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O Diodo Schottky (ART093)

Os diodos retificadores de estado slido so componentes de grande importncia para eletrnica, sendo encontrados em diversas verses, com diversos materiais bsicos como o silcio, germnio, etc. Com o passar do tempo, a descoberta de novas tecnologias tem levado a diodos com caractersticas especiais que encontram aplicaes especifcas, como o caso dos diodos Schottky. Veja neste artigo o que so os diodos Schottky e onde so usados.

Os diodos Schottky no so componentes novos. J esto em uso h mais de 25 anos, principalmente na indstria de fontes de alimentao. Mas, o que tm esses diodos de diferente dos demais? Quando analisamos a curva caracterstica dos diodos comuns, vemos que para que eles comecem a conduzir preciso que uma tenso mnima seja atingida. Essa tenso necessria para se romper a barreira de potencial que se manifesta na juno do diodo. Para os tipos comuns como os diodos de silcio, essa barreira exige uma tenso da ordem de 0,7 V, conforme mostra a figura 1.

Figura 1

Tambm observamos que os diodos comuns, como os de silcio usados em fontes, so dispositivos lentos precisando de algum tempo para comear a conduzir e mais, tempo para se recuperar do estado de conduo quando a polaridade da tenso aplicada se inverte. Este tempo de recuperao inversa ou reverse recovery especialmente importante em muitas aplicaes. O que ocorrem que, ao invertermos a polarizao de um diodo, para que ele passe do estado de conduo para no conduo, no intervalo do processo o

diodo no bloqueia a corrente e conduz ainda mesmo quando a tenso j foi invertida, conforme mostra a figura 2.

Figura 2 Se bem que o intervalo de tempo em que isso ocorre seja muito pequeno, existem aplicaes sensveis, principalmente aquelas em que o diodo precisa comutar rapidamente, em que isso no admitido. Essas caractersticas indesejveis nos diodos comuns so superadas em grande parte pelos diodos Schottky. O Diodo Schottky Em primeiro lugar os diodos Schottky comeam a conduzir com uma tenso extremamente baixa, muito menor do que as dos diodos de silcio comuns usados em retificao. Alm disso, a corrente de fuga que circula por um diodo Schottky, quando polarizado no sentido inverso, menor do que a que encontramos nos diodos de silcio, conforme mostra a figura 3.

Figura 3 O tempo de comutao, por outro lado, extremamente baixo, da ordem de menos de 100 picossegundos o que permite seu uso em circuitos de freqncias muito altas. Para o tempo de recuperao inversa tambm temos excelentes caractersticas desses diodos. Alm dos tempos serem muito curtos,

a recuperao suave, o que garante um overshoot reverso muito pequeno quando eles comutam do estado de plena conduo para no conduo. Na prtica isso tem alguns benefcios importantes, como a no necessidade de se usar filtros snubbers nos circuitos para evitar o aparecimento de altas tenses nos dispositivos comutadores devido velocidade de comutao. Na Prtica O primeiro problema que o projetista que pretende usar diodos Schottky encontra que os tipos comuns raramente tm tenses reversas que superam os 100 V. (Vrrm). O problema que, quando se fabricam diodos Schottky com maiores tenses reversas, tambm aumenta a tenso direta necessria a conduo e a suas propriedades de conduo se aproximam das dos diodos comuns, no havendo portanto vantagem em us-los. As propriedades dos diodos Schottky so determinada pela altura da barreira de energia do material depositado no silcio no processo de fabricao. Um metal com uma barreira de energia mais baixa minimiza a tenso direta, mas tambm restringe a capacidade de operao em altas temperaturas. Alm disso passam a ocorrer correntes de fuga maiores. Por outro lado, uma barreira maior minimiza a temperatura e as fugas, mas aumenta a tenso direta necessria conduo. Assim, dependendo da aplicao, os fabricantes devem jogar com essas caractersticas de modo a obter um diodo que tenha as caractersticas desejadas. Na figura 4 temos um exemplo de estrutura adotada para a fabricao de um Diodo Schottky pela Microsemi .

Figura 4 Nessa estrutura temos um anel que envolve a regio p-n o qual funciona com supressor para a absoro da energia reversa. De qualquer forma, podemos encontrar uma ampla variedade de circuitos, principalmente que exigem a retificao com alto rendimento e baixas perdas de tenses com freqncias elevadas, que fazem uso dos diodos Schottky.

