TTL La lgica transistor-transistor (TTL) es una de las tecnologas de circuitos integrados ms extendidas... hasta el momento...

La funcin lgica de un inversor o de cualquier tipo de puerta es siempre la misma, independientemente de l tipo de tecnologa de circuitos que se utilice.

Esta familia utiliza elementos que son comparables a los transistores bipolares diodos y resistores discretos, y es probablemente la mas utilizada. A raz de las mejoras que se han realizado a los CI TTL, se han creado subfamilias las cuales podemos clasificarlas en: TTL TTL TTL TTL TTL TTL estndar. de baja potencia (L). Schottky de baja potencia (LS). Schottky (S). Schottky avanzada de baja potencia (ALS). Schottky avanzada (AS).

La familia lgica-transistor-transistor se desarroll usando interruptores a transistor para las operaciones lgicas, y define los valores binarios como

0 V a 0,8 V = lgica 0 2 V a 5 V = lgica 1

La familia TTL es la mas grande de los circuitos integrados (ICs), pero la familia CMOS est creciendo rapidamente. No son caros, pero consumen mucha energa y deben alimentarse con +5 voltios. Las puertas individuales, puden consumir de 3 a 4 mA. Las versiones Schottky de bajo consumo de chips TTL, solo consumen un 20% de energa pero son mas caras. Los nmeros de piezas de estos chips llevan LS en el centro de su nomenclatura.

La familia de los circuitos integrados digitales TTL tienen las siguientes caractersticas:
- El voltaje de alimentacin es de + 5 Voltios, con Vmn = 4.75 Voltios y Vmx = 5.25 Voltios. Por encima del voltaje mximo el circuito integrado se puede daar y por debajo del voltaje mnimo el circuito integrado no funcionara adecuadamente.

Cmo funciona un circuito integrado TTL?

1 - Si E1 o E2 estn a un nivel de voltaje de 0 voltios, entonces el transistor conduce, y Z = 0 Voltios 2 - Si E1 y E2 estn a un nivel de voltaje de 5 voltios, entonces el transistor no conduce, y Z = 5 Voltios La serie de circuitos integrados TTL es la base de la tecnologa digital. Siendo la compuerta NAND el circuitos base de la serie 74 XX Es importante tomar en cuenta que para su funcionamiento, la carga de entrada. - Con la seal de entrada en nivel bajo (LOW = 0), la entrada de la compuerta entrega corriente a la fuente de seal de aproximadamente 10 mA (miliamperio) - Con la seal de entrada en nivel alto (HIGH = 1), la entrada de la compuerta pide a la fuente de la seal de entrada una corriente de aproximadamente de uA (microamperios) - La entrada no conectada acta como una seal de nivel alto (HIGH) La carga mayor ocurre cuando la seal de entrada es de nivel bajo (LOW). En este momento el transistor de salida tiene que aguantar mayor corriente. Generalmente los transistores de esta serie aguantan hasta 100 mA (miliamperios). Entonces solo se pueden conectar 10 entradas en paralelo (FAN IN = 10)

Definicin ECL
La familia ECL, Lgica Acoplada en Emisor (emmiter-coupled logic) son unos circuitos integrados digitales los cuales usan transistores bipolares, pero a diferencia de los TTL en los ECL se evita la saturacin de los transistores, esto da lugar a un incremento en la velocidad total de conmutacin. La familia ECL opera bajo el principio de la conmutacin de corriente, por el cual una corriente de polarizacin fija menor que la corriente del colector de saturacin es conmutada del colector de un transistor al otro. Este tipo de configuraciones se les conoce tambin como la lgica de modo de corriente (CML; current-mode logic).

