CAPITULO N1

DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

Prof. Julio Del Valle J. 1
UNIVERSIDAD DE SANTIAGO DE CHILE
Facultad de Ingeniera
Departamento de Ingeniera Elctrica

Capitulo N1
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
Prof. Julio Del Valle J. 2
Dispositivos Semiconductores de Potencia
Desarrollo en el tiempo de los Semiconductores de Potencia
Semiconductores de Potencia desde 300A hasta 12.000A y 200V hasta 8.500V
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CARACTERISTICAS ESTATICAS DEL SCR
SCR: RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO
Encapsulados
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in
v
wt
0
v
t
o t + 2
o
t
o
2
) cos 1 ( 1
) (
+
= =
}
m
t DC
V
dt v
T
V
SCR: RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO
t
o o
2
) 2 sin(
180
1
2
1
2
) (
+ = =
}
m
t EF
V
dt v
T
V
Circuito
de Control
in
v
in
i
R
SCR
gk
i
wt
gk
i
o
o t + 2
t
t 2 t 3
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Control de ngulo de fase
t
o o
2
) 2 sin(
180
1
2
1
2
) (
+ = =
}
R
V
dt i
T
I
m
t EF
EF EF S
I V P =
}
= dt i v
T
P
t t A ) ( ) (

1
t
o o
2
) 2 sin(
180
1 + = =
S
A
P
P
FP
2 2
) (

1

EF t A
I R dt i
T
R P = =
}
A I
DC
0 =
in
i
wt
t
o t +
t 2
o t + 2
o
Circuito
de Control
in
v
in
i
R
2
T
1
T
Circuito
de Control
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t
o o
2
2
180
1
2
sen
R
V
I
m
EF
+ = % 100 1
2
1
2
(

=
I
I
THD
EF
i
O =
=
10
220
:
R
V V
Ejemplo
EF in
2
2
2
180
1

2
1
2
1
1
1
2
1
B A
I
sen
R
V
B
sen
R
V
A
m
m
+
=
|
.
|

\
|
+ =
=
t
o o
o
t
i
EF
THD
I
I
1
1
u
o
150 90 30
1.62 A 13.04 A 21.44 A
- 70.1 - 32.5 - 4.7
3.74 A 15.56 A 21.68 A
174% 65% 15%
in
i
wt
t
o t +
t 2
o t + 2
o
in(nwt)dt f(t)s
T
B
(nwt)dt f(t)
T
A
t f(t)d
T
A
(nwt) B (nwt) A A f(t)
T
n
T
n
T
n n
n
}
}
}
=
=
=
+ + =

=
0
0
0
0
1
0
2
cos
2
1
sin cos
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7
TRIACS
in
i
in
v
Triacs
R
Circuito de Control
Prof. Julio Del Valle J.
8
}
= dt i v
T
P
t t A ) ( ) (

1
2 2
AC DC EF
I I I + =
}
= dt i
T
I
t DC ) (
1
}
= dt i
T
I
t EF
2
) (
1
IEEE 519/92
D. S. 327/97
2
1
2
) (
EF
n
n
K
I
I n
Factor

=
=
ANSI/IEEE C57.110
FORMULAS
dt nwt in s t f
T
B
dt nwt t f
T
A
dt t f
T
A
nwt B nwt A A t f
T
n
T
n
T
n n
n
) ( ) (
2
) cos( ) (
2
) (
1
) sin( ) cos( ) (
0
0
0
0
1
0
}
}
}
=
=
=
+ E + =

=
SERIE DE FOURIER
% 100 1 % 100
2
1
2
1
2
2
(

= =

=
I
I
I
I
THD
EF
n
n
i
2 2
3
2
2
2
1
2
0
0
2

n
n
n EF
I I I I I I I + + + + = =

=
S
A
P
P
FP =
% 100 1 % 100
2
2
1
2
(

= =

=
DC
EF
DC
n
n
I
I
I
I
q
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9
GTO (Tiristor de apagado por puerta)
in
i
DC
V
gk
i
t
t
t
T
kT T 0
in
i
DC
V
GTO
R
Circuito
de Control
gk
i
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in
i
DC
V
R
V
k I
DC
DC
=
R
V
k I
DC
EF
=
gk
i
t
t
t
T
kT T 0
in
i
DC
V
GTO
R
Circuito
de Control
gk
i
) 2 cos( 1

k n
R n
V
I
DC
n
t
t
=
R
V
k P
DC
A
2
=
2 2
3
2
2
2
1
2
0
0
2

n
n
n EF
I I I I I I I + + + + = =

=
GTO (Tiristor de apagado por puerta)
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IGBT (Transistor Bipolar de Puerta Aislada)
C
E
G

2
E
2
G
1
C
2 1
C E
1
G

in
I
DC
V
ge
V
t
t
t
T
kT T 0
CE
V
t
CE
P
t
in
I
DC
V
IGBT
R
Circuito
de Control
ge
V
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12
Prdidas en la conmutacin en semiconductores
) (t i
V
ge
V
t
t
t
T
kT T 0
) (t v
t
) (t p
t
) ( ) ( ) (
1 ) (
) (
t v t i t p
e V t v
e
R
V
t i
t
t
=
|
|
.
|

