LABORATORIO DE ELECTRONICA DE POTENCIA UNIVERSIDAD MAYOR DE SAN MARCOS FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA Y ELECTRICA CURSO :LABORATORIO DE ELECTRONICA DE POTENCIA

EL SCR I. II. OBJETIVO Familiarizarse con el SCR (Rectificador de silicio) Determinar experimentalmente algunas de sus caractersticas MATERIALES Y EQUIPO Un SCR (c106m o bt151 ) u otro cualquiera Una resistencia de 5-50 a 10-30 watts Resistencias variadas Potencimetros Multmetro Miliampermetro Trasformador de 220/9v Procedimiento PROCEDIMIENTO

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III.

CUESTIONARIO 1) Haga una introduccin terica de los SCR El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio), es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con formado conduccin instante por entre de la disposicin pnpn .Est tres nodo y terminales, La es ser ctodo puede

llamados nodo, Ctodo y Puerta.

controlada por el terminal de puerta. El conmutacin, controlado con toda precisin actuando sobre el terminal de puerta Es un elemento unidireccional (sentido de la corriente es nico), conmutador casi ideal, rectificador .

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CARACTERSTICAS GENERALES. Interruptor casi ideal. Soporta tensiones altas. Amplificador eficaz. Es capaz de controlar grandes potencias. Fcil controlabilidad. Relativa rapidez. Caractersticas en funcin de situaciones pasadas (memoria).

LABORATORIO DE ELECTRONICA DE POTENCIA Caractersticas de la compuerta de los SCR

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Un SCR es disparado por un pulso corto de corriente aplicado a la compuerta. Esta corriente de compuerta (IG) fluye por la unin entre la compuerta y el ctodo, y sale del SCR por la Terminal del ctodo. La cantidad de corriente de compuerta necesaria para disparar un SCR en particular se simboliza por IGT. Para dispararse, la mayora de los SCR requieren una corriente de compuerta entre 0.1 y 50 mA (IGT = 0.1 - 50 mA). Dado que hay una unin pn estndar entre la compuerta y el ctodo, el voltaje entre estas terminales ( ) debe ser ligeramente mayor a 0.6 V. Una vez que un SCR ha sido disparado, no es necesario continuar el flujo de corriente de compuerta. Mientras la corriente continu fluyendo a travs de las terminales principales, de nodo a ctodo, el SCR permanecer en ON. Cuando la corriente de nodo a ctodo ( ) caiga por debajo de un valor mnimo, llamado corriente de retencin, simbolizada IHO el SCR se apagara. Esto normalmente ocurre cuando la fuente de voltaje de CA pasa por cero a su regin negativa. Para la mayora de los SCR de tamao mediano, la es alrededor de 10 mA. CARACTERSTICA DEL SCR La siguiente figura muestra la dependencia entre el voltaje de conmutacin y la corriente de compuerta. Cuando el SCR est polarizado en inversa se comporta como un diodo comn En la regin de polarizacin en directo el SCR se comporta tambin como un diodo comn, siempre que el SCR ya haya sido activado (On). Ver los puntos D y E. Para valores altos de corriente de compuerta (IG) (ver punto C), el voltaje de nodo a ctodo es menor (VC). Si la IG disminuye, el voltaje nodo-ctodo aumenta. (ver el punto B y A, y el voltaje nodo-ctodo VB y VA). Concluyendo, al disminuir la corriente de compuerta IG, el voltaje nodo-ctodo tender a aumentar antes de que el SCR conduzca (se ponga en On, est activo)

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CARACTERSTICAS ESTTICAS Corresponden a la regin nodo- ctodo y son los valores mximos que colocan al elemento en un limite de sus posibilidades Vrwm. Vdrm, Vt, Itav, Itrms, Ir,Tj, Ih