La familia ECL tiene dos variantes: ECL serie 10000 o ECL IOK. ECL serie 100000 o ECL IOOK. Ambas familias (IOK y IOOK) son prcticamente idnticas con la diferencia de que la familia ECL IOOK es un poco ms rpida que ECL IOK y adems posee una mayor estabilidad frente a variaciones de la temperatura. Las familias ECL son las ms rpidas que existen en el mercado, llegando sus retardos a sobrepasar en muchas ocasiones un nanosegundo por puerta y la frecuencia de reloj suele ser de 50 MHz, pudiendo llegar a las cercanas del GHz. Todo esto las hace recomendables en contadores, comunicaciones digitales de alta velocidad, sistemas de clculo de alta velocidad, etc . Por lo comentado anteriormente, la familia ECL tiene unas propiedades ideales; pero falta comentar sus caractersticas en cuanto a la disipacin de potencia. De esta manera, si ECL es la familia ms rpida que existe en el mercado, tambin es la familia que ms potencia disipa (20 mW por puerta), y si a esto le aadimos que su tensin de alimentacin es negativa, entonces podemos decir que no es una familia tan apetecible como en un principio pareca, puesto que no slo consume mucho, sino que los niveles lgicos que proporciona no son en nada compatibles con los de las restantes familias lgicas, por lo que los problemas en la interconexin con otras familias lgicas son muchos. El circuito bsico para los ECL es principalmente la configuracin de amplificador diferencial. El funcionamiento de este amplificador es muy simple, se tiene una corriente fija IE que es producida por la fuenet VEE, esta corriente que pasa a travs de la resistencia de 1k permanece alrededor de 3 mA durante la operacin normal de la compuerta. Ahora bien, depende del nivel de voltaje en la base de los transistores de entrada para definir que transistor debe conducir, esto significa que la corriente cambiar entre el colector de Q1 y Q2 y el de Q3. Los niveles lgicos para la familia ECL son los siguientes: 0 lgico -1.7 V 1 lgico -0.8 V CARACTERSTICAS DE LA ECL La familia TTL utiliza transistores que operan en el modo saturado. Como resultado, su velocidad de conmutacin esta limitada por el retardo en el tiempo de almacenamiento asociado con un transistor que se conduce a saturacin. En cambio con el desarrollo de la ECL sa ha logrado mejorar las velocidades de conmutacin. La familia ECL no se usa tan comunmente como las familias TTL y MOS, excepto en aplicaciones de muy alta frecuencia donde su velocidad es superior. Sus mrgenes de ruido son relativamente

bajos y tiene un elevado consumo de potencia son desventajas en comparacin con las otras familias lgicas En la familia ECL los transistores nunca se saturan, esto hace que la velocidad de conmutacin sea muy alta, el tiempo comn de retardo es de 2ns. Los mrgenes de ruido en el peor de los casos son de 250 mV. Esto hace a los ECL un poco inseguros para utilizarse en medios industriales de mucho trabajo. Tambin tenemos que tomar en cuenta la disipacin de potencia de una compuerta ECL que es de 40 mW, muy alta en comparacin a las otras familias. Otra desventaja es su voltaje de alimentacin negativo y niveles lgicos, que no son compatibles con las dems familias y esto dificulta el uso de las ECL en conjuncin con los circuitos TTL y MOS

Fundamento de las ECL

El funcionamiento de los circuitos ECL se basa en el mismo del amplificador diferencial. Los transistores no se saturan, la operacin normal es en zona activa, lo que constituye una de las razones que hace que estos circuitos sean los mas veloces de los circuitos integrados digitales.

FAMILIA MOS Los transistores de la tecnologa MOS (Metal Oxide Semiconductors) son transistores de efecto de campo a los que llamamos MOSFET, la gran mayora de los circuitos integrados digitales MOS se fabrican solamente con este tipo de transistores. El MOSFET tiene varias ventajas: es muy simple, poco costoso, pequeo y consume muy poca energa. Los dispositivos MOS ocupan mucho menos espacio en un CI que los BJT, un MOSFET requiere de 1 mlesimo cuadrado del area del CI mientras que un BJT ocupa 50 mlesimos del area del CI. Esta ventaja provoca que los circuitos integrados MOS estn superando por mucho a los bipolares en lo que respecta a la integracin a gran escala (LSI, VLSI). Todo esto significa que los CI MOS pueden tener un nmero mucho mayor de elementos en un solo subestrato que los circuitos integrados bipolares. CARACTERSTICAS DE LOS CIRCUITOS MOS Velocidad de Operacin 50 ns. Margen de Ruido 1.5 V Factor de Carga 50 Consumo de Potencia 0.1 mW