Varicaps (ART126)

Diodos de sintonia, diodos de capacitncia varivel, varicaps ou qualquer que seja o nome dado a este componente, sua aplicao em eletrnica extremamente importante nos nossos dias. Com a possibilidade de se substituir o pesado e caro capacitor varivel por um dispositivo semicondutor que pode ser controlado diretamente por circuitos externos, a sintonia de receptores, transmissores e osciladores torna-se muito mais simples. Neste artigo, veremos, de maneira bastante didtica, como funcionam os Varicaps, mostrando alguns tipos comerciais de exemplo e at os circuitos em que eles so usados.

Os circuitos de sintonia da maioria dos receptores so formados por uma configurao tradicional em que uma bobina ligada em paralelo com um capacitor, conforme mostra a figura 1.

Figur a1

A frequncia do sinal que pode ser sintonizado por este circuito, ou seja, a frequncia de ressonncia dada pelos calores da indutncia da bobina e pela capacitncia do capacitor, segundo a seguinte frmula:

Para que possamos variar a frequncia de sintonia de um circuito deste tipo existem duas possibilidades: utilizar uma bobina ou indutor varivel ou ento um capacitor varivel. A indutncia de uma bobina pode ser variada numa certa faixa de valores pelo deslocamento do ncleo no seu interior, mas este no um processo muito prtico, sendo utilizado apenas nos casos em que se deseja uma mudana numa margem muito estreita de frequncias. A sintonia pelo ajuste do ncleo mais usada nos casos em que se necessita de um ajuste nico da frequncia de ressonncia, como por exemplo em transformadores de FI, bobinas osciladoras, etc. Para essas bobinas temos um exemplo dado na figura 2.

Figura 2

No caso do capacitor, podemos ter duas sadas: variaes pequenas conseguidas com "trimers" ou "padders" ou variveis de pequenos valores de capacitncia ou ainda grandes variaes com variveis de maior capacitncia, conforme mostrado na figura 3.

Figura 3

Nesses componentes, a variao da capacitncia tanto pode ser obtida pelo afastamento ou aproximao das placas (armaduras) como pela sua movimentao paralela, interpenetrando conforme mostra a figura 4.

Figura 4

Nesta figura temos um varivel comum com as armaduras mveis todas abertas, caso em que temos uma superfcie de defrontao pequena (efetiva) o que significa a posio de menor capacitncia e depois as armaduras mveis todas fechadas, caso em que temos a defrontao mxima e portanto mxima capacitncia. Observe que, em todos os casos, a mudana da frequncia feita por ao mecnica: giramos um ncleo, um parafuso ou ainda um eixo de controle. Com a utilizao de dispositivos semicondutores em circuitos ressonantes uma nova gama de possibilidades do controle de frequncias aberta.

OS VARICAPS Quando polarizamos um diodo comum no sentido inverso, conforme mostra a figura 5, os portadores de carga se afastam da juno, diminuindo a intensidade do fenmeno da recombinao pela conduo, responsvel pela

conduo do componente: no h corrente entre o anodo e o catodo e a regio da juno aumenta de espessura.

Figura 5

Os portadores de carga acumulados no material e separados por uma regio isolante correspondem a uma estrutura muito semelhante a de um capacitor comum: o local onde ficam as cargas acumuladas corresponde s armaduras do capacitor e a regio em que no temos a conduo, em torno da juno corresponde ao dieltrico. Num capacitor comum, a capacitncia obtida depende de 3 fatores:

a) tamanho das armaduras, ou seja, sua superfcie efetiva. b) distncia de separao entre as armaduras c) material de que feito o dieltrico (constante dieltrica).

Num diodo polarizado no sentido inverso a capacitncia apresentada vai depender ento do tamanho do material semicondutor usado (armaduras), da separao entre as regies em que as cargas se acumulam e da constante dieltrica do material semicondutor usado (silcio), conforme mostra a figura 6.

Figura 6

Nos capacitores comuns, todos esses fatores so fixos e num capacitor varivel podemos alterar a distncia de separao entre as armaduras ou ainda sua superfcie efetiva. Num diodo, entretanto, existe um fator que pode ser alterado a partir de uma ao exterior que a distncia entre as armaduras. Como, na realidade, as armaduras deste capacitor "fictcio" que existem no diodo so formadas por portadores de carga que podem se mover no interior do material, podemos afast-las ou aproxim-las pela ao de um campo eltrico, ou seja, pela aplicao de uma tenso externa. Se o diodo estiver desligado (tenso nula entre o anodo e o catodo), os portadores de cargas das armaduras atraem-se e s se no se recombinam totalmente porque existe uma barreira de potencial na juno. Sua distncia ento mnima e a capacitncia apresentada pelo componente mxima, conforme indicado na figura 7.

