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14 60151361 Solucionario de Preguntas de Trans is Tore 60151361 Solucionario de Preguntas de Trans is Tore Ratings: (0)|Views: 814|Likes: 1 Publicado porJosh Josh Duro More info: Published by: Josh Josh Duro on Sep 27, 2012 Copyright:Attribution Non-commercial Availability: Read on Scribd mobile: iPhone, iPad and Android. download as PDF, TXT or read online from Scribd Flag for inappropriate content|Agregar a la coleccin Ver ms See less SOLUCIONARIO DE PREGUNTAS DE TRANSISTORES DE POTENCIAPreguntas de repaso:4.1. Qu es un transistor bipolar BJT? Es un ti po de tr ans is to r de tr es term inales , c olec tor, em is or y b as e; entres us princ ipa les f unc iones s on; un bu en am plif ic ador y c om o elem ento de conmutacin. 4.2. Cules son los tipos de BJT? NPN; que cuenta con dos regiones tipo n y una p.PNP; que cuenta con dos regiones p y una regin n. 4.3. Cules son las diferencias entre los transistores NPN y PNP? Es bsicamente en su estructura interna, sea de mayor regin n o p ademsen el trans is tor NPN s ale la c or r ient e por el em is or, y en e l PNP ingres a l a corriente por esta misma. 4.4. C u les son l as c ar acter stic as de ent rad a de los trans isto res NPN? La configuracin emisor comn es la que generalmente se u t i l i z a e n aplicaciones de conmutacin, por ende las caractersticas de entrada en unN P N e s l a r e l a c i n q u e s e t i e n e e n t r e l a c o r r i e n t e b a s e ( I B ) y e l comportamiento de la tensin V BE este ultimo en funcin de I B . 4.5. Cules son las caractersticas de salida de los t r a n s i s t o r e s NPN? Viene a ser el comportamiento de la corriente I C , e n f u n c i n d e l v o l t a j e colector emisor V CE . 4.6. Cules son las tres regiones de operacin de los BJT? Se tienen tres regiones y estas son: De corte.

Activa. De saturacin. 4.7. Qu es el beta (B) de los BJT? Es la relacin de la corriente de colector (I C ) y la corriente de base, se llamaganancia de corriente en sentido directo. 4.8. Cul es la diferencia entre B, y la beta forzada (B F ) de los BJT? El B F , es la relac i n d e I CS (corriente de colector en la saturacin) y la I B , locual esta relacin es cuando se analiza en el punto de saturacin. 4.9. Qu es la transconductancia de los BJT? La transconductancia (g m ), vien e a s er la r e lac i n de I C con V BE , l o c u a l e s una constante para una representacin o modelo de un BJT con generadorde corriente. 4.10. Qu es el factor de sobreexcitacin de los BJT? Tambin llamado factor de sobresaturacin (ODF), es la relacin entre I B eI BS (corriente base en la regin de saturacin). 4.11. Cul es el modelo de conmutacin de los BJT? Estos modelos se pueden representar de dos formas:1.Model o c on gana nc ia de c orrie nte.2.M ode lo c on trans c onduc tanc ia . 4.12. Cul es la causa del tiempo de retardo en los BJT? Aumento de la corriente del colector hasta el valor de I CS d e e s t a d o permanente 4.13. Cul es la causa del tiempo de almacenamiento en los BJT? Cuando el voltaje de entrada se invierte de V1 a -V2 y la corriente de basetambin cambia a Ib2, la corriente d colector no cambia durante un tiempots es el tiempo de almacenamiento 4.14. Cul es la causa del tiempo de subida en los BJT? El tiempo de subida depende de la constante de tiempo determinada por lac apa c itanc ia d e la unin , que en e l c as o nor m al, la c orriente de bas e es mayor que la necesaria para saturar al transistor 4.15. Cul es la causa del tiempo de cada en los BJT? Durante el tiempo de cada, el perfil de carga baja desde el perfil c hastaque se remueven todas las cargas. 4.16. Cul es el modo de saturacin de los BJT? Se puede definir como el punto arriba del cual todo aumento en la corrientede base no aumenta en forma apreciable de corriente de colector.El la saturacin, la corriente de colector permanece casi constante Ads by OnlineBrowserAdvertisingAd Options 4.17. Qu es el tiempo de encendido de los BJT?

