-raios de SiC de classes de tenso 88 kV e 138 kV, disponveis
em (6) e (7), nos permitem obter uma ordem de grandeza dos parmetros do modelo
simplificado.

34

Nos para-raios de 88 kV foi aplicada tenso fase-terra de 51 kV e medida a corrente de
fuga, assim como seu ngulo de defasagem em relao tenso aplicada. Tomando como
exemplo o para-raio denominado pelo autor como amostra A2, foi medida corrente de fuga de
0,147 mA adiantada 65 graus em relao tenso (6).
J nos para-raios de 138 kV foi aplicada tenso fase-terra de 80 kV e foram medidos,
tomando a amostra denominada B1, corrente de fuga de 0,293 mA adiantada 73 graus em
relao tenso (6).
Dessa forma, os valores calculados para os parmetros eltricos equivalentes desses dois
para-raios so os indicados na Tabela 1 abaixo:

Tabela 1 Parmetros eltricos equivalentes para os para-raios de SiC ensaiados na referncia
(6)

Para-raio de 88 kV Para-raio de 138 kV
C
SG
6,9 pF 9,3 pF
R
EQ
821 M 934 M


A construo dos para-raios de xido de zinco, descrita no Captulo 2.2, pode ser
representada eletricamente, em regime permanente, da forma mostrada na Figura 7 abaixo,
como descrito a seguir (11).

35

Figura 7 Modelo eltrico representando um para-raio de ZnO em regime permanente

Os elementos representados na Figura 7 so os seguintes, onde m o nmero total de
blocos de xido de zinco:
R
Bj
Resistncia do bloco de xido de zinco j, com j variando de 1 a m;
C
Bj
Capacitncia do bloco de xido de zinco j, com j variando de 1 a m.

Dada a simplicidade construtiva dos para-raios de xido de zinco, no h pressupostos que
possam ser aplicados para eliminar elementos do modelo da Figura 7. Observa-se grande
similaridade com o modelo eltrico simplificado dos para-raios de SiC (Figura 5), com a
importante diferena de que naquele caso os elementos eltricos do circuito referem-se aos
centelhadores e seus resistores de equalizao, enquanto que no modelo dos para-raios de
ZnO os elementos eltricos esto associados aos blocos de resistores no-lineares.
O modelo da Figura 7 pode ser ainda reduzido, com o para-raio de ZnO representado por
apenas uma capacitncia equivalente, C
B
, em paralelo com uma resistncia equivalente, R
B
,
como mostra o modelo reduzido da Figura 8 abaixo.

36

Figura 8 Modelo eltrico reduzido de um para-raio de ZnO em regime permanente

Assim como nos para-raios de SiC, esta representao reduzida particularmente til
quando se deseja obter os parmetros do modelo a partir de medies realizadas, sem
conhecimento prvio de detalhes da construo do para-raio (nmero de blocos de ZnO em
srie), como o caso do exemplo a seguir. A capacitncia equivalente pode ser calculada pela
equao (8), e a resistncia equivalente pela equao (9), ambas a seguir.

(8)

Onde: a capacitncia equivalente do para-raio de ZnO;
o ngulo de defasagem da corrente de fuga em relao tenso U;
a freqncia angular da tenso U.

e,

(9)

Onde: a resistncia equivalente do para-raio de ZnO;

37

U.

Dados aproximados de medies de corrente de fuga em para-raios de ZnO de 266 kV,
disponveis em (12), nos permitem obter uma ordem de grandeza dos parmetros do modelo
simplificado.
A referncia (12) no fornece os valores exatos das medies, por isso apenas valores
aproximados foram obtidos a partir dos grficos fornecidos. Alm disso, a tenso fase-terra
no foi informada, por isso foi considerado nos clculos a tenso de 266 kV. Como o objetivo
apenas obter uma ordem de grandeza dos parmetros eltricos, tais aproximaes so
aceitveis. A corrente de fuga total foi da ordem de 1,6 mA e a corrente resistiva da ordem de
50 A (12).
Dessa forma, os valores calculados para os parmetros eltricos equivalentes desse para-
raio so os indicados na Tabela 2 abaixo:

Tabela 2 Parmetros eltricos equivalentes para o para-raio de ZnO ensaiado na referncia
(12)

Para-raio de 266 kV
C
B
15,9 pF
R
B
5320 M

4. MTODOS DE DIAGNSTICO ATUAIS

Diversos mtodos de diagnstico do estado dos para-raios foram desenvolvidos ao longo
do tempo, com diferentes graus de sucesso, tanto para os para-raios de carboneto de silcio
quanto para os de xido de zinco. Um resumo dos mesmos apresentado a seguir, para ambas
as tecnologias.


As principais tcnicas de diagnstico empregadas ou estudadas para os para-raios de SiC,
com base na literatura disponvel, so:

38

Tenso de rdio-interferncia (6), (7), (14), (15), (16), (17);
Descargas parciais (mtodos eltricos e acsticos) (14), (17);
Tenso residual corrente de descarga nominal (14), (15);
Tenso disruptiva freqncia industrial (6), (7), (14), (15), (16), (18), (19), (20);
Tenso disruptiva em impulso (6), (7), (15), (18), (19), (20), (21);
Perdas dieltricas (15), (16), (21);
Resistncia de isolamento (6), (7), (15), (16), (19);
Medio de temperatura por termoviso (6), (7), (15), (16);
Medio de corrente de fuga total (6), (7), (14), (15), (16);
Medio de terceira harmnica da corrente de fuga (6), (7).


As principais tcnicas de diagnstico empregadas ou estudadas para os para-raios de ZnO,
com base na literatura disponvel, so:

Descargas parciais (mtodos eltricos e acsticos) (14), (21), (23);
Determinao da tenso de referncia (21), (27), (23);
Levantamento da curva V-I (27), (23);
Perdas dieltricas (13), (21);
Medio de temperatura por termoviso (13), (21), (25);
Medio de temperatura por sensores passivos (13), (26), (27);
Medio de corrente de fuga resistiva (13), (27), (28), (29), (30);
Medio de terceira harmnica da corrente de fuga (13), (22), (24), (25), (27), (31).

4.3. Caractersticas dos mtodos de diagnstico atuais

4.3.1. Tcnicas no aplicveis durante a operao normal

Diversas das tcnicas acima citadas somente podem ser empregadas com o para-raio fora
de servio, desconectado da rede. Com isso, embora algumas delas tenham relativa eficcia na

39

deteco de defeitos, as mesmas no so adequadas para o objetivo desse trabalho, que o
diagnstico em tempo real de estado do equipamento. So elas:
Tenso residual corrente de descarga nominal;
Tenso disruptiva freqncia industrial;
Tenso disruptiva em impulso;
Perdas dieltricas;
Resistncia de isolamento.
Determinao da tenso de referncia;
Levantamento da curva V-I;

4.3.2. Tenso de rdio-interferncia e Descargas parciais

Por outro lado, algumas das tcnicas restantes apresentam dificuldades prticas de
utilizao, apesar de, a princpio, serem aplicveis durante a operao normal do para-raio,
devido aos rudos eletromagnticos presentes em subestaes de alta tenso. o caso das
medies de Tenso de rdio-interferncia e Descargas parciais. Embora tais dificuldades no
sejam exatamente insuperveis de fato, encontram-se em andamento diversas pesquisas
nesse campo (32), (33) esses obstculos contribuem tambm para o aumento do custo de
aplicao das tcnicas citadas, o que pode ser um problema, considerando o baixo custo dos
para-raios a serem monitorados.

4.3.3. Medio de temperatura por termoviso

A tcnica de medio de temperatura por termoviso tem sido empregada de forma
consistente para o diagnstico de diversos equipamentos de alta tenso em subestaes com a
finalidade de localizar pontos com temperatura anormalmente elevada, com resultados em
geral satisfatrios (34). A aplicao dessa tcnica realizada normalmente de forma relativa,
comparando a temperatura do ponto mais quente com a temperatura de pontos adjacentes ou
com a temperatura de outros equipamentos semelhantes nas proximidades. Dessa forma, uma
anormalidade detectada se um determinado ponto apresenta-se muito mais quente que os
demais. A referncia (41) estabelece uma diferena mxima de 5 C, acima da qual o para-
raios deve ser investigado por medio da corrente de fuga ou retirado de operao.

40

Embora essa tcnica seja eficaz para a deteco de alguns tipos de defeito (6), (34), e deva
ser empregada com o para-raio em operao normal, tem o inconveniente de no permitir a
monitorao de forma contnua e nem automtica, pois depende que um operador inspecione
periodicamente os equipamentos com o termovisor, deixando assim de atender a uma das
necessidades pressupostas neste trabalho. A ttulo de exemplo, a referncia (41) relata a
realizao de termoviso para diagnstico de para-raios em operao com periodicidade de 3
a 6 meses.
Isso nos leva tambm a outra desvantagem dessa tcnica, que a necessidade de se
garantir que as medies sejam efetuadas com procedimento uniforme para permitir a
comparao de resultados, o acompanhamento da evoluo das medies (16) e o correto
diagnstico do equipamento, visto que a queda acentuada de temperatura entre os blocos no-
lineares e o exterior do invlucro do para-raio (13) torna muito sutis as diferenas de
temperatura observadas entre um equipamento em bom estado e outro deteriorado, exceto em
casos de deteriorao j muito avanada. Dessa forma, o sucesso do diagnstico por
termoviso tem grande dependncia do operador que realiza a leitura e interpreta os
resultados.

4.3.4. Medio de temperatura interna por sensores passivos

Os diversos parmetros que podem ser monitorados em um para-raios, como perdas
dieltricas e corrente de fuga resistiva, causam alteraes na temperatura interna do para-raio,
sendo esse o princpio que suporta a medio de temperatura por termoviso, abordada acima
(27).
O uso de sensores de temperatura internos ao para-raio busca vencer as limitaes da
termoviso, que so a grande queda de temperatura entre os pontos de aquecimento e a
superfcie externa do equipamento e o fato de no ser um mtodo contnuo e automtico.
Para tal so utilizados sensores de temperatura passivos, baseados em ondas acsticas de
superfcie (SAW, Surface Acoustic Wave), que tem dimenses reduzidas, no requerem
alimentao para sua operao e transmitem a medio por ondas de rdio.
O princpio de operao desses sensores ilustrado na Figura 9 a seguir. Um interrogador
externo ao para-raio transmite ondas de rdio que so recebidas na antena do sensor e excitam
um transdutor piezeltrico, que gera uma onda acstica que se propaga pela superfcie do
sensor. A freqncia de ressonncia dessa onda determinada pelas caractersticas mecnicas

41

dessa superfcie, que se alteram com a temperatura, devido expanso e contrao do
material. Desse modo, a freqncia da onda acstica de superfcie ditada pela temperatura a
que a mesma est submetida. Durante sua propagao pelo sensor, a onda refletida e retorna
ao transdutor piezeltrico, que gera tenso consonante com a onda mecnica que o atingiu.
Esse sinal acoplado de volta antena, que ento retransmite ao interrogador externo um
sinal de rdio que contm a informao da temperatura (27), (35).
Quando vrios sensores desse tipo so utilizados simultaneamente, a informao dos
vrios sensores pode ser identificada por meio de reflexes intencionais na onda acstica,
causadas por refletores posicionados ao longo da superfcie, criando uma espcie de cdigo
que identifica o sensor que est enviando a informao.

Figura 9 Princpio de operao do sensor de temperatura passivo. Fonte: (35), adaptada

A medio de temperatura por sensores passivos no interior do para-raio, apesar de ter
sido reportada como eficaz, somente aplicvel a para-raios novos, pois a instalao dos
sensores s pode ser efetuada durante a fabricao do equipamento. Portanto, no aplicvel
ao grande nmero de para-raios j em operao em campo, tanto de SiC quanto de ZnO.

4.3.5. Corrente de fuga total

No se observam alteraes apreciveis na componente capacitiva da corrente de fuga em
alguns dos principais modos de falha dos para-raios (13), como o caso de deteriorao nos
elementos no-lineares, deteriorao dos resistores de equalizao nos para-raios de SiC ou
ingresso de umidade, por exemplo, sendo apenas a corrente resistiva afetada. Por outro lado,
como j indicado no captulo 3, a corrente de fuga dos para-raios predominantemente
transmisso
recepo
antena
do leitor
antena do sensor SAW
chip SAW
refletor
transdutor
interdigital

42

capacitiva, com a componente resistiva contribuindo com apenas 5 % a 20 % da corrente de
fuga total (6), (13). Com isso, e considerando que a corrente de fuga total a soma vetorial
das componentes resistiva e capacitiva, defasadas 90 entre si, grandes alteraes na corrente
resistiva podem refletir-se em alteraes muito pequenas na corrente total, impedindo a
deteco de um defeito. Por esse motivo, a monitorao da corrente de fuga total dos para-
raios descartada como um meio eficaz de diagnosticar o estado do equipamento (13).

4.3.6. Corrente de fuga resistiva

As tcnicas de diagnstico que envolvem a medio da corrente de fuga resistiva, seja
direta ou indiretamente (pela medio da 3 harmnica da corrente de fuga, tratada no captulo
4.3.7), so as que se mostram as mais promissoras, por permitirem a monitorao de estado do
equipamento de forma contnua e em tempo real (13), (30), possibilitando ainda a utilizao
sem a dependncia de operadores para a execuo das medies.
Por esse motivo, so citadas na norma IEC 60099-5 (13) como a principal ferramenta de
diagnstico do estado de para-raios de ZnO. O captulo 6 dessa norma nomeou os diversos
mtodos para monitorao da corrente de fuga resistiva como A1...A4, B1...B3 e C. Os
mtodos A1 a A3, B3 e C constituem formas de monitorao direta da corrente resistiva e so
detalhados adiante.
Os demais mtodos consistem em monitorao indireta da corrente resistiva, por meio da
terceira harmnica da corrente de fuga, e so detalhados no captulo 4.3.7.

4.3.6.1.Mtodo de medio A1

Como indica a Figura 10 a seguir, no instante em que a taxa de variao da tenso zero
(dU/dt = 0), a componente capacitiva da corrente de fuga tambm zero. Como nesse mesmo
instante a tenso encontra-se no seu valor mximo (positivo ou negativo), a corrente de fuga
medida nesse momento corresponde ao valor de pico da corrente resistiva.
Portanto, a componente resistiva da corrente de fuga pode ser conhecida, empregando a
tcnica acima descrita, desde que se efetuem simultaneamente as medies da tenso aplicada
aos terminais do para-raio e da corrente de fuga total. Essa forma de monitorao da corrente
de fuga resistiva denominada na norma IEC 60099-5 (13) como o mtodo de medio A1.

43

No entanto, a disponibilidade de um sinal correspondente tenso aplicada aos terminais
do para-raio raramente existe na prtica, o que limita o amplo emprego do mtodo A1 para a
monitorao da corrente de fuga resistiva.

Figura 10 Corrente de fuga resistiva em relao tenso nos terminais de um para-raio.
Fonte: (13), adaptada.


A componente capacitiva da corrente de fuga pode ser eliminada da medio da corrente
de fuga total se um sinal de corrente capacitiva, com a mesma fase e magnitude igual da
corrente capacitiva do para-raio, for subtrado da corrente de fuga total. Esse sinal de corrente
capacitiva pode ser obtido com um capacitor de referncia, com valor de capacitncia igual
do para-raio, energizado com a mesma tenso aplicada ao para-raio.
Com isso, o mtodo mostra-se vivel para uso em laboratrio, no sendo prtico para
aplicaes em campo.


O mtodo A3 da norma IEC 60099-5 similar ao mtodo A2 acima, com a diferena de
que o sinal de corrente capacitiva a ser subtrado da corrente de fuga total gerado
artificialmente, de forma analgica (em hardware) ou digital (em software).
Tenso
U = Uc
Corrente de fuga
i = 0,20,3 mA
Corrente resistiva
ir = 10600 A
dU/dt = 0
Tempo
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No entanto, o sinal de corrente capacitiva gerado deve possuir amplitude e ngulo de
defasagem corretos para que o resultado da subtrao corresponda componente resistiva real
da corrente de fuga. Para isso, esse sinal deve ser calibrado com dados especficos do bloco
no-linear, que variam de acordo com o fabricante e mtodo de produo utilizado.
Dessa forma, o mtodo no se mostra prtico para as aplicaes, considerando a
indisponibilidade desses dados para os mltiplos modelos, marcas e pocas de fabricao dos
milhares de para-raios em operao nos sistemas eltricos.

4.3.6.4.Mtodo de medio B3

O mtodo B3 da norma IEC 60099-5 similar ao mtodo A1 acima, com a diferena de
que os sinais de corrente de fuga total e tenso aplicada ao para-raios so processados para
extrao apenas da sua componente fundamental, eliminando-se todos os harmnicos.
Portanto, esse mtodo padece da mesma fragilidade do mtodo A1, que a
indisponibilidade de um sinal correspondente tenso aplicada aos terminais do para-raio, o
que limita o seu amplo emprego para a monitorao da corrente de fuga resistiva.

4.3.6.5.Mtodo de medio C

O mtodo C consiste no clculo das perdas dieltricas do para-raio, em Watts, que so
diretamente proporcionais corrente de fuga resistiva. Isso efetuado pela integrao no
tempo do produto da tenso aplicada ao para-raio e corrente de fuga total.
Portanto, esse mtodo padece da mesma fragilidade do mtodo A1, que a
indisponibilidade de um sinal correspondente tenso aplicada aos terminais do para-raio, o
que limita o seu amplo emprego para a monitorao da corrente de fuga resistiva.

4.3.7. Terceira harmnica da corrente de fuga

Se a tenso aplicada aos terminais do para-raio for livre de freqncias harmnicas, a
parcela capacitiva da corrente de fuga apresentaria apenas componentes na freqncia
fundamental. J a parcela resistiva da corrente de fuga apresentar componentes harmnicos
de diversas ordens, apesar de no existirem harmnicos na tenso, devido no-linearidade da
isolao.

45

Partindo dos pressupostos acima, a totalidade das componentes harmnicas da corrente de
fuga de natureza resistiva. Se for considerado ainda o pressuposto de que existe uma
proporcionalidade entre a totalidade da corrente de fuga resistiva e suas componentes
harmnicas, a medio das componentes harmnicas da corrente de fuga fornece um bom
indicador da corrente resistiva do para-raio.
A componente harmnica predominante na corrente de fuga dos para-raios a de terceira
ordem, de forma que esta, em geral, a nica componente utilizada para monitorao,
desprezando-se as demais.
Os mtodos A4, B1 e B2 do captulo 6 da norma IEC 60099-5 (13) empregam a medio
de terceira harmnica da corrente de fuga para a monitorao indireta da corrente resistiva,
conforme detalhado a seguir.