CARACTERSTICAS DINMICAS Tensiones transitorias Son valores de tensin que van superpuesto a la seal sinusoidal de la fuente de alimentacin. Son de escasa duracin, pero de amplitud considerable. CARACTERSTICAS DE CONMUTACIN Los tiristores necesitan un tiempo para pasar de bloqueo a conduccin y viceversa. Para frecuencias inferiores a 400hz podemos ignorar estos efectos. En la mayora de las aplicaciones se requiere una conmutacin ms rpida por lo que este tiempo de tenerse en cuenta. CARACTERSTICAS POR TEMPERATURA Dependiendo de las condiciones de trabajo de un tiristor, este disipa una cantidad de energa que produce un aumento de la temperatura en las uniones del semiconductor. Este aumento de la temperatura produce un aumento de la corriente de fuga, creando un fenmeno de acumulacin de calor que debe ser evitado. Para ello se colocan Disipadores de calor. LOS PARMETROS DE RENDIMIENTO DEL SCR SON: - VRDM: Mximo voltaje inverso de cebado (VG = 0)- VFOM: Mximo voltaje directo sin cebado (VG = 0)- IF: Mxima corriente directa permitida.- PG: Mxima disipacin

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de potencia entre compuerta y ctodo.- VGT-IGT: Mximo voltaje o corriente requerida en la compuerta (G) para el cebado- IH: Mnima corriente de nodo requerida para mantener cebado el SCR- dv/dt: Mxima variacin de voltaje sin producir cebado.-di/dt: Mxima variacin de corriente aceptada antes de destruir el SCR. Aplicaciones del SCR Las aplicaciones de los tiristores se extiende desde la rectificacin de corrientes alternas, en lugar de los diodos convencionales hasta la realizacin de determinadas conmutaciones de baja potencia en circuitos electrnicos, pasando por los onduladores o inversores que transforman la corriente continua en alterna.La principal ventaja que presentan frente a los diodos cuando se les utiliza como rectificadores es que su entrada en conduccin estar controlada por la seal de puerta. De esta forma se podr variar la tensin continua de salida si se hace variar el momento del disparo ya que se obtendrn diferentes ngulos de conduccin del ciclo de la tensin o corriente alterna de entrada. Adems el tiristor se bloquear automticamente al cambiar la alternancia de positiva a negativa ya que en este momento empezar a recibir tensin inversa. Por lo anteriormente sealado el SCR tiene una gran variedad de aplicaciones, entre ellas estn las siguientes: Controles de relevador. Circuitos de retardo de tiempo. Fuentes de alimentacin reguladas. Interruptores estticos. Controles de motores. Recortadores. Inversores. Ciclo conversores. Cargadores de bateras. Circuitos de proteccin. Controles de calefaccin. Controles de fase.

Indique modelo equivalente con transistores El siguiente grfico muestra un circuito equivalente del SCR para comprender su funcionamiento. Al aplicarse una corriente IG al terminal G (base de Q2 y colector de Q1), se producen dos corrientes: IC2 = IB1.IB1 es la corriente base del transistor Q1 y causa que exista una corriente de colector de Q1 (IC1) que a su vez alimenta la base del transistor Q2 (IB2), este a su vez causa ms corriente en IC2, que es lo mismos que

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IB1 en la base de Q1.Este proceso regenerativo se repite hasta saturar Q1 y Q2 causando el encendido del SCR.

Para el trasmisor pnp

Y para el transistor

como

Sustituyendo c) y d) en a) y b) respectivamente, se obtiene:

( Teniendo en cuenta que la suma de corrientes en T1 es cero , se obtiene

Y, sustituyendo Ic1 e Ic2 en g) por sus valores dados por sus respectivas expresiones e)y f) se obtiene (

LABORATORIO DE ELECTRONICA DE POTENCIA Finalmente , se despeja Ia en h) y se obtiene

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( Parmetros del SCR son: - VRDM: Mximo voltaje inverso de cebado (VG = 0) - VFOM: Mximo voltaje directo sin cebado (VG = 0) - IF: Mxima corriente directa permitida. - PG: Mxima disipacin de potencia entre compuerta y ctodo. - VGT-IGT: Mximo votaje o corriente requerida en la compuerta (G) para el cebado - IH: Mnima corriente de nodo requerida para mantener cebado el SCR - dv/dt: Mxima variacin de voltaje sin producir cebado. - di/dt: Mxima variacin de corriente aceptada antes de destruir el SCR Que es tensin de disparo Vgk y corriente de mantenimiento IH
Es la corriente mnima para que el tiristor se mantenga en el estado de conduccin una vez que fue disparado.