El tiempo de encendido o tiempo de activacin, t enc , es la suma del tiempode retardo con el tiempo de subida t r .T enc =t d +t r 4.18. Qu es el tiempo de apagado de los BJT? El tiempo de apagado o tiempo de desactivacin, t off , e s l a s u m a d e almacenamiento ts y el tiempo de cada t f .T apag =t s +t f 4.19. Qu es una FBSOA de los BJT? Durante l as c ondic io ne s de ac tivac i n y de e s tado ac tiv o, l a tem peratur a p r o m e d i o d e l a u n i n y l a s e g u n d a a v a l a n c h a l i m i t a n l a c a p a c i d a d d e manejo de potencia de un transistor. Los fabricantes suelen proporcionar lascurvas FBSOA bajo las condiciones especificadas de prueba 4.20. Qu es una RBSOA de los BJT? Durante el tiempo de apagado, el transistor debe sostener una g r a n corriente y un alto voltaje, en la parte de los casos con polarizacin inversade bas e a em is or. El v oltaj e de c olec tor a em is or debe m anteners e en un nivel seguro, a un valor especificado de corriente de colector, o menos 4.21. Por qu es necesario invertir la polarizacin d e l o s B J T durante su apagado? Es nec es ar io l a po lar i z ac in par a s at urar al t rans is tor, y as i n o da ar ald i s p o s i t i v o d u r a n t e e l a p a g a d o p o r q u e s e i n v i e r t e n l a s c o r r i e n t e s d e l colector y el emisor. 4.22. Qu es la segunda avalancha de los BJT? E un f enm eno des tr uc tivo, s e d ebe a l f luj o de c orriente p or una p eque a porcin de la base, que produce puntos calientes localizados. Si la energade esos puntos calientes es suficiente, el calentamiento localizado excesivopuede daar al transistor. Asi, la segunda avalancha se deba a la avalanchatrmica localizado debido a altas concentraciones de corrientes. 4.23Cules son las ventajas y las desventajas de los BJT? Desventajas: Segunda Avalancha Perdida de disipacin de potencia Controlado por CorrienteVentajas: Area de Operacin segura en polariacion directa e indirecta 4.24Qu es un MOSFET? Los mosfet, son semiconductores de silicio, creados por capasdopados, consta basicamente de tres terminales ensu aspecto fisico,d e n o m i n a d o s , d r e n a d o r ( d r a i n ) , s u m i n i s t r a d o r ( s o u r c e ) , y g a t e (compuerta), estos elementos,

s o p o r t a n m a y o r c o r r i e n t e q u e l o s a ntec e s ores BJT , inc lus o, tie nen un a res pues ta m u y r apid a ante e lc orte y s aturac i on, por l o qu e es m u y em pleado para elec tronic a d e potencia.D i s p o s i t i v o c o n t r o l a d o p o r v o l t a j e q u e s o l o r e q u i e r e u n a pequea corriente de entrada. 4.25Cules son los tipos de MOSFET? 1.MOSFET decrementales2.MOSFET incrementales 4 . 2 6 C u l e s s o n l a s d i f e r e n c i a s e n t r e l o s M O S F E T t i p o d e incremental y los de tipo decremental? El d ec rem ental c uent a c on c anal, y e l inc rem ental no c uent a c on canal fsico.Un Decremental permanece activo con cero voltaje de compuertamientras que un MOSFET de tipo incremental permanece apagado convoltaje cero. 4.27Qu es el voltaje de estrechamiento de los MOSFET? El valor de Vgs cuando es suficientemente negativo, el canal s e decrementa hasta desaparecer. 4.28Qu es el voltaje umbral de los MOSFET? Es el voltaje de entrada Vt para que se acumule una c a n t i d a d suficiente de electrones para formar un canal virtual. 4.29Qu es la transconductancia de los MOSFET? E s l a r e l a c i n d e l a c o r r i e n t e d e d r e n a j e a l v o l t a j e d e c o m p u e r t a , define a las caractersticas de transferencia, y es un parmetro muyimportante. 4.30Cul es el modelo de conmutacin de los MOSFET de canal n? Modelo de Conmutacion 4.31Cules son las caractersticas de t r a n s f e r e n c i a d e l o s MOSFET? constante DS IDmGS V gV = = 4.32Cules son las caractersticas de salida de los MOSFET? El tiempo de retardo de apagado y el Tiempo de caida 4.33Cules son las ventajas y las desventajas de los MOSFET?Ventajas: Controlados por voltaje. Velocidad de Conmutacion muy alta. Tiempos de comnutacion en el orden de nanosegundos. Desventajas: Perdidas en la zona activa Problemas de descarga electrostatica 4.34. Por qu los MOSFET no requieren voltaje n e g a t i v o d e compuerta durante su apagado? Por que para activar el MOSFET solo requiere que el voltaje d e compuerta VGS sea mayor o igual a un valor llamado voltaje umbralo voltaje de entrada, VT , as se acumula una cantidad suficiente deelectrones parar formar un canal virtual. Y para apagar el MOSFET solo se requerir que VGS sea menor queel voltaje umbral VT. 4.35. Por qu es distinto el concepto de saturacin en los BJT y enlos MOSFET? Por que para un BJT en la regin de saturacin, la corriente de basees suficientemente alta como para que el voltaje colector-emisor seabajo. Ads by OnlineBrowserAdvertisingAd Options