O mtodo de medio B1 parte do pressuposto de que todos os componentes harmnicos
presentes na corrente de fuga total so resistivos, ou seja, a tenso aplicada ao para-raio livre
de harmnicos, de forma que no h harmnicos na corrente capacitiva.
No entanto, como a reatncia capacitiva da isolao inversamente proporcional
freqncia da tenso aplicada, nveis de harmnicos relativamente baixos na tenso podem
gerar harmnicos na corrente capacitiva comparveis magnitude total da corrente resistiva,
j que esta bem menor que a corrente capacitiva (36).
As variaes na medio da terceira harmnica da corrente de fuga em relao parcela
puramente resistiva da terceira harmnica so mostradas na Figura 11, a seguir. A faixa de
erro assinalada leva em considerao que a parcela resistiva da corrente de fuga pode
corresponder de 5% a 20% da corrente de fuga total, alm de variao de 0 a 360 graus na
fase da terceira harmnica na tenso (13).
Como indica a Figura 11, para contedo harmnico de apenas 1% na tenso, erros de at
100% podem ocorrer. Dessa forma, essa tcnica no se mostra adequada como mtodo
universal para a monitorao de para-raios.

46

Figura 11 Erro na avaliao da corrente de fuga resistiva devido a harmnicos na tenso do
sistema. Fonte: (13), adaptada.


O mtodo de medio B2 um aperfeioamento do mtodo B1, com a incluso da
compensao dos harmnicos da tenso do sistema.
Isso obtido atravs de um sensor de campo eltrico prximo base do para-raio, com o
objetivo de amostrar a forma de onda e a fase da tenso aplicada ao equipamento (13), (22).
Dessa forma so ultrapassadas as limitaes do mtodo B2 no que diz respeito aos erros
provocados pelos harmnicos na tenso do sistema. No entanto, devem ser levadas em
considerao outras limitaes inerentes monitorao indireta da corrente resistiva por meio
da medio do terceiro harmnico, conforme demonstrado no captulo 4.3.7.4.


O mtodo de medio A4 consiste na medio da somatria das correntes de fugas dos
para-raios das trs fases do sistema. Supondo que as trs correntes capacitivas tenham
aproximadamente a mesma magnitude, a defasagem de 120 graus entre as fases do sistema faz
com que as correntes capacitivas se anulem. A terceira harmnica das correntes resistivas, por
outro lado, se somam algebricamente, de forma que o aumento na corrente resistiva de uma
Terceira harmnica na tenso do sistema %
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Faixa de erro

47

das fases, com o consequente aumento de sua terceira harmnica, se faria sentir e poderia ser
detectado pela medio da somatria das correntes.
Entretanto, um dos pontos fracos do mtodo est justamente em seu pressuposto bsico:
na prtica as correntes de fuga capacitivas dos para-raios podem ter magnitudes bastante
diferentes, no apenas por diferenas na capacitncia dos para-raios, mas tambm devido a
diferentes capacitncias parasitas de acoplamento nas trs fases da instalao (13).
Alm disso, assim como o mtodo de medio B1, o mtodo A4 parte do pressuposto de
que todos os componentes harmnicos presentes na corrente de fuga total so resistivos, ou
seja, a tenso aplicada ao para-raio livre de harmnicos, de forma que no h harmnicos na
corrente capacitiva.
Portanto, pelos motivos acima, essa tcnica no se mostra adequada como mtodo
universal para a monitorao de para-raios.

4.3.7.4.Limitaes da monitorao por medio de 3 harmnico

Como explanado acima, a medio de terceiro harmnico da corrente de fuga utilizada
como uma indicao indireta da magnitude da corrente resistiva, a partir do pressuposto de
que existe sempre uma proporcionalidade entre a corrente resistiva total e sua componente de
terceiro harmnico.
Dessa forma, uma degradao da isolao que leve a um aumento da corrente de fuga
resistiva faria necessariamente aumentar a componente de terceira harmnica dessa mesma
corrente.
Embora isso seja verdadeiro para degradaes internas nos blocos de resistores no-
lineares, tais como aquelas provocadas por correntes de descarga muito elevadas, que alteram
a curva V-I do para-raio, existem modos de falha em que isso no ocorre. Segundo (27), a
degradao dos blocos de ZnO devido reduo de oxignio em suas bordas causa o
deslocamento da curva V-I, mas no altera sua inclinao, de forma que a componente
fundamental da corrente resistiva se altera, mas o mesmo no ocorre com a terceira
harmnica. Dessa forma, a monitorao de para-raios pela medio de terceira harmnica
seria insensvel a esse modo de falha.
De forma similar, o ingresso de umidade nos para-raios causa aumento da corrente
resistiva, ao criar caminhos de circulao de corrente resistiva paralelos aos blocos de ZnO.

48

Tambm nesse caso, obviamente, a corrente resistiva eleva-se sem que a componente de
terceira harmnica se altere (27).
O primeiro modo de falha mencionado acima, no detectvel pela medio de terceira
harmnica reduo de oxignio na borda dos blocos de ZnO, poderia ser considerado
relativamente raro, no ocasionando prejuzo importante para o diagnstico de para-raios por
esse mtodo.
J a possibilidade de no deteco de entrada de umidade no para-raio pode prejudicar
seriamente a efetividade do mtodo, considerando que praticamente todos os trabalhos
publicados a respeito de falhas em para-raios mencionam a perda de estanqueidade como o
modo de falha mais comum, tanto em para-raios de SiC quanto de ZnO.
Outra possibilidade que no pode ser desprezada, principalmente em para-raios de SiC,
que tem construo mais intrincada, a ocorrncia de problemas mecnicos internos, como a
quebra de centelhadores e a quebra ou desconexo de resistores de equalizao. Tais modos
de falha podem no afetar a terceira harmnica da corrente de fuga, passando despercebidos a
esse mtodo de diagnstico.
Para verificar essa hiptese, foram analisados os relatos dos ensaios realizados em 12
(doze) para-raios de SiC, sendo seis de tenso nominal 85 kV e outros seis de 132 kV,
disponveis na referncia (6).
Nessa anlise puderam constatar-se 5 (cinco) para-raios em que as medies de terceiro
harmnico da corrente de fuga tm valores comparativamente baixos, porm outros ensaios
realizados e/ou a inspeo interna dos para-raios constataram problemas graves. Os resultados
dos ensaios, reportados em (6), so mostrados de forma resumida na Tabela 3 a seguir.
As clulas marcadas em vermelho indicam ensaios ou inspees em que foram
constatados problemas nos para-raios. As clulas em verde indicam medies de terceira
harmnica de corrente de fuga com valores relativamente baixos comparando com o conjunto
de para-raios.
Observa-se que as amostras A1, A5, A6, B3 e B5, apesar de apresentarem diversos
problemas nos demais ensaios, esto entre as que apresentam os menores contedos de
terceira harmnica.
Dentre os para-raios do fabricante A, tomando como exemplo a amostra A5, verifica-se
uma elevao de temperatura anormal na medio com termovisor, indicando a presena de
elevada corrente de fuga resistiva. As amostras A1 e A6, apesar de reprovados no ensaio de

49

tenso disruptiva freqncia industrial (na amostra foi impossvel a realizao do ensaio),
tambm tem terceira harmnica baixa.
Nos para-raios do fabricante B, a desmontagem da amostra B3 para inspeo interna
revelou a presena de umidade e suporte de centelhador quebrado. A amostra B5, alm de ser
reprovada nos ensaios de tenso disruptiva freqncia industrial e RIV, foi encontrada com
centelhadores quebrados durante a inspeo interna.
Esses resultados vm confirmar as hipteses mencionadas acima, de que defeitos que no
necessariamente afetem a curva V-I dos resistores no-lineares dos para-raios, como entrada
de umidade e alteraes mecnicas, podem no ser detectados com a medio da terceira
harmnica da corrente de fuga.

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5. NOVO MTODO DE DIAGNSTICO PROPOSTO

5.1. Limitaes dos mtodos de diagnstico atuais

Como apresentado resumidamente no Captulo 4, diversas tcnicas foram desenvolvidas e
so utilizadas atualmente para o diagnstico de estado de para-raios de carboneto de silcio e
xido de zinco.
Dentre elas, foram apresentadas com maior detalhamento as tcnicas que mais se
aproximam da necessidade que se busca atender nesse trabalho, apresentada no Captulo 1.3,
que o desenvolvimento de novas tcnicas de diagnstico contnuo e em tempo real do estado
dos para-raios, que dispensem desligamento do equipamento e o uso de mo-de-obra, de
forma a reduzir o risco de falhas, elevar a confiabilidade do sistema, reduzir o risco de
interrupes no fornecimento de energia, ao mesmo tempo em que se reduzam os custos de
operao e manuteno das empresas, alm de permitir o melhor gerenciamento dos ativos at
seu fim de vida til e a migrao da manuteno preventiva (baseada no tempo) para a
preditiva (baseada no estado).
Foi demonstrado que, mesmo as tcnicas que mais se aproximam dessa necessidade,
possuem fatores limitantes de diferentes naturezas, como resumido na Tabela 4 abaixo para os
para-raios de SiC e na Tabela 5 a seguir para os para-raios de ZnO.

52

Tabela 4 Tcnicas atuais de diagnstico de para-raios de SiC e suas desvantagens

Tcnicas de diagnstico Desvantagens
Tenso de rdio-interferncia
Elevadas interferncias
eletromagnticas em subestaes que
dificultam as medies e o diagnstico
Descargas parciais
Tenso residual corrente de descarga
nominal
Tcnica aplicvel apenas com o
equipamento fora de servio
Tenso disruptiva freqncia
industrial
Tenso disruptiva em impulso
Perdas dieltricas
Resistncia de isolamento
Medio de temperatura por termoviso
- Monitorao no contnua
- Alta demanda de mo-de-obra
- Sujeito a influncias do operador na
medio
- Dificuldade de interpretao dos
resultados
Medio de corrente de fuga total
Baixa sensibilidade a defeitos
Medio de 3 harmnica da I de fuga
Insensvel a defeitos que no alterem a
curva V-I dos resistores no lineares,
tais como ingresso de umidade, reduo
de O
2
e alteraes mecnicas

53

Tabela 5 Tcnicas atuais de diagnstico de para-raios de ZnO e suas desvantagens

Descargas parciais
Determinao da tenso de referncia
Levantamento da curva V-I
Perdas dieltricas
Medio de temperatura por termoviso
- Monitorao no contnua
- Alta demanda de mo-de-obra
- Sujeito a influncias do operador na
medio
- Dificuldade de interpretao dos
resultados
Temperatura por sensores passivos
Aplicvel apenas a para-raios novos
Corrente de fuga resistiva mtodo A1
(13)
Necessita sinal da tenso aplicada ao
para-raio (TP ou similar)
(13)
Necessita capacitor de referncia
conectado alta tenso
(13)
Necessita dados de cada modelo,
fabricante e lote de blocos no-lineares
Corrente de fuga resistiva mtodo B3
(13)
Corrente de fuga resistiva mtodo C
(13)
3 harmnica da corrente de fuga
mtodo B1 (13)
- Sujeito a erros devido a harmnicos na
tenso.
- Insensvel a defeitos que no alterem a
de O
2
e alteraes mecnicas
mtodo B2 (13)
Insensvel a defeitos que no alterem a
de O
2
e alteraes mecnicas

54

mtodo A4 (13)
- Necessita correntes capacitivas
equilibradas nas 3 fases.
- Sujeito a erros devido a harmnicos na
tenso.
- Insensvel a defeitos que no alterem a
de O
2
e alteraes mecnicas.

5.2. Caractersticas desejveis do novo mtodo

Buscando atender a necessidade apresentada acima, ser proposto a seguir um novo
mtodo de diagnstico de estado de para-raios, com as seguintes caractersticas principais:

Aplicvel em tempo real, com o equipamento em operao normal, e contnua, sem
necessidade de intervenes manuais peridicas;
Imune s interferncias eletromagnticas normalmente encontradas em subestaes de
alta tenso;
Imune existncia de harmnicos na tenso do sistema;
Aplicvel tanto a para-raios de SiC como de ZnO;
Aplicvel tanto a para-raios novos como j em operao;
Sensvel e capaz de diagnosticar os modos de falha mais comuns encontrados nesses
dois tipos de para-raios;
Monitorao baseada em medio de fcil obteno, portanto sem necessidade de
sinais adicionais que podem ser difceis de obter nas subestaes (medio de tenso
por TP, por exemplo).

5.3. Monitorao de capacitncia e resistncia equivalentes

O mtodo proposto consiste na monitorao da capacitncia e da resistncia equivalentes
do para-raio, conforme definidos no Captulo 3.1 para os para-raios de SiC e Captulo 3.2 para
os de ZnO.

55

O clculo desses parmetros capacitncia e resistncia equivalentes ser baseado
apenas na medio da corrente de fuga dos para-raios, sendo a forma de viabilizar esse
clculo sem lanar mo da medio de tenso do sistema explanada mais adiante.
A seguir so detalhadas as influncias que diferentes tipos de defeito no para-raio tm nos
parmetros capacitncia equivalente e resistncia equivalente, para as tecnologias de SiC e
ZnO.

5.3.1. Capacitncia e resistncia equivalentes de para-raios de SiC

Como demonstrado no captulo 3.1, um para-raio de SiC, em regime permanente, pode ser
representado por um modelo eltrico simplificado, que pode ser empregado para obteno de
um modelo reduzido, reproduzidos por convenincia na Figura 12 a seguir, partes (a) e (b)
respectivamente, onde:
C
SGi
capacitncia do conjunto de centelhadores i, com i de 1 a n;
R
EQi
o resistor de equalizao do conjunto i, com i de 1 a n;
C
SG
a capacitncia equivalente do modelo reduzido;
R
EQ
a resistncia equivalente do modelo reduzido.

Com base nesses modelos eltricos, possvel simular a ocorrncia de diferentes tipos de
defeitos no para-raio de SiC e observar seus efeitos na capacitncia e resistncia equivalentes
C
SG
e R
EQ
, que so os parmetros que se pretende monitorar com a nova tcnica de
diagnstico proposta.

56

(a) (b)

Figura 12 Modelos eltricos de um para-raio de SiC em regime permanente. (a) Modelo
simplificado; (b) Modelo reduzido.

As simulaes dessas condies de falha so demonstradas nos captulos seguintes,
utilizando-se as caractersticas eltricas de para-raios reais, obtidas a partir dos diversos
ensaios relatados na referncia (6), realizados em um total de 12 (doze) para-raios de SiC,
sendo 6 (seis) de um fabricante, denominado A, com classe de tenso 88 kV, e 6 (seis) de
outro fabricante, denominado B, com classe de tenso 138 kV, como j mostrado no
captulo 4.3.7.4 e na Tabela 3.
Mais especificamente, sero utilizados os dados dos para-raios da marca B, pelo fato de
que algumas das amostras (B1, B2 e B4) foram encontradas em condies aparentemente
boas, sendo aprovadas nos ensaios e inspees realizados. Dentre essas, a amostra B1 foi a
que apresentou melhores resultados, alm de ter sido submetida a desmontagem para inspeo
interna (B2 e B4 no foram desmontadas) e encontrada tambm em bom estado. Assim, a
amostra B1 ser utilizada nesse trabalho como referncia de para-raio em bom estado, para
comparao com as demais.
As capacitncias equivalentes e resistncias equivalentes para os seis para-raios ensaiados
so mostrados na Tabela 6 a seguir, juntamente com as medies de correntes de fuga e
ngulos de defasagem utilizados para seus clculos.

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d
e

S
i
C

d
o

f
a
b
r
i
c
a
n
t
e

B
,

a
m
o
s
t
r
a
s

B
1

a

B
6
,

e
n
s
a
i
a
d
o
s

n
a

r
e
f
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r
n
c
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a

(
6
)

N
o
t
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:

*
*

E
n
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u

i
n
s
p
e
e
s

n
o

r
e
a
l
i
z
a
d
o
s

58

Tabela 6Na Tabela 6 esto salientados em laranja os casos em que a capacitncia e/ou a
resistncia equivalente apresentaram desvios significativos em relao aos valores da amostra
de referncia B1.
A partir da fotografia de um desses para-raios desmontado para inspeo interna, mostrada
na Figura 13 a seguir, podemos observar que os mesmos so compostos por um total de 6
(seis) conjuntos de centelhadores em srie (a), sendo que cada conjunto, por sua vez,
composto por diversos centelhadores em srie, com um nico resistor de equalizao para
cada conjunto de centelhadores (b).

(a)

(b)
Figura 13 Configurao interna dos para-raios do fabricante B. (a) Conjuntos de
centelhadores e blocos de SiC em srie; (b) Detalhe de um conjunto de centelhadores. Fonte:
(6)

Adaptando o modelo eltrico genrico da Figura 12 para esse arranjo especfico obtemos o
modelo especfico da Figura 14 a seguir, no qual foi considerado que os seis conjuntos de
centelhadores so idnticos. Embora a observao da fotografia na Figura 13.(a) permita
observar que existem diferenas entre os seis conjuntos de centelhadores, tal simplificao
no invalida o modelo eltrico para os objetivos desse trabalho, que demonstrar os efeitos de
diversos tipos de defeitos nos parmetros eltricos equivalentes.
Blocos de SiC Conjuntos de centelhadores Blocos de SiC
Bobina auxiliar de extino
Resistor de equalizao

59

Partindo dessa premissa e utilizando os parmetros do modelo reduzido mostrados na
Tabela 6, cada um dos seis conjuntos de centelhadores pode ser representado pela
capacitncia C
SGi
e pela resistncia R
EQi
, conforme abaixo:
C
SGi
= 9,3 . 6
C
SGi
= 55,8 pF
R
EQi
= 934 / 6
R
EQi
= 155,7 M
Onde i vai de 1 a 6.

Figura 14 Modelo eltrico dos para-raios de SiC do fabricante B ensaiados na referncia (6).

60

5.3.1.1.Desconexo de resistores de equalizao

Na desmontagem de 3 (trs) para-raios do fabricante B, amostras B1, B3 e B5, conforme
reportado em (6), foi encontrado que a amostra B3 tinha o suporte do resistor de equalizao
de um dos blocos de centelhadores quebrado, como mostra a Figura 15 abaixo.

Figura 15 Suporte do resistor de equalizao quebrado encontrado durante inspeo interna
do para-raio B3. Fonte: (6)

De forma similar, a amostra B5 foi encontrada com diversos conjuntos de centelhadores
quebrados, mostrados na Figura 16 abaixo.

