BASIC OF CMOS CELL DESIGN

C. Bez, A. Crdenas, A. Gonzlez, E. Segovia Universidad de las Fuerzas Armadas Quito- Ecuador
Abstract En este trabajo se va a presentar un resumen y anlisis de los parmetros necesarios para el diseo de circuitos integrados con celdas CMOS Palabras claves nMOS, gate. CMOS, Silicio, Oblea, pMOS,

En circuitos integrados CMOS, nos centramos principalmente en silicio. El tomo de silicio tiene 14 electrones, 2 electrones situados en el primer nivel de energa, 8 en el segundo y 4 en el tercero. Los cuatro electrones en el tercer nivel de energa se llaman electrones de valencia, que son compartidas con otros tomos.
Se introducen materiales llamados dopantes en la red cristalina de silicio, con el fin de aumentar la conductividad del silicio.

I. INTRODUCCIN El trabajo integra una sntesis del libro Basic of CMOS Cell Design que muestra el diseo y simulacin de circuitos integrados CMOS en la tecnologa de submicras. CMOS (semiconductor complementario de xido metlico) es ampliamente utilizado para el diseo de alto rendimiento, circuitos integrados de baja potencia para numerosas aplicaciones. La evolucin de las tcnicas de fabricacin del circuito integrado es un hecho nico en la historia de la industria moderna, por lo que a continuacin se muestran los conceptos bsicos sobre la tecnologa CMOS, desde su estructura y funcionamiento hasta su implementacin para la optimizacin de circuitos complejos. II. DESARROLLO DEL ARTCULO Se considera cuatro generaciones principales de tecnologas de circuitos integrados:

Tipo N

Silicio Se introducen materiales receptores al silicio para crear vacantes de electrones que crean agujeros.

Tipo P

Figura 2. Tipos de Silicio

B. El Conmutador MOS El transistor MOS (Metal Oxide Semiconductor) es, el elemento bsico ms importante del circuito integrado. Es la versin integrada del interruptor elctrico C. El Conmutador MOS de Canal N

Tecnologias de Circuitos Integrados

Micras Submicron submicrnicas profunda ultra submicrnica de profundidad

Figura 1. Tecnologas de Circuitos Integrados Figura 3. Comportamiento del MOS N

A. Los Dispositivos MOS y Tecnologa

El 0 de la puerta deja el drenaje flotante.

El 1 de la puerta vincula el drenaje a la fuente, a travs de una trayectoria resistiva. El dispositivo MOS de canal n se comporta como un interruptor, pero no pasa correctamente los altos voltajes. Un cero en un lado conduce a una buena cero, una lgica 1 en un lado conduce a un pobre 1. La razn principal es la tensin umbral de MOS. D. El Conmutador MOS de Canal P

El inversor CMOS se basa en uno de n canales y un P-canal de dispositivo MOS

Figura 6. Inversor con Transistores MOS Cuando Vin es baja, Vout es alto, lo que corresponde a un estado lgico del inversor. Cuando Vin aumenta, Vout comienza a disminuir lentamente, y de repente se cruza el lmite VDD / 2. En ese punto, el valor de Vin es el punto de conmutacin del inversor, llamado Vc. Entonces, cuando Vin se eleva a VDD , Vout alcanza 0, lo que corresponde al otro estado lgico del inversor.

Figura 4. Comportamiento del MOS P

Caracteristic as Estaticas

El 0 de la puerta vincula el drenaje a la fuente, a travs de una trayectoria resistiva. El 1 de la puerta deja el drenaje flotante. En otras palabras, la simulacin del transistor de canal p cuenta con las mismas funciones que el dispositivo de canal n, pero con control de voltaje opuesto de la puerta. E. Caractersticas de los dispositivos MOS

Figura 7. Caractersticas Estticas del Inversor

E. Inversor De 3 Estados Si ms de un inversor se conecta al mismo nodo, tales como estructuras de bus, los conflictos se elevar. Con el fin de evitar la mltiple el acceso al mismo tiempo, se utilizan circuitos especficos llamados inversores de 3 estados, con la posibilidad de permanecer en un estado de "alta impedancia" cuando no se requiere acceso. F. Oscilador de anillo

F. El Inversor

El oscilador de anillo esta echo de cinco inversores, tiene la propiedad de oscilacin natural.

El inversor es probablemente la celda lgica bsica ms importante en el diseo de circuitos.

Las actuaciones del inversor se analizan en trminos de funcin de transferencia esttica, velocidad de conmutacin, las opciones influencia MOS, y el consumo de energa.

Figura 8. Oscilador de Anillo

Figura 5. Definicin del Inversor

G. Efectos de la Temperatura La principal consecuencia de un aumento de la temperatura es una movilidad decreciente de los electrones y los huecos del canal MOS, que conduce a actuaciones transitorias lento. Por lo tanto, el retardo de propagacin debido a la Puerta lgica se incrementa. H. INTERCONEXIONES

J. Shifters Son circuitos muy Importantes que se encuentran en casi todos los ncleos del Procesador. Shifters son capaces de manipular datos y desplazar los bits a la derecha o a la izquierda. Tomando el ejemplo de una entrada de 8 bits de datos a, inicialmente fijado en 0xb3 en hexadecimal (10110011 en binario), el resultado de desplazar dos de los bits a la derecha es 0x3c (00101100 binario). el smbolo correspondiente es >>. Ahora, el resultado de desplazamiento tres de los bits a la izquierda seria 0x98 (10011000 binario). El smbolo correspondiente es <<.