En tanto que para un MOSFET la regin de e s t r e c h a m i e n t o o saturacin es donde V DS =V GS V T . 4.36. Cul es el tiempo de encendido de los MOSFET? Es el retardo de encendido t d(enc) es el tiempo necesario para cargar lacapacitancia de entrada hasta el valor del voltaje umbral. 4.37. Cul es el tiempo de apagado de los MOSFET? Es el tiempo de retardo de apagado t d(apag) es el tiempo necesario paraq u e l a c a p a c i t a n c i a d e e n t r a d a d e s c a r g u e d e s d e e l v o l t a j e d e sobresaturacin V 1 hasta la regin de estrechamiento. 4.38. Qu es un SIT? Es un dispositivo para alta potencia y alta frecuencia. Desde l a invencin de los dispositivos estticos de induccin. En esencia, es lav e r s i n d e l tubo trodo al vacio, pero en estado solido .es u n dispositivo de estructura vertical con multicanales cortos. As no estasujeto a limitaciones de rea, y es adecuado para funcionamiento dealta velocidad con alta potencia. 4.39. Cules son las ventajas de los SIT? Presentan una alta capacidad de voltaje, tienen bajo ruido, bajadistorsin y capacidad de alta potencia en audio f r e c u e n c i a . L o s t i em pos de enc endido y apaga do s on m u y peq ueos , en f orm a tpic a de 0.25 s. 4.40. Cules son las desventajas de los SIT? P o s e e u n a m e n o r c a p a c i d a d d e c o r r i e n t e , t i e n e u n a a l t a c a d a e n estado activo, encendido, es alta, en el caso normal de 90 V para undispositivo de 180 A, y de 18 V para uno de 18 A 4.41. Qu es un IGBT? Es un dis p os iti vo e n el c ual s e c om binan las ventaj as de los BJ T y de l o s MOSFET. Un IGBT tiene alta impedancia de entrada, como los MOSFET, y pocas perdidas por conduccin en estado activo, como losBJT. Sin embargo, no tiene problema de segunda avalancha, como losB J T . P o r e l d i s e o y l a e s t r u c t u r a d e l m i c r o c i r c u i t o , s e c o n t r o l a l a resistencia equivalente de drenaje a fuente, R DS , para que se comportecomo la de un BJT. 4.42. Cules son las caractersticas de transferencia de los IGBT? Caractersticas tpicas de transferencia de un IGBT. 4.43. Cules son las caractersticas de salida de los IGBT? Caractersticas tpicas desalida de un IGBT. 4.44. Cules son las ventajas y desventajas de los IGBT?Ventajas: baj o vo ltaj e en es tado de enc en dido , poc a p o tenc ia en la compuerta, presenta alta impedancia de entrada, no tiene problemasde segunda avalancha. Desventajas: m e n o r c a p a c i d a d d e v o l t a j e e n e s t a d o a p a g a d o , dispositivo de v o l t a j e u n i p o l a r , m a y o r c a d a d e v o l t a j e e n e s t a d o encendido, menor velocidad de conmutacin comparado a los MOSFET.