Figura 7

Aplicando uma tenso no sentido inverso, medida que seu valor aumenta, vai ocorrendo uma separao gradual das "armaduras" ou portadores de carga, o que faz com que a capacitncia do dispositivo tambm diminua de valor. A mxima tenso que o diodo admite no sentido inverso determina a menor capacitncia que podemos conseguir do diodo, conforme mostra o grfico tpico de um diodo na figura 8.

Figura 8

Os diodos comuns no so apropriados para a utilizao num circuito ressonante, porque sua faixa de variao de capacitncias no muito grande e, alm disso, podem ocorrer problemas de resposta na operao em frequncias muito altas. No entanto, utilizando tcnicas especiais, podem ser construdos diodos cujas caractersticas que importam neste caso, ou seja, a capacitncia entre as regies semicondutoras e a resposta frequncias elevadas, sejam ressaltas o que d origem a uma famlia importante de componentes: os varicaps. Na figura 9 temos os smbolos adotados para representar os varicaps.

Figura 9

Comercialmente, encontramos tipos que podem ter faixas de capacitncias que vo desde valores relativamente pequenos para a operao em FM, VHF e UHF, at diodos de capacitncias elevadas na condio de ausncia de tenso para operao em circuitos de baixas frequncias como por exemplo na sintonia de receptores AM. O importante nestes diodos a relao que existe entre a capacitncia mxima e mnima, pois esta relao vai determinar a largura da faixa que ele pode sintonizar quando usado num circuito de sintonia. Diodos com faixas semelhantes aos capacitores variveis comuns permitem que a substituio seja quase que direta, tanto no projeto de receptores de AM como FM. A Philips Components possui uma ampla linha de varicaps que podem ser encontrados em rdios, televisores, walkmans e muitos outros aparelhos comerciais. Na tabela abaixo damos as caractersticas de alguns diodos de sintonia ou varicaps fabricados pela Philips Components.

A Zetex tambm possui diversos diodos varicaps. Observe que as caractersticas dadas referem-se tenso no sentido inverso (Vr) e capacitncia mnima que obtida com a tenso mais baixa, normalmente entre 0,5 e 4 volts. Alm disso, temos a faixa de capacitncias que podem ser obtidas dada pela relao entre o valor mximo e o valor mnimo dessa grandeza sob determinao condio de operao. Para o BB112, por exemplo, observamos que a capacitncia mxima 18 vezes maior que a capacitncia mnima, quando a tenso aplicada varia entre 1 e 9 volts. Os invlucros destes diodos so mostrados na figura 10.

Figura 10

APLICAES A utilizao de um varicap num circuito de sintonia no feita simplesmente pela sua colocao no lugar do varivel. Levando-se em conta que o diodo precisa ser polarizado com uma certa tenso e que a bobina que forma o circuito ressonante consiste num percurso de baixa resistncia para correntes contnuas ou curto-circuito, no basta usar o diodo como mostra a figura 11.

Figura 11

A tenso aplicada no diodo, neste caso, seria curto - circuitada pela bobina, no havendo possibilidade de funcionamento. O circuito para a utilizao prtica de um varicap deve ser o mostrado na figura 12.

Figura 12

Um capacitor fixo ligado em srie com o diodo, para evitar o desvio da corrente atravs da bobina. Este capacitor deve ter um valor suficientemente elevado em relao faixa de capacitncias do varicap para no influir na sua faixa de sintonia. O capacitor usado tipicamente pelo menos 10 vezes maior que a capacitncia mxima do varicap que vai ser usado no circuito. Num circuito de sintonia convencional, a tenso aplicada ao diodo pode vir de um potencimetro comum ou trimpot que ento substitui o capacitor varivel na escolha da estao que se deseja sintonizar. No entanto, qualquer fonte de tenso pode ser usada para fazer a sintonia deste circuito. Na figura 13 temos um circuito de sintonia de TV em que os canais so selecionados a partir de controles digitais que ativam as sadas de um circuito integrado.