Figura 16 Conjuntos de centelhadores quebrados encontrado durante inspeo interna do
para-raio B5. Fonte: (6)

Os achados dessas inspees evidenciam a possibilidade de ocorrer a desconexo de um
ou mais resistores de equalizao de potencial dos centelhadores em para-raios de SiC. Como
causas hipotticas para esse tipo de defeito poderiam ser citados esforos mecnicos, devido a

61

campos magnticos elevados, causados por correntes de descarga de vrios kA, e os esforos
trmicos a que os centelhadores so submetidos quando da ocorrncia de descargas, alm de
danos causados por impactos durante o transporte, por exemplo.
Os efeitos da desconexo de um, dois ou trs resistores de equalizao sobre os
parmetros eltricos do para-raio so mostrados na Tabela 7 a seguir, onde observamos
elevaes da ordem de 20 %, 50 % e 100% na resistncia equivalente, com praticamente
nenhuma alterao na capacitncia equivalente em relao aos valores iniciais da Tabela 6. A
Figura 17, abaixo, ilustra a desconexo de um resistor no segundo conjunto de centelhadores,
mas o efeito o mesmo independente do conjunto afetado.

Figura 17 Para-raio de SiC do fabricante B (6) com um resistor de equalizao desconectado

62

Tabela 7 Parmetros eltricos de para-raio de SiC do fabricante B (6) com simulao de
desconexo de um, dois ou trs resistores de equalizao

Parmetro
Um resistor
desconectado
Dois resistores
desconectados
Trs resistores
desconectados
Valor Alterao Valor Alterao Valor Alterao
C
SG
(pF) 9,42 + 1,3 % 9,49 + 2,1 % 9,51 + 2,3 %
R
EQ
(M) 1123,7 + 20,3 % 1415,5 + 51,6 % 1911,6 + 104,7 %

Os resultados de simulaes so compatveis com os valores calculados a partir das
medies efetuadas para as amostras B3 e B5, mostrados na Tabela 6, que apresentavam
capacitncias de 8,1 e 9,9 pF, praticamente inalteradas em relao amostra de referncia B1
(9,3 pF), porm com resistncias bem mais elevadas: 1677 M e 2188 contra 934 M da
amostra B1.
Esses resultados indicam possvel desconexo de dois resistores de equalizao na
amostra B3 e trs na amostra B5.
Conclui-se, portanto, que o parmetro resistncia equivalente sensvel a este tipo de
defeito nos para-raios de SiC.

5.3.1.2.Resistores de equalizao alterados

Aps a desmontagem do para-raio B5, reportada em (6), foi levantada a curva V-I de cada
um de seus resistores de equalizao, sendo os resultados para trs deles mostrados na Figura
18 a seguir.

63

Figura 18 Curva V-I dos resistores de equalizao 1, 5 e 6 do para-raio B5. Fonte: (6)

Esses resistores tm caracterstica no-linear, que pode ser aproximada ao formato da
equao (10).

(10)

Onde: U a tenso aplicada ao resistor de equalizao;
a corrente que circula pelo resistor de equalizao;
uma constante, determinada pela geometria (comprimento e rea) do
resistor;
uma constante que expressa o grau de no linearidade do resistor,
determinada pelas caractersticas do material usado na sua fabricao.

O ajuste das constantes da equao (10) aos dados da Figura 18 resultou nos expoentes
mostrados na Tabela 8 a seguir. Foram utilizadas somente as medies nas tenses de 4, 6 e 8
kV, desprezando-se a medio em 2 kV, de forma a obter uma curva mais representativa da
operao do resistor com o para-raio na sua tenso nominal, da ordem de 13 kV por resistor
(80 kV divididos por seis). As diferenas em relao s constantes obtidas por (6) so devidas
principalmente ao uso em (6) de todas as medies para o clculo das constantes.

64

Tabela 8 Constantes para ajuste da equao (10) aos resistores no-lineares do para-raio B5
(6)

Constante Resistor 1 Resistor 5 Resistor 6
k 3,1682 1,5698 4,3302
n 0,2917 0,3569 0,3034

Observa-se que, para os resistores 1 e 6, foram obtidos valores praticamente idnticos para
o expoente n, cerca de 0,3, conforme esperado, j que todos os resistores so feitos do mesmo
material. As diferenas na constante k so devidas s diferenas dimensionais entre os
resistores. Segundo (6), os ensaios realizados em outros seis resistores equalizadores
resultaram tambm em curvas muito similares s dos resistores 1 e 6.
J para o resistor 5 observa-se expoente n cerca de 20% maior, da ordem de 0,36, o que
no seria esperado. Observa-se tambm que a constante k tem valor bastante inferior aos
outros dois resistores, o que resulta em valores de corrente cerca de 5 vezes maiores para um
mesmo valor de tenso aplicada ao resistor 5 (reduo de 80% na resistncia em relao ao
valor original). Isso indica a ocorrncia de algum tipo de degradao no resistor 5 ao longo da
operao do para-raio B5, no observada nos outros oito resistores ensaiados, possivelmente
causada por correntes de descarga muito elevadas, j que no foi constatada presena de
umidade nesse para-raio.
As constataes acima exemplificam outro tipo de defeito possvel em para-raios de SiC,
que a alterao de valor de um ou mais resistores equalizadores. As simulaes dos efeitos
de alteraes de valor de um dos resistores de equalizao sobre os parmetros eltricos do
para-raio so mostrados na Tabela 9 a seguir, supondo cenrios de reduo de 40% e 80% na
resistncia. So observadas redues de 9% e 25% aproximadamente na resistncia
equivalente, com aumentos moderados na capacitncia em relao aos valores iniciais da
Tabela 6.

65

alteraes em um dos resistores de equalizao

Parmetro
Reduo de 40 % em um dos
resistores de equalizao
Reduo de 80 % em um dos
Valor Alterao Valor Alterao
C
SG
9,34 pF + 0,5 % 10 pF + 7,5 %
R
EQ
846,2 M - 9,4 % 696,9 M - 25,4 %

defeito nos para-raios de SiC, assim como o parmetro de capacitncia equivalente, de forma
moderada, apenas em caso de grandes redues no valor do resistor de equalizao.
Apesar de ter um de seus resistores de equalizao claramente alterado, os resultados das
simulaes na Tabela 9 no se refletiram com os valores calculados a partir das medies
efetuadas na amostra B5 antes de sua desmontagem, mostrados na Tabela 6.
Isso se deve, muito provavelmente, sobreposio com outro defeito na amostra B5, que
a existncia de diversos conjuntos de centelhadores quebrados, com provvel ocorrncia de
resistores de equalizao desconectados, como j demonstrado no captulo 5.3.1.1.

5.3.1.3.Mdulo centelhador em curto-circuito

Como exposto no captulo 5.3.1.1, danos mecnicos aos conjuntos de centelhadores
podem levar desconexo acidental de seus resistores equalizadores. Da mesma forma,
possvel supor a possibilidade de que um ou mais centelhadores entrem em curto-circuito.
Isso poderia ser causado, por exemplo, pela quebra ou deslocamento dos espaadores
isolantes dos centelhadores.
Os efeitos do curto-circuito de um ou dois dos conjuntos de centelhadores sobre os
parmetros eltricos do para-raio do fabricante B (6) so mostrados na Tabela 10 a seguir,
onde observamos elevao de 20% e 50% na capacitncia equivalente, respectivamente,
simultaneamente a redues de aproximadamente 17% e 33% na resistncia equivalente,
tomando sempre como referncia os valores iniciais da Tabela 6.

66

curto-circuito de um ou dois conjuntos de centelhadores

Parmetro
Um centelhador em curto-
circuito
Dois centelhadores em curto-
circuito
C
SG
11,2 pF + 20% 14 pF + 50%
R
EQ
778,3 M - 16,7% 622,7 M - 33,3%

Na eventualidade de um curto-circuito de dois conjuntos de centelhadores, de um total de
seis, como simulado acima, os quatro conjuntos restantes passam a dividir a tenso aplicada
aos terminais do para-raio, que antes era dividida por seis conjuntos. Dessa forma, cada
conjunto restante submetido a uma tenso 50% maior, mais que dobrando a potncia
dissipada por seus resistores de equalizao (1,5
2
= 2,25).
Com isso, razovel supor que esses resistores venham a sofrer degradao e alterar seus
valores, de forma similar ao observado na inspeo do para-raio B5 (6), relatado no captulo
5.3.1.2 acima, em que um resistor de equalizao foi encontrado com resistncia cerca de
80% menor que os demais.
A simulao do resultado final dessa seqncia de eventos mostrada na Tabela 11
abaixo, com dois conjuntos de centelhadores em curto-circuito e, nos demais conjuntos de
centelhadores, dois resistores de equalizao com reduo de 80% na resistncia e um com
reduo de 70%.

curto-circuito de dois conjuntos de centelhadores e trs resistores de equalizao alterados

Parmetro
Dois centelhadores em curto-circuito e trs
resistores de equalizao alterados
Valor Alterao
C
SG
16,2 pF + 74,4 %
R
EQ
193,4 M - 79,3 %

67

Como resultado, a capacitncia equivalente elevou-se a cerca de 16 pF (aumento de 74%)
e a resistncia equivalente reduziu-se a cerca de 193 M (reduo de 80%), resultado muito
similar ao observado nos ensaios no para-raio B6, mostrados na Tabela 6.
No se pode afirmar, contudo, que seja exatamente essa a condio real desse para-raio,
pois o mesmo no foi desmontado para inspeo interna (6), e diversas outras combinaes de
defeitos poderiam levar a esses mesmos resultados.
Conclui-se, portanto, que os parmetros capacitncia e resistncia equivalentes so
sensveis a este tipo de defeito nos para-raios de SiC.

5.3.1.4.Entrada de umidade

A perda de estanqueidade e conseqente entrada de umidade so reportadas como uma das
principais causas de problemas em para-raios. Alm de causar a degradao dos elementos
internos em para-raios de SiC, como oxidaes, por exemplo, a presena de gua cria
caminhos paralelos para a circulao de corrente de fuga resistiva.
Essa condio pode ser simulada como uma reduo uniforme da resistncia de todos os
resistores de equalizao, uma vez que a princpio todos estaro expostos mesma umidade.
Isso resulta numa reduo de igual valor na resistncia equivalente, como ilustra o exemplo da
Tabela 12 abaixo, em que os resistores de equalizao foram reduzidos em 20%, resultando
em reduo tambm de 20% na resistncia equivalente, enquanto a capacitncia equivalente
permanece inalterada.

entrada de umidade

Parmetro
Entrada de umidade, reduo de 20% nos
Valor Alterao
C
SG
9,3 pF 0%
R
EQ
747,2 M - 20%

Esse pode ser o caso da amostra B4, como mostram os valores calculados a partir das
medies efetuadas, mostrados na Tabela 6, que apresenta capacitncia (8 pF) praticamente

68

inalterada em relao amostra de referncia B1 (9,3 pF), porm com resistncias
ligeiramente inferiores: 821 M contra 934 M da amostra B1.
Em casos como esse, em que a diferena relativamente pequena (-12%), a monitorao
contnua e em tempo real do parmetro permitiria observar se existe uma tendncia de
evoluo, comprovando a existncia de um defeito em evoluo no equipamento (entrada de
umidade), ou se h simplesmente uma diferena construtiva normal entre os para-raios.
defeito nos para-raios de SiC, principalmente se o diagnstico for feito com base na tendncia
de evoluo da resistncia. No entanto, como no existem dados de desmontagem do para-
raio da amostra B4 que permitam comprovar a hiptese de entrada de umidade, sugere-se que
em trabalhos futuros sejam realizados ensaios simulando essa condio para comprovao do
efeito final na resistncia equivalente.

5.3.1.5.Blocos de SiC ou outros componentes desconectados

A partir do modelo eltrico completo do para-raio de SiC, mostrado na Figura 4, observa-
se que a desconexo acidental de quaisquer dos elementos em srie com os centelhadores,
como os blocos de SiC e a bobina de extino de arco, fariam a corrente de fuga tender
teoricamente a zero na prtica, haveria grande reduo da corrente de fuga, que passaria a
ser ditada principalmente pelas capacitncias parasitas do ponto de desconexo.
Um defeito desse tipo, que poderia ser causado, por exemplo, por danos mecnicos ao
equipamento, seria enxergado no modelo reduzido como uma grande reduo da capacitncia
equivalente, que tenderia ao valor das capacitncias parasitas do ponto de desconexo.
Dessa forma, verifica-se que o parmetro capacitncia equivalente sensvel a este tipo de
defeito nos para-raios de SiC.

5.3.1.6.Alteraes nos blocos de SiC

Como exposto no captulo 3.1, os blocos de carboneto de silcio tem resistncia
comparativamente muito menor que os blocos de centelhadores e suas resistncias de
equalizao. Por isso, os mesmos no tm praticamente influncia sobre a corrente de fuga e
sobre os parmetros capacitncia equivalente e resistncia equivalente do modelo eltrico
reduzido.

69

Dessa forma, esses parmetros no se mostram sensveis a eventuais alteraes na curva
V-I dos blocos de SiC.
No entanto, os principais fatores que causam deteriorao dos blocos de SiC, como a
perda de estanqueidade com ingresso de umidade e as correntes de descarga elevadas, tendem
a causar alteraes tambm nos resistores de equalizao, como citado no captulo 5.3.1.2,
alm de causar a circulao de corrente resistiva por caminhos paralelos a estes, como
menciona o captulo 5.3.1.4.
Com isso, existe a possibilidade de que esses fatores, se levarem degradao dos blocos
de SiC, sejam detectados a partir da deteriorao causada em outros elementos do para-raio.
Cumpre ressaltar que, devido a essa caracterstica de baixa impedncia dos blocos de SiC,
outras tcnicas de diagnstico, como as medies de terceiro harmnico da corrente de fuga e
de temperatura por termoviso tm exatamente a mesma dificuldade em detectar a degradao
dos mesmos.
A anlise do modelo eltrico do para-raio de SiC permite concluir que as medies de
terceira harmnica na corrente de fuga obtidas na referncia (6) so geradas pelos resistores
de equalizao no-lineares, e no pelos blocos de SiC, assim como as elevaes de
temperatura observadas.

5.3.2. Capacitncia e resistncia equivalentes de para-raios de ZnO

Como demonstrado no captulo 3.2, um para-raio de ZnO em regime permanente pode ser
representado por um modelo eltrico completo, que pode ser empregado para obteno de um
modelo reduzido, reproduzidos por convenincia na Figura 19 a seguir, partes (a) e (b)
respectivamente, onde:
C
Bj
a capacitncia do bloco de xido de zinco j, com j variando de 1 a m;
R
Bj
a resistncia do bloco de xido de zinco j, com j variando de 1 a m;
C
B
a capacitncia equivalente do modelo reduzido;
R
B
a resistncia equivalente do modelo reduzido.

Com base nesses modelos eltricos, possvel simular a ocorrncia de diferentes tipos de
defeitos no para-raio de ZnO e observar seus efeitos na capacitncia e resistncia equivalentes
C
B
e R
B
, que so os parmetros que se pretende monitorar com a nova tcnica de diagnstico
proposta.

70

(a) (b)

Figura 19 Modelos eltricos de um para-raio de ZnO em regime permanente. (a) Modelo
completo; (b) Modelo reduzido.

As simulaes dessas condies de falha so demonstradas nas sees seguintes,
utilizando-se as caractersticas eltricas aproximadas de um para-raio real, obtidas a partir dos
testes reportados na referncia (12), realizados em um para-raio de ZnO, como j citado no
captulo 3.2.
Onde dados de ensaios em para-raios reais com defeitos estiverem disponveis, estes sero
apresentados para ilustrao. Caso contrrio, as situaes de falhas sero apenas simuladas.
Os parmetros capacitncia equivalente e resistncia equivalente para um para-raio em
bom estado so os j mostrados na Tabela 2, reproduzida a seguir na Tabela 13 por
convenincia.

Tabela 13 Parmetros eltricos equivalentes para o para-raio de ZnO ensaiado na referncia
(12)

Para-raio de 266 kV
C
B
15,9 pF
R
B
5320 M

No existem dados disponveis a respeito da forma construtiva do para-raio ensaiado na
referncia (12), principalmente o nmero de blocos de ZnO que o compe. No entanto, de
acordo com a referncia (8), um para-raio desse nvel de tenso (266 kV fase-terra, tenso do

71

sistema 420 kV fase-fase) constitudo por cerca de 66 blocos de ZnO em srie. Dessa forma,
o ndice m dos parmetros da Figura 19 igual a 66.
Partindo dessa premissa, cada um dos 66 blocos de ZnO representado pela capacitncia
C
Bi
de 1,05 nF e pela resistncia R
Bi
de 80,6 M, o que resulta nos parmetros do modelo
reduzido mostrados na Tabela 13.

5.3.2.1.Blocos de ZnO alterados

Vrios fatores podem causar a degradao dos blocos de ZnO de um para-raio, como a
ocorrncia de descargas com energia superior quela para a qual os blocos foram projetados, a
reduo de oxignio nas suas bordas ou os estresses causados pela tenso do sistema aplicada
aos blocos, nas primeiras geraes de para-raios de ZnO (27).
Essas deterioraes causam alteraes na curva V-I do para-raio, como ilustra a Figura 20
abaixo (27), de forma que a corrente de fuga resistiva tende a aumentar para um mesmo valor
de tenso aplicada.
Segundo (27), alteraes causadas por reduo de oxignio no seriam detectadas pela
monitorao da terceira harmnica da corrente de fuga, pois como mostra a Figura 20, a curva
V-I se desloca, mas no altera sua inclinao, de forma que a componente fundamental da
corrente resistiva aumenta, mas a componente de terceiro harmnico permanece constante.

Figura 20 Alterao da curva V-I de para-raios de ZnO. Fonte: (27)

U / Uc [p.u.]
C
o
r
r
e
n
t
e

(
m
A
)
Varistor degradado por
reduo de oxignio
Varistor degradado por
alto estresse de impulso
Varistor novo

72

As simulaes de dois cenrios, um com reduo de 30% na resistncia de cerca de
metade dos blocos do para-raio (35 blocos) e outro com reduo de 70% da resistncia de
10% dos blocos (7 blocos) so mostradas na Tabela 14 abaixo.
Em ambos os casos so observadas redues da ordem de 20% na resistncia equivalente,
sem alteraes na capacitncia em relao aos valores iniciais da Tabela 13.

Tabela 14 Parmetros eltricos de para-raio de ZnO com simulaes de alteraes nos
blocos no-lineares

Parmetro
Reduo de 30% em 35 blocos Reduo de 70% em 7 blocos
C
B
15,9 pF 0% 15,9 pF 0%
R
B
4335 M - 18,5% 4270 M - 19,7%

A referncia (37) apresenta diversos dados de ensaios em blocos varistores individuais,
utilizados para a construo de para-raios comerciais para sistemas de transmisso, que
corroboram os efeitos de blocos de ZnO alterados sobre a resistncia equivalente do para-raio.
Nesses ensaios foram utilizados 14 blocos de ZnO com as caractersticas mostradas na
Tabela 15 abaixo.

