ESPE ELECTRONICA DE POTENCIA MOSFET

INTEGANTES: Edwin Haro Anderson Enrquez Ivn Naula

PORQUE UTILIZAR DISPOSITIVOS DE CONMUTACIN EN ELECTRNICA DE POTENCIA?

Surge la pregunta de si es necesario utilizar dispositivos de conmutacin en sistemas de electrnica de potencia, la respuesta obvia es que no, puesto que en existen diversos circuitos que nos ayudan a transformar la energa desde la fuente hacia la carga a las formas que la carga necesite sin necesidad de realizar conmutacin internas. Sin embargo la utilizacin de semiconductores como swithces o conmutadores esta mas relacionada con la eficiencia de la conversin de energa. A diferencia de los amplicadores operacionales y los reguladores lineales cuyos elementos estn funcionando en la zona lineal, razn por la cual se producen perdidas de energa en los dispositivos de conversin.

MOSFET DE POTENCIA
A diferencia del transistor de unin bipolar (BJT) el MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) pertenece a la familia de dispositivos unipolares. Los MOSFET se dividen en 2 grades grupos Enriquecimiento Empobrecimiento

Los mismos que pueden ser de canal tipo n o de canal tipo p. Los smbolos de las diferentes combinaciones se muestran en la fig 6.5.

Como bien se dijo la caracterstica primordial de un mosfet es la velocidad de conmutacin, razn por la cual se eligen los dispositivos. A continuacin se muestra en la figura 6.6. el comportamiento de un mosfet de enriquecimiento canal tipo n. Este es el dispositivo ms rpido con una frecuencia >Mhz y con rangos de voltaje y corrientes superiores a los 600V y a los 40 A respectivamente.

ESTRUCTURA DE UN MOSFET
Estructura del MOSFET donde se muestran los terminales de compuerta (G), sustrato (B), surtidor (S) y drenador (D). La compuerta est separada del cuerpo por medio de una capa de aislante (blanco).

Sin embargo, el sustrato generalmente est conectado internamente al terminal del surtidor, y por este motivo se pueden encontrar dispositivos MOSFET de tres terminales.

FUNCIONAMIENTO MOSFET
La compuerta esta aislada del canal mediante una delgada capa de oxido.

MOSFET de empobrecimiento
En un MOSFET decremental de canal n, el voltaje de compuerta a fuente, Vgs, puede ser positivo o negativo. Si es negativo, creara una regin de agotamiento por debajo de la capa de xido, que resultara en un canal efectivo as angosto, el canal se agotara totalmente, ofreciendo un alto valor de Rgs. Por lo cual el dispositivo est en estado APAGADO (OFF). Por otra parte. Vgs se hace positivo, el canal se ensancha, e Ids aumenta debido a la reduccin en Rds. De esta manera el dsipositivo se encuentra en estado ENCENDIDO (ON). Se invierten las polaridades de Vds, Ids y Vgs en un MOSFET de tipo empobrecimiento de canal p.

MOSFET de enriquecimiento
Un mosfet de tipo enriquecimiento no tiene canal fsico, como se ve en la figura. SI Vgs es positivo, un voltaje inducido atrae a los electrones del substrato p y los acumula en la superficie, bajo la superficie de oxido. Si Vgs es mayor o igual a un valor llamado voltaje umbral o voltaje de entrada, Vt, se acumula una cantidad suficiente de electrones para formar un canal n virtual, y la corriente circula del drenaje a la fuente (surtidor). Se invierten las polaridades de Vds, Ids y Vgs en un MOSFET de tipo incremental canal p.

CARACTERISTICAS DEL MOSFET DE POTENCIA

Caractersticas de salida.
Como se puede observar en la figura 5, las familias de curvas son generadas para distintos valores de tensin de compuerta, de estas curvas podemos observar dos grandes diferencias con las curvas de los transistores bipolares BJT.

Una es que la pendiente en la regin hmica no es tan grande een el MOSFET como en el BJT, lo que nos indica una mayor resistencia de encendido Rds(on) y la otra es que la pendiente en la zona activa del MOSFET de potencia es muy pequea, logrando de esta forma una fuente de corriente mas constante.

Resistencia de encendido
Cuando conmutamos un MOSFET de OF a ON, el valor de resistencia Drenador-Surtidor cae al valor de encendido R(on), el cual es relativamente bajo. Para reducir este valor. La tensin de compuerta para una corriente de drenador dada, debe ser lo suficientemente grande como para mantenerse en la regin hmica. Normalmente este valor ronda los 15V. A medida que la corriente aumenta por sobre los rangos de continua, la resistencia tambin depende de la temperatura de juntura Tj, provocando un incremento R(on) con un aumento de Tj.

Tensin de umbral
Es la mnima tensin para la cual el dispositivo, comienza a conducir un determinado flujo de corriente Ids. Este valor de tensin es dependiente de la temperatura como se observa en la figura, esta variacin es lineal con la temperatura de juntura Tj. Con un coeficiente de temperatura negativo, la tensin umbral cae el 10% cada 45C de aumento de Tj.

Causas de la perdida de potencia

Son 4 las principales: 1. Perdidas por conduccin. Pc=I2D*RDS(ON) Es importante notar que la resistencia ON de los MOSFET cuando estos son operados en la regin hmica depende de la temperatura de juntura. Esta resistencia aproximadamente duplica su valor entre los 25C y los 150C. 2. Perdidas de conmutacin. Cuando un MOSFET es excitado o pagado llevan una gran corriente y soportan una gran tensin al mismo tiempo, esto consecuentemente genera una gran potencia disipada. Las prdidas de conmutacin son despreciables a bajas frecuencias pero son las dominantes a alta frecuencia. Los MOSFET conmutan al estado OFF ms lente que al estado ON, de esta manera las prdidas de conmutacin al estado OFF son mayores que las de conmutacin al estado ON.

3. Perdidas en el diodo. Estas prdidas solo ocurren en circuitos en los cuales se use el diodo en antiparalelo o inherente a la estructura del mosfet. Una buena aproximacin de la disipacin del diodo es el producto de la tensin (1.2V aprox) por la corriente promedio que circula por el diodo.

4. Perdidas en la compuerta. Estn dadas por la ecuacin:

CIRCUITOS DE EXITACION DE UN MOSFET

El diseo de circuitos de excitacin que minimicen la prdida de potencia en los interruptores electrnicos es una parte fundamental en el diseo de sistemas conmutados. Las prdidas de conmutacin ocurren porque un dispositivo no hace una transicin de un estado a otro instantneamente transitando de esta manera por la regin activa del dispositivo. Normalmente la tensin Vgs del mosfet para el estado activado en circuitos conmutado es esta entre los 10 y 20 voltios. Las corrientes de puerta para los estados de encendido y apagado son esencialmente cero. Sin embargo, es necesario cargar la capacidad de entrada parasita para poner al mosfet en conduccin y descargarla para apagarlo.

La figura muestra circuitos de excitacin comunes. El circuito a) excitara al transistor pero el tiempo de conmutacin puede que sea inaceptable. El circuito b) el doble seguidor de emisor o salida de Totem-Pole consiste en un par de bipolares NPN y PNP acoplados. Cuando la tensin de excitacin esta a nivel alto Q1 conduce y

Q2 est apagado, haciendo conducir al mosfet. Cuando la seal de excitacin esta a nivel bajo, Q1 est al corte y Q2 conduce eliminando la carga de la puerta y apagando el mosfet. El circuito c) si la seal de entrada proviene de un circuito TTL de colector abierto usado como control, el Tolem-Pole es utilizado como buffer para suministrar y absorber las corrientes de puerta requeridas.