Nombres: ALEX HERNAN CALDERON PACHECO 1. Falso o Verdadero a) Un transistor de unin bipolar tiene tres terminales.

b) Las tres regiones de un BJT son la base, el emisor y el ctodo. c) Para que opere en la regin lineal o activa, la unin base-emisor de un transistor se polariza en directa. d) Dos tipos de BJT son el npn y el pnp. e) La corriente en la base y la corriente en el colector son aproximadamente iguales. f) La ganancia de voltaje de cd de un transistor se expresa como bCD g) Corte y saturacin son los dos estados normales de un amplificador lineal con transistores. h) Cuando un transistor est en saturacin, la corriente en el colector es mxima i) bCD y hFE son dos parmetros de transistor diferentes. j) la ganancia de voltaje de un amplificador con transistor depende del resistor en el colector y la resistencia de ca interna. k) Amplificacin es el voltaje de salida dividido entre la corriente de entrada. l) Un transistor en estado de corte acta como interruptor abierto.

2. Si se utiliza un transistor con una bCD alta en la figura 4-9, la corriente en el colector se (a) incrementar (b) decrecer (c) no cambiar Explique su respuesta. 3. Si se utiliza un transistor con una bCD alta en la figura , la corriente en el emisor es (a) incrementar (b) decrecer (c) no cambiar 4, Si VCC se incrementa en la figura la corriente en la base se (a) incrementar (b) reducir (c) no cambiar Explique su respuesta

5. En un transistor pnp, las regiones p son (a) base y emisor (b) base y colector (c) emisor y colector 6. Para que opere como amplificador, la base de un transistor npn debe estar (a) positiva con respecto al emisor (b) negativa con respecto al emisor (c) positiva con respecto al colector (d) 0 V 7. La corriente en el emisor siempre es (a) mayor que la corriente en la base (b) menor que la corriente en el colector (c) mayor que la corriente en el colector (d) respuestas a) y c) 8. La bCD de un transistor es su (a) ganancia de corriente (b) ganancia de voltaje (c) ganancia de potencia (d) resistencia interna 9. El voltaje aproximado a travs de la unin base-emisor polarizada en directa de un BJT de silicio es (a) 0 V (b) 0.7 V (c) 0.3 V (d) VBB 10. En corte, VCE es (a) 0 V (b) mnimo (c) mximo (d) igual a VCC (e) respuestas a) y b) (f) respuestas c) y d) 11. En saturacin, VCE es (a) 0.7 V (b) igual a VCC (c) mnimo (d) mximo 12. Un multmetro digital que mide una unin de transistor abierta muestra (a) 0 V (b) 0.7 V (c) OL (d) VCC 13. Cul es el valor de IC con IE _ 5.34 e IB _ 475 mA? 14. Cierto transistor tiene una IC _ 25 mA y una IE _ 200 mA. Determine la bCD. 15. Se aplica un corriente de base de 50 mA al transistor de la y un voltaje de 5 V a travs de RC. Determine la bCD del transistor.

16. Suponga que el transistor del circuito anterior tiene una bCD de 200. Determine IB, IC, IE y VCE dado que VCC _ 10 V y VBB _ 3 V.

17. Determine VCE, VBE y VCB en los dos circuitos de la figura