Tabela 15 Caractersticas dos blocos de ZnO usados nos ensaios da referncia (37)

Caracterstica Especificao
Tenso Nominal 4,0 kVrms
Mxima tenso contnua de operao (MCOV) 3,4 kVrms
Corrente de descarga nominal 10,0 kA
Corrente de referncia (Iref) 1,0 mA
Tenso de referncia mnima (Irefm) 4,2 kVrms
Tenso residual mdia 12,0 kV
Classe de descarga de linhas de transmisso Classe 1

Diferentes tipos de estresses de degradao foram aplicados em amostras distintas dos
blocos de ZnO, conforme detalhado na Tabela 16, a seguir.

73

Tabela 16 Estresses de degradao aplicados aos blocos de ZnO da referncia (37)

Estresse Caractersticas
Amostras
submetidas
Degradao por
ciclos de impulsos
atmosfricos
4 grupos de quinze impulsos, cada um com:
- Correntes de pico 10 kA nos grupos 1 e 3
- Correntes de pico 15 kA nos grupos 2 e 4
- Formato 8/20 s
- Intervalos da ordem de 1 minuto entre impulsos
5
6
16
22
Degradao por
impulsos de
mltiplas descargas
6 grupos de 5 impulsos, cada um com:
- Pico 10 kA, 8/20 s
- Intervalo entre impulsos 20 a 40 ms
Intervalos da ordem de 1 minuto entre grupos
10
11
12
13
Degradao por
impulsos de corrente
suportvel de longa
durao
6 grupos de trs impulsos, cada um com:
- Energia 5,44 kJ (1,36 kJ/kV)
- Durao virtual de crista 2000 s
- Intervalos da ordem de 1 minuto entre impulsos
Resfriamento temperatura ambiente entre grupos
8
20
29
30

Antes e aps os ensaios de degradao, as mesmas amostras listadas na Tabela 16 foram
submetidas aos seguintes ensaios no destrutivos, a fim de verificar a degradao ocorrida nas
amostras devido aos estresses aplicados, com exceo das amostras 8, 13 e 22, que foram
submetidas a ensaios metalogrficos (37):

Curva caracterstica V-I, de 0,4 a 4,2 kVrms
Curva caracterstica V-C (tenso-capacitncia), de 0,4 a 4,2 kVrms
Curva caracterstica V-TanD (tenso-tangente delta), de 0,4 a 4,2 kVrms
Tenso residual corrente de descarga nominal (10 kA)
Tenso de referncia corrente de referncia (1 mA)
Corrente de polarizao e despolarizao.

Durante a aplicao dos seus respectivos estresses de degradao, conforme Tabela 16, as
amostras 5, 16, 22, 10 e 12 sofreram descargas na superfcie lateral do bloco, e por isso no
tiveram a curva caracterstica V-I levantada aps a degradao (37). No entanto, as curvas
caractersticas V-C e V-TanD foram levantadas, aps a degradao, para os valores iniciais de

74

tenso (37), o que fornece informaes interessantes a respeito dos efeitos das degradaes na
capacitncia equivalente e na resistncia equivalente dos para-raios, uma vez que a tangente
delta a razo entre a componente resistiva e a capacitiva do bloco, sendo diretamente
proporcional, portanto, corrente resistiva deste, como mostra a Figura 21.
Os principais resultados de medies de capacitncia e tangente durante o levantamento
das curvas V-C e V-TanD antes e aps o estresse das amostras 5, 16, 10 e 12, que sofreram
descarga na superfcie lateral do bloco (37), so mostrados nas Tabelas 17, 18, 19 e 20 a
seguir, juntamente com a variao percentual desses parmetros.

Tabela 17 Variao de capacitncia e tangente delta do bloco 5 antes e aps descarga na sua
lateral (37).

Tenso
(kV)
Capacitncia Tangente Delta
Antes
(pF)
Depois
(pF)
Variao
Antes
(pu)
Depois
(pu)
Variao
0,4 167,5 180,0 +7,5 % 0,033 0,063 +90,9 %
0,8 165,7 188,3 +13,6 % 0,033
0,112
+239 %
3,4
(MCOV)
149,4 - - 0,088 - -
3,6 149,2 - -
0,110
- -
4,0
(Un)
150,7 - - 0,206 - -

Figura 21 Tangente Delta dos blocos de ZnO

I
C

I
R

I
FUGA

tan = I
R
/ I
C

75

Enquanto as variaes de capacitncia da amostra 5 aps a degradao foram modestas,
digna de nota a grande variao na tangente delta, mais de 3 vezes o valor original com
apenas 0,8 kV. Observar tambm que com apenas 0,8 kV o valor da tangente delta j era
superior ao que era observado com 3,6 kV, maior que a tenso contnua de operao (3,4 kV).
Esses resultados indicam a grande elevao ocorrida na corrente resistiva do para-raio, e,
portanto, a grande reduo ocorrida em sua resistncia equivalente, como predito pelas
simulaes com o modelo simplificado para o caso de alteraes nos blocos de ZnO, como
mostrado na Tabela 14.

Tabela 18 Variao de capacitncia e tangente delta do bloco 16 antes e aps descarga na
sua lateral (37).

Tenso
(kV)
Antes
(pF)
Depois
(pF)
Variao
Antes
(pu)
Depois
(pu)
Variao
0,4 207,4 281,9 +35,9 % 0,027 0,559 +1970 %
0,8 207,2 279,0 +34,7 % 0,030 1,110 +3600 %
3,4
(MCOV)
187,6 - - 0,093 - -
3,6 185,5 - - 0,111 - -
4,0
(Un)
188,2 - - 0,205 - -

De forma similar ao ocorrido na amostra 5, a amostra 16 tambm apresenta variaes
modestas nas capacitncias e alteraes muito grandes na tangente delta, porm bem mais
acentuadas que as verificadas na amostra 5. Com apenas 0,4 kV a tangente delta j era
superior verificada anteriormente tenso nominal de 4 kV, atingindo valores 37 vezes os
originais.
Portanto, a amostra 16 confirma tambm a reduo na resistncia equivalente do para-raio
causada por alteraes nos blocos de ZnO.
Tanto a amostra 5 quanto a 16 sofreram deteriorao devido aplicao de ciclos de
impulsos atmosfricos com picos de at 15 kA, superiores, portanto, corrente de descarga
nominal de 10 kA, simulando degradaes que podem ocorrer nas aplicaes reais.

76

sua lateral (37).

Tenso
(kV)
Antes
(pF)
Depois
(pF)
Variao
Antes
(pu)
Depois
(pu)
Variao
0,4 161,0 145,6 -9,6 % 0,031 0,038 +22,6 %
0,8 161,0 154,3 -4,2 % 0,034 0,166 +388 %
1,2 160,8 163,6 +1,7 % 0,038 0,342 +800 %
3,4
(MCOV)
147,7 - - 0,092 - -
3,8 147,9 - - 0,142 - -
4,0
(Un)
149,9 - - 0,211 - -
4,2 152,5 - - 0,319 -

sua lateral (37).

Tenso
(kV)
Antes
(pF)
Depois
(pF)
Variao
Antes
(pu)
Depois
(pu)
Variao
0,4 163,2 141,7 -13,2 % 0,028 0,036 +28,6 %
0,8 163,1 147,0 -9,9 % 0,031 0,072 +132,3 %
3,2 149,4 - - 0,073 - -
3,4
(MCOV)
148,4 - - 0,086 - -
4,0
(Un)
149,7 - - 0,200 - -

De forma similar ao observado nas amostras 5 e 16, a amostra 10 apresentou aumento
significativo em sua tangente delta aps a ocorrncia de descarga em sua superfcie lateral,
800% em comparao com o valor original. Foram observadas tambm redues na

77

capacitncia nos mesmos valores de tenso, sem uma explicao aparente, mas que no
invalidam a constatao de reduo da resistncia equivalente aps a degradao da amostra.
Apesar de ter apresentado variaes menores aps a degradao quando comparada s
amostras 5, 16 e 10, constata-se tambm na amostra 12 incremento aprecivel na tangente
delta. Isso fica claro ao se observar que com apenas 0,8 kV a tangente delta j tinha valor
igual ao obtido anteriormente com 3,2 kV, j prximo da tenso mxima para operao
contnua. Embora no tenha sido medido nesse ensaio, fica claro que quando submetida s
tenses normais de operao, essa amostra, assim como as demais, apresentaria valores de
tangente delta extremamente altos.
Portanto, as amostras 10 e 12 confirmam tambm a reduo na resistncia equivalente do
para-raio causada por alteraes nos blocos de ZnO. Ambas as amostras sofreram
deteriorao devido aplicao de impulsos de mltiplas descargas, com picos de corrente de
10 kA, dentro do limite nominal dos blocos, porm uma elevada taxa de repetio, simulando
degradaes que podem ocorrer nas aplicaes reais.
Alm dos desgastes decorrentes diretamente das sobretenses e sobrecorrentes a que
foram submetidas, as amostras 5, 16, 10 e 12 sofreram tambm com uma descarga em sua
superfcie lateral.
A descarga lateral no ocorreu com as amostras 6, 11, 20, 29 e 30, cujas variaes de
capacitncia e tangente delta so apresentadas de forma resumida nas Tabelas 21 e 22 a
seguir.

Tabela 21 Variaes de capacitncia dos blocos 6, 11, 13, 20, 29 e 30 aps estresses (37).

Tenso
(kV)
Variaes de capacitncia (%)
Amostra
6
Amostra
11
Amostra
20
Amostra
29
Amostra
30
0,4 +0,5 -9,7 0,0 +0,8 +9,9
0,8 +1,2 -9,7 +0,1 +0,7 +9,9
3,4
(MCOV)
+2,4 -5,5 +0,6 -1,4 +9,4
3,6 +2,4 -5,4 -0,1 -0,8 +9,6
4,0
(Un)
+2,7 -4,8 -0,4 -0,9 +9,8

78

Tabela 22 Variaes de tangente delta dos blocos 6, 11, 13, 20, 29 e 30 aps estresses (37).

Tenso
(kV)
Variaes de Tangente Delta (%)
Amostra
6
Amostra
11
Amostra
20
Amostra
29
Amostra
30
0,4 +4,2 +4,3 -7,7 -4,2 0,0
0,8 +23,1 +7,7 -6,9 -7,1 -3,6
3,2 +70,5 +16,3 +2,2 -3,4 +6,4
3,4
(MCOV)
+62,6 +11,0 +1,8 -2,8 +7,0
4,0
(Un)
+59,1 +6,0 +0,5 -2,0 +2,3

Conforme seria esperado para o tipo de estresse aplicado s amostras 6, 11, 20, 29 e 30, as
capacitncias no apresentaram variaes importantes, sendo difcil afirmar se as mesmas
realmente refletem alteraes nos blocos de ZnO ou se so devidas s imprecises e
incertezas da medio.
O mesmo ocorre com as medies de tangente delta das amostras 20, 29 e 30. J as
amostras 6 e 11, apesar de apresentarem mudanas modestas ou pequenas na tangente delta,
tiveram variaes coerentes com os resultados observados nas amostras em que houve
descarga lateral, com destaque para a amostra 6.
Essa concluso se baseia no fato de que, dos 3 tipos de estresses de degradao utilizados,
os que se basearam em corrente suportvel de longa durao no causaram descarga lateral
em nenhuma amostra. coerente, portanto, que as amostras 20, 29 e 30 no apresentem
qualquer sinal de alterao nas medies de capacitncia e tangente delta, o que indica que
esse tipo de estresse no tem grande poder de degradao para o tipo de bloco de ZnO
ensaiado.
A amostra 6, pertencente ao grupo em que 3 das 4 amostras estressadas apresentaram
descarga lateral, apesar de ser a nica a escapar ilesa, apresentou variao visvel na
tangente delta, superior a 60 % na tenso mxima de operao contnua. provvel que, se a
mesma continuasse a ser submetida a estresses, o aumento da tangente delta (e a reduo da
resistncia equivalente) evolusse acentuadamente, o que seria detectado pela nova tcnica de
diagnstico proposta nesse trabalho.

79

J a amostra 11, pertencente ao grupo em que 2 das 4 amostras apresentaram descargas
laterais, apresentou alteraes visveis, porm pequenas na tangente delta, o que coerente
com o fato de ser esse um tipo de estresse um pouco menos exigente para os mdulo de ZnO
empregados (50% das amostras apresentaram descarga).
Portanto, com base nas simulaes efetuadas e nos resultados de ensaios com blocos de
ZnO da referncia (37), possvel concluir que o parmetro resistncia equivalente sensvel
a defeitos que causem alteraes nos para-raios de ZnO.
De forma complementar, interessante notar que os ensaios de tenso residual realizados
antes e aps as degradaes (37) comprovam que as alteraes na curva V-I dos para-raios
ocorre na sua regio linear, e no na regio de descarga, conforme afirma a literatura,
ilustrada pela Figura 22 abaixo.

Figura 22 Alterao na regio linear da curva V-I de para-raios de ZnO aps estresse. Fonte:
(37)

De fato, os resultados obtidos na referncia (37) mostram que os valores de tenso
residual antes e aps a degradao tm variaes desprezveis mesmo para os blocos que
apresentaram descarga pela superfcie lateral, como indicam os dados compilados na Tabela
23 a seguir.

80

Tabela 23 Variaes na tenso residual dos blocos antes e aps estresses (37).

Amostra
Tenso Residual a 10 kA
Antes
(kV)
Depois
(kV)
Variao
(%)
5 11,4 11,0 -3,5 %
16 10,9 10,7 -1,8 %
10 11,4 11,2 -1,8 %
12 11,3 10,8 -4,4 %

5.3.2.2.Entrada de umidade

A perda de estanqueidade e conseqente entrada de umidade so reportadas como uma das
principais causas de defeitos tambm nos para-raios de ZnO. Alm de causar a degradao
dos elementos internos, como oxidaes, por exemplo, a presena de gua cria caminhos
paralelos aos blocos para a circulao de corrente de fuga resistiva.
Segundo (27), esse tipo de defeito pode no ser detectado pela monitorao de terceira
harmnica da corrente de fuga, pois como o aumento da corrente no tem origem nos
resistores no-lineares, somente a componente fundamental da corrente resistiva alterada.
Essa condio pode ser simulada como uma reduo uniforme da resistncia de todos os
blocos de ZnO, uma vez que a princpio todos estaro expostos mesma umidade. Isso resulta
numa reduo de igual valor na resistncia equivalente, como ilustra o exemplo da Tabela 24
abaixo, em que os resistores de equalizao foram reduzidos em 20%, resultando em reduo
tambm de 20% na resistncia equivalente, enquanto a capacitncia equivalente permanece
inalterada.

81

Tabela 24 Parmetros eltricos de para-raio de ZnO com simulao de entrada de umidade

Parmetro
Entrada de umidade, reduo de 20% nos
Valor Alterao
C
B
15,9 pF 0%
R
B
4256 M - 20%

defeito nos para-raios de ZnO, principalmente se o diagnstico for feito com base na
tendncia de evoluo da resistncia. Considera-se que a alterao de 20% aqui simulada seja
modesta em relao a condies que podem ser encontradas em campo; no entanto, como no
existem dados de ensaios que permitam comprovar essa hiptese, sugere-se que em trabalhos
futuros sejam realizados ensaios simulando essa condio para comprovao do efeito final na
resistncia equivalente.

5.3.2.3.Blocos de ZnO ou outros componentes desconectados

A partir do modelo eltrico do para-raio de ZnO, mostrado na Figura 19, observa-se que a
desconexo acidental de qualquer elemento em srie no circuito faria a corrente de fuga
tender teoricamente a zero na prtica, haveria grande reduo no seu mdulo, que passaria a
ser ditada principalmente pelas capacitncias parasitas do ponto de desconexo.
Um defeito desse tipo, que poderia ser causado por danos mecnicos ao equipamento,
seria visto no modelo reduzido como uma grande reduo da capacitncia equivalente, que
tenderia ao valor das capacitncias parasitas do ponto de desconexo.
Dessa forma, verifica-se que o parmetro capacitncia equivalente sensvel a este tipo de
defeito nos para-raios de ZnO.

82

6. MTODO DE MONITORAO EM TEMPO REAL

Este captulo apresenta uma proposta de mtodo para viabilizar a monitorao em tempo
real dos parmetros capacitncia equivalente e resistncia equivalente dos para-raios, de
forma a permitir o diagnstico contnuo do estado desses equipamentos utilizando o novo
mtodo descrito no captulo 5.

6.1. Limitaes para medio de tenso

Como demonstrado no captulo 5.3, a monitorao dos parmetros capacitncia
equivalente e resistncia equivalente dos para-raios de SiC e ZnO em regime permanente
permite detectar os principais tipos de defeitos envolvendo esses equipamentos.
Isso foi demonstrado, no caso dos para-raios de SiC, utilizando dados de medies
realizadas em laboratrio, publicadas em (6). Nesse caso, o clculo da capacitncia e
resistncia foi realizado de forma simples, utilizando, as medies de corrente de fuga e da
tenso aplicada ao para-raio, alm do ngulo de defasagem entre ambas.
No entanto, para aplicaes de monitorao em tempo real de para-raios em campo essa
estratgia apresenta dificuldades, pelo fato da medio de tenso aplicada ao equipamento no
estar disponvel, e nos casos em que esteja, o acesso mesma pode implicar em custos que
inviabilizariam economicamente a monitorao.
Dificuldade muito semelhante enfrentada na monitorao em tempo real de buchas
capacitivas, onde se busca monitorar a capacitncia e a tangente delta (ou fator de potncia)
da isolao. Nessa aplicao, a barreira citada ultrapassada com o uso da tcnica da soma
vetorial das correntes de fuga (38), (39), (40).
Nesse trabalho se buscar aplicar, sem alteraes, uma tcnica j existente no mercado,
que a da soma vetorial das correntes de fuga. Para tanto, as correntes de fuga dos trs para-
raios das trs fases, que compe um conjunto trifsico, so medidas simultaneamente com o
objetivo de monitorar as alteraes dos parmetros equivalentes da isolao, capacitncia e
resistncia, sem a necessidade de medio da tenso do sistema.
Deve ser feita distino clara entre o mtodo aqui proposto e o mtodo de diagnstico A4
da norma IEC 60099-5 (13), que tambm monitora a soma das correntes de fuga, porm com
o objetivo de anular a componente capacitiva das correntes de fuga e medir a somatria das

83

componentes de terceiro harmnico. O mtodo aqui proposto tem filosofia de funcionamento
e objetivo distintos.

6.2. Soma vetorial das correntes de fuga

Quando a tenso do sistema aplicada a um para-raio, uma corrente de fuga passa a
circular atravs de sua isolao, devido principalmente sua capacitncia, e em menor
proporo, s suas perdas, representadas pela resistncia da isolao.
A Figura 23 ilustra esta situao. Nela podemos observar, atravs do modelo eltrico
reduzido de um para raio, que pode ser de SiC ou ZnO, a composio das componentes
capacitiva e resistiva da corrente para gerar a corrente de fuga medida para a monitorao.