Figura 13

Cada sada do circuito integrado possui um trimpot de ajuste que fixa o nvel de tenso a ser aplicado no varicap e portanto qual a frequncia da estao que deve ser sintonizada. Este mesmo tipo de circuito pode ser usado num oscilador em que as frequncias sejam pr-ajustadas ou ainda num rdio em que se possa fazer a pr-seleo das estaes que sero escolhidas por toques em sensores ou por um controle remoto. Na figura 14 temos um oscilador experimental que pode ser usado para ajustar receptores de FM ou mesmo como um transmissor experimental com o microfone de eletreto aplicando o sinal base do transistor.

Figura 14

Neste circuito, atravs de um potencimetro, variamos a tenso aplicada a um varicap e com isso a frequncia do sinal produzido.

MODULAO Uma aplicao importante dos varicaps na modulao de um sinal de RF em freqncia, obtendo-se assim um sinal de FM, conforme sugere o circuito da figura 15.

Figura 15

Neste circuito, um sinal de udio aplicado a um varicap de modo que sua capacitncia varie no mesmo ritmo que o sinal de baixa freqncia. O resultado obtido um deslocamento da frequncia do circuito sintonizado que passa a seguir a frequncia do sinal de udio, ou seja, h uma modulao em freqncia. A amplitude do sinal de udio pode ser ajustada por um trimpot, obtendo-se assim um ajuste da profundidade de modulao, conforme mostra a figura 16.

Figura 16

Um circuito deste tipo pode ser usado na modulao em freqncia de um pequeno transmissor experimental para a faixa de FM entre 88 e 108 MHz, conforme diagrama mostrado na figura 17.

Figura 17

A freqncia de operao deste circuito (fundamental) dada por L1 e pelo ajuste de CV. O ajuste de CV deve ser feito para que o transmissor opera num ponto livre da faixa de FM entre 88 e 108 MHz. Em funo do sinal vindo do microfone, o varicap muda sua capacitncia e com isso altera a frequncia de operao do circuito proporcionando um certo nvel de modulao. Este nvel pode ser ajustado no trimpot de maneira sensvel para se obter o mximo rendimento do discriminador do receptor, sem haver distoro do som, devida a sobremodulao. O alcance do transmissor est na faixa de 50 a 100 metros, dependendo das condies locais de propagao. O acoplamento da antena numa tomada obtida experimentalmente permite que se consiga uma boa estabilidade de funcionamento. Podemos usar este transmissor como um bom microfone volante.

Conhea o diodo Tunnel (ART151)

Um componente extremamente simples, com caractersticas de resistncia negativa pode ser usado em circuitos de altssimas frequncias. Desta forma podemos definir o diodo tunnel que ser explicado neste artigo. Alm de analisarmos seu princpio de funcionamento daremos diversos circuitos prticos que vo surpreender os leitores pela sua simplicidade.

O diodo tunnel, como o nome diz, um diodo mas com caractersticas de resistncia negativa que permitem sua utilizao em circuitos semelhantes aos osciladores de relaxao com transistores unijuno ou lmpadas neon. No entanto, os diodos tunnel tem algo mais: podem oscilar em frequncias superiores a 1 Gigahertz o que os torna especialmente indicados para circuitos de altssima frequncia. Se bem que os diodos tunnel no sejam componentes comuns, a possibilidade de se utilizar estes componentes em projetos pode ser interessante quando a exigncia principal for simplicidade em circuitos de frequncias muito altas.

COMO FUNCIONA Na figura 1 temos o smbolo comumente adotado para representar o diodo tunnel.

Sua propriedades de resistncia negativa vem da utilizao de uma camada de deplexo ultra fina na juno que dota o componente de caractersticas de resistncia negativa.

O nome do componente vem do fato de que diferentemente dos demais semicondutores em que a resistncia da barreira de potncia depende at certo valor da tenso aplicada, existe um ponto em que esses portadores encontram como que um tnel por onde podem passar com facilidade, resultando assim numa curva caracterstica que mostrada na figura 2.

Assim, quando aplicamos uma tenso no sentido direto o componente se comporta como um diodo comum at o instante em que ela atinge o ponto A. Este ponto ocorre com algumas dezenas de milivolts para os diodos tunnel comuns e denominado "ponto de pico". No entanto, a partir deste ponto quando a tenso aumenta, em lugar da corrente tambm aumentar ela diminui abruptamente at o denominado ponto de vale mostrado em B. Neste trecho temos ento um comportamento "anormal" para o componente que passa a apresentar uma resistncia negativa. Lembramos que a resistncia no grfico em questo a cotangente do ngulo que a curva caracterstica apresenta no ponto visado e neste caso temos valores negativos para o trecho entre A e B. A partir do ponto B o aumento da tenso novamente causa o aumento da corrente quando ento o componente passa a apresentar um comportamento semelhante aos demais componentes eletrnicos. No entanto, o importante da caracterstica de resistncia negativa que este componente apresenta e que semelhante a dos transistores unijuno e da