.4. La temperatura mxima de unin del transistor bipolar en el problema4 . 3 e s T j = 150 C, y la temperatura ambiente es T A = 2 5 C . S i l a s r esistencias tr micas so n R JC =0.4 C/W y R CS = 0 . 0 5 C / W , c a l c u l e l a resistencia trmica del radiador R SA . (Sugerencia: no tome en cuenta ladisipacin de potencia debido al circuito de la base) Solucin: Datos: T j = 150 C, T A = 25 C, R JC =0.4 C/W y R CS = 0.05 C/W.Del problema 4.3 se tiene que para un ciclo completo P T = 482.258 W, peroel ciclo de trabajo del transistor es de k= 50%, as que en ese periodo P T = (0.5) 482.258 W = 241.27 W.Asi: T J T A =P T (R JC +R CS +R SA )150 25 = 241.27 (0.4 + 0.05 + R SA )R SA = 0.0681 C/W. 4.5. Para los parmetros del problema 4.3, calcule la disipacin de potenciadebido a la corriente de la base P B . Solucin: Datos: V BE(sat) =3V, I B =8 A, t d =0 .5 s, t r = 1 s, t

s = 5 s, t f =3 s y f s = 10kHz. El ciclo de trabajo es k=50%. T= 1/ f s = 100 s, k = 0.5, kT= 50 s, t enc =t d +t r = 1.5 s, t n = 50 1.5 =48.5 sP B =I B V BE(sat) (t enc +t n +t s +t f )f s P B = 8 x 3 (1.5 + 48.5 + 5 + 3) 10 -6 x 10 x 10 3 P B = 13.92 W 4.6. Repita el problema 4.3, si V BE(SAT) = 2.3 V, I B = 8 A, V C(sat) = 1.4 V, t d =0.1us tr=0.45 us, ts=3.2us y tf=1.1 us Solucin: Ads by OnlineBrowserAdvertisingAd Options

T= 1/ f s = 100 s, k = 0.5, kT= 50 s, t enc =t d +t r = 1.5 s, t n = 50 1.5= 48.5 sP B =I B V BE(sat) (t enc +t n +t s +t f )f s P B = 8 x 3 (1.5 + 48.5 + 5 + 3) 10 -6 x 10 x 10 3 P B = 13.92 W 4.7. Un MOSFET se usa como interruptor. La corriente de fuga del drenaje ala fuente es 250uA El ciclo de trabajo es k=60%. Calcule la disipacin dep o tencia d eb id o a la co rriente d e drenaj e a) d urante el encend id o , b) d u r a n t e e l p e r i o d o d e c o n d u c c i n c ) d u r a n t e e l a p a g a d o , d ) l a s disipaciones totales promedioSus parmetros son: 4035201025702520 DD D DS GS f V V I A R mV V t d n s t r n s t ns fs kHz === ===== SOLUCION: T J =150C=423K T A =30C=303K R JC =1K/WR CS =1K/WR SA =?Como las resistencias R

JC =R CS por lo tanto T c =P T = 4.8. La temperatura mxima de unin del MOSFET en el problema 4.7 es T j =150 0 C y la temperatura ambiente es T A =30 0 C . S i l a s r e s i s t e n c i a s tr micas so n R JC =1K/W y R CS =1 K/W , calcule la r esistencia tr mica d el disipador R SA =. (nota: K=C+273). Solucin: T J =150C=423K T A =30C=303K R JC =1K/WR CS =1K/W R SA =?Como las resistencias R JC =R CS por lo tanto T c =P T = 4.9 . Se conectan en paralelo dos BJT en forma parecida a la figura 4.32. Lacorriente total de carga de I T =200. El voltaje del colector a emisor deltransistor Q 1 es V CE1 =1.5V, y la del transistor Q 2 es V CE2