Figura 23 Correntes de fuga capacitiva e resistiva em um para-raio energizado

Na Figura 23 temos:
a tenso do sistema, aplicada ao para-raio;
a capacitncia equivalente do para-raio, do modelo reduzido;
a resistncia equivalente do para-raio, do modelo reduzido;
a corrente capacitiva;
a corrente resistiva;
a corrente de fuga medida.

As medies das correntes de fuga em cada um dos trs para-raios do sistema trifsico,
bem como a somatria das trs correntes, so realizadas nos cabos de aterramento dos
equipamentos, por meio de transformadores de corrente (TCs) de janela, de forma a no
interferir no aterramento dos para-raios. Para isso, suas bases devem estar isoladas dos

84

suportes, para garantir que toda a corrente de fuga passe pelo cabo de aterramento e seja
medida.
Cuidados especiais devem ser observados quanto localizao dos TCs nos cabos de
aterramento, tendo em vista que os grampos de fixao dos cabos podem criar caminhos
paralelos de circulao das correntes de fuga para terra, inserindo erros nas medies; dessa
forma, os TCs devem estar localizados prximos do ponto de conexo dos cabos aos terminais
de aterramento dos para-raios, antes, portanto, do primeiro grampo.
Tambm devem ser tomadas medidas para eliminao de possveis erros nas medies das
correntes de fuga causados por acoplamentos capacitivos e/ou indutivos com os condutores de
alta tenso. Em algumas aplicaes pode ser necessrio o uso de blindagens metlicas e
magnticas nos TCs e nos cabos de medio.
Para utilizao nesse mtodo, apenas as componentes fundamentais de todas as correntes
medidas devem ser utilizadas. Para isso, as medies devem ser submetidas a filtragens
adequadas para eliminao de todas as componentes harmnicas das medies.
Como as trs correntes de fuga esto defasadas entre si em aproximadamente 120, e
normalmente tem a mesma ordem de magnitude, a somatria das trs correntes tende a
apresentar valor menor que as correntes de fuga individuais, como ilustrado na Figura 24.(a)
abaixo para uma dada condio inicial de capacitncias e resistncias.

(a) (b)

Figura 24 Correntes de fuga de trs para-raios em um sistema trifsico e sua somatria. (a)
Para uma dada condio inicial; (b) com alterao na capacitncia e resistncia equivalentes
do para-raio da fase A

Supondo agora que ocorra uma alterao na capacitncia e na resistncia do para-raio da
fase A, como mostrado na Figura 24.(b), com aumento de suas correntes de fuga capacitiva e
resistiva, a alterao ocorrida na corrente de fuga I
a
reflete-se de forma idntica na somatria
das correntes.

85

Com isso, temos uma nova corrente somatria, alterada em relao inicial tanto em
mdulo quanto em ngulo. Ao decompor o vetor resultante da diferena entre a corrente
somatria final e a inicial nos eixos correspondentes tenso da mesma fase e no eixo
ortogonal a este, obtemos dois vetores que so proporcionais s alteraes, respectivamente,
na resistncia e na capacitncia do para-raio.
Como, na realidade, as tenses do sistema no esto disponveis para o sistema de
monitorao, a decomposio do vetor de alterao na corrente somatria, citada acima, pode
ser efetuada tomando como referncia o conjunto de correntes de fuga dos trs para-raios, que
permite estimar o ngulo das tenses. Contribui para o sucesso dessa estratgia o fato das
correntes de fuga serem predominantemente capacitivas, adiantadas, portanto, cerca de 90
graus eltricos em relao s suas respectivas tenses.
Para permitir a determinao das alteraes ocorridas na somatria das correntes
necessria uma referncia de valor inicial para a mesma. Essa referncia obtida em um
perodo de aprendizado inicial do sistema, durante o qual a corrente somatria inicial
determinada e gravada na memria do sistema de monitorao.
Observa-se, portanto, que os parmetros monitorados de fato por essa tcnica referem-se
s variaes ocorridas na capacitncia e na resistncia, e no a seus valores absolutos. Tal fato
no constitui problema, visto que o que indica a degradao em um para-raio a variao
desses parmetros, e no seus valores absolutos, como verificado nas simulaes
demonstradas no captulo 5.3.
No entanto, caso seja desejvel indicar para o usurio o valor absoluto dos parmetros ao
invs de suas variaes, basta que se programem no sistema os valores iniciais de capacitncia
e resistncia, obtidos por medies efetuadas com o equipamento fora de servio. A soma dos
valores iniciais com as variaes medidas corresponder ao valor atual dos parmetros.
Fica claro tambm que a corrente somatria influenciada no apenas pelas mudanas na
capacitncia e resistncia dos para-raios, mas tambm por alteraes nas tenses fase-terra do
sistema. Uma parte dessas influncias eliminada naturalmente por efeito de cancelamento na
somatria vetorial das correntes, enquanto que outras influncias so eliminadas por meio de
tratamentos estatsticos das medies.
De forma similar, as variaes nas correntes de fuga resistivas causadas pelas variaes da
temperatura dos resistores no-lineares tendem a ser canceladas na corrente somatria, se
considerarmos que os trs para-raios operam mesma temperatura e tem curvas similares de
alterao de corrente em funo da temperatura. Por outro lado, a eventual degradao de um

86

dos para-raios que cause uma maior influncia da temperatura sobre sua corrente resistiva
causar alterao na somatria das correntes, permitindo sua deteco.
Uma das premissas verificadas na descrio do mtodo da soma das correntes acima que
apenas um dos trs para-raios apresenta deteriorao nos parmetros de capacitncia e
resistncia equivalentes. Dessa forma, a determinao de qual das fases apresenta alterao
nos parmetros pode ser efetuada facilmente a partir da orientao do vetor de alterao na
corrente somatria em relao aos vetores das correntes de fuga individuais.
De fato, a probabilidade de ocorrncia de deteriorao simultnea em mais de um para-
raio pode ser considerada pequena. No entanto, na eventualidade de ocorrncia de degradao
em mais de uma fase, a tendncia que o defeito seja detectado e atribudo equivocadamente
a uma alterao nos parmetros da terceira fase, que se encontra em bom estado. H que se
considerar, entretanto, que em caso de emisso de um alerta de defeito pelo sistema de
monitorao, o usurio ir desligar o equipamento para verificao, sendo o desligamento
efetuado de forma trifsica, ficando os trs para-raios disponveis para ensaios. Assim, o
usurio deve sempre efetuar os ensaios nas trs fases monitoradas, e no apenas em uma
delas, o que j seria natural de toda forma, j que todas esto desenergizadas.

6.3. Simulaes de medies por soma vetorial em para-raios ZnO

A fim de demonstrar a viabilidade de uso da tcnica de soma vetorial das correntes de
fuga, j amplamente utilizada atualmente na monitorao de buchas capacitivas, para a
monitorao em tempo real dos parmetros capacitncia equivalente e resistncia equivalente
de para-raios, diversas simulaes so mostradas a seguir.
Para as simulaes de uso dessa tcnica em para-raios de ZnO sero usados como base os
parmetros equivalentes j utilizados no item 5.3.2 como representativos de um para-raios em
bom estado com tenso mxima de operao contnua 266 kV, empregados em sistemas
trifsicos de 420 kV.

6.3.1. Condies iniciais da simulao

Como explanado no item 6.2, o mtodo de soma vetorial das correntes de fuga baseia-se
na comparao das medies mais atuais obtidas com as medies de referncia, obtidas
durante o perodo de aprendizado do sistema no incio de sua operao. Dessa forma,

87

necessria para a simulao que seja determinada essa referncia inicial, conforme descrito a
seguir.
Os parmetros iniciais de simulao do para-raio da fase B sero exatamente os valores j
utilizados no item 5.3.2. Para o para-raio da fase A foram introduzidas variaes arbitrrias de
10% para cima na capacitncia equivalente e 10% para baixo na resistncia equivalente,
enquanto para a fase C as variaes foram arbitradas em 5 % para baixo na capacitncia e 5%
para cima na resistncia.
As variaes arbitrrias introduzidas tm por objetivo simular as diferenas normais
existentes entre os para-raios, mesmo que sejam de mesmo fabricante, modelo e lote. Os
valores iniciais adotados para as trs fases so mostrados na Tabela 25 abaixo.

Tabela 25 Parmetros eltricos iniciais de para-raio de ZnO em bom estado utilizados para
simulao

Fase A Fase B Fase C
Capacitncia inicial 17,5 pF 15,9 pF 15,1 pF
Resistncia inicial 4788 M 5320 M 5586 M

Para as simulaes, considera-se que os trs para-raios acima esto conectados s trs
fases de um sistema eltrico com as caractersticas mostradas na Tabela 26 abaixo.

Tabela 26 Caractersticas do sistema eltrico ao qual esto conectados os para-raios de ZnO
para simulao

Freqncia 60 Hz
ngulos de defasagem 0 240 120
Tenso nominal fase-fase 420 kV
Tenso nominal fase-terra 242,5 kV
Tenso efetiva fase-terra 242,5 kV 244,925 kV 237,65 kV

Considera-se na simulao que, inicialmente, o sistema apresenta exatamente os valores
de tenses fase-terra mostrados nessa tabela, podendo variar ao longo da simulao conforme
indicado. Como se pode observar, foram introduzidas variaes arbitrrias nas tenses das

88

fases B e C, com o objetivo de simular um leve desbalano entre as tenses fase-terra do
sistema, de 1 % para cima e 2% para baixo respectivamente, em relao fase A.
Os mdulos e ngulos das correntes de fuga de cada para-raio, bem como o mdulo e
ngulo da resultante da soma vetorial das trs correntes de fuga podem ser calculados pelas
equaes (12) a (19) a seguir.

(12)
(13)
(14)
(15)
(16)
(18)
(19)

Onde: o nmero da fase, de 1 a 3 (representando as fases A, B e C)
a componente capacitiva da corrente de fuga da fase i
a componente resistiva da corrente de fuga da fase i
a tenso fase-terra da fase i

a freqncia angular das tenses fase-terra (igual a )
capacitncia equivalente do para-raio da fase i
a resistncia equivalente do para-raio da fase i
a corrente de fuga total da fase i
o ngulo de defasagem da tenso fase-terra da fase i adotando como

referncia o ngulo da tenso fase-terra da fase A

89

o ngulo de defasagem da corrente de fuga total da fase i adotando

como referncia o ngulo da tenso fase-terra da fase A
o ngulo de defasagem da corrente de fuga total da fase i adotando

como referncia os ngulos da corrente de fuga da fase A
a corrente somatria, correspondente soma vetorial das correntes de

fuga totais dos para-raios das trs fases
o ngulo de defasagem da corrente somatria adotando como

referncia o ngulo da corrente de fuga da fase A.

A combinao das caractersticas do sistema eltrico e dos parmetros dos para-raios,
acima descritos, produz como resultado as correntes de fuga indicadas na Tabela 27 abaixo,
calculadas utilizando as equaes (12) a (19).

Tabela 27 Correntes de fuga e ngulos de defasagem resultantes das condies iniciais de
simulao

Componente capacitiva
da corrente de fuga
1,600 mA 1,468 mA 1,353 mA
Componente resistiva da
corrente de fuga
0,051 mA 0,046 mA 0,043 mA
Corrente de fuga total 1,601 mA 1,469 mA 1,354 mA
ngulo da corrente de
fuga total em relao
tenso da fase A
88,187 328,204 208,199
ngulo da corrente de
fuga total em relao
corrente total da fase A
0,000 240,017 120,012
Soma vetorial das trs
correntes de fuga totais
0,214 mA
ngulo da corrente
somatria
-27,9

90

Para as simulaes de deteco de defeitos nos para-raios por meio da tcnica da soma
vetorial de correntes, apresentadas a seguir, sero utilizados os mesmos defeitos hipotticos
detalhados nos itens 5.3.2.

6.3.2. Simulao 1 Blocos de ZnO alterados ou entrada de umidade

Conforme demonstrado no item 5.3.2.1, os blocos de ZnO dos para-raios podem sofrer
alteraes de sua resistncia devido a estresses por descargas com energia superior ao seu
limite de projeto, reduo de oxignio nas bordas e outros fatores.
Em duas simulaes realizadas, uma com reduo de 30% na resistncia de cerca de
metade dos blocos do para-raio (35 blocos) e outro com reduo de 70% da resistncia de
10% dos blocos (7 blocos), foram obtidas redues da resistncia equivalente de 18,5% e
19,7%, respectivamente, sem alterao aprecivel na capacitncia equivalente do para-raio.
Num outro cenrio, demonstrado no item 5.3.2.2, ocorre a entrada de umidade no para-
raios, com efeito similar de reduo na sua resistncia equivalente, tendo sido simulada uma
reduo de 20%.
Ambos os cenrios so representados a seguir por uma reduo de 20% na resistncia
equivalente do para-raio da fase C, de forma que as caractersticas dos para-raios usadas na
simulao, antes e depois da alterao, so as mostradas na Tabela 28 abaixo.

Tabela 28 Parmetros eltricos dos para-raios considerando reduo de 20% na resistncia
equivalente do para-raio da fase C

Capacitncia
Inicial 17,5 pF 15,9 pF 15,1 pF
Nova 17,5 pF 15,9 pF 15,1 pF
Resistncia
Inicial 4788 M 5320 M 5586 M
Nova 4788 M 5320 M 4468,8 M

Os novos valores de correntes e ngulos, calculados de acordo com as equaes (12) a
(19) so os mostrados na Tabela 29 a seguir.

91

Tabela 29 Correntes de fuga e ngulos de defasagem resultantes da simulao de reduo de
20% na resistncia do para-raio da fase C

Valores iniciais Valores novos
Fase A Fase B Fase C Fase A Fase B Fase C
Ifuga capacitiva
(mA)
1,600 1,468 1,353 1,600 1,468 1,353
Ifuga resistiva
(mA)
0,051 0,046 0,043 0,051 0,046 0,053
Ifuga total (mA) 1,601 1,469 1,354 1,601 1,469 1,354
ngulo de Ifuga
ref. tenso ()
88,187 328,204 208,199 88,187 328,204 207,749
ngulo de Ifuga
ref. I fase A ()
0,000 240,017 120,012 0,000 240,017 119,562
Soma vetorial
(mA)
0,214 0,220
ngulo da soma
()
-27,9 -25,5

A partir dos resultados mostrados na Tabela 29 se observa, na fase C, que a componente
capacitiva da corrente de fuga no se altera, conforme esperado, porm o mesmo ocorre com a
corrente de fuga total, apesar de estar apresentada com 3 casas decimais (resoluo de 1 A),
devido predominncia da componente capacitiva sobre a resistiva. O ngulo da corrente de
fuga total se altera apenas ligeiramente, com reduo de 0,45 .
Este fato ilustra com bastante clareza a baixa sensibilidade que se obteria na deteco de
alteraes na resistncia equivalente se apenas as medies de correntes de fuga totais fossem
utilizadas.
Por outro lado, a medio da corrente somatria apresenta alterao mensurvel, de 0,214
mA para 0,220 mA, alm de mudana de 2,4 no seu ngulo, o que comprova o aumento de
sensibilidade proporcionado pelo mtodo.
A Figura 25 a seguir apresenta de forma grfica a variao observada na corrente
somatria. Nessa figura as correntes de fuga totais so apresentadas propositalmente fora de
escala (menores do que so na realidade), a fim de facilitar a visualizao da somatria. As

92

variaes ocorridas no ngulo e mdulo da corrente da fase C so muito pequenas para serem
visualizadas adequadamente.
Foi adotada a corrente de fuga total da fase A como referncia para a medio de todos os
demais ngulos, visto que na aplicao prtica as medies de tenses no esto disponveis.
As tenses fase-terra so mostradas tambm sem escala, apenas para visualizao de suas
posies relativas em relao s correntes, que esto adiantadas em aproximadamente 90 por
serem predominantemente capacitivas.

Figura 25 Correntes de fuga totais e corrente somatria para a condio inicial (vermelho) e
aps reduo da resistncia equivalente do para-raio da fase C

A Figura 26 a seguir apresenta um detalhe muito ampliado da corrente somatria antes e
depois da reduo da resistncia equivalente do para-raio da fase C, alm de demonstrar o
vetor alterao I
ALTERAO
, que calculado de acordo com a equao (20), correspondendo
diferena vetorial de I
SOMA NOVO
e I
SOMA ORIGINAL
.

I
A
V
C
V
B
V
A
I
C
I
B
I
SOMA NOVO
I
SOMA ORIGINAL

93

Figura 26 Detalhe ampliado da variao na corrente somatria devido reduo da
resistncia equivalente do para-raio da fase C

(20)
Onde:
o vetor que representa a alterao vetorial ocorrida na

corrente somatria

o novo valor assumido pelo vetor da corrente somatria, aps
alteraes nos parmetros dos para-raios

o valor original do vetor da corrente somatria, obtido
durante o perodo de aprendizado inicial do sistema de
monitorao.

O vetor alterao I
ALTERAO
tem mdulo de 10,6 A e ngulo 31,8, o que o posiciona no
intervalo entre os ngulos da tenso da fase C (aproximadamente 30, sempre tomando como
referncia a corrente de fuga da fase A) e a corrente de fuga total da fase C (aproximadamente
120), o que indica ao sistema de monitorao que a alterao detectada foi causada pela fase
C.
A decomposio de I
ALTERAO
em dois vetores ortogonais entre si, um em fase com a
tenso da fase C e outro em fase com a corrente total da fase C fornece as contribuies,
respectivamente, da alterao da resistncia equivalente e da alterao da capacitncia
equivalente para a alterao verificada na corrente somatria.
No caso sob anlise, o vetor alterao encontra-se praticamente em fase com a tenso da
fase C e ortogonal corrente de fuga da fase C, de forma que sua decomposio resultar em
uma componente nula em fase com a corrente de fuga, indicando contribuio nula de
I
SOMA NOVO
I
SOMA ORIGINAL
I
ALTERAO

94

alteraes da capacitncia da fase C, e uma componente em fase com a tenso praticamente
igual ao prprio vetor alterao.
A componente do vetor alterao em fase com a tenso da fase ter, portanto, mdulo de
aproximadamente 10,6 A, que comparado componente resistiva da corrente de fuga da fase
C, com valor 53 A, representa a reduo da resistncia equivalente, como demonstra a
equao (21):

(21)
Onde:
o novo valor da resistncia equivalente do para-raio da fase C,

calculada a partir das medies de correntes de fuga e corrente
somatria do sistema de monitorao.

O resultado obtido coincide com o valor utilizado no incio das simulaes do mtodo de
soma vetorial das correntes de fuga (4468,8 M), conforme indicado anteriormente na Tabela
28.
Portanto, o resultado das simulaes realizadas indica que esse mtodo de medio
capaz de monitorar corretamente, em tempo real, as alteraes ocorridas na resistncia
equivalente de um para-raio em um conjunto trifsico.