prpria lmpada neon que o diodo tunnel pode ser usado em osciladores de relaxao e at mesmo amplificar sinais. Como a ao do diodo tunnel extremamente rpida, o que no ocorre que lmpadas neon e transistores unijuno cuja velocidade de operao limita sua aplicao a circuitos de no mximo algumas dezenas de quilohertz, os diodos tunnel podem ser usados em circuitos de altssima frequncia superando facilmente os 1 000 MHz ou 1 GHz. Algumas das aplicaes dos diodos tunnel com base no que vimos so mostradas a seguir:

OSCILADOR DE VHF/UHF COM DIODO TUNNEL Conforme vimos, as caractersticas de resistncia negativa do diodo tunnel tornam este componente ideal para a sua utilizao em osciladores. O circuito mostrado na figura 3 um exemplo em que, com o diodo usado pode-se gerar sinais de uma frequncia at 1,6 GHz.

Na verdade, dependendo do valor de L1 e C2 que determinam a frequncia do circuito, podemos faz-lo oscilar numa faixa que vai de poucos quilohertz at mais de 1 GHz.

Para uma bobina formada por 2 espiras de fio 22 sem ncleo em forma de 0,5 cm de dimetro e um capacitor de 2,2 pF as frequncias de oscilao podero ficar entre 100 e 200 MHz. Observe entretanto que o ponto de tnel dos diodos deste tipo ocorre numa tenso muito baixa da a alimentao ser feita com apenas 1,5 volt e existir um ajuste feito por P1 para se encontrar um ponto intermedirio entre o pico (A) e o vale (B) no grfico da figura 2 que leva o circuito oscilao com maior intensidade. Este o nico ajuste deste tipo de circuito e que pode ser feito com um osciloscpio conectado a sada do oscilador. Lembramos que o trimpot ou potencimetro de ajuste deve ser do tipo de fio. Os capacitores devem ser cermicos e a intensidade do sinal bastante pequena exigindo uma amplificao em funo da aplicao.

OSCILADOR A CRISTAL O circuito mostrado na figura 4 pode gerar frequncias que vo de algumas centenas de quilohertz at vrios megahertz.

O capacitor C2 juntamente com L1 devem ser calculados para formar um circuito ressonante na frequncia do cristal. O ajuste deste circuito de modo fino de modo a se obter o maior rendimento feito atravs do ncleo da bobina. O sinal retirado de L2 que consta de algumas espiras sobre L1, conforme a frequncia do sinal.

O ajuste do ponto de funcionamento feito da mesma forma que no circuito anterior. O potencimetro P1 (de fio) deve ser levado a um ponto em que a tenso no diodo tnel fique entre os pontos A e B da sua curva caracterstica o que o leva oscilao. Este ajuste pode ser feito com facilidade com a ligao de um osciloscpio na entrada de sinal. basta ajustar P1 para se obter o sinal com mximo de intensidade na sada e depois retocando-se este ajuste no ncleo da bobina. Em alguns casos pode ser preciso ligar e desligar o circuito algumas vezes para se obter a partida do oscilador durante o processo de ajuste. Uma vez ajustado para o melhor desempenho, a possibilidade de no se obter a partida ser minimizada.

OSCILADOR DE RF CONTROLADO POR TENSO O circuito da figura 5 gera sinais entre 7 e 15 MHz sendo a frequncia controlada pela tenso de entrada conforme tabela de valores dadas junto ao diagrama.

Um diodo de capacitncia varivel (varicap usado) e os valores da tabela so para o tipo 1N2939. No entanto, equivalentes como o BB109, BB809 ou qualquer outro podem ser usados devendo o leitor fazer o levantamento da

nova faixa de frequncias produzidas. Um osciloscpio pode ser usado para esta finalidade. XRF1 um choque de RF que deve ter uma resistncia ohmica no maior que 7 ohms. L1 tem 2 uH de indutncia ou aproximadamente 30 espiras de fio 28 num basto de ferrite de 0,8 a 1 cm de dimetro e 10 cm de comprimento. Os capacitores devem ser todos cermicos e os procedimentos para ajustes so semelhantes aos dois projetos anteriores. Para a prova de funcionamento e ajustes iniciais a tenso no terminal de controle pode ser nula. A faixa de tenses de controle deste circuito depende do diodo varicap usado.