\
|
=
=

t
t
2
2
0
1
) (
1
|
|
.
|

\
|
=
=

}
t
t
T
A
T
A
e
T R
V
P
dt t p
T
P
9 ln

1
9 ln

9 ln
2
2

9 ln
2
off t f off
A
on off
t f
R
V
e
t f
R
V
P
t t
off
~
|
|
.
|

\
|
~
~ ~

t
useg t t
kHz f
R
V V
Ejemplo
on off
25 , 0
40
20
440
:
~ ~
=
O =
=
W P
A
44 ~
in
I
DC
V
IGBT
R
Circuito
de Control
ge
V
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13
El IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor)
1. Es un semiconductor de potencia
integrado de ltima generacin.
2. El IGCT fue diseado para
optimizar el diseo mecnico de
los equipos.
3. Modulo compacto que permte un
rpido reemplazo del IGCT.
Aplicaciones:
Drives de MT
Co-Generacin (G. Elicos)
Sistemas de Transmisin Flexible AC (FACTS)
Breakers de Estado Slido (SSB)
Mejoramineto de la Calidad de energa
Calentamiento por Induccin.
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Caractersticas:
Diseo compacto
Circuito de disparo integrado
Diodo Freewheling integrado
Red snubber incorporada
Bajas prdidas
Encapsulado de baja Inductancia
Alta velocidad
Menor fallas por fatiga o acoplamiento
Robustez Trmica
Alta Fiabilidad
El IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor)
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Diagrama de bloque de la unidad de disparo (gate driver)
1. Canales separados para disparo de encendido y de apagado.
2. Link de fibra ptica desde la tarjeta de interface que enva la
informacin del disparo a los IGCTs.
3. LEDs indicadores de estatus.
Caractersticas:
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CARACTERSTICAS TCNICAS DEL IGCT
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CARACTERSTICAS TCNICAS DEL IGCT 5SHY35L4510
Datos sobre el
encendido del IGCT
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CARACTERSTICAS TCNICAS DEL IGCT 5SHY35L4510
Datos sobre el
apagado del IGCT
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CARACTERSTICAS TCNICAS DEL IGCT 5SHY35L4510
Informacin de la
unidad electrnica o
gate driver
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GTO modificado con circuito de disparo integrado
Disparo por Corriente
Inductancias parsitas bajas.
Bajas prdidas de disparo y conduccin.
Bajo estrs trmico
PIV (Peak Inverse Voltage) simtrico (en ambas
direcciones) de 6.500V
Corriente unidireccional
Red snubber simple.
Frecuencia de Disparo de 420 - 540Hz
Reduccin de n de componentes.
Fcil mantenimiento
SGCT (Simetrical Gate Commutated Thyristor)
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Circuito de disparo
separado del semiconductor
Disparo por Tensin
IEGT (Injection Enhanced Gate Transistor)
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Informacin proporcionada por ABB
GTO LV IGBT HV IGBT IGCT
Niveles de MT til
slo en conexin
serie
slo en conexin
serie
til
Prdidas en
estado activo
bajas moderadas altas bajas
Prdidas por
conmutacin
altas bajas moderadas bajas
Frecuencia
conmutacin
bajas alta altas alta
Circuito
Snubbers
si
no, pero requiere
control de puerta
sincronizado
no, pero requiere
control de puerta
sincronizado
no
Falla
catastrfica
seguro
necesita
proteccin
adicional
necesita
proteccin
adicional
seguro
Cantidad de
partes
moderada alta moderadas bajas
Tecnologa en
Conmutacin
Circuito de
Poder
Comparacin entre Semiconductores de Potencia
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Comparacin entre Semiconductores de Potencia
SGCT MT GTO MT IGBT MT IGCT MT IGBT BT
Prdidas de
conduccin
baja baja alta baja media
Prdidas de
conmutacin
baja baja media baja baja
Frecuencia de
conmutacin
alta baja alta alta alta
Tensin inversa
mxima
6500 6500 3300 6500 1700
Control de
compuerta
Integral Separado
Sincronizado
con IGBT
Integral
Sincronizado
con IGBT
ndice de falla bajo bajo alto bajo bajo
Modo de falla
Sin ruptura,
sin arco
Sin ruptura,
sin arco
Ruptura,
arco
Sin ruptura,
sin arco
Ruptura, arco
Enfriamiento
Ambos
lados
Ambos
lados
Un solo lado
Ambos
lados
Un solo lado
Esfuerzo
trmico
bajo bajo alto bajo alto
Cantidad de
piezas
bajo medio Medio alto Medio alto Muy alto
Informacin proporcionada por Allen-Bradley
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Informacin proporcionada por Toshiba GE
diodo
rectificador
SCR GTO
Bipolar
Transistor
IGBT LV IGBT MV IGCT SGCT IEGT
x x x x x x x
x x x x x x x x
Fuente corriente x x x
Fuente voltaje x x x x x x x
alta alta baja baja alta alta media-alta media-alta alta
NA corriente corriente corriente voltaje voltaje corriente corriente voltaje
NA <2 A 400-1000 A hasta 10 A 0,1 A <1 A 4000 A 4000 A <1,5 A
NA medio alto bajo bajo bajo alto alto bajo
alto alto alto bajo hasta 1200 v hasta 4500 v hasta 6000 v hasta 6000 v hasta 4500 v
6000 A 5500 A 1000 A 500 A 1000 A hasta 1200 A 4000 A 5000 A hasta 4000 v
NA medio alto medio bajo bajo medio medio bajo
NA baja baja baja muy alta alta media-alta media-alta alta
Tipos de
Inversor
Conmutacin Inversa
AC/DC conversin
Eficiencia
Rango corriente
Prdida conmutacin
Velocidad de conmutacin
Seal control puerta
Corriente puerta
Cantidad de componentes
control puerta
Rango voltaje
Comparacin entre Semiconductores de Potencia
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Prdidas en un accionamiento a baja velocidad
0
5KW
10KW
15KW
20KW
25KW
30KW
35KW
40KW
GTO IGCT LV IGBT HV IGBT
Pdi/dt
Pdv/dt
PoffD
PoffT
PonT
PconD
PconT
Motor frequency: 13 Hz
Motor current: 1.320 Amp.
Inverter power: 2.860 kVA
Informacin proporcionada por ABB
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