6.4. Simulaes de medies por soma vetorial em para-raios SiC

Para as simulaes de uso da tcnica de soma vetorial das correntes de fuga em para-raios
de SiC sero usados como base os parmetros equivalentes j utilizados no item 5.3.1 como
representativos de um para-raio em bom estado com classe de tenso 138 kV.

6.4.1. Condies iniciais da simulao

Ser utilizado como referncia para as simulaes o para-raio identificado como B1 na
referncia (6), que apresentou resultados satisfatrios em todos os ensaios realizados e
tambm foi encontrado em bom estado interno aps sua desmontagem. Os valores de

95

capacitncia e resistncia equivalentes calculados para esse para-raio a partir das medies de
correntes de fuga so os mostrados na Tabela 6.
Os parmetros iniciais de simulao do para-raio da fase A sero exatamente os valores j
utilizados no item 5.3.1. Para o para-raio da fase B foram introduzidas variaes arbitrrias de
10% para cima na capacitncia equivalente e 10% para baixo na resistncia equivalente,
enquanto para a fase C as variaes foram arbitradas em 5 % para baixo na capacitncia e 5%
para cima na resistncia.
As variaes arbitrrias introduzidas tm por objetivo simular as diferenas normais
existentes entre os para-raios, mesmo que sejam de mesmo fabricante, modelo e lote. Os
valores iniciais adotados para as trs fases so mostrados na Tabela 30 abaixo.

Tabela 30 Parmetros eltricos iniciais de para-raio de SiC em bom estado utilizados para
simulao

Capacitncia inicial 9,3 pF 10,23 pF 8,84 pF
Resistncia inicial 934 M 840,6 M 980,7 M

Para as simulaes, considera-se que os trs para-raios acima esto conectados s trs
fases de um sistema eltrico com as caractersticas mostradas na Tabela 31.
Considera-se na simulao que, inicialmente, o sistema apresenta exatamente os valores
de tenses fase-terra mostrados nessa tabela, podendo variar ao longo da simulao conforme
indicado.
Como se pode observar, foram introduzidas variaes arbitrrias nas tenses das fases A e
B, com o objetivo de simular um leve desbalano entre as tenses fase-terra do sistema, de 1
% para cima e 2% para baixo respectivamente, em relao fase C.

96

Tabela 31 Caractersticas do sistema eltrico ao qual esto conectados os para-raios de SiC
para simulao

Freqncia 60 Hz
ngulos de defasagem 0 240 120
Tenso nominal fase-fase 138 kV
Tenso nominal fase-terra 79,68 kV
Tenso efetiva fase-terra 80,47 kV 78,08 kV 79,68 kV

Os mdulos e ngulos das correntes de fuga de cada para-raio, bem como o mdulo e
ngulo da resultante da soma vetorial das trs correntes de fuga podem ser calculados pelas
equaes (12) a (19) mostradas no item 6.3.1.
A combinao das caractersticas do sistema eltrico e dos parmetros dos para-raios,
acima descritos, produz como resultado as correntes de fuga indicadas na Tabela 32,
calculadas utilizando as equaes (12) a (19).

Tabela 32 Correntes de fuga e ngulos de defasagem resultantes das condies iniciais de
simulao

Componente capacitiva da corrente de fuga 0,282 mA 0,301 mA 0,266 mA
Componente resistiva da corrente de fuga 0,086 mA 0,093 mA 0,081 mA
Corrente de fuga total 0,295 mA 0,315 mA 0,278 mA
ngulo da corrente de fuga total em relao
tenso da fase A
73,019 312,857 192,988
ngulo da corrente de fuga total em relao
corrente total da fase A
0,000 239,838 119,969
Soma vetorial das trs correntes de fuga
totais
0,032 mA
ngulo da corrente somatria 266,3

97

Para as simulaes de deteco de defeitos nos para-raios por meio da tcnica da soma
vetorial de correntes, apresentadas a seguir, sero utilizados os mesmos defeitos hipotticos
detalhados nos itens 5.3.1.

6.4.2. Simulao 1 Desconexo de resistores de equalizao

Conforme demonstrado no item 5.3.1.1, quebras nos suportes dos resistores de
equalizao, quebra dos centelhadores ou outras alteraes mecnicas podem causar a
desconexo de um ou mais dos resistores de equalizao de potencial dos centelhadores nos
para-raios de SiC.
Possveis causas para esse tipo de defeito so os esforos mecnicos causados pelos
elevados campos magnticos durante as descargas e as grandes elevaes de temperatura que
ocorrem nos centelhadores devido a arcos de vrios kA, assim como quebras por impactos no
transporte.
Em trs situaes simuladas, com a desconexo de um, dois ou trs resistores de
equalizao, foram obtidas variaes significativas na resistncia equivalente, com elevaes
de 20,3 %, 51,6 % e 104,7 % respectivamente, sem alterao significativa na capacitncia
equivalente do para-raio em relao aos valores iniciais, antes das desconexes.
Os valores de capacitncia e resistncia equivalente para os 3 cenrios so mostrados a
seguir na Tabela 33 a seguir, juntamente com os valores iniciais antes dos defeitos, que so
simulados no para-raio da fase A.
(19) so os mostrados nas Tabelas 34, 35 e 36, a seguir.

98

Tabela 33 Parmetros eltricos dos para-raios considerando desconexo de um, dois ou trs
resistores de equalizao no para-raio da fase A

Capacitncia
Um resistor
desconectado
9,42 pF 10,23 pF 8,84 pF
Dois resistores
desconectados
9,49 pF 10,23 pF 8,84 pF
Trs resistores
desconectados
9,51 pF 10,23 pF 8,84 pF
Resistncia
Inicial 934 M 840,6 M 980,7 M
Um resistor
desconectado
1123,7 M 840,6 M 980,7 M
Dois resistores
desconectados
1415,5 M 840,6 M 980,7 M
Trs resistores
desconectados
1911,6 M 840,6 M 980,7 M

desconexo de um resistor de equalizao no para-raio da fase A

Ifuga cap. (mA) 0,282 0,301 0,266 0,286 0,301 0,266
Ifuga res. (mA) 0,086 0,093 0,081 0,072 0,093 0,081
Ifuga total (mA) 0,295 0,315 0,278 0,295 0,315 0,278
ngulo de Ifuga
ref. tenso ()
73,019 312,857 192,988 75,932 312,857 192,988
ngulo de Ifuga
ref. I fase A ()
0,000 239,838 119,969 0,000 236,925 117,056
I soma (mA) 0,032 0,017
ngulo soma () 266,3 257,7

99

desconexo de dois resistores de equalizao no para-raio da fase A

Ifuga cap. (mA) 0,282 0,301 0,266 0,288 0,301 0,266
Ifuga res. (mA) 0,086 0,093 0,081 0,057 0,093 0,081
Ifuga total (mA) 0,295 0,315 0,278 0,293 0,315 0,278
ngulo de Ifuga
ref. tenso ()
73,019 312,857 192,988 78,830 312,857 192,988
ngulo de Ifuga
ref. I fase A ()
0,000 239,838 119,969 0,000 234,027 114,158
I soma (mA) 0,032 0,006
ngulo soma () 266,3 197,6

desconexo de trs resistores de equalizao no para-raio da fase A

Ifuga cap. (mA) 0,282 0,301 0,266 0,289 0,301 0,266
Ifuga res. (mA) 0,086 0,093 0,081 0,042 0,093 0,081
Ifuga total (mA) 0,295 0,315 0,278 0,292 0,315 0,278
ngulo de Ifuga
ref. tenso ()
73,019 312,857 192,988 81,699 312,857 192,988
ngulo de Ifuga
ref. I fase A ()
0,000 239,838 119,969 0,000 231,159 111,289
I soma (mA) 0,032 0,015
ngulo soma () 266,3 117,4

A partir dos resultados mostrados nas Tabelas 34, 35 e 36 se observa, na fase A, que a
componente capacitiva da corrente de fuga se altera apenas levemente, de forma coerente com

100

as alteraes muito pequenas de capacitncia simuladas (da ordem de 2 % no pior caso, com
trs resistores de equalizao desconectados), o mesmo ocorrendo com a corrente de fuga
total da fase A, apesar das alteraes importantes ocorridas na resistncia equivalente, o que
ilustra mais uma vez a baixa sensibilidade que se obteria na deteco de alteraes na
resistncia equivalente se apenas as medies de correntes de fuga totais fossem utilizadas.
Devido s alteraes de grande porte na resistncia equivalente da fase A, o ngulo de sua
corrente de fuga total apresenta alteraes significativas, com elevaes de 2,9 para um
resistor, 5,8 para dois resistores e 8,7 para trs resistores desconectados.
As medies da somatria das correntes apresentam alteraes importantes, chegando a
mudar de quadrante no caso mais extremo, com trs resistores desconectados, comprovando a
sensibilidade proporcionada ao mtodo pela sua utilizao na monitorao dos parmetros
eltricos dos para-raios.
As alteraes ocorridas na corrente somatria so mais bem visualizadas na Figura 27 a
seguir, que apresenta de forma grfica sua evoluo da condio inicial para as situaes de
desconexo de um, dois e trs resistores de equalizao. Nessa figura as correntes de fuga
totais so apresentadas propositalmente fora de escala (menores do que so na realidade), a
fim de facilitar a visualizao da somatria. As variaes ocorridas no ngulo e mdulo da
corrente da fase A so muito pequenas para serem visualizadas adequadamente.
A Figura 28 a seguir apresenta em detalhes a corrente somatria antes e depois da reduo
da resistncia equivalente do para-raio da fase A para os trs cenrios simulados, bem como
os vetores alterao correspondentes I
ALTERAO 1R
(desconexo de um resistor), I
ALTERAO 2R

(desconexo de dois resistores), I
ALTERAO 3R
(desconexo de trs resistores), que so
calculados de acordo com a equao (20), j apresentada no item 6.3.2.

101

Figura 27 Tenses fase-terra, correntes de fuga totais e somatria para a condio inicial
(vermelho) e aps desconexo de um, dois ou trs resistores de equalizao na fase A

Figura 28 Detalhes da variao na corrente somatria devido s alteraes da resistncia
equivalente do para-raio da fase A

O vetor alterao I
ALTERAO
tem mdulos de 15 A, 30 A e 45 A, sempre com ngulo
de 96,1 , o que o posiciona de forma invertida (girado em 180) no intervalo entre os ngulos
da tenso da fase A (aproximadamente -90, sempre tomando como referncia a corrente de
fuga da fase A) e a corrente de fuga total da fase A (0, por ser a referncia adotada), o que
indica ao sistema de monitorao que a alterao detectada foi causada pela fase A.
A decomposio de I
ALTERAO
tenso da fase A e outro em fase com a corrente total da fase A fornece as contribuies,
equivalente para a alterao verificada na corrente somatria.
I
A
V
C
V
B
V
A
I
C
I
B
I
SOMA NOVO 1R
I
SOMA NOVO 2R
I
SOMA NOVO 3R
I
SOMA ORIGINAL
I
ALTERAO 1R
I
ALTERAO 2R
I
ALTERAO 3R
I
SOMA NOVO 1R
I
SOMA NOVO 2R
I
SOMA NOVO 3R
I
SOMA ORIGINAL

102

No caso sob anlise, essa decomposio resulta nos valores calculados de capacitncia e
resistncia equivalentes mostradas na Tabela 37 abaixo.

Tabela 37 Resultados das simulaes de monitorao pela somatria de correntes para
desconexo de um, dois ou trs resistores de equalizao no para-raio da fase A

Valor
esperado
Valor
indicado
Erro
Capacitncia
Um resistor
desconectado
9,42 pF 9,41 pF -0,2 %
Dois resistores
desconectados
9,49 pF 9,47 pF -0,2 %
Trs resistores
desconectados
9,51 pF 9,49 pF -0,3 %
Resistncia
Um resistor
desconectado
1123,7 M 1112,1 M -1,0 %
Dois resistores
desconectados
1415,5 M 1375,9 M -2,8 %
Trs resistores
desconectados
1911,6 M 1803,8 M -5,6 %

Os resultados obtidos apresentam boa coerncia com os valores esperados, utilizados no
incio das simulaes, com erros de at 5,6% para as resistncias equivalentes e 0,3% para as
capacitncias equivalentes, como indicado na Tabela 37.
Os erros obtidos so considerados aceitveis, pois so bastante inferiores s variaes que
se deseja detectar, causadas por defeitos nos para-raios, que no caso simulado so superiores a
100 % para a resistncia e 2 % para a capacitncia.
capaz de monitorar corretamente, em tempo real, as alteraes ocorridas na resistncia
equivalente de um para-raio em um conjunto trifsico.

6.4.3. Simulao 2 Resistores de equalizao alterados

A degradao dos resistores de equalizao, empregados nos para-raios de SiC para
equalizao do potencial entre seus centelhadores, pode levar alterao de sua curva V-I,

103

conforme demonstrado no item 5.3.1.2, o que se reflete em alteraes nas constantes k e/ou n
da equao (10).
No caso estudado no item 5.3.1.2, o para-raio B5 da referncia (6) apresentou elevao de
20 % na constante n e reduo de 80 % em k do resistor de equalizao 5, variaes essas
causadas provavelmente pelos estresses descritos acima, j que no foram encontrados sinais
de umidade na desmontagem desse para-raio.
Essas degradaes implicam em alteraes na impedncia dos resistores de equalizao, o
que se reflete ao final em alteraes na resistncia equivalente do para-raio.
No item 5.3.1.2 so simulados dois cenrios de alterao em um dos resistores de
equalizao do para-raio, com redues de 40 % e 80 % na resistncia. Os efeitos observados
so redues de 9,4 % e 25,4 % na resistncia equivalente, respectivamente, com apenas leves
alteraes na capacitncia equivalente do para-raio, de 0,5 % e 7,5 %, em relao aos valores
iniciais.
Os valores de capacitncia e resistncia equivalente para os dois cenrios so mostrados a
seguir na Tabela 38, juntamente com os valores iniciais antes dos defeitos, que so simulados
nesse caso no para-raio da fase C aplicando as redues percentuais citadas sobre o valor
inicial da resistncia.

Tabela 38 Parmetros eltricos dos para-raios considerando alteraes de 40% e 80% em
um resistor de equalizao no para-raio da fase C

Capacitncia
Reduo de 40 % no
resistor de equalizao
9,3 pF 10,23 pF 8,88 pF
Reduo de 80 % no
9,3 pF 10,23 pF 9,5 pF
Resistncia
Inicial 934 M 840,6 M 980,7 M
Reduo de 40 % no
934 M 840,6 M 888,5 M
Reduo de 80 % no
934 M 840,6 M 731,6 M

104

(19) so os mostrados nas Tabelas 39 e 40 a seguir.

Tabela 39 Correntes de fuga e ngulos de defasagem resultantes da simulao de alterao
de 40% em um resistor de equalizao no para-raio da fase C

Ifuga cap. (mA) 0,282 0,301 0,266 0,282 0,301 0,267
Ifuga res. (mA) 0,086 0,093 0,081 0,086 0,093 0,090
Ifuga total (mA) 0,295 0,315 0,278 0,295 0,315 0,281
ngulo de Ifuga
ref. tenso ()
73,019 312,857 192,988 73,019 312,857 191,418
ngulo de Ifuga
ref. I fase A ()
0,000 239,838 119,969 0,000 236,925 118,399
I soma (mA) 0,032 0,025
ngulo soma () 266,3 276,5

Tabela 40 Correntes de fuga e ngulos de defasagem resultantes da simulao de alterao
de 80% em um resistor de equalizao no para-raio da fase C

Ifuga cap. (mA) 0,282 0,301 0,266 0,282 0,301 0,285
Ifuga res. (mA) 0,086 0,093 0,081 0,086 0,093 0,109
Ifuga total (mA) 0,295 0,315 0,278 0,295 0,315 0,305
ngulo de Ifuga
ref. tenso ()
73,019 312,857 192,988 73,019 312,857 189,111
ngulo de Ifuga
ref. I fase A ()
0,000 239,838 119,969 0,000 239,838 116,092
I soma (mA) 0,032 0,003
ngulo soma () 266,3 38,1

105

A partir dos resultados mostrados nas Tabelas 39 e 40 se observa, na fase C, que a
componente capacitiva da corrente de fuga se altera apenas levemente, de forma coerente com
as alteraes pequenas de capacitncia simuladas (7,5 % no pior caso), o mesmo ocorrendo
com a corrente de fuga total da fase C, apesar das alteraes importantes ocorridas na
resistncia equivalente, o que ilustra mais uma vez a baixa sensibilidade que se obteria na
deteco de alteraes na resistncia equivalente se apenas as medies de correntes de fuga
totais fossem utilizadas.
Devido s alteraes de grande porte na resistncia equivalente da fase C, o ngulo de sua
corrente de fuga total apresenta alteraes significativas, com redues de 1,6 para a
alterao de 40 % no resistor de equalizao e 3,9 para a alterao de 40 %.
As medies da somatria das correntes apresentam alteraes importantes, chegando a
mudar de quadrante no caso mais extremo, comprovando a sensibilidade proporcionada ao
mtodo pela sua utilizao na monitorao dos parmetros eltricos dos para-raios.
As alteraes ocorridas na corrente somatria so mais bem visualizadas na Figura 29 a
seguir, que apresenta de forma grfica sua evoluo da condio inicial para as situaes de
alterao de 40 % e 80 % em um resistor de equalizao. Nessa figura as correntes de fuga
totais so apresentadas propositalmente fora de escala (menores do que so na realidade), a
fim de facilitar a visualizao da somatria. As variaes ocorridas no ngulo e mdulo da
corrente da fase C so muito pequenas para serem visualizadas adequadamente.
No cenrio de alterao de 80 % no resistor de equalizao as correntes de fuga totais
chegam muito prximas a uma condio de equilbrio, em que a corrente somatria seria
anulada. Nesse caso, a somatria tem mdulo de apenas 3 A com ngulo de 38,1 , tornando
um pouco mais difcil sua visualizao na Figura 29.