CONVERSOR DE ONDAS CURTAS O simples circuito mostrado na figura 6 converte sinais da faixa de ondas curtas entre 3 MHz e 30 MHz em sinais da faixa de ondas mdias que podem ser captados num receptor comum de 550 a 1600 kHz.

A sintonia feita em CV que juntamente com L1 devem cobrir a faixa de frequncias desejada. Para a faixa de 3 a 7 MHz, por exemplo, enrole 30

espiras de fio 28 num basto de ferrite de 10 cm e sobre ela 10 espiras para formar L2. Para a faixa de 7 a 15 MHz enrole 15 espiras de fio 28 num basto de ferrite de 10 cm e sobre esta bobina 5 espiras para formar L2. Para a faixa de 15 a 30 MHz enrole 12 espiras. O capacitor CV pode ser qualquer varivel de rdio de ondas mdias ou curtas com capacitncia mxima na faixa de 180 a 300 pF. O valor mximo do capacitor usado vai determinar a faixa abrangida por cada bobina. O leitor deve fazer experincias alterando as espiras da bobina conforme a faixa que deve ser coberta e o capacitor usado. L3 juntamente com o capacitor C1 formam o oscilador local. Esta bobina pode ser semelhante a L1 para as diversas faixas e eventualmente pode ser alterada de modo a se cobrir as faixas desejadas. T1 uma bobina osciladora de rdio de AM que deve ser ajustada para algo em torno de 1 200 kHz ou uma frequncia livre da faixa de ondas mdias para a qual deve ser sintonizado o rdio. O ajuste deve ser feito inicialmente para que o circuito oscile o que conseguido atravs de P1 e utilizando-se um osciloscpio ou outro meio. Depois ajusta-se CV e o ncleo de T1 para se obter a sintonia das faixas desejadas. Eventualmente podem ser necessrias alteraes na bobina L3 ou ainda pode ser usado para C1 a outra seo do varivel caso em que L3 deve ser ajustvel.

RECEPTOR REGENERATIVO O interessante circuito que apresentamos na figura 7 pode sintonizar estaes na faixa que vai de 200 kHz a 30 MHz conforme a bobina usada.

Evidentemente, dada a pequena potncia do sinal de sada, deve ser usado um bom amplificador de udio. Sugerimos uma configurao com o LM386 ou ainda o TDA2002 para um bom receptor experimental.

A bobina deve ser enrolada conforme a seguinte tabela: 200 - 600 kHz - L1 - 5 voltas de fio 28 ou 30 sobre L2. L2 - 220 voltas de fio 28 a 30 forma de 1 cm de dimetro com tomada na centsima espira a partir do lado de terra. 600 a 1 600 kHz - L1 - 5 voltas de fio ou 30 sobre L2. L2 - 100 voltas de fio 28 ou 30 em forma de 1 cm de dimetro com tomada na 50a espira. 1 600 a 3 500 kHz - L1 4 espiras de fio 30 ou 28 sobre L2 L2 - 60 espiras de fio 28 ou 30 em forma de 1 cm de dimetro com tomada na 30a espira 3,5 a 9 MHz - L1 - 4 espiras de fio 28 ou 30 sobre L2

L2 - 25 voltas de fio 28 ou 30 em forma de 1 cm de dimetro com tomada na 12a espira 9 a 15 MHz - L1 - 3 espiras de fio 28 ou 30 sobre L2. L2 - 11 voltas de fio 28 ou 30 em forma de 1 cm de dimetro com tomada na quinta espira. 15 a 30 MHz - L1 - 2 espiras de fio 28 ou 30 sobre L2 L2 - 6 espiras de fio 28 ou 30 em forma de 1 cm de dimetro com tomada na terceira espira

A forma pode ser um tubo de papelo sem ncleo montado em plugue de encaixe de 5 pinos. O varivel pode ter capacitncias mximas entre 180 e 360 pF. A faixa de capacitncias do varivel determinar a faixa de sintonia do circuito podendo haver boas diferenas em funo destes valores o que pode ser compensado alterando-se as espiras das bobinas. Os valore sindicados acima so para um varivel de 360 pF aproximadamente de capacitncia mxima. O ajuste do funcionamento feito da mesma forma explicada nos projetos anteriores. O transformador T1 pode ser um pequeno transformador de sada encontrado em rdios transistorizados antigos.