enganche

La corriente de mantenimiento es menor que la corriente de

MTODOS DE DISPARO Para que se produzca el cebado de un tiristor, la unin nodo - ctodo debe estar polarizada en directo y la seal de mando debe permanecer un tiempo suficientemente larga como para permitir que el tiristor alcance un valor de corriente de nodo mayor que IL, corriente necesaria para permitir que el SCR comience a conducir. Para que, una vez disparado, se mantenga en la zona de conduccin deber circular una corriente mnima de valor IH, marcando el paso del estado de conduccin al estado de bloqueo directo. Los distintos mtodos de disparo de los tiristores son: Por puerta. Por mdulo de tensin. Por gradiente de tensin (dV/dt) Disparo por radiacin. Disparo por temperatura.

El modo usado normalmente es el disparo por puerta. Los disparos por mdulo y gradiente de tensin son modos no deseados.

LABORATORIO DE ELECTRONICA DE POTENCIA DISPARO POR PUERTA.

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Es el proceso utilizado normalmente para disparar un tiristor. Consiste en la aplicacin en la puerta de un impulso positivo de intensidad, entre los terminales de puerta y ctodo a la vez que mantenemos una tensin positiva entre nodo y ctodo.

Figura 8. Circuito de control por puerta de un SCR. El valor requerido de VT necesario para disparar el SCR es: VT = VG + IG R R viene dada por la pendiente de la recta tangente a la curva de mxima disipacin de potencia para obtener la mxima seguridad en el disparo (Figura 9). R = VFG / IFG

Figura 9. Recta tangente a la curva de mxima disipacin de potencia.

LABORATORIO DE ELECTRONICA DE POTENCIA 5.2 DISPARO POR MDULO DE TENSIN.

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Es el debido al mecanismo de multiplicacin por avalancha. Esta forma de disparo no se emplea para disparar al tiristor de manera intencionada; sin embargo ocurre de forma fortuita provocada por sobre tensiones anormales en los equipos electrnicos. 5.3 DISPARO POR GRADIENTE DE TENSIN.

Una subida brusca del potencial de nodo en el sentido directo de conduccin provoca el disparo. Este caso ms que un mtodo, se considera un inconveniente.

Figura 10. Zona de disparo por gradiente de tensin.

5.4

DISPARO POR RADIACIN.

Est asociado a la creacin de pares electrn-hueco por la absorcin de la luz del elemento semiconductor. El SCR activado por luz se llama LASCR.

5.5

DISPARO POR TEMPERATURA.

El disparo por temperatura est asociado al aumento de pares electrn hueco generados en las uniones del semiconductor. As, la suma (a1+ a2) tiende rpidamente a la unidad al aumentar la temperatura. La tensin de ruptura permanece constante hasta un cierto valor de la temperatura y disminuye al aumentar sta.

LABORATORIO DE ELECTRONICA DE POTENCIA SIMULACIONES Figura 2)

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Notamos que al aumentar el valor de la resistencia aumenta el pico de la grafica

Grafica de la carga

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Al aumentar el valor de la resistencia del potencimetro aumentamos el ngulo de conduccin pero algo muy curioso es que solo se puede hasta un ngulo de 90 grados al intentar ponerle ms ngulo la grfica se pierde
Fig 3)

LABORATORIO DE ELECTRONICA DE POTENCIA EN LA CARGA

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Notamos que al ponerle el capacitador mejora el ngulo de conduccin podemos ponerle ms de 90

FIG 4)

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RV1
37%

5k

+0.07

mA

R1
100

RV2
0.00
mA
34%

BAT1
12V

5k

R2 U1
T107C1 5k

+11.8
Volts

+0.01
Volts

R3
10k

BILBIOGRAFIA http://www.gte.us.es/~leopoldo/Store/tsp_5.pdf http://books.google.com.pe/books?id=CsWcnHY7vOoC&pg=PA66&lpg=PA66&dq =tension+de+disparo+VGK&source=bl&ots=Tl6b7f0eg_&sig=V0VqMd0Gvs279Q CRmpoyR_Ifaks&hl=es&sa=X&ei=QtE6U4ruHq0sQSjvoHwBQ&ved=0CCoQ6AEwAA#v=onepage&q=tension%20de%20dispar o%20VGK&f=false Electronica de potencia Muhammad H. Rashid

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