106

Figura 29 Tenses fase-terra, correntes de fuga totais e corrente somatria para a condio
inicial (vermelho) e aps alterao de 40 % e 80 % em um resistor de equalizao no para-
raio da fase C

A Figura 30 a seguir apresenta em detalhes a corrente somatria antes e depois das
alteraes em um resistor de equalizao do para-raio da fase C para os dois cenrios
simulados, bem como os vetores alterao correspondentes I
ALTERAO 40%
(alterao de 40 %
no resistor de equalizao) e I
ALTERAO 80%
(alterao de 80 % no resistor de equalizao), que
so calculados de acordo com a equao (20), j apresentada no item 6.3.2.
I
A
V
C
V
B
V
A
I
C
I
B
I
SOMA NOVO 40%
I
SOMA NOVO 80%
I
SOMA ORIGINAL

107

Figura 30 Detalhes da variao na corrente somatria devido s alteraes no resistor de
equalizao do para-raio da fase C

O vetor alterao I
ALTERAO 40%
tem mdulo de 8,5 A com ngulo de 55,1 , o que o
posiciona no intervalo entre os ngulos da tenso da fase C (aproximadamente 30, sempre
tomando como referncia a corrente de fuga da fase A) e a corrente de fuga total da fase C
(aproximadamente 120 ), o que indica ao sistema de monitorao que a alterao detectada
foi causada pela fase C.
A decomposio de I
ALTERAO 40%
equivalente para a alterao total verificada na corrente somatria. Vale observar que, apesar
de muito pequeno (cerca de 0,5 %), o aumento da capacitncia da fase C influi
significativamente na corrente somatria, devido predominncia das componentes
capacitivas nas correntes de fuga totais, afastando significativamente o ngulo de I
ALTERAO
40%
do ngulo da componente resistiva (30 ) e fazendo-o inclinar-se em direo ao ngulo da
componente capacitiva (120 ).
O vetor alterao I
ALTERAO 80%
tem mdulo de 34 A com ngulo de 82,6 , o que o
posiciona tambm no intervalo entre os ngulos da tenso da fase C e a corrente de fuga total
da fase C, o que indica ao sistema de monitorao que a alterao detectada foi causada pela
fase C.
Como o vetor I
ALTERAO 80%
gerado por um aumento mais significativo da capacitncia
da fase C (7,5 %), apesar da reduo da resistncia ser tambm um pouco maior (25,4 %), seu
ngulo tende mais fortemente ao ngulo da componente capacitiva da corrente de fuga (120 )
total.
I
ALTERAO 40%
I
ALTERAO 80%
I
SOMA NOVO 40%
I
SOMA NOVO 80%
I
SOMA ORIGINAL

108

resistncia equivalentes mostradas na Tabela 41.

equivalentes pela somatria de correntes para alteraes de 40% e 80% em um resistor de
equalizao no para-raio da fase C

Valor
esperado
Valor
indicado
Erro
Capacitncia
Reduo de 40
% no resistor de
equalizao
8,88 pF 8,95 pF 0,8 %
Reduo de 80
% no resistor de
equalizao
9,5 pF 9,7 pF 2,1 %
Resistncia
Reduo de 40
% no resistor de
equalizao
888,5 M 892,6 M 0,5 %
Reduo de 80
% no resistor de
equalizao
731,6 M 743,1 M 1,6 %

incio das simulaes, com erros de at 1,6 % para as resistncias equivalentes e 2,1 % para as
capacitncias equivalentes, conforme indicado na Tabela 41.
Os erros obtidos so considerados aceitveis, pois so bastante inferiores s variaes que
se deseja detectar, causadas por defeitos nos para-raios, que no caso simulado so superiores a
25 % para a resistncia e 7,5 % para a capacitncia.
Portanto, o resultado das simulaes realizadas indica que o esse mtodo de medio
capaz de monitorar corretamente, em tempo real, as alteraes ocorridas na capacitncia e na
resistncia equivalentes de um para-raio em um conjunto trifsico.

109

6.4.4. Simulao 3 Mdulo centelhador em curto-circuito

Os intensos campos magnticos durante as descargas dos para-raios, assim como as
elevadas temperaturas a que so submetidos os centelhadores devido s correntes de arco de
vrios kA, submetem o conjunto dos centelhadores a severos esforos mecnicos, o mesmo
ocorrendo devido a impactos no transporte.
Conforme demonstrado no item 5.3.1.3, danos mecnicos aos conjuntos de centelhadores
podem levar no apenas desconexo acidental de seus resistores de equalizao, mas
tambm fazer com que um ou mais centelhadores entrem em curto-circuito, devido quebra
ou deslocamento dos espaadores isolantes dos centelhadores.
Por outro lado, o curto-circuito de um ou mais centelhadores faz com que os centelhadores
restantes, inicialmente em bom estado, tenham que suportar em menor nmero a totalidade da
tenso fase-terra, submetendo permanentemente seus resistores de equalizao a tenses
superiores quelas para as quais foram projetados. O sobreaquecimento pelo excesso de
potncia dissipada pode provocar, ento, alteraes nesses resistores.
Essa seqncia de eventos simulada no item 5.3.1.3 atravs de trs cenrios:

O primeiro com o curto-circuito de um centelhador;
O segundo, que a evoluo do primeiro, com o curto-circuito de dois
centelhadores; e
O terceiro, que a evoluo do segundo, em que trs resistores de equalizao nos
centelhadores que no esto em curto alteram seus valores, dois com reduo de
80 % e um com reduo de 70 %.

Os valores de capacitncia e resistncia equivalente para esses 3 cenrios so mostrados a
seguir na Tabela 42 a seguir, juntamente com os valores iniciais antes dos defeitos, que so
simulados no para-raio da fase B.

110

Tabela 42 Parmetros eltricos dos para-raios considerando curto-circuito de um e dois
centelhadores e alterao de trs resistores de equalizao no para-raio da fase B

Capacitncia
Um centelhador
em curto
9,3 pF 12,28 pF 8,84 pF
Dois centelhadores
em curto
9,3 pF 15,35 pF 8,84 pF
Dois centelhadores
em curto e 3
resistores alterados
9,3 pF 17,84 pF 8,84 pF
Resistncia
Inicial 934 M 840,6 M 980,7 M
Um centelhador
em curto
934 M 700,2 M 980,7 M
Dois centelhadores
em curto
934 M 560,7 M 980,7 M
Dois centelhadores
em curto e 3
934 M 174 M 980,7 M

A principal distino dessa simulao em relao s anteriores a severidade dos defeitos
no para-raio, que no pior caso apresenta variaes da ordem de +75 % e -80 % na
capacitncia e resistncia equivalentes, respectivamente.
(19) so os mostrados nas Tabelas 43, 44 e 45, a seguir.

111

Tabela 43 Correntes de fuga e ngulos de defasagem resultantes da simulao de curto-
circuito de um centelhador no para-raio da fase B

Ifuga cap. (mA) 0,282 0,301 0,266 0,282 0,361 0,266
Ifuga res. (mA) 0,086 0,093 0,081 0,086 0,112 0,081
Ifuga total (mA) 0,295 0,315 0,278 0,295 0,378 0,278
ngulo de Ifuga
ref. tenso ()
73,019 312,857 192,988 73,019 312,856 192,988
ngulo de Ifuga
ref. I fase A ()
0,000 239,838 119,969 0,000 239,837 119,969
I soma (mA) 0,032 0,093
ngulo soma () 266,3 248,7

circuito de dois centelhadores no para-raio da fase B

Ifuga cap. (mA) 0,282 0,301 0,266 0,282 0,452 0,266
Ifuga res. (mA) 0,086 0,093 0,081 0,086 0,139 0,081
Ifuga total (mA) 0,295 0,315 0,278 0,295 0,473 0,278
ngulo de Ifuga
ref. tenso ()
73,019 312,857 192,988 73,019 312,871 192,988
ngulo de Ifuga
ref. I fase A ()
0,000 239,838 119,969 0,000 239,852 119,969
I soma (mA) 0,032 0,187
ngulo soma () 266,3 244,3

112

circuito de dois centelhadores e alterao de trs resistores de equalizao no para-raio da fase
B

Ifuga cap. (mA) 0,282 0,301 0,266 0,282 0,525 0,266
Ifuga res. (mA) 0,086 0,093 0,081 0,086 0,449 0,081
Ifuga total (mA) 0,295 0,315 0,278 0,295 0,691 0,278
ngulo de Ifuga
ref. tenso ()
73,019 312,857 192,988 73,019 289,486 192,988
ngulo de Ifuga
ref. I fase A ()
0,000 239,838 119,969 0,000 216,467 119,969
I soma (mA) 0,032 0,434
ngulo soma () 266,3 203,1

A partir dos resultados mostrados nas Tabelas 43, 44 e 45 se observa, na fase B, que, para
os dois primeiros cenrios, a componente corrente capacitiva apresenta grande variao,
enquanto a componente resistiva tem variao moderada. J para o terceiro cenrio, tanto a
componente capacitiva quanto a resistiva da corrente de fuga se alteram fortemente, de forma
coerente com as grandes alteraes de capacitncia e resistncia equivalentes simuladas, o que
se reflete em uma grande alterao na corrente de fuga total da fase B.
Devido s alteraes substanciais na resistncia equivalente da fase B, no terceiro cenrio
o ngulo de sua corrente de fuga total apresenta tambm alteraes significativas, com
redues de 23,4 , devido grande reduo nos resistores de equalizao que se somou aos
centelhadores em curto-circuito.
Nos dois primeiros cenrios as medies da somatria das correntes assumem ngulo
claramente influenciado pelo grande aumento na corrente capacitiva da fase B, prximo de
240 , alm de apresentar aumento substancial de mdulo.
Quando a reduo da resistncia equivalente se soma aos centelhadores em curto-circuito
para compor o terceiro cenrio observa-se um claro deslocamento da somatria causado pelo
aumento da componente resistiva da fase B, que tem ngulo aproximado de 150 , levando a

113

somatria a diminuir seu ngulo, que era da ordem de 240 , para cerca de 200 ,
aproximando-o do ngulo da corrente resistiva da fase B enquanto aumenta o seu mdulo.
As alteraes ocorridas na corrente somatria so mais bem visualizadas na Figura 31
abaixo, que apresenta de forma grfica sua evoluo da condio inicial para as situaes de
curto-circuito de um e dois centelhadores, acrescentando depois a alterao nos resistores de
equalizao. Nessa figura as correntes de fuga totais so apresentadas propositalmente fora de
escala (menores do que so na realidade), a fim de facilitar a visualizao da somatria.

inicial (vermelho) e aps curto-circuito de um e dois centelhadores e alterao nos resistores
de equalizao no para-raio da fase B

da resistncia equivalente do para-raio da fase B para os trs cenrios simulados, bem como
I
A
V
C
V
B
V
A
I
C
I
B
I
SOMA NOVO 1CC
I
SOMA NOVO 2CC
I
SOMA NOVO 2CC+3R
I
SOMA ORIGINAL

114

os vetores alterao correspondentes I
ALTERAO 1CC
(um centelhador em curto-circuito),
I
ALTERAO 2CC
(dois centelhadores em curto-circuito) e I
ALTERAO 2CC+3R
(dois centelhadores
em curto-circuito e trs resistores alterados), que so calculados de acordo com a equao
(20), j apresentada no item 6.3.2.

Figura 32 Detalhes da variao na corrente somatria devido s alteraes da capacitncia e
resistncia equivalentes do para-raio da fase B

Os vetores alterao I
ALTERAO 1CC
e I
ALTERAO 2CC
tm mdulos de 63,2 A e 157,7 A
com ngulos praticamente iguais de 239,8 e 239,9 , respectivamente, o que os posiciona no
intervalo entre os ngulos da tenso da fase B (aproximadamente 150, sempre tomando como
referncia a corrente de fuga da fase A) e a corrente de fuga total da fase B (aproximadamente
240 ), o que indica ao sistema de monitorao que a alterao detectada foi causada pela fase
B.
A decomposio de I
ALTERAO 1CC
e I
ALTERAO 2CC
em dois vetores ortogonais entre si, um
em fase com a tenso da fase B e outro em fase com a corrente total da fase B fornece as
contribuies, respectivamente, da alterao da resistncia equivalente e da alterao da
capacitncia equivalente para a alterao total verificada na corrente somatria. Como em
ambos os cenrios a alterao da capacitncia equivalente foi significativa, apesar das
variaes na resistncia tambm serem importantes, predominam nos vetores alterao as
componentes capacitivas nas correntes de fuga totais, afastando significativamente os ngulos
de I
ALTERAO 1CC
e I
ALTERAO 2CC
do ngulo da componente resistiva (150 ) e fazendo-os
inclinarem-se em direo ao ngulo da componente capacitiva (240 ).
O vetor alterao I
ALTERAO 2CC+3R
tem mdulo de 420,5 A com ngulo de 199,2, o que
o posiciona tambm no intervalo entre os ngulos da tenso da fase B e da corrente de fuga
total da fase B, o que indica ao sistema de monitorao que a alterao detectada foi causada
ainda pela fase B.
Como o vetor I
ALTERAO 2CC+3R
gerado pelo mesmo aumento de capacitncia que causou
I
ALTERAO 2CC
somado a uma reduo muito grande na resistncia equivalente da fase B, seu
I
SOMA NOVO 1CC
I
SOMA NOVO 2CC I
SOMA NOVO 2CC+3R
I
SOMA ORIGINAL
I
ALTERAO 1CC
I
ALTERAO 2CC
I
ALTERAO 2CC+3R

115

ngulo comea a desviar-se em direo ao ngulo da componente resistiva da corrente de fuga
total (150 ).

Tabela 46 Resultados das simulaes de monitorao pela somatria de correntes para
curto-circuito de um e dois centelhadores e alterao nos resistores de equalizao no para-
raio da fase B

Valor
esperado
Valor
indicado
Erro
Capacitncia
Um centelhador em
curto
12,28 pF 12,28 pF 0 %
Dois centelhadores
em curto
15,35 pF 15,35 pF 0 %
Dois centelhadores
em curto e 3
17,84 pF 20,56 pF 15,2 %
Resistncia
Um centelhador em
curto
700,2 M 706,3 M 0,88 %
Dois centelhadores
em curto
560,7 M 572,6 M 2,1 %
Dois centelhadores
em curto e 3
174 M 217,7 M 25,1 %

Nos dois primeiros cenrios da simulao, com um e dois centelhadores em curto-circuito,
os resultados obtidos apresentam coerncia muito boa com os valores esperados, utilizados no
incio das simulaes, com erros de at 2,1 % para as resistncias equivalentes e zero para as
capacitncias equivalentes, como indicado na Tabela 46.
Para o terceiro cenrio da simulao, as alteraes muito grandes ocorridas nos
parmetros equivalentes de capacitncia e resistncia do para-raio provocam erros maiores
nos resultados obtidos, da ordem de 15 % para a capacitncia e 25 % para a resistncia em
relao aos valores tericos esperados.
No entanto, considerando que o objetivo da monitorao em tempo real detectar a
evoluo de defeitos no para-raio, e no necessariamente obter medies com grande
preciso, os erros obtidos so considerados aceitveis, pois no deixam qualquer margem a

116

dvida com relao aos defeitos em evoluo no para-raio nem com relao gravidade dos
mesmos.
capaz de monitorar corretamente, em tempo real, as alteraes ocorridas na capacitncia e
resistncia equivalentes de um para-raio em um conjunto trifsico.

6.4.5. Simulao 4 Entrada de umidade

A entrada de gua ou mesmo de umidade nos para-raios de SiC tem efeitos deletrios
capazes de gerar falhas graves nesses equipamentos, sendo reportada como uma das principais
fontes de problemas, como oxidaes e criao de caminhos para circulao de correntes
resistivas, que trazem aquecimento e aceleram a degradao do equipamento, conforme
demonstrado no item 5.3.1.4.
Esse cenrio simulado no item 5.3.1.4 como uma reduo uniforme de 20 % na
resistncia de cada resistor de equalizao, devido aos caminhos paralelos criados para
circulao de corrente resistiva, o que resulta em uma reduo de 20 % tambm na resistncia
equivalente do para-raio sem provocar alterao significativa na capacitncia equivalente.
Os valores de capacitncia e resistncia equivalente para esse cenrio so mostrados a
seguir na Tabela 47, juntamente com os valores iniciais antes do defeito, que simulado nesse
caso no para-raio da fase C aplicando a reduo percentual citada sobre o valor inicial da
resistncia.

Tabela 47 Parmetros eltricos dos para-raios considerando reduo de 20% na resistncia
equivalente do para-raio da fase C devido entrada de umidade

Capacitncia
Reduo de 20 % na
resistncia equivalente
9,3 pF 10,23 pF 8,84 pF
Resistncia
Inicial 934 M 840,6 M 980,7 M
Reduo de 20 % na
resistncia equivalente
934 M 840,6 M 784,6 M

117

(19) so os mostrados na Tabela 48 abaixo.

Tabela 48 Correntes de fuga e ngulos de defasagem resultantes da simulao de reduo de
20% na resistncia equivalente do para-raio da fase C

Ifuga cap. (mA) 0,282 0,301 0,266 0,282 0,301 0,266
Ifuga res. (mA) 0,086 0,093 0,081 0,086 0,093 0,102
Ifuga total (mA) 0,295 0,315 0,278 0,295 0,315 0,284
ngulo de Ifuga
ref. tenso ()
73,019 312,857 192,988 73,019 312,857 189,071
ngulo de Ifuga
ref. I fase A ()
0,000 239,838 119,969 0,000 239,838 116,053
I soma (mA) 0,032 0,021
ngulo soma () 266,3 304,7

A partir dos resultados mostrados na Tabela 48 se observa, na fase C, que a componente
capacitiva da corrente de fuga no sofre alterao, conforme esperado, e a corrente de fuga
total tem alterao muito pequena, apesar da alterao importante ocorrida na resistncia
equivalente, o que ilustra mais uma vez a baixa sensibilidade que se obteria na deteco de
alteraes na resistncia equivalente se apenas as medies de correntes de fuga totais fossem
utilizadas.
Devido alterao de porte ocorrida na resistncia equivalente da fase C, o ngulo de sua
corrente de fuga total apresenta alterao significativa, com reduo de 3,9 .
A medio da corrente somatria apresenta alterao mensurvel, de 0,032 mA para 0,021
mA, alm de uma grande mudana de 38,4 no seu ngulo, o que comprova a sensibilidade
do mtodo a variaes no to grandes nos parmetros do para-raio.
A alterao ocorrida na corrente somatria mais bem visualizada na Figura 33 a seguir,
que apresenta de forma grfica sua evoluo da condio inicial para a situao de reduo de
20 % na resistncia equivalente. Nessa figura as correntes de fuga totais so apresentadas
propositalmente fora de escala (menores do que so na realidade), a fim de facilitar a

118

visualizao da somatria. As variaes ocorridas no ngulo e mdulo da corrente da fase C
so muito pequenas para serem visualizadas adequadamente.

inicial (vermelho) e aps reduo de 20% na resistncia equivalente do para-raio da fase C

da resistncia equivalente do para-raio da fase C, bem como o vetor alterao correspondente
I
ALTERAO
, que calculado de acordo com a equao (20), j apresentada no item 6.3.2.
I
A
V
C
V
B
V
A
I
C
I
B
I
SOMA NOVO
I
SOMA ORIGINAL

119

Figura 34 Detalhes da variao na corrente somatria devido reduo de 20% na
resistncia equivalente do para-raio da fase C

O vetor alterao I
ALTERAO
tem mdulo de 20,3 A com ngulo de 47 , o que o
posiciona no intervalo entre os ngulos da tenso da fase C (aproximadamente 30, sempre
tomando como referncia a corrente de fuga da fase A) e a corrente de fuga total da fase C
(aproximadamente 120 ), o que indica ao sistema de monitorao que a alterao detectada
foi causada pela fase C.
A decomposio de I
ALTERAO
equivalente para a alterao total verificada na corrente somatria.
Nesse cenrio de simulao, o vetor alterao tem ngulo prximo do ngulo da tenso da
fase C, de forma que sua decomposio resultar em uma componente quase nula em fase
com a corrente de fuga, indicando alterao muito pequena da capacitncia da fase C, e uma
componente em fase com a tenso praticamente igual ao prprio vetor alterao.

equivalentes pela somatria de correntes para reduo de 20% na resistncia equivalente do
para-raio da fase C

Valor
esperado
Valor
indicado
Erro
Capacitncia Reduo de 20
% na resistncia
equivalente
8,84 pF 9,03 pF 2,1 %
Resistncia 784,6 M 793,4 M 1,1 %

I
SOMA NOVO
I
SOMA ORIGINAL
I
ALTERAO

120

incio das simulaes, com erros de 1,1 % para as resistncias equivalentes e 2,1 % para as
capacitncias equivalentes, conforme indicado na Tabela 49.
Os erros obtidos so considerados aceitveis, pois so bastante inferiores variao que se
deseja detectar, causada por defeito no para-raio, que no caso simulado de 20 % de reduo
na resistncia, sem alterao na capacitncia.
capaz de monitorar corretamente, em tempo real, uma alterao moderada e de forma isolada
na resistncia equivalente de um para-raio em um conjunto trifsico.