TRANSMISSOR O transmissor mostrado na figura 8 pode ser usado para treino de telegrafia ou ainda como um transmissor de curto alcance de um sistema de controle remoto mono-canal.

L1 m conjunto cm o C1 devem ressonar na frequncia do cristal. O bobina L1 deve ser enrolada com fio no muito fino de modo a no apresentar resistncia ohmica maior que uns 5 ohms. Para um cristal da faixa de 27 MHz a bobina L1 pode ter valores entre 0,2 e 0,4 uH e a antena do tipo telescpico. O ponto de funcionamento entre os pontos A e B da curva caracterstica do diodo tunnel pode ser encontrado ligando-se na sada do circuito um osciloscpio.

Gunn diode
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A Russian-made Gunn diode

Um diodo Gunn, tambm conhecido um Dispositivo transferidor de eltron [ transferred electron device (TED)], a forma de diodo, um componente semicondutor eletrnico, usado em eletrnicos de alta frequncia. A construo interna no como de outros diodos, neste caso consiste em apenas um material semiconductor dopado tipo N-, enquanto que a maioria dos diodos consistem de ambas as regies dopadas tipo P e N, no diodo Gunn, existem trs regies: dois deles so fortemente dopados de tipo N em cada terminal, e a outra com uma fina camada de material levemente dopado. Quando uma voltagem aplicada ao dispositivo, o gradiente eltrico vai estar maior atravs da fina mdia camada. A conduo ir tomar lugar como qualquer material condutivo com corrente sendo proporcional tenso aplicada. Eventualmente, a altos valores de campo, a propriedade condutiva da camada media se alterar, aumentando a resistividade, prevenindo adies de conduo e quedas de corrente. Isso significa que um diodo Gunn, possui uma regio de diferencial negativo de resistncia. bastante usado em osciladores eletrnicos para gerar microondas, em aplicaes tal como radar de velocidade de pistolas e transmissores de rels microondas.
Contedo

1 Gunn diode oscillators 2 History 3 How it works 4 Applications

o o o

4.1 Sensors and measuring instruments 4.2 Radio amateur use 4.3 Radio astronomy

5 References

Osciladores de diodo Gunn[edit]

Corrente-tenso (IV) curva de um diodo Gunn. Isto mostra resistncia negativa sobre a limiar voltagem (V)

A negativa diferena de resistncia, combinado com as propriedades de temporizao da camada intermediria, responsvel para os maiores usos de diodo: em osciladores eletrnicos a frequncias micro-ondas e acima. Um oscilador de relaxamento pode ser criado, simplesmente por uma aplicao de voltagem DC de polarizao do dispositivo para sua regio de resistncia negativa. Em efeito, o diferencial negativo de resistncia do diodo cancela a resistncia positiva do circuito de carga, assim ento criando um circuito sem resistncia diferencial, que produzir oscilaes espontneas. A frequncia de oscilao determinado parcialmente pelas propriedades da media camada do diodo, mas pode ser sintonizado por fatores externos, em osciladores prticos um ressonador eletrnico usualmente adicionado para controlar frequncia, na forma de de onda guia, cavidade micro-onda ou esfera YIG. O diodo usualmente montado dentro da cavidade. O diodo cancela a resistncia perdida do ressonador, logo isto produz oscilaes a sua frequncia ressonante. A frequncia pode ser sintonizada mecanicamente, ajustando o tamanho da cavidade, ou em caso das esferas YIG pela mudana do campo magntico. Diodos Gunns so usados para construir osciladores em 10 GHz para (THz) frequncia de alcance. Diodos Gunns de arsenieto de glio so feitos para frequncias acima de 200 GHz, materiais de nitreto de glio podem alcanar acima de 3 terahertz.

Histria
O Diodo Gunn baseado no efeito Gunns, e ambos os nome para o fsico J. B. Gunn que, ao IBM em 1962, discobriu o efeito porque recusou aceitar os inconsistentes resultados experimentais do arseniet de gli como rudo, e rastreou o caso. Alan Chynoweth, do Bell

Telephone Laboratories, mostrou em junho de 1965 que s o mecanismo de eltron transferido pde explicar os resultados do experimento. A interpretao refere-se a teoria Ridley-Watkins-Hilsum. O efeito Gunn, e sua relao ao efeito Watkins-Ridley-Hilsum entrou a literatura monogrfica antes dos anos 70s, e.g. nos livros em dispositivos de transferncia de eltron e, mais recentemente nos mtodos de ondas no lineares para carregar transporte. Severamente outros livros forneceram a mesma cobertura in books on transferred electron devices[4] and, more recently on nonlinear wave methods for charge transport.[5] Several other books that provided the same coverage were published in the intervening years, and can be found by searching library and bookseller catalogues on Gunn effect.