Introduccin El papel de las interconexiones en el rendimiento de los circuitos integrados se a incrementado considerablemente con la tecnologa de integracin. La figura muestra la evolucin de los circuitos integrados. En 0.12 m, de 6 a 8 capas de metal estn disponibles. Figura 9. Introduccin a las Interconexiones

Figura 12. Shifters Existe una probabilidad significativa de error de fabricacin incluso si el circuito cumple con todas las reglas de diseo. Una oblea de 500 circuitos integrados tiene un rendimiento tpico del 70 por ciento en tecnologas maduras, lo que significa que el 30 por ciento de los circuitos tiene un error de fabricacin y debe ser rechazado.

Anlisis del retardo

-El retardo de propagacin es llamado tpd y es el retardo que existe entre el cambio de una entrada y el de salida. -El retardo de configuracin (set up delay) es llamado tsd es el tiempo que tarda en cambiar la salida cuando existe un cambio en el pin de seleccin.

Figura 10. Probabilidad de Error

I. Compuertas Bsicas
Compuert as NAND

Compuert as XOR Compuert as Basicas

Compuert as AND

Figura 13. Anlisis de Retardo

Compuert as OR Compuert as NOR

Figura 11. Compuertas Bsicas

III. ANALISIS DE RESULTADOS En el proyecto realizado logramos adquirir los conocimientos bsicos sobre la estructura, composicin, funcionamiento, optimizacin para el diseo de circuitos con tecnologa CMOS. Comprendimos el comportamiento de los conmutadores MOS tanto el tipo N como el tipo P, con lo que pudimos disear compuertas lgicas con transistores MOS. Y adems pudimos optimizar circuitos complejos implementando esta tecnologa. Adems adquirimos conocimiento sobre los diferentes aspectos de diseo de las diferentes tecnologas tanto la de 0.12um y 0.7um que son las ms sobresalientes de la tecnologa CMOS. IV. CONCLUSIONES Los dispositivos con tecnologa CMOS consumen potencia dinmica por lo que su consumo depende de su frecuencia de operacin. Se puede disear compuertas lgicas implementando transistores con tecnologa CMOS. Los inversores de 3 estados son implementados para evitar el mltiple y simultaneo acceso de una seal a un determinado nodo, permitiendo permanecer en un estado de alta impedancia cuando no se requiere el acceso. Al utilizar 5 inversores en serie se crea un oscilador de anillo con las mismas propiedades que un oscilador natural. La principal consecuencia de un aumento de la temperatura es una movilidad decreciente de los electrones y los huecos del canal MOS, que conduce a actuaciones transitorias demasiado lentas. Si el acoplamiento de diafona es lo suficientemente alto puede crear un errneo estado temporal en una interconexin que se supone que es constante.

IV. REFERENCIAS Etienne Sicard, S. B. (2007). BASIC of CMOS CELL DESIGN. New York: McGraw Hill Professional. Wakerly, J. F. (2008). Diseo Digital: principios y practicas. PEARSON Educacion. R. Jacob Baker et al., CMOS circuit design, layaout and simulation. IEEE Press,1998

Autores
Cindy Alejandra Bez Rivera: Nacin en Ibarra el 17 de Septiembre de 1992, realizo sus estudios en la Unidad Educativa Sagrado Corazn de Jess, obteniendo su ttulo de Bachiller en Especialidad Fsico Matemtico en el 2010; actualmente cursa quinto semestre de la carrera de Ingeniera Electrnica Automatizacin y Control en la Escuela Politcnica del Ejercito.

Mara Andrea Crdenas Obando naci en Quito, Ecuador el 20 de Agosto del 1992. Realiz sus estudios primarios y secundarios en Unidad Educativa La Salle, obteniendo su ttulo de bachiller General. Actualmente est cursando quinto nivel de Ingeniera Electrnica, Automatizacin y Control en la Universidad de las Fuerzas Armadas ESPE. Actualmente no ejerce ningn trabajo remunerado debido a sus estudios.

Andrs Ricardo Gonzlez Fernndez naci en Quito el 28 de agosto de 1992. Realizo sus estudios primarios hasta quinto de bsica en la Escuela FAE, termin la primaria en la Escuela Misin Geodsica. Sus estudios de Bachillerato los realiz en el Colegio Tcnico Experimental de Aviacin Civil (COTAC) obteniendo el ttulo de Bachiller en Fsico Matemtico.

Actualmente cursa sus estudios en la Escuela Politcnica del Ejrcito en la carrera de Ing. Electrnica en Telecomunicaciones.

Edison Ramiro Segovia Vega naci en QuitoEcuador, el 30 de Mayo de 1992. Se gradu en el Colegio Tcnico Aeronutico Experimental de Aviacin Civil en el ao 2010 de bachiller Fsico Matemtico. Actualmente se halla cursando el quinto nivel de ingeniara Electrnica en Automatizacin y Control, en la ESPE. Actualmente no ejerce ningn trabajo remunerado debido a sus estudios.