121

7. RESULTADOS ESPERADOS COM O NOVO MTODO

Conforme demonstrado no item 5.3, esperado, com base nos dados de ensaios
disponveis, na modelagem eltrica dos para-raios e nas simulaes realizadas, que os
principais tipos de defeitos observados em para-raios possam ser detectados com a
monitorao em tempo real de alteraes nos seus parmetros capacitncia equivalente e
resistncia equivalente, proposta de forma inovadora nesse trabalho.
Isso mostrado de forma resumida na Tabela 50 abaixo para os para-raios de SiC e na
Tabela 51 a seguir para os de ZnO.
Nas tabelas so usadas as seguintes convenes:
Parmetro afetado pelo defeito
Tendncia de elevao no parmetro
Tendncia de reduo no parmetro

Como pode ser observado nas tabelas, o emprego dessa tcnica apresenta vantagens
esperadas em relao aos mtodos atualmente empregados para monitorao desses
equipamentos, principalmente a medio de terceira harmnica da corrente de fuga, que no
sensvel a defeitos que no influenciam os harmnicos da corrente, mas apenas sua
componente fundamental.

Tabela 50 Tipos de defeitos em para-raios de SiC detectveis pela tcnica de monitorao
proposta

Tipo de defeito
Parmetro afetado
Capacitncia Resistncia
Desconexo de resistores de equalizao
Alterao de resistores de equalizao
Centelhadores em curto-circuito
Perda de estanqueidade e entrada de umidade
Componentes desconectados
Alteraes nos blocos de SiC

122

Tabela 51 Tipos de defeitos em para-raios de ZnO detectveis pela tcnica de monitorao
proposta

Tipo de defeito
Parmetro afetado
Capacitncia Resistncia
Perda de estanqueidade e entrada de umidade
Componentes desconectados
Alterao nos blocos de ZnO por I de descarga
Alterao nos blocos de ZnO por reduo de O
2

Na Tabela 50 pode ser observada tambm a principal limitao da tcnica no caso de para-
raios de SiC, que a dificuldade em detectar alteraes nos blocos de SiC, pelo fato da
resistncia dos mesmos ser muito baixa em comparao com a dos resistores de equalizao,
de forma que as alteraes provocadas na corrente de fuga so imperceptveis, exceto em caso
de desconexo completa dos blocos. Tal dificuldade compartilhada por outros mtodos de
diagnstico, como a medio de terceiro harmnico e a termoviso, cujas medies, quando
empregadas, esto relacionadas aos resistores de equalizao, e no aos blocos de SiC.
Ajuda a mitigar essa deficincia, no entanto, o fato de que uma grande parte dos
problemas em para-raios de SiC ter origem na falha de estanqueidade e entrada de umidade,
que afeta igualmente os resistores de equalizao, sendo detectada dessa maneira.
J na aplicao do mtodo em para-raios de ZnO no existem limitaes desse tipo,
conforme Tabela 51, visto que todos os modos de falha listados so detectados de forma
eficiente.
Por outro lado, as simulaes realizadas nos itens 6.3 e 6.4 demonstraram que vivel a
monitorao dos parmetros capacitncia equivalente e resistncia equivalente dos para-raios
em tempo real, utilizando-se a tcnica de somatria vetorial das correntes de fuga de trs para-
raios em um conjunto trifsico, o que abre grandes possibilidades para a aplicao dessa
tcnica nas concessionrias de energia eltrica, criando meios para que sejam atendidas as
necessidades e atingidos os objetivos citados nos itens 1.3 e 1.4 deste trabalho.

123

8. CONCLUSES

A proposta apresentada neste trabalho, de uma nova tcnica de diagnstico de estado de
para-raios em sistemas de distribuio e transmisso de energia eltrica, baseada na
monitorao em tempo real dos parmetros eltricos capacitncia equivalente e resistncia
equivalente, fornece uma alternativa eficaz para a deteco dos principais modos de falha
encontrados nesses equipamentos.
Ademais, essa nova metodologia de diagnstico mostra-se vantajosa em comparao com
as tcnicas atualmente utilizadas para esse fim, visto que esperada sensibilidade a modos de
falha que no so detectveis pelos mtodos existentes, evitando assim a ocorrncia de falhas
em para-raios que no seriam evitadas pelo estado da arte vigente at ento.
Por conseguinte, essa contribuio pode trazer grandes benefcios para a confiabilidade e
continuidade do fornecimento de energia eltrica para a sociedade, cada vez mais dependente
dessa forma de energia.
Um importante benefcio da tcnica apresentada a possibilidade de aplicao no apenas
em para-raios de tecnologia xido de zinco, atualmente o estado da arte nessa rea, mas
tambm na grande quantidade de para-raios de carboneto de silcio ainda em operao nas
concessionrias de energia eltrica, que precisam ter seu estado diagnosticado at mesmo para
permitir a priorizao de substituies, visto que muitos j ultrapassaram o tempo de vida para
o qual foram projetados.
Outra contribuio desse trabalho a demonstrao da viabilidade de utilizao da tcnica
de soma vetorial das correntes de fuga para monitorao de capacitncia e resistncia
equivalente dos para-raios, de forma a ultrapassar o plano apenas terico e viabilizar tcnica e
economicamente a monitorao em tempo real desses equipamentos. Essa tcnica no foi
objeto de desenvolvimento nesse trabalho, visto que j est disponvel e utilizada atualmente
para monitorao de buchas capacitivas, porm seu emprego nessa aplicao inovador.

124

9. TRABALHOS FUTUROS

As seguintes etapas so sugeridas para a expanso do trabalho aqui apresentado, visando
concretizar sua utilizao prtica nas concessionrias de energia eltrica e com isso auferir de
fato seus benefcios:

(a) Realizao de ensaios em laboratrio com para-raios de SiC e ZnO, tanto em bom
estado quanto defeituosos com os vrios modos de falha previstos no item 5.3, com a
utilizao do mtodo proposto de diagnstico pela capacitncia e resistncia
equivalentes do para-raios associado tcnica de soma vetorial de correntes para
monitorao em tempo real desses parmetros. Simultaneamente, devem ser aplicadas
tambm as tcnicas atuais de diagnstico, para fins de comparao;

(b) Realizao de testes em campo com a monitorao em tempo real dos parmetros
capacitncia e resistncia equivalentes de para-raios de SiC e ZnO, utilizando a tcnica
de monitorao contnua pela soma vetorial de correntes de fuga.

Deve ser observado que a realizao dessas etapas depende de viabilizao financeira,
dados os custos envolvidos, incluindo horas de uso de laboratrios e instrumentos e os custos
dos para-raios usados nos testes, considerando os riscos de danos durante ensaios e
manipulao.
Alm disso, a viabilidade da etapa (b) depende de trabalho em conjunto com
concessionrias de energia eltrica, a fim de viabilizar o acesso s instalaes e aos para-raios.

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REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS

(1) IEEE POWER AND ENERGY SOCIETY. IEEE C62.22-2009 IEEE Guide for the
Application of Metal-Oxide Surge Arresters for Alternating-Current Systems. 2009.

(2) LAT, M., KORTSCHINSKI, J., Application Guide for Surge Arresters and Field
Research of Lightning Effects on Distribution Systems. INTERNATIONAL
CONFERENCE ON ELECTRICITY DISTRIBUTION, 10., 1989, Brighton. Anais.
CIRED 1989, 1989.

(3) KIM, J. et al, An investigation of aging characteristics of polymer housed distribution
surge arresters by accelerated aging test. ANNUAL REPORT CONFERENCE ON
ELECTRICAL INSULATION DIELECTRIC PHENOMENA. 2008, Quebec.
Proceedings. CEIDP 2008, 2008.

(4) SAKSHAUG, E. C., A Brief History of AC Surge Arresters. IEEE Power Engineering
Review, v.11, p. 11-13, 40, Aug. 1991.

(5) IEEE POWER ENGINEERING SOCIETY. IEEE C62.1-1989 IEEE Standard for
Gapped Silicon-Carbide Surge Arresters for AC Power Circuits. 1989.

(6) ZANOTTI JNIOR, Milton. Contribuio metodologia de avaliao dos pra-raios
do sistema de transmisso de energia eltrica. 2009. 187f. Dissertao (Mestrado em
Energia) - Programa de Ps-Graduao em Energia da Universidade de So Paulo, So
Paulo, 2009.

(7) BACEGA, W. et al, Diagnstico do Estado dos Para-raios em Operao no Sistema de
Transmisso. CONGRESSO DE INOVAO TECNOLGICA EM ENERGIA
ELTRICA, 5. 2009, Belm. Anais. V CITENEL, 2009.

(8) HINRICHSEN, V., Metal-Oxide Surge Arrester Fundamentals. Germany: Berlin,
2001.

(9) INTERNATIONAL ELECTROTECHNICAL COMISSION. IEC 60099-4 : Surge
arresters Part 4: Metal-oxide surge arresters without gaps for a.c. systems. 2009.

(10) IEEE POWER ENGINEERING SOCIETY. IEEE C62.11-2005. 22 IEEE Standard for
Metal-Oxide Surge Arresters for AC Power Circuits (> 1 kV). 2006.

126

(11) ZAHEDI, A., Effect of Dry Band on Performance of uhv Surge Arrester and Leakage
Current Monitoring, using new developed Model. INTERNATIONAL CONFERENCE
ON PROPERTIES AND APPLICATIONS OF DIELECTRIC MATERIALS, 4. 1994,
Brisbane. Proceedings. 1994.

(12) SHIRAKAWA, S. et. al., Maintenance of Surge Arrester by a Portable Arrester Leakage
Current Detector. IEEE Transactions on Power Delivery, vol. 3, n. 3, p. 998-1003, July
1988.

(13) INTERNATIONAL ELECTROTECHNICAL COMISSION. IEC 60099-5. Surge
arresters Part 5: Selection and Application Recommendations. 2000.

(14) SHAW, J., HOLMGREN, N., Characteristics which can be used to detect defective
distribution surge arrester. IEEE Transaction on Power Apparatus and Systems, vol.
PAS-104, No. 1, p. 137-141, 1985.

(15) MARTINEZ, M. et al, Medio de corrente de fuga, uma alternativa para a manuteno
preventiva de pra-raios. IN SEMINRIO NACIONAL DE PRODUO E
TRANSMISSO DE ENERGIA ELTRICA, 10.,1989, Curitiba. Anais. X SNPTEE
Curitiba, 1989.

(16) JUNQUEIRA F., A. et al, Avaliao do desempenho de para-raios convencionais (SiC)
em sistemas de transmisso: Tcnicas preditivas atuais e novas propostas para a
identificao de unidades defeituosas em servio. SEMINRIO NACIONAL DE
PRODUO E TRANSMISSO DE ENERGIA ELTRICA, 11,1993, Recife. Anais.
XII SNPTEE Recife, 1993.

(17) MCDONALD, DARVENIZA J., SAHA, T., The diagnostic testing of high voltage
silicon carbide surge arresters. AUSTRALASIAN UNIVERSITIES POWER
ENGINEERING CONFERENCE. 2000, Brisbane. Anais. AUPEC 2000, 2000.

(18) ARARIPE JR., J., BACEGA, W., Ensaio de tenso disruptiva a 60 Hz em para-raios de
carboneto de silcio (SiC) em campo. ENCONTRO REGIONAL LATINO-
AMERICANO DO CIGRE,, 1995. Foz do Iguau.. Trabalhos Tcnicos VI ERLAC
1995.

(19) DARVENIZA, M., MERCER, R., WATSON, R., An assessment of the reliability of in-
service gapped silicon-carbide distribution surge arresters. IEEE Transactions on
Power Delivery, vol. 11, n.. 4, p. 745-750, Oct. 1996.

127

(20) GRZYBOWSKI, S., GAO, G., Evaluation of 15-420 kV substation lightning arresters
after 25 years of service. New Jersey: Southeastcon, 1999.

(21) McDERMID, W., Reliability of Station Class Surge Arresters. Boston: International
Symposium on Electrical Insulation,, 2002.

(22) LUNDQUIST, J. et al, New method for measurement of the resistive leakage current of
metal-oxide surge arresters in service. IEEE Transactions on Power Delivery, vol. 5, n.
. 4, p. 1811-1822, 1990.

(23) ORSINO FILHO, O. et al, Performance Evaluation of 20 Years Old ZnO Surge Arresters
Based on Laboratory Tests. INTERNATIONAL CONFERENCE ON HIGH VOLTAGE
ENGINEERING AND APPLICATION. 2008, Chongqing. Proceedings ICHVE 2008,
2008.

(24) VITOLS, A., STEAD, J., Condition Monitoring of Post Insulators and Surge Arresters.
IEEE ELECTRICAL INSULATION CONFERENCE. 2009, Montreal.

(25) CALAZANS, A. XIMENES, R., REZENDE, Z., Diagnstico de pra-raios de xido de
zinco atravs de tcnicas preditivas. SEMINRIO NACIONAL DE PRODUO E
TRANSMISSO DE ENERGIA ELTRICA,14., , 1997 Belm. Anais. XIV SNPTEE,
1997.

(26) HEINRICH, C. et al., On line monitoring of high-voltage metal-oxide arresters by
wireless passive surface acoustic wave (SAW) temperature sensors. INTERNATIONAL
SYMPOSIUM ON HIGH VOLTAGE ENGINEERING, 11, 1999. London, Proceedings.
1999.

(27) HEINRICH, C., HINRICHSEN, V., Diagnostics and monitoring of metal-oxide surge
arresters in high-voltage networks comparison of existing and newly developed
procedures. IEEE Transactions on Power Delivery, vol. 16, n.. 1, p. 138-143, Jan.
2001.

(28) ZHAO T., LI, Q., QIAN, J., Investigation on Digital Algorithm for On-Line Monitoring
and Diagnostics of Metal Oxide Surge Arrester Based on an Accurate Model. IEEE
Transactions on Power Delivery, vol. 20, n. 2, p. 751-756, Apr. 2005.

(29) TASKIN, T., Introduction of a measurement system to monitor the condition of ZnO
surge arresters. IEEE Power Engineering Society Winter Meeting, vol. 3, p. 1553-
1557, Jan. 2000.

128

(30) ABDUL-MALEK, Z., YOUSOF, M., Field Experience on Surge Arrester Condition
Monitoring - Modified Shifted Current Method. International Universities Power
Engineering Conference, 45., 2010, Cardiff. Proceedings UPEC 2010, 2010.

(31) LARSEN, V., LIEN, K., In-service testing and diagnostic of gapless metal oxide surge
arresters. INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON LIGHTNING PROTECTION, 9.,
2007. Foz do Iguau. Proceedings., 2007.

(32) CAVALLINI, A. et al, Advanced PD Inference in On-Field Measurements. Part I: Noise
Rejection. IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation, vol. 10, n.. 2,
p. 216-224, Apr. 2003.

(33) CAVALLINI, A. et al, Advanced PD Inference in On-Field Measurements. Part II:
Identification of defects in solid insulation systems. IEEE Transactions on Dielectrics
and Electrical Insulation, vol. 10, n.. 3, p. 528-538, Jun. 2003.

(34) BRITO, Tales. Metodologia da Manuteno Centrada em Confiabilidade Aplicada a
Pra-Raios de Alta Tenso. 2006. 109p. Dissertao (Mestrado em Engenharia Eltrica) -
Programa de Ps-Graduao em Engenharia Eltrica da Universidade Federal de Santa
Catarina, Florianpolis, 2006.

(35) HINRICHSEN, V.et al, Online monitoring of high-voltage metal-oxide surge arresters by
wireless passive surface acoustic wave (SAW) temperature sensors. INTERNATIONAL
SYMPOSIUM ON HIGH VOLTAGE ENGINEERING , 11., London, 1999.
Proceedings. (Conf. Publ. No. 467)

(36) ZHU, H., RAGHUVEER, M., Influence of Representation Model and Voltage
Harmonics on Metal Oxide Surge Arrester Diagnostics. IEEE Transactions on Power
Delivery, vol. 16, n.. 4, p. 599-603, Oct. 2001.

(37) BARBOSA, F., Tcnicas de Diagnstico e Correlao com Fenmenos de
Degradao em Varistores de ZnO. 2007. Dissertao ( Mestrado) - COPPE/UFRJ, Rio
de Janeiro, 2007.

(38) ALVES, M. Monitorao de Buchas Condensivas Isoladas com Papel Impregnado
com leo. 2004. Dissertao ( Mestrado) Universidade de So Paulo, So Paulo, 2004.

(39) ALVES, M., SILVA, J. Sistema de Monitorao On-line de Capacitncia e Tangente
Delta de Buchas Condensivas. ENCONTRO REGIONAL IBERO-AMERICANO DO
CIGRE,12., 2007. FOZ DO IGUAU. TRABALHO TCNICO XII ERIAC, 2007.

129

(40) ALVES, M., MELO, M., Experincia com Monitorao On-Line de Capacitncia e
Tangente Delta de Buchas Condensivas. SEMINRIO NACIONAL DE PRODUO E
TRANSMISSO DE ENERGIA ELTRICA, 19. 2007, Rio de Janeiro. Anais. XIX
SNPTEE, 2007.

(41) CALAZANS, A., XIMENES, R., REZENDE, Z., Diagnstico de Pra-raios de xido de
Zinco Atravs de Tcnicas Preditivas. SEMINRIO NACIONAL DE PRODUO E
TRANSMISSO DE ENERGIA ELTRICA, 14. 1997, Belm. Anais. XIV SNPTEE,
1997.

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