Russian Gunn diode oscillator. The diode is mounted inside thecavity (metal box), which functions as a resonator to determine the frequency. The negative resistance of the diode excites microwave oscillations in the cavity which radiate out the hole into awaveguide (not shown). The frequency can be adjusted by changing the size of the cavity using the thumbscrew.

How it works[edit]
The electronic band structure of some semiconductor materials, including gallium arsenide (GaAs), have another energy band or sub-band in addition to the valence andconduction bands which are usually used in semiconductor devices. This third band is at a higher energy than the normal conduction band and is empty until energy is supplied to promote electrons to it. The energy stems from the kinetic energy of ballistic electrons. That is, electrons in the conduction band but moving with sufficient kinetic energy can reach the third band. These electrons either start out below the Fermi level and are given a sufficiently long mean free path to acquire the needed energy by applying a strong electric field, or they are injected by a cathode with the right energy. With forward voltage applied, the Fermi level in the cathode moves into the third band, and reflections of ballistic electrons starting around the Fermi level are minimized by matching the density of states and using the additional interface layers to let the reflected waves interfere destructively.

In GaAs the mobility or drift velocity in the third band is lower than that in the usual conduction band, so with a small increase in the forward voltage, more and more electrons can reach the third band and current decreases. This creates a region of negative incremental resistance in the voltage/current relationship. The charge carrier density along the cathode becomes unstable, and will develop small slices of low conductivity and high field strength which move from the cathode to the anode. It is not possible to balance the population in both bands, so there will always be thin slices of high field strength in a general background of low field strength. So in practice, with a small increase in forward voltage, a slice is created at the cathode, resistance increases, the slice takes off, and when it reaches the anode a new slice is created at the cathode to keep the total voltage constant. If the voltage is lowered, any existing slice is quenched and resistance decreases again. The laboratory methods that are used to select materials for the manufacture of Gunn diodes include angle-resolved photoemission spectroscopy.

Applications[edit]
Because of their high frequency capability, Gunn diodes are mainly used at microwave frequencies and above. They can produce some of the highest output power of any semiconductor devices at these frequencies. Their most common use is in oscillators, but they are also used in microwave amplifiers to amplify signals. Because the diode is a one-port (two terminal) device, an amplifier circuit must separate the outgoing amplified signal from the incoming input signal to prevent coupling. One common circuit is a reflection amplifier which uses a circulator to separate the signals. A bias tee is needed to isolate the bias current from the high frequency oscillations.

Sensors and measuring instruments[edit]


Gunn diode oscillators are used to generate microwave power for:[6] airborne collision avoidance radar, anti-lock brakes, sensors for monitoring the flow of traffic, car radar detectors, pedestrian safety systems, "distance traveled" recorders, motion detectors, "slow-speed" sensors (to detect pedestrian and traffic movement up to 50 m.p.h), traffic signal controllers, automatic door openers, automatic traffic gates, process control equipment to monitor throughput, burglar alarms and equipment to detect trespassers, sensors to avoid derailment of trains, remote vibration detectors, rotational speed tachometers, moisture content monitors.

Radio amateur use[edit]


By virtue of their low voltage operation, Gunn diodes can serve as microwave frequency generators for very low powered (few-milliwatt) microwave transmitters. In the late 1970s they were being used by some radio amateurs in Britain. Designs for transmitters were published in journals. They typically consisted simply of an approximately 3 inch waveguide into which the diode was mounted. A low voltage (less than 12 volt) direct current power supply that could be modulated appropriately was

used to drive the diode. The waveguide was blocked at one end to form a resonant cavity and the other end ideally fed a parabolic dish.

Radio astronomy[edit]
Gunn oscillators are used as local oscillators for millimeter-wave and submillimeter-wave radio astronomy receivers. The Gunn diode is mounted in a cavity tuned to resonate at twice the fundamental frequency of the diode. The cavity length is changed by a micrometer adjustment. Gunn oscillators capable of generating over 50 mW over a 50% tuning range (one waveguide band) are available. [7] The Gunn oscillator frequency is multiplied by a diode frequency multiplier for submillimeter-wave applications.