=1.1V. Calcule lacorriente en el colector de cada transistor, y la diferencia de particin decorriente, si las resistencias de corriente compartida son a)R e1 =10m yR e2 =20m, y b) R e1 =R e2 =20m. SOLUCION: DATOSI T =200AV CE1 =1.5VV CE2 =1.1VI C1 ,I C2 =?A ) S i R e1 =10m, R e2 =20mV CE1 +I C1 *R E1 =V CE2 +I C2 R e2 .. Ads by OnlineBrowserAdvertisingAd Options 1.5+0.01I c1 =1.1+0,02I c2 0.01I c1 -0.02I c2 =-0.4 (1)De dato tenemos:I c1 +I c2 =200 (2)Resolviendo 1 y 2 tenemos las corrientesI c1 =120AI

c2 =80APOR LO TANTO LA DIFERENCIA ES:Dif=I c1 -I c2 =120-80=40AQue 40A es el 20% de 200AB ) S i R e1 =R e2 =20mReemplazamos valores en1.5+0.02I c1 =1.1+0.02I c2 0.02 (I c1 -Ic2) =-0.4(3)I c1 -I c2 =-20De igual de datoI c1 +I c2 =200.. (4)Resolviendo 3 y 4 tenemos las corrientesI c1 =90AI c2 =110APOR LO TANTO LA DIFERENCIA ES:Dif=I c1 -I c2 =90-110=-20AQue 20A es el 10% de 200A 4.10. Un transistor bipolar funciona como interruptor pulsado a u n a frecuencia f s = 20 kHz. El arreglo de circuito se ve en la figura 4.35a. Elvoltaje de entrada de cd al interruptor es V S = 400v; y la corriente de lacarga es I L = 100 A. los tiempos de conmutacin son t r = 1us y t f = 3 us.C a l c u l e l o s v a l o r e s d e a ) L S ; b ) C S ; c ) R S p a r a l a c o n d i c i n d e amortiguamiento critico, d) R S si el tie mp o d e d escar ga se li mita a u n tercio del periodo de conmutacin; e) R S si la corriente pico de descarga

se limita al 5% de la corriente de la carga y f) la disipacin de potenciaP S debida al amortiguador RC, sin tener en cuenta el efecto del inductorL S so b re el vo ltaj e d el cap acito r amo r tiguad o r C S . Suponga que V CE(sat) =0. Solucin: Datos:f s = 20 kHz; V s = 400 v; I L = 100 A; t r = 1us; t f = 3us; V CE(sat) = 0En condicin de amortiguamiento critico: a) L S : b) C S : c) R S : d) R S ; c o n t i e m p o d e d e s c a r g a s e l i m i t a a u n t e r c i o d e l p e r i o d o d e conmutacin: e) R S ; con corriente pico de descarga se limita al 5% de la corriente decarga: f) P S : 4.11. Un MOSFET funciona como interruptor pulsado a una frecuencia f s =5 0 k H z . E l a r r e g l o d e l c i r c u i t o s e v e e n l a f i g u r a 4 . 3 5 a . E l v o l t a j e d e entrada de cd al interruptor es V S = 30v; y la corriente de la carga es I L

= 40 A. los tiempos de conmutacin son t r = 6 0 n s y t f = 2 5 n s . Determine los valores de a) L S ; b ) C S ; c ) R S para la condicin de

amortiguamiento critico, d) R S si el tie mp o d e d escar ga se li mita a u n tercio del periodo de conmutacin; e) R S si la corriente pico de descargase limita al 5% de la corriente de la carga y f) la disipacin de potenciaP S debida al amortiguador RC, sin tener en cuenta el efecto del inductorL S so b re el vo ltaj e d el cap acito r amo r tiguad o r C S . Suponga que V CE(sat) =0. Solucin: Datos:f s = 50 kHz; V s = 30 v; I L = 40 A; t r = 60 ns; t f = 25 ns; V CE(sat)

=0 a) L S : b) C S : c) R S : d) R S ; c o n t i e m p o d e d e s c a r g a s e l i m i t a a u n t e r c i o d e l p e r i o d o d e conmutacin: e) R S ; con corriente pico de descarga se limita al 5% de la corriente decarga: f) P S :

Ads by OnlineBrowserAdvertisingAd Options Actividad (3) Filters Agregar a la coleccinReviewAdd noteLikeInsertar Showing TodosLos ms recientesReviewsAll NotesLikes You've already reviewed this. Edit your review.
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