Como podemos ver los circuitos MOS tiene algunos aspectos mejores y otros peores en comparacin con los TTL o los ECL. El tiempo de retardo tan alto se debe a la alta resistencia de entrada que tienen estos dispositivos y a la capacitancia de entrada razonablemente alta. Los MOS consumen muy pequeas cantidades de potencia por lo que son ampliamente utilizados para el LSI y el VLSI, donde se guardan grandes cantidades de compuertas en un solo encapsulado sin ocasionar sobrecalentamiento. Otro aspecto favorable es que los MOS son muy simples de fabricar, no requiere de otros elementos como resistencias o diodos. Esta caracterstica y su bajo consumo de potencia son la causa de su gran auge en el campo digital. La familia lgico MOS tiene una caracterstica que no se haba tomado en cuenta en las familias anteriormente estudiadas, la sensibilidad esttica. Esto es, que los dispositivos MOS son sensibles a dao por electricidad esttica. Al grado de que las mismas cargas almacenadas en el cuerpo humano pueden daarlos. La descarga electrosttica provoca grandes perdidas de estos dispositivos y circuitos electrnicos por lo que se deben tomar medidas especiales como: conectar todos los intrumentos a tierra fsica, conctarse a s mismo a tierra fsica, mantener los CI en una esponja conductora o en papel aluminio; todo esto para evitar cargas electrostticas que puedan daar los dispositivos MOS.

Funcionamiento
El MOSFET es frecuentemente usado como amplificador de potencia ya que ofrecen dos ventajas sobre los MESFETs y los JFETs y ellas son: En la regin activa de un MOSFET en modo de enriquecimiento, la capacitancia de entrada y la trasconductancia es casi independiente del voltaje de la compuerta y la capacitancia de salida es independiente del voltaje del drenador. Este puede proveer una potencia de amplificacin muy lineal. El rango de voltaje activo de la compuerta puede ser mayor porque los MOSFETs de canal n en modo de vaciamiento pueden operar desde la regin de modo de vaciamiento (-Vg) a la regin de modo de enriquecimiento (+Vg).

Circuitos Integrados CMOS

MOS en forma complementaria (Complementary Metal Oxide Semiconductor), es decir, ocupan un transistor de canal N junto a un transistor de canal P. El termino MOS es una versin reducida del termino completo, MOSFET, que signica Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. La tecnologa CMOS es la ms utilizada actualmente para la construccin de circuitos integrados digitales, como las compuertas, hasta los circuitos como las memorias y los microprocesadores. Los voltajes de alimentacin en la familia CMOS tiene un rango muy amplio, estos valores van de 3 a 15 V para los 4000 y los 74C. De 2 a 6 V para los 74HC y 74HCT.

Caractersticas comunes a todos los dispositivos CMOS

Los requerimientos de voltaje en la entrada para los dos estados lgicos se expresa como un porcentaje del voltaje de alimentacin. Tenemos entonces: VOL(max) = 0 V VOH(min) = VDD VIL(max) = 30%VDD VIH(min) = 70% VDD

Vamos a comentar las caractersticas ms importantes de operacin y desempeo. A) VOLTAJE DE ALIMENTACIN Las series 4000 y 74C funcionan con valores de V, que van de 3 a 15 V DD, por lo que la regulacin del voltaje no es un aspecto crtico. Las series 74HC y 74RCT funcionan con un menor margen de 2 a 6 V. Cuando se emplean dispositivos CMOS y TTL, juntos, es usual que el voltaje de alimentacin sea de 5 V para que una sola fuente de alimentacin de 5 V proporcione VDD para los dispositivos CMOS y V CC para los TTL. Si los dispositivos CMOS funcionan con un voltaje superior a 5V para trabajar junto con TTL se deben de tomar medidas especiales. NIVELES DE VOLTAJE Cuando las salidas CMOS manejan slo entradas CMOS, los niveles de voltaje de la salida pueden estar muy cercanos a 0V para el estado bajo, y a VDD para el estado alto. Esto es el resultado directo de la alta resistencia de entrada de los dispositivos CMOS, que extrae muy poca corriente de la salida a la que est conectada. De esta forma, cuando un CMOS funciona con VDD= 5 V, acepta voltaje de entrada menor que V(mx) = 1.5 V como BAJO, y cualquier voltaje de entrada mayor que V (mn) = 3.5 V como ALTO.